JPH11135462A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH11135462A JPH11135462A JP29506997A JP29506997A JPH11135462A JP H11135462 A JPH11135462 A JP H11135462A JP 29506997 A JP29506997 A JP 29506997A JP 29506997 A JP29506997 A JP 29506997A JP H11135462 A JPH11135462 A JP H11135462A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、均一なメッキ処理を施すことがで
き、しかもメッキを施す半導体ウェハーの種類や大きさ
が変わっても、陽極板を交換することなく調整しながら
メッキ処理を施すことができる半導体製造装置を提供し
ようとするものである。 【解決手段】 本発明は、上方を開放した処理槽１の上
方に半導体ウェハーＷをその被処理面を下にして陰極ピ
ン２にて支持するとともに、処理槽Ｓ内に陽極板３を配
し、半導体ウェハーＷの被処理面に処理液Ｓを噴流させ
ながら、半導体ウェハーＷと陽極板３の間に電流を流し
て半導体ウェハーＷにメッキ、化成等の処理を施す噴流
式半導体製造装置であって、陽極板３を複数の単位陽極
板で構成するとともに、それぞれの単位陽極板に電気配
線を施し、それぞれの単位陽極板への通電時間及び通電
量を調整しながら、メッキ、化成等の処理を施すように
したことを特徴とするものである。
き、しかもメッキを施す半導体ウェハーの種類や大きさ
が変わっても、陽極板を交換することなく調整しながら
メッキ処理を施すことができる半導体製造装置を提供し
ようとするものである。 【解決手段】 本発明は、上方を開放した処理槽１の上
方に半導体ウェハーＷをその被処理面を下にして陰極ピ
ン２にて支持するとともに、処理槽Ｓ内に陽極板３を配
し、半導体ウェハーＷの被処理面に処理液Ｓを噴流させ
ながら、半導体ウェハーＷと陽極板３の間に電流を流し
て半導体ウェハーＷにメッキ、化成等の処理を施す噴流
式半導体製造装置であって、陽極板３を複数の単位陽極
板で構成するとともに、それぞれの単位陽極板に電気配
線を施し、それぞれの単位陽極板への通電時間及び通電
量を調整しながら、メッキ、化成等の処理を施すように
したことを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、均一なメッキ処理
を施すことができる半導体製造装置に関する。
を施すことができる半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体を製造する場合、半導体ウェハー
に対し、メッキ処理を施したり、化成処理を施すことが
ある。例えば、ＤＨＤ（Double Heatsink Diode)型ダイ
オードを製造する場合や、ＴＡＢ（Tape Automated Bou
nding ）型半導体装置を製造する場合、半導体ウェハー
に対し、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、半田等よりなる50〜60μｍ
程度のバンプ電極を形成している。また、Ａｕその他の
金属により、配線を形成している。そして、このような
バンプ電極や配線を形成する場合、図１のように、処理
液Ｓを底面の中央から導入し上方からオーバーフローさ
せる噴流式の処理槽１と；この処理槽１内に配設された
陽極板３と；処理槽１の上部に処理槽１の上端から若干
突出するように配設され、半導体ウェハーＷをその被処
理面を下にして保持する複数の陰極ピン２を有し；半導
体ウェハーＷの被処理面に処理液１を噴流させながら上
下電極２、３間に電流を流して半導体ウェハーＷにメッ
キ処理を施すものがある。
に対し、メッキ処理を施したり、化成処理を施すことが
ある。例えば、ＤＨＤ（Double Heatsink Diode)型ダイ
オードを製造する場合や、ＴＡＢ（Tape Automated Bou
nding ）型半導体装置を製造する場合、半導体ウェハー
に対し、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、半田等よりなる50〜60μｍ
程度のバンプ電極を形成している。また、Ａｕその他の
金属により、配線を形成している。そして、このような
バンプ電極や配線を形成する場合、図１のように、処理
液Ｓを底面の中央から導入し上方からオーバーフローさ
せる噴流式の処理槽１と；この処理槽１内に配設された
陽極板３と；処理槽１の上部に処理槽１の上端から若干
突出するように配設され、半導体ウェハーＷをその被処
理面を下にして保持する複数の陰極ピン２を有し；半導
体ウェハーＷの被処理面に処理液１を噴流させながら上
下電極２、３間に電流を流して半導体ウェハーＷにメッ
キ処理を施すものがある。
