CN116913751A - 蚀刻装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种使用更简单的装置进行蚀刻的蚀刻装置。使用一种蚀刻装置，具备：照射装置，所述照射装置包括向基板照射蚀刻用的离子束的离子源；以及输送装置，所述输送装置输送基板，使基板多次通过离子束的照射区域，离子束的照射方向相对于位于照射区域的基板的表面的法线倾斜，多次的照射区域的基板的通过至少包括第1通过和第2通过，第1通过中的离子束相对于基板的照射方向和第2通过中的离子束相对于基板的照射方向相互不同。

Description

蚀刻装置
技术领域
本发明涉及蚀刻装置。
背景技术
使用有机EL显示装置、液晶显示装置等平板显示装置。例如有机EL显示装置包括在2个相对的电极之间形成有具有作为引起发光的有机物层的发光层的功能层的多层结构的有机EL元件。有机EL元件的功能层、电极层通过在成膜装置的腔室内利用溅射、蒸镀等方法经由掩模使成膜材料附着于玻璃基板而形成。另外，已知有利用向通过溅射等形成的膜照射离子束的离子束蚀刻，进行将膜的一部分削掉而去除的处理。
对于离子束蚀刻，提出有一边使被照射对象旋转或移动一边照射离子束的方法。
专利文献1(日本特表2013－503414号公报)公开了在照射平行离子束的直列处理系统中使圆形基板一边旋转一边移动的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2013－503414号公报
发明内容
发明要解决的课题
在现有技术中，为了一边使基板旋转一边进行输送，将基板载置于特殊的载体。因此，存在若要应对大型的基板则装置大型化的课题。在此，本发明是鉴于上述课题而完成的，提供一种使用更简单的装置进行蚀刻的技术。
用于解决课题的方案
本发明采用以下的结构。即，一种蚀刻装置，其中，具备：
照射装置，所述照射装置包括向基板照射蚀刻用的离子束的离子源；以及
输送装置，所述输送装置输送所述基板，使所述基板多次通过所述离子束的照射区域，
所述离子束的照射方向相对于位于所述照射区域的所述基板的表面的法线倾斜，
所述多次的所述照射区域的所述基板的通过至少包括第1通过和第2通过，所述第1通过中的所述离子束相对于所述基板的照射方向和所述第2通过中的所述离子束相对于所述基板的照射方向相互不同。
另外，本发明采用以下的结构。即，一种蚀刻装置，其中，具备：
照射装置，所述照射装置包括向基板照射蚀刻用的离子束的离子源；以及
输送装置，所述输送装置输送所述基板，使所述基板多次通过所述离子束的照射区域，
所述离子束的照射方向相对于位于所述照射区域的所述基板的表面的法线倾斜，
所述多次的所述照射区域的所述基板的通过至少包括第1通过和第2通过，
所述蚀刻装置还具备旋转装置，所述旋转装置在所述第1通过与所述第2通过之间，在所述离子束的照射区域之外，在与所述基板的表面平行的面内使所述基板旋转。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种使用更简单的装置进行蚀刻的技术。
附图说明
图1是实施例1的成膜装置的内部的概略结构图。
图2是表示实施例1的成膜装置的动作的流程图。
图3是实施例1的成膜装置的蚀刻动作说明图。
图4是实施例1的成膜装置的内部的概略结构图。
图5是实施例1的离子源的说明图。
图6是实施例1的蚀刻区的说明图。
图7是实施例1的离子束照射方向的说明图。
图8是实施例1的通过离子束照射形成的膜的说明图。
图9是实施例2的蚀刻区的说明图。
图10是实施例2的离子束的照射方向的可变机构的说明图。
图11是实施例3的蚀刻区的说明图。
图12是实施例4的蚀刻区的说明图。
图13是实施例5的蚀刻区的说明图。
图14是实施例6的蚀刻区的说明图。
图15是实施例7的蚀刻区的说明图。
图16是实施例7的蚀刻区的变形例的说明图。
图17是实施例8的蚀刻区的说明图。
图18是实施例8的蚀刻区的说明图的后续。
图19是实施例8的蚀刻区的变形例的说明图。
图20是表示形成于凹凸基板的膜的剖视图。
附图标记说明
10基板，11凸部，12凹部，15基板输送装置，20膜，300处理室，300c蚀刻区，330蚀刻用射束照射装置，331离子源，341离子束。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行详细说明。但是，以下的实施方式仅是例示性地表示本发明的优选的结构，本发明的范围并不限定于这些结构。另外，对于以下的说明中的装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特定的记载，则不意图将本发明的范围仅限定于此。
本发明适合于通过溅射、蒸镀在基板等成膜对象物的表面上形成成膜材料的薄膜的成膜装置。本发明能够理解为成膜装置、成膜方法、蚀刻装置、蚀刻方法、成膜装置或蚀刻装置的控制方法。本发明还能够理解为电子器件的制造装置及其控制方法、电子器件的制造方法。本发明还能够理解为使计算机执行成膜方法、蚀刻方法或控制方法的程序、储存有该程序的存储介质。存储介质也可以是能够由计算机读取的非暂时性的存储介质。
本发明能够优选应用于在作为被处理对象的基板的表面上形成所期望的图案的薄膜的成膜装置。作为基板的材料，能够利用玻璃、树脂、金属、硅等任意的材料。作为成膜材料，能够利用有机材料、无机材料(金属、金属氧化物)等任意的材料。基板也可以包括在基板材料的表面上已进行了1个以上的成膜的基板。本发明的技术典型地应用于电子器件或光学部件的制造装置。特别是适合于具备有机EL元件的有机EL显示器、使用有机EL显示器的有机EL显示装置等有机电子器件。本发明还能够利用于薄膜太阳能电池、有机CMOS图像传感器。
(实施例1)
参照图1～图8，对本发明的实施例1的成膜方法及成膜装置进行说明。图1是表示本发明的实施例1的成膜装置的内部的概略结构的剖视图，示出了从上方观察成膜装置的整个内部的情况下的概略结构。图2是表示本发明的实施例1的成膜装置的动作的流程图。图3是本发明的实施例1的成膜装置的蚀刻动作说明图。图4是本发明的实施例1的成膜装置的内部的概略结构图，示出了在基板的输送方向上观察设置有蚀刻用射束照射装置的附近的概略结构。图5是作为本发明的实施例1的蚀刻用射束照射装置的离子源的说明图，图5的(a)是表示离子源的射束照射面的主视图，图5的(b)是图5的(a)中的AA剖视图，图5的(c)是表示离子束的长边方向的蚀刻强度的图表。图6是从侧面观察本实施例的蚀刻区300c的结构的图。图7是表示离子束照射方向与基板的凹凸的关系的图。图8是对于本发明的实施例1的离子束照射的效果的说明图。
