JP3289459B2 - メッキ方法及びメッキ装置 - Google Patents
メッキ方法及びメッキ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メッキ方法及びメッキ
装置に関し、特にメッキ液を噴流させながら被メッキ面
にメッキを析出させるメッキ方法及びメッキ装置に関す
る。
装置に関し、特にメッキ液を噴流させながら被メッキ面
にメッキを析出させるメッキ方法及びメッキ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハにバンプ電極を形成
する場合は、ウエハ用メッキ装置を用いてウエハのバン
プ電極形成面に金もしくは半田等のメッキを施してバン
プ電極を形成している。
する場合は、ウエハ用メッキ装置を用いてウエハのバン
プ電極形成面に金もしくは半田等のメッキを施してバン
プ電極を形成している。
【０００３】図４は、ウエハ用メッキ装置１の構造を示
す断面図である。図４において、ウエハ用メッキ装置１
は、メッキ槽２の内側にカップ３が設けられている。こ
のカップ３は、カップ３の本体上面にリング状のゴムシ
ート３ａが設けられ、メッキ槽２とカップとが液路４に
よって連通されている。液路４には、メッキ槽２内に収
容されているイオン化された金等を含むメッキ液５をカ
ップ３内の底部中央に設けられたメッキ液噴流口６から
カップ３内に噴流させるための噴流ポンプ７を介在させ
ている。また、カップ３内の底部には網状のアノード電
極８が設けられ、リード線９を介して図示しないメッキ
電源部の陽極に接続されている。
す断面図である。図４において、ウエハ用メッキ装置１
は、メッキ槽２の内側にカップ３が設けられている。こ
のカップ３は、カップ３の本体上面にリング状のゴムシ
ート３ａが設けられ、メッキ槽２とカップとが液路４に
よって連通されている。液路４には、メッキ槽２内に収
容されているイオン化された金等を含むメッキ液５をカ
ップ３内の底部中央に設けられたメッキ液噴流口６から
カップ３内に噴流させるための噴流ポンプ７を介在させ
ている。また、カップ３内の底部には網状のアノード電
極８が設けられ、リード線９を介して図示しないメッキ
電源部の陽極に接続されている。
【０００４】図５は、従来のアノード電極８の形状とメ
ッキ電源部２２とウエハ１３との接続状態を示す図であ
る。図５に示すように、アノード電極８は、多数のメッ
キ液透過口２１が設けられており、図４に示すメッキ液
噴流口６から噴出されるメッキ液はこのメッキ液透過口
２１を通過してカップ３内に噴流される。そして、メッ
キ電源部２２の陽極側には、単一に形成されたアノード
電極８がリード線９を介して接続され、陰極側には、カ
ソード電極側のウエハ（メッキ試料）１３がリード線１
２を介して接続されている。
ッキ電源部２２とウエハ１３との接続状態を示す図であ
る。図５に示すように、アノード電極８は、多数のメッ
キ液透過口２１が設けられており、図４に示すメッキ液
噴流口６から噴出されるメッキ液はこのメッキ液透過口
２１を通過してカップ３内に噴流される。そして、メッ
キ電源部２２の陽極側には、単一に形成されたアノード
電極８がリード線９を介して接続され、陰極側には、カ
ソード電極側のウエハ（メッキ試料）１３がリード線１
２を介して接続されている。
【０００５】再び図４に戻って、カップ３の上壁部に
は、メッキ液流出孔１０が設けられている。ゴムシート
３ａの上面には、側面が略Ｌ字状のカソード電極１１が
設けられており、このカソード電極１１からリード線１
２を介して図５に示すメッキ電源部２２の陰極に接続さ
れている。
は、メッキ液流出孔１０が設けられている。ゴムシート
３ａの上面には、側面が略Ｌ字状のカソード電極１１が
設けられており、このカソード電極１１からリード線１
２を介して図５に示すメッキ電源部２２の陰極に接続さ
れている。
【０００６】メッキ処理を行うウエハ１３は、被メッキ
面を下にしてゴムシート３ａ及びカソード電極１１の上
面にウエハ１３の下面周囲を密接させて配置している。
面を下にしてゴムシート３ａ及びカソード電極１１の上
面にウエハ１３の下面周囲を密接させて配置している。
【０００７】そして、ウエハ用メッキ装置１の噴流ポン
