JPH0349627B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0349627B2 JPH0349627B2 JP56187662A JP18766281A JPH0349627B2 JP H0349627 B2 JPH0349627 B2 JP H0349627B2 JP 56187662 A JP56187662 A JP 56187662A JP 18766281 A JP18766281 A JP 18766281A JP H0349627 B2 JPH0349627 B2 JP H0349627B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- substrate
- fluid
- coating material
- station
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 88
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 57
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 41
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 229910001203 Alloy 20 Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Inconell600 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229920004943 Delrin® Polymers 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000000834 fixative Substances 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/28—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by transfer from the surfaces of elements carrying the liquid or other fluent material, e.g. brushes, pads, rollers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
- B05C9/02—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material to surfaces by single means not covered by groups B05C1/00 - B05C7/00, whether or not also using other means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0091—Apparatus for coating printed circuits using liquid non-metallic coating compositions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S118/00—Coating apparatus
- Y10S118/02—Bead coater
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、メニスカス被覆に関し、特に薄膜を
均一に被覆する方法に関する。
均一に被覆する方法に関する。
精密被覆は、フオトレジスト、ラツカードバン
ド、メタロオーガニツク、反射防止等において必
要である。
ド、メタロオーガニツク、反射防止等において必
要である。
従来技術は、パネルまたは基板の面に微薄層を
均一に溶着するに問題があつた。ほとんどの場
合、メニスカス技術によつて均一な流体溶着を行
うために、被覆流体に一部浸漬した回転シリンダ
が使用されるが、被覆の均一性に難点がある。
均一に溶着するに問題があつた。ほとんどの場
合、メニスカス技術によつて均一な流体溶着を行
うために、被覆流体に一部浸漬した回転シリンダ
が使用されるが、被覆の均一性に難点がある。
米国特許第4004045号によれば、被覆材を水平
せきに流し、基板面を層流に接触させている。こ
のせき技術の主たる欠点は精密に流体の流量制御
ができないことである。そのため被覆材の厚みに
変化を来たし被覆の品質に影響する。
せきに流し、基板面を層流に接触させている。こ
のせき技術の主たる欠点は精密に流体の流量制御
ができないことである。そのため被覆材の厚みに
変化を来たし被覆の品質に影響する。
本発明は、次の各工程からなる非接触メニスカ
ス被覆方法である。
ス被覆方法である。
Ａ 液体被覆材を保持する２つの勾配面を互いに
反対向きに配置した非回転有孔筒状アプリケー
タの各勾配面の内側から外側に液体被覆材を流
出して、両勾配面の頂点部分から互いに反対向
きに流れる液体被覆材の下向き層流を形成する
工程； Ｂ 被覆すべき物品の表面が前記頂点部分におけ
る液状被覆材に接触するが該勾配面には接触し
ないようにして、前記頂点部分における該層流
の接線方向に該物品と該層流を相対的に移動さ
せる工程； Ｃ 前記物品に接触する液体被覆材の前縁と後縁
の間を所定の長さに保持して、被覆物品の表面
を液体被覆材の層流から均一に脱離させる工
程。
反対向きに配置した非回転有孔筒状アプリケー
タの各勾配面の内側から外側に液体被覆材を流
出して、両勾配面の頂点部分から互いに反対向
きに流れる液体被覆材の下向き層流を形成する
工程； Ｂ 被覆すべき物品の表面が前記頂点部分におけ
る液状被覆材に接触するが該勾配面には接触し
ないようにして、前記頂点部分における該層流
の接線方向に該物品と該層流を相対的に移動さ
せる工程； Ｃ 前記物品に接触する液体被覆材の前縁と後縁
の間を所定の長さに保持して、被覆物品の表面
を液体被覆材の層流から均一に脱離させる工
程。
被覆面からの溶着過剰被覆材の均一な脱離と排
出は均一なメニスカスと、勾配面の外側の被覆材
の一定下向き層流とにより確実に行われる。
出は均一なメニスカスと、勾配面の外側の被覆材
の一定下向き層流とにより確実に行われる。
この発明は、ガラス、磁器、金属、プラスチツ
クおよびそれらの組合せを含む基板の平坦面また
はわん曲面上に、フオトレジスト、ラツカー、ド
ーパント、ポリアミド、反射防止被覆剤等の流体
を溶着する装置および方法に関する。本願発明で
用いる被覆流体としては、次のようなものを例示
することができます。
クおよびそれらの組合せを含む基板の平坦面また
はわん曲面上に、フオトレジスト、ラツカー、ド
ーパント、ポリアミド、反射防止被覆剤等の流体
を溶着する装置および方法に関する。本願発明で
用いる被覆流体としては、次のようなものを例示
することができます。
１ ネガ型ホトレジスト；典型的なものはポリイ
ソプレンをベースにしたものであり、酸触媒と
ともに有機溶剤に溶かして希釈して用います。
ソプレンをベースにしたものであり、酸触媒と
ともに有機溶剤に溶かして希釈して用います。
２ ポジ型ホトレジスト；典型的なものはノボラ
ツク樹脂とジアジド抑制剤との混合物であり、
有機溶剤に希釈して用います。
ツク樹脂とジアジド抑制剤との混合物であり、
有機溶剤に希釈して用います。
３ ポリイミド；ポリアミツク酸溶液を用い、加
熱することにより強靱で耐環境性の大きい芳香
族ポリイミドのコーテイング膜ができることを
利用します。
熱することにより強靱で耐環境性の大きい芳香
族ポリイミドのコーテイング膜ができることを
利用します。
