JPS62133097A - 半導体ウエハのめつき装置 - Google Patents
半導体ウエハのめつき装置Info
- Publication number
- JPS62133097A JPS62133097A JP27309685A JP27309685A JPS62133097A JP S62133097 A JPS62133097 A JP S62133097A JP 27309685 A JP27309685 A JP 27309685A JP 27309685 A JP27309685 A JP 27309685A JP S62133097 A JPS62133097 A JP S62133097A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plating
- plating solution
- tubular body
- head
- Prior art date
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- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハに電気めっきを施してバンプ等を
形成する噴流式めっき装置の改良に関するものである。
形成する噴流式めっき装置の改良に関するものである。
従来、この種のめっき装置の構成は第４図に示すように
、段違いの管状形状のヘッド２の上端にカソード電極と
なる針状のコンタクト３が適当な散設けられ、上記コン
タクト３上にウェハ１が配置される。そして上記ヘッド
２の内側に上記ウェハ１と対面して網状アノード電極４
が設けられており、めっき液がヘッド２の下部より上方
に噴流し乍らカソード電極とアノード電極との間に電圧
を印加してめっき電流を流すことによりウニ八表面をめ
っきする。
、段違いの管状形状のヘッド２の上端にカソード電極と
なる針状のコンタクト３が適当な散設けられ、上記コン
タクト３上にウェハ１が配置される。そして上記ヘッド
２の内側に上記ウェハ１と対面して網状アノード電極４
が設けられており、めっき液がヘッド２の下部より上方
に噴流し乍らカソード電極とアノード電極との間に電圧
を印加してめっき電流を流すことによりウニ八表面をめ
っきする。
上記構成のめっき装置では、めっき液をヘッド２の下方
から上方へ向けて噴流した際に、めっき液の流れ方向は
第４図中の矢印の如くなり、噴流の中心部分Ａに気泡だ
まりが発生してウェハ中心部へのめっき液の供給が他の
部分に比べて悪くなる為めっき厚にバラツキが生じる。
から上方へ向けて噴流した際に、めっき液の流れ方向は
第４図中の矢印の如くなり、噴流の中心部分Ａに気泡だ
まりが発生してウェハ中心部へのめっき液の供給が他の
部分に比べて悪くなる為めっき厚にバラツキが生じる。
このバラツキ現象はウェハ１の大口径化に伴い顕著にな
り、最悪の場合にはウェハ中央部のめっき膜厚が極端に
薄いという欠点を存している。
り、最悪の場合にはウェハ中央部のめっき膜厚が極端に
薄いという欠点を存している。
一方、既に公知のウェハめっき装置として、カソード電
極がめっきされるのを防ぎ、かつめっき液の劣化防止を
意図した装置の一つの実施例として、攪拌用の回転翼を
設けて、厚いめっき被膜を形成する場合に発生しやすい
パターンの方向性を減少させる装置が提案されており（
特開昭５７−５１２８７）、 これによればめっき膜
厚の均一化という問題はある程度は改善されうる。
極がめっきされるのを防ぎ、かつめっき液の劣化防止を
意図した装置の一つの実施例として、攪拌用の回転翼を
設けて、厚いめっき被膜を形成する場合に発生しやすい
パターンの方向性を減少させる装置が提案されており（
特開昭５７−５１２８７）、 これによればめっき膜
厚の均一化という問題はある程度は改善されうる。
しかし、上記のめっき装置の構成では、その主たる目的
がカソード電極のコンタクトのめっき防止、めっき液の
空気巻き込み量の低減化にある。
がカソード電極のコンタクトのめっき防止、めっき液の
空気巻き込み量の低減化にある。
このため、めっき液吹き上げ管（２２）と外側管状体く
２０）との間を通るめっき液（２７）は、上昇してくる
めっき液（２４）の影響を受けずに速やかにめっき液槽
（１９）へもどる必要性がある。従って、上記目的を達
成しようとすれば、先に提案された攪拌用回転翼（２９
）としては余り攪拌力の大きいものは使用できず、逆に
攪拌出力が弱いとめっき厚のバラツキは必然として改善
されことがない。
２０）との間を通るめっき液（２７）は、上昇してくる
めっき液（２４）の影響を受けずに速やかにめっき液槽
（１９）へもどる必要性がある。従って、上記目的を達
成しようとすれば、先に提案された攪拌用回転翼（２９
）としては余り攪拌力の大きいものは使用できず、逆に
攪拌出力が弱いとめっき厚のバラツキは必然として改善
されことがない。
かかる問題に鑑みて本発明では、ウェハの大きさの影響
を受けないでそのウェハ表面全体にめっき液が十分供給
されウェハ全体を均一にめっきするめっき装置を提供す
ることを目的とする。
を受けないでそのウェハ表面全体にめっき液が十分供給
されウェハ全体を均一にめっきするめっき装置を提供す
ることを目的とする。
しかして、本発明のめっき装置は、管状形状のヘッド内
部をめっき液が通過する際に上記管状内部全域にわたっ
て渦流を形成するような部材を上記ヘッド内部に設けて
ウェハ全体に均一にめっき液を供給する。
部をめっき液が通過する際に上記管状内部全域にわたっ
て渦流を形成するような部材を上記ヘッド内部に設けて
ウェハ全体に均一にめっき液を供給する。
〔第１実施例〕
以下、本発明の第１実施例を第１図をもって説明する。
ウェハ１はめっき液に浸されることのない１色縁体で形
成された管状形状のヘッド２の上端に設けられたカソー
ド電極となるコンタクト３によって電気的導通が得られ
る状態で支えられている。ウェハ１から適当な距離をお
いて前記ウェハ１と平行となるようにアノード電極とな
る網状電極４が上記ヘッド内部に配設されている。この
７ノード電極４は白金めっき処理を施したようなチタン
メソシュの不溶性アノードが望ましい。
成された管状形状のヘッド２の上端に設けられたカソー
