JPH0369527A - 光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ - Google Patents
光ファイバ用多孔質母材合成用トーチInfo
- Publication number
- JPH0369527A JPH0369527A JP20507989A JP20507989A JPH0369527A JP H0369527 A JPH0369527 A JP H0369527A JP 20507989 A JP20507989 A JP 20507989A JP 20507989 A JP20507989 A JP 20507989A JP H0369527 A JPH0369527 A JP H0369527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- glass raw
- blowing nozzle
- torch
- porous preform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 243
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract description 107
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 228
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 27
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 14
- 229910006113 GeCl4 Inorganic materials 0.000 abstract description 32
- IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N tetrachlorogermane Chemical compound Cl[Ge](Cl)(Cl)Cl IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 32
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 27
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 7
- -1 GeC Send out l4 Chemical compound 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 229910005534 GaO2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100336279 Caenorhabditis elegans icl-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100336480 Drosophila melanogaster Gem2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/06—Concentric circular ports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/18—Eccentric ports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/20—Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/42—Assembly details; Material or dimensions of burner; Manifolds or supports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/46—Comprising performance enhancing means, e.g. electrostatic charge or built-in heater
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Gas Burners (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野]
本発明は光ファイバケーブルのプリフォーム製造用トー
チに係り、特に、構造が簡単で、ガラス原材料流れ中に
渦を発生させることができ、かつ、トーチノズル内にガ
ラス原材料が残留することなく多孔質母材中に不純物が
混入する恐れがなく多孔質プリフォームの堆積効率を向
りすることのできる光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チに関す3 る。 【従来の技術) 一般に、光ファイバケーブルを製造するには、まず、プ
リフォームと称される外径10〜30 m++、長さ3
00−1,0OOan程度の円柱状のガラス棒を作る必
要がある。プリフォームは次の線引き工程で紡糸される
とそのまま光ファイバになるように、光ファイバのコア
径とクラツド径の比と同じ断面構成及び屈折率分布を持
っている。 このプリフォームの製造方法には、MCvD7ム(Mo
dified Chemjcal Vapor Dep
osition) 、0VPO法(Outside V
apor Phase 0xidation Depo
sition) 、VAD法(Vapor Phase
Axial Deposition)等がある。 MCVD法(Modified Chemical V
apor Dcposition)は、同転する石英ガ
ラス管の内部に主原料のSiCl4、GeCl,とガラ
スの屈折率を変化させるGeC1、、POCL、BCl
3等のドープ剤を、o2ガスとともにガス状にして送り
込み、外側から酸水素バーナーで加熱してSiO2、G
eO2、B2O3等の4− 酸化物゛スート(すす)′を酸化反応により石英ガラス
管内壁に堆積し、このスートを同時にガラス化するもの
である。 ○VP○法(Outside Vapor Phase
0xidationDeposition)は、主原
料のSiCl4、GeCl4を火炎加水分解して純粋な
透明石英ガラスを作る方法である。 すなわち、5ick、の−上記を可燃ガスと酸素を用い
て加水分解し、中心のガラス棒の表面に空気を多く含ん
だSiO2のスートを多層に堆積させ、最後に約1,5
00℃に加熱し透明な石英ガラスとするものである。 VAD法(Vapor Phase Axial De
position)は、第1土口に示す如く、酸水素バ
ーナ−(合成用トーチ)300からSiCl4、GeC
l4,GeCl4、POCl3、BBr3を送り出し、
種になる石英棒310の先端にS io2、Gem、、
B2O3等のスートを堆積させる。この石英棒310を
同転しながら引きEげて空気を多量に含んだ多孔質プリ
フォーム320を成長するものである。330は、加熱
炉である。 このように、光ファイバの製造に当たっては、VAD法
等による多孔質プリフォームの合成が基本となる。この
VAD法等の多孔質プリフォーム合成法においては、S
iCl1、GeCl4等の気体状のガラス原材料をH2
,02等の火炎によってS io2、Gem2等の酸化
物を生成し、これらSiO2、GeO7等の酸化物がH
2,02等の火炎中でガラス微粒子を形成し、母材表面
に堆積し、多孔質プリフォームを形成する。 この0vPO法とVAD法に用いられる1−−チは、第
9図に示す如き構成を有している。すなわち、100は
、合成用トーチで、円筒状に形成されており、内部略中
央に円筒状に形成されたガラス原材料吹出ノズル110
が嵌合されている。このガラス原材料吹出ノズル110
からは、ガラス原材料であるSiCl4、GeCl4,
GeC]、 、POCI3等のドープ剤が供給され、ガ
ラス原材料吹出ノズル1土Oと合成用トーチ100の内
壁との間からは、02、H,ガスが供給される。このo
2、H2ガスは、合成用トーチ100から吹き出されて
、酸水素火炎120となり、SiC]、、GeCl4.
POCI3等のドープ剤は、ガス状ガラス原材料流工3
0となってガラス原材料吹出ノズル110から吹き出さ
れる。 この02、H2ガスと、Sj、C]、、、GeCl4、
POCI、等のドープ剤とによって、5in2、G30
2、B2O3等のスートが生成され、このSiO2、G
eO2、B2O3等のスートが種になる石英棒の先端に
堆積し、この石英棒を同転しながら引き上げて行くと、
空気を多量に含んだ多孔質プリフォーム140が成長す
る。 しかし、合成用トーチ100から吹きjJJ、されるガ
ラス原材料流130は、層流であり、多孔質プリフォー
ム14.0への堆積効率はSiO2に換算して2 g
/ man程度と低いものとなっている。 そこで、近年、堆積効率を向上するため、第10図に示
す如き合成用トーチが開発されている。 この合成用トーチ200は、ガラス原材料吹出ノズル1
10内に、スクリュー210を設け、このスクリュー2
10をモータ220によって同転させ、ガラス原材料の
流れ中に渦を発生させるよう7− にしたものである。このようにすることによって多孔質
プリフォーム140への堆積効率の増加を試みたもので
、堆積効率は、第91i211im示合成用トーチ10
0に比して最大で約2倍の向上を期待することができる
。 【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、第9同に示す如き従来の○vP○法とV
AD法に用いられるl−−チにあっては、合成用トーチ
100から吹き出されるガラス原材料流130が、層流
となっており、多孔質プリフォームi40への堆積効率
は5102に換算して2g / nun程度と低いとい
う問題点を治している。 SiO□、GeO2等の酸化物によって形成されるガラ
ス微粒子の堆積効率は、空間の圧力勾配(ガラス微粒子
が多孔質プリフォームの母材表面に衝突する力)、温度
勾配(多孔質プリフォームの母材表面に衝突するガラス
微粒子の温度のバラツキ)以外にガラス微粒子の濃度勾
配(ガラス微粒子が多孔質プリフォームの母材表面に衝
突するときのガラス微粒子の1ffl当たりの含有量)
によっても変化する。すなわち、一般には、この濃度勾
配が最少の場合、すなわち、火炎中で微粒子が均一に混
合して微粒子の濃度が火炎中でほぼ一定となった場合は
