JPH10330991A - 基板上に物質層を堆積する方法およびめっきシステム - Google Patents

基板上に物質層を堆積する方法およびめっきシステム

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JPH10330991A JP10150548A JP15054898A JPH10330991A JP H10330991 A JPH10330991 A JP H10330991A JP 10150548 A JP10150548 A JP 10150548A JP 15054898 A JP15054898 A JP 15054898A JP H10330991 A JPH10330991 A JP H10330991A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 めっき処理において堆積される層を均一化す
る電気めっきシステムおよび方法を提供する。 【解決手段】 電気めっきシステム（３０）および方法
は、めっき処理の間、半導体素子基板（２０）の表面全
体における電流密度の均一性を高めることにより、導電
性物質の堆積の均一性向上、または、堆積の調整を可能
にする。電流密度モディファイア（３６４，３７）が、
基板の縁部付近における電流密度を低下させる。この電
流密度低下により、めっきの均一性向上、即ち、基板
（２０）の中心付近にめっきする物質を増加させる調整
が可能となる。また、本システムは、ヘッド（３５）の
部分を全く分解せずに構造（３６）上の電流密度モディ
ファイア部分を取り外したり、この構造をシステムから
取り外すような改造も可能である。現場におけるクリー
ニングにより、機器のダウンタイム量削減，機器の長寿
命化，粒子数減少を図る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に基板上に
層を堆積する方法およびシステムに関し、更に特定すれ
ば、かかる基板上に金属含有層を電気めっきする方法お
よびシステムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在の半導体素子は、動作のためにはよ
り高い電流密度を要求しつつ、しかもエレクトロマイグ
レーションやその他の信頼性問題を抑制しなければなら
ない。銅は、現行のアルミニウムまたはアルミニウム銅
メタライゼーションに代わることができる代替品の１つ
として研究されつつある。基板上に銅を堆積する方法の
内最も有望な１つは、電気めっきのようなめっき方法を
用いることによるものである。
【０００３】図１は、従来技術の電気めっきシステム１
０の断面図を示す。システム１０は、出力ポート１０２
を有するチャンバ１１を含む。更に、このシステムは、
めっき流体を受ける入力ポート１１２を有するカップ
（コンテナ）１２，およびカップ１２内にあるディフュ
ーザ１３を含む。アノード１４が、カップ１２およびデ
ィフューザ１３の間に位置する。システム１０は、更
に、ターンテーブル１５１を有するヘッド１５を含み、
クランプ・フィンガ１５２がシステム１０のカソードと
なっており、典型的に白金チタン(platinized titaniu
m) で作られている。システム１０の動作の間、めっき
溶液１９が、入力ポート１１２を通じてカップ１２に入
り、アノード１４の脇を通る。この位置で、アノード１
４からのイオンがめっき溶液１９に溶解する。めっき溶
液１９は、流れ続けてディフューザ１３を通過し、基板
２０に到達する。最終的に、めっき溶液１９は、カップ
１２の側面全体に沿って流れ、カップ１２およびチャン
バ１１の壁の間に落下し、出力ポート１０２に至る。ア
ノード１４およびクランプ・フィンガ１５２は、基板２
０にめっきするために、バイアスされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来技術のシステ
ム１０の動作の間、図２に示すような、均一性に欠ける
堆積が典型的に発生する。図２に示すように、半導体素
子基板２０は基礎物質２２を有し、これは絶縁物，導
体，または絶縁物と導体の組み合わせとすることがで
き、基礎物質２２を導電性シード層(conductive seed l
ayer) ２４が覆っている。めっき物質２６がシード層に
