JP2002266098A - めっき装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
めっき装置、及び半導体装置の製造方法Info
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- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板上に導電膜を均一な膜厚で形成す
るめっき装置を提供する。 【解決手段】 ヘッド２は、めっき液１０が満たされた
めっき槽１内で半導体基板３を保持する。めっき液噴出
口４は、半導体基板３の近傍から半導体基板３に対して
平面的にめっき液を噴出する。また、めっき液噴出口４
は、めっき槽１内で回転しつつめっき液を噴出する。
るめっき装置を提供する。 【解決手段】 ヘッド２は、めっき液１０が満たされた
めっき槽１内で半導体基板３を保持する。めっき液噴出
口４は、半導体基板３の近傍から半導体基板３に対して
平面的にめっき液を噴出する。また、めっき液噴出口４
は、めっき槽１内で回転しつつめっき液を噴出する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特に半導体基板上に導電膜を形成するめっき装置
及びこのめっき装置を用いた半導体装置の製造方法に関
する。
係り、特に半導体基板上に導電膜を形成するめっき装置
及びこのめっき装置を用いた半導体装置の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造工程におい
て、半導体基板上に例えばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等か
らなる導電膜を形成する際に、めっき装置が用いられて
いる。
て、半導体基板上に例えばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ等か
らなる導電膜を形成する際に、めっき装置が用いられて
いる。
【０００３】以下、従来のめっき装置について説明す
る。図４は、従来のめっき装置を説明するための断面図
である。図４において、参照符号１はめっき槽、２はヘ
ッド、２１はウェハ押さえ、２２はカソード電極、２３
はシール材、３は半導体基板、５はアノード電極、６は
めっき液供給配管を示している。従来のめっき装置で
は、めっき槽１の底部に配置されためっき液供給配管６
からめっき槽１内に、金属イオン（例えば、銅イオンＣ
ｕ２＋）を含むめっき液を供給し、半導体基板３の主面
上に導電膜（例えば、銅薄膜）を形成していた。
る。図４は、従来のめっき装置を説明するための断面図
である。図４において、参照符号１はめっき槽、２はヘ
ッド、２１はウェハ押さえ、２２はカソード電極、２３
はシール材、３は半導体基板、５はアノード電極、６は
めっき液供給配管を示している。従来のめっき装置で
は、めっき槽１の底部に配置されためっき液供給配管６
からめっき槽１内に、金属イオン（例えば、銅イオンＣ
ｕ２＋）を含むめっき液を供給し、半導体基板３の主面
上に導電膜（例えば、銅薄膜）を形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
めっき装置では、めっき液供給配管６から半導体基板３
までの距離が遠かった。このため、めっき液供給配管６
からめっき槽１に供給されためっき液が、横方向へも拡
散してしまう問題があった。従って、めっき対象である
半導体基板３の近傍において、銅イオンの濃度が不均一
になってしまう問題があった。
めっき装置では、めっき液供給配管６から半導体基板３
までの距離が遠かった。このため、めっき液供給配管６
からめっき槽１に供給されためっき液が、横方向へも拡
散してしまう問題があった。従って、めっき対象である
半導体基板３の近傍において、銅イオンの濃度が不均一
になってしまう問題があった。
【０００５】また、継続してめっき処理を行うと、半導
体基板３の近傍で徐々に銅イオンが不足してしまう問題
があった。この場合も、半導体基板３の近傍において、
銅イオンの濃度が不均一になってしまう。
体基板３の近傍で徐々に銅イオンが不足してしまう問題
があった。この場合も、半導体基板３の近傍において、
銅イオンの濃度が不均一になってしまう。
【０００６】以上のように、半導体基板３の表面に均一
な濃度でめっき液が供給されず、基板に形成された導電
膜は膜厚の面内均一性が悪いという問題があった。
な濃度でめっき液が供給されず、基板に形成された導電