、ガラス原材料が火炎中に滞留する時間が最大となり、
多孔質プリフォームの母材表面へのガラス微粒子形成の
効率が向上すると考えられている。 このような原理の基で第10口に示す如き合成用トーチ
200が考案されている。この第10同に示す如き合成
用トーチ200によると、堆積効率が第9図図示合成用
トーチ100に比して最大で約2倍向Hすることが期待
できるが、ガラス原材料吹出ノズル110内に、スクリ
ュー210を設け、このスクリュー210をモータ22
0によって同転させるため、装置が複雑になるという問
題点を有している。 また、第1011iii1に示す如き従来の0VPO法
とVAD法に用いられるトーチにあっては、ガス状のガ
ラス原材料(SiC14、GeCL等)によりスクリュ
ー、モータといった金属部が腐食し、機械的な故障が発
生し易いという問題点を有している。 さらに、第10口に示す如き従来の○■PO法とVAD
法に用いられるトーチにあっては、ガス状のガラス原材
料(S i C14,G e Cl、等)によりスクリ
ュー、モータといった金属部が腐食して金属部が剥落し
たり、スクリュー、モータの同転部分の摩擦により金属
粉が発生したりして多孔質プリフォーム中に不純物が混
入することがあるという問題点を治している。 またさらに、第10口に示す如き従来の○VP○法とV
AD法に用いられるトーチにあっては、ガラス原材料吹
出ノズル110内に、スクリュー2土O及び、このスク
リュー2土Oを同転するためのモータ220を取付ける
ため、使用設備が高価なものとなり、コスト高となると
いう問題点を有している。 本発明は、ガラス原材料流れ中に渦を発生・させること
によってガラス微粒子の濃度勾配を最少にでき堆積効率
を最大にすることができる点に鑑みてなされたもので、
構造が簡単で、ガラス原材料流れ中に渦を発生させるこ
とができ、かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留
することなく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがな
く多孔質プリフォームの堆積効率を向りすることのでき
る光ファイバ用多孔質母材合成用トーチを提供すること
を目的としている。
チに係り、特に、構造が簡単で、ガラス原材料流れ中に
渦を発生させることができ、かつ、トーチノズル内にガ
ラス原材料が残留することなく多孔質母材中に不純物が
混入する恐れがなく多孔質プリフォームの堆積効率を向
りすることのできる光ファイバ用多孔質母材合成用トー
チに関す3 る。 【従来の技術) 一般に、光ファイバケーブルを製造するには、まず、プ
リフォームと称される外径10〜30 m++、長さ3
00−1,0OOan程度の円柱状のガラス棒を作る必
要がある。プリフォームは次の線引き工程で紡糸される
とそのまま光ファイバになるように、光ファイバのコア
径とクラツド径の比と同じ断面構成及び屈折率分布を持
っている。 このプリフォームの製造方法には、MCvD7ム(Mo
dified Chemjcal Vapor Dep
osition) 、0VPO法(Outside V
apor Phase 0xidation Depo
sition) 、VAD法(Vapor Phase
Axial Deposition)等がある。 MCVD法(Modified Chemical V
apor Dcposition)は、同転する石英ガ
ラス管の内部に主原料のSiCl4、GeCl,とガラ
スの屈折率を変化させるGeC1、、POCL、BCl
3等のドープ剤を、o2ガスとともにガス状にして送り
込み、外側から酸水素バーナーで加熱してSiO2、G
eO2、B2O3等の4− 酸化物゛スート(すす)′を酸化反応により石英ガラス
管内壁に堆積し、このスートを同時にガラス化するもの
である。 ○VP○法(Outside Vapor Phase
0xidationDeposition)は、主原
料のSiCl4、GeCl4を火炎加水分解して純粋な
透明石英ガラスを作る方法である。 すなわち、5ick、の−上記を可燃ガスと酸素を用い
て加水分解し、中心のガラス棒の表面に空気を多く含ん
だSiO2のスートを多層に堆積させ、最後に約1,5
00℃に加熱し透明な石英ガラスとするものである。 VAD法(Vapor Phase Axial De
position)は、第1土口に示す如く、酸水素バ
ーナ−(合成用トーチ)300からSiCl4、GeC
l4,GeCl4、POCl3、BBr3を送り出し、
種になる石英棒310の先端にS io2、Gem、、
B2O3等のスートを堆積させる。この石英棒310を
同転しながら引きEげて空気を多量に含んだ多孔質プリ
フォーム320を成長するものである。330は、加熱
炉である。 このように、光ファイバの製造に当たっては、VAD法
等による多孔質プリフォームの合成が基本となる。この
VAD法等の多孔質プリフォーム合成法においては、S
iCl1、GeCl4等の気体状のガラス原材料をH2
,02等の火炎によってS io2、Gem2等の酸化
物を生成し、これらSiO2、GeO7等の酸化物がH
2,02等の火炎中でガラス微粒子を形成し、母材表面
に堆積し、多孔質プリフォームを形成する。 この0vPO法とVAD法に用いられる1−−チは、第
9図に示す如き構成を有している。すなわち、100は
、合成用トーチで、円筒状に形成されており、内部略中
央に円筒状に形成されたガラス原材料吹出ノズル110
が嵌合されている。このガラス原材料吹出ノズル110
からは、ガラス原材料であるSiCl4、GeCl4,
GeC]、 、POCI3等のドープ剤が供給され、ガ
ラス原材料吹出ノズル1土Oと合成用トーチ100の内
壁との間からは、02、H,ガスが供給される。このo
2、H2ガスは、合成用トーチ100から吹き出されて
、酸水素火炎120となり、SiC]、、GeCl4.
POCI3等のドープ剤は、ガス状ガラス原材料流工3
0となってガラス原材料吹出ノズル110から吹き出さ
れる。 この02、H2ガスと、Sj、C]、、、GeCl4、
POCI、等のドープ剤とによって、5in2、G30
2、B2O3等のスートが生成され、このSiO2、G
eO2、B2O3等のスートが種になる石英棒の先端に
堆積し、この石英棒を同転しながら引き上げて行くと、
空気を多量に含んだ多孔質プリフォーム140が成長す
る。 しかし、合成用トーチ100から吹きjJJ、されるガ
ラス原材料流130は、層流であり、多孔質プリフォー
ム14.0への堆積効率はSiO2に換算して2 g
/ man程度と低いものとなっている。 そこで、近年、堆積効率を向上するため、第10図に示
す如き合成用トーチが開発されている。 この合成用トーチ200は、ガラス原材料吹出ノズル1
10内に、スクリュー210を設け、このスクリュー2
10をモータ220によって同転させ、ガラス原材料の
流れ中に渦を発生させるよう7− にしたものである。このようにすることによって多孔質
プリフォーム140への堆積効率の増加を試みたもので
、堆積効率は、第91i211im示合成用トーチ10
0に比して最大で約2倍の向上を期待することができる
。 【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、第9同に示す如き従来の○vP○法とV
AD法に用いられるl−−チにあっては、合成用トーチ
100から吹き出されるガラス原材料流130が、層流
となっており、多孔質プリフォームi40への堆積効率
は5102に換算して2g / nun程度と低いとい
う問題点を治している。 SiO□、GeO2等の酸化物によって形成されるガラ
ス微粒子の堆積効率は、空間の圧力勾配(ガラス微粒子
が多孔質プリフォームの母材表面に衝突する力)、温度
勾配(多孔質プリフォームの母材表面に衝突するガラス
微粒子の温度のバラツキ)以外にガラス微粒子の濃度勾
配(ガラス微粒子が多孔質プリフォームの母材表面に衝
突するときのガラス微粒子の1ffl当たりの含有量)
によっても変化する。すなわち、一般には、この濃度勾
配が最少の場合、すなわち、火炎中で微粒子が均一に混
合して微粒子の濃度が火炎中でほぼ一定となった場合は
、ガラス原材料が火炎中に滞留する時間が最大となり、
多孔質プリフォームの母材表面へのガラス微粒子形成の
効率が向上すると考えられている。 このような原理の基で第10口に示す如き合成用トーチ
200が考案されている。この第10同に示す如き合成
用トーチ200によると、堆積効率が第9図図示合成用
トーチ100に比して最大で約2倍向Hすることが期待
できるが、ガラス原材料吹出ノズル110内に、スクリ
ュー210を設け、このスクリュー210をモータ22
0によって同転させるため、装置が複雑になるという問
題点を有している。 また、第1011iii1に示す如き従来の0VPO法
とVAD法に用いられるトーチにあっては、ガス状のガ
ラス原材料(SiC14、GeCL等)によりスクリュ
ー、モータといった金属部が腐食し、機械的な故障が発
生し易いという問題点を有している。 さらに、第10口に示す如き従来の○■PO法とVAD
法に用いられるトーチにあっては、ガス状のガラス原材
料(S i C14,G e Cl、等)によりスクリ
ュー、モータといった金属部が腐食して金属部が剥落し
たり、スクリュー、モータの同転部分の摩擦により金属
粉が発生したりして多孔質プリフォーム中に不純物が混
入することがあるという問題点を治している。 またさらに、第10口に示す如き従来の○VP○法とV
AD法に用いられるトーチにあっては、ガラス原材料吹
出ノズル110内に、スクリュー2土O及び、このスク
リュー2土Oを同転するためのモータ220を取付ける
ため、使用設備が高価なものとなり、コスト高となると
いう問題点を有している。 本発明は、ガラス原材料流れ中に渦を発生・させること
によってガラス微粒子の濃度勾配を最少にでき堆積効率
を最大にすることができる点に鑑みてなされたもので、
構造が簡単で、ガラス原材料流れ中に渦を発生させるこ
とができ、かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留
することなく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがな
く多孔質プリフォームの堆積効率を向りすることのでき
る光ファイバ用多孔質母材合成用トーチを提供すること
を目的としている。
【課題を解決するための手段)
上記目的を達成するために、本発明の光ファイバ角番孔