【０００３】更に、従来のメッキ装置では、図12に示す
ように、一枚の半導体ウェハーＷに対して一枚の陽極板
３が用いられており、また、図13に示すように、複数枚
の半導体ウェハーＷに対して一枚の陽極板３が用いられ
ている。
ように、一枚の半導体ウェハーＷに対して一枚の陽極板
３が用いられており、また、図13に示すように、複数枚
の半導体ウェハーＷに対して一枚の陽極板３が用いられ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図12及び図13
に示した従来のメッキ装置では、半導体ウェハーＷには
抵抗があり、この抵抗値が半導体ウェハーＷ面内で均一
でないため、半導体ウェハーＷに対し電流を流したとき
に、半導体ウェハーＷ上の単位面積当たりに流れる電流
の電流密度分布が不均一なものとなり、均一なメッキ処
理を施すことが困難であるといった問題点があった。ま
た、最近の半導体ウェハーＷの大口径化に伴い、電流の
給電点とメッキの成長点との距離が長くなることによ
り、更に抵抗のバラツキが大きくなり、電流密度分布が
不均一なものになる。また、メッキ処理を行う半導体ウ
ェハーＷの種類や大きさに合わせて、最適な陽極板３を
選択する必要があるので、作業者は、メッキを施す半導
体ウェハーＷが変わるごとに、陽極板３を交換する必要
があるので、交換する作業が大変に面倒であった。
に示した従来のメッキ装置では、半導体ウェハーＷには
抵抗があり、この抵抗値が半導体ウェハーＷ面内で均一
でないため、半導体ウェハーＷに対し電流を流したとき
に、半導体ウェハーＷ上の単位面積当たりに流れる電流
の電流密度分布が不均一なものとなり、均一なメッキ処
理を施すことが困難であるといった問題点があった。ま
た、最近の半導体ウェハーＷの大口径化に伴い、電流の
給電点とメッキの成長点との距離が長くなることによ
り、更に抵抗のバラツキが大きくなり、電流密度分布が
不均一なものになる。また、メッキ処理を行う半導体ウ
ェハーＷの種類や大きさに合わせて、最適な陽極板３を
選択する必要があるので、作業者は、メッキを施す半導
体ウェハーＷが変わるごとに、陽極板３を交換する必要
があるので、交換する作業が大変に面倒であった。
【０００５】そこで、本発明は、均一なメッキ処理を施
すことができ、しかもメッキを施す半導体ウェハーの種
類や大きさが変わっても、陽極板を交換することなく調
整しながらメッキ処理を施すことができる半導体製造装
置を提供しようとするものである。
すことができ、しかもメッキを施す半導体ウェハーの種
類や大きさが変わっても、陽極板を交換することなく調
整しながらメッキ処理を施すことができる半導体製造装
置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は前述の課題解
決のために鋭意研究を行った結果、上方を開放した処理
槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして陰
極ピンにして支持するとともに、処理槽内に陽極板を配
し、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流させなが
ら、半導体ウェハーと陽極板の間に電流を流して半導体
ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す噴流式半導体製
造装置であって、陽極板を複数の単位陽極板で構成する
とともに、それぞれの単位陽極板に電気配線を施し、そ
れぞれの単位陽極板への通電時間及び通電量を調整しな
がら、メッキ、化成等の処理を施すようにしたことを特
徴とする半導体製造装置を提供するものである。また、
同様に、処理槽内に半導体ウェハーと陽極板を離間して
配するとともに、処理液に浸漬した半導体ウェハーと陽
極板の間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成
等の処理を施すディップ式半導体製造装置であって、陽
極板を複数の単位陽極板で構成するとともに、それぞれ
の単位陽極板に電気配線を施し、それぞれの単位陽極板
への通電時間及び通電量を調整しながら、メッキ、化成
等の処理を施すようにしたことを特徴とする半導体製造
装置をも提供しようとするものである。
決のために鋭意研究を行った結果、上方を開放した処理
槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして陰
極ピンにして支持するとともに、処理槽内に陽極板を配
し、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流させなが
ら、半導体ウェハーと陽極板の間に電流を流して半導体
ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す噴流式半導体製
造装置であって、陽極板を複数の単位陽極板で構成する
とともに、それぞれの単位陽極板に電気配線を施し、そ
れぞれの単位陽極板への通電時間及び通電量を調整しな
