JP5175871B2 - めっき装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板等の表面（被めっき面）にめっきを施すめっき装置に係り、特にめっき技術を用いてＬＳＩ用の基板に金属膜付けや配線を形成したり、半導体ウェーハ等の表面に設けられた微細な配線用溝（トレンチ）やビヤホール、レジスト開口部にめっき膜を形成したり、半導体ウェーハの表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりするのに使用されるめっき装置に関する。
近年、半導体回路の配線やバンプを形成する方法として、めっき技術を用いてシリコンウエハまたは他の基板上に金属膜を形成する方法が採用されるようになってきている。
例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）やＦＣ（フリップチップ）においては、配線が形成された半導体チップの表面の所定箇所（電極）に金、銅、はんだ、或いは鉛フリーはんだやニッケル、更にはこれらを多層に積層した突起状接続電極（バンプ）を形成し、このバンプを介して配線をパッケージの電極やＴＡＢ電極に電気的に接続することが広く行われている。このバンプの形成方法としては、めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法といった種々の手法がある。半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定しているめっき法が多く用いられるようになってきている。
特に、電気めっきによって得られる金属膜は、高純度で、膜形成速度が速く、膜厚制御方法が簡単であるという利点がある。一方、無電解めっきは、基板等の被めっき材上に通電のためのシード膜が不要であるため、配線やバンプ形成のための工程数が少なくてすむという利点がある。半導体基板上への膜形成においては、膜厚の均一性が厳しく要求されるため、双方のめっき方法においても、従来から多くの検討がなされてきた。
図２７は、いわゆるフェースダウン方式を採用した従来の無電解めっき装置の一例を示す。この無電解めっき装置は、内部にめっき液（無電解めっき液）１０を保持する上方に開口しためっき槽１２と、被めっき材としての基板Ｗをその表面（被めっき面）を下向き（フェースダウン）にして着脱自在に保持する上下動自在な基板ホルダ１４を有している。めっき槽１２の上部の周囲には、オーバフロー槽１６が設けられ、このオーバフロー槽１６には、めっき液排出ライン１８が連結されている。また、めっき槽１２の底部には、めっき液供給ライン２０に接続されためっき液供給ノズル２２が備えられている。
操作に際し、基板ホルダ１４で水平に保持した基板Ｗを、めっき槽１２の上端開口部を塞ぐ位置に配置する。この状態で、めっき液供給ノズル２２からめっき槽１２の内部にめっき液１０を供給し、このめっき液１０をめっき槽１２の上部からオーバフローさせることで、めっき液１０を基板ホルダ１４で保持した基板Ｗの表面に沿って流し、めっき液排出ライン１８を経て、循環槽（図示せず）に戻す。これにより、前処理を施された基板Ｗの表面にめっき液１０が触れることにより金属が析出して金属膜が形成される。
このめっき装置によれば、めっき液供給ノズル２２からの供給されるめっき液１０の供給速度等を調整したり、基板ホルダ１４を回転したりすることにより、基板Ｗの表面に形成される金属膜の膜厚の均一性をある程度調節することができる。
図２８は、いわゆるディップ方式を採用した従来の電気めっき装置の一例を示す。この電気めっき装置は、内部にめっき液（電気めっき液）を保持するめっき槽１２ａと、基板Ｗをその周縁部を水密的にシールし表面（被めっき面）を露出させて着脱自在に保持する上下動自在な基板ホルダ１４ａを有している。めっき槽１２ａの内部には、アノード２４がアノードホルダ２６に保持されて垂直に配置されている。更に、基板ホルダ１４ａで保持した基板Ｗがアノード２４と対向する位置に配置された時に、このアノード２４と基板Ｗとの間に位置するように、中央孔２８ａを有する誘電体からなる調整板（レギュレーションプレート）２８がめっき槽１２ａ内に配置されている。
操作に際し、アノード２４、基板Ｗ及び調整板２８をめっき槽１２ａ内のめっき液中に浸漬させる。同時に、導線３０ａを介してアノード２４をめっき電源３２の陽極に、導線３０ｂを介して基板Ｗをめっき電源３２の陰極にそれぞれ接続する。これにより、基板Ｗとアノード２４との電位差で、めっき液中の金属イオンが基板Ｗの表面より電子を受け取り、基板Ｗの表面に金属が析出して金属膜が形成される。
このめっき装置によれば、アノード２４と該アノード２４と対向する位置に配置される基板Ｗとの間に、中央孔２８ａを有する調整板２８を配置し、この調整板２８でめっき槽１２ａ内の電位分布を調節することで、基板Ｗの表面に形成される金属膜の膜厚分布をある程度調節することができる。
図２９は、いわゆるディップ方式を採用した従来の電気めっき装置の他の例を示す。この電気めっき装置の図２８に示す電気めっき装置と異なる点は、調整板の代わりにリング状の擬似陰極（擬似電極）３４を備え、基板Ｗの周囲に擬似陰極３４を配置した状態で、基板Ｗを基板ホルダ１４ａで保持し、更に、めっき処理の際に、導線３０ｃを介して、擬似陰極３４をめっき電源３２の陰極に接続するようにした点にある。
このめっき装置によれば、擬似陰極３４の電位を調節することで、基板Ｗの表面に形成される金属膜の膜厚の均一性を改善することができる。
図３０は、いわゆるディップ方式を採用した従来の電気めっき装置の更に他の例を示す。この電気めっき装置の図２８に示す電気めっき装置と異なる点は、調整板を備えることなく、めっき槽１２ａの上方に位置して、基板ホルダ１４ａとアノード２４との間にパドルシャフト（攪拌機構）３６を平行に配置し、このパドルシャフト３６の下面に複数の攪拌翼としてのパドル（掻き混ぜ棒）３８をほぼ垂直に垂設して、めっき処理中に、パドルシャフト３６を介してパドル３８を基板Ｗと平行に往復動させてめっき槽１２ａ内のめっき液を攪拌するようにした点にある。
このめっき装置によれば、パドルシャフト３６を介してパドル３８を基板Ｗと平行に往復動させることで、基板Ｗの表面に沿っためっき液の流れを、基板Ｗの表面の全面でより均等にして（めっき液の流れの方向性をなくして）、基板Ｗの全面に亘ってより均一な膜厚のめっき膜を形成することができる。
例えば、半導体基板（ウェーハ）の表面に配線用やバンプなどの金属膜（めっき膜）を形成する際、基板の全面に亘って形成した金属膜の表面形状および膜厚の均一性が要求される。近年のＳＯＣ、ＷＬ−ＣＳＰなどの高密度実装技術においては、高精度の均一性が益々を要求されるようになってきたが、従来のめっき装置では、高精度の均一性に応えた金属膜を形成することは非常に困難であった。
つまり、従来の各めっき装置は、それぞれの構成特徴によりそれぞれのめっき膜の膜厚分布特性を示すが、これらを改善し、より良好な膜厚均一性を有するめっき膜を得ることが要求されている。均一な膜厚のめっき膜を得るためには、基板表面等の被めっき面近傍におけるめっき液の流れを均一にすることが有効な手段の一つである。めっき液の均一な流れを作り、基板表面等の被めっき面にめっき液を接触させる手法が要求されている。めっき装置自体が簡単な構造で、メンテナンスしやすい構造や機構も求められている。例えば、図２９に示すめっき装置では、擬似電極の調整や擬似電極についためっき金属の除去という操作が必要になってくる。このように、操作や管理上の煩雑性問題が生じない、より取り扱いやすくて管理方法の簡便さがめっき装置に求められる。また、めっき時間を短縮するために、めっき速度を上げることが強く望まれている。めっき速度を上げるために、基板等の被めっき面にめっき液中の金属イオンを効率良く供給することが必要となる。
