JP2001316887A - メッキ処理装置 - Google Patents
メッキ処理装置Info
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- JP2001316887A JP2001316887A JP2000174439A JP2000174439A JP2001316887A JP 2001316887 A JP2001316887 A JP 2001316887A JP 2000174439 A JP2000174439 A JP 2000174439A JP 2000174439 A JP2000174439 A JP 2000174439A JP 2001316887 A JP2001316887 A JP 2001316887A
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- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの面内で厚さが均一なメッキ層を形成
することのできるメッキ処理装置を提供する。 【解決手段】フェイスダウン方式のメッキ処理ユニット
Ｍ１のメッキバス４２の内４２ｂ底部に配設するアノー
ド４４を、直径の異なる３個の円環状アノード部材４４
ａ〜４４ｃに分割し、これらのアノード部材４４ａ〜４
４ｃを同心円状、かつ、ウエハＷと同軸的に配設する。
各アノード部材４４ａ〜４４ｃには独立して電源と接続
し、それぞれ独立して印加電圧を制御する。ウエハＷ下
面側の被処理面に起きるカソード電圧の電圧降下を打ち
消すように、中心のアノード部材４４ａには高いアノー
ド電圧を印加する一方、外側のアノード部材４４ｂ，４
４ｃにいくにつれて印加するアノード電圧を低下させ、
このアノード電圧の勾配と前記カソード電圧の電圧降下
とを相殺することによりウエハＷ下面での電流密度を均
一化して、メッキ層の厚さをウエハＷ面内で均一化す
る。
することのできるメッキ処理装置を提供する。 【解決手段】フェイスダウン方式のメッキ処理ユニット
Ｍ１のメッキバス４２の内４２ｂ底部に配設するアノー
ド４４を、直径の異なる３個の円環状アノード部材４４
ａ〜４４ｃに分割し、これらのアノード部材４４ａ〜４
４ｃを同心円状、かつ、ウエハＷと同軸的に配設する。
各アノード部材４４ａ〜４４ｃには独立して電源と接続
し、それぞれ独立して印加電圧を制御する。ウエハＷ下
面側の被処理面に起きるカソード電圧の電圧降下を打ち
消すように、中心のアノード部材４４ａには高いアノー
ド電圧を印加する一方、外側のアノード部材４４ｂ，４
４ｃにいくにつれて印加するアノード電圧を低下させ、
このアノード電圧の勾配と前記カソード電圧の電圧降下
とを相殺することによりウエハＷ下面での電流密度を均
一化して、メッキ層の厚さをウエハＷ面内で均一化す
る。
Description
【発明の属する技術分野】本発明はウエハ等の被処理基
板上にメッキ層を形成するメッキ処理装置に係り、更に
詳細には処理液に浸漬した被処理基板に電圧を印加しな
がらメッキ処理を行なう電解型のメッキ処理装置に関す
る。
板上にメッキ層を形成するメッキ処理装置に係り、更に
詳細には処理液に浸漬した被処理基板に電圧を印加しな
がらメッキ処理を行なう電解型のメッキ処理装置に関す
る。
【従来の技術】従来より、シリコンウエハなどの被処理
基板上に銅層などのメッキ層を形成するメッキ処理装置
として、底部にアノード電極を配設したメッキ液槽内に
メッキ液を満たしておき、このメッキ液液面に対して被
処理基板を下向きにして浸漬し、この状態でウエハＷと
アノードとの間に電圧を印加するフェイスダウン方式の
装置が知られている。図２９は典型的なフェイスダウン
型のメッキ処理装置の垂直断面図である。例えば、図２
９に示したメッキ処理装置では、メッキ液を上部が開口
した処理液槽２０２に収容し、このメッキ液に対して被
処理基板Ｗの被処理面を下向きに水平に保持し、この状
態で被処理基板Ｗをメッキ液に浸漬し、アノードとウエ
ハＷとの間に所定の電圧を印加して被処理面上にメッキ
層を形成する。この方法では、処理装置を小型化できる
という利点があり、広く用いられつつある。この図２９
に示したようなメッキ処理装置では、ウエハＷの外周縁
にカソードコンタクトと呼ばれる電気的接点を接触さ
せ、このカソードコンタクトを介してウエハＷ下面側の
被処理面に電圧を印加し、ウエハＷ下面側をカソードと
して機能させる。ところで、ウエハＷから製品として形
成される半導体素子の歩留まりを向上させる関係上、ウ
エハＷ下面側の被処理面に形成するメッキ層の厚さはウ
エハＷの被処理面全体にわたって均一であることが求め
られる。
基板上に銅層などのメッキ層を形成するメッキ処理装置
として、底部にアノード電極を配設したメッキ液槽内に
メッキ液を満たしておき、このメッキ液液面に対して被
処理基板を下向きにして浸漬し、この状態でウエハＷと
アノードとの間に電圧を印加するフェイスダウン方式の
装置が知られている。図２９は典型的なフェイスダウン
型のメッキ処理装置の垂直断面図である。例えば、図２
９に示したメッキ処理装置では、メッキ液を上部が開口
した処理液槽２０２に収容し、このメッキ液に対して被
処理基板Ｗの被処理面を下向きに水平に保持し、この状
態で被処理基板Ｗをメッキ液に浸漬し、アノードとウエ
ハＷとの間に所定の電圧を印加して被処理面上にメッキ
層を形成する。この方法では、処理装置を小型化できる
という利点があり、広く用いられつつある。この図２９
に示したようなメッキ処理装置では、ウエハＷの外周縁
にカソードコンタクトと呼ばれる電気的接点を接触さ
せ、このカソードコンタクトを介してウエハＷ下面側の
被処理面に電圧を印加し、ウエハＷ下面側をカソードと
して機能させる。ところで、ウエハＷから製品として形
成される半導体素子の歩留まりを向上させる関係上、ウ
エハＷ下面側の被処理面に形成するメッキ層の厚さはウ
エハＷの被処理面全体にわたって均一であることが求め
られる。
【発明が解決しようとする課題】しかし、図２９に示し
たようにウエハＷ下面側の外周縁で接触するカソードコ
ンタクトを介してウエハＷの被処理面に電圧を印加する
構造では、カソードコンタクトに近い外周縁側で印加電
圧が高く、カソードコンタクトから離れたウエハＷの中
心付近では印加電圧が低くなる傾向があるため、ウエハ
Ｗの中心付近ではメッキ層が薄く、ウエハＷの外周縁付
近に近づくほどメッキ層が厚く形成されやすいため、ウ
エハＷの面内でメッキ層の厚さが不均一になり、半導体
素子の歩留まりが低下したり、半導体素子の品質にばら
つきが生じ易いという問題がある。本発明は上記従来の
問題を解決するためになされたものである。即ち、本発
明は、ウエハＷの面内で厚さが均一なメッキ層を形成す
ることのできるメッキ処理装置を提供することを目的と
する。
たようにウエハＷ下面側の外周縁で接触するカソードコ
ンタクトを介してウエハＷの被処理面に電圧を印加する
構造では、カソードコンタクトに近い外周縁側で印加電
圧が高く、カソードコンタクトから離れたウエハＷの中
心付近では印加電圧が低くなる傾向があるため、ウエハ
Ｗの中心付近ではメッキ層が薄く、ウエハＷの外周縁付
近に近づくほどメッキ層が厚く形成されやすいため、ウ
エハＷの面内でメッキ層の厚さが不均一になり、半導体
素子の歩留まりが低下したり、半導体素子の品質にばら
つきが生じ易いという問題がある。本発明は上記従来の
問題を解決するためになされたものである。即ち、本発
明は、ウエハＷの面内で厚さが均一なメッキ層を形成す
ることのできるメッキ処理装置を提供することを目的と
する。
【課題を解決するための手段】請求項１のメッキ処理装
置は、被処理基板を浸漬するメッキ処理液を貯留する処
理槽と、前記被処理基板を、水平面内で回転可能に保持
し、前記メッキ処理液に対して接離させる基板保持手段
と、前記基板保持手段に配設され前記被処理基板に接触
して電圧を印加するカソード電極と、前記処理槽内に配
設され、２以上のアノード部材に分割されたアノード電
極と、を具備する。請求項１のメッキ処理装置では、前
記処理槽内に配設されたアノードが、２以上のアノード
部材に分割されているので、各アノード部材の配置や形
状、印加電圧などを適宜選択したり制御することによ
り、被処理基板の被処理面の面内の電圧分布を均一化す
ることができ、それにより被処理基板の被処理面全体に
わたり厚さが均一なメッキ層を形成することが出来る。
請求項２のメッキ処理装置は、被処理基板を浸漬するメ
ッキ処理液を貯留する処理槽と、前記被処理基板を、水
平面内で回転可能に保持し、前記メッキ処理液に対して
接離させる基板保持手段と、前記基板保持手段に配設さ
れ前記被処理基板に接触して電圧を印加するカソード電
極と、前記処理槽内に配設され、中央部が外周縁部より
高い位置に設けられたアノード電極と、を具備する。請
求項２のメッキ処理装置では、アノード電極の中央部が
外周縁部より高い位置に設けられている。即ち、カソー
ドとして機能する被処理基板の被処理面とアノード電極
との距離は、アノードの中央部即ち被処理基板の中心付
近で小さく、アノードの外周縁部即ち被処理基板の外周
縁部で大きくなっている。そのため電極間隔の小さい被
処理基板中心付近でメッキ層は厚く、電極間隔の大きい
被処理基板外周縁部ではメッキ層は薄くなる傾向とな
る。この傾向と上記した電圧分布の傾斜とが相殺される
結果、被処理基板の被処理面全体に渡って均一な厚さの
メッキ層が形成される。請求項３のメッキ処理装置は、
被処理基板を浸漬するメッキ処理液を貯留する処理槽
と、前記被処理基板を、水平面内で回転可能に保持し、
前記メッキ処理液に対して接離させる基板保持手段と、
前記基板保持手段に配設され前記被処理基板に接触して
電圧を印加するカソード電極と、前記処理槽底部に配設
されたアノード電極と、前記処理層内のアノード電極か
ら前記処理層上部へ流れるメッキ液の流れを複数の流れ
に分割する案内板と、を具備する。請求項３のメッキ処
理装置では、前記処理層内のアノード電極から前記処理
層上部へ流れるメッキ液の流れを複数の流れに分割する
案内板を備えているので、メッキ液の状態を分割された
流れごとに制御することが出来る。例えばメッキ液の流
量や流れる方向、或いは印加電圧などを個別的に制御し
て、上記被処理基板の被処理面内の電圧分布の不均衡を
打ち消すことにより、被処理基板の被処理面全体に渡っ
て均一な厚さのメッキ層が形成される。請求項４のメッ
キ処理装置は、請求項３に記載のメッキ処理装置であっ
て、前記案内板が、頂角の異なる複数の円錐側面を形成
し、外側にいくにつれて拡開された円錐側面状の流路を
形成する案内板であることを特徴とする。請求項４のメ
ッキ処理装置では、請求項３に記載のメッキ処理装置に
おいて、前記案内板が、頂角の異なる複数の円錐側面状
に形成されおり、隣合う案内板との間で円錐側面状の流
路を形成する。また各案内板は外側のものほど頂角の大
きい円錐側面状に形成されているので、隣り合う案内板
との間に形成される流路も略円錐側面状になり、この流
路も外側にいくほど頂角の大きい円錐側面状になる。そ
のため、メッキ液の流れが被処理基板下面側で均一化さ
れ、被処理基板全体にわたって均一なメッキ層が形成さ
れる。請求項５のメッキ処理装置は、被処理基板を浸漬
するメッキ処理液を貯留する処理槽と、前記被処理基板
を、水平面内で回転可能に保持し、前記メッキ処理液に
対して接離させる基板保持手段と、前記基板保持手段に
配設され前記被処理基板に接触して電圧を印加する第１
のカソード電極と、前記処理槽底部に配設されたアノー
ド電極と、前記第１のカソード電極と前記アノード電極
との間に配設された第２のカソード電極と、を具備す
る。請求項５のメッキ処理装置では、前記第１のカソー
ド電極と前記アノード電極との間に配設された第２のカ
ソード電極を備えているので、この第２のカソード電極
への印加電圧を制御して、上記被処理基板の被処理面内
の電圧分布の不均衡を打ち消すことにより、被処理基板
の被処理面全体に渡って均一な厚さのメッキ層が形成さ
れる。
置は、被処理基板を浸漬するメッキ処理液を貯留する処
理槽と、前記被処理基板を、水平面内で回転可能に保持
し、前記メッキ処理液に対して接離させる基板保持手段
と、前記基板保持手段に配設され前記被処理基板に接触
して電圧を印加するカソード電極と、前記処理槽内に配
設され、２以上のアノード部材に分割されたアノード電
極と、を具備する。請求項１のメッキ処理装置では、前
記処理槽内に配設されたアノードが、２以上のアノード
部材に分割されているので、各アノード部材の配置や形
状、印加電圧などを適宜選択したり制御することによ
り、被処理基板の被処理面の面内の電圧分布を均一化す
ることができ、それにより被処理基板の被処理面全体に
わたり厚さが均一なメッキ層を形成することが出来る。
請求項２のメッキ処理装置は、被処理基板を浸漬するメ
ッキ処理液を貯留する処理槽と、前記被処理基板を、水
平面内で回転可能に保持し、前記メッキ処理液に対して
接離させる基板保持手段と、前記基板保持手段に配設さ