質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形成される合
成角トーチ本体の内部略中央に円筒状に形成されるガラ
ス原材料吹11J、ノズルを嵌合し、該ガラス原材料吹
出ノズルからSiCl4、GeCl4,GeCl4等を
ガス状にしたガラス原材料を供給し該ガラス原材料吹出
ノズルと合成角トーチ本体内壁との間から○7、H7,
ガスを供給して種石英棒の先端から多孔質プリフォーム
を成長させる光ファイバ用多孔質母材合成用トーチにお
いて、1−記ガラス原材料吹出ノズルの内壁に開口面積
を小さくする絞り部を形成したものである。 1− また、上記目的を達成するために、本発明の光ファイバ
角番孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形成さ
れる合成角1−−チ本体の内部略中央に外部からSiC
l4、GeCl,、GeCl4等をガス状にしたガラス
原材料を供給するガラス原材料供給ノ<イブが接続され
円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを嵌合し、
該ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を供給し該
ガラス原材料吹出ノズルと合成角トーチ本体内壁との間
からO,、、H2ガスを供給して種石英棒の先端から多
孔質プリフォームを成長させる光ファイバ角番孔質母材
合成用トーチにおいて、上記ガラス原材料供給パイプを
上記ガラス原材料吹出ノズルの内筒接線方向に設けたも
のである。 さらに、−上記目的を達成するために、本発明の光ファ
イバ角番孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形
成される合成角トーチ本体の内部略中央に円筒状に形成
されるガラス原材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材
料吹出ノズルからSiCl4、GeCl、、QeC]、
、等をガス状にしたガラス原材料を供2 給し該ガラス原材料吹出ノズルと合成角トーチ本体内壁
との間から02、H2ガスを供給して種石英棒の先端か
ら多孔質プリフォームを成長させる光ファイバ用多孔質
母材合成用トーチにおいて、L記ガラス原材料吹出ノズ
ルの内壁に螺旋状に形成される羽根を形成したものであ
る。 またさらに、上記目的を達成するために、本発明の光フ
ァイバ角番孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に
形成される合成角トーチ本体の内部略中央に外部からS
iCl4、GeCl4、GeC1,等をガス状にしたガ
ラス原材料を供給するガラス原材料供給パイプが接続さ
れ円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを嵌合し
、該ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を供給し
該ガラス原材料吹出ノズルと合成角1ヘーチ本体内壁と
の間から02、H2ガスを供給して種石英棒の先端から
多孔質プリフォームを成長させる光ファイバ用多孔質母
材合成用トーチにおいて、上記ガラス原材料吹出ノズル
の先端出口近傍に、該ガラス原材料吹出ノズルの内壁面
円周方向に沿ってガス状のガラス原材料を吹き出す第2
のガラス原材料供給パイプを設け、該第2のガラス原材
料供給パイプからもガラス原材料を所定圧で一上記ガラ
ス原材料吹出ノズル内に供給するようにしたものである
。 さらにまた、七記口的を達成するために、本発明の光フ
ァイバ角番孔質母材合成用1〜−チにおいては、円筒状
に形成される合成用トーチ本体の内部略中央に外部から
51C14、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料
を供給するガラス原材料供給パイプが接続され円筒状に
形成されるガラス原材料吹1111ノズルを嵌合し、該
ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を供給し該ガ
ラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内壁との間か
ら02、H2ガスを供給して種石英棒の先端から多孔質
プリフォームを成長させる光ファイバ角番孔質母材合成
用トーチにおいて、上記ガラス原材料供給パイプを上記
ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に設け、ガラス
原材料吹出ノズル内の滞留時間を短くするようにしたも
のである。 【作用】 ガラス原材料吹出ノズルの内壁に開口面積を小さくする
絞り部を形成しているため、構造を簡単にすることがで
き、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、
かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留することな
く多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔質プ
リフォームの堆積効率を向−ヒすることができる。 ガラス原材料供給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズル
の内壁面円周方向に治ってガス状にしたガラス原材料を
吹き出すように設けているため、構造を簡単にすること
ができ、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることがで
き、かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留するこ
となく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔
質プリフォームの堆積効率を向−4−することができる
。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁面に螺旋状に形成される
羽根を設けているため、構造を簡単にすることができ、
ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔
質プリフォームの堆積を向上することができる。 15− 16− ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に、該ガラス原
材料吹出ノズルの内壁面円周方向に沿ってガス状のガラ
ス原材料を吹き出す第2のガラス原材料供給パイプを設
け、該第2のガラス原材料供給パイプからもガラス原材
料を所定比で11記ガラス原材料吹出ノズル内に供給す
るようにしであるため、構造を簡単にすることができ、
ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔
質プリフォームの堆積効率を向(ニすることができる。 ガラス原材料供給パイプをガラス原材料吹出ノズルの先
端出口近傍に設け、ガラス原材料吹出ノズル内の滞留時
間を短くするようにしであるため、ガラス原材料の暦法
を作り出すことなく、構造を簡単にでき、ガラス原材料
流れ中に渦を発生させることができ、多孔質プリフォー
ムの堆積効率を向上することができる。 【実施例] 以下、本発明の実施例について説明する。 第1実施例(第10〜第3図) 第1図〜第3同には、本発明に係る光ファイバ角番孔質
母材合成用トーチの第1実施例が示されている。 図において、lは、光ファイバ角番孔質母材合成用トー
チで、合成用トーチ本体2と、ガラス原材料吹出ノズル
3とによって構成されている。 合成用トーチ本体2は、外観が円筒状に形成されており
、複数の円筒が多層に形成され、この複数の円筒の最下
端部が底板4によって封止されている。この複数の円筒
によって02ガス吹出口、H2ガス吹出口が形成されて
おり、02ガス吹出口、H22ガス吹出には、それぞれ
02、H2ガスを供給するための酸水素供給パイプ5が
接続されている。この合成用トーチ本体2の内部略中央
にガラス原材料吹出ノズル3が合成用トーチ本体2の0
2ガスを供給する酸水素供給パイプ5の内壁面と所定間
隔をおいて嵌合されている。 ガラス原材料吹出ノズル3は、底板4を貫通する円筒(
例えば、試験管状)によって構成されている。6は、合
成用トーチ本体2の底板4を貫通し、ガラス原材料吹出
ノズル3に接続されるガラス原材料供給パイプである。 このガラス原材料供給バイブロは、合成用トーチ本体2
の外部から5ic1.、GeC1,等をガス状にしたガ
ラス原材料を供給するものである。このガラス原材料吹
出ノズル3の内壁には、第2同に示す如く、先端出口近
傍に開口面積を小さくする絞り部7が形成されている。 この絞り部7の開口面積は、この絞り部7を通ったSi
Cl4、GeCl,、GeCl4等のガス状ガラス原材
料の流れに渦が生じるだけの絞りであれば良く、形状は
流線型でも矩形状でも、その形状は如何なるものでもよ
い。そして、絞り部7の最少開口面積は、具体的には、
ガラス原材料吹出ノズル3の内径(−殻内には、1゜O
〜1.5nwn)の90%〜40%である。また、絞り
部7を設ける位置は、ガラス原材料吹出ノズル3の先端
用[1より長さQ 、 (3mn < Q 0< 6
0 +nm )のところである。さらに、絞り部7のガ
ラス原材料吹出ノズル3の部方向の長さ悲、は、ガラス
原材料吹出ノズル3の先端出口より絞り部7の設けられ
ている位置間での距離α。の約1/3の長さである。す
なわち、この絞り部7の幅Qlは、1 mm < Q
x < 20 mmである。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給バイブロからは、5ick、、GeCl4等をガス状
にしたガラス原材料が供給され、ガラス原材料吹出ノズ
ル3内に送り込まれる。ガラス原材料吹出ノズル3内に
送り込−まれたSiCl4、GeCl,,00014等
ガスは、ガラス原材料吹出ノズル3内部を第3同口示矢
印Aに示す如く、層状となって移動していく。このSi
Cl4、GeCl4、GeC1,等の層流は、ガラス原
材料吹出ノズル3の先端近傍の絞り部7において、乱さ
れ、絞り部7通過後、渦流となって第3同図示矢印Bに
示す如く、吹き出される。 一方、酸水素供給パイプ5からは、02、部2のそれぞ
れのガスが細別に供給され、合成用ト−チ本体2の内部
で、ガラス原材料吹出ノズル3の外壁面との間を通り、
各吹出口から吹きハ′1され光ファイバ角番孔質母材合