電気めっきにあっては、電流密度を上げることでめっき速度を上げることができる。しかし、単に電流密度を上げると、めっきやけ、めっき欠陥、アノード表面の不動態化等が生じて、めっき不具合の原因となってしまう。
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、比較的簡単な構成で、めっき速度を高め、しかもめっき槽内のめっき液の流れをより均一に調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができるようにしためっき装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明のめっき装置は、内部にめっき液を供給するめっき液供給口を底部に有し内部にめっき液を保持するめっき槽と、被めっき材を保持し前記めっき槽内のめっき液に浸漬させて鉛直方向に配置するホルダと、前記めっき槽内のめっき液中に浸漬されて該めっき液を攪拌する攪拌翼を備えた攪拌機構とを有し、前記攪拌翼は、前記めっき槽の上部から底部に向かって鉛直に延びる板状部材からなり、被めっき材の被めっき面と対向する位置に配置され該被めっき面に平行に横方向に往復運動してめっき液を攪拌するように構成され、前記攪拌翼の前記被めっき材と対向する辺には、該攪拌翼の往復運動に伴ってめっき液中に渦流を発生させる凹凸が形成されている。
これにより、攪拌翼の少なくとも１辺に凹凸を形成することで、攪拌翼の往復運動によって、多くの渦流を均一に且つ全般的に発生させためっき液の流れを生じさせ、被めっき材の被めっき面に接するめっき液の流れを均一に且つ効果的に作用させることで、被めっき材の被めっき面上に膜厚の均一性が良好なめっき膜を形成できる。
前記凹凸は、例えば三角形または矩形が連続する鋸歯状、または多数の細い溝を所定の間隔で形成した形状である。
凹凸を、三角形または矩形が連続する鋸歯状、または多数の細い溝を所定の間隔で形成した形状とすることにより、攪拌翼の往復運動によって、多くの渦流を均一に且つ全般的に発生させためっき液の流れを生じさせ、被めっき材の被めっき面に接するめっき液の流れを均一に且つ効果的に作用させることで、被めっき材の被めっき面上に膜厚の均一性が良好なめっき膜を形成できる。
前記攪拌翼の凹凸が形成された辺は、被めっき材の被めっき面に対向していることが好ましい。
攪拌翼の凹凸が形成された辺を、被めっき材の被めっき面に対向させることにより、攪拌翼の往復運動によって、多くの渦流を被めっき材の被めっき面近傍に均一に且つ全般的に発生させためっき液の流れを生じさせ、被めっき材の被めっき面に接するめっき液の流れを均一に且つ効果的に作用させて、被めっき材の被めっき面上により膜厚の均一性が良好なめっき膜を形成できる。
前記攪拌機構は、複数の攪拌翼を有することが好ましい。
攪拌機構の攪拌翼を複数とすることにより、攪拌翼の往復運動によって、より多くの渦流を被めっき材の被めっき面近傍に均一に且つ全般的に発生させためっき液の流れを生じさせ、被めっき材の被めっき面に接するめっき液の流れを均一に且つ効果的に作用させることで、被めっき材の被めっき面上により膜厚の均一性が良好なめっき膜を形成できる。
めっき装置（電気めっき装置）を備えためっき設備の全体配置図である。 図１に示すめっき設備のめっき空間内に備えられている搬送ロボットの概要図である。 図１に示すめっき設備に備えられているめっき装置（電気めっき装置）の断面図である。 図３に示すめっき装置の固定板及びノズル配管を示す斜視図である。 図５（ａ）乃至図５（ｅ）は、基板上にバンプ（突起状電極）を形成する過程を工程順に示す断面図である。 他のめっき装置（電気めっき装置）を示す概略断面図である。 更に他のめっき装置（電気めっき装置）を示す概略断面図である。 更に他のめっき装置（電気めっき装置）を示す概略断面図である。 ノズル配管の移動（首振り）の例を示す図である。 更に他のめっき装置（無電解めっき装置）の概略断面図である。 図１０に示すめっき装置に備えられているノズル配管の平面図である。 図１１に示すノズル配管の右側面図である。 ノズル配管の変形例を示す平面図である。 更に他のめっき装置（電気めっき装置）の概略断面図である。 ノズル配管の更に他の変形例を示す平面図である。 本発明の実施の形態のめっき装置（電気めっき装置）を示す概略斜視図である。 図１７（ａ）乃至１７（ｃ）は、攪拌翼のそれぞれ異なる形状を示す図である。 本発明の他の実施の形態のめっき装置（電気めっき装置）を示す概略斜視図である。 図１９（ａ）は、他の攪拌機構を示す平面図で、図１９（ｂ）は、他の攪拌機構を示す正面図である。 図２０（ａ）は、更に他の攪拌機構を示す左側面図で、図２０（ｂ）は、更に他の攪拌装置を示す正面図である。 図２１（ａ）は、更に他の攪拌機構を示す左側面図で、図２１（ｂ）は、更に他の攪拌装置を示す正面図である。 更に他の攪拌翼を示す斜視図である。 図２２に示す攪拌翼の一運動方向と該攪拌翼の被めっき材の被めっき面に対する角度との関係を示す図である。 図２２に示す攪拌翼の他の運動方向と該攪拌翼の被めっき材の被めっき面に対する角度との関係を示す図である。 更に他のめっき装置（電気めっき装置）を示す概略斜視図である。 本発明の更に他の実施の形態のめっき装置（電気めっき装置）を示す概略斜視図である。 従来のめっき装置（無電解めっき装置）を示す概略断面図である。 従来のめっき装置（電気めっき装置）を示す概略斜視図である。 従来の他のめっき装置（電気めっき装置）を示す概略斜視図である。 従来の更に他のめっき装置（電気めっき装置）を示す概略斜視図である。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。以下の各実施の形態では、被めっき材として半導体ウェーハ等の基板を使用した例を示す。
図１は、めっき装置を備えためっき設備の全体配置図を示す。このめっき設備は、基板の前処理、めっき及びめっきの後処理のめっき全工程を連続して自動的に行うようにしている。外装パネルを取付けた装置フレーム１１０の内部は、仕切板１１２によって、基板のめっき処理及びめっき液が付着した基板の処理を行うめっき空間１１６と、それ以外の処理、すなわちめっき液に直接には関わらない処理を行う清浄空間１１４に区分されている。めっき空間１１６と清浄空間１１４とを仕切る仕切板１１２で仕切られた仕切り部には、２つの基板ホルダ１６０（図２参照）を並列に配置して、この各基板ホルダ１６０との間で基板の脱着を行う、基板受渡し部としての基板脱着台１６２が備えられている。清浄空間１１４には、基板を収納した基板カセットを搭載するロード・アンロードポート１２０が接続されている。更に、装置フレーム１１０には、操作パネル１２１が備えられている。
清浄空間１１４の内部には、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定方向に合わせるアライナ１２２と、めっき後の基板を洗浄し高速回転させてスピン乾燥させる２台の洗浄・乾燥装置１２４と、基板の前処理、この例では、基板の表面（被めっき面）に向けて純水を吹きかけることで、基板表面を純水で洗浄するとともに、純水で濡らして親水性を良くする水洗前処理を行う前処理装置１２６が、その四隅に位置して配置されている。更に、これらの各処理装置、つまりアライナ１２２、洗浄・乾燥装置１２４及び前処理装置１２６のほぼ中心に位置して、これらの各処理装置１２２，１２４，１２６、前記基板脱着台１６２及び前記ロード・アンロードポート１２０に搭載した基板カセットとの間で基板の搬送と受渡しを行う第１搬送ロボット１２８が配置されている。
清浄空間１１４内に配置されたアライナ１２２、洗浄・乾燥装置１２４及び前処理装置１２６は、表面を上向きにした水平姿勢で基板を保持して処理するようになっている。搬送ロボット１２８は、表面を上向きにした水平姿勢で基板を保持して基板の搬送及び受渡しを行うようになっている。
