JP2005520930A - ウェハ表面を電気メッキするための装置および方法 - Google Patents

ウェハ表面を電気メッキするための装置および方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005520930A
JP2005520930A JP2003557031A JP2003557031A JP2005520930A JP 2005520930 A JP2005520930 A JP 2005520930A JP 2003557031 A JP2003557031 A JP 2003557031A JP 2003557031 A JP2003557031 A JP 2003557031A JP 2005520930 A JP2005520930 A JP 2005520930A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
rotation
axis
support
circular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003557031A
Other languages
English (en)
Inventor
ダーン、エル.デ、クベル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of JP2005520930A publication Critical patent/JP2005520930A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/08Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/10Agitating of electrolytes; Moving of racks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/04Electroplating with moving electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本発明は、チャンバ内のウェハ表面にメッキ液を導入するステップと、メッキされるべき面を通過する回転軸の周りでウェハを回転させるステップとを有し、且つその回転軸それ自体が第2の回転軸の周りで回転させられるようにウェハを移動させる更なるステップを含む、ウェハ表面を電気メッキするための方法を提供する。

Description

本発明は、ウェハ表面を電気メッキするための装置および方法であり、チャンバ内のウェハ表面にメッキ液を導入し、且つメッキされるウェハ表面を通過する回転軸の周りでウェハを回転させるステップを含む装置および方法、に関する。
現在、多年に亘って、電子的構成要素の寸法、またそれに伴って、そのような構成要素を含む製品の寸法を縮小する要求が増大してきている。このことは、集積回路デバイスの小型化を求める絶え間無い要求に繋がる。電気的構成要素の小型化を達成することの探求が遂行される特に有益な方法は、電子的デバイスの製造中に共通に採用されるリソグラフィーおよびメッキの技術の選定および適用による。そのようなメッキ技術は、一般に伝導性材料の層、および幾つかの例においてはパターン化された層を導入するために採用される。適切なリソグラフィーのパターン化、およびその後の処理を通して、多数の構成要素製品が、1つまたはそれより多くの、例えばセラミック、ガラス、またはシリコンウェハについての共通のステップによって製造され得る。
それゆえ、多数のデバイスがそのようなウェハに形成される範囲で、少なくとも非常に類似した構造的寸法、および密接に類似した動作特性を呈するデバイスを製造することが当然に望ましい。
しかしながら、幾分か不都合なことに、既知の電気メッキプロセスにあっては、被覆される金属の厚みプロファイルが不都合に不均一であることが見出されている。
それゆえ、電気メッキを通しての伝導性金属層の形成におけるそのような制限は、不都合なことに、そのような大量生産法を通して製造され得るとともに、その反対に作用する有用な機能デバイスの数を制限し、また歩留まり高にも悪影響を及ぼす。
提示される変形の量は、使用される特定の電気メッキ槽およびウェハが処理される方法にも依存する。他の要素は、電気メッキセルのサイズおよび形状、空乏効果、およびいわゆるホットエッジおよび終端効果を含む。電気メッキ層厚において生ずる変形は、一般に標準偏差という言葉で説明され、そして既知の製造法について、10%を超える標準偏差を呈するウェハを製造することは珍しくない。
現行の電気メッキシステムは、内部でメッキ液が底部領域からその上端部領域へ上向きに流れさせられるセルを採用していることが知られている。ウェハはセルの上端部に配置され且つメッキされるべき面を垂直に通過する回転軸の周りで回転させられる。メッキ液がウェハ上を流れるに連れて、流れはウェハの縁部へ向けて偏向され、その後セルを出て行く。しかしながら、ウェハ上の液流における不均一性から、結果として電気メッキの不均一性の問題が生ずる。ウェハの中央領域は、ウェハの周囲領域のそれとは異なる流場を一般に有する。さらに重要なことには、そのような既知の装置において、ウェハの配置は危険を伴うものであって、そのような配置における最小の誤差でさえも電気メッキ層の厚みにおける大きな変動に、また、それゆえ、標準偏差の所望されない高い値に繋がる。
