JP3350564B2 - めっき装置及びめっき方法 - Google Patents
めっき装置及びめっき方法Info
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- JP3350564B2 JP3350564B2 JP00902593A JP902593A JP3350564B2 JP 3350564 B2 JP3350564 B2 JP 3350564B2 JP 00902593 A JP00902593 A JP 00902593A JP 902593 A JP902593 A JP 902593A JP 3350564 B2 JP3350564 B2 JP 3350564B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、めっき装置及びめっき
方法に係り、特に大口径半導体ウエハのバンプ電極形成
のめっき装置及びめっき方法に関するものである。
方法に係り、特に大口径半導体ウエハのバンプ電極形成
のめっき装置及びめっき方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特公昭５６−５３１８号公報、実開昭６４−１
００７２号公報に開示されるものがあった。
例えば、特公昭５６−５３１８号公報、実開昭６４−１
００７２号公報に開示されるものがあった。
【０００３】図９はかかる従来の半導体ウエハのバンプ
電極めっき装置の構成図であり、図９（ａ）はその半導
体ウエハのバンプ電極めっきシステムの概略図、図９
（ｂ）はその半導体ウエハのバンプ電極めっき装置の断
面図、図９（ｃ）はその半導体ウエハのバンプ電極めっ
き装置のめっき槽の平面図である。
電極めっき装置の構成図であり、図９（ａ）はその半導
体ウエハのバンプ電極めっきシステムの概略図、図９
（ｂ）はその半導体ウエハのバンプ電極めっき装置の断
面図、図９（ｃ）はその半導体ウエハのバンプ電極めっ
き装置のめっき槽の平面図である。
【０００４】図において、めっき液貯溜槽５はめっき槽
３より高い位置にあり、それらの底部が管６によって互
に連通している。容器４の底部及びめっき液貯溜槽５の
樋部７はそれぞれ管８もしくは９によってタンク１に接
続し、タンク１とめっき液貯溜槽５は管１０によりポン
プ２を介して接続されている。
３より高い位置にあり、それらの底部が管６によって互
に連通している。容器４の底部及びめっき液貯溜槽５の
樋部７はそれぞれ管８もしくは９によってタンク１に接
続し、タンク１とめっき液貯溜槽５は管１０によりポン
プ２を介して接続されている。
【０００５】めっき槽３は半導体ウエハを水平に設置す
るためその軸線は垂直に設けられ、下部が管部１１にな
っており、この管部１１の下端は管６に連通する共通の
導管１２に接続されている。なお、１６は押え、１７は
ノズル、１８は弾性材、１９は板ばね、２０は空気管、
２１は空気通路である。
るためその軸線は垂直に設けられ、下部が管部１１にな
っており、この管部１１の下端は管６に連通する共通の
導管１２に接続されている。なお、１６は押え、１７は
ノズル、１８は弾性材、１９は板ばね、２０は空気管、
２１は空気通路である。
【０００６】めっき槽３の内部の管部１１の上端にはメ
ッシュ状の陽極１３が設けられ、めっき槽３は通常は円
形であってその頂部には等間隔に離れた複数個の突出部
１４が一体に設けられている。これら突出部１４の内周
面には同一高さの段部１５があり、そこに被めっき物で
ある半導体ウエハ３０がセットされる。
ッシュ状の陽極１３が設けられ、めっき槽３は通常は円
形であってその頂部には等間隔に離れた複数個の突出部
１４が一体に設けられている。これら突出部１４の内周
面には同一高さの段部１５があり、そこに被めっき物で
ある半導体ウエハ３０がセットされる。
【０００７】このように、めっき槽３のカップは被めっ
き物である半導体ウエハ３０のサイズ（口径）に合致し
たものである。また、半導体ウエハを真空チャックする
チャックサイズも口径に合致したものである。
き物である半導体ウエハ３０のサイズ（口径）に合致し
たものである。また、半導体ウエハを真空チャックする
チャックサイズも口径に合致したものである。
【０００８】更に、めっき槽内にめっき液を吐出する噴
流ノズルは、めっき槽に１個載置された構造である。め
っき槽内に噴流吐出しためっき液の流量は、固定であ
り、また、めっき液面の確認は、めっき槽の蓋を取っ
て、目視確認をする。更に、従来装置は、めっき液温度
調節はめっき液タンクにおいて行うものが主流であっ
た。
流ノズルは、めっき槽に１個載置された構造である。め
っき槽内に噴流吐出しためっき液の流量は、固定であ
り、また、めっき液面の確認は、めっき槽の蓋を取っ
て、目視確認をする。更に、従来装置は、めっき液温度
調節はめっき液タンクにおいて行うものが主流であっ
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のめっき装置では、半導体ウエハの口径が異なる