がら、メッキ、化成等の処理を施すようにしたことを特
徴とする半導体製造装置を提供するものである。また、
同様に、処理槽内に半導体ウェハーと陽極板を離間して
配するとともに、処理液に浸漬した半導体ウェハーと陽
極板の間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成
等の処理を施すディップ式半導体製造装置であって、陽
極板を複数の単位陽極板で構成するとともに、それぞれ
の単位陽極板に電気配線を施し、それぞれの単位陽極板
への通電時間及び通電量を調整しながら、メッキ、化成
等の処理を施すようにしたことを特徴とする半導体製造
装置をも提供しようとするものである。
【０００７】また、一枚の半導体ウェハーに対して、同
一面内に位置する複数の単位陽極板で構成した陽極板を
並行配設したものである方が好ましい。
一面内に位置する複数の単位陽極板で構成した陽極板を
並行配設したものである方が好ましい。
【０００８】更に、複数枚の半導体ウェハーに対して、
同一面内に位置する複数の単位陽極板で構成した陽極板
を並行配設したものである方がより好ましい。
同一面内に位置する複数の単位陽極板で構成した陽極板
を並行配設したものである方がより好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の半導体製造装置を具体化した代表的実施の形態
について説明する。図１〜図４は、本発明に係る代表的
実施の形態である半導体製造装置に関するものである。
半導体製造装置Ａは、図１に示すように、処理槽１、陰
極ピン２、陽極板３、外部容器４、循環ポンプ５とで構
成されており、上方を開放した処理槽１の上方に半導体
ウェハーＷをその被処理面を下にして陰極ピン２にして
支持するとともに、処理槽１内に陽極板３を配し、半導
体ウェハーＷの被処理面に処理液を噴流させながら上下
の電極２，３間に電流を流して半導体ウェハーＷにメッ
キ、化成等の処理を施す噴流タイプのものである。
本発明の半導体製造装置を具体化した代表的実施の形態
について説明する。図１〜図４は、本発明に係る代表的
実施の形態である半導体製造装置に関するものである。
半導体製造装置Ａは、図１に示すように、処理槽１、陰
極ピン２、陽極板３、外部容器４、循環ポンプ５とで構
成されており、上方を開放した処理槽１の上方に半導体
ウェハーＷをその被処理面を下にして陰極ピン２にして
支持するとともに、処理槽１内に陽極板３を配し、半導
体ウェハーＷの被処理面に処理液を噴流させながら上下
の電極２，３間に電流を流して半導体ウェハーＷにメッ
キ、化成等の処理を施す噴流タイプのものである。
【００１０】まず、処理槽１は、図１に示すように、ポ
リプロピレン等の樹脂よりなる上方を開放した容器であ
る。
リプロピレン等の樹脂よりなる上方を開放した容器であ
る。
【００１１】陽極板３は、前記処理槽１内に配設されて
いる網状又は板状等のものであり、具体的には、図２に
示すように、支持された半導体ウェハーＷに対して並行
配設されており、中心の円板状の単位陽極板３ａの周囲
に、リング状の陽極板を径方向に所定の幅を有するよう
に切断した単位陽極板３ｂ〜３ｄを、３か所に等間隔に
配設したものである。このように単位陽極板３ａ〜３ｄ
は、同一平面内に位置して陽極板３を形成し、この陽極
板３は、半導体ウェハーＷと並行配設される。尚、図例
の陽極板３は、単位陽極板３ｂ〜３ｄを同一平面内に位
置させているが、周囲の単位陽極板３ｂ〜３ｄを、周囲
に向かうものほど半導体ウェハーＷに近づくような位置
関係に設定したものであってもよい。
いる網状又は板状等のものであり、具体的には、図２に
示すように、支持された半導体ウェハーＷに対して並行
配設されており、中心の円板状の単位陽極板３ａの周囲
に、リング状の陽極板を径方向に所定の幅を有するよう
に切断した単位陽極板３ｂ〜３ｄを、３か所に等間隔に
配設したものである。このように単位陽極板３ａ〜３ｄ
は、同一平面内に位置して陽極板３を形成し、この陽極
板３は、半導体ウェハーＷと並行配設される。尚、図例
の陽極板３は、単位陽極板３ｂ〜３ｄを同一平面内に位
置させているが、周囲の単位陽極板３ｂ〜３ｄを、周囲
に向かうものほど半導体ウェハーＷに近づくような位置
関係に設定したものであってもよい。
【００１２】陰極ピン２は、半導体ウェハーＷを支持す
るためのものであり、図１に示すように、前記処理槽１
の開口端との間に隙間ができるように、例えば３本の陰
極ピン２で半導体ウェハーＷを支持しており、定電流電
源６と電気配線されている。
るためのものであり、図１に示すように、前記処理槽１
の開口端との間に隙間ができるように、例えば３本の陰
極ピン２で半導体ウェハーＷを支持しており、定電流電
源６と電気配線されている。
【００１３】外部容器４は、図１に示すように、上方を
開放した、処理槽１からオーバーフローさせた処理液Ｓ
を受けるための容器である。このように外部容器４にオ
ーバーフローした処理液Ｓを、循環ポンプ５を用いて、