膜は膜厚の面内均一性が悪いという問題があった。
【０００７】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたもので、半導体基板上に導電膜を均一な膜厚
で形成するめっき装置を提供することを目的とする。
になされたもので、半導体基板上に導電膜を均一な膜厚
で形成するめっき装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決する為の手段】請求項１の発明に係るめっ
き装置は、基板上に導電膜を形成するめっき装置であっ
て、めっき槽と、前記めっき槽内で前記基板を保持する
ヘッドと、前記基板の近傍から前記基板に対して平面的
にめっき液を噴出するめっき液噴出口と、を備えること
を特徴とするものである。
き装置は、基板上に導電膜を形成するめっき装置であっ
て、めっき槽と、前記めっき槽内で前記基板を保持する
ヘッドと、前記基板の近傍から前記基板に対して平面的
にめっき液を噴出するめっき液噴出口と、を備えること
を特徴とするものである。
【０００９】請求項２の発明に係るめっき装置は、請求
項１に記載のめっき装置において、前記めっき液噴出口
は、前記めっき液を噴出する複数のノズルを有し、前記
複数のノズルは平面的に配置されることを特徴とするも
のである。
項１に記載のめっき装置において、前記めっき液噴出口
は、前記めっき液を噴出する複数のノズルを有し、前記
複数のノズルは平面的に配置されることを特徴とするも
のである。
【００１０】請求項３の発明に係るめっき装置は、請求
項２に記載のめっき装置において、前記めっき液噴出口
は、前記ノズルの口径よりも大きな開口を有し前記ノズ
ルから噴出されためっき液に直進性を持たせる複数の案
内管を更に有することを特徴とするものである。
項２に記載のめっき装置において、前記めっき液噴出口
は、前記ノズルの口径よりも大きな開口を有し前記ノズ
ルから噴出されためっき液に直進性を持たせる複数の案
内管を更に有することを特徴とするものである。
【００１１】請求項４の発明に係るめっき装置は、請求
項３に記載のめっき装置において、前記複数の案内管
が、コリメータであることを特徴とするものである。
項３に記載のめっき装置において、前記複数の案内管
が、コリメータであることを特徴とするものである。
【００１２】請求項５の発明に係るめっき装置は、請求
項２から４何れかに記載のめっき装置において、前記め
っき液噴出口が、前記めっき槽の内部で回転することを
特徴とするものである。
項２から４何れかに記載のめっき装置において、前記め
っき液噴出口が、前記めっき槽の内部で回転することを
特徴とするものである。
【００１３】請求項６の発明に係るめっき装置は、請求
項５に記載のめっき装置において、前記めっき液噴出口
が、前記基板の中心に対して偏心して回転することを特
徴とするものである。
項５に記載のめっき装置において、前記めっき液噴出口
が、前記基板の中心に対して偏心して回転することを特
徴とするものである。
【００１４】請求項７の発明に係る半導体装置の製造方
法は、請求項１から６何れかに記載のめっき装置を用い
て導電膜を形成する工程を含むことを特徴とするもので
ある。
法は、請求項１から６何れかに記載のめっき装置を用い
て導電膜を形成する工程を含むことを特徴とするもので
ある。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。
【００１６】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１によるめっき装置を説明するための断面図である。
図２は、図１に示しためっき液噴出口を説明するための
断面図である。
態１によるめっき装置を説明するための断面図である。
図２は、図１に示しためっき液噴出口を説明するための
断面図である。
【００１７】図１及び図２において、参照符号１はめっ
き槽、２はヘッド、２１はウェハ押さえ、２２はカソー
ド電極、２３はシール材、３は半導体基板、４はめっき
液噴出口、４１はノズル、４２は案内管、４３は配管、
４４はフレーム、５はアノード電極を示している。
き槽、２はヘッド、２１はウェハ押さえ、２２はカソー
ド電極、２３はシール材、３は半導体基板、４はめっき
液噴出口、４１はノズル、４２は案内管、４３は配管、
４４はフレーム、５はアノード電極を示している。
【００１８】めっき槽１は、その内部にめっき液１０が
満たされている。また、めっき液１０は、硫酸銅水溶液
（ＣｕＳＯ４・Ｈ２Ｏ）が電気分解されたものであり、