ド電極となるコンタクト３によって電気的導通が得られ
る状態で支えられている。ウェハ１から適当な距離をお
いて前記ウェハ１と平行となるようにアノード電極とな
る網状電極４が上記ヘッド内部に配設されている。この
７ノード電極４は白金めっき処理を施したようなチタン
メソシュの不溶性アノードが望ましい。
上記網状電極４の下方は更に螺旋形状のじゃま板５が設
けられている。このじゃま板５は本発明の目的達成のた
めにはｌ乃至３段程度が、またその板巾ｌとしてはヘッ
ド２の略半径程度にすることが望ましい。じゃま板５の
材質はへラド２と同様、塩化ビニル、アクリル、テフロ
ン等めっき液に侵されない材料、特に樹脂が良い。
けられている。このじゃま板５は本発明の目的達成のた
めにはｌ乃至３段程度が、またその板巾ｌとしてはヘッ
ド２の略半径程度にすることが望ましい。じゃま板５の
材質はへラド２と同様、塩化ビニル、アクリル、テフロ
ン等めっき液に侵されない材料、特に樹脂が良い。
畝上の構成によって、めっき液がヘッド２の下方から網
状電極４を通過する際に前記じゃま板５に沿って渦流を
形成しながら上方へ吹き上げられるようにしてウェハ下
面全体にわたって渦流のめ・つき液が供給されることに
なる。めっき液はその後ウェハ１とへラド２との隙間か
ら速やかに流出してめっき浴槽へもどる。このことによ
り、ウェハ全体に均一なめっき析出層を形成できるだけ
でなく、ウェハ１のセツティング時にウェハ直下に存在
（特にウェハ中央部Ａに）しているところの、めっき厚
のバラツキ原因ともなる気泡の解消を可能にする。
状電極４を通過する際に前記じゃま板５に沿って渦流を
形成しながら上方へ吹き上げられるようにしてウェハ下
面全体にわたって渦流のめ・つき液が供給されることに
なる。めっき液はその後ウェハ１とへラド２との隙間か
ら速やかに流出してめっき浴槽へもどる。このことによ
り、ウェハ全体に均一なめっき析出層を形成できるだけ
でなく、ウェハ１のセツティング時にウェハ直下に存在
（特にウェハ中央部Ａに）しているところの、めっき厚
のバラツキ原因ともなる気泡の解消を可能にする。
畝上の第１実施例の装置によるめっき析出実験結果を第
２図に示す。該実験では、めっき浴として硫酸Ｃｕめっ
き浴（浴温２５°Ｃ）、電流密度６Ａ ／ ｄ ｍ ”
、めっき時間１０分、液流量０．９ Ａ ／分の諸条
件の下、チタン−ＰＬをメソシュを陽極を用い、被めっ
きウェハとして３インチウェハを使用した。従来法に比
べて、本発明装置を使用すると、ウェハ中央部にも充分
めっき液の対流が生じてめっき厚のバラツキの極めて少
ないめっき処理を施すことが可能となる。
２図に示す。該実験では、めっき浴として硫酸Ｃｕめっ
き浴（浴温２５°Ｃ）、電流密度６Ａ ／ ｄ ｍ ”
、めっき時間１０分、液流量０．９ Ａ ／分の諸条
件の下、チタン−ＰＬをメソシュを陽極を用い、被めっ
きウェハとして３インチウェハを使用した。従来法に比
べて、本発明装置を使用すると、ウェハ中央部にも充分
めっき液の対流が生じてめっき厚のバラツキの極めて少
ないめっき処理を施すことが可能となる。
〔第２実施例〕
第１実施例の管状ヘッド２の内部のじゃま板５は螺旋形
状としたが、同様の効果を得るためには第３図に示すよ
うに、ヘリカル形状のフランジ６をウェハ方向に向かっ
て同ヘッド２の内壁に沿って設けても構わない。
状としたが、同様の効果を得るためには第３図に示すよ
うに、ヘリカル形状のフランジ６をウェハ方向に向かっ
て同ヘッド２の内壁に沿って設けても構わない。
〔発明の効果］
以上の如く、本発明はめっき液が通過する管状筒体の内
部を上記めっき液が渦流となるようなじゃま板を設けた
のでウェハ全体にわたって上記渦流が供給されるので供
給不足に伴う不具合を解決できる。更にウェハセット時
にウェハ直下に存在した気泡も上記渦流により除去でき
、もって均一なめっき析出層が得られるという効果が得
られる。
部を上記めっき液が渦流となるようなじゃま板を設けた
のでウェハ全体にわたって上記渦流が供給されるので供
給不足に伴う不具合を解決できる。更にウェハセット時
にウェハ直下に存在した気泡も上記渦流により除去でき
、もって均一なめっき析出層が得られるという効果が得
られる。
第１図は本発明のめっき装置の第１実施例を示す図、第
２図は第１図図示装置によるめっき析出実験例、第３図
は他の実施例図、第４図は従来のめっき装置を示す図で
ある。 １・・・ウェハ、２・・・管状ヘッド、３・・・コンタ
クト（カソード電極）、４・・・網状電極（アノード電
極）。 ５・・・じゃま板。 代理人弁理士 岡 部 隆 第１図 １７、Ｌへイ九 Ｊ乙 第２図 第３図 第４図
２図は第１図図示装置によるめっき析出実験例、第３図
は他の実施例図、第４図は従来のめっき装置を示す図で
ある。 １・・・ウェハ、２・・・管状ヘッド、３・・・コンタ
クト（カソード電極）、４・・・網状電極（アノード電
極）。 ５・・・じゃま板。 代理人弁理士 岡 部 隆 第１図 １７、Ｌへイ九 Ｊ乙 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 管状の絶縁体であって下部がめっき浴中に浸漬され内
部をめっき液が吹き上げるようにした管状筒体と、該管
状筒体の上部端面に突出してウェハを支持し、かつカソ
ード電極となるコンタクトと、前記管状筒体中に前記ウ
ェハと対面して配置された網状カソード電極と、前記管
状筒体の内壁に近接して配設され前記めっき液が通過す
る際に前記管状筒体内でめっき液が渦流となるための螺
旋状部材とを具備し、前記管状筒体を通過して渦流とな
ることによってめっき液が前記ウェハ下面に均一に供給
されるようにし前記めっき液はめっき処理後、前記ウェ
ハと前記コンタクトとの隙間から速やかに排出される構