プ７を駆動させると、メッキ槽２内に収容されているメ
ッキ液５がメッキ液噴流口６からアノード電極８を通過
してカップ３内に噴流され、ウエハ１３の下面中央部に
噴き付けられる。ウエハ１３の下面中央部に噴き付けら
れたメッキ液５は、図４中の矢印で示すように、ウエハ
１３の下面に沿って外側へ放射状に流れ、メッキ液流出
孔１０から流出して、メッキ槽２内に回収される。この
とき、アノード電極８とカソード電極１１との間にメッ
キ電流を流すと、ウエハ１３の下面の所定位置に金メッ
キが施されることによりバンプ電極が形成される。
プ７を駆動させると、メッキ槽２内に収容されているメ
ッキ液５がメッキ液噴流口６からアノード電極８を通過
してカップ３内に噴流され、ウエハ１３の下面中央部に
噴き付けられる。ウエハ１３の下面中央部に噴き付けら
れたメッキ液５は、図４中の矢印で示すように、ウエハ
１３の下面に沿って外側へ放射状に流れ、メッキ液流出
孔１０から流出して、メッキ槽２内に回収される。この
とき、アノード電極８とカソード電極１１との間にメッ
キ電流を流すと、ウエハ１３の下面の所定位置に金メッ
キが施されることによりバンプ電極が形成される。
【０００８】図６は、従来のウエハ用メッキ装置でウエ
ハ表面に析出したバンプ電極の高さとウエハ位置との関
係を示す線図である。
ハ表面に析出したバンプ電極の高さとウエハ位置との関
係を示す線図である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のメッキ装置にあっては、図６に示すように、
析出されるパンプ電極の高さがウエハ１３の中央部で高
く（高さａで示す）、ウエハ１３の周辺部に行くに従っ
て低く（高さｂで示す）なることがわかる。このよう
に、析出されるバンプ電極の高さは、ウエハ位置によっ
てバラツキが生じるため、ウエハ１３の中央部と周辺部
で形成されるＩＣチップ等の製造条件が異なってくると
いう問題がある。
うな従来のメッキ装置にあっては、図６に示すように、
析出されるパンプ電極の高さがウエハ１３の中央部で高
く（高さａで示す）、ウエハ１３の周辺部に行くに従っ
て低く（高さｂで示す）なることがわかる。このよう
に、析出されるバンプ電極の高さは、ウエハ位置によっ
てバラツキが生じるため、ウエハ１３の中央部と周辺部
で形成されるＩＣチップ等の製造条件が異なってくると
いう問題がある。
【００１０】上記したように、ウエハ１３の表面に析出
されるバンプ電極の高さにバラツキが生じる原因は、必
ずしも明らかではないが、図４に示すように、ウエハ１
３の中央部ではメッキ液が電界に沿って流れており、メ
ッキ液中の金属イオンが効率良く移動して析出し易い状
態にあり、また、ウエハ１３の周辺部ではメッキ液が電
界と垂直方向に流れ（図中の矢印）ているため、金属イ
オンがウエハ１３表面に移動する前に横方向に流れるこ
とから、析出量が中央部と周辺部とで異なってくるもの
と考えられる。
されるバンプ電極の高さにバラツキが生じる原因は、必
ずしも明らかではないが、図４に示すように、ウエハ１
３の中央部ではメッキ液が電界に沿って流れており、メ
ッキ液中の金属イオンが効率良く移動して析出し易い状
態にあり、また、ウエハ１３の周辺部ではメッキ液が電
界と垂直方向に流れ（図中の矢印）ているため、金属イ
オンがウエハ１３表面に移動する前に横方向に流れるこ
とから、析出量が中央部と周辺部とで異なってくるもの
と考えられる。
【００１１】そこで、本発明は、被メッキ面に均一な厚
さのメッキを施すことができるメッキ方法及びメッキ装
置を提供することを目的とする。
さのメッキを施すことができるメッキ方法及びメッキ装
置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のメッキ方
法は、メッキ液をカソード電極側に噴流させながらアノ
ード電極からメッキ電流を流してカソード電極に接続さ
れた被メッキ面にメッキを析出するメッキ方法におい
て、前記アノード電極を、それぞれ、相互に絶縁領域を
介して分割された、少なくとも中央アノード電極と周辺
アノード電極を含む複数に分割し、前記中央アノード電
極へのメッキ処理の通電時間を前記周辺アノード電極へ
のメッキ処理の通電時間よりも小さくして、前記被メッ