銅イオンＣｕ２＋と硫酸化物イオンＳＯ４ ２−とを含有
している。なお、めっき槽１の断面形状は、図１のよう
な四角形（正方形や長方形）に限られず、その四角形の
底面と側面が構成する角が面取りされたような形状、若
しくは逆三角形であってもよく、その形状は任意であっ
てよい。
満たされている。また、めっき液１０は、硫酸銅水溶液
（ＣｕＳＯ４・Ｈ２Ｏ）が電気分解されたものであり、
銅イオンＣｕ２＋と硫酸化物イオンＳＯ４ ２−とを含有
している。なお、めっき槽１の断面形状は、図１のよう
な四角形（正方形や長方形）に限られず、その四角形の
底面と側面が構成する角が面取りされたような形状、若
しくは逆三角形であってもよく、その形状は任意であっ
てよい。
【００１９】ヘッド２は、めっき槽１内で半導体基板３
を保持するためのものである。ヘッド２は、ウェハ押さ
え２１、カソード電極２２、及びシール材２３を有して
いる。ウェハ押さえ２１は、半導体基板３を上方から押
圧するためのものである。これにより、半導体基板３の
表面と、カソード電極２２とが接触する。カソード電極
２２は、めっき処理時に、半導体基板３の外周部と接触
して、マイナス電位を半導体基板３に印加するためのも
のである。シール材２３は、めっき槽１からヘッド２内
部へのめっき液１０の流入を防止するためのものであ
る。シール材２３は、酸性溶液に対して耐腐食性を有す
る例えばシリコンやケムラッツ等の材質からなるオーリ
ング（Ｏ−ｒｉｎｇ）である。また、シール材２３は、
半導体基板３の外周から約３〜５ｍｍの部分と接するよ
うに、ヘッド２内に配置されている。また、ヘッド２
は、図示しない駆動機構により、上下に駆動される。
を保持するためのものである。ヘッド２は、ウェハ押さ
え２１、カソード電極２２、及びシール材２３を有して
いる。ウェハ押さえ２１は、半導体基板３を上方から押
圧するためのものである。これにより、半導体基板３の
表面と、カソード電極２２とが接触する。カソード電極
２２は、めっき処理時に、半導体基板３の外周部と接触
して、マイナス電位を半導体基板３に印加するためのも
のである。シール材２３は、めっき槽１からヘッド２内
部へのめっき液１０の流入を防止するためのものであ
る。シール材２３は、酸性溶液に対して耐腐食性を有す
る例えばシリコンやケムラッツ等の材質からなるオーリ
ング（Ｏ−ｒｉｎｇ）である。また、シール材２３は、
半導体基板３の外周から約３〜５ｍｍの部分と接するよ
うに、ヘッド２内に配置されている。また、ヘッド２
は、図示しない駆動機構により、上下に駆動される。
【００２０】半導体基板３は、ヘッド２によりめっき槽
１内に保持されるめっき対象であり、例えばシリコン基
板である。なお、本発明は、半導体基板３に限らず、石
英基板、セラミック基板等の絶縁基板にも適用すること
ができる（後述の実施の形態２についても同様）。半導
体基板３は、ヘッド２内でウェハ押さえ２１によって上
方より加圧される。これにより、半導体基板３の外周部
は、カソード電極２２と接触する。
１内に保持されるめっき対象であり、例えばシリコン基
板である。なお、本発明は、半導体基板３に限らず、石
英基板、セラミック基板等の絶縁基板にも適用すること
ができる（後述の実施の形態２についても同様）。半導
体基板３は、ヘッド２内でウェハ押さえ２１によって上
方より加圧される。これにより、半導体基板３の外周部
は、カソード電極２２と接触する。
【００２１】めっき液噴出口４は、半導体基板３の近傍
から半導体基板３に対して平面的にめっき液を供給する
ためのものである。ここで、めっき噴出口４具体的には
案内管４２（後述）の先端から半導体基板３までの距離
は、１５ｃｍ以内とするのが好適であり、１０ｃｍ以内
が更に好適である。なお、案内管４２をノズル４１に取
り付けない場合には、ノズル４１の先端から半導体基板
３までの距離を１５ｃｍ以内、好ましくは１０ｃｍ以内
とする。また、ノズル４１が配置された面積は、半導体
基板３上に導電膜が形成される面積すなわちめっき槽１
内でめっき液１０と接触する半導体基板３の面積よりも
大きくする。
から半導体基板３に対して平面的にめっき液を供給する
ためのものである。ここで、めっき噴出口４具体的には
案内管４２（後述）の先端から半導体基板３までの距離
は、１５ｃｍ以内とするのが好適であり、１０ｃｍ以内
が更に好適である。なお、案内管４２をノズル４１に取
り付けない場合には、ノズル４１の先端から半導体基板
３までの距離を１５ｃｍ以内、好ましくは１０ｃｍ以内
とする。また、ノズル４１が配置された面積は、半導体
基板３上に導電膜が形成される面積すなわちめっき槽１