そのような現行のシステムは、米国特許US−A−6017437号明細書および日本国特許JP−A−04041698号明細書により知られている。
連続的なメッキ槽の分析に伴う、メッキセル内のウェハを取り扱う技術の使用を示すさらに改善されたシステムも提案されている。そのような態様は、均一性および層厚を増大させまた、それゆえ、低い標準偏差の値を達成するために、リアルタイムで処理に適合調整させるための試みにおける電気メッキの進行を監視するのに役立つ。3%の標準偏差値が達成され得ることが示されているとはいえ、そのようなシステムは、不都合なことに高価で且つ複雑であると考えられる。
本発明は、既知のそのような装置および方法を上回る優位性を呈する電気メッキの装置および方法を提供することを目的としている。
本発明の1つの態様によれば、上記されたウェハ表面を電気メッキする方法が提供され、この方法は、その回転軸それ自体が第2の回転軸の周りで回転させられるようにウェハをさらに移動させるステップを特徴とする。
この方法においては、メッキ液が非常に乱れた態様でウェハ表面に沿って流れさせられ得るとともに、画定される2つの回転は、ウェハ上の全ての非対称メッキ現象を平均化するのに役立つことが確定される。その後、均一な電気メッキ層が展開され得る。
さらに、提案されたシステムは比較的安価であり、そして既知の問題および制限に対して比較的単純な操作上の解決策を提供することが見出されている。特に、メッキ溶液の連続的な監視は必要とされず、そして当該方法は、クリーン・ルーム環境の内側または外側のいずれにおいても採用され得る。当該方法は小さな設置面積を呈する装置によって達成され得るとともに、非常に大量の製造に特に適している。
請求項2の特徴は、層厚の均一性を達成するのに特に有利である。
請求項3、請求項4および請求項5の特徴は、小型で、しかし有効な構成および操作の方法を達成するための本発明の特に有利な実施形態に関連している。
本発明の他の態様によれば、ウェハを収容し且つその内部にメッキ液が導入されるべきチャンバと、ウェハを支持し且つメッキされるべきウェハ表面を通過する軸の周りで該ウェハを回転させるための被駆動支持手段とを含む、ウェハ表面を電気メッキするための装置であって、その回転軸それ自体がチャンバ内で第2の回転軸の周りで回転するようにウェハ支持体を移動させるべく配設される、更なる被駆動支持手段を特徴とする装置が提供される。
本発明のより進んだ態様によれば、ウェハを支持するため、そしてメッキされるべきウェハ面を通過する回転軸の周りのウェハの回転のための第1の手段を具備する、メッキされるべき面を有するウェハを支持するための支持装置であって、前記第1の手段を支持するため、および前記第1の手段の前記回転軸が第2の回転軸の周りを回転するようなやり方で前記第1の手段を移動させるために配設された第2の手段を特徴とする支持装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、ウェハ表面を電気メッキするステップを含む電子デバイスを製造する方法が提供される。このことは、より均一な厚みを有する層をもたらす。それゆえ、歩留まりが最適化され、且つアラインメントが改善され得る。さらに、ウェット・エッチングの間、サイズパターンは層厚に依存している。より均一な厚みは、それゆえより均一で且つより制御可能なパターンサイズをもたらす。電子デバイスの例は、半導体デバイス、受動回路網、マイクロエレクトロメカニカル構成要素等である。
以下において、本発明は、単なる例として添付図面を参照しながら更に説明される。
まず、図1においては、本発明を実施するシステムの一部を形成する電気メッキセル10の断面が図解されている。
電気メッキセルは、当該槽12の下側面の中央部分から上方に垂直に延びる入口ダクト14を有する槽12を備えている。入口ダクト14は、当該技術において一般に知られている方法による槽12へのメッキ液の導入を可能としている。メッキ液は、矢印Aで示される態様で槽12内へ、そして槽12中の至る所に流れるように導入される。それゆえ、メッキ液は、入口ダクト14の何れかの側を循環し、且つ槽12の上側周縁領域に配設される出口開口16を経由して槽12から流出することが分かる。出口開口16はまた、槽12との組合せで電気メッキセル10の寸法を画定するのに役立つ、横に延びるウェハ取り付け構成によって画定される。矢印Aはまた、ウェハ取り付け構成18のすぐ近くに近接する領域において、メッキ液が槽内をどのように流れるかを示すのにも役立っている。さらに詳細には、本発明の重要な態様として、取り付け構成18はモータ装置(図示せず)によって矢印Bの方向に回転させられるシャフト22から吊下され、そして該シャフト22に駆動的に連動する円形の取り付け板20を含んでいる。