４ ヘキサメチルジシラザン；接着促進剤。
５ 被膜の接着促進用液体処理剤；酸化剤、還元
剤、清浄剤、リンス液などがあります。
剤、清浄剤、リンス液などがあります。
６ 反射防止コーテイング；例えば、チタニアを
樹脂と溶媒に溶解したものがあり、本願発明の
方法で基材に塗布後、高温に加熱して樹脂を焼
成してチタニアオキサイド被膜を作ります。こ
の薄く均一な厚みの被膜は太陽エネルギーを吸
収し反射防止効果があります。
樹脂と溶媒に溶解したものがあり、本願発明の
方法で基材に塗布後、高温に加熱して樹脂を焼
成してチタニアオキサイド被膜を作ります。こ
の薄く均一な厚みの被膜は太陽エネルギーを吸
収し反射防止効果があります。
７ ドーパント；半導体に特定の不純物を導入す
ることによつて半導体の極性を変化させ、導電
性を制御するために用いられます。
ることによつて半導体の極性を変化させ、導電
性を制御するために用いられます。
これらの被覆流体の濃度は、要求されるコー
テイング厚さや塗布速度などによりケースバイ
ケースで適宜希釈溶剤を用いて調整されます。
テイング厚さや塗布速度などによりケースバイ
ケースで適宜希釈溶剤を用いて調整されます。
第１図において、Ｔは流体接触後縁、Ｌは流体
接触前縁、Ｖは基板の速度（有孔流体アプリケー
タは固定）を夫々示す。第１図において、有孔壁
を有する円筒形アプリケータ１２により本メニス
カス被覆方法によつて被覆される逆基板１０が示
されている。円筒形アプリケータは横軸線上に支
持され、被覆流体供給管１６と、被覆剤回収トラ
フ１４と、被覆剤出口１８とを含む。
接触前縁、Ｖは基板の速度（有孔流体アプリケー
タは固定）を夫々示す。第１図において、有孔壁
を有する円筒形アプリケータ１２により本メニス
カス被覆方法によつて被覆される逆基板１０が示
されている。円筒形アプリケータは横軸線上に支
持され、被覆流体供給管１６と、被覆剤回収トラ
フ１４と、被覆剤出口１８とを含む。
逆基板は円筒形アプリケータ１２の外面上に被
覆剤の流下にたいし一様に接線方向に前進して、
流体接触前縁Ｌと流体接触後縁Ｔとにメニスカス
を表わす。
覆剤の流下にたいし一様に接線方向に前進して、
流体接触前縁Ｌと流体接触後縁Ｔとにメニスカス
を表わす。
第２図に変型方法が示され、ここで、基板１０
は固定態様で支持されているが、一方円筒形アプ
リケータ１２は基板の逆面にたいし縦方向に前進
する。
は固定態様で支持されているが、一方円筒形アプ
リケータ１２は基板の逆面にたいし縦方向に前進
する。
第３図において、Ｌは流体接触前縁、Ｔは流体
接触後縁、Ｘは前後縁メニスカス間の距離cm、α
は基板の傾斜角（図示例でαはｏ）、ｔは膜厚μ
ｍ、ｈは有孔管上基板の高さcmＶは基板にたいす
る管の移動速度cm／sec.，ｄは平均孔径μｍ、ｆ
は有孔壁厚みcm、ｅは溶剤蒸発速度cm3／cm2・sec、
Ｒは流体の流量cm3／cm2・sec.，Tfは流体温度℃、
Tsは基板温度℃、Ｗは基板の全幅cm、Ｃは流体
のソリツド濃度％、ηは流体の粘度cpを夫々示
す。
接触後縁、Ｘは前後縁メニスカス間の距離cm、α
は基板の傾斜角（図示例でαはｏ）、ｔは膜厚μ
ｍ、ｈは有孔管上基板の高さcmＶは基板にたいす
る管の移動速度cm／sec.，ｄは平均孔径μｍ、ｆ
は有孔壁厚みcm、ｅは溶剤蒸発速度cm3／cm2・sec、
Ｒは流体の流量cm3／cm2・sec.，Tfは流体温度℃、
Tsは基板温度℃、Ｗは基板の全幅cm、Ｃは流体
のソリツド濃度％、ηは流体の粘度cpを夫々示
す。
第３図は第２図および第３図に示す態様による
メニスカス被覆のパラメータを示している。
メニスカス被覆のパラメータを示している。
第５図は本発明の方法による逆基板のメニスカ
ス被覆用設備の略図である。有孔円筒形アプリケ
ータ１２の外面上の下方に層状に流れる被覆剤に
たいし接線方向に前進されるように逆基板１０は
真空チヤツク２２に支持されて、その平面に薄い
被覆２０を塗布する。