めっきされている。尚、基板２０は上下逆さまにしてシ
ステム１０に装填することを注記しておく。図２では、
基板は元の向きに戻されているので、層２６が図２の上
側を向いている。図２に示すように、めっき物質２６の
堆積は、典型的に、基板２０縁部に近づく程厚くなり、
中心点に近づく程薄くなる。この均一性を欠く堆積は、
特に、めっき物質２６を化学機械的に研磨しなければな
らない場合に、問題の原因となる。研磨は、典型的に、
基板の中心に近い程速く物質を除去し、基板の縁部に近
い程物質の除去は遅くなる。基板２０の縁部付近のめっ
き物質２６が厚くなることおよび縁部付近で研磨速度が
低下することが重なることにより、研磨後のめっき物質
２６の非均一性が強調される。研磨の間、理想的でない
研磨選択性のために、下地の基礎物質２２が過剰に除去
されたり、あるいは残留物質のリングが基板２０の縁部
周囲に残ることがあるが、いずれも望ましいことではな
い。
【０００５】プリント回路ボードの基板のめっきには、
電気ラバー・プレート(electricalrobber plate) が用
いられる。ラバー・プレートをボードに接着し、ラバー
・プレートを有するボードの断片を切除することによ
り、破壊的に除去する。
【０００６】堆積の均一性を高めるシステム、即ち、基
板の縁部に比較して基板の中心付近にめっきされる物質
を多少増加させ、基板の中心付近に典型的に見られる研
磨の加速化(accelerated polishing) を補償することが
可能なシステムを生み出すことが必要とされている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による新規な電気
めっきシステムおよび方法は、めっき処理の間、半導体
素子基板表面全体の電流密度の均一性を高めることによ
り、導電性物質の堆積の均一性向上、または、堆積の調
整(tailored deposition) を可能にする。電流密度モデ
ィファイア(electrical current density modifier)
が、基板の縁部付近における電流密度を低下させる。基
板の縁部付近は、こうしなければ、めっき速度が最も高
くなる領域である。基板の縁部付近における電流密度を
低下させることにより、めっき処理の均一性向上、即
ち、基板の中心付近にめっきする物質を多少増加させる
ように調整が可能となる。また、本システムは、ヘッド
の部分を全く分解する必要なくクランプ構造上の電流密
度モディファイア部分を取り外すことができるように、
あるいは円弧状電流密度モディファイアをシステムから
取り外すことができるように、改造することも可能であ
る。この現場におけるクリーニングにより、機器のダウ
ンタイム量を削減し、機器の長寿命化を図り、粒子数を
減少させる。
【０００８】
【発明の実施の形態】添付図面に、限定としてではな
く、一例として本発明を示す。図面では、同様の参照番
号は同様の素子を示すものとする。
【０００９】図面における素子は、簡略化および明確化
のために示すものであり、必ずしも同一拡縮率で描かれ
ている訳ではないことを、当業者は認めよう。例えば、
図の中の素子には、本発明の実施例（群）の理解を深め
るために、その寸法が他の素子と比較して誇張されてい
るものもある。
【００１０】図３は、本発明の実施例による電気めっき
システム３０を示す断面図である。システム３０は、シ
ステム１０と同様であるが、システム３０は、クランプ
部分３６２（カソード電極または第２電極）および円弧
状電流密度モディファイア部分３６４（第１構造）を有
するクランプ構造３６，ならびに環状電流密度モディフ
ァイア３７（実施例により、第１構造または第２構造）
を含む。クランプ構造３６は導電性である。システム３
０は、出力ポート３０２を有するチャンバ３１，および
めっき流体を受ける入力ポート３１２を有するカップ３
２を含む。カップ３２内では、ディフューザ３３がカッ
プ３２を通過するめっき溶液（イオン性流体）３９の流
れを更に層流化する。アノード３４（第１電極）が、カ
ップ３２およびディフューザ３３の間に位置する。アノ
ード３４は、典型的に、半導体素子基板２０上にめっき
される物質を含む。
【００１１】システム３０は、更に、ターンテーブル３
５１およびクランプ構造３６を有するヘッド３５，なら
びに環状モディファイア３７を含む。ターンテーブル３