れ前記被処理基板に接触して電圧を印加するカソード電
極と、前記処理槽内に配設され、中央部が外周縁部より
高い位置に設けられたアノード電極と、を具備する。請
求項２のメッキ処理装置では、アノード電極の中央部が
外周縁部より高い位置に設けられている。即ち、カソー
ドとして機能する被処理基板の被処理面とアノード電極
との距離は、アノードの中央部即ち被処理基板の中心付
近で小さく、アノードの外周縁部即ち被処理基板の外周
縁部で大きくなっている。そのため電極間隔の小さい被
処理基板中心付近でメッキ層は厚く、電極間隔の大きい
被処理基板外周縁部ではメッキ層は薄くなる傾向とな
る。この傾向と上記した電圧分布の傾斜とが相殺される
結果、被処理基板の被処理面全体に渡って均一な厚さの
メッキ層が形成される。請求項３のメッキ処理装置は、
被処理基板を浸漬するメッキ処理液を貯留する処理槽
と、前記被処理基板を、水平面内で回転可能に保持し、
前記メッキ処理液に対して接離させる基板保持手段と、
前記基板保持手段に配設され前記被処理基板に接触して
電圧を印加するカソード電極と、前記処理槽底部に配設
されたアノード電極と、前記処理層内のアノード電極か
ら前記処理層上部へ流れるメッキ液の流れを複数の流れ
に分割する案内板と、を具備する。請求項３のメッキ処
理装置では、前記処理層内のアノード電極から前記処理
層上部へ流れるメッキ液の流れを複数の流れに分割する
案内板を備えているので、メッキ液の状態を分割された
流れごとに制御することが出来る。例えばメッキ液の流
量や流れる方向、或いは印加電圧などを個別的に制御し
て、上記被処理基板の被処理面内の電圧分布の不均衡を
打ち消すことにより、被処理基板の被処理面全体に渡っ
て均一な厚さのメッキ層が形成される。請求項４のメッ
キ処理装置は、請求項３に記載のメッキ処理装置であっ
て、前記案内板が、頂角の異なる複数の円錐側面を形成
し、外側にいくにつれて拡開された円錐側面状の流路を
形成する案内板であることを特徴とする。請求項４のメ
ッキ処理装置では、請求項３に記載のメッキ処理装置に
おいて、前記案内板が、頂角の異なる複数の円錐側面状
に形成されおり、隣合う案内板との間で円錐側面状の流
路を形成する。また各案内板は外側のものほど頂角の大
きい円錐側面状に形成されているので、隣り合う案内板
との間に形成される流路も略円錐側面状になり、この流
路も外側にいくほど頂角の大きい円錐側面状になる。そ
のため、メッキ液の流れが被処理基板下面側で均一化さ
れ、被処理基板全体にわたって均一なメッキ層が形成さ
れる。請求項５のメッキ処理装置は、被処理基板を浸漬
するメッキ処理液を貯留する処理槽と、前記被処理基板
を、水平面内で回転可能に保持し、前記メッキ処理液に
対して接離させる基板保持手段と、前記基板保持手段に
配設され前記被処理基板に接触して電圧を印加する第１
のカソード電極と、前記処理槽底部に配設されたアノー
ド電極と、前記第１のカソード電極と前記アノード電極
との間に配設された第２のカソード電極と、を具備す
る。請求項５のメッキ処理装置では、前記第１のカソー
ド電極と前記アノード電極との間に配設された第２のカ
ソード電極を備えているので、この第２のカソード電極
への印加電圧を制御して、上記被処理基板の被処理面内
の電圧分布の不均衡を打ち消すことにより、被処理基板
の被処理面全体に渡って均一な厚さのメッキ層が形成さ
れる。
【発明の実施の形態】（第一の実施の形態）以下、本発
明の第一の実施の形態に係る銅メッキ用のメッキ処理シ
ステムについて説明する。図１は本実施形態に係るメッ
キ処理システムの斜視図であり、図２は同メッキ処理シ
ステムの平面図であり、図３は同メッキ処理システムの
正面図であり、図４は同メッキ処理システムの側面図で
ある。図１〜図４に示したように、このメッキ処理シス
テム１はウエハＷを出し入れしたり運搬するキャリアス
テーション２とウエハＷに実際に処理を施すプロセスス
テーション３とから構成されている。キャリアステーシ
ョン２はウエハＷを収容する載置台２１と載置台２１上
に載置されたキャリアカセットＣにアクセスしてその中
に収容されたウエハＷを取り出したり、処理が完了した
ウエハＷを収容したりする第２の搬送手段としてのサブ
アーム２２とから構成されている。キャリアカセットＣ
内には複数枚、例えば２５枚のウエハＷを等間隔毎に水
平に保った状態で垂直方向に収容されるようになってい
る。載置台２１上には図中Ｘ方向に例えば４個のキャリ
アカセットＣが配設されている。サブアーム２２は図中
Ｘ方向に配設されたレール上を移動するとともに鉛直方
向（Ｚ方向）即ち図中紙面に垂直な方向に昇降可能かつ
水平面内で回転可能な構造を備えており、載置台２１上
に載置されたキャリアカセットＣ内にアクセスして未処
理のウエハＷをキャリアカセットＣから取り出したり、
処理が完了したウエハＷをキャリアカセットＣ内に収納
するようになっている。またこのサブアーム２２は後述
するプロセスステーション３との間でも、処理前後のウ
エハＷを受け渡しするようになっている。プロセスステ
ーション３は図１〜図４に示すように直方体又は立方体
の箱型の外観を備えており、その周囲全体は耐腐食性の
材料、例えば樹脂や表面を樹脂でコーティングした金属
板などでできたハウジング３１で覆われている。プロセ
スステーション３の内部は図１及び図４に示すように略
立方形或いは直方形の箱型の構成となっており、内部に
は処理空間Ｓが形成されている。処理空間Ｓは図１及び
図４に示したように直方体型の処理室であり、処理空間
Ｓの底部には底板３３が取り付けられている。処理空間
Ｓには、複数の処理ユニット、例えば４基のメッキ処理
ユニットＭ１〜Ｍ４が例えば処理空間室Ｓ内の、次に説
明するメインアーム３５の周囲にそれぞれ配設されてい
る。図１及び図２に示すように底板３３のほぼ中央には
ウエハを搬送するための第１の搬送手段としてのメイン
アーム３５が配設されている。このメインアーム３５は
昇降可能かつ水平面内で回転可能になっており、更に略
水平面内で伸縮可能な上下二本のウエハ保持部材を備え
ており、これらのウエハ保持部材を伸縮させることによ
りメインアーム３５の周囲に配設された処理ユニットに
対して処理前後のウエハＷを出し入れできるようになっ
ている。またメインアーム３５は垂直方向に移動して上
側の処理ユニットへも出入りできるようになっており、
下段側の処理ユニットから上段側の処理ユニットへウエ
ハＷを運んだり、その逆に上側の処理ユニットから下段
側の処理ユニットへウエハＷを運ぶこともできるように
なっている。更にこのメインアーム３５は保持したウエ
ハＷを上下反転させる機能を備えており、一の処理ユニ
ットから他の処理ユニットへウエハＷを搬送する間にウ
エハＷを上下反転できる構造を備えている。なおこのウ
エハＷを反転できる機能はメインアーム３５に必須の機
能ではない。上段側には他の処理ユニット、例えば第２
の液処理装置としての洗浄処理ユニットＳＲＤが例えば
２基キャリアステーションに近い側、即ち前記メッキ処
理ユニットＭ１，Ｍ２の上側にそれぞれ配設されてい
る。このように複数の処理ユニットが上下方向に多段配
置されているので、液処理システムの面積効率を向上さ
せることが出来る。プロセスステーション３のハウジン
グ３１のうち、キャリアステーション２に対面する位置
に配設されたハウジング３１ａには、図３に示すように
３つの開閉可能な開口部Ｇ１〜Ｇ３が配設されている。
これらのうちＧ１は下段側に配設されたメッキ処理ユニ
ットＭ１とＭ２との間に配設された中継載置台３６の位
置に対応する開口部であり、キャリアカセットＣからサ
ブアーム２２が取り出した未処理のウエハＷをプロセス
ステーション３内に搬入する際に用いられる。搬入の際
には開口部Ｇ１が開かれ、未処理ウエハＷを保持したサ
ブアーム２２が処理空間Ｓ内にウエハ保持部材を伸ばし
てアクセスし、中継載置台３６上にウエハＷを置く。こ
の中継載置台３６にメインアーム３５がアクセスし、中
継載置台３６上に載置されたウエハＷを保持してメッキ
処理ユニットＭ１〜Ｍ４などの処理ユニット内まで運
ぶ。残りの開口部Ｇ２及びＧ３は処理空間Ｓのキャリア
ステーション２に近い側に配設されたＳＲＤに対応する
位置に配設されており、これらの開口部Ｇ２、Ｇ３を介
してサブアームが処理空間Ｓ内にアクセスし、上段側に
配設されたＳＲＤに直接アクセスして処理が完了したウ
エハＷを受け取ることができるようになっている。その
ためＳＲＤで洗浄されたウエハＷが汚れたメインアーム
に触れて汚染されることが防止される。また、処理空間
Ｓ内には図４中上から下向きのエアフローが形成されて
おり、システム外から供給された清浄なエアが処理空間
Ｓの上部から供給され、洗浄処理ユニット、メッキ処理
ユニットＭ１〜Ｍ４に向けて流下し、処理空間Ｓの底部
から排気されてシステム外に排出されるようになってい
る。このように処理空間Ｓ内を上から下に清浄な空気を
流すことにより、下段側のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ
４から上段側の洗浄装置の方には空気が流れないように
なっている。そのため、常に洗浄処理ユニット側は清浄
な雰囲気に保たれている。更に、メッキ処理ユニットＭ
１〜Ｍ４や洗浄処理ユニット等の各処理ユニット内はシ
ステムの処理空間Ｓよりも陰圧に維持されており、空気
の流れは処理空間Ｓ側から各処理ユニット内に向って流
れ、各処理ユニットからシステム外に排気される。その
ため、処理ユニット側から処理空間Ｓ側に汚れが拡散す
るのが防止される。図５はメッキ処理ユニットＭ１の垂
直断面図である。図５に示すように、このメッキ処理ユ
ニットＭ１では、ユニット全体が密閉構造のハウジング
４１で覆われている。このハウジング４１も樹脂等の耐
腐食性の材料で構成されている。ハウジング４１の内側
は概ね上下二段に分かれた構造になっており、排気路を
内蔵したセパレータ７２により、セパレータ７２の上側
に位置する第１の処理部Ａと、セパレータ７２の下側に
位置する第２の処理部Ｂとに仕切り分けられている。そ
のため、第２の処理部Ｂ側から上側の第１の処理部Ａ側
に汚れが拡散するのが防止される。セパレータ７２の中
央には貫通孔７４が設けられており、この貫通孔７４を
介して後述するドライバ６１に保持されたウエハＷが第
１の処理部Ａと第２の処理部Ｂとの間を行き来できるよ
うになっている。処理部Ａと処理部Ｂとの境界にあたる
部分のハウジングには開口部とこの開口部を開閉するゲ
ートバルブ７３が設けられている。このゲートバルブ７
３を閉じるとメッキ処理ユニットＭ１内はその外側の処
理空間Ｓとは隔絶された空間となるので、メッキ処理ユ
ニットＭ１から外側の処理空間Ｓ内への汚れの拡散が防
止される。またメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４はそれぞ
れ別個独立に運転することができ、処理システムに対し
てそれぞれが着脱可能に構成されている。そのため、一
つのメッキ処理ユニットについての保守管理時など運転
できない場合には、他のメッキ処理ユニットを代替使用
することができ、保守管理が容易に行なえる。第１の処
理部ＡにはウエハＷを略水平に保持して回転させる基板
保持機構としてのドライバ６１が配設されている。この
ドライバ６１はウエハＷを保持するホルダ６２と、この
ホルダ６２ごとウエハＷを略水平面内で回転させるモー
タ６３とから構成されており、モータ６３の外套容器に
はドライバ６１を支持する支持梁６７が取りつけられて
いる。支持梁６７の端はハウジング４１の内壁に対して
ガイドレール６８を介して昇降可能に取り付けられてい
る。支持梁６７は更にシリンダ６９を介してハウジング
４１に取りつけられており、このシリンダ６９を駆動す
ることによりドライバ６１の位置を上下できるようにな
っている。具体的には図５に示したように、ドライバ６
１の位置はウエハＷを搬出入するための搬送位置（Ｉ）
と、ウエハＷ下面側の被処理面を洗浄する洗浄位置（Ｉ
Ｉ）後述するスピンドライを行なうためのスピンドライ
位置（ＩＶ）、及びウエハＷをメッキ液に浸漬した状態
でメッキを行なうメッキ位置（Ｖ）の主に４つの異なる
高さの間で上下動させる。ドライバ６１の内部にはウエ
ハＷだけを昇降させる昇降機構（図示省略）が配設され
ており、この昇降機構を作動させることにより、ドライ
バ６１の高さを変えずにウエハＷの高さだけをドライバ
６１内部で変えることができる。この昇降機構はウエハ
Ｗ下面外周縁部で接触して電圧を印加するカソードコン
タクト６４とウエハＷとを接離させるときに作動させる
ものであり、例えばカソードコンタクト６４を洗浄する
際にウエハＷを上昇させて接点表面を露出させ、ノズル
から噴射された水により洗浄しやすくする。第２の処理
部Ｂには例えば硫酸銅などの、銅メッキ用のメッキ液を
収容するメッキバス４２が配設されている。メッキバス
４２は二重構造になっており、内槽４２ａの外側に外槽
４２ｂが略同軸的に配設されている。メッキバス４２は
前述したドライバ６１の真下に配設されており、メッキ