ス被覆用設備の略図である。有孔円筒形アプリケ
ータ１２の外面上の下方に層状に流れる被覆剤に
たいし接線方向に前進されるように逆基板１０は
真空チヤツク２２に支持されて、その平面に薄い
被覆２０を塗布する。
被覆剤は管１６と一連のパイロツト作動選択弁
２８とを経て有孔壁を介して半径方向に流れる。
被覆剤タンクは３０の所で温度制御され、ソリツ
ド濃度制御器３４と、粘度指示器３２と、混合パ
ドルとを図示のように有する。また、0.1〜0.5ミ
クロン膜フイルタ２４，２５と共に、チツ素パー
ジ供給部が使用される。被覆剤を管１６内に前進
させる１つ以上の循環ポンプ２６，２７が使用さ
れる。回収した被覆剤の被覆剤タンクまたはタン
クへの移送および清掃溶剤の清掃溶剤タンクまた
はダンプトラツクへの移送は出口管１８を経て行
われる。また複数個の流量制御弁３６，３８も使
用される。
２８とを経て有孔壁を介して半径方向に流れる。
被覆剤タンクは３０の所で温度制御され、ソリツ
ド濃度制御器３４と、粘度指示器３２と、混合パ
ドルとを図示のように有する。また、0.1〜0.5ミ
クロン膜フイルタ２４，２５と共に、チツ素パー
ジ供給部が使用される。被覆剤を管１６内に前進
させる１つ以上の循環ポンプ２６，２７が使用さ
れる。回収した被覆剤の被覆剤タンクまたはタン
クへの移送および清掃溶剤の清掃溶剤タンクまた
はダンプトラツクへの移送は出口管１８を経て行
われる。また複数個の流量制御弁３６，３８も使
用される。
第６図および第７図には、本方法により使用さ
れる清掃、被覆および乾燥アセンブリが示されて
いる。基板１０は、移送フレーム５８内で180度
回転する真空取付け体５６に取り付けられ、調節
可能なケーブル４２、取り巻きプーリ４４，４８
等に支持され、割出し駆動モータ４６により駆動
される。コンソール全体６０は水準テーブル上面
を表わすように調節可能なネジ付脚部５０に支持
される。駆動モータ６４により回転されタンク７
０内に支持される回転洗浄ブラシ６２より構成さ
れる表面洗浄設備が図示されている。ブラシ６２
とタンク７０とのアセンブリがローラ７２に取り
付けられてタンクとブラシとのアセンブリが軌道
７６，７４とケーブル・シリンダ駆動装置６６と
によつて取り付け体５６の前進線を横断するよう
に構成される。
れる清掃、被覆および乾燥アセンブリが示されて
いる。基板１０は、移送フレーム５８内で180度
回転する真空取付け体５６に取り付けられ、調節
可能なケーブル４２、取り巻きプーリ４４，４８
等に支持され、割出し駆動モータ４６により駆動
される。コンソール全体６０は水準テーブル上面
を表わすように調節可能なネジ付脚部５０に支持
される。駆動モータ６４により回転されタンク７
０内に支持される回転洗浄ブラシ６２より構成さ
れる表面洗浄設備が図示されている。ブラシ６２
とタンク７０とのアセンブリがローラ７２に取り
付けられてタンクとブラシとのアセンブリが軌道
７６，７４とケーブル・シリンダ駆動装置６６と
によつて取り付け体５６の前進線を横断するよう
に構成される。
また、表面水洗設備にたいし、溶剤洗浄流体を
入れたタンク８４内に保持される円筒形有孔アプ
リケータ８２を含む、各個ケーブル・シリンダ駆
動装置６８が使用される。表面洗浄タンクと円筒
形アプリケータ８２とは、軌道７８，８０に係合
するホイール８６に取り付けられる。
入れたタンク８４内に保持される円筒形有孔アプ
リケータ８２を含む、各個ケーブル・シリンダ駆
動装置６８が使用される。表面洗浄タンクと円筒
形アプリケータ８２とは、軌道７８，８０に係合
するホイール８６に取り付けられる。
第６図には、図示のプラズマ室９０が、逆基板
に係合するよう、リフト機構９２によつて上下に
往復するよう示されている。
に係合するよう、リフト機構９２によつて上下に
往復するよう示されている。
第６図に略示するように、円筒形アプリケータ
１２と回収タンク１４とはチツ素支持構成を含む
