CN112442725B - 电化学沉积设备组和电化学沉积方法 - Google Patents
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Abstract
公开一种电化学沉积设备组和电化学沉积方法,电化学沉积设备组包括:电化学沉积装置,被配置为在基板的待镀膜区域形成电化学沉积膜层;抗氧化处理装置,位于所述电化学沉积装置的一侧,被配置为对形成有电化学沉积膜层的所述基板进行抗氧化处理;传输装置,被配置为装载所述基板,并至少带动所述基板从所述电化学沉积装置移动至所述抗氧化处理装置。
Description
技术领域
本公开涉及电化学沉积领域,具体涉及一种电化学沉积设备组和电化学沉积方法。
背景技术
电化学沉积工艺是一种低成本的化学性成膜方式,可以沉积得到任意厚度的金属层。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种电化学沉积设备组和电化学沉积方法。
为了实现上述目的,本公开提供一种电化学沉积设备组,包括:
电化学沉积装置,被配置为在基板的待镀膜区域形成电化学沉积膜层;
抗氧化处理装置,位于所述电化学沉积装置的一侧,被配置为对形成有电化学沉积膜层的所述基板进行抗氧化处理;
传输装置,被配置为装载所述基板,并至少带动所述基板从所述电化学沉积装置移动至所述抗氧化处理装置。
在一些实施例中,所述抗氧化处理装置包括:
所述抗氧化处理装置包括:
抗氧化槽;
第一集液箱,所述第一集液箱的第一进液口与提供抗氧化溶液的供给装置连通,所述第一集液箱的第二进液口与所述抗氧化槽的出液口连通;
第一过滤机构,所述第一过滤机构的进液口与所述第一集液箱的出液口连通,所述第一过滤机构被配置为对接收到的抗氧化溶液进行过滤;
设置在所述抗氧化槽内的多个第一喷头,所述第一喷头与所述第一过滤机构的出液口连通,被配置为向对形成有电化学沉积膜层的所述基板喷涂过滤后的抗氧化溶液;
其中,所述抗氧化溶液用于与所述电化学沉积膜层发生化学反应,以在所述电化学沉积膜层的表面形成保护层。
在一些实施例中,还包括:酸洗装置,被配置为向所述基板的待镀膜区域喷涂酸性溶液;
所述传输装置还被配置为,带动所述基板从所述酸洗装置移动至所述电化学沉积装置。
在一些实施例中,所述酸洗装置包括:
酸洗槽;
第二集液箱,所述第二集液箱的第一进液口与提供酸洗溶液的供给装置连通,所述第二集液箱的第二进液口与所述酸洗装置的出液口连通;
第二过滤机构,所述第二过滤机构的其进液口与所述第二集液箱的出液口连通,所述第二过滤机构被配置为对接收到的酸性溶液进行过滤;
设置在所述酸洗槽内的多个第二喷头,所述第二喷头与所述第二过滤机构的出液口连通,被配置为向所述基板喷涂过滤后的酸性溶液。
在一些实施例中,还包括:第一清洗装置,所述第一清洗装置位于所述抗氧化处理装置靠近所述电化学沉积装置的一侧,被配置为向所述基板喷涂第一清洗液;
其中,所述传输装置带动所述基板从所述电化学沉积装置移动至所述抗氧化处理装置,具体包括:所述传输装置带动所述基板从所述电化学沉积装置依次移动至所述第一清洗装置,并从所述第一清洗装置移动至所述抗氧化处理装置。
在一些实施例中,还包括:第二清洗装置和干燥装置;
所述第二清洗装置位于所述抗氧化处理装置远离所述第一清洗装置的一侧,被配置为向所述基板喷涂第二清洗液;
所述干燥装置被配置为对所述基板进行干燥;
其中,所述传输装置还被配置为,带动所述基板从所述抗氧化处理装置依次移动至所述第二清洗装置和所述干燥装置。
在一些实施例中,所述传输装置包括:
载具,被配置为装载所述基板;
设置在所述电化学沉积装置两侧的导轨,所述导轨沿第一方向延伸,所述第一方向为所述电化学沉积装置和所述抗氧化处理装置的排列方向;
支架,设置在所述导轨上;
抓取机构,设置在所述支架上,被配置为对所述载具进行取放;
驱动机构,与所述支架连接,被配置为驱动所述支架沿所述导轨移动。
在一些实施例中,第一直立部、第二直立部、以及连接在所述第一直立部与所述第二直立部之间的升降横梁,所述第一直立部和所述第二直立部分别设置在所述电化学沉积装置两侧的导轨上,所述抓取机构设置在所述升降横梁上。
在一些实施例中,还包括:上下料装置和装载装置;
所述上下料装置被配置为接收待进行电化学沉积的基板,并将接收到的所述基板由水平状态翻转为直立状态后,传送给所述装载装置;
所述装载装置位于所述上下料装置和所述电化学沉积装置之间,被配置为将处于直立状态的所述基板固定在所述载具上。
在一些实施例中,还包括:存放架,所述存放架位于所述电化学沉积装置远离所述抗氧化处理装置的一侧,被配置为存放所述载具。
本公开实施例还提供一种电化学沉积方法,包括:
对待进行电化学沉积的基板进行电化学沉积,以在所述基板的待镀膜区域形成电化学沉积膜层;
对形成有电化学沉积膜层的基板进行抗氧化处理。
在一些实施例中,对待进行电化学沉积的基板进行电化学沉积,之前还包括:
向所述基板喷涂酸性溶液。
在一些实施例中,对形成有电化学沉积膜层的基板进行抗氧化处理,之前还包括:对经过电化学沉积的所述基板进行第一次清洗;
对形成有电化学沉积膜层的基板进行抗氧化处理,之后还包括:对所述基板进行第二次清洗,并对第二次清洗后的基板进行干燥。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本公开,但并不构成对本公开的限制。在附图中:
图1A为本公开的一些实施例中提供的电化学沉积设备组的整体俯视图。
图1B为本公开的一些实施例中提供的电化学沉积设备组的立体图。
图2为本公开的一些实施例中提供的传输装置的示意图。
图3为本公开的一些实施例中提供的电化学沉积装置的示意图。
图4A为本公开的一些实施例中提供的抗氧化处理装置的整体示意图。
图4B为本公开的一些实施例中提供的抗氧化处理装置中抗氧化槽、第一集液箱和第一喷头的位置关系示意图。
图5A为本公开的一些实施例中提供的酸洗装置的示意图。
图5B为本公开的一些实施例中提供的酸洗装置中酸洗槽、第二集液箱和第二喷头的位置关系示意图。
图6A为本公开的一些实施例中提供的第一清洗装置的示意图。
图6B为本公开的一些实施例中提供的第一清洗装置中清洗槽、第三集液箱和第三喷头的位置关系示意图。
图7为本公开的一些实施例中提供的存放架的示意图。
图8为本公开的一些实施例中提供的第二供给装置的示意图。
图9为本公开的一些实施例提供的电化学沉积方法流程图。
图10为本公开的另一些实施例提供的电化学沉积方法的流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开,并不用于限制本公开。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
这里用于描述本公开的实施例的术语并非旨在限制和/或限定本公开的范围。例如,除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。应该理解的是,本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同,并不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则所述相对位置关系也可能相应地改变。
图1A为本公开的一些实施例中提供的电化学沉积设备组的整体俯视图,图1B为本公开的一些实施例中提供的电化学沉积设备组的立体图,如图1A和图1B所示,电化学沉积设备组包括:电化学沉积装置10、抗氧化处理装置20和传输装置30。
其中,电化学沉积装置10被配置为对基板进行电化学沉积,以在基板的待镀膜区域形成电化学沉积膜层。可以理解的是,电化学沉积是指在外电场作用下,通过包含金属离子的电解质溶液中正负离子的迁移,在阴极产生金属离子的还原而在基板上获得金属镀层的技术。例如,电解质溶液中的金属离子为铜离子时,获得的金属镀层即为铜膜层。
抗氧化处理装置20位于电化学沉积装置10的一侧,被配置为对形成有电化学沉积膜层的基板进行抗氧化处理。该抗氧化处理可以为,向基板上的电化学沉积膜层喷涂抗氧化溶液,以使电化学沉积膜层的一部分与抗氧化溶液发生反应,从而在电化学沉积膜层的表面形成保护层。
传输装置30被配置为装载基板,并至少带动基板从电化学沉积装置移动至抗氧化处理装置,从而使基板在进行完电化学沉积过程中,进行抗氧化处理。
可选地,电化学沉积设备组还包括第一供给装置91和第二供给装置92,第一供给装置91被配置为向电化学沉积装置10提供用于进行电化学沉积的电解质溶液;第二供给装置92被配置为,至少向抗氧化处理装置20提供抗氧化溶液。
发明人发现,在进行电化学沉积的工艺过程中,当基板上形成电化学沉积膜层之后,该电化学沉积膜层很快会被氧化,从而导致电化学沉积膜层的电学性能变差(例如,电阻增大),这种情况下,当形成有电化学沉积膜层的基板用于显示装置中时,会影响显示装置的信号传输效果,进而影响显示装置的显示效果。而在本公开实施例中,在电化学沉积装置10在基板上形成电化学沉积膜层之后,传输装置30将带动基板从电化学沉积装置10移动至抗氧化处理装置,从而抗氧化处理装置20对基板上的电化学沉积膜层进行抗氧化处理,从而在电化学沉积膜层的表面形成保护层,防止电化学沉积膜层发生氧化,保证了电化学沉积膜层的电学性能。
图2为本公开的一些实施例中提供的传输装置的示意图,如图2所示,传输装置30包括:载具31、支架32、抓取机构34、驱动机构(未示出)设置在电化学沉积装置10两侧的导轨33。导轨33沿第一方向延伸,该第一方向即为电化学沉积装置10和抗氧化处理装置的排列方向。如图1B所示,导轨33设置在安装架100上。
其中,载具31被配置为装载基板。当载具31所装载的基板进行电化学沉积工艺时,载具31与电源的负向输出端连接,电化学沉积装置10的阳极结构连接电源的正向输出端,从而在阳极结构与基板之间形成电场,进而使用于进行电化学沉积的电解质溶液中的金属离子(例如,Cu离子或Ni离子或Ag离子等)附着在基板上,形成电化学沉积膜层。
支架32可滑动地设置在导轨33上,驱动机构与支架32连接,被配置为驱动支架32沿导轨33移动。例如,支架32可以包括:第一直立部321、第二直立部322、以及连接在第一直立部321和第二直立部322之间的升降横梁323,升降横梁323的两端分别可滑动地设置在第一直立部321和第二直立部322上,从而使升降横梁323可以升降。
抓取机构34设置在支架32上,被配置为对载具31进行取放。抓取机构34可以设置在升降横梁323上。例如,抓取机构34可以包括吊钩,该吊钩用于勾起载具31;或者,抓取机构34包括夹具,该夹具用于夹持载具31。通过升降横梁323的升降,可以带动抓取机构34升降,进而带动载具31升降。例如,当进行电化学沉积时,升降横梁323带动载具31下降,从而将载具31放置在电化学沉积装置10的待进行电化学沉积工艺的区域。之后,升降横梁323带动载具31上升,并沿导轨33移动,待移动至抗氧化处理装置20上方时,升降横梁323下降,从而将载具31上的基板放置在抗氧化处理装置20的待进行抗氧化工艺的区域。
图3为本公开的一些实施例中提供的电化学沉积装置的示意图,如图3所示,电化学沉积装置10包括:阳极结构12、容纳槽11。在进行电化学沉积时,容纳槽11中容纳有电解质溶液,阳极结构12和装载有基板的载具31均设置在容纳槽11中,基板的表面上形成有种子层,阳极结构12和载具31相对设置。载具31连接电源的负向输出端,并将电源的负向输出端与基板上的种子层电连接。阳极结构12连接电源的正向输出端,从而在阳极结构12与基板之间形成电场,进而使电解质溶液中的金属离子(例如,Cu离子或Ni离子或Ag离子等)附着在基板上,形成电化学沉积膜层。
其中,可以利用载具31同时装载两个基板,相应地,阳极结构12的数量为两个,两个阳极结构12相对设置,并分别位于载具31所装载的基板两侧,从而同时对两个基板进行电化学沉积,进而提高产能,并节省电解质溶液。
电化学沉积装置10还可以包括:排气管路14、排液管路15和第四过滤机构13,排液管路15的入口与容纳槽11连通。第四过滤机构13具有过滤入口和过滤出口,过滤入口与排液管路15的出口连通,过滤出口与容纳槽11的进液口连通,第四过滤机构13用于对流入其进液口的电解质溶液进行过滤,从而滤除电解质溶液中的一些杂质。排气管路14与排液管路15的顶部连通,从而排出电解质溶液中的气体。
在电化学沉积装置10中,容纳槽11中的至少一部分电解质溶液从出液口流入第四过滤机构13,第四过滤机构13将电解质溶液中的杂质滤除,并将过滤后的电解质溶液提供给容纳槽11,从而实现循环,节约生产成本。当一定数量的基板完成电化学沉积后,第四过滤机构13输出的电解质溶液的浓度低于预定值,此时,第一供给装置91可以向容纳槽11中补充电解质溶液。
图4A为本公开的一些实施例中提供的抗氧化处理装置的整体示意图,图4B为本公开的一些实施例中提供的抗氧化处理装置中抗氧化槽、第一集液箱和第一喷头的位置关系示意图,如图4A和图4B所示,抗氧化处理装置20包括:第一过滤机构21、抗氧化槽22、第一集液箱24、设置在抗氧化槽22内的多个第一喷头23。例如,第一喷头23在抗氧化槽22的内壁上呈阵列分布。
第一集液箱24位于抗氧化槽22下方,第一集液箱24与抗氧化槽22可以形成一体结构。第一集液箱24的第一进液口与第二供给装置92连通,以接收第二供给装置92所提供的抗氧化溶液;第一集液箱24的第二进液口与抗氧化槽22的出液口连通,第一集液箱24的出液口与第一过滤机构21的进液口连通,第一过滤机构21的出液口与第一喷头23的进液口连通。第一过滤机构21配置为对接收到的抗氧化溶液进行过滤,从而滤除抗氧化溶液中的杂质。该抗氧化溶液用于与基板上的电化学沉积膜层发生化学反应,以在电化学沉积膜层的表面形成保护层。
在抗氧化处理装置20中,第一喷头23向基板喷射的抗氧化溶液与基板上的电化学沉积膜层发生反应后,从抗氧化槽22的出液口流入第一集液箱24中,再从第一集液箱24进入第一过滤机构21,第一过滤机构21将溶液中的杂质滤除,并将过滤后的溶液提供给第一喷头23,从而实现循环,节约生产成本。在对一定数量的基板进行抗氧化处理后,第一过滤机构21输出的抗氧化溶液的浓度低于预定值,此时,第二供给装置92可以向第一集液箱24的第一进液口补充抗氧化溶液。
在一些实施例中,如图1A和图1B所示,电化学沉积设备组还包括:上下料装置50、装载装置40和酸洗装置60。
上下料装置50被配置为,接收上游侧的设备所传输来的待进行电化学沉积的基板,其中,上下料装置50接收到的基板处于水平状态,此时,上下料装置50还用于将基板由水平状态翻转为直立状态后,传输给装载装置40。上下料装置50具体可以包括:机械手和机械手驱动结构,机械手用于固定基板,例如,机械手上设置有吸盘,通过吸附的方式固定基板。机械手驱动结构用于驱动机械手翻转和移动,以将基板由水平状态翻转为直立状态后,传输给装载装置40。装载装置40位于上下料装置50远离电化学沉积装置10的一侧,被配置为将处于直立状态的基板固定在载具31上。
另外,装载装置40还可以将基板从载具31上卸载,并将卸载下来的基板传输至上下料装置50,上下料装置50还可以将基板从直立状态翻转为水平状态后,将基板传送给下游侧的设备。
其中,酸洗装置60位于装载装置40与电化学沉积装置10之间,其具有酸洗装置。酸洗装置60被配置为,向基板的待镀膜区域喷涂酸性溶液,以对基板进行酸洗。传输装置30还被配置为,在带动基板从电化学沉积装置10移动至抗氧化处理装置20之前,带动基板移动至酸洗装置60,并将酸洗后的基板从酸洗装置60移动至电化学沉积装置10。其中,带动基板移动至酸洗装置60是指,带动基板移动至酸洗装置60的待进行酸洗工艺的区域。基板在达到酸洗装置60之前,表面上沉积有种子层,通过向基板喷涂酸洗溶液,可以改变种子层表面的附着力,使后续在进行电化学沉积时,基板上形成的电化学沉积膜层的附着力更高。示例性地,酸性溶液为硫酸。
图5A为本公开的一些实施例中提供的酸洗装置的示意图,图5B为本公开的一些实施例中提供的酸洗装置中酸洗槽、第二集液箱和第二喷头的位置关系示意图,如图5A和图5B所示,酸洗装置60包括:第二过滤机构61、酸洗槽62、第二集液箱64、以及设置在所述酸洗槽62内的多个第二喷头63。其中,上述待进行酸洗工艺的区域位于酸洗槽62内。
第二集液箱64位于酸洗槽62下方,第二集液箱64与酸洗槽62可以形成一体结构。第二集液箱64的第一进液口与第二供给装置92连通,以接收第二供给装置92所提供的酸性溶液;第二集液箱64的第二进液口与酸洗槽62的出液口连通,第二集液箱64的出液口与第二过滤机构61的进液口连通,第二过滤机构61的出液口与第二喷头63的进液口连通。第二过滤机构61被配置为对进入其进液口的酸性溶液进行过滤,以滤除酸性溶液中的杂质。多个第二喷头63设置在酸洗槽62内,第二喷头63的出液口朝向待进行酸洗工艺的区域。例如,多个第二喷头63的进液口均通过传输管路与第二过滤机构61的出液口连通。例如,第二喷头63在酸洗槽62的内壁上呈阵列排布,从而使酸性溶液均匀地喷射在酸洗槽62中的基板上。
在酸洗装置60中,第二喷头63向基板喷射的酸性溶液与基板上的种子层发生反应后,从酸洗槽62的出液口流入第二集液箱64中,再从第二集液箱64进入第二过滤机构61,第二过滤机构61将溶液中的杂质滤除,并将过滤后的溶液提供给第二喷头63,从而实现循环,节约生产成本。当一定数量的基板完成酸洗后,第二过滤机构61输出的酸性溶液的浓度低于预定值,此时,第二供给装置92可以向第二集液箱64的第一进液口补充酸性溶液。
如图1A和图1B所示,电化学沉积设备组还包括:第一清洗装置71,第一清洗装置71位于抗氧化处理装置20靠近电化学沉积装置10的一侧,被配置为向基板喷涂第一清洗液。例如,第一清洗液为水。
其中,传输装置30带动基板从电化学沉积装置10移动至抗氧化处理装置20的过程具体包括:传输装置30带动基板从电化学沉积装置10依次移动至第一清洗装置,并从第一清洗装置71移动至抗氧化处理装置20,以使经过电化学沉积的基板在经过第一清洗装置71的清洗后,再到达待进行抗氧化工艺的区域进行抗氧化处理,从而在对基板上的电化学沉积膜层进行抗氧化之前,先对基板进行清洗,以防止电化学沉积膜层上的杂质影响抗氧化处理过程中形成的保护层的均匀性。
图6A为本公开的一些实施例中提供的第一清洗装置的示意图,图6B为本公开的一些实施例中提供的第一清洗装置中清洗槽、第三集液箱和第三喷头的位置关系示意图,如图6A和图6B所示,第一清洗装置71包括:第三过滤机构711、清洗槽712、第三集液箱714、以及设置在清洗槽712内的多个第三喷头713。
其中,第三集液箱714位于清洗槽712下方,第三集液箱714的第一进液口与清洗源连通,以接收清洗源提供的清洗液;第三集液箱714的第二进液口与清洗槽712的出液口连通,第三集液箱714的出液口与第三过滤机构711的进液口连通,第三过滤机构711的出液口与第三喷头713进液口连通,第三喷头713的出液口朝向第一清洗装置中待进行清洗工艺的区域设置,以向基板喷射第一清洗液。例如,清洗槽712内的第三喷头713在清洗槽712中呈阵列排布。
在第一清洗装置中,第三喷头713喷出的清洗液对基板进行清洗后,从清洗槽712的出液口流入第三集液箱714中,再从第三集液箱714进入第三过滤机构711,第三过滤机构711将清洗液中的杂质滤除,并将过滤后的清洗液提供给第三喷头713,从而实现循环,节约生产成本。当一定数量的基板完成清洗后,将第三清洗槽712中的清洗液排出,并向第三集液箱714输入新的清洗液即可。
如图1A和图1B所示,电化学沉积设备组还包括:第二清洗装置72和干燥装置(未示出)。第二清洗装置72位于第一清洗装置71远离抗氧化处理装置20的一侧,被配置为向基板喷涂第二清洗液。干燥装置被配置为对基板进行干燥。
其中,传输装置30还被配置为,带动基板从抗氧化装置20依次移动至第二清洗装置72和干燥装置,从而在基板完成抗氧化处理之后,对基板进行第二次清洗和干燥。
其中,第二清洗装置可以采用与第一清洗装置相同的结构,这里不再赘述,并且,第二清洗液可以与第一清洗液相同,均为水。例如,干燥装置包括风刀,风刀设置在第二清洗装置的清洗槽712上方。
如图1A和图1B所示,电化学沉积设备组还包括存放架80。存放架80位于电化学沉积装置10远离抗氧化处理装置20的一侧,例如,位于电化学沉积装置10与装载装置40之间,存放架80被配置为存放载具31。例如,在工艺过程中,当第一个载具31及其装载的基板位于电化学沉积装置10的容纳槽11中、第二个载具31及其装载的基板位于酸洗槽62中时,若装载装置40接收到第三个基板,并将该第三个基板装载到第三个载具31上,那么,可以通过支架32的移动和抓取机构34的抓取作用,将第三个载具31放置在存放架80上。
图7为本公开的一些实施例中提供的存放架的示意图,如图7所示,存放架80包括:第一支撑部81、第二支撑部82以及设置在第一支撑部81与第二支撑部82之间的多个连接部83,相邻两个连接部83之间具有间隔,该间隔作为用于存放载具31的存放工位。载具31包括:搭接部311以及与搭接部311连接的承载部312,承载部312用于承载基板,本公开实施例对承载部312的结构不作具体限定,只要能够稳定地承载基板即可。其中,第一支撑部81与第二支撑部82之间的距离大于承载部312的宽度,并小于搭接部311的宽度,从而使承载部312能够穿过相邻两个连接部83之间的间隔,且搭接部311的两端能够搭接在第一支撑部81和第二支撑部82上。
需要说明的是,承载部312(或搭接部311)的宽度是指,承载部312(或搭接部311)沿图7中X方向上的距离。
图8为本公开的一些实施例中提供的第二供给装置的示意图,如图8所示,第二供给装置92包括操作箱920、设置在操作箱920中的第一储液箱和第二储液箱,操作箱920上设置有第一入口921a、第二入口922a、第一出口921b和第二出口922b,第一入口921a与第一储液箱的进液口连通,第一出口921b与第一储液箱的出液口连接;第二入口922a与第二储液箱的进液口连通,第二出口922b与第二储液箱的出液口连通。
下面对电化学沉积设备组进行电化学沉积的过程进行介绍。
上下料装置50接收到待进行电化学沉积的基板,并将该基板由水平状态转换为直立状态之后,将基板传递给装载装置40。
装载装置40将待进行电化学沉积的基板装载到载具31上。
支架32的升降横梁323下降,抓取机构34抓取载具31后,升降横梁323上升。之后,支架32沿导轨33移动至酸洗装置60上方,升降横梁323下降,从而使载具31所承载的基板进入酸洗装置60的酸洗槽62中,酸洗槽62中的第二喷头向酸洗槽62中的基板喷射酸性溶液,从而对基板进行酸洗。
基板完成酸洗后,升降横梁323上升,从而带动载具31及其承载的基板上升,之后,支架32沿导轨33移动至电化学沉积装置10的上方,此时,升降横梁323下降,从而使载具31所承载的基板进入电化学沉积装置10的容纳槽11中,容纳槽11中容纳有用于进行电化学沉积的电解质溶液。容纳槽11中的阳极结构与载具31之间形成电场,进而使电解质溶液中的金属离子附着在基板上,形成电化学沉积膜层。
基板上形成电化学沉积膜层后,升降横梁323上升,从而带动载具31及其承载的基板上升,之后,沿导轨33移动至第一清洗装置71上方,此时,升降横梁323下降,从而使载具31所承载的基板进入第一清洗装置71的清洗槽712中,清洗槽712中的喷头向基板喷射清洗剂(例如,水),从而对基板进行第一次清洗。
基板完成第一次清洗后,升降横梁323上升,从而带动载具31及其承载的基板上升,之后,沿导轨33移动至抗氧化处理装置20上方,此时,升降横梁323下降,从而使载具31所承载的基板进入抗氧化处理装置20的抗氧化槽22中,抗氧化槽22中的第一喷头23向基板喷涂抗氧化溶液,从而在基板上的电化学沉积膜层表面形成保护层。
基板上形成保护层后,升降横梁323上升,从而带动载具31及其承载的基板上升,之后,沿导轨33移动至第二清洗装置72上方,此时,升降横梁323下降,从而使载具31所承载的基板进入第二清洗装置72的清洗槽中,清洗槽中的喷头向基板喷射清洗剂(例如,水),从而对基板进行第二次清洗。
基板完成第二次清洗后,升降横梁323上升,从而将基板移出第二清洗装置72的清洗槽,并到达干燥装置,此时,干燥装置对基板进行干燥。
之后,支架32沿导轨33移动至装载装置40上方,升降横梁323下降,装载装置40取下载具上的基板,并将基板传送给上下料装置50,上下料装置50将基板传送给下一个工艺的工艺设备。
需要说明的是,上述过程是针对同一个基板来说明的,在本公开实施例中,电化学沉积装置10的数量可以对多个,这种情况下,在基板上形成电化学沉积膜层时,通过支架的移动,带动载具31上的基板进入其中一个电化学沉积装置的容纳槽11中即可,而并不需要使基板进入每个电化学沉积装置的容纳槽11中。
图9为本公开的一些实施例提供的电化学沉积方法流程图,如图9所示,电化学沉积方法包括:
S11、对待进行电化学沉积的基板进行电化学沉积,以在所述基板的待镀膜区域形成电化学沉积膜层;
S12、对形成有电化学沉积膜层的基板进行抗氧化处理。
在本公开实施例中,在基板上形成电化学沉积膜层之后,还对基板上的电化学沉积膜层进行抗氧化处理,从而在电化学沉积膜层的表面形成保护层,防止电化学沉积膜层发生氧化,保证了电化学沉积膜层的电学性能。
图10为本公开的另一些实施例提供的电化学沉积方法的流程图,如图10所示,电化学沉积方法包括:
S21、向待进行电化学沉积的基板喷涂酸性溶液。
S22、对待进行电化学沉积的基板进行电化学沉积,以在所述基板的待镀膜区域形成电化学沉积膜层。
S23、对经过电化学沉积的基板进行第一次清洗。例如,对基板进行水洗。
S24、对形成有电化学沉积膜层的基板进行抗氧化处理。例如,向电化学沉积膜层喷涂抗氧化溶液,以使抗氧化溶液与电化学沉积膜层发生化学反应,在电化学沉积膜层的表面形成保护层。
S25、对所述基板进行第二次清洗,并对第二次清洗后的基板进行干燥。对基板进行第二次清洗具体可以为,对基板进行水洗。
本公开实施例中的电化学沉积方法可以利用上述实施例中的电化学沉积设备组来执行,具体过程参见上文描述,这里不再赘述。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式,然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本公开的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本公开的保护范围。
Claims (10)
1.一种电化学沉积设备组,其特征在于,包括:
电化学沉积装置,被配置为在基板的待镀膜区域形成电化学沉积膜层;
抗氧化处理装置,位于所述电化学沉积装置的一侧,被配置为对形成有电化学沉积膜层的所述基板进行抗氧化处理;
传输装置,被配置为装载所述基板,并至少带动所述基板从所述电化学沉积装置移动至所述抗氧化处理装置;
所述电化学沉积装置包括:阳极结构、容纳槽、排气管路、排液管路和第四过滤机构,所述容纳槽用于容纳电解质溶液,所述阳极结构和装载有基板的载具均设置在所述容纳槽中;所述排液管路的入口与所述容纳槽连通,所述第四过滤机构具有过滤入口和过滤出口,所述过滤入口与所述排液管路的出口连通,所述过滤出口与所述容纳槽的进液口连通,所述第四过滤机构被配置为对流入其进液口的电解质溶液进行过滤;所述排气管路与所述排液管路的顶部连通;
所述抗氧化处理装置包括:
抗氧化槽;
第一集液箱,所述第一集液箱的第一进液口与提供抗氧化溶液的供给装置连通,所述第一集液箱的第二进液口与所述抗氧化槽的出液口连通;
第一过滤机构,所述第一过滤机构的进液口与所述第一集液箱的出液口连通,所述第一过滤机构被配置为对接收到的抗氧化溶液进行过滤;
设置在所述抗氧化槽内的多个第一喷头,所述第一喷头与所述第一过滤机构的出液口连通,被配置为向对形成有电化学沉积膜层的所述基板喷涂过滤后的抗氧化溶液;
其中,所述抗氧化溶液用于与所述电化学沉积膜层发生化学反应,以在所述电化学沉积膜层的表面形成保护层;所述提供抗氧化溶液的供给装置被配置为,在所述第一过滤机构输出的抗氧化溶液的浓度低于预定值时,向所述第一集液箱的第一进液口补充抗氧化溶液;
所述电化学沉积设备组还包括:酸洗装置,被配置为向所述基板的待镀膜区域喷涂酸性溶液;所述传输装置还被配置为,带动所述基板从所述酸洗装置移动至所述电化学沉积装置;
所述酸洗装置包括:
酸洗槽;
第二集液箱,所述第二集液箱的第一进液口与提供酸洗溶液的供给装置连通,所述第二集液箱的第二进液口与所述酸洗装置的出液口连通;
第二过滤机构,所述第二过滤机构的其进液口与所述第二集液箱的出液口连通,所述第二过滤机构被配置为对接收到的酸性溶液进行过滤;
设置在所述酸洗槽内的多个第二喷头,所述第二喷头与所述第二过滤机构的出液口连通,被配置为向所述基板喷涂过滤后的酸性溶液;
所述提供酸洗溶液的供给装置被配置为,在所述第二过滤机构输出的酸性溶液的浓度低于预定值时,向所述第二集液箱的第一进液口补充酸性溶液。
2.根据权利要求1所述的电化学沉积设备组,其特征在于,还包括:第一清洗装置,所述第一清洗装置位于所述抗氧化处理装置靠近所述电化学沉积装置的一侧,被配置为向所述基板喷涂第一清洗液;
其中,所述传输装置带动所述基板从所述电化学沉积装置移动至所述抗氧化处理装置,具体包括:所述传输装置带动所述基板从所述电化学沉积装置依次移动至所述第一清洗装置,并从所述第一清洗装置移动至所述抗氧化处理装置。
3.根据权利要求2所述的电化学沉积设备组,其特征在于,还包括:第二清洗装置和干燥装置;
所述第二清洗装置位于所述抗氧化处理装置远离所述第一清洗装置的一侧,被配置为向所述基板喷涂第二清洗液;
所述干燥装置被配置为对所述基板进行干燥;
其中,所述传输装置还被配置为,带动所述基板从所述抗氧化处理装置依次移动至所述第二清洗装置和所述干燥装置。
4.根据权利要求1所述的电化学沉积设备组,其特征在于,所述传输装置包括:
载具,被配置为装载所述基板;
设置在所述电化学沉积装置两侧的导轨,所述导轨沿第一方向延伸,所述第一方向为所述电化学沉积装置和所述抗氧化处理装置的排列方向;
支架,设置在所述导轨上;
抓取机构,设置在所述支架上,被配置为对所述载具进行取放;
驱动机构,与所述支架连接,被配置为驱动所述支架沿所述导轨移动。
5.根据权利要求4所述的电化学沉积设备组,其特征在于,所述支架包括:第一直立部、第二直立部、以及连接在所述第一直立部与所述第二直立部之间的升降横梁,所述第一直立部和所述第二直立部分别设置在所述电化学沉积装置两侧的导轨上,所述抓取机构设置在所述升降横梁上。
6.根据权利要求4所述的电化学沉积设备组,其特征在于,还包括:上下料装置和装载装置;
所述上下料装置被配置为接收待进行电化学沉积的基板,并将接收到的所述基板由水平状态翻转为直立状态后,传送给所述装载装置;
所述装载装置位于所述上下料装置和所述电化学沉积装置之间,被配置为将处于直立状态的所述基板固定在所述载具上。
7.根据权利要求1所述的电化学沉积设备组,其特征在于,还包括:存放架,所述存放架位于所述电化学沉积装置远离所述抗氧化处理装置的一侧,被配置为存放所述载具。
8.一种如权利要求1至7中任一项所述的电化学沉积设备组的电化学沉积方法,其特征在于,包括:
利用所述电化学沉积装置对待进行电化学沉积的基板进行电化学沉积,以在所述基板的待镀膜区域形成电化学沉积膜层;
利用所述抗氧化处理装置对形成有电化学沉积膜层的基板进行抗氧化处理。
9.根据权利要求8所述的电化学沉积方法,其特征在于,对待进行电化学沉积的基板进行电化学沉积,之前还包括:
向所述基板喷涂酸性溶液。
10.根据权利要求8所述的电化学沉积方法,其特征在于,对形成有电化学沉积膜层的基板进行抗氧化处理,之前还包括:对经过电化学沉积的所述基板进行第一次清洗;
对形成有电化学沉积膜层的基板进行抗氧化处理,之后还包括:对所述基板进行第二次清洗,并对第二次清洗后的基板进行干燥。
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---|---|---|---|---|
CN113798247B (zh) * | 2021-09-28 | 2023-05-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 镀后清洗风干机构、系统、方法及电化学沉积设备 |
CN116043309A (zh) * | 2021-10-28 | 2023-05-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板上下料装置和电化学沉积设备 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104233422A (zh) * | 2013-06-24 | 2014-12-24 | 马悦 | 一种用于在衬底上沉积金属的设备 |
CN104916772A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-09-16 | 富通集团(天津)超导技术应用有限公司 | 一种超导线材的制备方法 |
CN104953022A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-09-30 | 富通集团(天津)超导技术应用有限公司 | 超导线材的制备方法 |
CN107059097A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-08-18 | 俊杰机械(深圳)有限公司 | 一种电镀装置 |
CN108118381A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-06-05 | 滁州英诺信电器有限公司 | 镀膜材料印刷防氧化工艺 |
CN207468728U (zh) * | 2017-11-15 | 2018-06-08 | 黄信翔 | 运用载具采逐片连续生产的化学沉积设备 |
CN109161946A (zh) * | 2018-08-17 | 2019-01-08 | 厦门大学 | 一种铜材料抗氧化的电化学处理方法 |
TWI661753B (zh) * | 2017-11-15 | 2019-06-01 | 黃信翔 | 運用載具採逐片連續生產的化學沉積方法及設備 |
CN110331369A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-10-15 | 深圳市思蒙科技有限公司 | 柔性覆铜板的制造方法 |
CN110684996A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-01-14 | 合肥工业大学 | 一种烧结NdFeB磁体表面镍基超疏水耐蚀性涂层的制备方法 |
CN210151236U (zh) * | 2019-02-19 | 2020-03-17 | 昆山科比精工设备有限公司 | 一种柔性板卷对卷水平电镀线 |
CN210367951U (zh) * | 2019-03-04 | 2020-04-21 | 深圳市汇美新科技有限公司 | 一种超薄薄膜电化学沉积系统 |
CN111254479A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电化学沉积装置 |
CN111334823A (zh) * | 2020-04-07 | 2020-06-26 | 圣达电气有限公司 | 一种生箔机铜箔防氧化装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4805141B2 (ja) * | 2003-03-11 | 2011-11-02 | 株式会社荏原製作所 | 電気めっき装置 |
US20070224811A1 (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Xinming Wang | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP6077886B2 (ja) * | 2013-03-04 | 2017-02-08 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
TWI653701B (zh) * | 2014-06-09 | 2019-03-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | Substrate attaching and detaching portion for substrate holder, wet substrate processing device including the substrate attaching and detaching portion, substrate processing device, and substrate transfer method |
-
2020
- 2020-11-27 CN CN202011367346.7A patent/CN112442725B/zh active Active
-
2021
- 2021-09-28 US US17/488,234 patent/US20220170152A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104233422A (zh) * | 2013-06-24 | 2014-12-24 | 马悦 | 一种用于在衬底上沉积金属的设备 |
CN104916772A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-09-16 | 富通集团(天津)超导技术应用有限公司 | 一种超导线材的制备方法 |
CN104953022A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-09-30 | 富通集团(天津)超导技术应用有限公司 | 超导线材的制备方法 |
CN107059097A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-08-18 | 俊杰机械(深圳)有限公司 | 一种电镀装置 |
TWI661753B (zh) * | 2017-11-15 | 2019-06-01 | 黃信翔 | 運用載具採逐片連續生產的化學沉積方法及設備 |
CN207468728U (zh) * | 2017-11-15 | 2018-06-08 | 黄信翔 | 运用载具采逐片连续生产的化学沉积设备 |
CN108118381A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-06-05 | 滁州英诺信电器有限公司 | 镀膜材料印刷防氧化工艺 |
CN109161946A (zh) * | 2018-08-17 | 2019-01-08 | 厦门大学 | 一种铜材料抗氧化的电化学处理方法 |
CN210151236U (zh) * | 2019-02-19 | 2020-03-17 | 昆山科比精工设备有限公司 | 一种柔性板卷对卷水平电镀线 |
CN210367951U (zh) * | 2019-03-04 | 2020-04-21 | 深圳市汇美新科技有限公司 | 一种超薄薄膜电化学沉积系统 |
CN110331369A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-10-15 | 深圳市思蒙科技有限公司 | 柔性覆铜板的制造方法 |
CN110684996A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-01-14 | 合肥工业大学 | 一种烧结NdFeB磁体表面镍基超疏水耐蚀性涂层的制备方法 |
CN111254479A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电化学沉积装置 |
CN111334823A (zh) * | 2020-04-07 | 2020-06-26 | 圣达电气有限公司 | 一种生箔机铜箔防氧化装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
张允诚等.《电镀手册》.国防工业出版社,2007,(第1版),第915-916页. * |
田民波等编译.《薄膜科学与技术手册 上册》.机械工业出版社,1991,(第1版),第576页. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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CN112442725A (zh) | 2021-03-05 |
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