液で内槽４２ａを満たしたときにメッキ液の液面がメッ
キ位置（Ｖ）で停止させたドライバ６１に保持されたウ
エハＷよりもメッキ液液面の方が高くなる高さに内槽４
２ａが固定されている。内槽４２ａの内部にはメッキ液
を底部側から上面に向けて噴出させる噴出管４３が内槽
４２ａの底部略中心から内槽４２ａの深さ方向略中間付
近まで伸びており、噴出管４３の周囲には電解メッキ処
理時にアノードとして機能する電極４４が配設されてい
る。噴出管４３の端部外周と内槽４２ａとの間にはメン
ブレンフィルタ４５が配設されており、電解メッキ時に
電極４４から混入する異物がメッキ液液面に浮上してメ
ッキの障害になるのを防止している。内槽４２ａ底部の
中心から偏心した位置にはメッキ液を循環させるための
循環配管４６，４７が配設されており、図示しないポン
プによりメッキ液を循環させ、循環配管４７で吸い込ん
だメッキ液を循環配管４６から供給するようになってい
る。外槽４２ｂは内槽４２ａの外壁面との間にメッキ液
の流れる流路４２ｃを形成している。更に外槽４２ｂの
底部には流路４２ｃに流れ込んだメッキ液を内槽４２ａ
内に戻すための配管４８が接続されている。この配管４
８は前記噴出管４３とポンプ４９を介して繋がってお
り、このポンプ４９を作動させることにより内槽４２ａ
から溢れ出して流路４２ｃ、配管４８に流れ込んだメッ
キ液を再び内槽４２ａ内に戻すと共にウエハＷ下面側の
被処理面に向けて噴出できるようになっている。次に本
実施形態に係るアノードについて説明する。図６は本実
施形態に係るアノード４４の平面図であり、図７は同ア
ノード４４の４分の１を垂直面で切り取った残りの部分
の斜視図である。本実施形態に係るアノード４４は、図
６及び図７に示したように３個のアノード部材４４ａ〜
４４ｃに分割されている。これらのアノード部材４４ａ
〜４４ｃは同心円状の３個のリング状部材であり共に金
属、例えば銅から形成されている。これらのアノード部
材４４ａ〜４４ｃは互いに電気的に独立しており、隙間
を埋める例えば三本の絶縁体からなる支柱４５により同
心円状に固定されている。これらのアノード部材４４ａ
〜４４ｃには電圧を印加するための配線がそれぞれ独立
に接続されており、例えばそれぞれ異なる電圧を印加す
ることもできるようになっている。次に本実施形態に係
るメッキ処理システム全体の処理プロセスについて説明
する。図８はメッキ処理システム全体のフローを示すフ
ローチャートである。図８に示すように、電源を投入し
てこのメッキ処理システムを立ち上げ、載置台２１上に
未処理のウエハＷが１ロット、例えば２５枚収容された
キャリアカセットＣを図示しない搬送用ロボットを使っ
て載置すると、サブアーム２２は未処理ウエハＷがセッ
トされたことを認識してキャリアカセットＣの前まで移
動し、ウエハ保持部２２ａをキャリアカセットＣ内に差
し込んで中に収容されている未処理のウエハＷを取り出
し、このウエハＷをプロセスステーション内にある中継
載置台３６上に一旦載置する。なお、載置台２１の近傍
にアライメント調整装置（図示省略）を配設し、このア
ライメント調整装置でウエハＷの向き（アライメント）
を調整してからサブアーム２２や中継載置台３６上にウ
エハＷが搬送されるようにしてもよい。中継載置台３６
上に未処理ウエハＷが載置されると、メインアーム３５
がウエハＷの載置を認識して作動を開始し、中継載置台
３６のところまでアクセスして未処理ウエハＷを受け取
る。未処理ウエハＷを受け取ったメインアーム３５は今
度は処理空間Ｓの下段側に配設されたメッキ処理ユニッ
ト、例えばメッキ処理ユニットＭ１にアクセスしてこの
メッキ処理ユニットＭ１内へ未処理のウエハＷを搬入す
る。以下、メッキ処理ユニットＭ１内での処理のフロー
については図１０に沿って説明する。図９はメッキ処理
ユニットＭ１内で行なわれるメッキ処理のフローを図示
したフローチャートである。中継載置台３６から未処理
のウエハＷを受け取ったメインアーム３５はメッキ処理
ユニットＭ１にアクセスする。即ち、メッキ処理ユニッ
トＭ１ではゲートバルブ７３が開かれ、未処理ウエハＷ
を保持したままメインアーム３５が第１の処理部Ａに進
入して前記搬送位置（Ｉ）で待機しているドライバ６１
のホルダ６２に未処理のウエハＷを引き渡す（ステップ
２（１））。未処理のウエハＷをドライバ６１のホルダ
６２にセットし終えたら、ゲートバルブ７３を閉じ、シ
リンダ６９を駆動してドライバ６１をメッキ位置（Ｖ）
まで下降させる（ステップ２（２））。この下降操作に
よりホルダ６２に保持されたウエハＷ下面側の被処理面
はメッキバス４２内のメッキ液液面と接触する。このと
き、空気の泡がウエハＷ表面に付着したままでメッキ処
理を行なうとウエハＷ表面に形成されるメッキ層が不均
一になるので、ウエハＷをメッキ液液面に接触させた状
態でドライバ６１のモータ６３を作動させてウエハＷを
略水平面内で回転させることによりウエハＷ表面の泡抜
きを行なう（ステップ２（３））。泡抜きを十分行なっ
たら同じ高さを維持しながらモータ６３の回転速度を下
げ、ウエハＷとメッキバス４２内のアノード４４との間
に電圧を印加してメッキを開始する（ステップ２
（４））。このときの状態を垂直断面図で示したのが図
１０である。図１０に示すように、本実施形態に係るア
ノード４４では、各アノード部材４４ａ，４４ｂ，４４
ｃについてそれぞれ異なる電圧を印加することができる
例えば、一番内側のアノード部材４４ａには一番高い電
圧を印加し、次いで真中のアノード部材４４ｂにはアノ
ード部材４４ａに印加した電圧より少し低い電圧を印加
し、更に一番外側のアノード部材４４ｃには一番低い電
圧を印加している。このようにウエハＷ下面側の被処理
面に形成されたシード層としての薄い銅層自身の電気抵
抗が元で起きる電圧降下により印加電圧が最も低くなる
ウエハＷの中心付近に対向するアノード部材４４ａでは
最も高い電圧を印加し、アノード部材４４ｂ，４４ｃと
ウエハＷの外周縁方向に近づくにつれて印加電圧を低く
することにより、ウエハＷ下面側での電圧降下を相殺す
る。その結果、ウエハＷ下面側の被処理面全体にわたっ
て均一な電流密度となり、厚さが均一なメッキ層がウエ
ハＷ下面側の被処理面全体にわたって形成される。所定
時間経過して十分な厚さのメッキ層がウエハＷ上に形成
されたら、電圧の印加を停止してメッキ層の形成を停止
し、バルブＶ１を開くと共に汲み出しポンプ５１を作動
させてメッキ液をタンク５０内に戻し、メッキバス４２
内の液面を下降させ（ステップ２（５））、ホルダ６２
を上昇させてウエハＷをスピンドライ位置（ＩＶ）まで
移動させる。この状態でモータ６３を作動させてウエハ
Ｗを水平面内で回転させ、スピンドライを実行する（ス
テップ２（６））。スピンドライによりメッキ液がウエ
ハＷから大方取り除かれたら、ドライバ６１を前記した
洗浄位置（ＩＩ）まで上昇させる（ステップ２
（７））。次に、この状態でモータ６３を駆動してウエ
ハＷを回転させながらノズル７０，６２から純水をウエ
ハＷ下面に向けて噴出してウエハＷ下面を洗浄する（ス
テップ２（８））。ウエハＷ下面の洗浄が終了したら、
ドライバ６１の高さはそのまま保ち、図示しない昇降機
構によりドライバ６１内のウエハＷだけを僅かに上昇さ
せてノズル７０，７０から噴出する純水がちょうどウエ
ハＷ下面と保持部との接点であり、電気的に接続するカ
ソードコンタクト６４に当たる高さまで上昇させる。こ
の状態でノズル７０，７０から純水を噴出させて前記カ
ソードコンタクト表面を洗浄する（ステップ２
（９））。カソードコンタクト６４の洗浄が完了したら
再びウエハＷがこのカソードコンタクト６４と当接する
高さまで下降させ（ステップ２（１０））、モータ６３
を作動させてスピンドライを行なって水分を取り除く
（ステップ２（１１））。スピンドライが完了したら、
ドライバ６１を搬送位置（Ｉ）まで上昇させ（ステップ
２（１２））、この位置で維持しながらゲートバルブ７
３を開いてメインアーム３５を進入させ、メッキ処理ユ
ニットＭ１での処理が完了したウエハＷを搬出する（ス
テップ２（１３））。メッキ処理ユニットＭ１でのメッ
キ処理工程が完了したら、後続の処理を行なう処理ユニ
ットへウエハＷを搬送する。例えば前記メッキ処理ユニ
ットＭ１とは組成の異なるメッキ液を用いる他のメッキ
処理ユニットＭ２〜Ｍ４で更に別のメッキ処理を行なう
場合には当該メッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４内へ搬入し
て前記と同様にして追加の後続のメッキ処理を行なう。
メッキ処理ユニットＭ１から後続の他の処理ユニット、
例えばメッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４や、第２の処理装
置としての洗浄処理ユニット等へ搬送する間に、必要に
応じてウエハＷをメインアーム３５で保持したまま上下
反転させる。例えばメッキ処理ユニットＭ１でウエハＷ
の下面側にメッキ層を形成した後、洗浄処理ユニットで
メッキ層を形成した面を上側にして洗浄する場合等であ
る。このようにウエハＷの搬送時にメインアーム３５上
でウエハＷを上下反転できるので、処理の工程に無駄が
なく、速やかにウエハＷの搬送と上下反転とを同時に行
なうことができる。一連のメッキ処理工程が完了した
ら、最後のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４内へメインア
ーム３５がアクセスしてメッキ処理の完了したウエハＷ
を取り出す。しかる後にメインアーム３５はウエハＷを
保持したままその保持部３５ａを処理空間Ｓの上部へ移
動させ、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４の上段側に配設
されている洗浄処理ユニット１７０内に搬入する。この
とき、処理空間Ｓ内には図中上方から下方に向けてクリ
ーンエアが流下するダウンフローが形成されているの
で、下段側のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４の方から上
段側の洗浄処理ユニット１７０側へ空気が流れることは
ない。そのため、処理空間Ｓ内の洗浄処理ユニット１７
０近傍の雰囲気は常にメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４近
傍の雰囲気より清浄に保たれる。洗浄処理ユニット１７
０による洗浄処理が完了したら、後続の処理、例えば第
３の処理としてのアニーリング処理を行なう。このアニ
ーリング処理はいわゆる熱盤上にウエハＷを所定時間載
置することにより行う。アニーリングが完了したら、再
びメインアーム３５が処理後のウエハＷを受け取り、中
継載置部３６を経由して、或いは洗浄処理ユニット１７
０内を経由してメインアーム３５からサブアーム２２へ
引き渡される。サブアーム２２に引き渡された処理後の
ウエハＷは前記と逆の径路を通ってキャリアカセットＣ
内に収容され、一連の処理が完了する。以上説明したよ
うに、本実施形態に係るメッキ処理ユニットでは、アノ
ード４４が同心円状の３個の円環状アノード部材４４ａ
〜４４ｃに分割されており、それぞれ独立して印加電圧
が制御されているので、これらのアノード部材４４ａ〜
４４ｃに印加する電圧を適宜制御することによりウエハ
Ｗ下面の被処理面内の電圧降下を相殺することができ、
それによりウエハＷ下面とアノード４４との間の電流密
度が均一化される。その結果、ウエハＷ下面全体にわた
って均一な厚さのメッキ層を形成することが出来る。な
お、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば上記
実施形態ではアノード４４を分割する例として同心円状
の３個の円環状のアノード部材４４ａ〜４４ｃに分割し
たものを例にして説明したが、下記のようなアノード部
材に分割することも可能である。以下、アノード４４の
分割の仕方につき、その応用例を例示して説明する。 （応用例１）図１１は応用例１に係るアノード４４の斜
視図である。図１１に示したように、このアノード４４
では、径の異なる円環状の３個のアノード部材４４ａ〜
４４ｃを同心円状に配設し、更に各アノード部材４４ａ
〜４４ｃを半径方向に例えば９０度ずつ４分割し、分割
した切れ目が隣り合うアノード部材どうしで互い違いに
なるように配設してある。アノード４４は合計で１２個
のアノード部材４４ａ（１），４４ａ（２），４４ａ
（３），…４４ｃ（４）に分割されており、これら１２
個のアノード部材４４ａ（１）〜４４ｃ（４）は全て電
気的に独立している。各アノード部材４４ａ（１）〜４
４ｃ（４）にはそれぞれ配線が施されており、それぞれ
独立して印加電圧を制御できるようになっている。本応
用例では、ウエハＷに対応する面の半径方向と円周方向
との電圧分布を制御してウエハＷ面内の電流密度を均一
化する。更に半径方向で隣接するアノード部材を切れ目
が互い違いになるように配置したため、この切れ目部分
での電流分布が散乱する。そのため、ウエハＷ面内での
電流密度が均一化され、メッキ層の厚さがウエハＷ面内