処理槽１の下部入口部に送り込む構造としている。
開放した、処理槽１からオーバーフローさせた処理液Ｓ
を受けるための容器である。このように外部容器４にオ
ーバーフローした処理液Ｓを、循環ポンプ５を用いて、
処理槽１の下部入口部に送り込む構造としている。
【００１４】更に、図４に示すように、半導体ウェハー
Ｗに対して電気配線するとともに、分割されたそれぞれ
の単位陽極板３ａ〜３ｄに対しても電気配線して定電流
回路を組み、それぞれＲ１〜Ｒ５のリレーが組み込まれ
ている。そして、Ｒ１は、通電のメインスイッチをコン
トロールするリレーであり、Ｒ２〜Ｒ５は、単位陽極板
３ａ〜３ｄの切替リレーであり、Ｒ１〜Ｒ５は、コンピ
ューターによって、ＯＮ−ＯＦＦの切替え、通電時間が
制御されている。
Ｗに対して電気配線するとともに、分割されたそれぞれ
の単位陽極板３ａ〜３ｄに対しても電気配線して定電流
回路を組み、それぞれＲ１〜Ｒ５のリレーが組み込まれ
ている。そして、Ｒ１は、通電のメインスイッチをコン
トロールするリレーであり、Ｒ２〜Ｒ５は、単位陽極板
３ａ〜３ｄの切替リレーであり、Ｒ１〜Ｒ５は、コンピ
ューターによって、ＯＮ−ＯＦＦの切替え、通電時間が
制御されている。
【００１５】そして、半導体製造装置Ａは、半導体ウェ
ハーＷの被処理面に処理液Ｓを噴流させながら上下の電
極間に電流を流して半導体ウェハーＷにメッキ、化成等
の処理を施すのであるが、２０秒づつメッキ処理を行う
ように、単位陽極板３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄと順に切り
換えていくのである。この場合、例えば、単位陽極板３
ａの箇所のメッキ厚が薄いのであれば、単位陽極板３ａ
のメッキ処理を行う時間のみ、２５秒のメッキ処理を行
い調整を行うことができる。
ハーＷの被処理面に処理液Ｓを噴流させながら上下の電
極間に電流を流して半導体ウェハーＷにメッキ、化成等
の処理を施すのであるが、２０秒づつメッキ処理を行う
ように、単位陽極板３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄと順に切り
換えていくのである。この場合、例えば、単位陽極板３
ａの箇所のメッキ厚が薄いのであれば、単位陽極板３ａ
のメッキ処理を行う時間のみ、２５秒のメッキ処理を行
い調整を行うことができる。
【００１６】一般には、半導体ウェハーＷに対するメッ
キは、陰極ピン２の支持点である給電点に近いところほ
どそのメッキ厚が高くなり、遠くなるほどそのメッキ厚
が薄くなっていく傾向があるため、メッキ厚を均一に保
持することは困難であったが、上述した半導体製造装置
Ａによれば、陽極板３を４枚の分割された単位陽極板３
ａ〜ｄで構成し、各単位陽極板３ａ〜３ｄの電流の通電
時間や、通電量を制御することにより、半導体ウェハー
Ｗ面内での単位面積当たりの電流密度の分布をコントロ
ールすることができる。従って、半導体ウェハーＷ面に
おいて、給電点から遠くであるメッキ厚が薄くなる近傍
に、通電量が多くなるように、通電する単位陽極板３ａ
〜３ｄを切り換えて時間制御を行うことにより、半導体
ウェハーＷ面内の単位面積当たりの電流密度分布を一定
にし、メッキ厚を均一にすることができる。また、それ
ぞれの単位陽極板３ａ〜３ｄに対する通電時間の制御、
通電量の制御をコンピューターにより行うことにより、
陽極板３の形状を様々な形状のものに近似的に変化させ
ることができ、半導体ウェハーＷの種類や、大きさによ
って、陽極板３を交換する必要がないので、労働時間の
軽減を図ることができる。
キは、陰極ピン２の支持点である給電点に近いところほ
どそのメッキ厚が高くなり、遠くなるほどそのメッキ厚
が薄くなっていく傾向があるため、メッキ厚を均一に保
持することは困難であったが、上述した半導体製造装置
Ａによれば、陽極板３を４枚の分割された単位陽極板３
ａ〜ｄで構成し、各単位陽極板３ａ〜３ｄの電流の通電
時間や、通電量を制御することにより、半導体ウェハー
Ｗ面内での単位面積当たりの電流密度の分布をコントロ
ールすることができる。従って、半導体ウェハーＷ面に
おいて、給電点から遠くであるメッキ厚が薄くなる近傍
に、通電量が多くなるように、通電する単位陽極板３ａ
〜３ｄを切り換えて時間制御を行うことにより、半導体
ウェハーＷ面内の単位面積当たりの電流密度分布を一定
にし、メッキ厚を均一にすることができる。また、それ
ぞれの単位陽極板３ａ〜３ｄに対する通電時間の制御、
通電量の制御をコンピューターにより行うことにより、
陽極板３の形状を様々な形状のものに近似的に変化させ
ることができ、半導体ウェハーＷの種類や、大きさによ
って、陽極板３を交換する必要がないので、労働時間の
軽減を図ることができる。
【００１７】図５は、他の実施例の陽極板の平面図であ
る。陽極板３は、図５に示すように、中心の円板状の単
位陽極板３ａの周囲に、リング状の陽極板を位置させ、
この陽極板を６等分して単位陽極板３ｂ〜３ｇを構成し