被覆塗布ステーシヨンを構成する。赤外線加熱パ
ネル９４を使用して被覆剤を乾燥する。装置全体
は排気装置５４により通気を行うフード５２を有
する。また、第６図に示すように、移送フレーム
５６は、乾燥後、180度回転して、荷卸しステー
シヨンで基板の被覆面の右側を上昇させる。
１２と回収タンク１４とはチツ素支持構成を含む
被覆塗布ステーシヨンを構成する。赤外線加熱パ
ネル９４を使用して被覆剤を乾燥する。装置全体
は排気装置５４により通気を行うフード５２を有
する。また、第６図に示すように、移送フレーム
５６は、乾燥後、180度回転して、荷卸しステー
シヨンで基板の被覆面の右側を上昇させる。
第９図、第１０図および第１１図図に流体アプ
リケータの変型が示されている。第９図の変型例
において、円筒形アプリケータの下方部分には、
固定剤が充てんされ、被覆剤が半径方向に流れな
いようにしてある。
リケータの変型が示されている。第９図の変型例
において、円筒形アプリケータの下方部分には、
固定剤が充てんされ、被覆剤が半径方向に流れな
いようにしてある。
第１０図の変型において、円筒形面は断面が扁
球になるように変型されている。
球になるように変型されている。
第１１図の円筒形面は断面が三角形になるよう
に変型されている。
に変型されている。
本方法による精密被覆は、十分に制御された清
浄な室環境で基板面に塗布される。均一な薄膜を
溶着する提案された装置と方法は、薄流体膜の塗
布前の密結合表面調整プロセスによつて促進され
る。第４図、第６図および第７図に示すように、
初期基板処理段階は、表面の汚れを除去するため
官能溶剤による基板清掃と、制御ガス流プロセス
等溶剤蒸発技術を典型的に含む乾燥工程と、コン
跡有機除去および完全脱水を行うプラズマ処理と
を有する。同様に、膜厚の一体性と均一性は、薄
膜塗布後の密結合溶剤蒸発・膜焼付け工程によつ
て向上される。すべての処理作業は、塗布中酸素
と水分の接触を避けるためチツ素その他不活性ガ
スで清浄できる。
浄な室環境で基板面に塗布される。均一な薄膜を
溶着する提案された装置と方法は、薄流体膜の塗
布前の密結合表面調整プロセスによつて促進され
る。第４図、第６図および第７図に示すように、
初期基板処理段階は、表面の汚れを除去するため
官能溶剤による基板清掃と、制御ガス流プロセス
等溶剤蒸発技術を典型的に含む乾燥工程と、コン
跡有機除去および完全脱水を行うプラズマ処理と
を有する。同様に、膜厚の一体性と均一性は、薄
膜塗布後の密結合溶剤蒸発・膜焼付け工程によつ
て向上される。すべての処理作業は、塗布中酸素
と水分の接触を避けるためチツ素その他不活性ガ
スで清浄できる。
有孔円筒形アプリケータの形状は凸状面、楕円
状面でよく、またこの発明から逸脱しないで円筒
形状をさらに変型できる。なお、膜被覆工程前に
溶剤により基板面を清掃水洗いするためにも、有
孔円筒形状アプリケータを使用してもよい。
状面でよく、またこの発明から逸脱しないで円筒
形状をさらに変型できる。なお、膜被覆工程前に
溶剤により基板面を清掃水洗いするためにも、有
孔円筒形状アプリケータを使用してもよい。
本発明の方法により生じた薄い均一被覆は、粒
子の汚れおよび吸収表面ガスの除去が改善され、
基板面全体の膜溶着均一性が改善され、さらに後
縁被覆流体メニスカスのより均一な離脱による最
小パターンを有する膜光学的品質が改善されたこ
とにより、比較的欠かんのない被覆になる。
子の汚れおよび吸収表面ガスの除去が改善され、
基板面全体の膜溶着均一性が改善され、さらに後
縁被覆流体メニスカスのより均一な離脱による最
小パターンを有する膜光学的品質が改善されたこ
とにより、比較的欠かんのない被覆になる。
有孔円筒形アプリケータ１２は金属、プラスチ
ツクまたは磁器材料で製造される。金属として
は、焼結ステンレススチール316L、347および
430（SinteredStainless steel316L，347and430）、