５１，ディフューザ３３，カップ３２，およびチャンバ
３１は、ポリエチレン，フッ化炭化水素（即ち、テフロ
ン（商標））等のような非導電性物質を含む。これらの
物質は、あらゆる電流の導通，または悪影響を及ぼすめ
っき溶液とのあらゆる反応の可能性を低下させる。アノ
ード３４，クランプ構造３６および環状モディファイア
３７，導電性シード層２４のような基板２０上にあるい
ずれかの導電層が、めっき溶液３９と接触する唯一の導
電性物質でなければならない。
【００１２】図４は、クランプ構造３６によってターン
テーブル３５１上に保持された半導体素子基板２０の平
面図を示す。構造３６の各々は、クランプ部分３６２お
よび電流密度モディファイア部分３６４を含む。クラン
プ部分３６２および電流密度モディファイア部分３６４
は導電性である。部分３６４は、幅が少なくとも１ｍｍ
であり、基板２０およびアノード３４間に位置する部分
３６２の一部と比較して、アノード３４に向かって少な
くとも１ｍｍ更に延出している。この特定実施例では、
各部分３６４の円弧長は、約５ないし５０ｍｍの範囲で
あり、公称では２５ｍｍである。各円弧状モディファイ
ア部分３６４の高さは、約５ないし１５ｍｍの範囲であ
り、公称では１０ｍｍである。各部分３６４の厚さは約
２ないし６ｍｍの範囲である。環状モディファイア３７
は導電性であり、構造３６および環状モディファイ３７
間に約５ないし１５ｍｍの範囲のギャップができるよう
に配置されている。部分３６４と同様、モディファイア
３７は、アノード３４に向かって更に延出している。モ
ディファイア３７は、部分３６２の幅の合計よりも大き
な周囲を有する。言い換えると、モディファイア３７
は、部分３６２よりも「広い」。
【００１３】環状モディファイア３７は、通常、高さが
約５ないし２５ｍｍの範囲であり、厚さが１０ないし１
５ｍｍの範囲である。一実施例では、環状モディファイ
ア３７は、カップ３２の最上部付近に配置されている。
環状モディファイア３７は、ディフューザ３３およびカ
ップ３２の最上部間で、カップ３２に沿ったいずれかの
場所に配置されている。典型的に、環状モディファイア
３７はカップ３２に取り付けられる。環状モディファイ
ア３７は連続環とすることができ、あるいはカップ３２
の壁に沿って区分することも可能である。一特定実施例
では、構造３６および環状モディファイア３７は基板２
０上でめっきされているのと同じ物質で作ることによ
り、めっき溶液３９の汚染の可能性を低下させる。銅物
質をめっきする場合、構造３６，環状モディファイア３
７およびアノード３４は銅で作る。しかしながら、別の
実施例では、異なる物質を用いることも可能である。シ
ステム３０のカソード（第２電極）は、クランプ部分３
６２を含む。部分３６４および環状モディファイア３７
は、システム３０のための電流密度モディファイアの一
種であり、基板２０から離間されている。
【００１４】銅をめっきする具体例について、これより
論ずる。多くの詳細について述べるが、その情報は例示
であり、本発明の範囲を限定することを意図するもので
はない。システム３０の動作において、めっき溶液３９
は、入力ポート３１２を通じてカップ３２に入る。めっ
き溶液は、銅（Ｃｕ），硫酸銅（Ｃｕ2 ＳＯ4 ），硫酸
（Ｈ2 ＳＯ4 ），ＨＣｌからのもののような塩素イオン
を含む。めっき溶液３９は、アノード３４を通過して流
れ、この位置でアノード３４からのイオンがめっき溶液
３９に溶解する。めっき溶液３９は流れ続けて、ディフ
ューザ３３を通過し、基板２０に到達する。最終的に、
めっき溶液３９はカップ３２の側面上を流れ、カップ３
２およびチャンバ３１の壁の間を落下し、出力ポート３
０２を通過する。
【００１５】このプロセスの最初の部分の間、アノード
３４の少なくとも一部、即ち、限定する訳ではないが、
構造３６に直接面するアノード３４の部分上に酸化銅系
の膜(copper oxide type film)を形成することにより、
アノード３４のコンディショニングを行う。コンディシ
ョニングの後、半導体基板がめっき溶液３９に接触する
前に、溶液３９に添加物を添加する。
【００１６】導電性シード層を、基板２０の主面（素子
側）全体に形成する。この例では、基板２０は円形のウ
エハである。導電性シード層２４は、基板２０上でのめ