キ面に析出されるメッキ厚を制御することにより上記目
的を達成する。
法は、メッキ液をカソード電極側に噴流させながらアノ
ード電極からメッキ電流を流してカソード電極に接続さ
れた被メッキ面にメッキを析出するメッキ方法におい
て、前記アノード電極を、それぞれ、相互に絶縁領域を
介して分割された、少なくとも中央アノード電極と周辺
アノード電極を含む複数に分割し、前記中央アノード電
極へのメッキ処理の通電時間を前記周辺アノード電極へ
のメッキ処理の通電時間よりも小さくして、前記被メッ
キ面に析出されるメッキ厚を制御することにより上記目
的を達成する。
【００１３】請求項２記載のメッキ装置は、メッキ液が
噴流されるカップ上面にカソード電極に接続された被メ
ッキ面を持った試料を配置し、カップ内のアノード電極
からカソード電極側にメッキ電流を流して、被メッキ面
にメッキを析出するメッキ装置において、前記アノード
電極が、それぞれ、相互に絶縁領域を介して分割され
た、少なくとも中央アノード電極と周辺アノード電極を
含む複数に分割され、この分割された各アノード電極に
それぞれ接続されて、前記アノード電極毎に流すメッキ
処理の通電時間を可変させるメッキ電流制御手段を具備
し、前記中央アノード電極へのメッキ処理の通電時間が
前記周辺アノード電極へのメッキ処理の通電時間よりも
小さくなるように制御して、前記被メッキ面に析出され
るメッキ厚の分布を制御することにより上記目的を達成
する。
噴流されるカップ上面にカソード電極に接続された被メ
ッキ面を持った試料を配置し、カップ内のアノード電極
からカソード電極側にメッキ電流を流して、被メッキ面
にメッキを析出するメッキ装置において、前記アノード
電極が、それぞれ、相互に絶縁領域を介して分割され
た、少なくとも中央アノード電極と周辺アノード電極を
含む複数に分割され、この分割された各アノード電極に
それぞれ接続されて、前記アノード電極毎に流すメッキ
処理の通電時間を可変させるメッキ電流制御手段を具備
し、前記中央アノード電極へのメッキ処理の通電時間が
前記周辺アノード電極へのメッキ処理の通電時間よりも
小さくなるように制御して、前記被メッキ面に析出され
るメッキ厚の分布を制御することにより上記目的を達成
する。
【００１４】
【作用】請求項１記載のメッキ方法では、中央アノード
電極へのメッキ処理の通電時間を前記周辺アノード電極
へのメッキ処理の通電時間よりも小さくするので、被メ
ッキ面に析出されるメッキ厚がほぼ均一になるように制
御される。
電極へのメッキ処理の通電時間を前記周辺アノード電極
へのメッキ処理の通電時間よりも小さくするので、被メ
ッキ面に析出されるメッキ厚がほぼ均一になるように制
御される。
【００１５】従って、被メッキ面に析出されるメッキ厚
の分布が不均一となる場合は、その不均一な分布状況に
応じてメッキ条件を部分的に変えることにより、メッキ
を均一な厚さで析出するように補正することができる。
の分布が不均一となる場合は、その不均一な分布状況に
応じてメッキ条件を部分的に変えることにより、メッキ
を均一な厚さで析出するように補正することができる。
【００１６】請求項２記載のメッキ装置では、メッキ処
理の通電時間を可変させるメッキ電流制御手段により、
中央アノード電極へのメッキ処理の通電時間を前記周辺
アノード電極へのメッキ処理の通電時間よりも小さくす
るので、被メッキ面に析出されるメッキ厚がほぼ均一に
なるように制御される。
理の通電時間を可変させるメッキ電流制御手段により、
中央アノード電極へのメッキ処理の通電時間を前記周辺
アノード電極へのメッキ処理の通電時間よりも小さくす
るので、被メッキ面に析出されるメッキ厚がほぼ均一に
なるように制御される。
【００１７】従って、分割アノード電極を用いて、各ア
ノード電極に流すメッキ電流の条件を変えることによ
り、カソード電極側に析出されるメッキ厚の分布を制御
することができる。
ノード電極に流すメッキ電流の条件を変えることによ
り、カソード電極側に析出されるメッキ厚の分布を制御
することができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【００１９】図１〜図３は、本発明に係るメッキ装置を
説明する図である。
説明する図である。