で均一化される。 （応用例２）図１２は応用例２に係るアノード４４の斜
視図である。図１２に示したように、このアノード４４
では全体として円盤状のアノード４４を半径方向に例え
ば４５度の等頂角で８等分して同形の８個のアノード部
材４４ａ〜４４ｈに分割している。これら８個のアノー
ド部材４４ａ〜４４ｈは全て電気的に独立している。各
アノード部材４４ａ〜４４ｈにはそれぞれ配線が施され
ており、それぞれ独立して印加電圧を制御できるように
なっている。本応用例では、ウエハＷに対応する面の円
周方向の電圧分布を制御してウエハＷ面内の電流密度を
均一化する。そのため、ウエハＷ面内での電流密度が均
一化され、メッキ層の厚さがウエハＷ面内で均一化され
る。 （応用例３）図１３は応用例３に係るアノード４４の斜
視図である。図１３に示したように、このアノード４４
では全体として円盤状のアノード４４を半径方向に例え
ば４５度の等頂角で８等分し、更に円周方向で同心円状
に切断して合計１６個のアノード部材４４ａ〜４４ｐに
分割している。これら１６個のアノード部材４４ａ〜４
４ｐは全て電気的に独立している。各アノード部材４４
ａ〜４４ｐにはそれぞれ配線が施されており、それぞれ
独立して印加電圧を制御できるようになっている。本応
用例では、ウエハＷに対応する面の円周方向及び半径方
向の電圧分布を制御してウエハＷ面内の電流密度を均一
化する。そのため、ウエハＷ面内での電流密度が均一化
され、メッキ層の厚さがウエハＷ面内で均一化される。 （応用例４）図１４は応用例４に係るアノード４４の斜
視図である。図１４に示したように、このアノード４４
では全体として円盤状のアノード４４を、このアノード
４４が装着されるメッキ処理装置の特性に対応して、異
なる頂角の扇形のアノード部材に非対称に分割してい
る。例えばこの例４では半径方向に切断して合計１３個
のアノード部材４４ａ〜４４ｍに分割している。これら
１３個のアノード部材４４ａ〜４４ｍは全て電気的に独
立している。各アノード部材４４ａ〜４４ｍにはそれぞ
れ配線が施されており、それぞれ独立して印加電圧を制
御できるようになっている。本応用例では、対象となる
メッキ処理装置の特性に対応して、ウエハＷに対応する
面の円周方向の電圧分布を非対称なアノード部材４４ａ
〜４４ｍに分割し、メッキ処理装置の特性に対応して面
内の電圧降下を打ち消すように制御してウエハＷ面内の
電流密度を均一化する。そのため、ウエハＷ面内での電
流密度が均一化され、メッキ層の厚さがウエハＷ面内で
均一化される。 （第２の実施の形態）以下本発明の第２の実施形態につ
いて説明する。なお、以下の実施形態のうち、先行する
実施形態と内容が重複するものについては説明を省略す
ることがある。本実施形態に係るアノードは、ウエハＷ
の中心に対向する中央部がウエハＷに近接する一方、ウ
エハＷの外周縁部に近づくほどウエハＷから離れるよう
な傾斜を備えた、いわゆる中高に形成されている。図１
５は本実施形態に係るアノード４４を垂直な平面で中心
から二つに切断した垂直断面を斜視図として表わした図
である。図１５に示したように、本実施形態に係るアノ
ード４４は、略円錐形の形状を備えている。そのため、
メッキ処理ユニットのメッキ液槽４２の底部に取り付け
ると、ウエハＷ表面からの距離はウエハＷ外周縁部で大
きく、ウエハＷの中心付近で小さくなる。この距離が変
化する傾斜は、ウエハＷの外周縁部で高く、中心付近で
低くなるというウエハＷ下面側の被処理面に印加される
電圧の高低とちょうど反対の傾向を示している。そのた
め、ウエハＷ下面側の被処理面で起きるカソード電圧の
電圧降下と、アノード４４表面とウエハＷの被処理面と
の遠近による電圧上昇の傾斜とが相殺する。その結果ア
ノード４４からウエハＷ下面側の被処理面に向う電流密
度が被処理面内で均一化し、被処理面全体にわたって均
一な厚さのメッキ層が形成される。 （応用例５）図１６は応用例５に係るメッキ処理ユニッ
トの垂直断面図である。図１６に示したように、応用例
５では前記略円錐型のアノード４４をメッキ液槽４２の
底部に配置している。また、略円錐型アノード４４の採
用に伴い、隔膜４５もアノード４４の表面に平行になる
ように中高の略円錐形を描くように配設した。このよう
にアノード電極４４を略円錐型にすることに加え、隔膜
４５の取り付け状態も隔膜４５が略円錐形になるように
配設したため、アノード４４からウエハＷ下面側の被処
理面に向う電流密度が被処理面内で均一化し、被処理面
全体にわたって均一な厚さのメッキ層が形成される。 （応用例６）図１７は応用例６に係るアノード４４を垂
直平面で二等分したものの斜視図である。図１７に示す
ように、応用例６に係るアノード４４では、全体として
略円錐形のアノード４４を同心円状の径の異なる３個の
アノード部材４４ａ〜４４ｃに分割しており、これらの
アノード部材４４ａ〜４４ｃはそれぞれ独立して印加電
圧が制御されている。応用例６に係るアノード４４で
は、円錐形にしたことによるアノード電圧の上昇効果
と、半径方向に３個のアノード部材４４ａ〜４４ｃに分
割したことによる電圧制御との相乗効果により、アノー
ド４４からウエハＷ下面側の被処理面に向う電流密度が
被処理面内で均一化し、被処理面全体にわたって均一な
厚さのメッキ層が形成される。 （応用例７）図１８は応用例７に係るアノード４４の斜
視図である。図１８に示したように、応用例７に係るア
ノード４４は、一本の導体線例えば太めの銅線を螺旋状
に捲き回し、底部の半径が広く、上部にいくにつれて半
径が小さくなる、円錐斜面を描くように捲き回したもの
から形成されている。この応用例７に係るアノード４４
では、略円錐の斜面を描く形に捲き回したことによる電
圧上昇の効果と、アノード４４を捲き回した銅線で形成
したことによるメッキ液の流動性維持の効果とが相俟っ
て、アノード４４からウエハＷ下面側の被処理面に向う
電流密度が被処理面内で均一化し、被処理面全体にわた
って均一な厚さのメッキ層が形成される。 （応用例８）図１９は応用例８に係るアノード４４の斜
視図である。図１９に示したように、応用例８に係るア
ノード４４では、図１８に示したように、一本の導体線
例えば太めの銅線を螺旋状に捲き回し、底部の半径が広
く、上部にいくにつれて半径が小さくなる、円錐斜面を
描くように捲き回したものを３分割し、中心付近のアノ
ード部材４４ａ、このアノード部材４４ａの外側に向っ
て巻き回された中間のアノード部材４４ｂ、及びこのア
ノード部材４４ｂの更に外側向かって巻きまわされた最
外側のアノード部材４４ｃから形成されている。これら
３個のアノード部材４４ａ〜４４ｃはそれぞれ独立に電
源と接続されており、それぞれ別個に印加電圧を制御で
きるようになっている。この応用例８に係るアノード４
４では、略円錐の斜面を描く形に捲き回したことによる
電圧上昇の効果と、アノード４４を捲き回した銅線で形
成したことによるメッキ液の流動性維持の効果と、半径
方向にわたって３個のアノード部材４４ａ〜４４ｃに分
割した効果とが相俟って、アノード４４からウエハＷ下
面側の被処理面に向う電流密度が被処理面内で均一化
し、被処理面全体にわたって均一な厚さのメッキ層が形
成される。 （応用例９）図２０は応用例９に係るアノード４４の斜
視図である。図２０に示したように応用例９に係るアノ
ードでは、例えば銅線などの導体線を略円柱形状に捲き
回した複数個のコイルスプリング状アノード部材４４
ａ，４４ｂ，…を用意し、これらのアノード部材４４
ａ，４４ｂ，…をその上端部が略円錐形を描くように固
定したものから構成されている。各アノード部材４４
ａ，４４ｂ，…はそれぞれ電気的に独立しており、各ア
ノード部材４４ａ，４４ｂ，…にはそれぞれ電源が接続
され、それぞれ独立に印加電圧を制御できるようになっ
ている。応用例９に係るアノード４４では、略円錐の斜
面を描くように小コイルスプリング状のアノード部材４
４ａ，４４ｂ，…を配置したことによる電圧上昇の効果
と、各アノード部材４４，４４ｂ，…を捲き回した銅線
で形成したことによるメッキ液の流動性維持の効果と、
複数の小コイルスプリング状のアノード部材４４ａ，４
４ｂ，…をそれぞれ独立して印加電圧を制御可能にした
効果とが相俟って、アノード４４からウエハＷ下面側の
被処理面に向う電流密度が被処理面内で均一化し、被処
理面全体にわたって均一な厚さのメッキ層が形成され
る。 （応用例１０）図２１は応用例１０に係るアノード４４
の垂直断面図である。図２１に示したように、応用例１
０に係るアノード４４では、銅線などの導体線を略円柱
形状に捲き回した複数個のコイルスプリング状アノード
部材４４ａ，４４ｂ，…を、それらの上端部が略円錐形
を描くように固定し、更に一つ一つのアノード部材４４
ａ，４４ｂ，…について隔膜４５で上部を覆ったものか
ら構成されている。各アノード部材４４ａ，４４ｂ，…
はそれぞれ電気的に独立しており、各アノード部材４４
ａ，４４ｂ，…にはそれぞれ電源が接続され、それぞれ
独立に印加電圧を制御できるようになっている。応用例
１０に係るアノード４４では、略円錐の斜面を描くよう
に小コイルスプリング状のアノード部材４４ａ，４４
ｂ，…を配置したことによる電圧上昇の効果と、各アノ
ード部材４４，４４ｂ，…を捲き回した銅線で形成した
ことによるメッキ液の流動性維持の効果と、複数の小コ
イルスプリング状のアノード部材４４ａ，４４ｂ，…を
それぞれ独立して印加電圧を制御可能にした効果に加
え、一つ一つのアノード部材４４ａ，４４ｂ，…をそれ
ぞれ隔膜で覆ったことによる、電流分布を均一化する効
果とが相俟って、アノード４４からウエハＷ下面側の被
処理面に向う電流密度が被処理面内で均一化し、被処理
面全体にわたって均一な厚さのメッキ層が形成される。 （応用例１１）図２２は応用例１１に係るアノード４４
を垂直平面で二等分したものの斜視図である。図２２に
示すように、応用例１１に係るアノード４４では、直径
の異なる５枚の円板状アノード部材４４ａ〜４４ｅを一
定間隔を空けて上から下へ直径の小さいものから大きい
ものへ同軸的に配設したものから構成されている。各ア
ノード部材４４ａ〜４４ｅは電気的に独立しており、各
アノード部材４４ａ〜４４ｅはそれぞれ別々に電源が接
続され、それぞれ独立して印加電圧を制御できるように
なっている。応用例１１に係るアノード４４では、５枚
のアノード部材４４ａ〜４４ｅの外周縁が略円錐をなす
ように配設したこと、各アノード部材４４ａ〜４４ｅの
間に隙間を設けたことによるメッキ液の流動性を確保し
たこと、及び各アノード部材４４ａ〜４４ｅの印加電圧
を独立制御可能にしたことによるアノード電圧の自由度
を確保したことによる効果とが相俟って、アノード４４
からウエハＷ下面側の被処理面に向う電流密度が被処理
面内で均一化し、被処理面全体にわたって均一な厚さの
メッキ層が形成される。 （第３の実施の形態）図２３は第３の実施形態に係るメ
ッキ処理ユニットのアノード４４周辺部分を垂直平面で
切断したものを斜視図状に表わした図であり、図２４は
同アノード４４の周辺部分の垂直断面図である。図２３
及び図２４に示したように、本実施形態に係るメッキ処
理ユニットでは、アノードとして前記第１の実施形態、
図６、及び図７で示したような直径の異なる４個の円環
状のアノード部材４４ａ〜４４ｄに分割されたものを同
心円状に配設したアノード４４を採用し、このアノード
４４からメッキ液槽４２上部にわたる空間に円錐状の案
内板５３を複数重ねてメッキ液の流路を複数設けてい
る。アノード４４の上側に配設された案内板５３は円錐
側面を形成するように配設されており、例えば４個の円
錐を重ねたような形状をなしている。各円錐は案内板５
３ａ〜５３ｄにより構成されており、メッキ液槽４２底
部から上方に突き出したメッキ液供給管４３の回りに同
心円状に配設されている。各案内板５３ａ〜５３ｄが形
成する円錐の頂角は互いに異なっており、案内板５３ａ
から案内板５３ｄにかけて次第に頂角は大きくなり、拡
開された形状を構成している。従って、図２４に示した
ように隣接する案内板５３ａと５３ｂ、案内板５３ｂと
５３ｃ、案内板５３ｃと５３ｄとはいずれも平行ではな
く、拡開された形状の流路５４Ａ〜５４Ｄをそれぞれ形
成している。分割されたアノード部材４４ａ〜４４ｄは
拡開された形状の流路５４Ａ〜５４Ｄの最下部にそれぞ
れ一つずつ配設されており、各流路５４Ａ〜５４Ｄには
独立の流量制御手段、例えばポンプや流量調節バルブ
（図示省略）を配設していてもよい。また、隔膜４５は
各流路毎に別個に配設してもよく、案内板５３の上から
全体を覆うように配設されていても良い。本実施形態に
係るメッキ処理ユニットでは、メッキ液槽４２底部のア
ノード４４の上に案内板５３による複数の流路５４Ａ〜
５４Ｄが形成されているので、メッキ液の流量を独立し
て制御することが出来る。特に、拡開された断面形状の
各流路５４Ａ〜５４Ｄをメッキ液が流下する際の減圧作
用によりメッキ液の流束の先端側は平面に近い形状に近
づきながら流下するので、ウエハＷ下面の被処理面に当
たるメッキ液の流束は平面状に当接する。その結果、電