成用トーチlの先端より9 20 火炎8となって吹き出される。このO7,H2ガスの火
炎8内において、SiCl4、GeCl,、GeCl4
等の気体状のガラス原材料からSiO2、GaO2等の
酸化物が生成され、これらSiO2、GaO2等の酸化
物が部2.02等の火炎中でガラス微粒子を形成し、母
材表面に堆積し、多孔質プリフォームを形成する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ル3の先端近傍の絞り部7においてSiCl4、GeC
l4、GeCl4等の気体状のガラス原材料流に渦流を
生じさせることができる。このため、多孔質プリフォー
ムの堆積効率を向−1ニすることができる。 第2実施例(第40〜第50) 第4図〜第5図には、本発明に係る光ファイバ角番孔質
母材合成用トーチの第2実施例が示されている。 同において、10は、光ファイバ角番孔質母材合成用ト
ーチで、合成用1〜−チ本体J1と、ガラス原材料吹出
ノズル12とによって構成されている。 本実施例が第1図図示第1実施例と異なる点は、SiC
l4、GeCl,、GeCl4等をガス状にしたガラス
原材料が供給されるガラス原材料供給パイプ13を合成
用トーチ本体11の壁面を貫通し、ガラス原材料吹出ノ
ズル12に、該ガラス原材料吹出ノズル↓2の内壁面円
周方向に治って吹き出し可能に設けた点である。他は、
第1図図示第1実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ13からは、SiCl4、GeCl4、G e
Cl。 等をガス状にしたガラス原材料が第5同図示矢印Aに示
す如く供給され、ガラス原材料吹出ノズル12内に送り
込まれる。このガラス原材料吹出ノズルエ2内に送り込
まれたS x C1,4、G e C14等ガスは、ガ
ラス原材料吹出ノズル12内壁に沿って送り込まれるた
め、第5図図示矢印Bに示す如く、ガラス原材料吹出ノ
ズル12内で渦流を発生する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ル土2内に内壁面に沿って送り込まれるため、S i
C14,G e C14等の気体状のガラス原材料流に
渦流を生しさせることができ、多孔質プリフォームの堆
積効率を向−1ニすることができる。 第3実施例(第6図) 第6同には、本発明に係る光ファイバ角番孔質母材合成
用1−−チの第3実施例が示されている。 図において、20は、光ファイバ角番孔質母材合成用1
〜−チで、合成用トーチ本体2tと、ガラス原材料吹出
ノズル22とによって構成されている。 本実施例が第1四同示第1実施例と異なる点は、ガラス
原材料供給パイプ23を介して、SiCl4、GeCl
4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料の供給さ
れるガラス原材料吹出ノズル22内部壁面に、螺旋状に
形成される羽根24を形成した点である。 他は、第10図示第1実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ23から供給される5ick4、GeC1,等
をガス状にしたガラス原材料は、ガラス原材料吹出ノズ
ル22内に送り込まれて、ガラス原材料吹出ノズル22
内部壁面に螺旋状に設けられた羽根24によって、渦流
となってガラス原材料吹出ノズル22先端から吹き、I
Plされる。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ルエ2内に内壁面に螺旋状に羽根24が設けられている
ため、SiCl4、GeCl4,GeCl4等の気体状
のガラス原材料流に渦流を生じさせることができ、多孔
質プリフォームの堆積効率を向上することができる。 第4実施例(第7図) 第7同には、本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成
用トーチの第4実施例が示されている。 図において、30は、光ファイバ角番孔質母材合成用ト
ーチで、合成用トーチ本体31と、ガラス原材料吹出ノ
ズル32とによって構成されている。 本実施例が第1図図示第1実施例と異なる点は、ガラス
原材料吹出ノズル32内にSiCl4、GeCl4、G
eC1,等をガス状にしたガラス原材料を供給する3 24− ガラス原材料供給パイプエ3に加え、ガラス原材料供給
パイプ13よりもガラス原材料吹出ノズル32の先端出
口近傍に、該ガラス原材料吹出ノズル32の内壁面円周
方向に沿ってガス状のガラス原材料を吹き出す第2のガ
ラス原材料供給パイプ33を設けた点である。他は、第
1図図示第1実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ13から供給されるSiCl4、GeCl,+
、GeC1,等をガス状にしたガラス原材料は、ガラス
原材料吹出ノズル32内を通り一ヒ昇し、ガラス原材料
吹出ノズル32の先端出口近傍で、ガラス原材料供給パ
イプ33から5IC14、GeC]4等をガス状にした
ガラス原材料が再度、ガラス原材料吹出ノズル32内壁
に治って送り込まれる。このため、ガラス原材料吹1’
(’lノズル32内で渦流を発生する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料供給パイ
プ13から供給されるSiCl4、GeCl,、GeC
l4等をガス状にしたガラス原材料にガラス原材料供給
パイプ33からガラス原材料吹出ノズル32内壁に沿っ
てSiCl4、GeCl,、GeCl4等をガス状にし
たガラス原材料が再度吹き出されるため、SiCl4、
GeCl4、GeCl4等の気体状のガラス原材料流に
渦流を生じさせることができ、多孔質プリフォームの堆
積効率を向上することができる。 第5実施例(第8図) 第8図には、本発明に係る光ファイバ角番孔質母材合成
用トーチの第5実施例が示されている。 図において、40は、光ファイバ角番孔質母材合成用ト
ーチで、合成用トーチ本体41と、ガラス原材料吹出ノ
ズル42とによって構成されている。 本実施例が第10図示第1実施例と異なる点は、ガラス
原材料吹出ノズル42内にSiCl4、GeCl4,G
eCl4等をガス状にしたガラス原材料を供給するガラ
ス原材料供給パイプ43をガラス原材料吹出ノズル42
の先端出口近傍に設けた点である。他は、第1図図示第
1実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ43からは、SiCl4、GeCl4、GeC
l4等をガス状にしたガラス原材料が供給され、ガラス
原材料吹出ノズル42内に送り込まれる。このガラス原
材料吹出ノズル42内に送り込まれたSiCl4、Ge
Cl4,GeCl4等をガス状にしたガラス原材料は、
ガラス原材料吹出ノズル42内部を移動していく。この
間、SiCl4、GeCl,、GeC]、等をガス状に
したガラス原材料のガラス原材料吹1’(’lノズル4
2内部での対空時間が短いため、層流となる前にガラス
原材料吹出ノズル42先端から吹き出される。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料供給パイ
プ43から供給されるS j C1,、GeC]、。 等をガス状にしたガラス原材料がガラス原材料吹出ノズ
ル42内で層流になる前に吹き出されるため、SiCl
4、GeCl4、GeC1,等の気体状のガラス原材料
流に渦流を生じさせ、多孔質プリフォームの堆積効率を
向」二することができる。 【発明の効果1 本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載されるような効果を奏する。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁に開口面積を小さくする
絞り部を形成しているため、構造を簡単にすることがで
き、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、
かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留することな
く多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔質プ
リフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料供給パイプを1−記ガラス原材料吹出ノズ
ルの内壁面円周方向に泊ってガス状にしたガラス原材料
を吹き出すように設けているため、構造を簡単にするこ
とができ、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることが
でき、かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留する
ことなく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多
孔質プリフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁面に螺旋状に形成される
羽根を設けているため、構造を簡単にすることができ、
ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔
質プリフォームの堆積を向−27= 28− モすることができる。 ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に、該ガラス原
材料吹出ノズルの内壁面円周方向に沿ってガス状のガラ
ス原材料を吹き出す第2のガラス原材料供給パイプを設
け、該第2のガラス原材料供給パイプからもガラス原材
料を所定圧でI−、記ガラス原材料吹出ノズル内に供給
するようにしであるため、構造を簡単にすることができ
、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多
孔質プリフォームの堆積効率を向−1ニすることができ
る。 ガラス原材料供給パイプをガラス原材料吹出ノズルの先
端出口近傍に設け、ガラス原材料吹出ノズル内の滞留時
間を短くするようにしであるため、ガラス原材料の層流
を作り出すことなく、構造を簡単にでき、ガラス原材料
流れ中に渦を発生させることができ、多孔質プリフォー
ムの堆積効率を向」ニすることができる。
質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形成される合
成角トーチ本体の内部略中央に円筒状に形成されるガラ