【００２０】まず、構成を説明する。
【００２１】図１は、本実施例のウエハ用メッキ装置３
０の構成を示すブロック図である。図１において、ウエ
ハ用メッキ装置３０は、アノード電極３１、メッキ液透
過孔３２、絶縁領域３３、中央アノード電極３４、第１
周辺アノード電極３５、第２周辺アノード電極３６、第
３周辺アノード電極３７、第４周辺アノード電極３８、
リード線３９，４０，４１，４２，４３、メッキ電流制
御部４４、スイッチング回路４５、メッキ電源部４６、
ＣＰＵ４７、キー入力部４８、メッキ試料（ウエハ）４
９から構成されている。
０の構成を示すブロック図である。図１において、ウエ
ハ用メッキ装置３０は、アノード電極３１、メッキ液透
過孔３２、絶縁領域３３、中央アノード電極３４、第１
周辺アノード電極３５、第２周辺アノード電極３６、第
３周辺アノード電極３７、第４周辺アノード電極３８、
リード線３９，４０，４１，４２，４３、メッキ電流制
御部４４、スイッチング回路４５、メッキ電源部４６、
ＣＰＵ４７、キー入力部４８、メッキ試料（ウエハ）４
９から構成されている。
【００２２】アノード電極３１は、本実施例では絶縁領
域３３を介して５つの電極領域に分割されている。これ
はメッキ析出量がカソード電極側のウエハの中央部と周
辺部とで異なることから、アノード電極３１を中央部の
中央アノード電極３４と周辺部とに分割し、さらにその
周辺部を第１周辺アノード電極３５、第２周辺アノード
電極３６、第３周辺アノード電極３７、第４周辺アノー
ド電極３８のように放射状に４つに分割したものであ
る。そして、カソード側の被メッキ面に析出するメッキ
厚を制御する場合は、アノード電極を選択するととも
に、各アノード電極に流す電流量や通電時間を変えて行
っている。上記した中央アノード電極３４、第１周辺ア
ノード電極３５、第２周辺アノード電極３６、第３周辺
アノード電極３７、第４周辺アノード電極３８には、そ
れぞれリード線３９，４０，４１，４２，４３を介して
メッキ電流制御部４４に接続されている。
域３３を介して５つの電極領域に分割されている。これ
はメッキ析出量がカソード電極側のウエハの中央部と周
辺部とで異なることから、アノード電極３１を中央部の
中央アノード電極３４と周辺部とに分割し、さらにその
周辺部を第１周辺アノード電極３５、第２周辺アノード
電極３６、第３周辺アノード電極３７、第４周辺アノー
ド電極３８のように放射状に４つに分割したものであ
る。そして、カソード側の被メッキ面に析出するメッキ
厚を制御する場合は、アノード電極を選択するととも
に、各アノード電極に流す電流量や通電時間を変えて行
っている。上記した中央アノード電極３４、第１周辺ア
ノード電極３５、第２周辺アノード電極３６、第３周辺
アノード電極３７、第４周辺アノード電極３８には、そ
れぞれリード線３９，４０，４１，４２，４３を介して
メッキ電流制御部４４に接続されている。
【００２３】メッキ電流制御部４４は、ここではスイッ
チング回路４５とメッキ電源部４６とで構成されてお
り、例えば、メッキ電源部４６を定電流源として、ここ
から出力される複数の出力に対してスイッチング回路４
５がスイッチング動作を行い、電流を流すオン時間と、
電流を流さないオフ時間との比であるデューティ比を変
えることにより、メッキ析出量を制御するものである。
チング回路４５とメッキ電源部４６とで構成されてお
り、例えば、メッキ電源部４６を定電流源として、ここ
から出力される複数の出力に対してスイッチング回路４
５がスイッチング動作を行い、電流を流すオン時間と、
電流を流さないオフ時間との比であるデューティ比を変
えることにより、メッキ析出量を制御するものである。
【００２４】また、スイッチング回路４５を使わずに、
メッキ電源部４６から出力される電流量を各アノード電
極毎に変えることにより、メッキ析出量を制御するよう
にしてもよい。
メッキ電源部４６から出力される電流量を各アノード電
極毎に変えることにより、メッキ析出量を制御するよう
にしてもよい。
【００２５】さらに、上記したメッキ電源部４６から出
力される電流量を各アノード電極毎に変えるとともに、
上記したメッキ電源部４６から出力される電流量も各ア
ノード電極毎に変えて、その組合せによりメッキ析出量