＜成膜装置的整体结构＞
特别参照图1，对本实施例的成膜装置1的整体结构进行说明。成膜装置1具备收纳要进行成膜处理的基板10的储料室100、将室内切换为大气状态和真空状态的气压切换室200、以及对基板10的处理面进行各种处理的处理室300。
储料室100起到收纳多个基板输送装置15的作用，该基板输送装置15能够一边保持基板10一边进行输送。在该储料室100设置有载置多个基板输送装置15的载置台111和使载置台111往复移动的驱动机构。该驱动机构包括使滚珠丝杠旋转的马达等驱动源121和限制载置台111的移动方向的导轨122等。但是，对于使载置台111往复移动的驱动机构，并不限于这样的结构，能够采用各种公知技术。另外，在载置台111设置有多个限制基板输送装置15的移动方向的导轨112。成膜装置1是基板10一边被基板输送装置输送一边接受各种处理的直列输送型的装置。
气压切换室200为了将从处于大气状态的储料室100送入的基板输送装置15送入到处于真空状态的处理室300，起到在被输送到处理室300之前的阶段将室内从大气状态切换为真空状态的作用。另外，在本实施例的气压切换室200设置有对基板10进行加热的加热器221、222。即，根据基板10的材料，若在常温下直接向处理室300输送，则会从基板10产生各种气体，在成膜时产生不良影响。因此，对于这样的基板10，利用加热器221、222进行加热而使气体强制性地提前产生，从而抑制在处理室300内的气体产生。另外，在气压切换室200也设置有限制基板输送装置15的移动方向的导轨210。
处理室300具备内部成为真空环境的腔室301和限制基板输送装置15的移动方向的导轨302。此外，根据实施例，有时在处理室300中使基板输送装置15往复移动。对于用于往复移动的机构，能够应用利用滚珠丝杠的驱动机构、齿轮齿条机构等各种公知技术。
在处理室300内设置有预处理区300a、成膜区300b以及蚀刻区300c。在预处理区300a设置有用于在成膜处理之间进行基板10的处理面的清洗等预处理的基板处理装置310。在成膜区300b设置有作为对基板10的处理面进行成膜处理的成膜材料照射装置的溅射装置320。在蚀刻区300c设置有对通过溅射装置320形成在基板10上的膜进行蚀刻的蚀刻用射束照射装置330。此外，图1的蚀刻区300c是简化的，对于更详细的结构将按照每个实施例来进行说明。
设置在预处理区300a的基板处理装置310的前段的空间是由基板处理装置310实施预处理之前的基板输送装置15待机的空间。本实施例的成膜装置1形成一边保持基板10一边进行输送的同时对基板10实施一系列处理的所谓的直列型的结构。
图1所示的结构仅示出一例，本发明的成膜装置不限定于此。例如，也可以是基板10在以被成膜面朝上(或朝下)的状态保持于基板载体的状态下随着基板载体的移动而在多个腔室之间移动的结构。
＜成膜装置的整体动作＞
成膜装置1所具备的控制装置C除了进行使载置台111往复移动的驱动机构、气压切换室200内的气压、加热器221、222、处理室300内的气压、基板处理装置310、溅射装置320以及蚀刻用射束照射装置330的控制之外，还进行基板输送装置15对基板10的输送控制。控制装置C执行处理流程的各种动作(成膜工序、蚀刻工序等)的控制。控制装置C例如能够由具有处理器、内存、储存器、I/O等的计算机构成。在该情况下，控制装置C的功能通过处理器执行存储于内存或储存器的程序来实现。作为计算机，可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式的计算机或PLC(programmable logic controller)。或者，也可以由ASIC、FPGA那样的电路构成控制装置C的功能的一部分或全部。另外，控制装置C可以构成为通过与成为控制对象的各种装置等连接的配线来传递控制命令，也可以构成为通过无线向各种装置等传递控制命令。
(处理流程)
以下，特别参照图2，对成膜装置1的整体动作进行说明。
＜＜准备工序＞＞
在储料室100收纳有多个分别保持基板10的基板输送装置15。其中，保持成为处理对象的基板10的基板输送装置15从储料室100输送到气压切换室200(步骤S101)。在气压切换室200中，进行减压动作，室内从大气状态切换为真空状态。另外，根据基板10的材料，同时进行对基板10的加热处理(步骤S102)。例如，通过大约十分钟左右的加热处理，将基板10从100℃加热到180℃左右。之后，基板10从气压切换室200输送到处理室300的预处理区300a(步骤S103)。在预处理区300a中，通过基板处理装置310对基板10的处理面实施利用离子束照射的表面处理(步骤S104)。
＜＜成膜工序＞＞
接着，基板10被输送到成膜区300b(步骤S105)，通过溅射装置320对基板10的处理面实施溅射处理(步骤S106)。对于溅射装置320，由于是公知技术，因此省略其详细的说明，但具备通过施加高电压而释放成膜材料的靶材等。此外，对于靶材，能够采用平板状的靶材，也能够采用构成为能够旋转的圆筒状的靶材。
＜＜蚀刻工序＞＞
实施了成膜处理的基板10被输送到蚀刻区300c(步骤S107)，通过蚀刻用射束照射装置330实施蚀刻处理(步骤S108)。
此外，不限定于如图1那样的在设置于处理室300的一端侧的储料室100和气压切换室200中进行基板输送装置15的送入和送出的结构。例如，也能够采用如下结构：对于设置于处理室300的一端侧的储料室100和气压切换室200，仅进行基板输送装置15的送入动作，在处理室300的另一端侧设置用于进行基板输送装置15的送出的气压切换室和用于收纳处理后的基板10的储料室。与基板的送出送入相关的结构根据进行蚀刻处理时的基板10的输送路径而适当设计即可。
本实施例的成膜装置1例如能够应用于伴随有预处理的各种电极形成。作为具体例，例如可列举出面向FC－BGA(Flip－Chip Ball Grid Array)安装基板的电镀种膜、面向SAW(Surface Acoustic Wave)器件的金属层叠膜的成膜。另外，也可列举出LED的接合部的导电性硬质膜、MLCC(Multi-Layered Ceramic Capacitor)的端子部膜的成膜等。除此之外，也能够应用于电子元件封装中的电磁屏蔽膜、芯片电阻器的端子部膜的成膜。基板10的尺寸没有特别限定，但在本实施例中，使用200mm×200mm左右的尺寸的基板10。另外，基板10的材料是任意的，例如使用聚酰亚胺、玻璃、硅、金属、陶瓷等的基板。