めっき空間１１６内には、仕切板１１２側から順に、基板ホルダ１６０の保管及び一時仮置きを行うストッカ１６４、例えば基板の表面に形成したシード層表面の電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの薬液でエッチング除去する活性化処理装置１６６、基板の表面を純水で水洗する第１水洗装置１６８ａ、めっきを行うめっき装置１７０、第２水洗装置１６８ｂ及びめっき後の基板の水切りを行うブロー装置１７２が順に配置されている。これらの装置の側方に位置して、２台の第２搬送ロボット１７４ａ，１７４ｂがレール１７６に沿って走行自在に配置されている。一方の第２搬送ロボット１７４ａは、基板脱着台１６２とストッカ１６４との間で基板ホルダ１６０の搬送を行い、他方の第２搬送ロボット１７４ｂは、ストッカ１６４、活性化処理装置１６６、第１水洗装置１６８ａ、めっき装置１７０、第２水洗装置１６８ｂ及びブロー装置１７２の間で基板ホルダ１６０の搬送を行う。
各第２搬送ロボット１７４ａ，１７４ｂは、図２に示すように、鉛直方向に延びるボディ１７８と、このボディ１７８に沿って上下動自在でかつ軸心を中心に回転自在なアーム１８０を備えている。このアーム１８０に、基板ホルダ１６０を着脱自在に保持する基板ホルダ保持部１８２が２個並列に備えられている。基板ホルダ１６０は、表面を露出させ周縁部をシールした状態で基板Ｗを着脱自在に保持するように構成されている。
ストッカ１６４、活性化処理装置１６６、水洗装置１６８ａ，１６８ｂ及びめっき装置１７０は、基板ホルダ１６０の両端部に設けた外方に突出する突出部１６０ａを引っ掛けて、基板ホルダ１６０を鉛直方向に吊り下げた状態で支持するようになっている。活性化処理装置１６６には、内部に薬液を保持する２個の活性化処理槽１８３が備えられている。図２に示すように、基板Ｗを装着した基板ホルダ１６０を鉛直状態で保持した第２搬送ロボット１７４ｂのアーム１８０を下降させ、必要に応じて、基板ホルダ１６０を活性化処理槽１８３の上端部に引っ掛けて吊下げ支持する。これにより、基板ホルダ１６０を基板Ｗごと活性化処理槽１８３内の薬液に浸漬させて活性化処理を行うように構成されている。
同様に、水洗装置１６８ａ，１６８ｂは、内部に純水を保持する各２個の水洗槽１８４ａ，１８４ｂをそれぞれ有し、めっき装置１７０には、内部にめっき液を保持する複数のめっき槽１８６を有している。水洗槽１８４ａ，１８４ｂ及びめっき装置１７０は、前述と同様に、基板ホルダ１６０を基板Ｗごとこれらの水洗槽１８４ａ，１８４ｂ内の純水またはめっき槽１８６内のめっき液に浸漬させることで、水洗処理やめっき処理が行われるように構成されている。基板Ｗを装着した基板ホルダ１６０を鉛直状態で保持した第２搬送ロボット１７４ｂのアーム１８０を下降させ、この基板ホルダ１６０に装着した基板Ｗにエアーや不活性ガスを吹きかけて、基板ホルダ１６０及び基板Ｗに付着した液体を吹き飛ばし、基板Ｗの水切り行う。このようにして、ブロー装置１７２は、ブロー処理を行うように構成されている。
めっき装置１７０の各めっき槽１８６は、図３に示すように、内部にめっき液１８８を保持するように構成され、このめっき液１８８中に、基板ホルダ１６０で周縁部を水密的にシールし表面（被めっき面）を露出させて保持した基板Ｗを浸漬させる。
めっき槽１８６の側方には、このめっき槽１８６の溢流堰２００の上端をオーバフローしためっき液１８８を流すオーバフロー槽２０２が設けられている。オーバフロー槽２０２には、めっき液排出ライン２０４が連結されている。めっき液排出ライン２０４と下記のめっき液供給ライン２１８を結ぶめっき液循環ライン２０６に、循環ポンプ２０８、流量調節器２１０及びフィルタ２１２が設置されている。循環ポンプ２０８の駆動に伴ってめっき槽１８６内に供給されためっき液１８８は、めっき槽１８６の内部を満たし、しかる後、溢流堰２００からオーバフローしてオーバフロー槽２０２内に流れ込み、循環ポンプ２０８に戻る。このようにして、めっき液は循環し、めっき液循環ライン２０６に沿って流れるめっき液１８８の流量は流量調節器２１０で調節される。
めっき槽１８６の内部には、基板Ｗの形状に沿った円板状のアノード２１４がアノードホルダ２１６に保持されて垂直に設置されている。このアノード２１４は、めっき槽１８６内にめっき液１８８を満たした時に、このめっき液１８８中に浸漬され、基板ホルダ１６０で保持してめっき槽１８６内の所定の位置に配置される基板Ｗと対面する。
めっき槽１８６の内部には、アノード２１４とめっき槽１８６内の所定の位置に配置される基板ホルダ１６０との間に位置して、リング状のノズル配管２２０が配置されている。ノズル配管２２０は、めっき液供給ライン２１８に連結されている。ノズル配管２２０は、図４に示すように、基板Ｗの外形に沿った円形リング状に形成されており、このノズル配管２２０の円周方向に沿った所定の位置には、複数のめっき液噴射ノズル２２２が所定のピッチで設けられている。前述のようにして循環ポンプ２０８の駆動に伴って循環するめっき液１８８は、このめっき液噴射ノズル２２２から噴射されてめっき槽１８６内に供給される。
この例では、ノズル配管２２０は、内部に開口部２２４ａを有し、めっき槽１８６内をアノード側の区画と基板側の区画に仕切る矩形板状の固定板２２４に止め具２２６を介して固定されている。この開口部２２４ａの大きさは、ノズル配管２２０の内径とほぼ同じか、やや小径に設定されている。ノズル配管２２０は、固定板２２４の基板側に位置して、開口部２２４ａの周囲を囲むように配置されている。そして、めっき液噴射ノズル２２２は、このめっき液噴射ノズル２２２から噴射されるめっき液１８８が、基板ホルダ１６０で保持されてめっき槽１８６内の所定の位置に配置される基板Ｗのほぼ中央手前の合流点Ｐで合流する向きに配置されている。
リング状のノズル配管２２０に設けためっき液噴射ノズル２２２からめっき液１８８を噴射してめっき槽１８６内にめっき液１８８を供給して循環させる。この時に、めっき液噴射ノズル２２２から、基板Ｗの表面（被めっき面）に向けてめっき液１８８を噴射してめっき液１８８の強い噴流を当てることで、基板Ｗの表面全域における電位分布の均一性を乱すことを抑えつつ、めっき液１８８中のイオンを基板Ｗの表面に効率よく供給して、めっき膜質を劣化させることなく、めっき速度を高めることができる。しかも、めっき液噴射ノズル２２２から噴射させるめっき液１８８の流量および方向を、基板Ｗの表面近傍におけるめっき液１８８の流れがより均一となるように調整することで、基板Ｗの表面に形成されるめっき膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
特に、めっき液噴射ノズル２２２から噴射されるめっき液１８８が、基板Ｗの表面のほぼ中央手前の合流点Ｐで合流するようにすることで、合流しためっき液１８８の流れは、基板Ｗの表面のほぼ中央に垂直に当たる流れとなり、その後、基板Ｗの表面に沿って外方に拡がる流れに方向を変える。これにより、めっき液１８８の基板Ｗの表面に衝突した後の流れがめっき液１８８の排出流れと干渉することを防止して、一定の連続した安定しためっき液１８８の流れを形成することができる。
ノズル配管２２０、めっき液噴射ノズル２２２及び固定板２２４は、例えば、ＰＶＣ，ＰＰ，ＰＥＥＫ，ＰＥＳ，ＨＴ−ＰＶＣ，ＰＦＡ，ＰＴＦＥ，その他の樹脂系材料からなる誘電体から構成されていることが好ましい。これらの樹脂系材料は、めっき槽１８６内の電界分布が乱されてしまうことを防止するのに有効である。
めっき槽１８６の内部は、開口部２２４ａを設けた固定板２２４で仕切られている。めっき液１８８は、この開口部２２４ａを通過した後、オーバフロー槽２０２内に流入する。この結果、基板Ｗの全域に対する電位分布がより均一となる。