を制御するようにしてもよい。
力される電流量を各アノード電極毎に変えるとともに、
上記したメッキ電源部４６から出力される電流量も各ア
ノード電極毎に変えて、その組合せによりメッキ析出量
を制御するようにしてもよい。
【００２６】ＣＰＵ４７は、キー入力部４８から入力さ
れるメッキ厚の分布データに従って、何れのアノード電
極に対してどのようにメッキ電流の通電制御を行うかを
演算し、この演算結果に従ってメッキ電流制御部４４の
スイッチング回路４５の各スイッチング素子に対するス
イッチング制御やメッキ電源部４６の複数の出力端子か
ら出力される電流量を制御する。これにより、カソード
電極が接続されたウエハ４９面に析出されるバンプ電極
の高さが、例えば、均一となるように制御することもで
きる。
れるメッキ厚の分布データに従って、何れのアノード電
極に対してどのようにメッキ電流の通電制御を行うかを
演算し、この演算結果に従ってメッキ電流制御部４４の
スイッチング回路４５の各スイッチング素子に対するス
イッチング制御やメッキ電源部４６の複数の出力端子か
ら出力される電流量を制御する。これにより、カソード
電極が接続されたウエハ４９面に析出されるバンプ電極
の高さが、例えば、均一となるように制御することもで
きる。
【００２７】本実施例のメッキ装置は、上記のように構
成されており、以下その動作を説明する。
成されており、以下その動作を説明する。
【００２８】図２は、各アノード電極に通電するメッキ
電流波形の一例を示す線図であり、図３は、本実施例の
ウエハ用メッキ装置でウエハ表面に析出したバンプ電極
の高さとウエハ位置との関係を示す線図である。
電流波形の一例を示す線図であり、図３は、本実施例の
ウエハ用メッキ装置でウエハ表面に析出したバンプ電極
の高さとウエハ位置との関係を示す線図である。
【００２９】まず、図１に示すウエハ用メッキ装置３０
は、従来のようにアノード電極３１の全体に同一のメッ
キ電流を通電してメッキ処理を行うと、被メッキ面上に
は図３で示す実線Ａのような分布でバンプ電極が析出さ
れる。すなわち、ウエハ４９の中央部のバンプは高く、
周辺部に行くに従ってバンプが低くなる。
は、従来のようにアノード電極３１の全体に同一のメッ
キ電流を通電してメッキ処理を行うと、被メッキ面上に
は図３で示す実線Ａのような分布でバンプ電極が析出さ
れる。すなわち、ウエハ４９の中央部のバンプは高く、
周辺部に行くに従ってバンプが低くなる。
【００３０】そこで、ウエハ４９上に形成されるバンプ
を均一な高さに形成する場合は、中央アノード電極３４
と、第１〜第４周辺アノード電極３５〜３８とに分け
て、異なるメッキ電流を通電するようにする。具体的に
は、図１のメッキ電源部４６を定電流源として、ここか
ら一定の電流量を供給し、このメッキ電源部４６からの
電流をスイッチング回路４５によりオン／オフ制御する
ことにより、図２に示す所定のメッキ電流波形を形成す
るものである。このように、メッキ電流波形のオン時間
とオフ時間との比（デューティ比）を変えることによ
り、メッキの析出速度を変えることができる。
を均一な高さに形成する場合は、中央アノード電極３４
と、第１〜第４周辺アノード電極３５〜３８とに分け
て、異なるメッキ電流を通電するようにする。具体的に
は、図１のメッキ電源部４６を定電流源として、ここか
ら一定の電流量を供給し、このメッキ電源部４６からの
電流をスイッチング回路４５によりオン／オフ制御する
ことにより、図２に示す所定のメッキ電流波形を形成す
るものである。このように、メッキ電流波形のオン時間
とオフ時間との比（デューティ比）を変えることによ
り、メッキの析出速度を変えることができる。
【００３１】本実施例では、図２に示すように、電気メ
ッキ処理の開始から終了までの間は、第１〜第４周辺ア
ノード電極３５〜３８に対してオン状態のまま通電を継
続して行い、中央アノード電極３４に対しては、例え
ば、メッキ時間Ｔ1 ，Ｔ2 をオン、Ｔ3 をオフ、Ｔ4 ，
Ｔ5 をオン、Ｔ6 をオフする……というように、メッキ
処理時間の２／３をオン時間とし、１／３をオフ時間と
する。このとき、Ｔ1 及びＴ2 の時間の間は、アノード
電極３１の全体に同一のメッキ電流を通電しているの