此外，作为1个变形例，也可以反复步骤S107～S108的处理。在该情况下，在S108的蚀刻处理后，通过控制装置C判定溅射次数X是否达到规定的次数N。在未达到N的情况下，基板10返回到成膜区300b，再次实施成膜处理和蚀刻处理。在成膜处理和蚀刻处理反复N次之后，处理后的基板10被输送到气压切换室200，在从真空状态切换为大气状态之后，被送出到储料室100。
根据该变形例，通过1次的溅射而形成的膜厚的不均衡被该溅射之后的蚀刻处理消除。而且，通过反复溅射和蚀刻处理而膜厚逐渐变厚，因此，能够使形成的膜的厚度一致。另外，在此，若从图20的(b)的状态起进一步进行溅射，则有时堆积于顶面11a的膜20会悬伸。结果，有可能在堆积于底面12a的膜20的凸形状的底端的部分与堆积于顶面11a的膜20的悬伸部分之间产生间隙(空隙)。但是，根据该变形例，由于交替地反复溅射和蚀刻处理，因此，能够防止膜20中的间隙的产生。如该变形例这样反复进行蚀刻区300c和成膜区300b的处理的方法也能够应用于后述的各实施例。
＜基板处理装置及蚀刻用射束照射装置＞
特别参照图3和图4，对基板处理装置310及蚀刻用射束照射装置330进行说明。基板处理装置310和蚀刻用射束照射装置330的基本结构相同。即，该基板处理装置310和蚀刻用射束照射装置330是用于利用离子束照射对基板的表面(处理面)进行清洗或蚀刻的处理的装置。因此，在此对蚀刻用射束照射装置330进行说明。蚀刻用射束照射装置330具备离子源331和向离子源331施加电压的高压电源336。图4也示出了从离子源331照射的离子束341。
处理室300中的腔室301是气密容器，通过排气泵303将其内部维持为真空状态(或减压状态)。通过打开气体供给阀304并向腔室301内供给气体，能够适当变更为对于处理而言适当的气体环境(或压力带)。整个腔室301电接地。基板输送装置15构成为以基板10的处理面沿着铅垂方向的方式将基板10以垂直的姿态保持的同时，能够在铺设于腔室301的底面的导轨302上移动。导轨302在与基板10的表面平行的方向上延伸设置，通过未图示的驱动机构使基板输送装置15沿着与基板10的表面平行的方向移动。
基板输送装置15具备保持基板10的保持构件(基板保持件)15a、支承保持构件15a的支承构件(输送载体)15b、使保持构件15a和支承构件15b电绝缘的同时将其机械地连接的连接构件15c、以及设置于支承构件15b的下端的滚动体15d。通过滚动体15d在导轨302上滚动，基板输送装置15沿着导轨302移动。在此，将由保持构件15a保持基板10的面称为保持面F。
图3示出了基板输送装置15一边沿Y方向移动一边进行蚀刻处理的蚀刻工序中的蚀刻用射束照射装置330和基板输送装置15的情形。此外，离子源331与基板10之间的距离设定为约100～200mm。另外，高压电源336构成为对离子源331施加阳极电压(～几kV)。
＜离子源＞
特别参照图5，更详细地说明离子源331。离子源331具备阴极332、射束照射面333、阳极334以及永磁体335。在本实施例中，阴极332兼作离子源331的框体。阴极332和阳极334分别由SUS形成，两者电绝缘。阴极332通过固定于腔室301而电接地。另一方面，阳极334与高压电源336连接。在该结构中，在从高压电源336向阳极334施加高压时，从设置于框体(阴极332)的射束照射面333的射出开口射出离子束。此外，作为离子源331的原理，有从框体的背面侧导入气体而在框体内部产生离子的类型和使存在于框体的外侧的环境气体离子化的类型，但可以使用任一种。在图4中，示出了后者的情况，通过打开气体供给阀304，向腔室301内供给气体。作为气体，能够使用氩气、氧气、氮气等。
本实施例的离子源331以射出开口的开口部具有长边方向和短边方向的方式具有约300～400mm×约70mm的细长形状(线形状或跑道形状)的射束照射面333。由此，离子源331构成为线性离子源。而且，以射出开口的长边方向与基板10的输送方向交叉的方式配置离子源331。通过使用这样的纵长的离子源331，能够在基板10的整个纵向(与输送方向正交的方向)区域照射离子束。换言之，能够设定跨越基板10的从位于与输送方向正交的Z方向上的上边的点到位于下边的点之间的离子束的照射区域。通过输送基板10以通过这样的离子束的照射区域，能够通过沿着输送方向的1次射束扫描对基板10的整个面照射射束。结果，能够实现表面处理的高速化(生产率提高)。
图5的(c)示出了从离子源331射出的离子束的长边方向的蚀刻强度。如该图所示，离子束的长边方向的强度并非一致，取决于离子源331的磁场设计而采取如虚线L2那样中央部分的强度大或如实线L1那样中央部分的强度小的任一种分布。若图5的(c)那样的蚀刻强度的分布存在偏差，则蚀刻量产生不均，因此不优选。因此，通过对基板10使用1.5～2倍左右的尺寸的射束照射面333，能够使蚀刻强度的分布均匀。
＜基板处理装置的表面处理的流程＞
根据如上所述构成的基板处理装置310，在基板10输送到处理室300的预处理区300a时，控制装置C控制高压电源，开始基于离子源的射束照射。在该状态下，控制装置C使基板输送装置15以一定速度移动，使离子束通过基板10。通过这样的方法，对基板10的表面照射离子束，基板10的表面侧被实施表面处理(清洗处理)。通过采用进行这样的射束扫描的结构，能够以比基板10的面积小的照射范围的离子束进行整个基板的处理，因此能够实现离子源的小型化，进而实现整个装置的小型化。另外，通过采用以基板10的处理面沿着铅垂方向的姿态支承基板10并在水平方向上对处理面照射离子束的结构，通过蚀刻而削掉的颗粒在重力的作用下落下，不残留于基板10的处理面，因此，也具有能够防止因颗粒的残留而产生处理不均的优点。
＜蚀刻工序＞
对蚀刻工序进行说明。首先，参照图20，说明对具有凹凸的基板的成膜。图20的(a)示出了通过溅射装置320对具有凸部11和凹部12的基板10进行溅射的情形，用箭头表示从溅射装置320的靶材释放的成膜材料。图20的(b)示出了作为溅射的结果而形成于基板10的表面的膜20。这样，在对凹凸基板的成膜中，本申请发明人发现了与凸部11的顶面11a和凹部12的底面12a相比在侧壁部13难以形成膜、也就是说侧壁覆盖范围低这样的课题。因此，研究了对形成于凹凸基板的膜进行利用离子束的蚀刻处理而使膜厚一致的方案。