ス原材料吹11J、ノズルを嵌合し、該ガラス原材料吹
出ノズルからSiCl4、GeCl4,GeCl4等を
ガス状にしたガラス原材料を供給し該ガラス原材料吹出
ノズルと合成角トーチ本体内壁との間から○7、H7,
ガスを供給して種石英棒の先端から多孔質プリフォーム
を成長させる光ファイバ用多孔質母材合成用トーチにお
いて、1−記ガラス原材料吹出ノズルの内壁に開口面積
を小さくする絞り部を形成したものである。 1− また、上記目的を達成するために、本発明の光ファイバ
角番孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形成さ
れる合成角1−−チ本体の内部略中央に外部からSiC
l4、GeCl,、GeCl4等をガス状にしたガラス
原材料を供給するガラス原材料供給ノ<イブが接続され
円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを嵌合し、
該ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を供給し該
ガラス原材料吹出ノズルと合成角トーチ本体内壁との間
からO,、、H2ガスを供給して種石英棒の先端から多
孔質プリフォームを成長させる光ファイバ角番孔質母材
合成用トーチにおいて、上記ガラス原材料供給パイプを
上記ガラス原材料吹出ノズルの内筒接線方向に設けたも
のである。 さらに、−上記目的を達成するために、本発明の光ファ
イバ角番孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に形
成される合成角トーチ本体の内部略中央に円筒状に形成
されるガラス原材料吹出ノズルを嵌合し、該ガラス原材
料吹出ノズルからSiCl4、GeCl、、QeC]、
、等をガス状にしたガラス原材料を供2 給し該ガラス原材料吹出ノズルと合成角トーチ本体内壁
との間から02、H2ガスを供給して種石英棒の先端か
ら多孔質プリフォームを成長させる光ファイバ用多孔質
母材合成用トーチにおいて、L記ガラス原材料吹出ノズ
ルの内壁に螺旋状に形成される羽根を形成したものであ
る。 またさらに、上記目的を達成するために、本発明の光フ
ァイバ角番孔質母材合成用トーチにおいては、円筒状に
形成される合成角トーチ本体の内部略中央に外部からS
iCl4、GeCl4、GeC1,等をガス状にしたガ
ラス原材料を供給するガラス原材料供給パイプが接続さ
れ円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを嵌合し
、該ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を供給し
該ガラス原材料吹出ノズルと合成角1ヘーチ本体内壁と
の間から02、H2ガスを供給して種石英棒の先端から
多孔質プリフォームを成長させる光ファイバ用多孔質母
材合成用トーチにおいて、上記ガラス原材料吹出ノズル
の先端出口近傍に、該ガラス原材料吹出ノズルの内壁面
円周方向に沿ってガス状のガラス原材料を吹き出す第2
のガラス原材料供給パイプを設け、該第2のガラス原材
料供給パイプからもガラス原材料を所定圧で一上記ガラ
ス原材料吹出ノズル内に供給するようにしたものである
。 さらにまた、七記口的を達成するために、本発明の光フ
ァイバ角番孔質母材合成用1〜−チにおいては、円筒状
に形成される合成用トーチ本体の内部略中央に外部から
51C14、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料
を供給するガラス原材料供給パイプが接続され円筒状に
形成されるガラス原材料吹1111ノズルを嵌合し、該
ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を供給し該ガ
ラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内壁との間か
ら02、H2ガスを供給して種石英棒の先端から多孔質
プリフォームを成長させる光ファイバ角番孔質母材合成
用トーチにおいて、上記ガラス原材料供給パイプを上記
ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に設け、ガラス
原材料吹出ノズル内の滞留時間を短くするようにしたも
のである。 【作用】 ガラス原材料吹出ノズルの内壁に開口面積を小さくする
絞り部を形成しているため、構造を簡単にすることがで
き、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、
かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留することな
く多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔質プ
リフォームの堆積効率を向−ヒすることができる。 ガラス原材料供給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズル
の内壁面円周方向に治ってガス状にしたガラス原材料を
吹き出すように設けているため、構造を簡単にすること
ができ、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることがで
き、かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留するこ
となく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔
質プリフォームの堆積効率を向−4−することができる
。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁面に螺旋状に形成される
羽根を設けているため、構造を簡単にすることができ、
ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔
質プリフォームの堆積を向上することができる。 15− 16− ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に、該ガラス原
材料吹出ノズルの内壁面円周方向に沿ってガス状のガラ
ス原材料を吹き出す第2のガラス原材料供給パイプを設
け、該第2のガラス原材料供給パイプからもガラス原材
料を所定比で11記ガラス原材料吹出ノズル内に供給す
るようにしであるため、構造を簡単にすることができ、
ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔
質プリフォームの堆積効率を向(ニすることができる。 ガラス原材料供給パイプをガラス原材料吹出ノズルの先
端出口近傍に設け、ガラス原材料吹出ノズル内の滞留時
間を短くするようにしであるため、ガラス原材料の暦法
を作り出すことなく、構造を簡単にでき、ガラス原材料
流れ中に渦を発生させることができ、多孔質プリフォー
ムの堆積効率を向上することができる。 【実施例] 以下、本発明の実施例について説明する。 第1実施例(第10〜第3図) 第1図〜第3同には、本発明に係る光ファイバ角番孔質
母材合成用トーチの第1実施例が示されている。 図において、lは、光ファイバ角番孔質母材合成用トー
チで、合成用トーチ本体2と、ガラス原材料吹出ノズル
3とによって構成されている。 合成用トーチ本体2は、外観が円筒状に形成されており
、複数の円筒が多層に形成され、この複数の円筒の最下
端部が底板4によって封止されている。この複数の円筒
によって02ガス吹出口、H2ガス吹出口が形成されて
おり、02ガス吹出口、H22ガス吹出には、それぞれ
02、H2ガスを供給するための酸水素供給パイプ5が
接続されている。この合成用トーチ本体2の内部略中央
にガラス原材料吹出ノズル3が合成用トーチ本体2の0
2ガスを供給する酸水素供給パイプ5の内壁面と所定間
隔をおいて嵌合されている。 ガラス原材料吹出ノズル3は、底板4を貫通する円筒(
例えば、試験管状)によって構成されている。6は、合
成用トーチ本体2の底板4を貫通し、ガラス原材料吹出
ノズル3に接続されるガラス原材料供給パイプである。 このガラス原材料供給バイブロは、合成用トーチ本体2
の外部から5ic1.、GeC1,等をガス状にしたガ
ラス原材料を供給するものである。このガラス原材料吹
出ノズル3の内壁には、第2同に示す如く、先端出口近
傍に開口面積を小さくする絞り部7が形成されている。 この絞り部7の開口面積は、この絞り部7を通ったSi
Cl4、GeCl,、GeCl4等のガス状ガラス原材
料の流れに渦が生じるだけの絞りであれば良く、形状は
流線型でも矩形状でも、その形状は如何なるものでもよ
い。そして、絞り部7の最少開口面積は、具体的には、
ガラス原材料吹出ノズル3の内径(−殻内には、1゜O
〜1.5nwn)の90%〜40%である。また、絞り
部7を設ける位置は、ガラス原材料吹出ノズル3の先端
用[1より長さQ 、 (3mn < Q 0< 6
0 +nm )のところである。さらに、絞り部7のガ
ラス原材料吹出ノズル3の部方向の長さ悲、は、ガラス
原材料吹出ノズル3の先端出口より絞り部7の設けられ
ている位置間での距離α。の約1/3の長さである。す
なわち、この絞り部7の幅Qlは、1 mm < Q
x < 20 mmである。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給バイブロからは、5ick、、GeCl4等をガス状
にしたガラス原材料が供給され、ガラス原材料吹出ノズ
ル3内に送り込まれる。ガラス原材料吹出ノズル3内に
送り込−まれたSiCl4、GeCl,,00014等
ガスは、ガラス原材料吹出ノズル3内部を第3同口示矢
印Aに示す如く、層状となって移動していく。このSi
Cl4、GeCl4、GeC1,等の層流は、ガラス原
材料吹出ノズル3の先端近傍の絞り部7において、乱さ
れ、絞り部7通過後、渦流となって第3同図示矢印Bに
示す如く、吹き出される。 一方、酸水素供給パイプ5からは、02、部2のそれぞ
れのガスが細別に供給され、合成用ト−チ本体2の内部
で、ガラス原材料吹出ノズル3の外壁面との間を通り、
各吹出口から吹きハ′1され光ファイバ角番孔質母材合
成用トーチlの先端より9 20 火炎8となって吹き出される。このO7,H2ガスの火
炎8内において、SiCl4、GeCl,、GeCl4
等の気体状のガラス原材料からSiO2、GaO2等の
酸化物が生成され、これらSiO2、GaO2等の酸化
物が部2.02等の火炎中でガラス微粒子を形成し、母