めっき装置１７０の操作は以下の通りである。先ず、めっき槽１８６の内部にめっき液１８８を満たしておく。そして、基板Ｗを保持した基板ホルダ１６０を下降させて、基板Ｗをめっき槽１８６内のめっき液１８８に浸漬させた所定の位置に配置する。この状態で、循環ポンプ２０８を駆動して、めっき液噴射ノズル２２２からめっき液１８８を基板Ｗの表面に向けて噴射してめっき槽１８６内に供給し、めっき液１８８を循環させる。同時に、導線２２８ａを介してアノード２１４をめっき電源２３０の陽極に接続し、導線２２８ｂを介して基板Ｗをめっき電源２３０の陰極に接続し、これによって、基板Ｗの表面に金属を析出させて金属膜を形成する。
この時、前述のように、めっき液噴射ノズル２２２から、基板Ｗの表面（被めっき面）に向けてめっき液１８８を噴射してめっき液１８８の強い噴流を当てることで、めっき膜質を劣化させることなく、めっき速度を高めることができる。しかも、基板Ｗの表面近傍におけるめっき液１８８の流れがより均一となるように調整することで、基板Ｗの表面に形成されるめっき膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
そして、めっき処理終了後、めっき電源２３０を基板Ｗ及びアノード２１４から切り離し、基板ホルダ１６０を基板Ｗごと上方に引き上げる。その後、基板Ｗの水洗及びリンス等の処理を行い、しかる後、めっき後の基板Ｗを次工程に搬送する。
このように構成しためっき設備による一連のバンプめっき処理を、図５を参照して説明する。先ず、図５（ａ）に示すように、基板Ｗの表面に給電層としてのシード層５００を成膜し、このシード層５００の全表面に、例えば高さＨが２０〜１２０μｍのレジスト５０２を塗布する。その後、レジスト５０２の所定の位置に、例えば直径Ｄ１が２０〜２００μｍ程度の開口部５０２ａを設ける。このようにして準備した基板Ｗを、その表面（被めっき面）を上にした状態で基板カセットに収容し、この基板カセットをロード・アンロードポート１２０に搭載する。
このロード・アンロードポート１２０に搭載した基板カセットから、第１搬送ロボット１２８で基板Ｗを１枚取出し、アライナ１２２に載せてオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ１２２で方向を合わせた基板Ｗを第１搬送ロボット１２８で前処理装置１２６に搬送する。この前処理装置１２６で、前処理液に純水を使用した前処理（水洗前処理）を施す。一方、ストッカ１６４内に鉛直姿勢で保管されていた基板ホルダ１６０を第２搬送ロボット１７４ａで取出し、これを９０゜回転させた水平状態にして基板脱着台１６２に２個並列に載置する。
そして、前述の前処理（水洗前処理）を施した基板Ｗを、この基板脱着台１６２に載置された基板ホルダ１６０に周縁部をシールして装着する。そして、この基板Ｗを装着した基板ホルダ１６０を第２搬送ロボット１７４ａで２基同時に把持し、上昇させた後、ストッカ１６４まで搬送する。基板ホルダ１６０を９０゜回転させて垂直な状態となして下降させ、２基の基板ホルダ１６０をストッカ１６４に吊下げ保持（仮置き）する。この操作を順次繰返して、ストッカ１６４内に収容された基板ホルダ１６０に順次基板を装着し、ストッカ１６４の所定の位置に順次吊り下げ保持（仮置き）する。
一方、基板を装着しストッカ１６４に仮置きした基板ホルダ１６０を第２搬送ロボット１７４ｂで２基同時に把持し、上昇させた後、活性化処理装置１６６に搬送する。活性化処理槽１８３に入れた硫酸や塩酸などの薬液に基板を浸漬させてシード層表面の電気抵抗の大きい酸化膜をエッチングし、清浄な金属面を露出させる。基板を装着した基板ホルダ１６０を、前記と同様にして、第１水洗装置１６８ａに搬送し、この水洗槽１８４ａに入れた純水で基板の表面を水洗する。
水洗が終了した基板を装着した基板ホルダ１６０を、前記と同様にしてめっき装置１７０に搬送し、めっき槽１８６内のめっき液１８８に浸漬させた状態でめっき槽１８６に吊り下げ支持することで、基板Ｗの表面にめっきを施す。所定時間経過後、基板を装着した基板ホルダ１６０を第２搬送ロボット１７４ｂで再度保持してめっき槽１８６から引き上げ、これによって、めっき処理を終了する。
そして、前述と同様にして、基板ホルダ１６０を第２水洗装置１６８ｂまで搬送し、この水洗槽１８４ｂに入れた純水に浸漬させて基板の表面を純水洗浄する。しかる後、この基板を装着した基板ホルダ１６０を、前記と同様にして、ブロー装置１７２に搬送する。ブロー装置１７２では、不活性ガスやエアーを基板に向けて吹き付けて、基板や基板ホルダ１６０に付着しためっき液や水滴を除去する。しかる後、この基板を装着した基板ホルダ１６０を、前記と同様にして、ストッカ１６４の所定の位置に戻して吊下げ保持する。
第２搬送ロボット１７４ｂは、上記作業を順次繰り返し、めっきが終了した基板を装着した基板ホルダ１６０を順次ストッカ１６４の所定の位置に戻して吊下げ保持する。
一方、めっき処理後の基板を装着しストッカ１６４に戻した基板ホルダ１６０を第２搬送ロボット１７４ａで２基同時に把持し、前記と同様にして、基板脱着台１６２上に載置する。
清浄空間１１４内に配置された第１搬送ロボット１２８は、この基板脱着台１６２上に載置された基板ホルダ１６０から基板を取出し、いずれかの洗浄・乾燥装置１２４に搬送する。そして、この洗浄・乾燥装置１２４で、表面を上向きにして水平に保持した基板を、純水等で洗浄し、高速回転させてスピン乾燥させる。しかる後、基板を第１搬送ロボット１２８でロード・アンロードポート１２０に搭載した基板カセットに戻して、一連のめっき処理を完了する。これにより、図５（ｂ）に示すように、レジスト５０２に設けた開口部５０２ａ内にめっき膜５０４を成長させた基板Ｗが得られる。
前述のようにしてスピン乾燥させた基板Ｗを、例えば温度が５０〜６０℃のアセトン等の溶剤に浸漬させて、図５（ｃ）に示すように、基板Ｗ上のレジスト５０２を剥離除去し、更に図５（ｄ）に示すように、めっき後の外部に露出する不要となったシード層５００を除去する。次に、この基板Ｗに形成しためっき膜５０４をリフローさせることで、図５（ｅ）に示すように、表面張力で丸くなったバンプ５０６を形成する。更に、この基板Ｗを、例えば、１００℃以上の温度でアニールして、バンプ５０６内の残留応力を除去する。
この例によれば、めっき空間１１６内での基板の受渡しをめっき空間１１６内に配置した第２搬送ロボット１７４ａ，１７４ｂで、清浄空間１１４内での基板の受渡しを該清浄空間１１４内に配置した第１搬送ロボット１２８でそれぞれ行っている。従って、基板の前処理、めっき処理及びめっきの後処理の全めっき工程を連続して行うめっき処理装置の内部における基板周りの清浄度を向上させるとともに、めっき処理装置としてのスループットを向上させ、更にめっき処理装置の付帯設備の負荷を軽減して、めっき処理装置としてのより小型化を図ることができる。
この例にあっては、めっき処理を行うめっき装置１７０として、フットプリントの小さいめっき槽１８６を有するものを使用している。従って、多数のめっき槽１８６を有するめっき装置１７０の更なる小型化を図り、工場付帯設備負荷をより軽減することができる。図１において２台設置されている洗浄・乾燥装置１２４の一方を、前処理装置に置き換えてもよい。
図６は、他のめっき装置（電気めっき装置）を示す。図６に示すめっき装置の図３及び図４に示すめっき装置と異なる点は、基板Ｗを保持してめっき槽１８６の所定の位置に配置される基板ホルダ１６０とめっき液噴射ノズル２２２を備えたノズル配管２２０との間に、中央孔２３２ａを有し、例えば肉厚が０．５〜１０ｍｍ程度で、ＰＶＣ，ＰＰ，ＰＥＥＫ，ＰＥＳ，ＨＴ−ＰＶＣ，ＰＦＡ，ＰＴＦＥ，その他の樹脂系材料からなる誘電体から構成される調整板（レギュレーションプレート）２３２を配置した点にある。図６に示すめっき装置の他の構成は、図３及び図４に示すめっき装置と同様である。