圧印加したときの電流分布が均一化されやすくなる。更
に、円環状のアノード部材４４ａ〜４４ｄに分割された
アノード４４の採用、流路５４Ａ〜５４Ｄ毎のメッキ液
の流量制御との相乗効果により、アノード４４からウエ
ハＷ下面側の被処理面に向う電流密度が被処理面内で均
一化し、被処理面全体にわたって均一な厚さのメッキ層
が形成される。 （応用例１２）図２５は応用例１２に係るメッキ処理ユ
ニットのアノード４４周辺部分の垂直断面図である。図
２５に示したように、応用例１２に係るメッキ処理ユニ
ットでは、前記第３の実施の形態，図２３，及び図２４
に示したメッキ処理ユニットにおいて、アノード部材４
４ａ〜４４ｄが円錐形になるように、外周縁のアノード
部材４４ｄから中心部のアノード部材４４ａにかけて徐
々にウエハＷとの距離が短くなる中高形状に配置した。
また、隔膜４５は各流路５４Ａ〜５４Ｄの途中にそれぞ
れ配設し、隔膜の面がメッキ液の流動方向に垂直になる
ように配設した。図２５のようにアノード部材４４ａ〜
４４ｄを配設することにより、ウエハＷの被処理面に生
じるカソード電圧の電圧降下を相殺しやすくなる。この
効果と円環状のアノード部材４４ａ〜４４ｄに分割され
たアノード４４の採用、流路５４Ａ〜５４Ｄ毎のメッキ
液の流量制御との相乗効果により、アノード４４からウ
エハＷ下面側の被処理面に向う電流密度が被処理面内で
均一化し、被処理面全体にわたって均一な厚さのメッキ
層が形成される。 （第４の実施の形態）図２６は本発明の第４の実施形態
に係るメッキ処理ユニットの垂直断面を部分的に拡大し
た図であり、図２７は同メッキ処理ユニットのメッキ液
槽４２ｂの平面図である。図２６に示したように、第４
の実施形態に係るメッキ処理ユニットでは、メッキ液槽
４２の内槽４２ａの内壁面の上部付近に、第２のカソー
ドとしての電極９０が配設されている。この電極９０は
図２７に示したように、メッキ液槽４２の内槽４２ａの
内壁に等間隔に複数個、例えば１６個配設されており、
これら１６個の全てに電圧が印加されるようになってい
る。図２６に示したように、この電極９０にはウエハＷ
の下面側外周縁部で接触して電圧を印加するためのカソ
ードコンタクト６４と同電位の電圧が印加される。この
ようにカソードコンタクト６４と同電位の電圧を電極９
０に対して適当なタイミングで印加すると、アノード４
４とウエハＷ下面側特にカソードコンタクト６４に対応
するウエハＷ外周縁部との間で形成される電気力線は一
時的に電極９０の方向を向き、電気力線の方向が散乱す
る。この効果によりウエハＷ下面側の被処理面付近での
電流分布が被処理面内で均一化される。その結果、アノ
ード４４からウエハＷ下面側の被処理面に向う電流密度
が被処理面内で均一化し、被処理面全体にわたって均一
な厚さのメッキ層が形成される。なお、電極９０への電
圧を印加するタイミングはカソードコンタクト６４と交
互でもよく、また同時でも良い。 （応用例１３）図２８は第４の実施の形態の応用例（応
用例１３）に係るメッキ処理ユニットの垂直断面を部分
的に拡大した図である。図２８に示したように、この応
用例１３に係るメッキ処理ユニットでは、メッキ液槽４
２の内槽４２ａのアノード４４の上部にメッキ液の流動
方向を散乱させる整流板９１が配設されている。この整
流板９１は樹脂のような絶縁体製の幅が狭く厚さの薄い
穴あき円板から構成されており、図２８の例では直径の
異なる３枚の整流板９１ａ〜９１ｃがウエハＷと同軸
的、かつ、真中の整流板９１ａが一番ウエハＷに近い位
置に配設され、順次９１ｂ，９１ｃと直径が大きくなる
につれてウエハＷから離れた位置に傾斜して配設されて
いる。これら３枚の整流板９１ａ〜９１ｃは何れも下面
側の外周縁側に薄い金属板９２が貼り付けられている。
この金属板９２は第２のカソードとして機能するもので
あり、図２８に示したように、この金属板９２には電源
からカソードコンタクト６４と同電位の電圧が印加され
るようになっている。上記第４の実施の形態と同様に、
カソードコンタクト６４と同電位の電圧を金属板９２に
対して適当なタイミングで印加すると、アノード４４と
ウエハＷ下面側特にカソードコンタクト６４に対応する
ウエハＷ外周縁部との間で形成される電気力線は一時的
に金属板９２の方向を向き、電気力線の方向が散乱す
る。この効果によりウエハＷ下面側の被処理面付近での
電流分布が被処理面内で均一化される。その結果、アノ
ード４４からウエハＷ下面側の被処理面に向う電流密度
が被処理面内で均一化し、被処理面全体にわたって均一
な厚さのメッキ層が形成される。なお、金属板９２への
電圧を印加するタイミングはカソードコンタクト６４と
交互でもよく、また同時でも良い。更に上記実施形態で
はウエハＷを例にして説明したが、本発明はＬＣＤ用ガ
ラス基板用のメッキ処理システムとしても適用できる。
また、上記実施形態ではメッキ処理ユニットを下段側に
配設した構造としたが、液相での処理を施す処理ユニッ
トであれば、メッキ処理ユニット以外の処理ユニットも
使用できることはいうまでもない。
明の第一の実施の形態に係る銅メッキ用のメッキ処理シ
ステムについて説明する。図１は本実施形態に係るメッ
キ処理システムの斜視図であり、図２は同メッキ処理シ
ステムの平面図であり、図３は同メッキ処理システムの
正面図であり、図４は同メッキ処理システムの側面図で
ある。図１〜図４に示したように、このメッキ処理シス
テム１はウエハＷを出し入れしたり運搬するキャリアス
テーション２とウエハＷに実際に処理を施すプロセスス
テーション３とから構成されている。キャリアステーシ
ョン２はウエハＷを収容する載置台２１と載置台２１上
に載置されたキャリアカセットＣにアクセスしてその中
に収容されたウエハＷを取り出したり、処理が完了した
ウエハＷを収容したりする第２の搬送手段としてのサブ
アーム２２とから構成されている。キャリアカセットＣ
内には複数枚、例えば２５枚のウエハＷを等間隔毎に水
平に保った状態で垂直方向に収容されるようになってい
る。載置台２１上には図中Ｘ方向に例えば４個のキャリ
アカセットＣが配設されている。サブアーム２２は図中
Ｘ方向に配設されたレール上を移動するとともに鉛直方
向（Ｚ方向）即ち図中紙面に垂直な方向に昇降可能かつ
水平面内で回転可能な構造を備えており、載置台２１上
に載置されたキャリアカセットＣ内にアクセスして未処
理のウエハＷをキャリアカセットＣから取り出したり、
処理が完了したウエハＷをキャリアカセットＣ内に収納
するようになっている。またこのサブアーム２２は後述
するプロセスステーション３との間でも、処理前後のウ
エハＷを受け渡しするようになっている。プロセスステ
ーション３は図１〜図４に示すように直方体又は立方体
の箱型の外観を備えており、その周囲全体は耐腐食性の
材料、例えば樹脂や表面を樹脂でコーティングした金属
板などでできたハウジング３１で覆われている。プロセ
スステーション３の内部は図１及び図４に示すように略
立方形或いは直方形の箱型の構成となっており、内部に
は処理空間Ｓが形成されている。処理空間Ｓは図１及び
図４に示したように直方体型の処理室であり、処理空間
Ｓの底部には底板３３が取り付けられている。処理空間
Ｓには、複数の処理ユニット、例えば４基のメッキ処理
ユニットＭ１〜Ｍ４が例えば処理空間室Ｓ内の、次に説
明するメインアーム３５の周囲にそれぞれ配設されてい
る。図１及び図２に示すように底板３３のほぼ中央には
ウエハを搬送するための第１の搬送手段としてのメイン
アーム３５が配設されている。このメインアーム３５は
昇降可能かつ水平面内で回転可能になっており、更に略
水平面内で伸縮可能な上下二本のウエハ保持部材を備え
ており、これらのウエハ保持部材を伸縮させることによ
りメインアーム３５の周囲に配設された処理ユニットに
対して処理前後のウエハＷを出し入れできるようになっ
ている。またメインアーム３５は垂直方向に移動して上
側の処理ユニットへも出入りできるようになっており、
下段側の処理ユニットから上段側の処理ユニットへウエ
ハＷを運んだり、その逆に上側の処理ユニットから下段
側の処理ユニットへウエハＷを運ぶこともできるように
なっている。更にこのメインアーム３５は保持したウエ
ハＷを上下反転させる機能を備えており、一の処理ユニ
ットから他の処理ユニットへウエハＷを搬送する間にウ
エハＷを上下反転できる構造を備えている。なおこのウ
エハＷを反転できる機能はメインアーム３５に必須の機
能ではない。上段側には他の処理ユニット、例えば第２
の液処理装置としての洗浄処理ユニットＳＲＤが例えば
２基キャリアステーションに近い側、即ち前記メッキ処
理ユニットＭ１，Ｍ２の上側にそれぞれ配設されてい
る。このように複数の処理ユニットが上下方向に多段配
置されているので、液処理システムの面積効率を向上さ
せることが出来る。プロセスステーション３のハウジン
グ３１のうち、キャリアステーション２に対面する位置
に配設されたハウジング３１ａには、図３に示すように
３つの開閉可能な開口部Ｇ１〜Ｇ３が配設されている。
これらのうちＧ１は下段側に配設されたメッキ処理ユニ
ットＭ１とＭ２との間に配設された中継載置台３６の位
置に対応する開口部であり、キャリアカセットＣからサ
ブアーム２２が取り出した未処理のウエハＷをプロセス
ステーション３内に搬入する際に用いられる。搬入の際
には開口部Ｇ１が開かれ、未処理ウエハＷを保持したサ
ブアーム２２が処理空間Ｓ内にウエハ保持部材を伸ばし
てアクセスし、中継載置台３６上にウエハＷを置く。こ
の中継載置台３６にメインアーム３５がアクセスし、中
継載置台３６上に載置されたウエハＷを保持してメッキ
処理ユニットＭ１〜Ｍ４などの処理ユニット内まで運
ぶ。残りの開口部Ｇ２及びＧ３は処理空間Ｓのキャリア
ステーション２に近い側に配設されたＳＲＤに対応する
位置に配設されており、これらの開口部Ｇ２、Ｇ３を介
してサブアームが処理空間Ｓ内にアクセスし、上段側に
配設されたＳＲＤに直接アクセスして処理が完了したウ
エハＷを受け取ることができるようになっている。その
ためＳＲＤで洗浄されたウエハＷが汚れたメインアーム
に触れて汚染されることが防止される。また、処理空間
Ｓ内には図４中上から下向きのエアフローが形成されて
おり、システム外から供給された清浄なエアが処理空間
Ｓの上部から供給され、洗浄処理ユニット、メッキ処理
ユニットＭ１〜Ｍ４に向けて流下し、処理空間Ｓの底部
から排気されてシステム外に排出されるようになってい
る。このように処理空間Ｓ内を上から下に清浄な空気を
流すことにより、下段側のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ
４から上段側の洗浄装置の方には空気が流れないように
なっている。そのため、常に洗浄処理ユニット側は清浄
な雰囲気に保たれている。更に、メッキ処理ユニットＭ
１〜Ｍ４や洗浄処理ユニット等の各処理ユニット内はシ
ステムの処理空間Ｓよりも陰圧に維持されており、空気
の流れは処理空間Ｓ側から各処理ユニット内に向って流
れ、各処理ユニットからシステム外に排気される。その
ため、処理ユニット側から処理空間Ｓ側に汚れが拡散す
るのが防止される。図５はメッキ処理ユニットＭ１の垂
直断面図である。図５に示すように、このメッキ処理ユ
ニットＭ１では、ユニット全体が密閉構造のハウジング
４１で覆われている。このハウジング４１も樹脂等の耐
腐食性の材料で構成されている。ハウジング４１の内側
は概ね上下二段に分かれた構造になっており、排気路を
内蔵したセパレータ７２により、セパレータ７２の上側
に位置する第１の処理部Ａと、セパレータ７２の下側に
位置する第２の処理部Ｂとに仕切り分けられている。そ
のため、第２の処理部Ｂ側から上側の第１の処理部Ａ側
に汚れが拡散するのが防止される。セパレータ７２の中
央には貫通孔７４が設けられており、この貫通孔７４を
介して後述するドライバ６１に保持されたウエハＷが第
１の処理部Ａと第２の処理部Ｂとの間を行き来できるよ
うになっている。処理部Ａと処理部Ｂとの境界にあたる
部分のハウジングには開口部とこの開口部を開閉するゲ
ートバルブ７３が設けられている。このゲートバルブ７
３を閉じるとメッキ処理ユニットＭ１内はその外側の処
理空間Ｓとは隔絶された空間となるので、メッキ処理ユ
ニットＭ１から外側の処理空間Ｓ内への汚れの拡散が防
止される。またメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４はそれぞ
れ別個独立に運転することができ、処理システムに対し
てそれぞれが着脱可能に構成されている。そのため、一
つのメッキ処理ユニットについての保守管理時など運転
できない場合には、他のメッキ処理ユニットを代替使用
することができ、保守管理が容易に行なえる。第１の処
理部ＡにはウエハＷを略水平に保持して回転させる基板
保持機構としてのドライバ６１が配設されている。この
ドライバ６１はウエハＷを保持するホルダ６２と、この
ホルダ６２ごとウエハＷを略水平面内で回転させるモー
タ６３とから構成されており、モータ６３の外套容器に
はドライバ６１を支持する支持梁６７が取りつけられて