で、図３の実線Ａのような分布となる。次いで、Ｔ3 の
時間の間は、第１〜第４周辺アノード電極３５〜３８の
みがメッキ電流を通電しているので、ウエハ４９の中央
部のバンプの高さが低くなり、周辺部のバンプが高く形
成されるので、図４の破線Ｂで示す分布となる。
ッキ処理の開始から終了までの間は、第１〜第４周辺ア
ノード電極３５〜３８に対してオン状態のまま通電を継
続して行い、中央アノード電極３４に対しては、例え
ば、メッキ時間Ｔ1 ，Ｔ2 をオン、Ｔ3 をオフ、Ｔ4 ，
Ｔ5 をオン、Ｔ6 をオフする……というように、メッキ
処理時間の２／３をオン時間とし、１／３をオフ時間と
する。このとき、Ｔ1 及びＴ2 の時間の間は、アノード
電極３１の全体に同一のメッキ電流を通電しているの
で、図３の実線Ａのような分布となる。次いで、Ｔ3 の
時間の間は、第１〜第４周辺アノード電極３５〜３８の
みがメッキ電流を通電しているので、ウエハ４９の中央
部のバンプの高さが低くなり、周辺部のバンプが高く形
成されるので、図４の破線Ｂで示す分布となる。
【００３２】従って、本実施例のウエハ用メッキ装置３
０では、上記のようなメッキ電流の通電制御を行うこと
により、図３の実線Ａで示した分布と破線Ｂで示した分
布とを合成した分布状況でバンプ電極が形成されること
になる。
０では、上記のようなメッキ電流の通電制御を行うこと
により、図３の実線Ａで示した分布と破線Ｂで示した分
布とを合成した分布状況でバンプ電極が形成されること
になる。
【００３３】すなわち、図３の実線Ｃで示すように、ウ
エハ上に形成されるバンプの高さが中央部から周辺部に
至るまで均一となったバンプ電極を析出することができ
る。このような均一な分布を維持したバンプ電極をさら
に厚く形成する場合は、上記したメッキ電流制御を繰り
返し行う。これにより、ウエハ面内に析出されるバンプ
電極の高さの分布状況は、フラットな状態に保持されな
がらバンプ電極が形成される。
エハ上に形成されるバンプの高さが中央部から周辺部に
至るまで均一となったバンプ電極を析出することができ
る。このような均一な分布を維持したバンプ電極をさら
に厚く形成する場合は、上記したメッキ電流制御を繰り
返し行う。これにより、ウエハ面内に析出されるバンプ
電極の高さの分布状況は、フラットな状態に保持されな
がらバンプ電極が形成される。
【００３４】以上述べたように、本実施例に係るメッキ
装置は、アノード電極を複数に分割した構造とし、それ
ぞれのアノード電極の位置に応じてメッキ電流を流す電
流量あるいは通電時間を変えることにより、被メッキ面
に析出されるメッキ厚の分布が変わり、ウエハ全面に均
一な高さのバンプ電極を形成することができるようにな
った。
装置は、アノード電極を複数に分割した構造とし、それ
ぞれのアノード電極の位置に応じてメッキ電流を流す電
流量あるいは通電時間を変えることにより、被メッキ面
に析出されるメッキ厚の分布が変わり、ウエハ全面に均
一な高さのバンプ電極を形成することができるようにな
った。
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】なお、上記実施例では、ウエハ面上に形成
されるバンプ電極の高さが均一となるように制御した
が、これに限定されるものではなく、意図的にウエハの
所定の場所に形成するバンプ電極の高さを他の場所に比
べて特に厚く形成するようにしたり、あるいは逆に薄く
形成するようにしたりする場合に利用することもでき
る。
されるバンプ電極の高さが均一となるように制御した
が、これに限定されるものではなく、意図的にウエハの
所定の場所に形成するバンプ電極の高さを他の場所に比
べて特に厚く形成するようにしたり、あるいは逆に薄く
形成するようにしたりする場合に利用することもでき
る。
【００３９】さらに、上記実施例のアノード電極は、５
つの領域に分割して実施したが、この分割数あるいは分
割形状に限定されるものではなく、メッキ厚の制御に適
した形状と分割数を適宜選択して実施することが可能で
ある。
つの領域に分割して実施したが、この分割数あるいは分
割形状に限定されるものではなく、メッキ厚の制御に適
した形状と分割数を適宜選択して実施することが可能で
ある。
【００４０】
【発明の効果】請求項１記載のメッキ方法によれば、中