取り付け板20内に回転可能に取り付けられているのは、取り付け板20の下側面と組み合わされて槽12の上側面を定義する下側面26を有する円形ウェハ保持部24である。円形ウェハ保持部24は、矢印Cの方向にウェハ保持部24を回転させる役割を持つモータ(図示せず)のような駆動装置に結合されるシャフト16に結合されている。
図解された例においては、ウェハ保持部24は陰極を形成し、且つ槽12の下側面は横に延びる陽極28を含むべく構成されている。
取り付け部材20および円形ウェハ保持部24の相対的配置および回転は、図2を参照してさらに説明される。
被駆動シャフト16は、矢印Cにより示されるような態様でウェハ保持部24を回転させるようにするとともに、被駆動シャフト22は同様に、矢印Bの反対の方向に取り付け板20を回転させる役割を持つことが理解される。これにより、回転する円形ウェハ取り付け板24を、セル10の周縁領域に沿う通路を追跡して中央シャフト22の周りを周回させることになる。
事実上、ウェハ保持部24の回転軸はそれ自体が、取り付け板20の回転軸の周りを回転させるようにされ、図解された例においては前記2つの回転軸が実質的に平行である。このようにして、ウェハ保持部24の下側部26に取り付けられたウェハ(図示せず)は、それゆえ、ウェハの表面を覆うメッキ液の流れを作るような態様で、セル10の上側領域を動き回る。セル内に流体を導入するためのポンプによって、乱流が流体に導入され得る。
このような態様で槽に対するウェハの取り付けおよび回転は、先行技術と比較されたときに本発明に優位性を与えることが分る。特に、ウェハがそのように回転される態様は、それがなければ電気メッキのプロセスの間に生ずる全ての一般的な非対称現象を平均化するのに役立つ。
それゆえ、本発明の優位性は、比較的単純で且つコスト効率の良い装置によって、また、標準的なメッキ溶液を採用して、達成され得る。メッキ溶液の連続的な監視は必要とされず、且つ当該装置はクリーン・ルーム環境の外側でも有利に使用され得る。装置は、有利には、小さな設置面積を持ち得て、それゆえ、非常に大量の製造の要求に使用するために特に適している。
陽極28は大きな表面積を有しており、望ましくは金のような不活性材料で形成されることが理解される。ウェハに沿う流れ計測は良く展開された乱流を示し、システムが2つのモードで有利に操作され得ることが分る。最初に、すなわち、DC(直流)モードにおいて、定電流が陽極28と陰極24の間に印加される。二者択一的に、リバース・パルスメッキ(RPP)モードにおいて、電流は陽極28と陰極24との間に周期的に保有される。陽極電流の強度は陰極電流とは異なり、且つ陽極時間と陰極時間とは等しくないことが分っていることが理解される。本発明を実施するシステムおよび2つの異なるウェハに関して試験が行われている。
まず、そこに構成が形成されていないウェハがメッキされ、且つRPPモードにおける最も低い標準偏差は2.5%であることが分った。そのような結果は、6インチ(15.24cm)のウェハ上でRPPモードにおいて7.5um銅被覆層の層厚分布を示す以下の表1において、そして図3および図4に関しても、さらに説明されている。
Figure 2005520930
また、メッキされ且つその上に微細構造がリソグラフィー的に形成されたウェハは、DCモードにおいて2.5%の範囲で標準偏差をも呈する。層は、銅の層でメッキされている。しかしながら、クローム・ニッケルおよび合金のような材料が本発明の方法によってメッキされても良い。
これらの標準偏差の低い形態は、本発明の有利な特性を確実にするのに役立つ。
すなわち、本発明は、電気メッキ装置およびこの装置を用いる電気メッキのための方法に関する。装置は、(支持板上で)ウェハを回転させるための第1の被駆動支持手段が設けられる。チャンバ内の第2の回転軸の周りでウェハを回転させる第2の被駆動支持手段が、さらに設けられる。
したがって:
いかなるサイズでもよいが、特に4から14インチのウェハが適している。
ウェハは回転可能板上に存在し、該回転可能板はそれも回転する支持板に結合される。それゆえ、ウェハは2つの回転動作に供され、該2つの回転動作は、スピード、方向、および回転軸の配置に関して、互いに異なり得る。
支持板および回転可能板の完全なシステムは、1つのチャンバ内に存在する。
有効性を議論するために、我々は、最初に新規性を、そしてその後に進歩性を議論するであろう。新規性は、本発明が何らかの文献から完全に公知であるかどうかを調査することによって審査される。進歩性は、当業者が、入手可能な文献を組み合わせることによって本発明をいかなる問題もなしに想到することができたかを調査することによって、審査される。
本発明を実施するメッキ装置の、セル形成部分を通しての概略断面図である。 図1の実施形態において採用されている、ウェハ支持体および支持板の平面図である。 本発明を実施する方法に従い且つ表1の値を説明する、メッキされたウェハを横切る断面厚における変化の図式的な表現である。 図3のウェハメッキのための、全ての厚みデータの図式的な表現である。