参照图6和图7，更详细地说明蚀刻工序。本实施例的成膜方法及成膜装置在形成有凸部11和凹部12的基板10的表面上形成薄膜时优选使用。本实施例的蚀刻工序无论基板10上的凹凸的方向如何都优选使用。例如，可以为在基板10上平行地挖槽而形成凹凸的情况，也可以为在纵横方向上形成凹凸形状的情况，也可以为挖设曲线的槽而非直线的槽而形成凹凸的情况。另外，也可以组合多个直线或曲线的凹凸而形成复杂的形状。另外，也可以为在基板10设置有孔的情况。在本实施例的蚀刻工序中，在具有如上所述的各种凹凸的情况下，也能够通过进行从多方向斜向照射离子束这样的蚀刻而使成膜时的膜厚一致。
图6是表示本实施例中的蚀刻区300c的结构的侧视图。基板10一边被照射离子束一边在蚀刻区300c移动。在基板10设置有作为标记的定向平面10a。在图中省略了基板输送装置15的保持构件15a，但为了方便起见，用虚线15a’示出了保持构件15a的外周的轨迹。在以下的说明中，为了方便起见，将保持被输送的基板10的保持构件15a所保持的保持面F的法线称为“法线N”。
如图所示，在蚀刻区300c设置有4个离子源331a～331d。首先，对各离子源的设置角度进行说明。在从X方向的正侧观察YZ平面时(即在正对观察图6的纸面时)，离子源331a及离子源331b的长边方向与作为输送方向的Y方向所成的角度和离子源331c及离子源331d的长边方向与Y方向所成的角度不同。在本实施例中，离子源331a及离子源331b的长边方向相对于Y方向在纸面上倾斜－45°。另外，离子源331c及离子源331d的长边方向相对于Y方向在纸面上倾斜45°。各离子源的长边方向的长度设计成在以这样的倾斜角设置的情况下，包含基板10的Z方向上的上端部和下端部。由此，在基板10一边移动一边通过各离子源的照射区域时，对基板10的整个面照射离子束。将离子源331a的照射区域的通过设为第1通过，以下，将离子源331b～离子源331d的照射区域的通过设为第2通过～第4通过。
此外，在此将基板输送方向与离子源的长边方向的角度设为45°，但并不限定于此。例如，可以从45°偏移，也可以按照每个离子源使角度不同。只要能够相对于基板10从多方向照射离子束即可，输送方向与离子源长边方向的角度无论如何均可。但是，输送方向与离子源长边方向越接近平行，越需要增大离子源的尺寸，因此，典型地可以设为45°±15°的范围。更优选地可以设为45°±5°的范围。
下面，对从各离子源的离子束照射方向进行说明。来自离子源331a的离子束341a的照射方向(第1照射方向)和来自离子源331b的离子束341b的照射方向(第2照射方向)不同。在此，将图6的B－B线的截面、即与保持面F正交且与离子源331a及离子源331b的长边方向正交的面设为第1面。在第1面中，第1照射方向和第2照射方向以相对于法线N呈线对称的方式相对于法线N倾斜。即，第1通过和第2通过中的离子束的照射方向相互不同。
同样，来自离子源331c的离子束341c的照射方向(第3照射方向)和来自离子源331d的离子束341d的照射方向(第4照射方向)不同。将图6的C－C线的截面、即与保持面F正交且与离子源331c及离子源331d的长边方向正交的面设为第2面。在第2面中，第3照射方向和第4照射方向以相对于法线N呈线对称的方式相对于法线N倾斜。即，第3通过和第4通过中的离子束的照射方向相互不同。此外，在本实施例中，第1通过～第4通过的照射方向相互不同。但是，也可以存在在多次的通过之中从相同的照射方向接受离子束的照射的情况。只要在多次的通过之中存在至少一组从不同的照射方向进行照射的组合即可。
通过如上所述设定4个离子源331a～331d的设置角度和离子束341a～341d的照射方向，能够相对于基板10的整个面从4个方向斜向照射离子束。图7表示具有凹凸的基板10在蚀刻区300c移动时的离子束照射方向的变化。在此，示出了图6的D－D线的基板10的截面。
当基板10被送入蚀刻区300c时，首先，通过来自离子源331a的离子束341a的照射区域。此时，如图7(a)所示，离子束341a从法线N倾斜角度α地照射基板10。接着，基板10通过来自离子源331b的离子束341b的照射区域。此时，如图7(b)所示，离子束341b从法线N倾斜角度β地照射基板10。在本实施例中，角度α和角度β相同，离子束341a的照射角度和离子束341b的照射角度设计成相对于法线N呈线对称。
接着，基板10通过来自离子源331c的离子束341c的照射区域。此时，如图7(c)所示，离子束341c在纸面上从里侧朝向近前侧倾斜地照射。接着，基板10通过来自离子源331d的离子束341d的照射区域。此时，如图7(d)所示，离子束341在纸面上从近前侧朝向里侧倾斜地照射。在本实施例中，离子束341c的照射角度和离子束341d的照射角度设计成相对于法线N呈线对称。
此外，离子束341a与法线N所成的角度α以及离子束341b与法线N所成的角度β优选为30°±10°左右。若角度α和角度β过小，则仅能够得到与从法线方向进行通常的蚀刻处理的情况没有大的差别的效果。另一方面，若角度α和角度β过大，则离子束达不到凹部12的底面。但是角度不限定于此，能够根据凹凸的形状和间距、凹部底面的宽度、侧壁部的高度而适当确定。另外，离子束341c及离子束341d与法线N所成的角也是同样的。另外，从提高蚀刻处理后的膜厚的一致性的观点出发，在凸部11的截面形状和凹部12的截面形状为对称的形状的情况下，优选设为α＝β。但是，角度α和角度β也可以不一定相同。
图8是实施例1的通过离子束照射形成的膜的说明图。图8的(a)是示意性地说明基板10表面的凹凸形状的一例的图，示出了去掉膜20的状态。在图示例的基板10上在纵横方向上形成有井字形的凹部12。相对于该基板10，离子束341a～341d每90度改变方向而从四个方向照射。
图8的(b)是与图8的(a)的E－E线对应的剖视图。图8的(b)示出了在对具有凹凸的基板10进行了溅射时与凸部11的顶部和凹部12的底面相比在侧壁部13难以形成膜20的情形。但是，通过以本实施例的结构对输送的基板10进行蚀刻处理，能够相对于基板10的整个表面从四个方向斜向照射(以相对于法线N具有倾斜角的状态)离子束341a～341d。