内でめっき液１０と接触する半導体基板３の面積よりも
大きくする。
【００２２】めっき液噴出口４は、図２に示すように、
複数のノズル４１、複数の案内管４２、配管４３、及び
フレーム４４を有している。
複数のノズル４１、複数の案内管４２、配管４３、及び
フレーム４４を有している。
【００２３】ここで、複数のノズル４１は、平面的（２
次元的）に配置され、配管４３から供給されためっき液
を噴出するためのものである。従って、この複数のノズ
ル４１から半導体基板３に対して平面的にめっき液が噴
出される。複数の案内管４２は、ノズル４１の口径より
も大きな開口をそれぞれ有し、ノズル４１から噴出され
ためっき液に直進性を持たせるものである。すなわち、
各ノズル４１から噴出されためっき液を水平方向に拡散
させることなく、半導体基板３に対して垂直に供給す
る。また、複数の案内管４２は、例えばコリメータであ
る。なお、案内管４２の開口の断面形状は、円形、三角
形、四角形、六角形等のうち何れの形状でもよい。ま
た、ノズル４１に案内管４２を取り付けなくてもよい。
次元的）に配置され、配管４３から供給されためっき液
を噴出するためのものである。従って、この複数のノズ
ル４１から半導体基板３に対して平面的にめっき液が噴
出される。複数の案内管４２は、ノズル４１の口径より
も大きな開口をそれぞれ有し、ノズル４１から噴出され
ためっき液に直進性を持たせるものである。すなわち、
各ノズル４１から噴出されためっき液を水平方向に拡散
させることなく、半導体基板３に対して垂直に供給す
る。また、複数の案内管４２は、例えばコリメータであ
る。なお、案内管４２の開口の断面形状は、円形、三角
形、四角形、六角形等のうち何れの形状でもよい。ま
た、ノズル４１に案内管４２を取り付けなくてもよい。
【００２４】配管４３は、外部のめっき液供給装置（図
示省略）から供給されためっき液を、複数のノズル４１
に供給するためのものである。フレーム４４は、めっき
液噴出口４の側面に設けられ、案内管４２を固定するた
めのものである。上記複数のノズル４１、複数の案内管
（コリメータ）４２、配管４３、及びフレーム４４は、
酸性溶液に対して耐腐食性を有する部材により製造され
たものである。また、めっき液噴出口４は、図示しない
回転機構を有している。これにより、めっき液噴出口４
は、めっき槽１内で配管４３を回転軸として回転する。
示省略）から供給されためっき液を、複数のノズル４１
に供給するためのものである。フレーム４４は、めっき
液噴出口４の側面に設けられ、案内管４２を固定するた
めのものである。上記複数のノズル４１、複数の案内管
（コリメータ）４２、配管４３、及びフレーム４４は、
酸性溶液に対して耐腐食性を有する部材により製造され
たものである。また、めっき液噴出口４は、図示しない
回転機構を有している。これにより、めっき液噴出口４
は、めっき槽１内で配管４３を回転軸として回転する。
【００２５】アノード電極５は、図示しない電源回路に
よりプラス電位が印加される銅電極である。これによ
り、アノード電極５と、カソード電極２２と接する半導
体基板３との間に電界が形成される。
よりプラス電位が印加される銅電極である。これによ
り、アノード電極５と、カソード電極２２と接する半導
体基板３との間に電界が形成される。
【００２６】次に、図１を参照して、上述しためっき装
置の動作について説明する。
置の動作について説明する。
【００２７】先ず、半導体基板３をヘッド２内に搬送す
る。次に、ウェハ押さえ２１により半導体基板３を上方
から押圧する。これにより、半導体基板３の外周部が、
カソード電極２２と接触する。
る。次に、ウェハ押さえ２１により半導体基板３を上方
から押圧する。これにより、半導体基板３の外周部が、
カソード電極２２と接触する。
【００２８】次に、ヘッド２を下方向に移動させて、半
導体基板３の主面をめっき槽１のめっき液に浸漬させ
る。そして、カソード電極２２から半導体基板３にマイ
ナス電位を印加して、アノード電極５にプラス電位を印
加する。これにより、めっき槽１内において、アノード
電極５と半導体基板３との間に電界（図示省略）が形成
される。
導体基板３の主面をめっき槽１のめっき液に浸漬させ
る。そして、カソード電極２２から半導体基板３にマイ
ナス電位を印加して、アノード電極５にプラス電位を印
加する。これにより、めっき槽１内において、アノード
電極５と半導体基板３との間に電界（図示省略）が形成
される。
【００２９】次に、めっき液噴出口４から半導体基板３
に対して平面的にめっき液を噴出する。詳細には、外部