材表面に堆積し、多孔質プリフォームを形成する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ル3の先端近傍の絞り部7においてSiCl4、GeC
l4、GeCl4等の気体状のガラス原材料流に渦流を
生じさせることができる。このため、多孔質プリフォー
ムの堆積効率を向−1ニすることができる。 第2実施例(第40〜第50) 第4図〜第5図には、本発明に係る光ファイバ角番孔質
母材合成用トーチの第2実施例が示されている。 同において、10は、光ファイバ角番孔質母材合成用ト
ーチで、合成用1〜−チ本体J1と、ガラス原材料吹出
ノズル12とによって構成されている。 本実施例が第1図図示第1実施例と異なる点は、SiC
l4、GeCl,、GeCl4等をガス状にしたガラス
原材料が供給されるガラス原材料供給パイプ13を合成
用トーチ本体11の壁面を貫通し、ガラス原材料吹出ノ
ズル12に、該ガラス原材料吹出ノズル↓2の内壁面円
周方向に治って吹き出し可能に設けた点である。他は、
第1図図示第1実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ13からは、SiCl4、GeCl4、G e
Cl。 等をガス状にしたガラス原材料が第5同図示矢印Aに示
す如く供給され、ガラス原材料吹出ノズル12内に送り
込まれる。このガラス原材料吹出ノズルエ2内に送り込
まれたS x C1,4、G e C14等ガスは、ガ
ラス原材料吹出ノズル12内壁に沿って送り込まれるた
め、第5図図示矢印Bに示す如く、ガラス原材料吹出ノ
ズル12内で渦流を発生する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ル土2内に内壁面に沿って送り込まれるため、S i
C14,G e C14等の気体状のガラス原材料流に
渦流を生しさせることができ、多孔質プリフォームの堆
積効率を向−1ニすることができる。 第3実施例(第6図) 第6同には、本発明に係る光ファイバ角番孔質母材合成
用1−−チの第3実施例が示されている。 図において、20は、光ファイバ角番孔質母材合成用1
〜−チで、合成用トーチ本体2tと、ガラス原材料吹出
ノズル22とによって構成されている。 本実施例が第1四同示第1実施例と異なる点は、ガラス
原材料供給パイプ23を介して、SiCl4、GeCl
4、GeCl4等をガス状にしたガラス原材料の供給さ
れるガラス原材料吹出ノズル22内部壁面に、螺旋状に
形成される羽根24を形成した点である。 他は、第10図示第1実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ23から供給される5ick4、GeC1,等
をガス状にしたガラス原材料は、ガラス原材料吹出ノズ
ル22内に送り込まれて、ガラス原材料吹出ノズル22
内部壁面に螺旋状に設けられた羽根24によって、渦流
となってガラス原材料吹出ノズル22先端から吹き、I
Plされる。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料吹出ノズ
ルエ2内に内壁面に螺旋状に羽根24が設けられている
ため、SiCl4、GeCl4,GeCl4等の気体状
のガラス原材料流に渦流を生じさせることができ、多孔
質プリフォームの堆積効率を向上することができる。 第4実施例(第7図) 第7同には、本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合成
用トーチの第4実施例が示されている。 図において、30は、光ファイバ角番孔質母材合成用ト
ーチで、合成用トーチ本体31と、ガラス原材料吹出ノ
ズル32とによって構成されている。 本実施例が第1図図示第1実施例と異なる点は、ガラス
原材料吹出ノズル32内にSiCl4、GeCl4、G
eC1,等をガス状にしたガラス原材料を供給する3 24− ガラス原材料供給パイプエ3に加え、ガラス原材料供給
パイプ13よりもガラス原材料吹出ノズル32の先端出
口近傍に、該ガラス原材料吹出ノズル32の内壁面円周
方向に沿ってガス状のガラス原材料を吹き出す第2のガ
ラス原材料供給パイプ33を設けた点である。他は、第
1図図示第1実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ13から供給されるSiCl4、GeCl,+
、GeC1,等をガス状にしたガラス原材料は、ガラス
原材料吹出ノズル32内を通り一ヒ昇し、ガラス原材料
吹出ノズル32の先端出口近傍で、ガラス原材料供給パ
イプ33から5IC14、GeC]4等をガス状にした
ガラス原材料が再度、ガラス原材料吹出ノズル32内壁
に治って送り込まれる。このため、ガラス原材料吹1’
(’lノズル32内で渦流を発生する。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料供給パイ
プ13から供給されるSiCl4、GeCl,、GeC
l4等をガス状にしたガラス原材料にガラス原材料供給
パイプ33からガラス原材料吹出ノズル32内壁に沿っ
てSiCl4、GeCl,、GeCl4等をガス状にし
たガラス原材料が再度吹き出されるため、SiCl4、
GeCl4、GeCl4等の気体状のガラス原材料流に
渦流を生じさせることができ、多孔質プリフォームの堆
積効率を向上することができる。 第5実施例(第8図) 第8図には、本発明に係る光ファイバ角番孔質母材合成
用トーチの第5実施例が示されている。 図において、40は、光ファイバ角番孔質母材合成用ト
ーチで、合成用トーチ本体41と、ガラス原材料吹出ノ
ズル42とによって構成されている。 本実施例が第10図示第1実施例と異なる点は、ガラス
原材料吹出ノズル42内にSiCl4、GeCl4,G
eCl4等をガス状にしたガラス原材料を供給するガラ
ス原材料供給パイプ43をガラス原材料吹出ノズル42
の先端出口近傍に設けた点である。他は、第1図図示第
1実施例と同一である。 このように構成されるものであるから、ガラス原材料供
給パイプ43からは、SiCl4、GeCl4、GeC
l4等をガス状にしたガラス原材料が供給され、ガラス
原材料吹出ノズル42内に送り込まれる。このガラス原
材料吹出ノズル42内に送り込まれたSiCl4、Ge
Cl4,GeCl4等をガス状にしたガラス原材料は、
ガラス原材料吹出ノズル42内部を移動していく。この
間、SiCl4、GeCl,、GeC]、等をガス状に
したガラス原材料のガラス原材料吹1’(’lノズル4
2内部での対空時間が短いため、層流となる前にガラス
原材料吹出ノズル42先端から吹き出される。 したがって、本実施例によれば、ガラス原材料供給パイ
プ43から供給されるS j C1,、GeC]、。 等をガス状にしたガラス原材料がガラス原材料吹出ノズ
ル42内で層流になる前に吹き出されるため、SiCl
4、GeCl4、GeC1,等の気体状のガラス原材料
流に渦流を生じさせ、多孔質プリフォームの堆積効率を
向」二することができる。 【発明の効果1 本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載されるような効果を奏する。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁に開口面積を小さくする
絞り部を形成しているため、構造を簡単にすることがで
き、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、
かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留することな
く多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多孔質プ
リフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料供給パイプを1−記ガラス原材料吹出ノズ
ルの内壁面円周方向に泊ってガス状にしたガラス原材料
を吹き出すように設けているため、構造を簡単にするこ
とができ、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることが
でき、かつ、トーチノズル内にガラス原材料が残留する
ことなく多孔質母材中に不純物が混入する恐れがなく多
孔質プリフォームの堆積効率を向上することができる。 ガラス原材料吹出ノズルの内壁面に螺旋状に形成される
羽根を設けているため、構造を簡単にすることができ、
ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多孔
質プリフォームの堆積を向−27= 28− モすることができる。 ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍に、該ガラス原
材料吹出ノズルの内壁面円周方向に沿ってガス状のガラ
ス原材料を吹き出す第2のガラス原材料供給パイプを設
け、該第2のガラス原材料供給パイプからもガラス原材
料を所定圧でI−、記ガラス原材料吹出ノズル内に供給
するようにしであるため、構造を簡単にすることができ
、ガラス原材料流れ中に渦を発生させることができ、多
孔質プリフォームの堆積効率を向−1ニすることができ
る。 ガラス原材料供給パイプをガラス原材料吹出ノズルの先
端出口近傍に設け、ガラス原材料吹出ノズル内の滞留時
間を短くするようにしであるため、ガラス原材料の層流
を作り出すことなく、構造を簡単にでき、ガラス原材料
流れ中に渦を発生させることができ、多孔質プリフォー
ムの堆積効率を向」ニすることができる。
第工同〜第30は本発明に係る光ファイバ月参孔質母材
合成用トーチの第1実施例を示すもので、第1図は光フ
ァイバ月参孔質母材合成用トーチの一部断面全体斜視口
、第2図は第10図示光ファイバ用多孔質母材合或用ト
ーチの断面正面図、第3図は第10図示光ファイバ用多
孔質母材合成用トーチの正面間、第4図〜第5図は本発
明に係る光ファイバ月参孔質母材合成用トーチの第2実
施例を示すもので、第4図は光ファイバ月参孔質母材合
成用トーチの平面団、第5図は第1図図示光ファイバ用
多孔質母材合成用トーチの断面図、第6UPjlは本発
明に係る光ファイバ月参孔質母材合成用トーチの第3実
施例を示す断面正面図、第7同は本発明に係る光ファイ
バ月参孔質母材合成用トーチの第4実施例を示す断面正
面図、第8同は本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合
成用トーチの第5実施例を示す断面正面図、第9図は従