場合、めっき槽のカップをその口径に合致したものと交
換しないと、めっき装置は被めっき物である半導体ウエ
ハに合致せず、使用できなかった。
た従来のめっき装置では、半導体ウエハの口径が異なる
場合、めっき槽のカップをその口径に合致したものと交
換しないと、めっき装置は被めっき物である半導体ウエ
ハに合致せず、使用できなかった。
【００１０】また、交換して、大口径の半導体ウエハに
めっき処理しようとしても、めっき液を吐出する噴流ノ
ズルが１個のために、半導体ウエハに噴流するめっき液
量は、時に半導体ウエハ口径が大きくなると、バラツキ
を持って半導体ウエハに接していた。更に、その半導体
ウエハは、バネまたは真空チャックで固定され、めっき
槽との位置関係も固定であった。また、めっき速度に効
くめっき液の温度調節は、めっき液タンクで行われ、循
環し、噴流ノズルより半導体ウエハに達しているが、配
管系にて温度損失があった。
めっき処理しようとしても、めっき液を吐出する噴流ノ
ズルが１個のために、半導体ウエハに噴流するめっき液
量は、時に半導体ウエハ口径が大きくなると、バラツキ
を持って半導体ウエハに接していた。更に、その半導体
ウエハは、バネまたは真空チャックで固定され、めっき
槽との位置関係も固定であった。また、めっき速度に効
くめっき液の温度調節は、めっき液タンクで行われ、循
環し、噴流ノズルより半導体ウエハに達しているが、配
管系にて温度損失があった。
【００１１】このように、被めっき物の半導体ウエハの
口径により、カップを交換する手間が掛かり、めっき装
置全体に２０〜２５セットが装備されていると、その手
間は数時間に及ぶ。
口径により、カップを交換する手間が掛かり、めっき装
置全体に２０〜２５セットが装備されていると、その手
間は数時間に及ぶ。
【００１２】また、噴流ノズルから吐出するめっき液の
半導体ウエハに接する量のバラツキは、めっき速度のバ
ラツキとなり、半導体ウエハに形成しようとするバンプ
電極の高さ、大きさのバラツキ、及び形状の不良を引き
起こす原因となる。
半導体ウエハに接する量のバラツキは、めっき速度のバ
ラツキとなり、半導体ウエハに形成しようとするバンプ
電極の高さ、大きさのバラツキ、及び形状の不良を引き
起こす原因となる。
【００１３】更に、めっき速度に効くめっき液温度の低
下、及び半導体ウエハ面内での温度バラツキは、同様な
不良を引き起こす原因となる。
下、及び半導体ウエハ面内での温度バラツキは、同様な
不良を引き起こす原因となる。
【００１４】したがって、めっき不良による半導体ウエ
ハのチップ良品率の低下が著しく、また、めっき形状不
良のチップを選別したりするのにも手間が掛かる。更
に、不良チップが全て選別できるとは限らず、この選別
ミスが組立不具合の発生を招く恐れがあった。
ハのチップ良品率の低下が著しく、また、めっき形状不
良のチップを選別したりするのにも手間が掛かる。更
に、不良チップが全て選別できるとは限らず、この選別
ミスが組立不具合の発生を招く恐れがあった。
【００１５】本発明は、以上述べた問題点を除去するた
めに、半導体ウエハの口径の大小にかかわらず、めっき
槽（カップ）の交換を行わなくてすみ、めっき液が被め
っき物である半導体ウエハに均一に噴流し接するととも
に、めっき液温度のバラツキを補正し、しかも半導体ウ
エハを回転させるようにし、生産性を向上させるととも
に、半導体ウエハのめっき形状不良を抑え、チップ良品
率を向上させることができるめっき装置及びめっき方法
を提供することを目的とする。
めに、半導体ウエハの口径の大小にかかわらず、めっき
槽（カップ）の交換を行わなくてすみ、めっき液が被め
っき物である半導体ウエハに均一に噴流し接するととも
に、めっき液温度のバラツキを補正し、しかも半導体ウ
エハを回転させるようにし、生産性を向上させるととも
に、半導体ウエハのめっき形状不良を抑え、チップ良品
率を向上させることができるめっき装置及びめっき方法
を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、めっき槽と、該めっき槽にめっき液を循
環させる噴流ノズルと、半導体ウエハを保持するチャッ
ク部とを有するめっき装置において、前記チャック部は
複数の吸引部により構成された吸着手段を具備し、前記
噴流ノズルは内部が複数に分割され、該分割されたノズ
ル毎に前記めっき液の噴流を制御する装置を具備するよ
うにしたものである。
成するために、めっき槽と、該めっき槽にめっき液を循
環させる噴流ノズルと、半導体ウエハを保持するチャッ
ク部とを有するめっき装置において、前記チャック部は
複数の吸引部により構成された吸着手段を具備し、前記
噴流ノズルは内部が複数に分割され、該分割されたノズ
ル毎に前記めっき液の噴流を制御する装置を具備するよ
うにしたものである。
【００１７】また、めっき槽と、このめっき槽にめっき
液を循環させる噴流ノズルと、半導体ウエハを保持する
チャック部とを有するめっき装置を用いためっき方法に
おいて、半導体ウエハのサイズにかかわりなく半導体ウ
エハの一方の面側を吸着保持し、前記噴流ノズルは内部