在此，当离子束向膜20照射时，膜20相对于离子束的照射方向而垂直状地逐渐被削掉。因此，当离子束341a向基板10照射时，在图8的(b)中，形成于凸部11的顶面的膜20中，以图中右侧附近为中心被削掉(附图标记20a1)。另外，形成于凹部12的底面的膜20中，以图中左侧附近为中心被削掉(附图标记20b1)。此外，通过蚀刻而削掉的材料的一部分附着在膜上，成为膜的一部分。此时，特别是由于容易附着于未照射蚀刻用射束的部分，因此，膜厚较薄的部分具有因附着的材料而变厚的倾向。接下来，当离子束341b向基板10照射时，形成于凸部11的顶面的膜20中，以图中左侧附近为中心被削掉(附图标记20a2)。另外，形成于凹部12的底面的膜20中，以图中右侧附近为中心被削掉(附图标记20b2)。此时也同样，削掉的成膜材料的一部分附着在膜上而成为其一部分。
之后，对于离子束341c及离子束341d，也同样地削掉形成于凸部11的顶面的膜和形成于凹部12的底面的膜，一部分附着于侧壁部而成为膜的一部分。图8的(c)是从四个方向的离子束照射结束而蚀刻处理完成时的基板10的剖视图，膜20的膜厚与蚀刻处理前相比变得一致。换言之，消除了侧壁部的相对的膜厚不足，侧壁覆盖范围变得良好。
＜效果＞
根据本实施例的成膜方法及成膜装置，在利用溅射的成膜后，相对于基板的输送方向进行从多个方向的蚀刻。结果，膜厚较厚的部分被削掉，膜较薄的部分变厚。由此，膜的表面变得平坦，膜厚被平整得一致。
此外，在本实施例中设为从四个方向的蚀刻，但并不限定于此。例如，根据基板上的凹凸的形状、尺寸(宽度、高度)，也可以为每120度从三个方向的离子束照射、每60度从六个方向的离子束照射等四个方向以外的蚀刻。另外，在本实施例中每90°改变角度而进行了4次的离子束照射，但也可以并非严格地每90度改变角度，例如也可以从90°偏移±15°左右。更优选为，4次的离子束照射的角度各相差大致90°即可。大致90°是指在对由从多方向进行蚀刻带来的效果没有大影响的范围内接近90°的角度范围，典型地为90°±5°。
另外，在本实施例中各进行了1次溅射和蚀刻处理，但也可以反复多次溅射和蚀刻处理的组合。由此，能够逐渐增厚整个膜的膜厚。并且，通过将溅射和蚀刻处理的反复次数设为一定次数以上，也能够形成上表面为平面状的膜20。当然，不限于利用溅射的成膜后的基板、具有凹凸的基板，能够将本实施例的装置用于从多个方向照射离子束而进行蚀刻的一般处理。
(实施例2)
利用图9和图10，对本发明的实施例2进行说明。在上述实施例1中，在基板10通过1次蚀刻区300c的期间从四个方向照射离子束。在本实施例中，在基板10在蚀刻区300c内往复的期间，从四个方向照射蚀刻射束。由于基本的结构及作用与实施例1相同，因此，对相同的构成部分标注相同的附图标记，省略其说明。
如图9的(a)所示，在本实施例的蚀刻区300c设置有2个离子源331e、331f。首先，对各离子源的设置角度进行说明。在正对观察图的纸面时，离子源331e的长边方向与输送方向所成的角度和离子源331f的长边方向与输送方向所成的角度不同。在本实施例中，离子源331e的长边方向相对于输送方向倾斜－45°，离子源331f的长边方向相对于输送方向倾斜45°。由此，在基板10一边移动一边通过各离子源的照射区域时，对基板10的整个面照射离子束。在除此之外的方面，基板输送方向与离子源的长边方向的角度的关系和上述实施例1相同。
下面，对从各离子源的离子束照射方向进行说明。在图9的(a)中，来自离子源331e的离子束341e的照射方向为纸面左下方向，相对于法线N斜向照射。另外，来自离子源331f的离子束341f的照射方向为纸面左上方向，相对于法线N斜向照射。
在图9的(a)中基板10在蚀刻区300c从下向上通过结束时，如图9的(b)所示，基板输送装置15将基板10向反方向(从上向下)输送。对此时的离子束照射方向进行说明。本实施例的蚀刻用射束照射装置330具备变更离子源331的方向而使离子束341的照射方向可变的可变机构。可变机构能够将离子束341的照射方向从如图10的(a)这样的相对于基板10的斜向方向(在纸面中为右下方向)切换为如图10的(b)这样的反方向(在纸面中为左下方向)。作为可变机构，例如，能够采用由使离子源331的旋转轴旋转的马达和旋转轴的轴承构成的结构。但是，可变机构不限定于此，能够采用各种公知技术。此外，在基板处理装置310的情况下，不需要设置这样的可变机构。当然，由于某些技术性理由，也可以在基板处理装置310也设置使离子束的照射方向可变的可变机构。
在表示离子束照射方向的切换后的状态的图10的(b)中，来自离子源331f的离子束341f的照射方向切换为纸面右下方向(用附图标记341f’表示)，来自离子源331e的离子束341e的照射方向切换为纸面右上方向(用附图标记341e’表示)。
若在包含基板10的法线N的截面中考虑离子束的照射方向，则在以法线N为交界将截面分为第1侧和第2侧时，可变机构可以说能够切换第1状态和第2状态，在第1状态下，以离子源331e的离子束341e照射到第1侧的方式使照射方向从法线N倾斜，在第2状态下，以离子束341e照射到第2侧的方式使照射方向从法线N倾斜。这对于离子源331f也是同样的。
这样，在本实施例中，从2个离子源331e和离子源331f的离子束照射方向相对于输送方向相互不同，且能够通过可变机构切换离子束照射方向。并且，基板输送装置15以使基板10在蚀刻区300c往复的方式进行输送。这样，在本实施例中，通过将基板10的往复输送和离子束的照射方向转换进行组合，能够相对于基板10从四个方向照射离子束来进行蚀刻。结果，即使是具有凹凸的形状的基板10，也能够使顶面、底面与侧壁部的膜厚一致。若将本实施例与实施例1进行比较，则蚀刻用射束照射装置330需要可变机构。另外，由于需要使基板10往复移动，因此，存在基板输送装置15的结构和基板10的输送路径复杂化的可能性。另外，节拍时间有可能延长。另一方面，照射装置的数量本身能够减少，因此，在成本方面和装置的设置空间方面具有削减效果。
(实施例3)
利用图11，对本发明的实施例3进行说明。由于基本的结构及作用与实施例2相同，因此，对相同的构成部分标注相同的附图标记，省略其说明。本实施例的离子源331在使离子束照射方向可变的机构的方面与实施例2不同。
如图11的(a)所示，在本实施例的蚀刻区300c设置有2个离子源331g及离子源331h。首先，对各离子源的设置角度进行说明。在正对观察纸面时，在图11的(a)的状态下，离子源331g及离子源331h的长边方向相对于输送方向倾斜－45°。本实施例的蚀刻用射束照射装置330具备使离子源331g及离子源331h在YZ平面内旋转90°的离子源旋转机构370(旋转装置)(用箭头R表示旋转)。图11的(b)示出了利用离子源旋转机构370的旋转后的状态，离子源331g及离子源331h的长边方向相对于输送方向倾斜45°。作为离子源旋转机构370，例如能够采用由支承包含离子源331g及离子源331h的蚀刻用射束照射装置330的基座和使该基座在YZ面内旋转的旋转轴及驱动机构构成的结构。但是，旋转机构并不限定于此，能够采用各种公知技术。此外，在基板处理装置310的情况下，不需要设置这样的旋转机构。当然，由于某些技术性理由，也可以在基板处理装置310也设置旋转机构。