この例によれば、中央孔２３２ａを有する調整板２３２を介して、めっき槽１８６内の電位分布を調節して、基板Ｗの周縁部に成膜されるめっき膜の膜厚が厚くなる防止することができる。
図７は、更に他のめっき装置（電気めっき装置）を示す。図７に示すめっき装置の図６に示すめっき装置と異なる点は、基板Ｗを保持してめっき槽１８６の所定の位置に配置される基板ホルダ１６０と調整板２３２との間に、下方に垂下する攪拌翼（パドル）２３４を備えた攪拌機構２３６を配置した点である。攪拌機構２３６は、攪拌翼２３４を基板ホルダ１６０で保持された基板Ｗと平行に往復動させてめっき液１８８を攪拌する。
この例によれば、めっき中に攪拌機構２３６を介して攪拌翼２３４を基板Ｗと平行に往復動させて、調整板２３２と基板Ｗとの間に位置するめっき液１８８を攪拌することで、基板Ｗの表面に沿っためっき液１８８の流れを、基板Ｗの表面の全面でより均等にして、基板Ｗの全面に亘ってより均一な膜厚のめっき膜を形成することができる。
この例にあっては、攪拌翼２３４として、基板Ｗと対向する１辺に凹凸２３４ａを形成したものを使用している。このように、攪拌翼２３４として、基板Ｗと対向する１辺に凹凸２３４ａを形成したものを使用することで、下記の例のように、この攪拌翼２３４を往復運動させることにより、めっき液１８８中に多くの渦流を均一に且つ全般的に発生させることができる。これにより、基板Ｗの表面（被めっき面）に接するめっき液１８８の流れをより均一に且つ効果的に作用させて、基板Ｗの表面に膜厚の均一性がより良好な、即ちより均一な膜厚のめっき膜を形成することができる。
図８は、更に他のめっき装置（電気めっき装置）を示す。図８に示すめっき装置の図７に示すめっき装置と異なる点は、ノズル配管２２０のアノード２１４と対面する側にもアノード２１４に向けてめっき液１８８を噴射する複数のめっき液噴射ノズル２４０を設け、このめっき液噴射ノズル２４０から噴射されるめっき液１８８の噴流がアノード２１４に当たるようにした点である。このように、アノード２１４にもめっき液１８８の噴流が当たるようにすることで、アノード２１４の溶解速度を促進させ、これによって、電気めっきにおけるめっき速度の高速化にアノード２１４の溶解を追従させることができる。
前述の各例は、固定板２２４を介してノズル配管２２０をめっき槽１８６の内部に固定して配置している。基板ホルダ１６０で保持した基板Ｗに対して、前後、左右または上下、またはこれらの組合せた方向にノズル配管を移動させてもよい。ノズル配管を基板の表面と平行な面に沿って円運動させたり、図９に示すように、ノズル配管２２０を首振り運動させたりしてもよい。これにより、めっき膜の膜厚均一性を更に向上させることができる。このことは、以下の各例においても同様である。
図１０乃至図１２は、更に他のめっき装置を示す。この例は、表面（被めっき面）を下向きにして保持した基板Ｗの該表面に無電解めっきを施すようにした無電解めっき装置である。
この無電解めっき装置は、内部にめっき液（無電解めっき液）３００を保持する上方に開口しためっき槽３０２と、基板Ｗをその表面（被めっき面）を下向き（フェースダウン）にして着脱自在に水平に保持する上下動自在な基板ホルダ３０４を有している。めっき槽３０２の上部の周囲には、オーバフロー槽３０６が設けられ、このオーバフロー槽３０６には、めっき液排出ライン３０８が連結されている。めっき液供給ライン３１０に接続されたノズル配管３１２が、めっき槽３０２の内部の該めっき槽３０２に保持されるめっき液３００に浸漬される位置に水平に配置されている。このノズル配管３１２の円周方向に沿った所定の位置には、めっき液噴射ノズル３１４が所定のピッチで設けられている。めっき液排出ライン３０８とめっき液供給ラインとがめっき液循環ラインで結ばれていることは、前述の例と同様である。
このめっき液噴射ノズル３１４は、上方かつ内方（中央）に向けてめっき液３００を噴射し、めっき液噴射ノズル３１４から噴射されためっき液３００が基板Ｗの下面のほぼ中央手前で合流する向きに配置されている。
この例にあっては、基板ホルダ３０４で保持しめっき槽３０２の上端開口部を閉塞する位置に配置し、必要に応じて回転させた基板Ｗに向けてめっき液噴射ノズル３１４からめっき液３００を噴射してめっき液３００をめっき槽３０２内に供給し、めっき液３００を循環させて無電解めっきを行う。この例は、めっき液噴射ノズル３１４から、基板Ｗの表面（被めっき面）に向けてめっき液３００を噴射してめっき液３００の強い噴流を当てることで、めっき膜質を劣化させることなく、めっき速度を高めることができ、しかも、基板Ｗの表面近傍におけるめっき液３００の流れがより均一となるように調整することで、基板Ｗの表面に形成されるめっき膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
図１３に示すように、めっき液噴射ノズル３１４を有するセグメント３１６を、ジョイント３１８を介してリング状に連結して、ノズル配管３１２を構成するようにしてもよい。これにより、ノズル配管３１２の製作の便を図ることができる。このことは、前述の各例及び以下の例においても同様である。
図１４は、更に他のめっき装置を示す。この例は、表面（被めっき面）を下向きにして保持した基板Ｗの該表面に電気めっきを施すようにした電気めっき装置である。図１４に示すめっき装置の図１０乃至図１２に示すめっき装置と異なる点は、めっき液３００として、電気めっき用のめっき液を使用するとともに、めっき槽３０２の底部におけるノズル配管３１２の下方位置に、平板状のアノード３２０を配置している。めっき液噴射ノズル３１４からめっき液３００を基板Ｗの表面に向けて噴射しめっき槽３０２内に供給してめっき液を循環させ、同時に、導線３２２ａを介してアノード３２０をめっき電源３２４の陽極に接続し、導線３２２ｂを介して基板Ｗをめっき電源３２４の陰極に接続し、これによって、めっき（電気めっき）を行うようにした点にある。
なお、前述の各例にあっては、被めっき材としての基板Ｗとして円形のものを使用し、ノズル配管２２０，３１２として、この基板Ｗの外形に沿った円形リング状のものを使用している。例えば、被めっき材として、矩形状の基板等を使用する場合には、図１５に示すように、矩形リング状で、その四隅にめっき液噴射ノズル３４０を所定の向きに向けて設けたノズル配管３４２を使用するようにしてもよい。このノズル配管３４２は、矩形状の基板の全面により均一なめっき液の流れを形成することができる。
以上説明したように、上記各例によれば、被めっき材上の電位分布の均一性を乱すことを抑えつつ、めっき液中のイオンを被めっき面に効率よく供給して、めっき膜質を劣化させることなく、めっき速度を高めることができる。
図１６は、本発明の実施の形態のめっき装置（電気めっき装置）を示す。図１６に示すように、めっき装置６１０は、内部にめっき液を保持するめっき槽６１１を有し、このめっき液中に、基板ホルダ６１２に保持された基板Ｗとアノードホルダ６１４に保持されたアノード６１５が垂直且つ平行に対向して配置される。基板Ｗは、導線６１６を通してめっき電源６１７の陰極に接続され、アノード６１５は、導線６１８を通してめっき電源６１７の陽極に接続される。
基板Ｗとアノード６１５の間にめっき液を攪拌するための攪拌翼６１９を具備する攪拌機構６２０が設けられている。攪拌翼６１９は、めっき槽６１１の上部から底部に向かって略垂直に延びている。また、攪拌機構６２０は、攪拌翼６１９を基板Ｗに対して平行な方向に往復運動させる。攪拌翼６１９は、板状で、基板Ｗに対向する辺に三角形状の歯が連続する鋸歯状の凹凸６１９ａが形成されている。めっき槽６１１には、この内部にめっき液を供給するめっき液供給口６２１と、内部のめっき液を排出するめっき液排出口６２２が設けられている。