に設けられためっき液供給装置（図示省略）から配管４
３に供給されためっき液を、複数のノズル４１から噴出
する。また、複数のノズル４１のそれぞれには案内管４
２が被せられており、ノズル４１から噴出されためっき
液は直進性を有している。すなわち、めっき液噴出口４
から半導体基板３に対して、垂直かつ平面的にめっき液
が噴出される。以上のようにして、半導体基板３にめっ
き液が供給され、半導体基板３の表面に金属が析出す
る。すなわち、半導体基板３の表面に、導電膜が形成さ
れる。
に対して平面的にめっき液を噴出する。詳細には、外部
に設けられためっき液供給装置（図示省略）から配管４
３に供給されためっき液を、複数のノズル４１から噴出
する。また、複数のノズル４１のそれぞれには案内管４
２が被せられており、ノズル４１から噴出されためっき
液は直進性を有している。すなわち、めっき液噴出口４
から半導体基板３に対して、垂直かつ平面的にめっき液
が噴出される。以上のようにして、半導体基板３にめっ
き液が供給され、半導体基板３の表面に金属が析出す
る。すなわち、半導体基板３の表面に、導電膜が形成さ
れる。
【００３０】以上説明したように、本実施の形態１によ
るめっき装置では、半導体基板３の近傍に配置されため
っき液噴出口４から半導体基板３に対して平面的にめっ
き液を噴出するようにした。これにより、半導体基板３
全面に対して、均一な濃度で金属イオン（銅イオン）が
供給されるため、半導体基板３上に金属（銅）が均一に
析出する。従って、半導体基板３上に均一に導電膜を形
成することができる。言い換えれば、半導体基板３上に
形成された導電膜の膜厚の面内均一性を向上させること
ができる。
るめっき装置では、半導体基板３の近傍に配置されため
っき液噴出口４から半導体基板３に対して平面的にめっ
き液を噴出するようにした。これにより、半導体基板３
全面に対して、均一な濃度で金属イオン（銅イオン）が
供給されるため、半導体基板３上に金属（銅）が均一に
析出する。従って、半導体基板３上に均一に導電膜を形
成することができる。言い換えれば、半導体基板３上に
形成された導電膜の膜厚の面内均一性を向上させること
ができる。
【００３１】また、めっき液噴出口４を回転させること
によって、半導体基板３に対して更に均一に銅イオンを
供給することができる。従って、半導体基板３上に形成
された導電膜の膜厚の面内均一性を更に向上させること
ができる。
によって、半導体基板３に対して更に均一に銅イオンを
供給することができる。従って、半導体基板３上に形成
された導電膜の膜厚の面内均一性を更に向上させること
ができる。
【００３２】また、めっき液噴射口４は、半導体基板３
の近傍に配置されている。このため、めっき処理を長時
間継続して行う場合であっても、半導体基板３の近傍に
おいて銅イオンが不足しない。
の近傍に配置されている。このため、めっき処理を長時
間継続して行う場合であっても、半導体基板３の近傍に
おいて銅イオンが不足しない。
【００３３】実施の形態２．図３は、本発明の実施の形
態２によるめっき装置を説明するための断面図である。
本実施の形態２によるめっき装置と、前述の実施の形態
１によるめっき装置は、概略同一の構造を有している。
本実施の形態２によるめっき装置と、実施の形態１によ
るめっき装置との相違点は、めっき液噴出口４にある。
以下、この相違点について説明し、実施の形態１と重複
する説明は省略する。
態２によるめっき装置を説明するための断面図である。
本実施の形態２によるめっき装置と、前述の実施の形態
１によるめっき装置は、概略同一の構造を有している。
本実施の形態２によるめっき装置と、実施の形態１によ
るめっき装置との相違点は、めっき液噴出口４にある。
以下、この相違点について説明し、実施の形態１と重複
する説明は省略する。
【００３４】図３に示すように、本実施の形態２による
めっき装置において、めっき液噴出口４の配管４３は、
２度屈曲している。そして、このめっき液噴出口４は、
上記屈曲した配管４３を回転軸として回転しつつめっき
液を平面的に噴出する。すなわち、めっき液噴出口４
は、半導体基板３の中心に対して偏心して回転する。
めっき装置において、めっき液噴出口４の配管４３は、
２度屈曲している。そして、このめっき液噴出口４は、
上記屈曲した配管４３を回転軸として回転しつつめっき
液を平面的に噴出する。すなわち、めっき液噴出口４
は、半導体基板３の中心に対して偏心して回転する。
【００３５】上述のように、めっき液噴出口４を基板中
心に対して偏心して回転させる構造としたのは、ＰＶＤ