ニツケル200（Nickel200）、ハステロイC276およ
びＸ（Hastelloy C276andX）、アロイ20
（Alloy20）、インコネル600（Inconell600）、モネ
ルメタル400（Monel400）等を挙げることができ
ます。
ツクまたは磁器材料で製造される。金属として
は、焼結ステンレススチール316L、347および
430（SinteredStainless steel316L，347and430）、
ニツケル200（Nickel200）、ハステロイC276およ
びＸ（Hastelloy C276andX）、アロイ20
（Alloy20）、インコネル600（Inconell600）、モネ
ルメタル400（Monel400）等を挙げることができ
ます。
通常は球形の金属の粒子を圧力下に金型中に入
れて、高温に加熱して焼結し、次いでその表面を
研磨したり、エツチングして金属製多孔円筒型ア
プリケータを作ります。
れて、高温に加熱して焼結し、次いでその表面を
研磨したり、エツチングして金属製多孔円筒型ア
プリケータを作ります。
プラスチツクとしてはテフロン、ポリプロピレ
ン、ナイロン、デルリン等を挙げることができま
す。各種の寸法を有する球状のプラスチツク粒子
を用いて、加圧、加熱してプラスチツク製多孔円
筒型アプリケータを作ることができます。
ン、ナイロン、デルリン等を挙げることができま
す。各種の寸法を有する球状のプラスチツク粒子
を用いて、加圧、加熱してプラスチツク製多孔円
筒型アプリケータを作ることができます。
多孔円筒型アプリケータの大きさは、典型的な
ものとしては外径が１インチ、肉厚が0.187から
0.375インチのシリンダー状のものを挙げること
ができます。
ものとしては外径が１インチ、肉厚が0.187から
0.375インチのシリンダー状のものを挙げること
ができます。
然し、多孔円筒型アプリケータの断面は円筒に
限らず、長方形、正方形、三角形などであつても
よく、この場合は、通常はそのコーナー部を丸め
ます。
限らず、長方形、正方形、三角形などであつても
よく、この場合は、通常はそのコーナー部を丸め
ます。
この多孔円筒型アプリケータは所定の位置に固
定して、しかも回転しないで用いられるので、外
表面のどの位置を使つてもよく、また表面の一部
分をシールして残りの部分を使うということもで
きます。
定して、しかも回転しないで用いられるので、外
表面のどの位置を使つてもよく、また表面の一部
分をシールして残りの部分を使うということもで
きます。
多孔円筒型アプリケータの孔径としては、0.5、
２、５、10、20、40および100ミクロンなどがあ
ります。
２、５、10、20、40および100ミクロンなどがあ
ります。
液体被覆材の粘度に関係がある固形分含有量や
塗布の速度(V)などの要因によりどの孔径を用いる
かを適宜決定します。
塗布の速度(V)などの要因によりどの孔径を用いる
かを適宜決定します。
多孔円筒型アプリケータの長さは６インチある
いはそれ以上であり、被覆すべき物品の巾によつ
て決まるものです。
いはそれ以上であり、被覆すべき物品の巾によつ
て決まるものです。
例えば、24インチ×24インチのガラスパネルに
塗布する場合は、有孔円筒型アプリケータの長さ
が28インチのものを用います。
塗布する場合は、有孔円筒型アプリケータの長さ
が28インチのものを用います。
多孔円筒型アプリケータの長さ方向の形状は被
覆すべき物品の形状に合わせることもできます。
例えば、多孔円筒型アプリケータの長さ方向の形
状を被覆するレンズ等の表面曲線に合わせること
もできます。その構造は、均一な相互接続開口セ
ル構造を含むようになつている。実際には、シリ
ンダの凸状面への膜の流下は層状かつ均一になつ
ている。被覆装置を循環する流体の半径方向の流
れは、第８図に示すように管の下方部分の流れを
おおうことによつて減少できる。このおおいは樹
脂状または水ガラス形成体で孔を密封することに
よつて効果的に行われる。
覆すべき物品の形状に合わせることもできます。
例えば、多孔円筒型アプリケータの長さ方向の形
状を被覆するレンズ等の表面曲線に合わせること
もできます。その構造は、均一な相互接続開口セ
ル構造を含むようになつている。実際には、シリ
ンダの凸状面への膜の流下は層状かつ均一になつ
ている。被覆装置を循環する流体の半径方向の流
れは、第８図に示すように管の下方部分の流れを
おおうことによつて減少できる。このおおいは樹
脂状または水ガラス形成体で孔を密封することに
よつて効果的に行われる。
第３図において、シリンダの外面にたいする流
体流量Ｒは、肉厚ｆおよび平均孔径ｄを含む円筒
形面パラメータにより定まる。有効シリンダは、
基板との接触直前に被覆材をろ過するので、潜在
的流体の汚れを効果的に制御する。
体流量Ｒは、肉厚ｆおよび平均孔径ｄを含む円筒
形面パラメータにより定まる。有効シリンダは、
基板との接触直前に被覆材をろ過するので、潜在
的流体の汚れを効果的に制御する。
逆基板は、水平または、水平面からわずか傾斜
した方向にシリンダの上面にほぼ接触するよう位
置決めされるので、流動被覆材に接線方向に係合
する。第３図は基板と流体との接触中間面域にお
ける流体接触パラメータを詳細に示す。円筒形ア
プリケータの凸状面の両側に流体は下方に流れか
つ排出する。一定円筒形アプリケータにおける前
縁メニスカスＬと後縁メニスカスＴとの間の基板 の流体接触長さｘは、有孔管上基板高さｈ、流体
の流量Ｒ、流体の粒度η、流体の温度Tf、基板
の温度Ts、有孔円筒形アブリケータの移動速度
Ｖを含むいくつかのパラメータによつて決定され
る。
した方向にシリンダの上面にほぼ接触するよう位
置決めされるので、流動被覆材に接線方向に係合
する。第３図は基板と流体との接触中間面域にお
ける流体接触パラメータを詳細に示す。円筒形ア
プリケータの凸状面の両側に流体は下方に流れか
つ排出する。一定円筒形アプリケータにおける前
縁メニスカスＬと後縁メニスカスＴとの間の基板 の流体接触長さｘは、有孔管上基板高さｈ、流体
の流量Ｒ、流体の粒度η、流体の温度Tf、基板
の温度Ts、有孔円筒形アブリケータの移動速度
Ｖを含むいくつかのパラメータによつて決定され
る。
過剰被覆材の排出は、重力と、有効シリンダの
凹状面上の落下湿潤膜の下向き層流とにより助け
られる。液対液凝集力は液対固体凝集力よりも小
さいので、膜中の溶着過剰液はシリンダの両凹状
面から重力により排出される。基板に接触する、
両前後縁におけるメニスカス接触面の均一かつ直
線状破砕は円筒形アプリケータの凹状面上の落下
湿潤膜の均一な下向き流動により向上される。
凹状面上の落下湿潤膜の下向き層流とにより助け
られる。液対液凝集力は液対固体凝集力よりも小
さいので、膜中の溶着過剰液はシリンダの両凹状
面から重力により排出される。基板に接触する、
両前後縁におけるメニスカス接触面の均一かつ直
線状破砕は円筒形アプリケータの凹状面上の落下
湿潤膜の均一な下向き流動により向上される。
本方法の重要な利益は、事前の洗浄、水洗いおよ
びプラズマ清掃工程での汚れ除去により被覆溶液
のろ過があまり必要でないこと、また、水分、ガ
ス吸収および（または）懸濁粒子により本質的に
汚れるような、被覆流体が周囲環境にあまりさら
されないことである。有効シリンダ１２の下側の
孔をおおうことにより装置内を循環する流体量を
比例的に減少する。この情況は、せん断効果によ
り科学的に変えられる一方、２気圧以上の圧力で
大きさが下位ミクロンの膜フイルタを通過するフ
オトレジスト溶液にとつて特に望ましい。
びプラズマ清掃工程での汚れ除去により被覆溶液
のろ過があまり必要でないこと、また、水分、ガ
ス吸収および（または）懸濁粒子により本質的に
汚れるような、被覆流体が周囲環境にあまりさら
されないことである。有効シリンダ１２の下側の
孔をおおうことにより装置内を循環する流体量を
比例的に減少する。この情況は、せん断効果によ