この例によれば、基板Ｗに対向する１辺に凹凸６１９ａが形成された攪拌翼６１９を、攪拌機構６２０により、基板Ｗに対して平行な方向に往復運動させることにより、めっき液中に多くの渦流が均一に且つ全般的に発生する。これにより、基板Ｗのめっき面に接するめっき液の流れが均一に且つ効果的に作用するため、基板Ｗの表面に膜厚の均一性が良好な、即ち均一な膜厚のめっき膜を形成することができる。
上記例では、攪拌機構６２０の攪拌翼６１９の基板Ｗに対向する辺に、図１７（ａ）に示すように、三角形状の歯が連続する鋸歯状の凹凸６１９ａを形成している。しかし、鋸歯状の凹凸は図１７（ａ）に示す例に限定されるものではなく、図１７（ｂ）に示すように、矩形が連続する鋸歯状の凹凸６１９ｂ、または図１７（ｃ）に示すように、多数の細い溝が所定の間隔で形成されてなる凹凸６１９ｃでもよい。攪拌翼６１９の一辺に、三角形状の歯が連続する鋸歯状の凹凸６１９ａ、矩形が連続する鋸歯状の凹凸６１９ｂ、或いは多数の細い溝が所定の間隔で形成されてなる凹凸６１９ｃを形成することにより、攪拌翼６１９の往復運動によって生じためっき液の流れは多くの渦流を均一に且つ全般的に発生させ、基板Ｗに接するめっき液の流れが均一に且つ効果的に作用するから、基板Ｗの表面により膜厚の均一性が良好なめっき膜を形成できる。
図１８は、本発明の他の実施の形態のめっき装置（電気めっき装置）を示す。図１８に示すめっき装置において、図１７と同一符号を付した部分は、図１７と同一または相当部分を示す。このことは、他の図面においても同様である。図１８に示すように、このめっき装置６１０の攪拌機構６２０は、鋸歯状の凹凸６１９ａを形成した辺を基板Ｗに向けて配置した複数（図では２つ）の攪拌翼６１９を有している。攪拌機構６２０の攪拌翼６１９を基板Ｗに対して平行な方向に往復運動させることにより、めっき液中に多くの渦流がより均一に且つ全般的に発生して、基板Ｗに接するめっき液の流れが均一に且つ効果的に作用し、基板Ｗの表面（被めっき面）に膜厚の均一性が良好なめっき膜を形成できる。各攪拌翼６１９は、図１７（ａ）乃至１７（ｃ）に示す凹凸６１９ａ，６１９ｂまたは６１９ｃのいずれを有している。
図１９（ａ）は、他の攪拌機構の平面図で、図１９（ｂ）は、他の攪拌機構の正面図である。図１９に示すように、攪拌機構６２０は、複数（図１９では２個）の攪拌翼６１９，６１９を有し、各攪拌翼６１９，６１９は、夫々独立した駆動機構６２３，６２３で駆動される。各駆動機構６２３は、駆動モータ６２３−１、クランク６２３−２、案内部材６２３−３、駆動軸６２３−４及び軸受６２３−５を有している。攪拌翼６１９は、駆動軸６２３−４の先端部に取付けられている。各攪拌翼６１９，６１９は、図１６に示すように、めっき槽６１１の上部から底部に向かって略垂直に延びる。
駆動モータ６２３−１を駆動して矢印Ａに示すように回転させると、駆動モータ６２３−１の回転軸に一端を取付けられたクランク６２３−２の他端が案内部材６２３−３の案内溝６２３−３ａに沿って往復運動する。クランク６２３−２の他端に連結された駆動軸６２３−４が軸受６２３−５に支持されて、矢印Ｂに示すように往復運動し、駆動軸６２３−４の先端部に取付けられた攪拌翼６１９が往復運動する。
上記のように、この例の攪拌機構６２０は、複数（図１９では２個）の攪拌翼６１９，６１９を具備し、各攪拌翼６１９，６１９は、夫々独立した駆動機構６２３，６２３で駆動される。複数の攪拌翼６１９，６１９を夫々独立した駆動機構６２３，６２３により駆動することにより、めっき液の攪拌分布状態を調整することができ、基板Ｗの表面（被めっき面）に均一性の良好な膜厚のめっき膜を形成できる。
図１９に示す攪拌機構６２０の各駆動機構６２３に取付けられている攪拌翼６１９は同じ形状である。しかし、各攪拌翼の形状は、異なった形状でもよい。即ち、図２０に示す攪拌機構では、ほぼ等しい長さの攪拌翼６２４，６２５を上下に配置し、各攪拌翼６２４，６２５をそれぞれ独立した駆動機構６２３，６２３で往復運動させるようにしている。各攪拌翼６２４，６２５の攪拌面が略一致するように、各攪拌翼６２４，６２５の１辺の先端６２４ａ，６２５ａを一致させ、それぞれの攪拌翼６２４，６２５で上下の異なる領域のめっき液を攪拌できるようにしている。図２１に示す攪拌機構では、長さの長い攪拌翼６３２と長さの短い攪拌翼６３４とを上下に配置して、各攪拌翼６３２，６３４をそれぞれ独立した駆動機構６２３で往復運動させるようにしている。そして各攪拌翼６３２，６３４の攪拌面が略一致するように、各攪拌翼６３２，６３４の１辺の先端６３２ａ，６３４ａを一致させ、それぞれの攪拌翼６３２，６３４で上下の異なる領域のめっき液を攪拌できるようにしている。このように、異なった形状の攪拌翼を任意に選択して使用することにより、めっき液の攪拌分布状態を調整することができ、基板Ｗの表面に均一性の良好なめっき膜を形成できる。
図２２は、更に他の攪拌翼を示す。図２２に示すように、攪拌翼６２６は、回動軸６２７に取付けられ、この回動軸６２７の回動により攪拌翼６２６の角度を変えることができる。このような攪拌翼６２６を、往復運動する駆動機構（例えば、図１９に示す駆動機構６２３）に、例えば図２３及び図２４に示すように、複数個（図では３個）取付ける。図２３に矢印Ｄで、図２４に矢印Ｃでそれぞれ示すように、攪拌翼６２６を基板Ｗの表面（被めっき面）Ｗａに対して平行に往復運動させ、攪拌翼６２６の運動方向の変化に合わせて回動軸６２７を回動させ、攪拌翼６２６の基板Ｗに対する角度を変化させる。
上記のように、攪拌機構の攪拌翼に図２２に示す構成の攪拌翼６２６を用い、図２３及び図２４に示すように、攪拌翼６２６の運動方向の変化に合わせて攪拌翼６２６の基板Ｗに対する角度を変化させることにより、図２３及び２４に示すように、図２３に矢印Ｆで、図２４に矢印Ｅでそれぞれ示す流れがめっき液中に生じる。この攪拌翼６２６の動きによって生じるめっき液の流れを均一に且つ全般的に発生させ、めっき液が基板Ｗの被めっき面に、均一且つ効果的に作用させて、基板Ｗの表面に均一性の良好な膜厚のめっき膜を形成することができる。特に攪拌翼６２６を複数とすることにより、よりめっき液の流れが基板Ｗの表面Ｗａの近傍に、均一に且つ全般的に発生するから、基板Ｗの表面Ｗａに均一性の良好な膜厚のめっき膜を形成することができる。
図２５は、更に他のめっき装置（電気めっき装置）を示す。図２５に示すように、このめっき装置は、めっき槽６１１内に対向して配置された基板Ｗとアノード６１５の間に対向して配置された、攪拌翼６２８，６２８を具備する２個の攪拌機構６２９，６３０を有している。一方の攪拌機構６２９は基板Ｗに接近させて配置され、他方の攪拌機構６３０はアノード６１５に接近させて配置されている。基板Ｗ及びアノード６１５の双方に接するめっき液の流れを、一方の攪拌機構６２９の攪拌翼６２８（第１の攪拌翼）及び他方の攪拌機構６３０の攪拌翼６２８（第２の攪拌翼）を介して、より均一に且つ効果的に作用させることで、基板Ｗの表面に均一性の良好なめっき膜を形成できる。
図２５に示す構成のめっき装置においては、攪拌機構６２９，６３０の攪拌翼６２８，６２８を、基板Ｗ及びアノード６１５に対向する辺に凹凸を設けていない攪拌翼６２８，６２８としている。
図２６は、本発明の更に他の実施の形態のめっき装置を示し、基板Ｗ及びアノード６１５に対向する辺に、図１７（ａ）に示すように、三角形状の歯が連続する鋸歯状の凹凸６１９ａを形成した攪拌翼６１９を攪拌機構６２９，６３０に取付けている。この三角形状の歯が連続する鋸歯状の凹凸６１９ａを形成した攪拌翼６１９の代わりに、図１７（ｂ）に示すように、矩形が連続する鋸歯状の凹凸６１９ｂ、または図１７（ｃ）に示すように、多数の細い溝が所定の間隔で形成されてなる凹凸６１９ｃを形成した攪拌翼６１９を使用してもよい。
図２５及び図２６に示すめっき装置において、攪拌機構６２９，６３０は一体として矢印Ｇに示すように往復運動させても良いし、また、別々に往復運動させても良い。
以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明は上記実の施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。明細書及び図面に直接記載がない何れの形状や構造や材質であっても、本願発明の作用・効果を奏する以上、本願発明の技術的思想の範囲内である。
本発明は、基板の表面にめっきを施すめっき装置に係り、特に半導体ウェーハの表面に設けられたトレンチやビヤホール、レジスト開口部にめっき膜を形成したり、半導体ウェーハの表面にパッケージの電極と電気的に接続するバンプを形成したりするのに使用されるめっき装置に関する。

Claims (3)

  1. 内部にめっき液を供給するめっき液供給口を底部に有し内部にめっき液を保持するめっき槽と、
    被めっき材を保持し前記めっき槽内のめっき液に浸漬させて鉛直方向に配置するホルダと、
    前記めっき槽内のめっき液中に浸漬されて該めっき液を攪拌する攪拌翼を備えた攪拌機構とを有し、
    前記攪拌翼は、前記めっき槽の上部から底部に向かって鉛直に延びる板状部材からなり、被めっき材の被めっき面と対向する位置に配置され該被めっき面に平行に横方向に往復運動してめっき液を攪拌するように構成され、
    前記攪拌翼の前記被めっき材と対向する辺には、該攪拌翼の往復運動に伴ってめっき液中に渦流を発生させる凹凸が形成されていることを特徴とするめっき装置。
  2. 前記攪拌翼に形成された凹凸は、三角形または矩形が連続する鋸歯状、または多数の細い溝を所定の間隔で形成した形状であることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
  3. 前記攪拌機構は、複数の攪拌翼を有することを特徴とする請求項１または２記載のめっき装置。
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1668174A2 (en) 2003-10-02 2006-06-14 Ebara Corporation Plating method and apparatus
KR101146525B1 (ko) * 2005-06-30 2012-05-25 엘지디스플레이 주식회사 기판 고정 지그 및 그 제조방법
NL1032540C2 (nl) * 2006-09-19 2008-03-20 Meco Equip Eng Inrichting voor het elektrolytisch neerslaan van materiaal op een plaatvormig substraat.
JP4684979B2 (ja) * 2006-10-19 2011-05-18 本田技研工業株式会社 メッキ装置
JP2008121062A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Ebara Corp めっき装置及びめっき方法
DE102007026633B4 (de) * 2007-06-06 2009-04-02 Atotech Deutschland Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmiger Ware
DE102007026635B4 (de) * 2007-06-06 2010-07-29 Atotech Deutschland Gmbh Vorrichtung zum nasschemischen Behandeln von Ware, Verwendung eines Strömungsorgans, Verfahren zum Einbauen eines Strömungsorgans in die Vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer nasschemisch behandelten Ware
JP4942580B2 (ja) * 2007-08-20 2012-05-30 株式会社荏原製作所 アノードホルダ用通電ベルトおよびアノードホルダ
US8784636B2 (en) * 2007-12-04 2014-07-22 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method
US8177944B2 (en) * 2007-12-04 2012-05-15 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method
JP4547016B2 (ja) * 2008-04-04 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、半導体製造方法
JP5155755B2 (ja) * 2008-07-10 2013-03-06 株式会社荏原製作所 磁性体膜めっき装置及びめっき処理設備
DK2435373T3 (da) * 2009-05-29 2015-06-22 Holger Blum Fremgangsmåde og indretning til behandling af ballastvand med acrolein
US9653339B2 (en) 2010-02-16 2017-05-16 Deca Technologies Inc. Integrated shielding for wafer plating
US20110284385A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Pioneer Metal Finishing Method and Apparatus For Anodizing Objects
KR101693217B1 (ko) * 2010-07-20 2017-01-05 주식회사 케이엠더블유 전기도금 장치
US9222194B2 (en) * 2010-08-19 2015-12-29 International Business Machines Corporation Rinsing and drying for electrochemical processing
KR101153537B1 (ko) * 2010-09-10 2012-06-11 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 도금 장치
JP6092653B2 (ja) * 2012-02-27 2017-03-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び洗浄方法
JP5788349B2 (ja) * 2012-03-19 2015-09-30 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
CN102660764B (zh) * 2012-05-25 2014-07-16 深圳顺络电子股份有限公司 一种镀篮内阴极
US8920616B2 (en) * 2012-06-18 2014-12-30 Headway Technologies, Inc. Paddle for electroplating for selectively depositing greater thickness
MX353819B (es) * 2012-07-02 2018-01-31 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp Dispositivo de electrodeposicion.
EP3117028B1 (en) * 2014-03-11 2019-11-20 Qualital Servizi S.r.l. Plant and process for the anodizing treatment of products made of aluminium or its alloys
SG11201604287YA (en) 2014-05-12 2016-07-28 Yamamoto Ms Co Ltd Plating apparatus and container bath
JP6411943B2 (ja) * 2014-05-26 2018-10-24 株式会社荏原製作所 基板電解処理装置、および該基板電解処理装置に使用されるパドル
GB2564894B (en) 2017-07-27 2021-11-24 Semsysco Gmbh System for chemical and/or electrolytic surface treatment
JP6995544B2 (ja) 2017-09-20 2022-01-14 上村工業株式会社 表面処理装置および表面処理方法
WO2019078063A1 (ja) * 2017-10-20 2019-04-25 アルメックスＰｅ株式会社 表面処理装置
JP6966958B2 (ja) * 2018-03-01 2021-11-17 株式会社荏原製作所 めっき液を撹拌するために用いるパドルおよびパドルを備えるめっき装置
JP6790016B2 (ja) * 2018-04-10 2020-11-25 上村工業株式会社 表面処理装置、表面処理方法及びパドル
JP6895927B2 (ja) * 2018-05-28 2021-06-30 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
KR102159043B1 (ko) * 2018-07-05 2020-09-23 주식회사 테토스 웨이퍼 도금 시스템
US11136688B1 (en) * 2018-08-08 2021-10-05 University Of Louisville Research Foundation, Inc. Use of electropolishing for uniform surface treatment of metal components with complex external geometries
CN110888305A (zh) * 2018-09-07 2020-03-17 王彦智 高阶负型光阻剥膜槽
JP7034880B2 (ja) * 2018-10-05 2022-03-14 株式会社荏原製作所 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法
US10865496B2 (en) * 2018-10-30 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Plating apparatus and plating method
CN210176983U (zh) * 2019-03-22 2020-03-24 Pyxis Cf私人有限公司 电镀设备
JP7169939B2 (ja) * 2019-05-27 2022-11-11 株式会社荏原製作所 湿式基板処理装置
JP7383441B2 (ja) * 2019-10-07 2023-11-20 上村工業株式会社 表面処理装置、表面処理方法及びパドル
CN110970331A (zh) * 2019-10-14 2020-04-07 Pyxis Cf私人有限公司 湿法处理设备及其操作方法
CN112442725B (zh) * 2020-11-27 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 电化学沉积设备组和电化学沉积方法
KR102528900B1 (ko) * 2020-11-30 2023-05-04 주식회사 호진플라텍 도금액 순환, 도금액 교반 및 기포 제거를 동시에 수행하는 하이브리드 패들을 포함하는 기판용 도금장치
US11866842B2 (en) * 2021-01-20 2024-01-09 Ebara Corporation Short circuit detection method in plating apparatus, control method of plating apparatus, and plating apparatus
TWI784691B (zh) * 2021-08-27 2022-11-21 台灣先進系統股份有限公司 水平式電鍍系統
CN113798247B (zh) * 2021-09-28 2023-05-12 京东方科技集团股份有限公司 镀后清洗风干机构、系统、方法及电化学沉积设备
TWI813129B (zh) * 2022-01-06 2023-08-21 日月光半導體製造股份有限公司 化學鍍槽、化學鍍系統及化學鍍方法
CN116497302B (zh) * 2023-06-21 2023-11-24 山东华辉通信科技有限公司 一种通讯铁塔加工防锈用镀锌设备

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53119227A (en) * 1977-03-28 1978-10-18 Sankuesuto Kk Plating method
JPS592116Y2 (ja) * 1979-09-05 1984-01-20 松下電器産業株式会社 メッキ装置
JPS59208092A (ja) * 1983-05-11 1984-11-26 Hitachi Ltd 貴金属メツキ法
JPS61270889A (ja) * 1985-05-25 1986-12-01 三菱電機株式会社 めつき装置
JPH05331679A (ja) * 1992-06-01 1993-12-14 Sumitomo Metal Ind Ltd めっき装置
JPH0754189A (ja) * 1993-08-12 1995-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気メッキ装置
US5421987A (en) * 1993-08-30 1995-06-06 Tzanavaras; George Precision high rate electroplating cell and method
JPH07210823A (ja) * 1994-01-10 1995-08-11 Fuji Elelctrochem Co Ltd 薄膜磁気ヘッドの磁極形成方法
US5683564A (en) * 1996-10-15 1997-11-04 Reynolds Tech Fabricators Inc. Plating cell and plating method with fluid wiper
JPH10317199A (ja) * 1997-05-20 1998-12-02 Hitachi Metals Ltd めっき方法およびめっき装置
JPH11181590A (ja) * 1997-12-17 1999-07-06 Hitachi Ltd 電解めっき方法および装置
US6071388A (en) * 1998-05-29 2000-06-06 International Business Machines Corporation Electroplating workpiece fixture having liquid gap spacer
US6395152B1 (en) 1998-07-09 2002-05-28 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices
CN1319130C (zh) * 1999-12-24 2007-05-30 株式会社荏原制作所 半导体基片处理装置及处理方法
US6547937B1 (en) * 2000-01-03 2003-04-15 Semitool, Inc. Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece
CN2405647Y (zh) * 2000-01-21 2000-11-15 华东师范大学 液体搅拌装置
KR100804714B1 (ko) * 2000-03-17 2008-02-18 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금장치 및 방법
KR100800531B1 (ko) 2000-06-30 2008-02-04 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 구리 도금액, 도금 방법 및 도금 장치
JP2002115096A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Applied Materials Inc めっき装置
JP3501747B2 (ja) * 2000-10-26 2004-03-02 秀行 小林 メッキ装置の流量調整可能なメッキ液噴出ノズルシステム
JP3340724B2 (ja) * 2000-12-01 2002-11-05 丸仲工業株式会社 メッキ装置のメッキ液噴出ノズル装置
CN2471797Y (zh) * 2001-01-15 2002-01-16 太原风华高新技术有限公司 电镀用循环过滤搅拌装置
US20030155185A1 (en) * 2001-03-08 2003-08-21 Masami Nomura Elevator
JP2002367998A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Ebara Corp 半導体装置及びその製造方法
US6875333B2 (en) * 2002-02-14 2005-04-05 Electroplating Engineers Of Japan Limited Plating apparatus for wafer
US7390383B2 (en) * 2003-07-01 2008-06-24 Semitool, Inc. Paddles and enclosures for enhancing mass transfer during processing of microfeature workpieces

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