いる。支持梁６７の端はハウジング４１の内壁に対して
ガイドレール６８を介して昇降可能に取り付けられてい
る。支持梁６７は更にシリンダ６９を介してハウジング
４１に取りつけられており、このシリンダ６９を駆動す
ることによりドライバ６１の位置を上下できるようにな
っている。具体的には図５に示したように、ドライバ６
１の位置はウエハＷを搬出入するための搬送位置（Ｉ）
と、ウエハＷ下面側の被処理面を洗浄する洗浄位置（Ｉ
Ｉ）後述するスピンドライを行なうためのスピンドライ
位置（ＩＶ）、及びウエハＷをメッキ液に浸漬した状態
でメッキを行なうメッキ位置（Ｖ）の主に４つの異なる
高さの間で上下動させる。ドライバ６１の内部にはウエ
ハＷだけを昇降させる昇降機構（図示省略）が配設され
ており、この昇降機構を作動させることにより、ドライ
バ６１の高さを変えずにウエハＷの高さだけをドライバ
６１内部で変えることができる。この昇降機構はウエハ
Ｗ下面外周縁部で接触して電圧を印加するカソードコン
タクト６４とウエハＷとを接離させるときに作動させる
ものであり、例えばカソードコンタクト６４を洗浄する
際にウエハＷを上昇させて接点表面を露出させ、ノズル
から噴射された水により洗浄しやすくする。第２の処理
部Ｂには例えば硫酸銅などの、銅メッキ用のメッキ液を
収容するメッキバス４２が配設されている。メッキバス
４２は二重構造になっており、内槽４２ａの外側に外槽
４２ｂが略同軸的に配設されている。メッキバス４２は
前述したドライバ６１の真下に配設されており、メッキ
液で内槽４２ａを満たしたときにメッキ液の液面がメッ
キ位置（Ｖ）で停止させたドライバ６１に保持されたウ
エハＷよりもメッキ液液面の方が高くなる高さに内槽４
２ａが固定されている。内槽４２ａの内部にはメッキ液
を底部側から上面に向けて噴出させる噴出管４３が内槽
４２ａの底部略中心から内槽４２ａの深さ方向略中間付
近まで伸びており、噴出管４３の周囲には電解メッキ処
理時にアノードとして機能する電極４４が配設されてい
る。噴出管４３の端部外周と内槽４２ａとの間にはメン
ブレンフィルタ４５が配設されており、電解メッキ時に
電極４４から混入する異物がメッキ液液面に浮上してメ
ッキの障害になるのを防止している。内槽４２ａ底部の
中心から偏心した位置にはメッキ液を循環させるための
循環配管４６，４７が配設されており、図示しないポン
プによりメッキ液を循環させ、循環配管４７で吸い込ん
だメッキ液を循環配管４６から供給するようになってい
る。外槽４２ｂは内槽４２ａの外壁面との間にメッキ液
の流れる流路４２ｃを形成している。更に外槽４２ｂの
底部には流路４２ｃに流れ込んだメッキ液を内槽４２ａ
内に戻すための配管４８が接続されている。この配管４
８は前記噴出管４３とポンプ４９を介して繋がってお
り、このポンプ４９を作動させることにより内槽４２ａ
から溢れ出して流路４２ｃ、配管４８に流れ込んだメッ
キ液を再び内槽４２ａ内に戻すと共にウエハＷ下面側の
被処理面に向けて噴出できるようになっている。次に本
実施形態に係るアノードについて説明する。図６は本実
施形態に係るアノード４４の平面図であり、図７は同ア
ノード４４の４分の１を垂直面で切り取った残りの部分
の斜視図である。本実施形態に係るアノード４４は、図
６及び図７に示したように３個のアノード部材４４ａ〜
４４ｃに分割されている。これらのアノード部材４４ａ
〜４４ｃは同心円状の３個のリング状部材であり共に金
属、例えば銅から形成されている。これらのアノード部
材４４ａ〜４４ｃは互いに電気的に独立しており、隙間
を埋める例えば三本の絶縁体からなる支柱４５により同
心円状に固定されている。これらのアノード部材４４ａ
〜４４ｃには電圧を印加するための配線がそれぞれ独立
に接続されており、例えばそれぞれ異なる電圧を印加す
ることもできるようになっている。次に本実施形態に係
るメッキ処理システム全体の処理プロセスについて説明
する。図８はメッキ処理システム全体のフローを示すフ
ローチャートである。図８に示すように、電源を投入し
てこのメッキ処理システムを立ち上げ、載置台２１上に
未処理のウエハＷが１ロット、例えば２５枚収容された
キャリアカセットＣを図示しない搬送用ロボットを使っ
て載置すると、サブアーム２２は未処理ウエハＷがセッ
トされたことを認識してキャリアカセットＣの前まで移
動し、ウエハ保持部２２ａをキャリアカセットＣ内に差
し込んで中に収容されている未処理のウエハＷを取り出
し、このウエハＷをプロセスステーション内にある中継
載置台３６上に一旦載置する。なお、載置台２１の近傍
にアライメント調整装置（図示省略）を配設し、このア
ライメント調整装置でウエハＷの向き（アライメント）
を調整してからサブアーム２２や中継載置台３６上にウ
エハＷが搬送されるようにしてもよい。中継載置台３６
上に未処理ウエハＷが載置されると、メインアーム３５
がウエハＷの載置を認識して作動を開始し、中継載置台
３６のところまでアクセスして未処理ウエハＷを受け取
る。未処理ウエハＷを受け取ったメインアーム３５は今
度は処理空間Ｓの下段側に配設されたメッキ処理ユニッ
ト、例えばメッキ処理ユニットＭ１にアクセスしてこの
メッキ処理ユニットＭ１内へ未処理のウエハＷを搬入す
る。以下、メッキ処理ユニットＭ１内での処理のフロー
については図１０に沿って説明する。図９はメッキ処理
ユニットＭ１内で行なわれるメッキ処理のフローを図示
したフローチャートである。中継載置台３６から未処理
のウエハＷを受け取ったメインアーム３５はメッキ処理
ユニットＭ１にアクセスする。即ち、メッキ処理ユニッ
トＭ１ではゲートバルブ７３が開かれ、未処理ウエハＷ
を保持したままメインアーム３５が第１の処理部Ａに進
入して前記搬送位置（Ｉ）で待機しているドライバ６１
のホルダ６２に未処理のウエハＷを引き渡す（ステップ
２（１））。未処理のウエハＷをドライバ６１のホルダ
６２にセットし終えたら、ゲートバルブ７３を閉じ、シ
リンダ６９を駆動してドライバ６１をメッキ位置（Ｖ）
まで下降させる（ステップ２（２））。この下降操作に
よりホルダ６２に保持されたウエハＷ下面側の被処理面
はメッキバス４２内のメッキ液液面と接触する。このと
き、空気の泡がウエハＷ表面に付着したままでメッキ処
理を行なうとウエハＷ表面に形成されるメッキ層が不均
一になるので、ウエハＷをメッキ液液面に接触させた状
態でドライバ６１のモータ６３を作動させてウエハＷを
略水平面内で回転させることによりウエハＷ表面の泡抜
きを行なう（ステップ２（３））。泡抜きを十分行なっ
たら同じ高さを維持しながらモータ６３の回転速度を下
げ、ウエハＷとメッキバス４２内のアノード４４との間
に電圧を印加してメッキを開始する（ステップ２
（４））。このときの状態を垂直断面図で示したのが図
１０である。図１０に示すように、本実施形態に係るア
ノード４４では、各アノード部材４４ａ，４４ｂ，４４
ｃについてそれぞれ異なる電圧を印加することができる
例えば、一番内側のアノード部材４４ａには一番高い電
圧を印加し、次いで真中のアノード部材４４ｂにはアノ
ード部材４４ａに印加した電圧より少し低い電圧を印加
し、更に一番外側のアノード部材４４ｃには一番低い電
圧を印加している。このようにウエハＷ下面側の被処理
面に形成されたシード層としての薄い銅層自身の電気抵
抗が元で起きる電圧降下により印加電圧が最も低くなる
ウエハＷの中心付近に対向するアノード部材４４ａでは
最も高い電圧を印加し、アノード部材４４ｂ，４４ｃと
ウエハＷの外周縁方向に近づくにつれて印加電圧を低く
することにより、ウエハＷ下面側での電圧降下を相殺す
る。その結果、ウエハＷ下面側の被処理面全体にわたっ
て均一な電流密度となり、厚さが均一なメッキ層がウエ
ハＷ下面側の被処理面全体にわたって形成される。所定
時間経過して十分な厚さのメッキ層がウエハＷ上に形成
されたら、電圧の印加を停止してメッキ層の形成を停止
し、バルブＶ１を開くと共に汲み出しポンプ５１を作動
させてメッキ液をタンク５０内に戻し、メッキバス４２
内の液面を下降させ（ステップ２（５））、ホルダ６２
を上昇させてウエハＷをスピンドライ位置（ＩＶ）まで
移動させる。この状態でモータ６３を作動させてウエハ
Ｗを水平面内で回転させ、スピンドライを実行する（ス
テップ２（６））。スピンドライによりメッキ液がウエ
ハＷから大方取り除かれたら、ドライバ６１を前記した
洗浄位置（ＩＩ）まで上昇させる（ステップ２
（７））。次に、この状態でモータ６３を駆動してウエ
ハＷを回転させながらノズル７０，６２から純水をウエ
ハＷ下面に向けて噴出してウエハＷ下面を洗浄する（ス
テップ２（８））。ウエハＷ下面の洗浄が終了したら、
ドライバ６１の高さはそのまま保ち、図示しない昇降機
構によりドライバ６１内のウエハＷだけを僅かに上昇さ
せてノズル７０，７０から噴出する純水がちょうどウエ
ハＷ下面と保持部との接点であり、電気的に接続するカ
ソードコンタクト６４に当たる高さまで上昇させる。こ
の状態でノズル７０，７０から純水を噴出させて前記カ
ソードコンタクト表面を洗浄する（ステップ２
（９））。カソードコンタクト６４の洗浄が完了したら
再びウエハＷがこのカソードコンタクト６４と当接する
高さまで下降させ（ステップ２（１０））、モータ６３
を作動させてスピンドライを行なって水分を取り除く
（ステップ２（１１））。スピンドライが完了したら、
ドライバ６１を搬送位置（Ｉ）まで上昇させ（ステップ
２（１２））、この位置で維持しながらゲートバルブ７
３を開いてメインアーム３５を進入させ、メッキ処理ユ
ニットＭ１での処理が完了したウエハＷを搬出する（ス
テップ２（１３））。メッキ処理ユニットＭ１でのメッ
キ処理工程が完了したら、後続の処理を行なう処理ユニ
ットへウエハＷを搬送する。例えば前記メッキ処理ユニ
ットＭ１とは組成の異なるメッキ液を用いる他のメッキ
処理ユニットＭ２〜Ｍ４で更に別のメッキ処理を行なう
場合には当該メッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４内へ搬入し
て前記と同様にして追加の後続のメッキ処理を行なう。
メッキ処理ユニットＭ１から後続の他の処理ユニット、
例えばメッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４や、第２の処理装
置としての洗浄処理ユニット等へ搬送する間に、必要に
応じてウエハＷをメインアーム３５で保持したまま上下
反転させる。例えばメッキ処理ユニットＭ１でウエハＷ
の下面側にメッキ層を形成した後、洗浄処理ユニットで
メッキ層を形成した面を上側にして洗浄する場合等であ
る。このようにウエハＷの搬送時にメインアーム３５上
でウエハＷを上下反転できるので、処理の工程に無駄が
なく、速やかにウエハＷの搬送と上下反転とを同時に行
なうことができる。一連のメッキ処理工程が完了した
ら、最後のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４内へメインア
ーム３５がアクセスしてメッキ処理の完了したウエハＷ
を取り出す。しかる後にメインアーム３５はウエハＷを
保持したままその保持部３５ａを処理空間Ｓの上部へ移
動させ、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４の上段側に配設
されている洗浄処理ユニット１７０内に搬入する。この
とき、処理空間Ｓ内には図中上方から下方に向けてクリ
ーンエアが流下するダウンフローが形成されているの
で、下段側のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４の方から上
段側の洗浄処理ユニット１７０側へ空気が流れることは
ない。そのため、処理空間Ｓ内の洗浄処理ユニット１７
０近傍の雰囲気は常にメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４近
傍の雰囲気より清浄に保たれる。洗浄処理ユニット１７
０による洗浄処理が完了したら、後続の処理、例えば第
３の処理としてのアニーリング処理を行なう。このアニ
ーリング処理はいわゆる熱盤上にウエハＷを所定時間載
置することにより行う。アニーリングが完了したら、再
びメインアーム３５が処理後のウエハＷを受け取り、中
継載置部３６を経由して、或いは洗浄処理ユニット１７
０内を経由してメインアーム３５からサブアーム２２へ
引き渡される。サブアーム２２に引き渡された処理後の
ウエハＷは前記と逆の径路を通ってキャリアカセットＣ
内に収容され、一連の処理が完了する。以上説明したよ
うに、本実施形態に係るメッキ処理ユニットでは、アノ
ード４４が同心円状の３個の円環状アノード部材４４ａ
〜４４ｃに分割されており、それぞれ独立して印加電圧
が制御されているので、これらのアノード部材４４ａ〜
４４ｃに印加する電圧を適宜制御することによりウエハ
Ｗ下面の被処理面内の電圧降下を相殺することができ、
それによりウエハＷ下面とアノード４４との間の電流密
度が均一化される。その結果、ウエハＷ下面全体にわた
って均一な厚さのメッキ層を形成することが出来る。な