が複数に分割され、この分割されたノズル毎に前記めっ
き液の噴流を制御して、前記吸着保持された半導体ウエ
ハの一方の面側にめっき液を供給するようにしたもので
ある。
液を循環させる噴流ノズルと、半導体ウエハを保持する
チャック部とを有するめっき装置を用いためっき方法に
おいて、半導体ウエハのサイズにかかわりなく半導体ウ
エハの一方の面側を吸着保持し、前記噴流ノズルは内部
が複数に分割され、この分割されたノズル毎に前記めっ
き液の噴流を制御して、前記吸着保持された半導体ウエ
ハの一方の面側にめっき液を供給するようにしたもので
ある。
【００１８】
【作用】本発明によれば、めっき槽及び該めっき槽の中
に置かれた噴流ノズルは長方形であり、その内部を分割
し、それぞれに陽極電極を設け、該分割された各ノズル
の流入口にめっき液導管が接続され、該めっき液導管に
接続されるとともに、めっき液を噴流させる複数台の循
環ポンプを配置する。
に置かれた噴流ノズルは長方形であり、その内部を分割
し、それぞれに陽極電極を設け、該分割された各ノズル
の流入口にめっき液導管が接続され、該めっき液導管に
接続されるとともに、めっき液を噴流させる複数台の循
環ポンプを配置する。
【００１９】したがって、本発明の半導体ウエハのバン
プ電極めっき装置は、めっき槽に設けた噴流ノズルは長
方形であり、大口径又は小口径半導体ウエハをセットで
きるため、従来のように、導体ウエハのサイズに応じて
めっき槽（カップ）の交換の手間がかからない。
プ電極めっき装置は、めっき槽に設けた噴流ノズルは長
方形であり、大口径又は小口径半導体ウエハをセットで
きるため、従来のように、導体ウエハのサイズに応じて
めっき槽（カップ）の交換の手間がかからない。
【００２０】また、めっき槽内に噴流液面を検出する液
面検出装置を設け、前記循環ポンプ及びめっき液ドレイ
ン量調整弁を制御するように構成したので、めっき液は
常に被めっき物である半導体ウエハに均一に接すること
ができる。
面検出装置を設け、前記循環ポンプ及びめっき液ドレイ
ン量調整弁を制御するように構成したので、めっき液は
常に被めっき物である半導体ウエハに均一に接すること
ができる。
【００２１】更に、めっき槽内の複数の噴流ノズルにそ
れぞれ温度センサを備え、それらの温度センサから得ら
れる温度を比較し、その温度差により噴流を制御する装
置を設けるようにしたので、めっき液の温度を測温し、
各噴流ノズルから噴流するめっき液の温度差にみあっ
て、噴流を制御することにより、半導体ウエハに析出す
るめっき量は、半導体ウエハ面内において均一となり、
めっきの高さ、大きさのバラツキがなくなる。
れぞれ温度センサを備え、それらの温度センサから得ら
れる温度を比較し、その温度差により噴流を制御する装
置を設けるようにしたので、めっき液の温度を測温し、
各噴流ノズルから噴流するめっき液の温度差にみあっ
て、噴流を制御することにより、半導体ウエハに析出す
るめっき量は、半導体ウエハ面内において均一となり、
めっきの高さ、大きさのバラツキがなくなる。
【００２２】また、半導体ウエハの大口径、小口径にか
かわらず、吸着可能とした２系統の吸引部により構成さ
れた真空チャックを備えるようにしたので、簡単な構成
で、容易に半導体ウエハの大口径、小口径の両方の処理
ができる。
かわらず、吸着可能とした２系統の吸引部により構成さ
れた真空チャックを備えるようにしたので、簡単な構成
で、容易に半導体ウエハの大口径、小口径の両方の処理
ができる。
【００２３】更に、めっき槽の蓋部に半導体ウエハを保
持する真空チャックを設け、該蓋部を回転又は水平移動
させる機構を設けようにしたので、真空チャックに吸引
された半導体ウエハは、連続あるいは間欠的に回転、又
は水平方向に移動させることができ、めっき中に発生す
る気泡を振り切ることができ、気泡が妨げとなって発生
するめっきの形状不良をなくすことができる。
持する真空チャックを設け、該蓋部を回転又は水平移動
させる機構を設けようにしたので、真空チャックに吸引
された半導体ウエハは、連続あるいは間欠的に回転、又
は水平方向に移動させることができ、めっき中に発生す
る気泡を振り切ることができ、気泡が妨げとなって発生
するめっきの形状不良をなくすことができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。
がら詳細に説明する。
【００２５】図１は本発明の第１の実施例を示す半導体
ウエハのバンプ電極めっき装置の縦断面（図２のＹ−Ｙ
線に沿った断面）図である。
ウエハのバンプ電極めっき装置の縦断面（図２のＹ−Ｙ
線に沿った断面）図である。
【００２６】図中、３１はめっき槽、３２は噴流ノズ
ル、３３は陽極電極、３４はめっき液導管群、３５はめ
っき液ドレイン管、３６はめっき液タンク、３７はめっ
き液、３８は温調器、３９は真空チャック部、４０は被
めっき物である半導体ウエハ、４１は陰極電極、４２は
めっき槽蓋部、４３は駆動用モータ、４４はカップリン
グ部、４５は循環噴流用ポンプ群、４６は制御盤、４７
はめっき電源部、４８は真空ポンプ、４９は液面検出
器、５０はめっき液ドレイン量調整弁、５１はめっき液
フィルタである。
ル、３３は陽極電極、３４はめっき液導管群、３５はめ
っき液ドレイン管、３６はめっき液タンク、３７はめっ
き液、３８は温調器、３９は真空チャック部、４０は被
めっき物である半導体ウエハ、４１は陰極電極、４２は
めっき槽蓋部、４３は駆動用モータ、４４はカップリン
グ部、４５は循環噴流用ポンプ群、４６は制御盤、４７
はめっき電源部、４８は真空ポンプ、４９は液面検出
器、５０はめっき液ドレイン量調整弁、５１はめっき液
フィルタである。
【００２７】図２は本発明の第１の実施例を示す半導体
ウエハのバンプ電極めっき装置のめっき槽及び噴流ノズ
ルを示す上面図であり、大口径半導体ウエハ４０ａ、小
口径半導体ウエハ４０ｂが、真空チャック部３９に吸着
されて、めっき槽３１上に配置された図である。
ウエハのバンプ電極めっき装置のめっき槽及び噴流ノズ
ルを示す上面図であり、大口径半導体ウエハ４０ａ、小
口径半導体ウエハ４０ｂが、真空チャック部３９に吸着
されて、めっき槽３１上に配置された図である。
【００２８】図３は本発明の第１の実施例を示す半導体
ウエハのバンプ電極めっき装置のめっき槽の断面（図２
のＸ−Ｘ線に沿った断面）図であり、３４はめっき液導
管群であり、各めっき液導管３４ａ，３４ｂ，３４ｃは
複数個設けた循環噴流用ポンプ数と同数設けられてい
る。
ウエハのバンプ電極めっき装置のめっき槽の断面（図２
のＸ−Ｘ線に沿った断面）図であり、３４はめっき液導
管群であり、各めっき液導管３４ａ，３４ｂ，３４ｃは
複数個設けた循環噴流用ポンプ数と同数設けられてい
る。
【００２９】図４は本発明の第１の実施例を示す半導体
ウエハのバンプ電極めっき装置のめっき槽の蓋部の断面
図であり、４３は駆動用モータ、４３ａは歯車、４３ｂ
は軸受ボール、５２は回転軸、５３は真空吸引系カップ
リング、５４は陰極電源系カップリング、５５は外部端
子群（５３ａは配管系の端子、５４ａは電源系の端
子）、５６は蓋駆動用シリンダ、５７は緩衝材である。
ウエハのバンプ電極めっき装置のめっき槽の蓋部の断面
図であり、４３は駆動用モータ、４３ａは歯車、４３ｂ
は軸受ボール、５２は回転軸、５３は真空吸引系カップ
リング、５４は陰極電源系カップリング、５５は外部端
子群（５３ａは配管系の端子、５４ａは電源系の端
子）、５６は蓋駆動用シリンダ、５７は緩衝材である。
【００３０】このように構成されたバンプ電極めっき装
置で、半導体ウエハ４０をめっきする場合は、この半導
体ウエハ４０の被めっき面の裏が、めっき槽の蓋駆動用
シリンダ５６を動作させて、開けた蓋の真空チャック部
３９に吸着するようにセットする。この時、尖った陰極
電極４１を半導体ウエハ４０の表面に移動させて、押し
込んで、ホトレジストを破り、導通が得られる。陰極電
極４１が導通したか否かを確認後、蓋駆動用シリンダ５
６を動作させて、めっき槽３１の蓋を閉め、図１に示す
めっき電源部４７と循環噴流用ポンプ群４５の駆動電源
をＯＮにする。
置で、半導体ウエハ４０をめっきする場合は、この半導
体ウエハ４０の被めっき面の裏が、めっき槽の蓋駆動用
シリンダ５６を動作させて、開けた蓋の真空チャック部
３９に吸着するようにセットする。この時、尖った陰極
電極４１を半導体ウエハ４０の表面に移動させて、押し
込んで、ホトレジストを破り、導通が得られる。陰極電
極４１が導通したか否かを確認後、蓋駆動用シリンダ５
６を動作させて、めっき槽３１の蓋を閉め、図１に示す
めっき電源部４７と循環噴流用ポンプ群４５の駆動電源
をＯＮにする。
【００３１】すると、めっき液３７は真空ポンプ４８の
循環作用によりめっき液導管群３４を通って、半導体ウ
エハ４０に向かって噴流する状態で流れる。また、陽極
電極３３と陰極電極４１を介して、被めっき物である半
導体ウエハ４０との間に電源が印加されると電気めっき
が始まる。
循環作用によりめっき液導管群３４を通って、半導体ウ
エハ４０に向かって噴流する状態で流れる。また、陽極
電極３３と陰極電極４１を介して、被めっき物である半
導体ウエハ４０との間に電源が印加されると電気めっき
が始まる。
【００３２】また、このめっき装置は、図２及び図４に
示すように、被めっき物である半導体ウエハ４０は、大
口径半導体ウエハ４０ａの場合（例えば、６インチ、あ
るいは８インチ）、及び小口径半導体ウエハ４０ｂの場
合（例えば、４インチ）と、めっき槽（カップ）３１を
交換することなく、真空チャック部３９にセットするこ
とができ、陰極電極４１の導通は、半導体ウエハ４０表
面のホトレジストに尖った電極を食い込ませるので、そ
の状態が容易に確認できる。
示すように、被めっき物である半導体ウエハ４０は、大
口径半導体ウエハ４０ａの場合（例えば、６インチ、あ
るいは８インチ）、及び小口径半導体ウエハ４０ｂの場
合（例えば、４インチ）と、めっき槽（カップ）３１を
交換することなく、真空チャック部３９にセットするこ
とができ、陰極電極４１の導通は、半導体ウエハ４０表
面のホトレジストに尖った電極を食い込ませるので、そ
の状態が容易に確認できる。
【００３３】図２乃至図４に示すように、めっき槽３１
及び噴流ノズル３２は長方形であり、大口径半導体ウエ
ハにおいても、めっき液の噴流は半導体ウエハ４０面内
に均一に接する。また、長方形の噴流ノズル３２を複数
に分割し、それぞれに陽極電極３３が設けられているの
で、陰極電極４１を介して半導体ウエハ４０との間に印
加される電源は、半導体ウエハ４０の外周においても均
一であり、被めっき面上の全域でのめっき析出速度がバ
ラツキを持つことはない。
及び噴流ノズル３２は長方形であり、大口径半導体ウエ
ハにおいても、めっき液の噴流は半導体ウエハ４０面内
に均一に接する。また、長方形の噴流ノズル３２を複数
に分割し、それぞれに陽極電極３３が設けられているの
で、陰極電極４１を介して半導体ウエハ４０との間に印
加される電源は、半導体ウエハ４０の外周においても均
一であり、被めっき面上の全域でのめっき析出速度がバ
ラツキを持つことはない。
【００３４】循環噴流用ポンプ群４５は噴流ノズル３２
の分割数と同数の複数個を有している。この循環噴流用
ポンプによる噴流液面は、常に液面検出器４９によって
検出されて、循環噴流用ポンプ群４５により制御され
る。また、同様に、めっき液ドレイン量調整弁５０を制
御して、噴流液面は半導体ウエハ４０に均一に接する。
の分割数と同数の複数個を有している。この循環噴流用
ポンプによる噴流液面は、常に液面検出器４９によって
検出されて、循環噴流用ポンプ群４５により制御され
る。また、同様に、めっき液ドレイン量調整弁５０を制
御して、噴流液面は半導体ウエハ４０に均一に接する。
【００３５】図４に示すように、半導体ウエハ４０を真
空吸着している真空チャック部３９は、駆動用モータ４
３により歯車４３ａを介して、回転軸５２を軸として長
方形の噴流ノズル３２に対向して回転する。連続あるい
は間欠的に回転させることにより、半導体ウエハ４０の
表面に付着するめっき析出の妨害となる気泡を振り切っ
て、常にめっき中は気泡が付着しない状態を保つように
する。
空吸着している真空チャック部３９は、駆動用モータ４
３により歯車４３ａを介して、回転軸５２を軸として長
方形の噴流ノズル３２に対向して回転する。連続あるい
は間欠的に回転させることにより、半導体ウエハ４０の
表面に付着するめっき析出の妨害となる気泡を振り切っ
て、常にめっき中は気泡が付着しない状態を保つように
する。
【００３６】これらにより、半導体ウエハ４０に均一に
噴流液面が接する。半導体ウエハ４０が、連続あるいは
間欠的に回転することにより、気泡が除かれ、めっきの
高さ、大きさ及び形状不良を減らすことができるととも
に、チップ良品率を向上させることができる。また、め
っき形状不良のチップ混在による組立工程での組立不良
も減少する。
噴流液面が接する。半導体ウエハ４０が、連続あるいは
間欠的に回転することにより、気泡が除かれ、めっきの
高さ、大きさ及び形状不良を減らすことができるととも
に、チップ良品率を向上させることができる。また、め
っき形状不良のチップ混在による組立工程での組立不良
も減少する。
【００３７】更に、場合によっては、めっき工程の終了
後、外観検査を全チップ、全バンプ電極に対して行わな
くても済むことになるので、外観検査も省けることにな
る。
後、外観検査を全チップ、全バンプ電極に対して行わな
くても済むことになるので、外観検査も省けることにな
る。
【００３８】図５は本発明の第２の実施例を示す半導体
ウエハのバンプ電極めっき装置のシステム概略図であ
る。
ウエハのバンプ電極めっき装置のシステム概略図であ
る。
【００３９】この図において、図１と同じ部分について
は、同一符号を付しその説明を省略する。以下、図６、
図７、図８も同様である。
は、同一符号を付しその説明を省略する。以下、図６、
図７、図８も同様である。
【００４０】図５に示す第２の実施例の構造と図１に示
す第１の実施例の構造と異なる点は、第２の実施例にお
いて、複数の噴流ノズル３２内方に温度センサ１０４を
有することである。その温度センサ１０４はめっき液の
温度をそれぞれに検知し、噴流するめっき液の温度差に
より、噴流を制御しようとするものである。
す第１の実施例の構造と異なる点は、第２の実施例にお
いて、複数の噴流ノズル３２内方に温度センサ１０４を
有することである。その温度センサ１０４はめっき液の
温度をそれぞれに検知し、噴流するめっき液の温度差に
より、噴流を制御しようとするものである。
【００４１】すなわち、この第２の実施例の半導体ウエ
ハのバンプ電極めっき装置は、噴流用調整弁１０１、め
っき液流切換弁１０２、停止弁１０３、温度センサ１０
４、制御器１０５、温度センサ情報系１０６、弁調整用
情報系１０７、ポンプ回転調整系１０８を具備し、バン
プ電極めっきの析出速度に影響を及ぼすめっき液温度
が、各噴流ノズル３２で検知でき、その温度情報は、温
度センサ情報系１０６を介して、制御器１０５に達す
る。この制御器１０５では温度差により、弁調整用情報
系１０７で噴流用調整弁１０１を調整し、噴流ノズル３
２より噴流するめっき液が被めっき物の半導体ウエハ４
０に接する量を変化させる。
ハのバンプ電極めっき装置は、噴流用調整弁１０１、め
っき液流切換弁１０２、停止弁１０３、温度センサ１０
４、制御器１０５、温度センサ情報系１０６、弁調整用
情報系１０７、ポンプ回転調整系１０８を具備し、バン
プ電極めっきの析出速度に影響を及ぼすめっき液温度
が、各噴流ノズル３２で検知でき、その温度情報は、温
度センサ情報系１０６を介して、制御器１０５に達す
る。この制御器１０５では温度差により、弁調整用情報
系１０７で噴流用調整弁１０１を調整し、噴流ノズル３
２より噴流するめっき液が被めっき物の半導体ウエハ４
０に接する量を変化させる。
【００４２】また、制御器１０５の別系統の情報である
ポンプ回転調整系１０８を介して、循環噴流用ポンプ群
４５のそれぞれのポンプの回転数調整を行い、半導体ウ
エハ４０に接するめっき液の温度差が面内で均一でない
としても、めっき液の噴流量及びポンプ回転にみあった
噴流速度によって、半導体ウエハ４０のめっき析出速度
が、半導体ウエハ４０の面内、または複数枚セットした
場合でも、バラツキを最小限として、バンプ電極めっき
の高さ及び大きさのバラツキを無くし、チップ良品率を
向上させる。
ポンプ回転調整系１０８を介して、循環噴流用ポンプ群
４５のそれぞれのポンプの回転数調整を行い、半導体ウ
エハ４０に接するめっき液の温度差が面内で均一でない
としても、めっき液の噴流量及びポンプ回転にみあった
噴流速度によって、半導体ウエハ４０のめっき析出速度
が、半導体ウエハ４０の面内、または複数枚セットした
場合でも、バラツキを最小限として、バンプ電極めっき
の高さ及び大きさのバラツキを無くし、チップ良品率を
向上させる。
【００４３】図６は本発明の第２の実施例を示す半導体
ウエハのバンプ電極めっき装置の噴流ノズル部を表す断
面図、図７はその半導体ウエハのバンプ電極めっき装置
のめっき装置の蓋部を表す平面図である。
ウエハのバンプ電極めっき装置の噴流ノズル部を表す断
面図、図７はその半導体ウエハのバンプ電極めっき装置
のめっき装置の蓋部を表す平面図である。
【００４４】図７において、６０は蓋部、６１は蓋部開
閉用シリンダ、６２はリンク、６２ｂは偏心プーリー、
６３はモータ、６４は摺動レールである。
閉用シリンダ、６２はリンク、６２ｂは偏心プーリー、
６３はモータ、６４は摺動レールである。
【００４５】ここで、偏心プーリー６２ｂを駆動させる
ことにより、蓋部６０は半導体ウエハ４０を吸着した状
態で水平方向に移動させることができる。
ことにより、蓋部６０は半導体ウエハ４０を吸着した状
態で水平方向に移動させることができる。
【００４６】図８は本発明の第２の実施例を示す半導体
ウエハのバンプ電極めっき装置の真空チャック部の拡大
図である。
ウエハのバンプ電極めっき装置の真空チャック部の拡大
図である。
【００４７】ここでは、大口径半導体ウエハ及び小口径
半導体ウエハを容易に吸着可能とする２系統の吸引部よ
り合成された真空チャックの一実施例である。
半導体ウエハを容易に吸着可能とする２系統の吸引部よ
り合成された真空チャックの一実施例である。
【００４８】Ａは吸引切換バンプ群であり、それぞれの
バンプの切換により、大口径半導体ウエハ（１枚の場
合）又は小口径半導体ウエハ（２枚の場合）の吸着がで
きる。
バンプの切換により、大口径半導体ウエハ（１枚の場
合）又は小口径半導体ウエハ（２枚の場合）の吸着がで
きる。
【００４９】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００５０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。
【００５１】（１）めっき装置は、めっき槽に設けた噴
流ノズルは長方形であり、大口径又は小口径半導体ウエ
ハをセットできるため、従来のように、半導体ウエハの
サイズに応じてめっき槽（カップ）の交換を行う必要が
ないので、その分手間がかからない。
流ノズルは長方形であり、大口径又は小口径半導体ウエ
ハをセットできるため、従来のように、半導体ウエハの
サイズに応じてめっき槽（カップ）の交換を行う必要が
ないので、その分手間がかからない。
【００５２】（２）複数台の循環噴流用ポンプとめっき
液の噴流液面を検出する液面検出器を設け、循環噴流用
ポンプ及びめっき液ドレイン量調整弁を制御するように
構成したので、めっき液は常に被めっき物である半導体
ウエハに均一に接することができる。
液の噴流液面を検出する液面検出器を設け、循環噴流用
ポンプ及びめっき液ドレイン量調整弁を制御するように
構成したので、めっき液は常に被めっき物である半導体
ウエハに均一に接することができる。
【００５３】（３）めっき槽内の複数の噴流ノズルにそ
れぞれ温度センサを備え、それらの温度センサから得ら
れる温度を比較し、その温度差により噴流を制御する装
置を設けるようにしたので、めっき液の温度を測温し、
各噴流ノズルから噴流するめっき液の温度差にみあっ
て、噴流を制御することにより、半導体ウエハに析出す
るめっき量は、半導体ウエハ面内において均一となり、
めっきの高さ、大きさのバラツキがなくなる。
れぞれ温度センサを備え、それらの温度センサから得ら
れる温度を比較し、その温度差により噴流を制御する装
置を設けるようにしたので、めっき液の温度を測温し、
各噴流ノズルから噴流するめっき液の温度差にみあっ
て、噴流を制御することにより、半導体ウエハに析出す
るめっき量は、半導体ウエハ面内において均一となり、
めっきの高さ、大きさのバラツキがなくなる。
【００５４】（４）また、半導体ウエハの大口径、小口
径にかかわらず、吸着可能とした２系統の吸引部により
構成された真空チャックを備えるようにしたので、簡単
な構成で、容易に半導体ウエハの大口径、小口径の両方
の処理ができる。
径にかかわらず、吸着可能とした２系統の吸引部により
構成された真空チャックを備えるようにしたので、簡単
な構成で、容易に半導体ウエハの大口径、小口径の両方
の処理ができる。
【００５５】（５）更に、めっき槽の蓋部に半導体ウエ
ハを保持する真空チャックを設け、該蓋部を回転又は水
平移動させる機構を設けるようにしたので、真空チャッ
クに吸引された半導体ウエハは、連続あるいは間欠的に
回転、又は水平方向に移動させることができ、めっき中
に発生する気泡を振り切ることができ、気泡が妨げとな
って発生するめっきの形状不良をなくすことができる。
ハを保持する真空チャックを設け、該蓋部を回転又は水
平移動させる機構を設けるようにしたので、真空チャッ
クに吸引された半導体ウエハは、連続あるいは間欠的に
回転、又は水平方向に移動させることができ、めっき中
に発生する気泡を振り切ることができ、気泡が妨げとな
って発生するめっきの形状不良をなくすことができる。
【００５６】また、めっき形状不良のチップ混在による
組立工程での組立不良も減少する。
組立工程での組立不良も減少する。
【００５７】更に、場合によっては、めっき工程の終了
後、外観検査を全チップ、全バンプ電極に対して行わな
くても済むことになるので、外観検査の手間を省くこと
ができる。
後、外観検査を全チップ、全バンプ電極に対して行わな
くても済むことになるので、外観検査の手間を省くこと
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す半導体ウエハのバ
ンプ電極めっき装置の縦断面図である。
ンプ電極めっき装置の縦断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例を示す半導体ウエハのバ
ンプ電極めっき装置のめっき槽及び噴流ノズルを示す上
面図である。
ンプ電極めっき装置のめっき槽及び噴流ノズルを示す上
面図である。
【図３】本発明の第１の実施例を示す半導体ウエハのバ
ンプ電極めっき装置のめっき槽の断面図である。
ンプ電極めっき装置のめっき槽の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例を示す半導体ウエハのバ
ンプ電極めっき装置のめっき槽の蓋部の断面図である。
ンプ電極めっき装置のめっき槽の蓋部の断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例を示す半導体ウエハのバ
ンプ電極めっき装置のシステム概略図である。
ンプ電極めっき装置のシステム概略図である。
【図６】本発明の第２の実施例を示す半導体ウエハのバ
ンプ電極めっき装置の噴流ノズル部を表す断面図であ
る。
ンプ電極めっき装置の噴流ノズル部を表す断面図であ
る。
【図７】本発明の第２の実施例を示す半導体ウエハのバ
ンプ電極めっき装置の蓋部を表す平面図である。
ンプ電極めっき装置の蓋部を表す平面図である。
【図８】本発明の第２の実施例を示す半導体ウエハのバ
ンプ電極めっき装置の真空チャック部の拡大図である。
ンプ電極めっき装置の真空チャック部の拡大図である。
【図９】従来の半導体ウエハのバンプ電極めっき装置の
構成図である。
構成図である。
３１ めっき槽 ３２ 噴流ノズル ３３ 陽極電極 ３４ めっき液導管群３４ａ，３４ｂ，３４ｃ めっき液導管 ３５ めっき液ドレイン管 ３６ めっき液タンク ３７ めっき液 ３８ 温調器 ３９ 真空チャック部 ４０ 被めっき物（半導体ウエハ） ４０ａ 大口径半導体ウエハ ４０ｂ 小口径半導体ウエハ ４１ 陰極電極 ４２ めっき槽蓋部 ４３ 駆動用モータ ４３ａ 歯車 ４３ｂ 軸受ボール ４４ カップリング部 ４５ 循環噴流用ポンプ群 ４６ 制御盤 ４７ めっき電源部 ４８ 真空ポンプ ４９ 液面検出器 ５０ めっき液ドレイン量調整弁 ５１ めっき液フィルタ ５２ 回転軸 ５３ 真空吸引系カップリング ５３ａ 配管系の端子 ５４ 陰極電源系カップリング ５４ａ 電源系の端子 ５５ 外部端子群 ５６ 蓋駆動用シリンダ ５７ 緩衝材 ６０ 蓋部 ６１ 蓋部開閉用シリンダ ６２ リンク ６２ｂ 偏心プーリー ６３ モータ ６４ 摺動レール １０１ 噴流用調整弁 １０２ めっき液流切換弁 １０３ 停止弁 １０４ 温度センサ １０５ 制御器 １０６ 温度センサ情報系 １０７ 弁調整用情報系 １０８ ポンプ回転調整系