Claims (18)

  1. チャンバ内のウェハ表面にメッキ液を導入するステップと、メッキされるべき面を通過する回転軸の周りでウェハを回転させるステップとを有する前記ウェハ表面を電気メッキする方法であって、その回転軸それ自体が第2の回転軸の周りで回転させられるように前記ウェハをさらに移動させるステップを特徴とする、方法。
  2. 前記ウェハは、前記回転軸とチャンバの外側壁との間に配置される、請求項1に記載の方法。
  3. 前記ウェハは、実質的に円形のウェハ支持体上に配置され且つ前記ウェハの回転軸は、円形支持体の中心を通過する、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記ウェハを保持する実質的に円形の前記ウェハ支持体は、それ自体が前記第2の回転軸の周りで回転するように前記円形支持板上に支持されるべく配設された請求項3に記載の方法。
  5. 実質的に円形の前記ウェハ支持体、前記ウェハおよび前記円形支持板は、回転偏心円として回転するべく駆動される、請求項4に記載の方法。
  6. 前記回転軸の周りのそれぞれの回転は、反対の方向である、請求項1ないし5の何れか一に記載の方法。
  7. 前記第2の回転軸は、前記ウェハを通過する前記回転軸に対して実質的に平行である、請求項1ないし6の何れか一に記載の方法。
  8. 前記ウェハを収容し且つその内部にメッキ液が導入されるべきチャンバと、前記ウェハを支持し且つメッキされるべきウェハ表面を通過する軸の周りで該ウェハを回転させるための被駆動支持手段とを備えるウェハ表面を電気メッキするための装置であって、その回転軸それ自体がチャンバ内で第2の回転軸の周りで回転させられるようにウェハ支持体を移動させるべく配設された更なる被駆動支持手段を特徴とする、装置。
  9. 前記第2の回転軸とチャンバの外側壁との間に前記ウェハを位置させるための手段を含む、請求項8に記載の装置。
  10. 前記ウェハを支持するための被駆動支持手段は、円形部材を具備した請求項8または9に記載の装置。
  11. 前記更なる被駆動支持手段は、円形部材を具備した請求項10に記載の装置。
  12. 2つの円形部材は、偏心円部材として配設された請求項11に記載の装置。
  13. 前記回転軸の周りのそれぞれの回転は、反対の方向となるように配設された、請求項8から12の何れか一に記載の装置。
  14. 前記第2の回転軸は、前記ウェハを通過する前記回転軸に対して実質的に平行な、請求項8から13の何れか一に記載の装置。
  15. 前記ウェハを支持するため、およびメッキされるべきウェハ面を通過する回転軸の周りの前記ウェハの回転のための第1の手段を有する、メッキされるべき面を有する前記ウェハを支持するための支持装置であって、前記第1の手段を支持するためであり、かつ前記第1の手段の前記回転軸が第2の回転軸の周りを回転するようなやり方で前記第1の手段を移動させるために配設された第2の手段を特徴とする支持装置。
  16. 請求項13に記載され且つ、請求項7から12の何れか一に記載された装置に使用するために配設された支持装置。
  17. 前記第2の軸は、前記第1の手段の回軸に実質的に平行である、請求項15または16に記載の支持装置。
  18. 請求項1ないし7の何れか一に従ってウェハ表面を電気メッキするステップを含む、電子的デバイスを製造する方法。
JP2003557031A 2001-12-24 2002-12-12 ウェハ表面を電気メッキするための装置および方法 Pending JP2005520930A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01205083 2001-12-24
PCT/IB2002/005396 WO2003056609A2 (en) 2001-12-24 2002-12-12 Apparatus and method for electroplating a wafer surface