っきを促進する。導電性シード層２４は、典型的に、チ
タン，タンタル，窒化チタン，窒化タンタル等のような
物質を含む耐熱金属から成る。導電性シード層２４を有
する基板２０は、次にターンテーブル３５１上に装着さ
れ、構造３６のクランプ部分３６２によって適所に保持
される。次いで、ヘッド３５を降下させ、構造３６の一
部分およびシード層２４をめっき溶液３９と接触させ
る。基板２０の後ろ側（露出されない）表面を溶液３９
に接触させないように注意しなければならない。
【００１７】めっき処理の間、アノード３４，構造３
６，および環状モディファイア３７にバイアスをかけ、
めっき物質層５６を堆積する。アノード３４，構造３
６，および環状モディファイア３７は正または負のバイ
アス極性を有することができ、あるいは電気的に接地す
ることもできるが、アノード４４を、構造３６および環
状モディファイア３７と比較して、正側に高いポテンシ
ャルとする。一特定実施例では、環状モディファイア３
７および構造３６の双方はほぼ同じ電位にある。他の実
施例では、環状モディファイア３７にバイアスをかけ、
構造３６の電位をアノード３４および環状モディファイ
ア３７の電位の中間とする。バイアス状態は、めっき処
理の間ほぼ一定に保持することや、時間と共に変化させ
ることが可能である（即ち、パルス（方形波），鋸波，
正弦波等）。本明細書で用いる場合、バイアスは、当該
素子を電気的に浮動状態とすることは含まないが、シス
テム素子の１つを接地電位とすることは、含むことがで
きる。
【００１８】いずれの実施例でも、構造３６および環状
モディファイア３７にバイアスをかけることにより、縁
部における電流密度低下に役立ち、これが更に、電流密
度モディファイアを使用しない場合と比較して、基板２
０の縁部付近におけるめっき速度を低下させることにな
る。めっき処理は、めっき物質層５６が所望の厚さに形
成されるまで行われる。一実施例では、所望の厚さは通
常約６，０００ないし１５，０００オングストロームの
範囲である。従来技術とは異なり、めっき物質の厚さは
均一性が向上し、即ち、図５に示すように、基板２０の
中央部において多少厚くすることが可能となる。尚、図
５では、基板２０をひっくり返してあるので、めっきさ
れた物質層５６が図５の上側を向いている。電流密度モ
ディファイア上の電位を調節することにより、その結果
として所望の均一性が得られる。層５６は、中心点上の
層５６の厚さおよび基板の縁部から１０ミリメートル以
内の点における厚さの差が、中心点上の層５６の厚さの
５パーセント未満となるように堆積することが可能であ
る。めっき処理の間、明示的に述べたもの以外の動作パ
ラメータは、当技術分野において従来から用いられてい
るものである。
【００１９】電流密度モディファイアは、めっき処理の
間プリント回路ボードと接触状態にある従来技術のシー
フ(thief) の場合と同様、基板２０から破壊的に除去す
ることはできない。後続の処理も、基板２０がウエハ形
態にある間に行わなければならない。電流モディファイ
アが基板２０と接触しており破壊的に除去した場合、基
板２０は本質的に円形ではなくなってしまうため、後続
の処理工程は殆ど不可能となる。破壊された基板は粒子
を発生し、鋭い縁部を有し、後続の処理工程の間更に断
裂する可能性が高く、歩留まりが低下する。
【００２０】めっき処理の後、ほぼ完成した素子を形成
する処理を行う。その中には、層５６を化学機械的に研
磨する工程，必要であれば追加の絶縁層および相互接続
層を形成する工程，および最上部の相互接続層上にパシ
ベーション層を形成する工程を含む場合がある。層５６
をはんだバンプに用いる場合、層５６は、基板の中心点
上において、約４０ないし１６０ミクロンの厚さを有
し、エッチングによるパターニングを施される。
【００２１】めっき処理が完了した後、異なる基板にめ
っきすることができる。あるいは、めっき層５６を基板
２０上に堆積した際に構造３６上に堆積されためっき物
質の少なくとも一部分を除去することにより、構造３６
のクリーニングを行うことができる。クリーニングは異
なるいくつもの方法で行うことができる。一実施例で
は、アノード３４に比較して構造３６に正側に高い電位
にバイアスすることにより、クリーニングを行うことが
できる。更に他の実施例では、構造３６にかけるバイア
スは、環状モディファイア３７に比較して正側に高い電