通过这样的结构，图11的(a)中的来自离子源331g的离子束341g的照射方向成为纸面左下方向，来自离子源331h的离子束341h的照射方向成为纸面右上方向。另外，图11的(b)中的来自离子源331g的离子束341g’的照射方向成为纸面右下方向，来自离子源331h的离子束341h’的照射方向成为纸面左上方向。
并且与实施例2同样，基板输送装置15能够使基板10往复移动。这样，在本实施例中，通过将基板10的往复输送和通过使离子源旋转来转换离子束的照射方向的机构进行组合，能够相对于基板10从四个方向照射离子束。因此，即使是具有凹凸的形状的基板10，也能够使顶面、底面与侧壁部的膜厚一致。若将本实施例与实施例1进行比较，则需要离子源旋转机构。另外，由于需要使基板10往复移动，因此，存在基板输送装置15的结构和基板10的输送路径复杂化的可能性。另外，节拍时间有可能延长。另一方面，照射装置的数量本身能够减少，因此，在成本方面和装置的设置空间方面具有削减效果。
(实施例4)
利用图12，对本发明的实施例4进行说明。由于基本的结构及作用与实施例2、实施例3相同，因此，对相同的构成部分标注相同的附图标记，省略其说明。本实施例的蚀刻用射束照射装置330在使离子束照射方向可变的机构的方面将实施例2和实施例3组合。
如图12的(a)所示，在本实施例的蚀刻区300c设置有离子源331i。首先，对离子源的设置角度进行说明。在正对观察纸面时，在图12的(a)的状态下，离子源331i的长边方向相对于输送方向倾斜－45°。在该状态下基板10朝向纸面上方输送时，从纸面右上方向照射离子束341i1。
本实施例的蚀刻用射束照射装置330与实施例2同样具备使离子束341的照射方向可变的可变机构。在图12的(a)中基板10的输送完成时，如箭头S1所示，可变机构进行动作而使离子束341的照射方向发生变化。在图12的(b)的状态下基板10朝向纸面下方输送时，从纸面左下方向照射离子束341i2。
本实施例的蚀刻用射束照射装置330还与实施例3同样具备使离子源331在YZ平面内旋转90°的旋转机构(用箭头R表示)。图12的(c)示出了利用旋转机构的旋转后的状态，离子源331i的长边方向相对于输送方向倾斜45°。在该状态下基板10朝向纸面上方输送时，从纸面右下方向照射离子束341i3。
接下来，如箭头S1所示，可变机构再次变更离子束341的照射方向而成为图12的(d)的状态。在该状态下基板10朝向纸面下方输送时，从纸面左上方向照射离子束341i4。
并且，与实施例2、实施例3同样，基板输送装置15使基板10往复移动。在本实施例的结构中，也能够相对于基板10从四个方向照射离子束。因此，即使是具有凹凸的形状的基板10，也能够使顶面、底面与侧壁部的膜厚一致。在本实施例中，在蚀刻用射束照射装置330中，需要照射角度的可变机构和离子源长边方向的旋转机构。另外，由于需要使基板10往复移动，因此，存在基板输送装置15的结构和基板10的输送路径复杂化的可能性。另外，节拍时间有可能延长。另一方面，照射装置的数量为1个，因此，在成本方面和装置的设置空间方面具有削减效果。
(实施例5)
利用图13，对本发明的实施例5进行说明。在本实施例的说明中，对与实施例1～4相同的构成部分标注相同的附图标记，省略其说明。在本实施例中，设为基板的被成膜面朝向Z方向上侧的结构，蚀刻用的离子束从Z方向的上方照射。即，基板10在XY平面内移动。这样的结构能够通过利用轨道支承保持基板10的基板载体的同时使其移动的平面移动机构而实现。具备该基板载体及其驱动机构的直列型的移动机构是已知的，因此省略详细的说明。
本实施例的蚀刻区300c包括基板10在Y方向上输送的第1蚀刻区300c1、基板10在X方向上输送的第2蚀刻区300c2、基板10在Y方向上送出的送出区300d。本实施例的基板输送装置15不改变基板10在XY平面内的方向而使移动方向变化。即，基板输送装置15兼具对于基板10保持前后方向不变的状态(保持XY平面上的定向平面10a的方向恒定的状态)下使基板10的输送方向从Y方向向X方向、另外从X方向向Y方向变化的基板方向转换机构的作用。
在第1蚀刻区300c1设置有离子源331j及离子源331k。离子源331j及离子源331k的长边方向与基板10的输送方向(Y方向)正交。另外，离子源331j、331k的长边方向的长度设计成离子束341j、341k的照射区域包含基板10的X方向的两端。离子束341j和离子束341k的照射方向相对于基板10斜向固定。由此，离子束341j从前侧照射基板10，离子束341k从后侧照射基板10。基板10通过这样的第1蚀刻区300c1，从而对基板10的整个面照射来自前后的离子束。
同样，在第2蚀刻区300c2设置有离子源331l、331m。离子源331l、331m的长边方向与基板10的输送方向(X方向)正交。另外，离子源331l、331m的长边方向的长度设计成离子束341l、341m的照射区域包含基板10的Y方向的两端。离子束341l和离子束341m的照射方向相对于基板10斜向固定。由此，离子束341l从右侧照射基板10，离子束341m从左侧照射基板10。基板10通过这样的第2蚀刻区300c2，从而对基板10的整个面照射来自左右的离子束。
在本实施例的结构中，也能够相对于基板10从四个方向照射离子束。因此，即使是具有凹凸的形状的基板10，也能够使顶面、底面与侧壁部的膜厚一致。此外，在本实施例中，设为基板10在XY平面内移动，但也可以为与上述各实施例同样地在YZ平面内移动的结构。只要不变更装置内的基板10的前后方向而变更移动方向、并且能够相对于移动中的基板从多个方向照射离子束即可。另外，设为使离子源的长边方向与基板10的移动方向正交，但不一定需要限定于正交，只要能够对基板10的整个面照射离子束即可。
(实施例6)
利用图14，对本发明的实施例6进行说明。在本实施例的说明中，对与实施例5相同的构成部分标注相同的附图标记，省略其说明。
在本实施例的蚀刻区300c中，基板10在Y方向上输送。蚀刻区300c包括第1蚀刻区300c1、第2蚀刻区300c2，并且在第1蚀刻区300c1与第2蚀刻区300c2之间设置有旋转区300c3，在该旋转区300c3配置有使基板10旋转90°的面内旋转机构380。对于基板输送装置15与面内旋转机构380之间的基板10的交接，能够采用机械臂等任意的已有技术。或者，也可以在面内旋转机构380配置与基板输送装置15的基板载体用导轨连续的轨道。
在第1蚀刻区300c1设置有离子源331n、331o。离子源331n、331o的长边方向与基板10的输送方向正交。另外，离子源331j、331k的长边方向的长度设计成离子束341n、341o的照射区域包含基板10的X方向的两端。离子束341n和离子束341o的照射方向相对于基板10斜向固定。由此，离子束341n从前侧照射基板10，离子束341o从后侧照射基板10。基板10通过这样的第1蚀刻区300c1，从而对基板10的整个面照射来自前后的离子束。接下来，通过面内旋转机构380使基板10旋转90°(箭头T)。
同样，在第2蚀刻区300c2设置有离子源331p、331q。离子源331p及离子源331q的设置方向、离子束341p及离子束341q的照射方向与第1蚀刻区300c1同样地设计。通过面内旋转机构380而旋转了90°的基板10通过这样的第2蚀刻区300c2，从而对基板10的整个面从与第1蚀刻区300c1相差90°的方向照射离子束。
在本实施例的结构中，也能够相对于基板10从四个方向照射离子束。因此，即使是具有凹凸的形状的基板10，也能够使顶面、底面与侧壁部的膜厚一致。此外，在本实施例中，与实施例5同样地设为基板10在XY平面内移动，但也可以为与上述各实施例同样地在YZ平面内移动的结构。另外，设为使离子源的长边方向与基板10的移动方向正交，但不一定需要限定于正交，只要能够对基板10的整个面照射离子束即可。
(实施例7)
利用图15，对本发明的实施例7进行说明。在本实施例的说明中，对与实施例6相同的构成部分标注相同的附图标记，省略其说明。
在本实施例的蚀刻区300c中，基板10在Y方向上往复地输送。在蚀刻区300c设置有第1蚀刻区300c1和配置有使基板10旋转90°的面内旋转机构380的旋转区300c3。
在第1蚀刻区300c1设置有离子源331r、331s。离子源331r、331s的长边方向与基板10的输送方向正交。另外，离子源331r、331s的长边方向的长度设计成无论基板10向哪个方向旋转、离子束341r、341s的照射区域都包含基板10的两端。离子束341r和离子束341s的照射方向相对于基板10斜向固定。由此，在去路中，离子束341r从前侧照射基板10，离子束341s从后侧照射基板10。接下来，通过面内旋转机构380使基板10旋转90°(箭头T)。
在回路中，通过面内旋转机构380而旋转了90°的基板10通过第1蚀刻区300c1，从而对基板10的整个面从与去路相差90°的方向照射离子束。
在本实施例的结构中，也能够相对于基板10从四个方向照射离子束。因此，即使是具有凹凸的形状的基板10，也能够使顶面、底面与侧壁部的膜厚一致。此外，设为使离子源的长边方向与基板10的输送方向正交，但不一定需要限定于正交，只要能够对基板10的整个面照射离子束即可。例如，如图16所示，也可以为离子源的长边方向相对于输送方向倾斜45°的结构。另外，该倾斜角不限定于45°。
(实施例8)
利用图17、图18，对本发明的实施例8进行说明。在本实施例的说明中，对与实施例7相同的构成部分标注相同的附图标记，省略其说明。
在本实施例的蚀刻区300c中，基板10在Y方向上往复地输送。在蚀刻区300c设置有第1蚀刻区300c1。在第1蚀刻区300c1的两端设置有配置有使基板10旋转90°的面内旋转机构380的旋转区300c3及旋转区300c4。2个旋转区300c3和旋转区300c4能够采用同样的结构。
在第1蚀刻区300c1设置有单一的离子源331t。离子源331t的长边方向与基板10的输送方向正交。另外，离子源331t的长边方向的长度设计成无论基板10向哪个方向旋转、离子束341t的照射区域都包含基板10的两端。离子束341t的照射方向相对于基板10斜向固定。
当蚀刻开始时，首先，如图17的(a)所示，在定向平面10a朝向右上的状态下基板10一边在第1蚀刻区300c1内输送一边接受离子束341t的照射。照射之后，旋转区300c4的面内旋转机构380使基板10旋转90°(箭头T1)。接着，如图17的(b)所示，在定向平面10a朝向右下的状态下基板10一边在第1蚀刻区300c1内输送一边接受离子束341t的照射。照射之后，旋转区300c3的面内旋转机构380使基板10旋转90°(箭头T2)。以下同样地按照图18的(a)、图18的(b)的顺序反复基板10的90°旋转和离子束的照射。
在本实施例的结构中，也能够相对于基板10从四个方向照射离子束。因此，即使是具有凹凸的形状的基板10，也能够使顶面、底面与侧壁部的膜厚一致。此外，在本实施例中，与实施例5同样地设为基板10在XY平面内移动，但也可以为与上述各实施例同样地在YZ平面内移动的结构。另外，设为使离子源的长边方向与基板10的输送方向正交，但不一定需要限定于正交，只要能够对基板10的整个面照射离子束即可。例如，如图19所示，也可以为离子源的长边方向相对于输送方向倾斜45°的结构。另外，该倾斜角不限定于45°。
(其他)
在上述的实施例中，说明了蚀刻用射束为离子束的情况。但是，蚀刻用射束不限于离子束，也能够使用激光束。例如，在成为蚀刻的对象的膜的材料为无机膜(SiN等)、氧化物膜(SiO2、ITO等)、金属膜(Al、Cu等)的情况下，优选使用离子束(由Ar、Xe等稀有气体生成的离子束)。与此相对，在成为蚀刻的对象的膜的材料为有机膜(有机化合物等)的情况下，优选使用激光束。具有如下特征：在前者的情况下，射束直径比较大，与此相对，在后者的情况下，射束直径比较小。另外，在后者的情况下，若在膜中或基底层中包含光热转换材料，则更加有效。

Claims (21)

1.一种蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻装置具备：
照射装置，所述照射装置包括向基板照射蚀刻用的离子束的离子源；以及
输送装置，所述输送装置输送所述基板，使所述基板多次通过所述离子束的照射区域，
所述离子束的照射方向相对于位于所述照射区域的所述基板的表面的法线倾斜，
所述多次的所述照射区域的所述基板的通过至少包括第1通过和第2通过，
所述第1通过中的所述离子束相对于所述基板的照射方向和所述第2通过中的所述离子束相对于所述基板的照射方向相互不同。