（Physical Vapor Deposition）装置において、ターゲ
ット裏面のマグネットを偏心させて移動させて、ターゲ
ットの利用効率を上げる概念に基づいている。
心に対して偏心して回転させる構造としたのは、ＰＶＤ
（Physical Vapor Deposition）装置において、ターゲ
ット裏面のマグネットを偏心させて移動させて、ターゲ
ットの利用効率を上げる概念に基づいている。
【００３６】つまり、めっき液噴射口４を効率良く使用
することができる。詳細には、本実施の形態２のめっき
装置において、めっき液噴出口４の直径は半導体基板３
の半径よりも大きければよい。このため、めっき液噴出
口４を小型化できる。従って、めっき液噴出口４から噴
出するめっき液の量を低減できる。よって、半導体装置
の製造コストを低減することができる。
することができる。詳細には、本実施の形態２のめっき
装置において、めっき液噴出口４の直径は半導体基板３
の半径よりも大きければよい。このため、めっき液噴出
口４を小型化できる。従って、めっき液噴出口４から噴
出するめっき液の量を低減できる。よって、半導体装置
の製造コストを低減することができる。
【００３７】また、めっき液噴出口４は、半導体基板３
の近傍（実施の形態１を参照）に配置され、複数のノズ
ル４１及び複数の案内管４２を有している。このため、
めっき液噴出口４から半導体基板３に対して、平面的に
めっき液が供給される。
の近傍（実施の形態１を参照）に配置され、複数のノズ
ル４１及び複数の案内管４２を有している。このため、
めっき液噴出口４から半導体基板３に対して、平面的に
めっき液が供給される。
【００３８】以上のように、本実施の形態２によるめっ
き装置において、めっき液噴出口４は半導体基板３の中
心に対して偏心して回転するとともに、めっき液を半導
体基板３に対して平面的に噴出する。このめっき装置
は、実施の形態１によるめっき装置と同等、若しくはそ
れ以上の均一性で、半導体基板３上に導電膜を形成する
ことができる。また、めっき液噴出口４を偏心して回転
させるため、めっき液噴出口４を小型化できる。従っ
て、めっき液の噴出量を抑えることができ、半導体装置
の製造コストを抑えることができる。
き装置において、めっき液噴出口４は半導体基板３の中
心に対して偏心して回転するとともに、めっき液を半導
体基板３に対して平面的に噴出する。このめっき装置
は、実施の形態１によるめっき装置と同等、若しくはそ
れ以上の均一性で、半導体基板３上に導電膜を形成する
ことができる。また、めっき液噴出口４を偏心して回転
させるため、めっき液噴出口４を小型化できる。従っ
て、めっき液の噴出量を抑えることができ、半導体装置
の製造コストを抑えることができる。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板の近傍から
半導体基板に対して平面的にめっき液を噴出することが
できる。これにより、半導体基板の表面に均一な濃度で
めっき液が供給される。従って、半導体基板上に導電膜
を均一な膜厚で形成することができる。
半導体基板に対して平面的にめっき液を噴出することが
できる。これにより、半導体基板の表面に均一な濃度で
めっき液が供給される。従って、半導体基板上に導電膜
を均一な膜厚で形成することができる。
【００４０】また、めっき液供給部が回転することで、
半導体基板の表面に対して、より均一な濃度でめっき液
を供給することができる。従って、半導体基板上に導電
膜を更に均一な膜厚で形成することができる。
半導体基板の表面に対して、より均一な濃度でめっき液
を供給することができる。従って、半導体基板上に導電
膜を更に均一な膜厚で形成することができる。
【００４１】また、めっき液供給部が半導体基板の中心
に対して偏心して回転することによって、高い均一性で
半導体基板にめっき液を供給することができる。従っ
て、半導体基板上に形成された導電膜の膜厚の面内均一
性を向上させることができる。
に対して偏心して回転することによって、高い均一性で
半導体基板にめっき液を供給することができる。従っ
て、半導体基板上に形成された導電膜の膜厚の面内均一