位とする。この特定実施例では、アノード３４は電気的
に浮動状態となる。アノード３４が電気的に浮動状態と
なる場合、コンディショニングの間にアノード３４上に
形成される膜は、クリーニング・プロセスの間本質的に
乱されずに、そのまま残る。アノード３４を浮動状態に
することが許されない場合、膜が影響を受けるので、コ
ンディショニングを行う必要がある。クリーニング工程
の後、追加の基板を処理することが可能となる。
【００２２】システム３０は、金やニッケルを含む他の
物質をめっきするためにも使用可能である。加えて、シ
ステム３０は、合金を堆積するためにも使用可能であ
る。例えば、ボール・グリッド・アレイのために、半導
体素子において用いられる導電性バンプがある。導電性
バンプは、典型的に、鉛−錫合金を含む。鉛の酸化電位
(oxidation potential) は＋０．１２６ボルトであり、
錫の酸化電位は＋０．１３６ボルトである。したがっ
て、錫は鉛と比べると酸化しやすい。アノード３４は、
酸化しやすい金属元素で構成し、他の金属元素を含んで
はならない。さもないと、アノード３４は、基板にめっ
きした後に、でこぼこになる可能性がある。この特定例
では、アノード３４は錫を含むが、鉛を含んではならな
い。めっき溶液３９は、元素（還元）状態およびイオン
化（酸化）状態双方において、鉛および錫を含む。堆積
パラメータ、特にめっき溶液中の鉛および錫の濃度，な
らびにアノード３４，構造３６，および環状モディファ
イア３７のバイアス条件を変えることにより、合金の組
成を変更することができる。合金は、ほぼ均一な組成ま
たは傾斜組成(graded composition)（離散的組成または
連続的組成）を有することができる。
【００２３】更に他の実施例では、システム３０を用い
て、基板２０上に他の電気活性物質(electroactive mat
erial)を堆積する。この応用では、物質を負に荷電する
ので、したがって、基板２０および構造３６はこの場合
アノードとなり、アノード３４として用いていたものは
カソードとなる。このように、めっき溶液３９内の電流
方向は、本質的に逆転する。
【００２４】本発明は他の実施例も含む。一特定実施例
では、構造３６を改造し、クランプ部分３６２および部
分３６４を別個の部品とする。この場合、部分３６４お
よびクランプ部分３６２は、個別素子として、ターンテ
ーブルに取り付けられる。他の実施例では、部分３６４
をクランプ部分３６２に永久的に取り付けたり、着脱可
能な部分とし、適宜クランプ部分から取り外すことがで
きる。
【００２５】めっき処理の間、構造３６は完全にまたは
部分的にめっき溶液３９内に浸漬される。電流密度モデ
ィファイアの一方または双方の形状は、基板２０の縁部
の形状と一致しなければならない。例えば、部分３６４
は円弧状部分であり、これら円弧状部分３６４の内縁に
沿った全ての点は、基板２０からほぼ等距離にある。基
板が矩形であり、縁が直線状の場合、円弧状のモディフ
ァイア部分は、基板２０に面する内縁を有し、基板２０
の対応する縁とほぼ平行となる。
【００２６】環状モディファイア３７には、別の設計も
可能である。他の実施例では、環状モディファイア３７
は、カップ３２の最上部の上方に延出する。例えば、環
状モディファイア３７は溝付縁(castellated edge)を含
み、めっき溶液３９がこの溝付き縁の間を通って、カッ
プ３２の外側に流れるようにすることができる。このよ
うにすれば、めっき溶液３９は、環状モディファイア３
７の上側部分に接触しない。これが用いられる可能性が
最も高いのは、区分環状モディファイアをめっき処理の
用いる場合である。前述の実施例と同様、環状モディフ
ァイア３７の形状は、全体的に、カップ３２とほぼ同一
であり、基板２０の形状に概ね一致する。円形の基板２
０の場合、環状モディファイア３７およびカップ３２は
円形を有する。基板２０が矩形の場合、環状モディファ
イア３７およびカップ３２も矩形形状を有する。
【００２７】更に他の実施例では、環状モディファイア
３７の一部分のみを導電性とする。一特定実施例では、
環状モディファイア３７の１セグメントはその上半分が
導電性であり、環状モディファイア３７の隣接する部分
はその下半分が導電性を有する。更に他の実施例では、
上側部分全てまたは下側部分全て、あるいはそのあらゆ