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005520930A true JP2005520930A (ja) 2005-07-14

Family

ID=8181506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003557031A Pending JP2005520930A (ja) 2001-12-24 2002-12-12 ウェハ表面を電気メッキするための装置および方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20050072680A1 (ja)
EP (1) EP1527215A2 (ja)
JP (1) JP2005520930A (ja)
CN (1) CN1630739A (ja)
AU (1) AU2002367224A1 (ja)
TW (1) TW200411089A (ja)
WO (1) WO2003056609A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010530029A (ja) * 2007-06-06 2010-09-02 アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 板状製品の電気的処理用装置及び方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102268719B (zh) * 2010-06-03 2013-10-30 台湾积体电路制造股份有限公司 直立式电镀设备及其电镀方法
CN104233410A (zh) * 2013-06-24 2014-12-24 马悦 在衬底上电化学沉积金属的装置
EP3176288A1 (en) * 2015-12-03 2017-06-07 ATOTECH Deutschland GmbH Method for galvanic metal deposition

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5670034A (en) * 1995-07-11 1997-09-23 American Plating Systems Reciprocating anode electrolytic plating apparatus and method
JP2001316890A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd メッキ処理方法及びメッキ処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010530029A (ja) * 2007-06-06 2010-09-02 アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 板状製品の電気的処理用装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003056609A2 (en) 2003-07-10
WO2003056609A3 (en) 2005-03-10
US20050072680A1 (en) 2005-04-07
EP1527215A2 (en) 2005-05-04
CN1630739A (zh) 2005-06-22
TW200411089A (en) 2004-07-01
AU2002367224A8 (en) 2003-07-15
AU2002367224A1 (en) 2003-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5135636A (en) Electroplating method
JP4642771B2 (ja) ワークピースを流体処理する方法及び装置
US5514258A (en) Substrate plating device having laminar flow
US20050006241A1 (en) Paddles and enclosures for enhancing mass transfer during processing of microfeature workpieces
US7247223B2 (en) Method and apparatus for controlling vessel characteristics, including shape and thieving current for processing microfeature workpieces
US3536594A (en) Method and apparatus for rapid gold plating integrated circuit slices
JP2004524436A (ja) 電気化学的メッキシステムにおいて使用されるフローディフューザ
JP2008510889A (ja) 動的形状アノード
US8101052B2 (en) Adjustable anode assembly for a substrate wet processing apparatus
JP2002053999A (ja) 極小物品のバレル電気めっき方法
JPH0860400A (ja) ラミナ金属箔のエッチング方法および電気エッチング装置
JPH11239758A (ja) 基板処理装置
JP2007046154A (ja) ワークピースを流体処理する方法及び装置
JP2005520930A (ja) ウェハ表面を電気メッキするための装置および方法
JP2003034893A (ja) メッキ方法およびメッキ装置
WO2021189181A1 (en) Plating apparatus and plating method
JP2005089812A (ja) めっき装置および半導体基板のめっき方法
TW202016364A (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法
JPH11152600A (ja) ウエハのメッキ装置
KR101426373B1 (ko) 기판 도금 장치
TWI766613B (zh) 電鍍設備和電鍍晶圓的方法
JP4560201B2 (ja) カップ式めっき装置
KR20100077447A (ko) 기판도금장치
JP3364485B2 (ja) めっき装置、及び半導体装置の製造方法
JPH02225693A (ja) 噴流式ウエハメッキ装置