性を向上させることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１によるめっき装置を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図２】 図１に示しためっき液噴出口を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態２によるめっき装置を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図４】 従来のめっき装置を説明するための断面図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １ めっき槽、２ ヘッド、３ 半導体基板、４ めっ
き液噴出口、５ アノード電極、１０ めっき液、２１
ウェハ押さえ、２２ カソード電極、２３シール材、
４１ ノズル、４２ 案内管、４３ 配管、４４ フレ
ーム。
き液噴出口、５ アノード電極、１０ めっき液、２１
ウェハ押さえ、２２ カソード電極、２３シール材、
４１ ノズル、４２ 案内管、４３ 配管、４４ フレ
ーム。
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に導電膜を形成するめっき装置で
あって、 めっき槽と、 前記めっき槽内で前記基板を保持するヘッドと、 前記基板の近傍から前記基板に対して平面的にめっき液
を噴出するめっき液噴出口と、 を備えることを特徴とするめっき装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のめっき装置において、 前記めっき液噴出口は、前記めっき液を噴出する複数の
ノズルを有し、前記複数のノズルは平面的に配置される
ことを特徴とするめっき装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載のめっき装置において、 前記めっき液噴出口は、前記ノズルの口径よりも大きな
開口を有し前記ノズルから噴出されためっき液に直進性
を持たせる複数の案内管を更に有することを特徴とする
めっき装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のめっき装置において、 前記複数の案内管が、コリメータであることを特徴とす
るめっき装置。 - 【請求項５】 請求項２から４何れかに記載のめっき装
置において、 前記めっき液噴出口が、前記めっき槽の内部で回転する
ことを特徴とするめっき装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載のめっき装置において、 前記めっき液噴出口が、前記基板の中心に対して偏心し
て回転することを特徴とするめっき装置。 - 【請求項７】 請求項１から６何れかに記載のめっき装
置を用いて導電膜を形成する工程を含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001062920A JP3364485B2 (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | めっき装置、及び半導体装置の製造方法 |
| KR1020020001330A KR100674551B1 (ko) | 2001-03-07 | 2002-01-10 | 도금 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001062920A JP3364485B2 (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | めっき装置、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002266098A true JP2002266098A (ja) | 2002-09-18 |
| JP3364485B2 JP3364485B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=18921990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001062920A Expired - Fee Related JP3364485B2 (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | めっき装置、及び半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3364485B2 (ja) |
| KR (1) | KR100674551B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1572911B (zh) * | 2003-05-29 | 2010-10-27 | 株式会社荏原制作所 | 用于镀敷基片的装置和方法 |
| JP2019056137A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 上村工業株式会社 | 表面処理装置および表面処理方法 |
| JP2019525000A (ja) * | 2016-07-20 | 2019-09-05 | テクニク, インク.Technic, Inc. | 半導体ウェハ上の均一な厚さの金属層の電着 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101494175B1 (ko) | 2013-05-22 | 2015-02-17 | (주)포인텍 | 도금조의 노즐 요동장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0474886A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-10 | Canon Inc | メッキ法及びそれに用いるノズル |
| JPH05243235A (ja) * | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JP2714520B2 (ja) * | 1992-08-28 | 1998-02-16 | 株式会社日立製作所 | 実装部品着脱装置 |
| JP3350564B2 (ja) * | 1993-01-22 | 2002-11-25 | 沖電気工業株式会社 | めっき装置及びめっき方法 |
-
2001
- 2001-03-07 JP JP2001062920A patent/JP3364485B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-10 KR KR1020020001330A patent/KR100674551B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1572911B (zh) * | 2003-05-29 | 2010-10-27 | 株式会社荏原制作所 | 用于镀敷基片的装置和方法 |
| JP2019525000A (ja) * | 2016-07-20 | 2019-09-05 | テクニク, インク.Technic, Inc. | 半導体ウェハ上の均一な厚さの金属層の電着 |
| JP7073332B2 (ja) | 2016-07-20 | 2022-05-23 | テクニク，インク． | 半導体ウェハ上の均一な厚さの金属層の電着 |
| JP2019056137A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 上村工業株式会社 | 表面処理装置および表面処理方法 |
| CN111094635A (zh) * | 2017-09-20 | 2020-05-01 | 上村工业株式会社 | 表面处理装置及表面处理方法 |
| KR20200056409A (ko) * | 2017-09-20 | 2020-05-22 | 우에무라 고교 가부시키가이샤 | 표면 처리 장치 및 표면 처리 방법 |
| JP6995544B2 (ja) | 2017-09-20 | 2022-01-14 | 上村工業株式会社 | 表面処理装置および表面処理方法 |
| KR102401901B1 (ko) * | 2017-09-20 | 2022-05-24 | 우에무라 고교 가부시키가이샤 | 표면 처리 장치 및 표면 처리 방법 |
| US11389818B2 (en) | 2017-09-20 | 2022-07-19 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Surface treatment apparatus and surface treatment method |
Also Published As
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|---|---|
| JP3364485B2 (ja) | 2003-01-08 |
| KR20020071720A (ko) | 2002-09-13 |
| KR100674551B1 (ko) | 2007-01-26 |
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