来の光ファイバ用多孔質母材合成用トーチを示す図、第
10図は従来の光ファイバ月参孔質母材合成用トーチを
示す図、第1118i?lはVAD法による多孔質プリ
フォームの製造方法を示す同である。 土、10,20,30.40 ・・・・・・・・光ファイバ周長孔質母材合成用1−−
チ2.11..21,31.41 合成用トーチ本体 3.12,22,32.42 ガラス原材料吹出ノズル 6.13,23,33.43 ガラス原材料供給パイプ
合成用トーチの第1実施例を示すもので、第1図は光フ
ァイバ月参孔質母材合成用トーチの一部断面全体斜視口
、第2図は第10図示光ファイバ用多孔質母材合或用ト
ーチの断面正面図、第3図は第10図示光ファイバ用多
孔質母材合成用トーチの正面間、第4図〜第5図は本発
明に係る光ファイバ月参孔質母材合成用トーチの第2実
施例を示すもので、第4図は光ファイバ月参孔質母材合
成用トーチの平面団、第5図は第1図図示光ファイバ用
多孔質母材合成用トーチの断面図、第6UPjlは本発
明に係る光ファイバ月参孔質母材合成用トーチの第3実
施例を示す断面正面図、第7同は本発明に係る光ファイ
バ月参孔質母材合成用トーチの第4実施例を示す断面正
面図、第8同は本発明に係る光ファイバ用多孔質母材合
成用トーチの第5実施例を示す断面正面図、第9図は従
来の光ファイバ用多孔質母材合成用トーチを示す図、第
10図は従来の光ファイバ月参孔質母材合成用トーチを
示す図、第1118i?lはVAD法による多孔質プリ
フォームの製造方法を示す同である。 土、10,20,30.40 ・・・・・・・・光ファイバ周長孔質母材合成用1−−
チ2.11..21,31.41 合成用トーチ本体 3.12,22,32.42 ガラス原材料吹出ノズル 6.13,23,33.43 ガラス原材料供給パイプ
Claims (5)
- (1)円筒状に形成される合成用トーチ本体の内部略中
央に円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを嵌合
し、該ガラス原材料吹出ノズルからSiCl_4、Ge
Cl_4等をガス状にしたガラス原材料を供給し該ガラ
ス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内壁との間から
O_2、H_2ガスを供給して種石英棒の先端から多孔
質プリフオームを成長させる光ファイバ用多孔質母材合
成用トーチにおいて、上記ガラス原材料吹出ノズルの内
壁に開口面積を小さくする絞り部を形成したことを特徴
とする光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ。 - (2)円筒状に形成される合成用トーチ本体の内部略中
央に外部からSiCl_4、GeCl_4等をガス状に
したガラス原材料を供給するガラス原材料供給パイプが
接続され円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを
嵌合し、該ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を
供給し該ガラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内
壁との間からO_2、H_2ガスを供給して種石英棒の
先端から多孔質プリフォームを成長させる光ファイバ用
多孔質母材合成用トーチにおいて、上記ガラス原材料供
給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズルの内壁面円周方
向に沿ってガス状にしたガラス原材料を吹き出すように
設けたことを特徴とする光ファイバ用多孔質母材合成用
トーチ。 - (3)円筒状に形成される合成用トーチ本体の内部略中
央に円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを嵌合
し、該ガラス原材料吹出ノズルからSiCl_4、Ge
Cl_4等をガス状にしたガラス原材料を供給し該ガラ
ス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内壁との間から
O_2、H_2ガスを供給して種石英棒の先端から多孔
質プリフォームを成長させる光ファイバ用多孔質母材合
成用トーチにおいて、上記ガラス原材料吹出ノズルの内
壁に螺旋状に形成される羽根を形成したことを特徴とす
る光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ。 - (4)円筒状に形成される合成用トーチ本体の内部略中
央に外部からSiCl_4、GeCl_4等をガス状に
したガラス原材料を供給するガラス原材料供給パイプが
接続され円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを
嵌合し、該ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を
供給し該ガラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内
壁との間からO_2、H_2ガスを供給して種石英棒の
先端から多孔質プリフォームを成長させる光ファイバ用
多孔質母材合成用トーチにおいて、上記ガラス原材料吹
出ノズルの先端出口近傍に、該ガラス原材料吹出ノズル
の内壁面円周方向に沿ってガス状のガラス原材料を吹き
出す第2のガラス原材料供給パイプを設け、該第2のガ
ラス原材料供給パイプからもガラス原材料を所定圧で上
記ガラス原材料吹出ノズル内に供給するようにしたこと
を特徴とする光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ。 - (5)円筒状に形成される合成用トーチ本体の内部略中
央に外部からSiCl_4、GeCl_4等をガス状に
したガラス原材料を供給するガラス原材料供給パイプが
接続され円筒状に形成されるガラス原材料吹出ノズルを
嵌合し、該ガラス原材料吹出ノズルからガラス原材料を
供給し該ガラス原材料吹出ノズルと合成用トーチ本体内
壁との間からO_2、H_2ガスを供給して種石英棒の
先端から多孔質プリフォームを成長させる光ファイバ用
多孔質母材合成用トーチにおいて、上記ガラス原材料供
給パイプを上記ガラス原材料吹出ノズルの先端出口近傍
に設け、ガラス原材料吹出ノズル内の滞留時間を短くす
るようにしたことを特徴とする光ファイバ用多孔質母材
合成用トーチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1205079A JPH0669898B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1205079A JPH0669898B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0369527A true JPH0369527A (ja) | 1991-03-25 |
JPH0669898B2 JPH0669898B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=16501075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1205079A Expired - Fee Related JPH0669898B2 (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | 光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0669898B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002098805A1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-12 | Pirelli & C. S.P.A. | Method and burner for manufacturing a glass optical fibre preform by vapour deposition |
US6588230B1 (en) * | 1998-08-07 | 2003-07-08 | Corning Incorporated | Sealed, nozzle-mix burners for silica deposition |
US6688881B1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-10 | Fitel Usa Corp. | Torch mount for high deposition glass torches |
WO2014148546A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 大陽日酸株式会社 | 燃焼バーナ、バーナ装置、及び原料粉体加熱方法 |
EP2762456A4 (en) * | 2011-09-29 | 2015-06-03 | Sumitomo Electric Industries | METHODS OF FORMING DEPOSITION OF FINE PARTICLES OF GLASS AND GLASS BASE MATERIAL |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ZA965340B (en) | 1995-06-30 | 1997-01-27 | Interdigital Tech Corp | Code division multiple access (cdma) communication system |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5366067A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Filter system |
JPS58167442A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-10-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバ母材の製造方法 |
JPS61116799A (ja) * | 1984-11-10 | 1986-06-04 | 荒田 吉明 | 軸供給型大出力プラズマジエツト発生装置 |