お、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば上記
実施形態ではアノード４４を分割する例として同心円状
の３個の円環状のアノード部材４４ａ〜４４ｃに分割し
たものを例にして説明したが、下記のようなアノード部
材に分割することも可能である。以下、アノード４４の
分割の仕方につき、その応用例を例示して説明する。 （応用例１）図１１は応用例１に係るアノード４４の斜
視図である。図１１に示したように、このアノード４４
では、径の異なる円環状の３個のアノード部材４４ａ〜
４４ｃを同心円状に配設し、更に各アノード部材４４ａ
〜４４ｃを半径方向に例えば９０度ずつ４分割し、分割
した切れ目が隣り合うアノード部材どうしで互い違いに
なるように配設してある。アノード４４は合計で１２個
のアノード部材４４ａ（１），４４ａ（２），４４ａ
（３），…４４ｃ（４）に分割されており、これら１２
個のアノード部材４４ａ（１）〜４４ｃ（４）は全て電
気的に独立している。各アノード部材４４ａ（１）〜４
４ｃ（４）にはそれぞれ配線が施されており、それぞれ
独立して印加電圧を制御できるようになっている。本応
用例では、ウエハＷに対応する面の半径方向と円周方向
との電圧分布を制御してウエハＷ面内の電流密度を均一
化する。更に半径方向で隣接するアノード部材を切れ目
が互い違いになるように配置したため、この切れ目部分
での電流分布が散乱する。そのため、ウエハＷ面内での
電流密度が均一化され、メッキ層の厚さがウエハＷ面内
で均一化される。 （応用例２）図１２は応用例２に係るアノード４４の斜
視図である。図１２に示したように、このアノード４４
では全体として円盤状のアノード４４を半径方向に例え
ば４５度の等頂角で８等分して同形の８個のアノード部
材４４ａ〜４４ｈに分割している。これら８個のアノー
ド部材４４ａ〜４４ｈは全て電気的に独立している。各
アノード部材４４ａ〜４４ｈにはそれぞれ配線が施され
ており、それぞれ独立して印加電圧を制御できるように
なっている。本応用例では、ウエハＷに対応する面の円
周方向の電圧分布を制御してウエハＷ面内の電流密度を
均一化する。そのため、ウエハＷ面内での電流密度が均
一化され、メッキ層の厚さがウエハＷ面内で均一化され
る。 （応用例３）図１３は応用例３に係るアノード４４の斜
視図である。図１３に示したように、このアノード４４
では全体として円盤状のアノード４４を半径方向に例え
ば４５度の等頂角で８等分し、更に円周方向で同心円状
に切断して合計１６個のアノード部材４４ａ〜４４ｐに
分割している。これら１６個のアノード部材４４ａ〜４
４ｐは全て電気的に独立している。各アノード部材４４
ａ〜４４ｐにはそれぞれ配線が施されており、それぞれ
独立して印加電圧を制御できるようになっている。本応
用例では、ウエハＷに対応する面の円周方向及び半径方
向の電圧分布を制御してウエハＷ面内の電流密度を均一
化する。そのため、ウエハＷ面内での電流密度が均一化
され、メッキ層の厚さがウエハＷ面内で均一化される。 （応用例４）図１４は応用例４に係るアノード４４の斜
視図である。図１４に示したように、このアノード４４
では全体として円盤状のアノード４４を、このアノード
４４が装着されるメッキ処理装置の特性に対応して、異
なる頂角の扇形のアノード部材に非対称に分割してい
る。例えばこの例４では半径方向に切断して合計１３個
のアノード部材４４ａ〜４４ｍに分割している。これら
１３個のアノード部材４４ａ〜４４ｍは全て電気的に独
立している。各アノード部材４４ａ〜４４ｍにはそれぞ
れ配線が施されており、それぞれ独立して印加電圧を制
御できるようになっている。本応用例では、対象となる
メッキ処理装置の特性に対応して、ウエハＷに対応する
面の円周方向の電圧分布を非対称なアノード部材４４ａ
〜４４ｍに分割し、メッキ処理装置の特性に対応して面
内の電圧降下を打ち消すように制御してウエハＷ面内の
電流密度を均一化する。そのため、ウエハＷ面内での電
流密度が均一化され、メッキ層の厚さがウエハＷ面内で
均一化される。 （第２の実施の形態）以下本発明の第２の実施形態につ
いて説明する。なお、以下の実施形態のうち、先行する
実施形態と内容が重複するものについては説明を省略す
ることがある。本実施形態に係るアノードは、ウエハＷ
の中心に対向する中央部がウエハＷに近接する一方、ウ
エハＷの外周縁部に近づくほどウエハＷから離れるよう
な傾斜を備えた、いわゆる中高に形成されている。図１
５は本実施形態に係るアノード４４を垂直な平面で中心
から二つに切断した垂直断面を斜視図として表わした図
である。図１５に示したように、本実施形態に係るアノ
ード４４は、略円錐形の形状を備えている。そのため、
メッキ処理ユニットのメッキ液槽４２の底部に取り付け
ると、ウエハＷ表面からの距離はウエハＷ外周縁部で大
きく、ウエハＷの中心付近で小さくなる。この距離が変
化する傾斜は、ウエハＷの外周縁部で高く、中心付近で
低くなるというウエハＷ下面側の被処理面に印加される
電圧の高低とちょうど反対の傾向を示している。そのた
め、ウエハＷ下面側の被処理面で起きるカソード電圧の
電圧降下と、アノード４４表面とウエハＷの被処理面と
の遠近による電圧上昇の傾斜とが相殺する。その結果ア
ノード４４からウエハＷ下面側の被処理面に向う電流密
度が被処理面内で均一化し、被処理面全体にわたって均
一な厚さのメッキ層が形成される。 （応用例５）図１６は応用例５に係るメッキ処理ユニッ
トの垂直断面図である。図１６に示したように、応用例
５では前記略円錐型のアノード４４をメッキ液槽４２の
底部に配置している。また、略円錐型アノード４４の採
用に伴い、隔膜４５もアノード４４の表面に平行になる
ように中高の略円錐形を描くように配設した。このよう
にアノード電極４４を略円錐型にすることに加え、隔膜
４５の取り付け状態も隔膜４５が略円錐形になるように
配設したため、アノード４４からウエハＷ下面側の被処
理面に向う電流密度が被処理面内で均一化し、被処理面
全体にわたって均一な厚さのメッキ層が形成される。 （応用例６）図１７は応用例６に係るアノード４４を垂
直平面で二等分したものの斜視図である。図１７に示す
ように、応用例６に係るアノード４４では、全体として
略円錐形のアノード４４を同心円状の径の異なる３個の
アノード部材４４ａ〜４４ｃに分割しており、これらの
アノード部材４４ａ〜４４ｃはそれぞれ独立して印加電
圧が制御されている。応用例６に係るアノード４４で
は、円錐形にしたことによるアノード電圧の上昇効果
と、半径方向に３個のアノード部材４４ａ〜４４ｃに分
割したことによる電圧制御との相乗効果により、アノー
ド４４からウエハＷ下面側の被処理面に向う電流密度が
被処理面内で均一化し、被処理面全体にわたって均一な
厚さのメッキ層が形成される。 （応用例７）図１８は応用例７に係るアノード４４の斜
視図である。図１８に示したように、応用例７に係るア
ノード４４は、一本の導体線例えば太めの銅線を螺旋状
に捲き回し、底部の半径が広く、上部にいくにつれて半
径が小さくなる、円錐斜面を描くように捲き回したもの
から形成されている。この応用例７に係るアノード４４
では、略円錐の斜面を描く形に捲き回したことによる電
圧上昇の効果と、アノード４４を捲き回した銅線で形成
したことによるメッキ液の流動性維持の効果とが相俟っ
て、アノード４４からウエハＷ下面側の被処理面に向う
電流密度が被処理面内で均一化し、被処理面全体にわた
って均一な厚さのメッキ層が形成される。 （応用例８）図１９は応用例８に係るアノード４４の斜
視図である。図１９に示したように、応用例８に係るア
ノード４４では、図１８に示したように、一本の導体線
例えば太めの銅線を螺旋状に捲き回し、底部の半径が広
く、上部にいくにつれて半径が小さくなる、円錐斜面を
描くように捲き回したものを３分割し、中心付近のアノ
ード部材４４ａ、このアノード部材４４ａの外側に向っ
て巻き回された中間のアノード部材４４ｂ、及びこのア
ノード部材４４ｂの更に外側向かって巻きまわされた最
外側のアノード部材４４ｃから形成されている。これら
３個のアノード部材４４ａ〜４４ｃはそれぞれ独立に電
源と接続されており、それぞれ別個に印加電圧を制御で
きるようになっている。この応用例８に係るアノード４
４では、略円錐の斜面を描く形に捲き回したことによる
電圧上昇の効果と、アノード４４を捲き回した銅線で形
成したことによるメッキ液の流動性維持の効果と、半径
方向にわたって３個のアノード部材４４ａ〜４４ｃに分
割した効果とが相俟って、アノード４４からウエハＷ下
面側の被処理面に向う電流密度が被処理面内で均一化
し、被処理面全体にわたって均一な厚さのメッキ層が形
成される。 （応用例９）図２０は応用例９に係るアノード４４の斜
視図である。図２０に示したように応用例９に係るアノ
ードでは、例えば銅線などの導体線を略円柱形状に捲き
回した複数個のコイルスプリング状アノード部材４４
ａ，４４ｂ，…を用意し、これらのアノード部材４４
ａ，４４ｂ，…をその上端部が略円錐形を描くように固
定したものから構成されている。各アノード部材４４
ａ，４４ｂ，…はそれぞれ電気的に独立しており、各ア
ノード部材４４ａ，４４ｂ，…にはそれぞれ電源が接続
され、それぞれ独立に印加電圧を制御できるようになっ
ている。応用例９に係るアノード４４では、略円錐の斜
面を描くように小コイルスプリング状のアノード部材４
４ａ，４４ｂ，…を配置したことによる電圧上昇の効果
と、各アノード部材４４，４４ｂ，…を捲き回した銅線
で形成したことによるメッキ液の流動性維持の効果と、
複数の小コイルスプリング状のアノード部材４４ａ，４
４ｂ，…をそれぞれ独立して印加電圧を制御可能にした
効果とが相俟って、アノード４４からウエハＷ下面側の
被処理面に向う電流密度が被処理面内で均一化し、被処
理面全体にわたって均一な厚さのメッキ層が形成され
る。 （応用例１０）図２１は応用例１０に係るアノード４４
の垂直断面図である。図２１に示したように、応用例１
０に係るアノード４４では、銅線などの導体線を略円柱
形状に捲き回した複数個のコイルスプリング状アノード
部材４４ａ，４４ｂ，…を、それらの上端部が略円錐形
を描くように固定し、更に一つ一つのアノード部材４４
ａ，４４ｂ，…について隔膜４５で上部を覆ったものか
ら構成されている。各アノード部材４４ａ，４４ｂ，…
はそれぞれ電気的に独立しており、各アノード部材４４
ａ，４４ｂ，…にはそれぞれ電源が接続され、それぞれ
独立に印加電圧を制御できるようになっている。応用例
１０に係るアノード４４では、略円錐の斜面を描くよう
に小コイルスプリング状のアノード部材４４ａ，４４
ｂ，…を配置したことによる電圧上昇の効果と、各アノ
ード部材４４，４４ｂ，…を捲き回した銅線で形成した
ことによるメッキ液の流動性維持の効果と、複数の小コ
イルスプリング状のアノード部材４４ａ，４４ｂ，…を
それぞれ独立して印加電圧を制御可能にした効果に加
え、一つ一つのアノード部材４４ａ，４４ｂ，…をそれ
ぞれ隔膜で覆ったことによる、電流分布を均一化する効
果とが相俟って、アノード４４からウエハＷ下面側の被
処理面に向う電流密度が被処理面内で均一化し、被処理
面全体にわたって均一な厚さのメッキ層が形成される。 （応用例１１）図２２は応用例１１に係るアノード４４
を垂直平面で二等分したものの斜視図である。図２２に
示すように、応用例１１に係るアノード４４では、直径
の異なる５枚の円板状アノード部材４４ａ〜４４ｅを一
定間隔を空けて上から下へ直径の小さいものから大きい
ものへ同軸的に配設したものから構成されている。各ア
ノード部材４４ａ〜４４ｅは電気的に独立しており、各
アノード部材４４ａ〜４４ｅはそれぞれ別々に電源が接
続され、それぞれ独立して印加電圧を制御できるように
なっている。応用例１１に係るアノード４４では、５枚
のアノード部材４４ａ〜４４ｅの外周縁が略円錐をなす
ように配設したこと、各アノード部材４４ａ〜４４ｅの
間に隙間を設けたことによるメッキ液の流動性を確保し
たこと、及び各アノード部材４４ａ〜４４ｅの印加電圧
を独立制御可能にしたことによるアノード電圧の自由度
を確保したことによる効果とが相俟って、アノード４４
からウエハＷ下面側の被処理面に向う電流密度が被処理
面内で均一化し、被処理面全体にわたって均一な厚さの
メッキ層が形成される。 （第３の実施の形態）図２３は第３の実施形態に係るメ
ッキ処理ユニットのアノード４４周辺部分を垂直平面で
切断したものを斜視図状に表わした図であり、図２４は
同アノード４４の周辺部分の垂直断面図である。図２３
及び図２４に示したように、本実施形態に係るメッキ処
理ユニットでは、アノードとして前記第１の実施形態、
図６、及び図７で示したような直径の異なる４個の円環
状のアノード部材４４ａ〜４４ｄに分割されたものを同
心円状に配設したアノード４４を採用し、このアノード
４４からメッキ液槽４２上部にわたる空間に円錐状の案
内板５３を複数重ねてメッキ液の流路を複数設けてい
る。アノード４４の上側に配設された案内板５３は円錐