央アノード電極へのメッキ処理の通電時間を前記周辺ア
ノード電極へのメッキ処理の通電時間よりも小さくする
ので、被メッキ面に析出されるメッキ厚がほぼ均一にな
るように制御することができる。
央アノード電極へのメッキ処理の通電時間を前記周辺ア
ノード電極へのメッキ処理の通電時間よりも小さくする
ので、被メッキ面に析出されるメッキ厚がほぼ均一にな
るように制御することができる。
【００４１】請求項２記載のメッキ装置によれば、メッ
キ処理の通電時間を可変させるメッキ電流制御手段によ
り、中央アノード電極へのメッキ処理の通電時間を前記
周辺アノード電極へのメッキ処理の通電時間よりも小さ
くするので、被メッキ面に析出されるメッキ厚がほぼ均
一になるように制御することができる。
キ処理の通電時間を可変させるメッキ電流制御手段によ
り、中央アノード電極へのメッキ処理の通電時間を前記
周辺アノード電極へのメッキ処理の通電時間よりも小さ
くするので、被メッキ面に析出されるメッキ厚がほぼ均
一になるように制御することができる。
【図１】本実施例のウエハ用メッキ装置の構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図２】各アノード電極に通電するメッキ電流波形の一
例を示す線図であり、
例を示す線図であり、
【図３】本実施例のウエハ用メッキ装置でウエハ表面に
析出したバンプ電極の高さとウエハ位置との関係を示す
線図である。
析出したバンプ電極の高さとウエハ位置との関係を示す
線図である。
【図４】ウエハ用メッキ装置の構造を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来のアノード電極の形状とメッキ電源部とウ
エハとの接続状態を示す図である。
エハとの接続状態を示す図である。
【図６】従来のウエハ用メッキ装置でウエハ表面に析出
したバンプ電極の高さとウエハ位置との関係を示す線図
である。
したバンプ電極の高さとウエハ位置との関係を示す線図
である。
３０ ウエハ用メッキ装置 ３１ アノード電極 ３２ メッキ液透過孔 ３３ 絶縁領域 ３４ 中央アノード電極 ３５ 第１周辺アノード電極 ３６ 第２周辺アノード電極 ３７ 第３周辺アノード電極 ３８ 第４周辺アノード電極 ３９，４０，４１，４２，４３ リード線 ４４ メッキ電流制御部 ４５ スイッチング回路 ４６ メッキ電源部 ４７ ＣＰＵ ４８ キー入力部 ４９ メッキ試料（ウエハ）
Claims (2)
- 【請求項１】メッキ液をカソード電極側に噴流させなが
らアノード電極からメッキ電流を流してカソード電極に
接続された被メッキ面にメッキを析出するメッキ方法に
おいて、前記アノード電極を、それぞれ、相互に絶縁領域を介し
て分割された、少なくとも中央アノード電極と周辺アノ
ード電極を含む複数に分割し、前記中央アノード電極へ
のメッキ処理の通電時間を前記周辺アノード電極へのメ
ッキ処理の通電時間よりも小さくして、前記被メッキ面
に析出されるメッキ厚を制御することを特徴とするメッ
キ方法。 - 【請求項２】メッキ液が噴流されるカップ上面にカソー
ド電極に接続された被メッキ面を持った試料を配置し、
カップ内のアノード電極からカソード電極側にメッキ電
流を流して、被メッキ面にメッキを析出するメッキ装置
において、前記アノード電極が、それぞれ、相互に絶縁
領域を介して分割された、少なくとも中央アノード電極
と周辺アノード電極を含む複数に分割され、この分割さ
れた各アノード電極にそれぞれ接続されて、前記アノー
ド電極毎に流すメッキ処理の通電時間を可変させるメッ
キ電流制御手段を具備し、前記中央アノード電極へのメ
ッキ処理の通電時間が前記周辺アノード電極へのメッキ
処理の通電時間よりも小さくなるように制御して、前記
被メッキ面に析出されるメッキ厚の分布を制御すること