2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述离子源是照射所述离子束的开口部具有长边方向的线性离子源。
3.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述离子源的设置方向是使所述长边方向相对于所述输送装置对所述基板的输送方向倾斜的方向。
4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述照射装置包括2个所述离子源，
所述2个离子源相对于所述输送方向的设置方向相互不同。
5.根据权利要求4所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述离子源的设置方向是使所述长边方向相对于所述输送方向成为45°±15°的方向。
6.根据权利要求5所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述离子源的设置方向是使所述长边方向相对于所述输送方向成为45°±5°的方向。
7.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述照射装置包括4个所述离子源，
所述4个离子源相对于所述输送方向的设置方向相互不同。
8.根据权利要求7所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述4个离子源的设置方向各相差大致90°。
9.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述输送装置能够使所述基板在所述输送方向上往复移动，
所述照射装置包括2个所述离子源，
所述2个离子源相对于所述输送方向的设置方向相互不同。
10.根据权利要求9所述的蚀刻装置，其特征在于，
在将包含所述基板的所述法线的截面以所述法线为交界分为第1侧和第2侧时，所述2个离子源分别能够在第1状态与第2状态之间切换，在所述第1状态下，以所述离子束照射到所述第1侧的方式所述照射方向从所述法线倾斜，在所述第2状态下，以所述离子束照射到所述第2侧的方式所述照射方向从所述法线倾斜。
11.根据权利要求10所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述2个离子源在所述基板在所述输送方向的去路移动的期间，以所述第1状态照射所述离子束，在所述基板在所述输送方向的回路移动的期间，以所述第2状态照射所述离子束。
12.根据权利要求11所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述2个离子源的设置方向相差大致90°。
13.根据权利要求9所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述2个离子源的设置方向相差大致180°，
所述2个离子源分别能够将相对于所述输送方向的所述长边方向的角度变更大致90°。
14.根据权利要求13所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述2个离子源在所述基板在所述输送方向的去路移动的期间和在所述基板在所述输送方向的回路移动的期间，使相对于所述输送方向的所述长边方向的角度不同。
15.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述输送装置能够使所述基板在所述输送方向上往复移动，
在将包含所述基板的所述法线的截面以所述法线为交界分为第1侧和第2侧时，所述离子源能够在第1状态与第2状态之间切换，在所述第1状态下，以所述离子束照射到所述第1侧的方式所述照射方向从所述法线倾斜，在所述第2状态下，以所述离子束照射到所述第2侧的方式所述照射方向从所述法线倾斜，
所述离子源能够变更相对于所述输送方向的所述长边方向的角度。
16.根据权利要求15所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述离子源通过将所述第1状态与所述第2状态之间的切换和相对于所述输送方向的所述长边方向的角度的变更进行组合，能够相对于所述基板从四个方向照射所述离子束。
17.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述蚀刻装置还具备旋转装置，所述旋转装置在所述离子束的照射区域之外，在与所述基板的表面平行的面内使所述基板旋转。
18.根据权利要求17所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述输送装置能够使所述基板在所述输送装置的输送方向上往复移动，
所述旋转装置在所述基板一边在所述输送方向的去路移动一边接受所述离子束的照射之后使所述基板旋转，从而所述基板在所述输送方向的回路中从与所述去路不同的角度接受所述离子束的照射。
19.一种蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻装置具备：
照射装置，所述照射装置包括向基板照射蚀刻用的离子束的离子源；以及
输送装置，所述输送装置输送所述基板，使所述基板多次通过所述离子束的照射区域，
所述离子束的照射方向相对于位于所述照射区域的所述基板的表面的法线倾斜，
所述多次的所述照射区域的所述基板的通过至少包括第1通过和第2通过，
所述蚀刻装置还具备旋转装置，所述旋转装置在所述第1通过与所述第2通过之间，在所述离子束的照射区域之外，在与所述基板的表面平行的面内使所述基板旋转。
20.根据权利要求19所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述离子源是照射所述离子束的开口部具有长边方向的线性离子源。
21.根据权利要求20所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述输送装置能够使所述基板在所述输送装置的输送方向上往复移动，
所述旋转装置在所述基板一边在所述输送方向的去路移动一边接受所述离子束的照射之后使所述基板旋转，从而所述基板在所述输送方向的回路中从与所述去路不同的角度接受所述离子束的照射。
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