側面を形成するように配設されており、例えば４個の円
錐を重ねたような形状をなしている。各円錐は案内板５
３ａ〜５３ｄにより構成されており、メッキ液槽４２底
部から上方に突き出したメッキ液供給管４３の回りに同
心円状に配設されている。各案内板５３ａ〜５３ｄが形
成する円錐の頂角は互いに異なっており、案内板５３ａ
から案内板５３ｄにかけて次第に頂角は大きくなり、拡
開された形状を構成している。従って、図２４に示した
ように隣接する案内板５３ａと５３ｂ、案内板５３ｂと
５３ｃ、案内板５３ｃと５３ｄとはいずれも平行ではな
く、拡開された形状の流路５４Ａ〜５４Ｄをそれぞれ形
成している。分割されたアノード部材４４ａ〜４４ｄは
拡開された形状の流路５４Ａ〜５４Ｄの最下部にそれぞ
れ一つずつ配設されており、各流路５４Ａ〜５４Ｄには
独立の流量制御手段、例えばポンプや流量調節バルブ
（図示省略）を配設していてもよい。また、隔膜４５は
各流路毎に別個に配設してもよく、案内板５３の上から
全体を覆うように配設されていても良い。本実施形態に
係るメッキ処理ユニットでは、メッキ液槽４２底部のア
ノード４４の上に案内板５３による複数の流路５４Ａ〜
５４Ｄが形成されているので、メッキ液の流量を独立し
て制御することが出来る。特に、拡開された断面形状の
各流路５４Ａ〜５４Ｄをメッキ液が流下する際の減圧作
用によりメッキ液の流束の先端側は平面に近い形状に近
づきながら流下するので、ウエハＷ下面の被処理面に当
たるメッキ液の流束は平面状に当接する。その結果、電
圧印加したときの電流分布が均一化されやすくなる。更
に、円環状のアノード部材４４ａ〜４４ｄに分割された
アノード４４の採用、流路５４Ａ〜５４Ｄ毎のメッキ液
の流量制御との相乗効果により、アノード４４からウエ
ハＷ下面側の被処理面に向う電流密度が被処理面内で均
一化し、被処理面全体にわたって均一な厚さのメッキ層
が形成される。 （応用例１２）図２５は応用例１２に係るメッキ処理ユ
ニットのアノード４４周辺部分の垂直断面図である。図
２５に示したように、応用例１２に係るメッキ処理ユニ
ットでは、前記第３の実施の形態，図２３，及び図２４
に示したメッキ処理ユニットにおいて、アノード部材４
４ａ〜４４ｄが円錐形になるように、外周縁のアノード
部材４４ｄから中心部のアノード部材４４ａにかけて徐
々にウエハＷとの距離が短くなる中高形状に配置した。
また、隔膜４５は各流路５４Ａ〜５４Ｄの途中にそれぞ
れ配設し、隔膜の面がメッキ液の流動方向に垂直になる
ように配設した。図２５のようにアノード部材４４ａ〜
４４ｄを配設することにより、ウエハＷの被処理面に生
じるカソード電圧の電圧降下を相殺しやすくなる。この
効果と円環状のアノード部材４４ａ〜４４ｄに分割され
たアノード４４の採用、流路５４Ａ〜５４Ｄ毎のメッキ
液の流量制御との相乗効果により、アノード４４からウ
エハＷ下面側の被処理面に向う電流密度が被処理面内で
均一化し、被処理面全体にわたって均一な厚さのメッキ
層が形成される。 （第４の実施の形態）図２６は本発明の第４の実施形態
に係るメッキ処理ユニットの垂直断面を部分的に拡大し
た図であり、図２７は同メッキ処理ユニットのメッキ液
槽４２ｂの平面図である。図２６に示したように、第４
の実施形態に係るメッキ処理ユニットでは、メッキ液槽
４２の内槽４２ａの内壁面の上部付近に、第２のカソー
ドとしての電極９０が配設されている。この電極９０は
図２７に示したように、メッキ液槽４２の内槽４２ａの
内壁に等間隔に複数個、例えば１６個配設されており、
これら１６個の全てに電圧が印加されるようになってい
る。図２６に示したように、この電極９０にはウエハＷ
の下面側外周縁部で接触して電圧を印加するためのカソ
ードコンタクト６４と同電位の電圧が印加される。この
ようにカソードコンタクト６４と同電位の電圧を電極９
０に対して適当なタイミングで印加すると、アノード４
４とウエハＷ下面側特にカソードコンタクト６４に対応
するウエハＷ外周縁部との間で形成される電気力線は一
時的に電極９０の方向を向き、電気力線の方向が散乱す
る。この効果によりウエハＷ下面側の被処理面付近での
電流分布が被処理面内で均一化される。その結果、アノ
ード４４からウエハＷ下面側の被処理面に向う電流密度
が被処理面内で均一化し、被処理面全体にわたって均一
な厚さのメッキ層が形成される。なお、電極９０への電
圧を印加するタイミングはカソードコンタクト６４と交
互でもよく、また同時でも良い。 （応用例１３）図２８は第４の実施の形態の応用例（応
用例１３）に係るメッキ処理ユニットの垂直断面を部分
的に拡大した図である。図２８に示したように、この応
用例１３に係るメッキ処理ユニットでは、メッキ液槽４
２の内槽４２ａのアノード４４の上部にメッキ液の流動
方向を散乱させる整流板９１が配設されている。この整
流板９１は樹脂のような絶縁体製の幅が狭く厚さの薄い
穴あき円板から構成されており、図２８の例では直径の
異なる３枚の整流板９１ａ〜９１ｃがウエハＷと同軸
的、かつ、真中の整流板９１ａが一番ウエハＷに近い位
置に配設され、順次９１ｂ，９１ｃと直径が大きくなる
につれてウエハＷから離れた位置に傾斜して配設されて
いる。これら３枚の整流板９１ａ〜９１ｃは何れも下面
側の外周縁側に薄い金属板９２が貼り付けられている。
この金属板９２は第２のカソードとして機能するもので
あり、図２８に示したように、この金属板９２には電源
からカソードコンタクト６４と同電位の電圧が印加され
るようになっている。上記第４の実施の形態と同様に、
カソードコンタクト６４と同電位の電圧を金属板９２に
対して適当なタイミングで印加すると、アノード４４と
ウエハＷ下面側特にカソードコンタクト６４に対応する
ウエハＷ外周縁部との間で形成される電気力線は一時的
に金属板９２の方向を向き、電気力線の方向が散乱す
る。この効果によりウエハＷ下面側の被処理面付近での
電流分布が被処理面内で均一化される。その結果、アノ
ード４４からウエハＷ下面側の被処理面に向う電流密度
が被処理面内で均一化し、被処理面全体にわたって均一
な厚さのメッキ層が形成される。なお、金属板９２への
電圧を印加するタイミングはカソードコンタクト６４と
交互でもよく、また同時でも良い。更に上記実施形態で
はウエハＷを例にして説明したが、本発明はＬＣＤ用ガ
ラス基板用のメッキ処理システムとしても適用できる。
また、上記実施形態ではメッキ処理ユニットを下段側に
配設した構造としたが、液相での処理を施す処理ユニッ
トであれば、メッキ処理ユニット以外の処理ユニットも
使用できることはいうまでもない。
【発明の効果】本発明によれば、ウエハＷの面内で厚さ
が均一なメッキ層を形成することのできるメッキ処理装
置が提供される。
が均一なメッキ層を形成することのできるメッキ処理装
置が提供される。
【図１】第１の実施形態に係るメッキ処理システムの斜
視図である。
視図である。
【図２】第１の実施形態に係るメッキ処理システムの平
面図である。
面図である。
【図３】第１の実施形態に係るメッキ処理システムの正
面図である。
面図である。
【図４】第１の実施形態に係るメッキ処理システムの側
面図である。
面図である。
【図５】第１の実施形態に係るメッキ処理ユニットの垂
直断面図である。
直断面図である。
【図６】第１の実施形態に係るアノードの平面図であ
る。
る。
【図７】第１の実施形態に係るアノードの斜視図であ
る。
る。
【図８】第１の実施形態に係るメッキ処理システム運転
時のフローチャートである。
時のフローチャートである。
【図９】第１の実施形態に係るメッキ処理ユニットのメ
ッキ処理のフローチャートである。
ッキ処理のフローチャートである。
【図１０】第１の実施形態に係るメッキ処理ユニットの
垂直断面図である。
垂直断面図である。
【図１１】本発明の応用例１に係るアノードの斜視図で
ある。
ある。
【図１２】本発明の応用例２に係るアノードの斜視図で
ある。
ある。
【図１３】本発明の応用例３に係るアノードの斜視図で
ある。
ある。
【図１４】本発明の応用例４に係るアノードの斜視図で
ある。
ある。
【図１５】本実施形態に係るアノードの断面斜視図であ
る。
る。
【図１６】本発明の応用例５に係るメッキ処理ユニット
の垂直断面図である。
の垂直断面図である。
【図１７】本発明の応用例６に係るアノードを垂直平面
で二等分した斜視図である。
で二等分した斜視図である。
【図１８】本発明の応用例７に係るアノードの斜視図で
ある。
ある。
【図１９】本発明の応用例８に係るアノードの斜視図で
ある。
ある。
【図２０】本発明の応用例９に係るアノードの斜視図で
ある。
ある。
【図２１】本発明の応用例１０に係るアノードの斜視図
である。
である。
【図２２】本発明の応用例１１に係るアノードを垂直平
面で二等分したものの斜視図である。
面で二等分したものの斜視図である。
【図２３】第３の実施形態に係るメッキ処理ユニットの
アノード周辺部分を垂直平面で切断したものを斜視図状
に表わした図である。
アノード周辺部分を垂直平面で切断したものを斜視図状
に表わした図である。
【図２４】第３の実施形態に係るメッキ処理ユニットの
アノード周辺部分の垂直断面図である。
アノード周辺部分の垂直断面図である。
【図２５】本発明の応用例１２に係るメッキ処理ユニッ
トのアノード周辺部分の垂直断面図である。
トのアノード周辺部分の垂直断面図である。
【図２６】第４の実施形態に係るメッキ処理ユニットの
垂直断面を部分的に拡大した図である。
垂直断面を部分的に拡大した図である。
【図２７】第４の実施形態に係るメッキ槽の平面図であ
る。
る。
【図２８】本発明の応用例１３に係るメッキ処理ユニッ
トの垂直断面を部分的に拡大した図である。
トの垂直断面を部分的に拡大した図である。
【図２９】従来のフェイスダウン方式のメッキ処理装置
の垂直断面図である。
の垂直断面図である。
Ｗ…ウエハ（被処理基板）、 ４２…メッキバス（処理槽）、 ６２…ホルダ（基板保持手段）、 ６４…カソードコンタクト（カソード電極）、 ４４…アノード（アノード電極）、 ５３…案内板、 ９０…電極（第２のカソード電極）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２５Ｄ 17/00 Ｃ２５Ｄ 17/00 Ｃ 17/06 17/06 Ｃ 17/10 17/10 Ｂ 21/10 ３０２ 21/10 ３０２ Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｅ Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB01 BA11 BB12 CA05 CA15 CB02 CB06 CB08 CB13 CB16 CB21 DB10 GA16 4M104 BB04 DD52 HH20
Claims (5)
- 【請求項１】 被処理基板を浸漬するメッキ処理液を貯
留する処理槽と、 前記被処理基板を、水平面内で回転可能に保持し、前記
メッキ処理液に対して接離させる基板保持手段と前記基
板保持手段に配設され前記被処理基板に接触して電圧を
印加するカソード電極と、 前記処理槽内に配設され、２以上のアノード部材に分割
されたアノード電極と、を具備するメッキ処理装置。 - 【請求項２】 被処理基板を浸漬するメッキ処理液を貯
留する処理槽と、 前記被処理基板を、水平面内で回転可能に保持し、前記
メッキ処理液に対して接離させる基板保持手段と前記基
板保持手段に配設され前記被処理基板に接触して電圧を
印加するカソード電極と、 前記処理槽内に配設され、中央部が外周縁部より高い位
置に設けられたアノード電極と、を具備するメッキ処理
装置。 - 【請求項３】 被処理基板を浸漬するメッキ処理液を貯
留する処理槽と、 前記被処理基板を、水平面内で回転可能に保持し、前記
メッキ処理液に対して接離させる基板保持手段と前記基
板保持手段に配設され前記被処理基板に接触して電圧を
印加するカソード電極と、 前記処理槽底部に配設されたアノード電極と、 前記処理層内のアノード電極から前記処理層上部へ流れ
るメッキ液の流れを複数の流れに分割する案内板と、を
具備するメッキ処理装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のメッキ処理装置であっ
て、前記案内板は、頂角の異なる複数の円錐側面を形成
し、外側にいくにつれて拡開された円錐側面状の流路を
形成する案内板であることを特徴とするメッキ処理装
置。 - 【請求項５】 被処理基板を浸漬するメッキ処理液を貯
留する処理槽と、 前記被処理基板を、水平面内で回転可能に保持し、前記
メッキ処理液に対して接離させる基板保持手段と前記基
板保持手段に配設され前記被処理基板に接触して電圧を
印加する第１のカソード電極と、 前記処理槽底部に配設されたアノード電極と、 前記第１のカソード電極と前記アノード電極との間に配
設された第２のカソード電極と、を具備するメッキ処理
装置。
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