Claims (8)
- 【請求項１】 めっき槽と、該めっき槽にめっき液を循
環させる噴流ノズルと、半導体ウエハを保持するチャッ
ク部とを有するめっき装置において、 前記チャック部は複数の吸引部により構成された吸着手
段を具備し、前記噴流ノズルは内部が複数に分割され、
該分割されたノズル毎に前記めっき液の噴流を制御する
装置を具備することを特徴とするめっき装置。 - 【請求項２】 前記めっき槽内の噴流液面を検出する噴
流液面検出装置を有し、該噴流液面検出装置の検出結果
に基づいて前記めっき液の噴流を制御することを特徴と
する請求項１記載のめっき装置。 - 【請求項３】 前記複数に分割された噴流ノズルのそれ
ぞれの内部に温度センサを有し、該温度センサの検出温
度に基づいて前記めっき液の噴流を制御することを特徴
とする請求項１記載のめっき装置。 - 【請求項４】 駆動用モータにより歯車を介して、回転
軸を軸として長方形の噴流ノズルに対向して半導体ウエ
ハを回転する機構を具備することを特徴とする請求項１
記載のめっき装置。 - 【請求項５】 めっき槽と、該めっき槽にめっき液を循
環させる噴流ノズルと、半導体ウエハを保持するチャッ
ク部とを有するめっき装置を用いためっき方法におい
て、 半導体ウエハのサイズにかかわりなく半導体ウエハの一
方の面側を吸着保持し、前記噴流ノズルは内部が複数に
分割され、該分割されたノズル毎に前記めっき液の噴流
を制御して、前記吸着保持された半導体ウエハの一方の
面側にめっき液を供給することを特徴とするめっき方
法。 - 【請求項６】 前記めっき槽内の噴流液面を噴流液面検
出装置で検出し、該噴流液面検出装置の検出結果に基づ
いて前記めっき液の噴流を制御することを特徴とする請
求項５記載のめっき方法。 - 【請求項７】 前記複数に分割された噴流ノズルのそれ
ぞれの内部に設けられる温度センサの検出温度に基づい
て前記めっき液の噴流を制御することを特徴とする請求
項５記載のめっき方法。 - 【請求項８】 長方形の噴流ノズルに対向して半導体ウ
エハを回転することを特徴とする請求項５記載のめっき
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00902593A JP3350564B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | めっき装置及びめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00902593A JP3350564B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | めっき装置及びめっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224202A JPH06224202A (ja) | 1994-08-12 |
| JP3350564B2 true JP3350564B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=11709123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00902593A Expired - Fee Related JP3350564B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | めっき装置及びめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3350564B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2320278C (en) * | 1998-02-12 | 2006-01-03 | Acm Research, Inc. | Plating apparatus and method |
| JP3364485B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2003-01-08 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | めっき装置、及び半導体装置の製造方法 |
| TW202246583A (zh) * | 2017-07-10 | 2022-12-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有減少的夾帶空氣的電鍍系統 |
-
1993
- 1993-01-22 JP JP00902593A patent/JP3350564B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06224202A (ja) | 1994-08-12 |
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