る組み合わせを導電性とする。いずれの場合でも、環状
モディファイア３７の位置付けは、めっきの均一性が最
適化されるように行わなければならない。
【００２８】システム３０は、電流密度モディファイア
として、構造３６または環状モディファイア３７の一方
のみを用いても動作可能である。両方の電流密度モディ
ファイアを使用すれば、めっき処理の間の電流密度制御
性を高めることができ、したがって、基板２０上のめっ
き物質層５６を、様々な厚さに制御することが可能とな
る。
【００２９】更に他の実施例では、アノード形状を変更
し、電流密度を最適化することにより、ウエハの表面全
体における均一性を高めることが可能である。図６に示
すように、円錐状アノード６４はテーパー状縁部を有す
る。これによって、基板２０付近の電流密度を変化させ
る。他の形状も可能であることは明らかである。
【００３０】これまでの説明では、特定の実施例を参照
しながら本発明について記載した。しかしながら、特許
請求の範囲に明示された本発明の範囲から逸脱すること
なく、種々の改良や変更が可能であることを、当業者は
認めよう。したがって、かかる説明および図は、限定的
な意味ではなく例示的な意味で解釈すべきであり、かか
る改良は全て本発明の範囲に含まれることを意図するも
のである。特許請求の範囲において、ミーンズ・プラス
・ファンクション項目（群）がある場合は、明記した機
能（群）を行う構造で、ここに記載したものをその範囲
とする。また、ミーンズ・プラス・ファンクション項目
（群）は、明記した機能（群）を行う構造的均等物およ
び均等な構造もその範囲とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術のめっきシステムを示す断面図。
【図２】従来技術の方法を用いて基板上に物質をめっき
した後の、半導体基板の一部分を示す断面図。
【図３】本発明の実施例による電気めっきシステムを示
す断面図。
【図４】本発明の実施例による基板およびクランプ構造
間の関係を示す、めっきヘッドの平面図。
【図５】本発明の実施例を用いて物質をめっきした後の
半導体素子基板の一部分を示す断面図。
【図６】本発明の他の実施例によるアノード構造を有す
るめっきシステムを示す断面図。
【符号の説明】 １０，３０ 電気めっきシステム １１ チャンバ １２ カップ １３ ディフューザ １４ アノード １５ ヘッド １９ めっき溶液 ２０ 半導体素子基板 ２２ 基礎物質 ２４ 導電性シード層 ２６ めっき物質 ３１ チャンバ ３２ カップ ３３ ディフューザ ３４ アノード（第１電極） ３５ ヘッド ３６ クランプ構造 ３７ 環状電流密度モディファイア（第１構造または
第２構造） ３９ めっき溶液（イオン性流体） ５６ めっき物質層 ６４ 円錐状アノード １０２ 出力ポート １１２ 入力ポート １５１ ターンテーブル １５２ クランプ・フィンガ ３０２ 出力ポート ３１２ 入力ポート ３５１ ターンテーブル ３６２ クランプ部分（カソード電極または第２電
極） ３６４ および円弧状電流密度モディファイア部分
（第１構造）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グレゴリー・エス・エセリントン アメリカ合衆国テキサス州シーダ・クリー ク、アラム・クリーク・ドライブ502 (72)発明者 ジェームス・デレック・レッグ アメリカ合衆国テキサス州オースチン、ブ ランバー・レーン6601

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板（２０）上に物質層（５６）を堆積す
    る方法であって：コンテナ（３２）；前記コンテナ（３
    ２）内にある第１電極（３４）；前記基板（２０）に電
    気的に接続された第２電極（３６２）；導体または電流
    密度モディファイアである第１構造（３６４，３７）で
    あって、前記基板（２０）からある距離だけ離間され、
    前記第２電極（３６２）の幅よりも広い幅を有し、かつ
    前記第２電極（３６２）に比較して、前記第１電極（３
    ４）に向かって更に延出する第１構造（３６４，３
    ７）；およびイオン液体（３９）であって、前記第１電
    極（３４），前記第２電極（３６２），前記基板（２