JPS6261629A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | ウ−デ・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 合成ガスを造るための装置 |
JPS62133097A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-16 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体ウエハのめつき装置 |
JPS63239800A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | 日本電子株式会社 | 誘導プラズマト−チ構造 |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1205079A patent/JPH0669898B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5366067A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Filter system |
JPS58167442A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-10-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバ母材の製造方法 |
JPS61116799A (ja) * | 1984-11-10 | 1986-06-04 | 荒田 吉明 | 軸供給型大出力プラズマジエツト発生装置 |
JPS6261629A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | ウ−デ・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 合成ガスを造るための装置 |
JPS62133097A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-16 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体ウエハのめつき装置 |
JPS63239800A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | 日本電子株式会社 | 誘導プラズマト−チ構造 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6588230B1 (en) * | 1998-08-07 | 2003-07-08 | Corning Incorporated | Sealed, nozzle-mix burners for silica deposition |
WO2002098805A1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-12 | Pirelli & C. S.P.A. | Method and burner for manufacturing a glass optical fibre preform by vapour deposition |
US7587914B2 (en) | 2001-05-30 | 2009-09-15 | Prysmian Cavi E Sistemi Energia S.R.L. | Burner for manufacturing a glass optical fibre preform by vapour deposition |
US6688881B1 (en) * | 2002-08-09 | 2004-02-10 | Fitel Usa Corp. | Torch mount for high deposition glass torches |
EP2762456A4 (en) * | 2011-09-29 | 2015-06-03 | Sumitomo Electric Industries | METHODS OF FORMING DEPOSITION OF FINE PARTICLES OF GLASS AND GLASS BASE MATERIAL |
US9630872B2 (en) | 2011-09-29 | 2017-04-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing glass-fine-particle-deposited body and method for manufacturing glass base material |
US10604439B2 (en) | 2011-09-29 | 2020-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing glass-fine-particle-deposited body and method for manufacturing glass base material |
WO2014148546A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 大陽日酸株式会社 | 燃焼バーナ、バーナ装置、及び原料粉体加熱方法 |
JP2014185784A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 燃焼バーナ、バーナ装置、及び原料粉体加熱方法 |
US9671107B2 (en) | 2013-03-21 | 2017-06-06 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Combustion burner, burner apparatus, and raw material powder-heating method |
US10174940B2 (en) | 2013-03-21 | 2019-01-08 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Raw material powder-heating method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0669898B2 (ja) | 1994-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6312656B1 (en) | Method for forming silica by combustion of liquid reactants using oxygen | |
KR100473827B1 (ko) | 액체반응물의연소에의해용융실리카를제조하는방법및장치 | |
US5979185A (en) | Method and apparatus for forming silica by combustion of liquid reactants using a heater | |
US5043002A (en) | Method of making fused silica by decomposing siloxanes | |
CN101679102A (zh) | 制备光纤预制棒的环形等离子体射流法和装置 | |
GB2059944A (en) | Fabrication method of optical fiber preforms | |
JPH0369527A (ja) | 光ファイバ用多孔質母材合成用トーチ | |
JPH0351663B2 (ja) | ||
US8336337B2 (en) | Method and device for producing a blank mold from synthetic quartz glass by using a plasma-assisted deposition method | |
CN1337367A (zh) | 一种光纤预制棒的制造方法 | |
JP7195703B2 (ja) | 多孔質体合成用バーナー及び多孔質体の製造方法 | |
JP3133392B2 (ja) | 光ファイバ用スート母材の製造方法 | |
JP3428066B2 (ja) | フッ素ドープ石英ガラスの製造方法 | |
JPS61261228A (ja) | 光フアイバ用フツ素添加プリフオ−ムの製造方法 | |
FI91146C (fi) | Menetelmä huokoisen lasiesimuodon valmistamiseksi optisia kuituja varten | |
JPS6168330A (ja) | 光学ガラス微粒子の生成方法 | |
JPS63242939A (ja) | ガラス微粒子合成ト−チ | |
JPS6168337A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 | |
Mishra et al. | A Critical Study of the Soot Deposition Rate in ACVD Process | |
JPH0436102B2 (ja) | ||
JPS60204634A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法及び製造装置 | |
MXPA00000586A (en) | Method and apparatus for forming silica by combustion of liquid reactants using a heater | |
JPS59207846A (ja) | 偏波面保存フアイバ用プリフオ−ムの製造方法 | |
JPS59174537A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 | |
ITTO990578A1 (it) | Procedimento e apparecchiatura per la formazione di strati piani di silice vetrosa mediante l'uso di una torcia a plasma ad accoppiamento in |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |