JPS6325709B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6325709B2 JPS6325709B2 JP56115084A JP11508481A JPS6325709B2 JP S6325709 B2 JPS6325709 B2 JP S6325709B2 JP 56115084 A JP56115084 A JP 56115084A JP 11508481 A JP11508481 A JP 11508481A JP S6325709 B2 JPS6325709 B2 JP S6325709B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- wafer
- bump
- main surface
- auxiliary electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
- H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
- H10P14/47—Electrolytic deposition, i.e. electroplating; Electroless plating
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバンプ形成装置、主として半導体素子
のバンプ電極形成装置に関する。
のバンプ電極形成装置に関する。
従来、たとえば第１図に示すような、シリコン
ダイオード７のAgバンプ（バンプ電極）１の形
成に当つては、第２図に示すようにウエーハ（半
導体薄板）２を電極３に固定し、メツキ液を含ん
だ電極板４と対向させて電流を流し、ウエーハ２
と電極板４をたがいにこすり合せながらウエーハ
２の主面にバンプを成長させる方法で行なつてい
る。しかしこの方法では、第３図に示すように、
ウエーハ周辺部でメツキ電流（矢印で示す。）の
集中が起き、ウエーハ周辺のバンプが中心部にく
らべ大きくなり、不良になつてしまうという欠点
があつた。
ダイオード７のAgバンプ（バンプ電極）１の形
成に当つては、第２図に示すようにウエーハ（半
導体薄板）２を電極３に固定し、メツキ液を含ん
だ電極板４と対向させて電流を流し、ウエーハ２
と電極板４をたがいにこすり合せながらウエーハ
２の主面にバンプを成長させる方法で行なつてい
る。しかしこの方法では、第３図に示すように、
ウエーハ周辺部でメツキ電流（矢印で示す。）の
集中が起き、ウエーハ周辺のバンプが中心部にく
らべ大きくなり、不良になつてしまうという欠点
があつた。
したがつて、本発明の目的は、ウエーハ全面に
大きさの均一なバンプを形成することのできるバ
ンプ形成装置を提供することにある。
大きさの均一なバンプを形成することのできるバ
ンプ形成装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は不良バ
ンプ発生の原因であるウエーハ周辺部へのメツキ
電流の集中を防止するために、ウエーハを支持す
る電極とは別にウエーハを取り囲むように補助電
極５を配設し、ウエーハ周辺部に集中する電流を
補助電極で取り除きウエーハへの電流分布を均一
にしてメツキを行なうものであつて、以下実施例
により本発明を説明する。
ンプ発生の原因であるウエーハ周辺部へのメツキ
電流の集中を防止するために、ウエーハを支持す
る電極とは別にウエーハを取り囲むように補助電
極５を配設し、ウエーハ周辺部に集中する電流を
補助電極で取り除きウエーハへの電流分布を均一
にしてメツキを行なうものであつて、以下実施例
により本発明を説明する。
第４図は本発明の一実施例によるバンプ形成装
置の要部を示す断面図、第５図は同じくバンプ形
成状態を示す一部を断面とした説明図である。
置の要部を示す断面図、第５図は同じくバンプ形
成状態を示す一部を断面とした説明図である。
第４図に示すように、このバンプ形成装置は、
ウエーハ２の直径よりもわずかに大きな円板状の
ガイド６を有する。ガイド６の上面中央には支軸
８が取り付けられ、ガイド６はこの支軸８で支え
られる。また、ガイド６の下面中央には窪みが設
けられ、この窪み部分には平板状の電極３が埋め
込まれている。電極３の下面、すなわち露出面は
ウエーハ２の保持面となり、かつガイド面と同一
面となつてなつている。また、ガイド６の外周に
はリング状の補助電極５が嵌合されている。この
補助電極５は前記電極３の保持面よりも突出し、
ウエーハ２を電極３に密着保持した状態でウエー
ハ２の下面（主面）である露出面（バンプ形成
面）と同一面となるように構成されている。ここ
で、電極３と補助電極５を固定するガイド６は電
極３と補助電極５の絶縁をとるために絶縁性をも
つていることがメツキ電流の均一化を図る上で必
要である。また、ガイド６に対面してメツキ液を
含んだ電極板４が配設されている。
ウエーハ２の直径よりもわずかに大きな円板状の
ガイド６を有する。ガイド６の上面中央には支軸
８が取り付けられ、ガイド６はこの支軸８で支え
られる。また、ガイド６の下面中央には窪みが設
けられ、この窪み部分には平板状の電極３が埋め
込まれている。電極３の下面、すなわち露出面は
ウエーハ２の保持面となり、かつガイド面と同一
面となつてなつている。また、ガイド６の外周に
はリング状の補助電極５が嵌合されている。この
補助電極５は前記電極３の保持面よりも突出し、
ウエーハ２を電極３に密着保持した状態でウエー
ハ２の下面（主面）である露出面（バンプ形成
面）と同一面となるように構成されている。ここ
で、電極３と補助電極５を固定するガイド６は電
極３と補助電極５の絶縁をとるために絶縁性をも
つていることがメツキ電流の均一化を図る上で必
要である。また、ガイド６に対面してメツキ液を
含んだ電極板４が配設されている。
このような装置にあつては、ウエーハ２を補助
電極５の内側に入れるとともに、電極３の保持面
に固定する。そして、上記のウエーハ２をセツト
した電極３と、メツキ液を含んだ電極板４を対向
接触させ、たがいにこすり合せながら、電極３，
補助電極５と電極板４間に電流を流しウエーハ２
の主面であるバンプ形成面にバンプを成長させ
る。すると、第５図に示すように、ウエーハ２に
周辺部の電流（電流は矢印で示す。）は補助電極
５にも流れることから、ウエーハ２の周辺部のバ
ンプ形成部に集中することはなくなり、ウエーハ
２の全域の各バンプ形成部に均一に電流が流れ
る。この結果、バンプの大きさが均一となる。
電極５の内側に入れるとともに、電極３の保持面
に固定する。そして、上記のウエーハ２をセツト
した電極３と、メツキ液を含んだ電極板４を対向
接触させ、たがいにこすり合せながら、電極３，
補助電極５と電極板４間に電流を流しウエーハ２
の主面であるバンプ形成面にバンプを成長させ
る。すると、第５図に示すように、ウエーハ２に
周辺部の電流（電流は矢印で示す。）は補助電極
５にも流れることから、ウエーハ２の周辺部のバ
ンプ形成部に集中することはなくなり、ウエーハ
２の全域の各バンプ形成部に均一に電流が流れ
る。この結果、バンプの大きさが均一となる。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。す
なわち、補助電極はリング状でなくともよく、不
連続構造のものでもよい。また。バンプはバンプ
電極に限定されない。
なわち、補助電極はリング状でなくともよく、不
連続構造のものでもよい。また。バンプはバンプ
電極に限定されない。
以上説明した如く、本発明によれば、ウエーハ
全面に均一なバンプが得られることから、良品ペ
レツト取得数が向上する。この結果、製品のコス
ト低減が図れる。
全面に均一なバンプが得られることから、良品ペ
レツト取得数が向上する。この結果、製品のコス
ト低減が図れる。
第１図は、バンプの説明図、第２図は、バンプ
メツキ法の説明図、第３図は、不良バンプ発生原
因図、第４図は、本発明の概要を示す要部の断面
図、第５図は同じく本発明の実施例における電流
の流れる状態を示す説明図である。 １……バンプ、２……ウエーハ、３……電極、
４……電極板、５……補助電極、６……ガイド、
７……ダイオード、８……支軸。
メツキ法の説明図、第３図は、不良バンプ発生原
因図、第４図は、本発明の概要を示す要部の断面
図、第５図は同じく本発明の実施例における電流
の流れる状態を示す説明図である。 １……バンプ、２……ウエーハ、３……電極、
４……電極板、５……補助電極、６……ガイド、
７……ダイオード、８……支軸。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ バンプ電極がメツキ形成されるべき主面を持
つウエーハの他主面を保持電極に保持せしめ、か
かる保持電極によつて保持された上記ウエハの主
面を、メツキ液を含んだ電極板に接触せしめ上記
保持電極と上記電極板との間にメツキ電流を流す
バンプ電極形成装置であつて、上記ウエーハの外
周を取り囲みかつ上記電極板と接触する補助電極
部を設けてなることを特徴とするバンプ形成装
置。 ２ 上記補助電極は、上記電極板に接触される先
端部が上記ウエーハの主面と実質的に同じ高さに
突出されてなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のバンプ形成装置。 ３ 上記補助電極と上記保持電極とが互いに機械
的に固定されてなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項記載のバンプ形成装置。 ４ 上記保持電極は、電気的絶縁性のガイドに保
持され、上記補助電極は上記ガイドに結合されて
なることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
のバンプ形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115084A JPS5817638A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | バンプ形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115084A JPS5817638A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | バンプ形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817638A JPS5817638A (ja) | 1983-02-01 |
| JPS6325709B2 true JPS6325709B2 (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=14653788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115084A Granted JPS5817638A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | バンプ形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817638A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025149U (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-20 | 関西日本電気株式会社 | バンプ電極形成ウエ−ハ |
| JPS636860A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | フリップチップ用バンプ形成方法 |
| US4777683A (en) * | 1987-12-07 | 1988-10-18 | Pellerin Milnor Corporation | Treatment of cloth or other liquid absorbent goods |
| JP3462970B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2003-11-05 | 三菱電機株式会社 | メッキ処理装置およびメッキ処理方法 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56115084A patent/JPS5817638A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5817638A (ja) | 1983-02-01 |
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