たものである。例えば、２０秒づつメッキ処理を行うよ
うに、単位陽極板３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｆ、３ｇ
と順に切り換えていくのである。そして、半導体ウェハ
ーＷのメッキ厚が厚い箇所や薄い箇所にあわせて、対応
する単位陽極板のメッキ処理時間や通電量を調整するの
である。
る。陽極板３は、図５に示すように、中心の円板状の単
位陽極板３ａの周囲に、リング状の陽極板を位置させ、
この陽極板を６等分して単位陽極板３ｂ〜３ｇを構成し
たものである。例えば、２０秒づつメッキ処理を行うよ
うに、単位陽極板３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｆ、３ｇ
と順に切り換えていくのである。そして、半導体ウェハ
ーＷのメッキ厚が厚い箇所や薄い箇所にあわせて、対応
する単位陽極板のメッキ処理時間や通電量を調整するの
である。
【００１８】図６は、他の実施例の陽極板の平面図であ
る。陽極板３は、図６に示すように、円板のものを扇形
状に３等分した単位陽極板３ａ、３ｂ、３ｃで構成され
ている。例えば、２０秒づつメッキ処理を行うように、
単位陽極板３ａ、３ｂ、３ｃと順に切り換えていくので
ある。そして、半導体ウェハーＷのメッキ厚が厚い箇所
や薄い箇所にあわせて、対応する単位陽極板のメッキ処
理時間や通電量を調整するのである。
る。陽極板３は、図６に示すように、円板のものを扇形
状に３等分した単位陽極板３ａ、３ｂ、３ｃで構成され
ている。例えば、２０秒づつメッキ処理を行うように、
単位陽極板３ａ、３ｂ、３ｃと順に切り換えていくので
ある。そして、半導体ウェハーＷのメッキ厚が厚い箇所
や薄い箇所にあわせて、対応する単位陽極板のメッキ処
理時間や通電量を調整するのである。
【００１９】図７は、他の実施例の陽極板の平面図であ
る。陽極板３は、図７に示すように、中心に円板状の単
位陽極板３ａを配するとともに、その周囲に２枚のリン
グ状の単位陽極板３ｂ、３ｃを同心円状に配したもので
ある。例えば、半導体ウェハーＷの大きさが、円板状の
単位陽極板３ａより小さな半径であれば、単位陽極板３
ａのみを通電することにより、半導体ウェハーＷの大き
さが、円板状の単位陽極板３ａより大きな半径であり、
リング状の単位陽極板３ｂより小さな半径であれば、単
位陽極板３ａと単位陽極板３ｂを通電することにより、
半導体ウェハーＷの大きさが、リング状の単位陽極板３
ｂより大きな半径であり、リング状の単位陽極板３ｃよ
り小さな半径であれば、単位陽極板３ａと単位陽極板３
ｂと単位陽極板３ｃを通電することにより、半導体ウェ
ハーＷの大きさに合わせて、均一なメッキ処理を行うこ
とができる。そして、単位陽極板３ａと単位陽極板３ｂ
と単位陽極板３ｃを用いてメッキ処理を行う場合におい
て、例えば半導体ウエハーＷの周囲部分のメッキ厚が薄
いときは、単位陽極板３ａを２０秒通電をした後、５秒
休止し、単位陽極板３ｂを２０秒通電をした後、５秒休
止し、単位陽極板３ｃを２５秒通電することにより均一
なメッキ処理を行うことができる。
る。陽極板３は、図７に示すように、中心に円板状の単
位陽極板３ａを配するとともに、その周囲に２枚のリン
グ状の単位陽極板３ｂ、３ｃを同心円状に配したもので
ある。例えば、半導体ウェハーＷの大きさが、円板状の
単位陽極板３ａより小さな半径であれば、単位陽極板３
ａのみを通電することにより、半導体ウェハーＷの大き
さが、円板状の単位陽極板３ａより大きな半径であり、
リング状の単位陽極板３ｂより小さな半径であれば、単
位陽極板３ａと単位陽極板３ｂを通電することにより、
半導体ウェハーＷの大きさが、リング状の単位陽極板３
ｂより大きな半径であり、リング状の単位陽極板３ｃよ
り小さな半径であれば、単位陽極板３ａと単位陽極板３
ｂと単位陽極板３ｃを通電することにより、半導体ウェ
ハーＷの大きさに合わせて、均一なメッキ処理を行うこ
とができる。そして、単位陽極板３ａと単位陽極板３ｂ
と単位陽極板３ｃを用いてメッキ処理を行う場合におい
て、例えば半導体ウエハーＷの周囲部分のメッキ厚が薄
いときは、単位陽極板３ａを２０秒通電をした後、５秒
休止し、単位陽極板３ｂを２０秒通電をした後、５秒休
止し、単位陽極板３ｃを２５秒通電することにより均一
なメッキ処理を行うことができる。
【００２０】図８は、他の実施例の陽極板の平面図であ
る。陽極板３は、図８に示すように、円板状の陽極板を
縦横に分割して、９個の単位陽極板３ａ〜３ｉを形成し
たものである。このように陽極板３は、９個の単位陽極
板３ａ〜３ｉで構成されているので、単位陽極板３ａ〜
３ｉの通電時間や通電量を細かく各々制御して、より均
一なメッキ処理を行うことができる。
る。陽極板３は、図８に示すように、円板状の陽極板を
縦横に分割して、９個の単位陽極板３ａ〜３ｉを形成し
たものである。このように陽極板３は、９個の単位陽極
板３ａ〜３ｉで構成されているので、単位陽極板３ａ〜
３ｉの通電時間や通電量を細かく各々制御して、より均
一なメッキ処理を行うことができる。
【００２１】図９は、他の実施例の陽極板の平面図であ
る。図９に示したものは、離間して所定間隔ごとに配し
た６枚の半導体ウェハーＷに対して、全体を外被できる
大きさの四角形の陽極板を縦横に分割して、四角形の単
位陽極板３ａを、隙間を有するように離間して、２５枚
配設したものである。この２５枚の単位陽極板３の通電
時間や通電量を制御することにより、複数の半導体ウェ
ハーＷを均一にメッキ処理することができる。
る。図９に示したものは、離間して所定間隔ごとに配し
た６枚の半導体ウェハーＷに対して、全体を外被できる
大きさの四角形の陽極板を縦横に分割して、四角形の単
位陽極板３ａを、隙間を有するように離間して、２５枚
配設したものである。この２５枚の単位陽極板３の通電
時間や通電量を制御することにより、複数の半導体ウェ
ハーＷを均一にメッキ処理することができる。
【００２２】図10は、他の実施例の陽極板の平面図であ
る。図10に示したものは、離間して所定間隔ごとに配し
た６枚の半導体ウェハーＷに対して、大きな四角形の陽
極板を配し、この陽極板の中央部を、円板状の単位陽極
板３ａとリング状の陽極板３ｂに分割し、その残りの単
位陽極板３ｃとで構成したものである。図10の陽極板３
も、図９の陽極板３と同様に、それぞれの単位陽極板３
の通電時間や通電量を制御することにより、複数の半導
体ウェハーＷを均一にメッキ処理することができる。
る。図10に示したものは、離間して所定間隔ごとに配し
た６枚の半導体ウェハーＷに対して、大きな四角形の陽
極板を配し、この陽極板の中央部を、円板状の単位陽極
板３ａとリング状の陽極板３ｂに分割し、その残りの単
位陽極板３ｃとで構成したものである。図10の陽極板３
も、図９の陽極板３と同様に、それぞれの単位陽極板３
の通電時間や通電量を制御することにより、複数の半導
体ウェハーＷを均一にメッキ処理することができる。
【００２３】また、図11に示した半導体製造装置Ａは、
処理槽１の処理液Ｓ内に板状又は網状等の陽極板３と半
導体ウェハーＷを立起状態で配し、上述した半導体製造
装置Ａと同様に、陽極板３を複数の単位陽極板で構成
し、それぞれの単位陽極板３と、半導体ウェハーＷの複
数の箇所に電気配線を行い、半導体ウェハーＷの被処理
面を処理液Ｓ内に浸漬した状態で、半導体ウェハーＷと
陽極板３の間に電流を流して半導体ウェハーＷにメッ
キ、化成等の処理を施すようにしたディップ式のもので
あり、図２、図５〜図10と同様に、陽極板３を複数の単
位陽極板で構成することにより、同様に均一なメッキ処
理を施すことが可能となる。
処理槽１の処理液Ｓ内に板状又は網状等の陽極板３と半
導体ウェハーＷを立起状態で配し、上述した半導体製造
装置Ａと同様に、陽極板３を複数の単位陽極板で構成
し、それぞれの単位陽極板３と、半導体ウェハーＷの複
数の箇所に電気配線を行い、半導体ウェハーＷの被処理
面を処理液Ｓ内に浸漬した状態で、半導体ウェハーＷと
陽極板３の間に電流を流して半導体ウェハーＷにメッ
キ、化成等の処理を施すようにしたディップ式のもので
あり、図２、図５〜図10と同様に、陽極板３を複数の単
位陽極板で構成することにより、同様に均一なメッキ処
理を施すことが可能となる。
【００２４】
【発明の効果】以上の記載より明らかなように、次に記
載する作用及び効果を奏する。請求項１及び請求項４の
噴流式或いはディップ式の半導体製造装置によれば、半
導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流させながら、又
は処理液に浸漬したまま、両電極間に電流を流して半導
体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施すのであるが、
陽極板を複数分割された単位陽極板で構成し、各単位陽
極板の電流の通電時間や、通電量を制御することによ
り、半導体ウェハー面内での単位面積当たりの電流密度
の分布をコントロールすることができる。従って、半導
体ウェハー面において、給電点から遠くであるメッキ厚
が薄くなる近傍に、通電量が多くなるように、通電する
単位陽極板を切り換えて時間制御を行うことにより、半
導体ウェハー面内の単位面積当たりの電流密度分布を一
定にし、メッキ厚を均一にすることができる。また、そ
れぞれの単位陽極板に対する通電時間の制御、通電量の
制御をコンピューターにより行うことにより、単位陽極
板の形状を様々な形状のものに近似的に変化させること
ができ、半導体ウェハーの種類や、大きさによって、単
位陽極板を交換する必要がないので、労働時間の軽減を
図ることができる。
載する作用及び効果を奏する。請求項１及び請求項４の
噴流式或いはディップ式の半導体製造装置によれば、半
導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流させながら、又
は処理液に浸漬したまま、両電極間に電流を流して半導
体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施すのであるが、
陽極板を複数分割された単位陽極板で構成し、各単位陽
極板の電流の通電時間や、通電量を制御することによ
り、半導体ウェハー面内での単位面積当たりの電流密度
の分布をコントロールすることができる。従って、半導
体ウェハー面において、給電点から遠くであるメッキ厚
が薄くなる近傍に、通電量が多くなるように、通電する
単位陽極板を切り換えて時間制御を行うことにより、半
導体ウェハー面内の単位面積当たりの電流密度分布を一
定にし、メッキ厚を均一にすることができる。また、そ
れぞれの単位陽極板に対する通電時間の制御、通電量の
制御をコンピューターにより行うことにより、単位陽極
板の形状を様々な形状のものに近似的に変化させること
ができ、半導体ウェハーの種類や、大きさによって、単
位陽極板を交換する必要がないので、労働時間の軽減を
図ることができる。
【００２５】請求項２及び請求項５の半導体製造装置に
よれば、一枚の半導体ウェハーに対して、同一面内に位
置する各単位陽極板の電流の通電時間や、通電量を制御
することにより、半導体ウェハー面内での単位面積当た
りの電流密度の分布のコントロールがより簡単なものと
なる。
よれば、一枚の半導体ウェハーに対して、同一面内に位
置する各単位陽極板の電流の通電時間や、通電量を制御
することにより、半導体ウェハー面内での単位面積当た
りの電流密度の分布のコントロールがより簡単なものと
なる。
【００２６】請求項３及び請求項６の半導体製造装置に
よれば、複数の半導体ウェハーに対して、同一面内に位
置する各単位陽極板の電流の通電時間や、通電量を制御
することにより、半導体ウェハー面内での単位面積当た
りの電流密度の分布のコントロールがより簡単なものと
なる。
よれば、複数の半導体ウェハーに対して、同一面内に位
置する各単位陽極板の電流の通電時間や、通電量を制御
することにより、半導体ウェハー面内での単位面積当た
りの電流密度の分布のコントロールがより簡単なものと
なる。
【図１】 本発明に係る代表的実施の形態の半導体製造
装置全体を示す原理図
装置全体を示す原理図
【図２】 同じく半導体ウェハーと陽極板との関係を示
す説明平面図
す説明平面図
【図３】 同じく半導体ウェハーと陽極板との関係を示
す説明側面図
す説明側面図
【図４】 同じく半導体ウェハーと陽極板との電気配線
図
図
【図５】 他の実施の形態の半導体ウェハーと陽極板と
の関係を示す説明平面図
の関係を示す説明平面図
【図６】 他の実施の形態の半導体ウェハーと陽極板と
の関係を示す説明平面図
の関係を示す説明平面図
【図７】 他の実施の形態の半導体ウェハーと陽極板と
の関係を示す説明平面図
の関係を示す説明平面図
【図８】 他の実施の形態の半導体ウェハーと陽極板と
の関係を示す説明平面図
の関係を示す説明平面図
【図９】 他の実施の形態の半導体ウェハーと陽極板と
の関係を示す説明平面図
の関係を示す説明平面図
【図10】 他の実施の形態の半導体ウェハーと陽極板と
の関係を示す説明平面図
の関係を示す説明平面図
【図11】 他の実施の形態の半導体製造装置全体の原理
図
図
【図12】 従来の半導体ウェハーと陽極板との関係を示
す説明平面図
す説明平面図
【図13】 他の従来の半導体ウェハーと陽極板との関係
を示す説明平面図
を示す説明平面図
Ａ 半導体製造装置 Ｗ 半導
体ウェハー Ｓ 処理液 １ 処理槽 ２ 陰極
ピン ３ 陽極板 ４ 外部
容器 ５ 循環ポンプ ６ 定電
流電源
体ウェハー Ｓ 処理液 １ 処理槽 ２ 陰極
ピン ３ 陽極板 ４ 外部
容器 ５ 循環ポンプ ６ 定電
流電源
Claims (6)
- 【請求項１】 上方を開放した処理槽の上方に半導体ウ
ェハーをその被処理面を下にして陰極ピンにして支持す
るとともに、処理槽内に陽極板を配し、半導体ウェハー
の被処理面に処理液を噴流させながら、半導体ウェハー
と陽極板の間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、
化成等の処理を施す噴流式半導体製造装置であって、 陽極板を複数の単位陽極板で構成するとともに、それぞ
れの単位陽極板に電気配線を施し、それぞれの単位陽極
板への通電時間及び通電量を調整しながら、メッキ、化
成等の処理を施すようにしたことを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項２】 一枚の半導体ウェハーに対して、同一面
内に位置する複数の単位陽極板で構成した陽極板を並行
配設した請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 複数枚の半導体ウェハーに対して、同一
面内に位置する複数の単位陽極板で構成した陽極板を並
行配設した請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 処理槽内に半導体ウェハーと陽極板を離
間して配するとともに、処理液に浸漬した半導体ウェハ
ーと陽極板の間に電流を流して半導体ウェハーにメッ
キ、化成等の処理を施すディップ式半導体製造装置であ
って、 陽極板を複数の単位陽極板で構成するとともに、それぞ
れの単位陽極板に電気配線を施し、それぞれの単位陽極
板への通電時間及び通電量を調整しながら、メッキ、化
成等の処理を施すようにしたことを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項５】 一枚の半導体ウェハーに対して、同一面
内に位置する複数の単位陽極板で構成した陽極板を並行
配設した請求項４記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】 複数枚の半導体ウェハーに対して、同一
面内に位置する複数の単位陽極板で構成した陽極板を並
行配設した請求項４記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29506997A JPH11135462A (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29506997A JPH11135462A (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135462A true JPH11135462A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17815923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29506997A Pending JPH11135462A (ja) | 1997-10-28 | 1997-10-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135462A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001014618A3 (en) * | 1999-08-26 | 2001-07-26 | Cvc Products Inc | Apparatus and method for electroplating a material layer onto a wafer |
| JP2002093834A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Sharp Corp | 噴流式バンプ形成装置 |
| JP2006144121A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-06-08 | Bridgestone Corp | 電磁波シールド性光透過窓材の製造方法及びその方法に用いられるメッキ装置 |
| JP2008019501A (ja) * | 2006-06-14 | 2008-01-31 | Electroplating Eng Of Japan Co | ウェハーめっき方法 |
| JP2008138240A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Mazda Motor Corp | 摺動部材及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-10-28 JP JP29506997A patent/JPH11135462A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001014618A3 (en) * | 1999-08-26 | 2001-07-26 | Cvc Products Inc | Apparatus and method for electroplating a material layer onto a wafer |
| JP2002093834A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Sharp Corp | 噴流式バンプ形成装置 |
| JP2006144121A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-06-08 | Bridgestone Corp | 電磁波シールド性光透過窓材の製造方法及びその方法に用いられるメッキ装置 |
| JP2008019501A (ja) * | 2006-06-14 | 2008-01-31 | Electroplating Eng Of Japan Co | ウェハーめっき方法 |
| JP2008138240A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Mazda Motor Corp | 摺動部材及びその製造方法 |
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