    ０）および前記第１構造（３６４，３７）と接触するイ
    オン液体（３９）；を含むめっきシステム（３０）内に
    前記基板（２０）を配置する段階；前記第１電極（３
    ４）を第１電位とし、前記第２電極（３６２）を第２電
    位とし、前記第１構造（３６４，３７）を第３電位とす
    る段階であって、 前記物質層（５６）を前記基板（２０）上に堆積し、 前記第１電位は前記第２および第３電位とは異なり、 前記第２および第３電位は実質的に同一電位であるとこ
    ろの段階；ならびに前記基板（２０）を前記めっきシス
    テム（３０）から取り出す段階；から成ることを特徴と
    する方法。
  2. 【請求項２】基板（２０）上に物質層（５６）を堆積す
    る方法であって：コンテナ（３２）；前記コンテナ（３
    ２）内にある第１電極（３４）；前記基板（２０）に電
    気的に接続された第２電極（３６２）；導体または電流
    密度モディファイアである第１構造（３７）であって、
    前記基板（２０）からある距離だけ離間され、前記第２
    電極（３６２）の幅よりも広い幅を有し、かつ前記第２
    電極（３６２）に比較して、前記第１電極（３４）に向
    かって更に延出する第１構造（３７）；およびイオン液
    体（３９）であって、前記第１電極（３４），前記第２
    電極（３６２），前記基板（２０）および前記第１構造
    （３７）と接触するイオン液体（３９）；を含むめっき
    システム（３０）内に前記基板（２０）を配置する段
    階；前記第１電極（３４）を第１電位とし、前記第２電
    極（３６２）を第２電位とし、前記第１構造（３７）を
    第３電位とする段階であって、 前記物質の層を前記基板上に堆積し、 前記第１，第２，および第３電位は異なる電位であり、 前記第２電位は前記第１および第３電位の間に位置する
    ところの段階；ならびに前記基板（２０）を前記めっき
    システム（３０）から取り出す段階；から成ることを特
    徴とする方法。
  3. 【請求項３】基板（２０）上に物質層（５６）を堆積す
    る方法であって：コンテナ（３２）；前記コンテナ（３
    ２）内にある第１電極（３４）；前記基板（２０）に電
    気的に接続された第２電極（３６２）；導体または電流
    密度モディファイアである第１構造（３６４，３７）で
    あって、前記基板（２０）からある距離だけ離間され、
    前記第２電極（３６２）の幅よりも広い幅を有し、かつ
    前記第２電極（３６２）に比較して、前記第１電極（３
    ４）に向かって更に延出する第１構造（３６４，３
    ７）；およびイオン液体（３９）であって、前記第１電
    極（３４），前記第２電極（３６２），前記基板（２
    ０）および前記第１構造（３６４，３７）と接触するイ
    オン液体（３９）；を含むめっきシステム（３０）内に
    前記基板（２０）を配置する段階；前記第１電極（３
    ４）を第１電位とし、前記第２電極（３６２）を第２電
    位とし、前記第１構造（３６４，３７）を第３電位とす
    る段階であって、 前記基板（２０）の中心により近い第１点および前記基
    板（２０）の縁により近い第２点を有する前記基板（２
    ０）上に、前記物質層（５６）を堆積し、 前記層（５６）は前記第１点付近に第１の厚さ，および
    前記第２点付近に第２の厚さを有し、該第２の厚さは前
    記第１の厚さよりも厚くなく、 前記第１電位は前記第２および第３電位とは異なる段
    階；および前記基板（２０）を前記めっきシステム（３
    ０）から取り出す段階；から成ることを特徴とする方
    法。
  4. 【請求項４】基板上に物質層（５６）を堆積する方法で
    あって：コンテナ（３２）；前記コンテナ（３２）内に
    ある第１電極（３４）；前記基板（２０）に電気的に接
    続された第２電極（３６２）；導体または電流密度モデ
    ィファイアである第１構造（３６４，３７）であって、
    前記基板（２０）からある距離だけ離間され、前記第２
    電極（３６２）の幅よりも広い幅を有し、かつ前記第２
    電極（３６２）に比較して、前記第１電極（３４）に向
    かって更に延出する第１構造（３６４，３７）；および
    イオン液体（３９）であって、前記第１電極（３４），
    前記第２電極（３６２），前記基板（２０）および前記
    第１構造（３６４，３７）と接触するイオン液体（３
    ９）；を含むめっきシステム（３０）内に前記基板（２
    ０）を配置する段階；前記第１電極（３４）を第１電位
    とし、前記第２電極（３６２）を第２電位とし、前記第
    １構造（３６４，３７）を第３電位とする段階であっ
    て、 前記物質層（５６）を前記基板（２０）上に堆積し、 前記第１電位は前記第２および第３電位とは異なるとこ
    ろの段階；ならびに前記基板（２０）を前記めっきシス
    テム（３０）から取り出す段階；から成ることを特徴と
    する方法。
  5. 【請求項５】基板（２０）上に物質層（５６）を堆積す
    る方法であって：コンテナ（３２）；前記コンテナ（３
    ２）内にある第１電極（３４）；前記基板（２０）に電
    気的に接続された第２電極（３６２）；導体または電流
    密度モディファイアである第１構造（３６４，３７）で
    あって、前記基板（２０）からある距離だけ離間され、
    前記第２電極（３６２）の幅よりも広い幅を有し、かつ
    前記第２電極（３６２）に比較して、前記第１電極（３
    ４）に向かって更に延出する第１構造（３６４，３
    ７）；およびイオン液体（３９）であって、前記第１電
    極（３４），前記第２電極（３６２），前記基板（２
    ０）および前記第１構造（３６４，３７）と接触するイ
    オン液体（３９）；を含むめっきシステム（３０）内に
    前記基板（２０）を配置する段階；前記第１電極（３
    ４）を第１電位とし、前記第２電極（３６２）を第２電
    位とし、前記第１構造（３６４，３７）を第３電位とす
    る段階であって、 前記物質層（５６）を前記基板（２０）上に堆積し、 前記物質は、第１金属元素，および該第１金属元素とは
    異なる第２金属元素を含む合金であり、 前記第１電位は前記第２および第３電位とは異なるとこ
    ろの段階；ならびに前記基板（２０）を前記めっきシス
    テム（３０）から取り出す段階；から成ることを特徴と
    する方法。
  6. 【請求項６】基板（２０）上に物質層（５６）を堆積す
    る方法であって：コンテナ（３２）；前記コンテナ（３
    ２）内にある第１電極（３４）；前記基板（２０）に電
    気的に接続された第２電極（３６２）；導体または電流
    密度モディファイアである第１構造（３６４）であっ
    て、前記基板（２０）からある距離だけ離間され、前記
    第２電極（３６２）の幅よりも広い幅を有し、かつ前記
    第２電極（３６２）に比較して、前記第１電極（３４）
    に向かって更に延出する第１構造（３６４）；前記基板
    （２０）および前記第１構造（３６４）から離間された
    第２構造（３７）；およびイオン液体（３９）であっ
    て、前記第１電極（３４），前記第２電極（３６２），
    前記基板（２０）および前記第１構造（３６４）と接触
    するイオン液体（３９）；を含むめっきシステム（３
    ０）内に前記基板（２０）を配置する段階；前記第１電
    極（３４）を第１電位とし、前記第２電極（３６２）を
    第２電位とし、前記第１構造（３６４）を第３電位とす
    る段階であって、 前記物質層（５６）を前記基板（２０）上に堆積し、 前記第１電位は前記第２および第３電位とは異なる段
    階；前記基板（２０）を前記めっきシステム（３０）か
    ら取り出すところの段階；ならびに前記第１電極（３
    ４）を電気的に浮動状態とし、前記第２電極（３６２）
    および前記第１構造（３６４）を第１電位とし、前記第
    ２構造（３７）を前記第１電位よりも低い第２電位とす
    ることによって、前記第２電極（３６２）および前記第
    １構造から前記物質の少なくとも一部分を除去する段階
    であって、前記基板（２０）を取り出す段階の後に行う
    段階；から成ることを特徴とする方法。
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