成としたことを特徴とする半導体ウェハのめっき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27309685A JPS62133097A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 半導体ウエハのめつき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27309685A JPS62133097A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 半導体ウエハのめつき装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133097A true JPS62133097A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17523084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27309685A Pending JPS62133097A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 半導体ウエハのめつき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133097A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439045A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Sanyo Electric Co | Formation of projecting electrode |
| JPS6439044A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Sanyo Electric Co | Formation of projecting electrode |
| JPH01128548A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | メッキ装置 |
| JPH02225693A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-07 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 噴流式ウエハメッキ装置 |
| JPH0369527A (ja) * | 1989-08-08 | 1991-03-25 | Yazaki Corp | 光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ |
| DE19859466A1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-07-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten |
| US6517698B1 (en) * | 2000-10-06 | 2003-02-11 | Motorola, Inc. | System and method for providing rotation to plating flow |
| JP2006028629A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Electroplating Eng Of Japan Co | めっき方法及びめっき装置 |
| KR100850205B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2008-08-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 도금 시스템 |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP27309685A patent/JPS62133097A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439045A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Sanyo Electric Co | Formation of projecting electrode |
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| JPH0669898B2 (ja) * | 1989-08-08 | 1994-09-07 | 矢崎総業株式会社 | 光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ |
| DE19859466A1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-07-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten |
| DE19859466C2 (de) * | 1998-12-22 | 2002-04-25 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten |
| US6805754B1 (en) | 1998-12-22 | 2004-10-19 | Steag Micro Tech Gmbh | Device and method for processing substrates |
| US6517698B1 (en) * | 2000-10-06 | 2003-02-11 | Motorola, Inc. | System and method for providing rotation to plating flow |
| JP2006028629A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Electroplating Eng Of Japan Co | めっき方法及びめっき装置 |
| KR100850205B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2008-08-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 도금 시스템 |
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