を特徴とするメッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35389193A JP3289459B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | メッキ方法及びメッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35389193A JP3289459B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | メッキ方法及びメッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07197299A JPH07197299A (ja) | 1995-08-01 |
| JP3289459B2 true JP3289459B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=18433921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35389193A Expired - Lifetime JP3289459B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | メッキ方法及びメッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3289459B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3462970B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2003-11-05 | 三菱電機株式会社 | メッキ処理装置およびメッキ処理方法 |
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| DE19859466C2 (de) | 1998-12-22 | 2002-04-25 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten |
| WO2001014618A2 (en) * | 1999-08-26 | 2001-03-01 | Cvc Products, Inc. | Apparatus and method for electroplating a material layer onto a wafer |
| JP2001316887A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | メッキ処理装置 |
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| DE102005014748B4 (de) * | 2005-03-31 | 2007-02-08 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Technik zum elektrochemischen Abscheiden einer Legierung mit chemischer Ordnung |
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| TWI550139B (zh) | 2011-04-04 | 2016-09-21 | 諾菲勒斯系統公司 | 用於裁整均勻輪廓之電鍍裝置 |
| JP6362337B2 (ja) | 2014-01-21 | 2018-07-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN110512248B (zh) * | 2018-05-21 | 2022-04-12 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 电镀设备及电镀方法 |
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-
1993
- 1993-12-29 JP JP35389193A patent/JP3289459B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07197299A (ja) | 1995-08-01 |
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