り科学的に変えられる一方、２気圧以上の圧力で
大きさが下位ミクロンの膜フイルタを通過するフ
オトレジスト溶液にとつて特に望ましい。
本発明によれば、厚みが0.2ミクロン以下のき
わめて薄いポジチブフオトレジスト膜が±１パー
セントの端から端までの膜均一性でガラス、磁器
および金属基板面に溶着される。第３図に示すよ
うに、その厚みと安定度は、溶液粒度η、ドロー
速度Ｖ、流体流量Ｒ、管上基板高さｈ、基板表面
特性、および夫々、基板面温度Tsと被覆材温度
Tfに影響される蒸発速度ｅによつて制御される。
わめて薄いポジチブフオトレジスト膜が±１パー
セントの端から端までの膜均一性でガラス、磁器
および金属基板面に溶着される。第３図に示すよ
うに、その厚みと安定度は、溶液粒度η、ドロー
速度Ｖ、流体流量Ｒ、管上基板高さｈ、基板表面
特性、および夫々、基板面温度Tsと被覆材温度
Tfに影響される蒸発速度ｅによつて制御される。
第５図に示すように、装置の残部を循環する流
体よりも数倍近い被覆材を収容する被覆材タンク
内の被覆溶液の循環により、蒸発により溶剤が除
去されるため、一定時間にわたる被覆材ソリツド
濃度の変化を少なくする。
体よりも数倍近い被覆材を収容する被覆材タンク
内の被覆溶液の循環により、蒸発により溶剤が除
去されるため、一定時間にわたる被覆材ソリツド
濃度の変化を少なくする。
被覆流体ソリツド濃度の均一性は、被覆流体の
分析により設定される、被覆材タンク内の溶剤を
正しく補調節することによつて容易に保持され
る。
分析により設定される、被覆材タンク内の溶剤を
正しく補調節することによつて容易に保持され
る。
溶剤タンクおよびダンプタンクは、被覆塗布装
置に、処理停止後に清掃能力を付与するのに望ま
しい。典型的な手順は、被覆流体を被覆材タンク
へ排出してから、一定位の被覆材が除去されるま
で装置内を溶剤で清掃することである。
置に、処理停止後に清掃能力を付与するのに望ま
しい。典型的な手順は、被覆流体を被覆材タンク
へ排出してから、一定位の被覆材が除去されるま
で装置内を溶剤で清掃することである。
実施例 １
第７図及第８図に示す設備用典型的カベツクス
プロセス 基板：酸化インジウムかすでに塗布されている3/
１６インチ厚のガラス基板。
プロセス 基板：酸化インジウムかすでに塗布されている3/
１６インチ厚のガラス基板。
液体結晶表示装置に使用される基板。
移送機構： 第６図および第７図に示される機械
は、基板保持取付体を次の処理ステーシヨンへ
移送する割出機構を具えている： ステーシヨン第１号：総荷ステーシヨン、 ステーシヨン第２号：表面洗浄ステーシヨン、 ステーシヨン第３号：表面水洗ステーシヨン、 ステーシヨン第４号：プラズマ表面処理ステーシ
ヨン、 ステーシヨン第５号：被覆塗布ステーシヨン、 ステーシヨン第６号：乾燥ステーシヨン、 ステーシヨン第７号：荷卸ステーシヨン。
は、基板保持取付体を次の処理ステーシヨンへ
移送する割出機構を具えている： ステーシヨン第１号：総荷ステーシヨン、 ステーシヨン第２号：表面洗浄ステーシヨン、 ステーシヨン第３号：表面水洗ステーシヨン、 ステーシヨン第４号：プラズマ表面処理ステーシ
ヨン、 ステーシヨン第５号：被覆塗布ステーシヨン、 ステーシヨン第６号：乾燥ステーシヨン、 ステーシヨン第７号：荷卸ステーシヨン。
被覆前の清掃手順：
１ 装荷ステーシヨン
基板の反転、
２ 表面洗浄ステーシヨン
粒子、有機および無機の汚れ移動除去、外径
２ 1/16インチのナイロンブラシ１２を120rpm
（50〜200rpm範囲で調節可能）、イソプロピ
ル・アルコールを使用して回転ブラシを湿潤す
る。アルコールは常時、0.2ミクロン深さのフ
イルタでろ過する。
２ 1/16インチのナイロンブラシ１２を120rpm
（50〜200rpm範囲で調節可能）、イソプロピ
ル・アルコールを使用して回転ブラシを湿潤す
る。アルコールは常時、0.2ミクロン深さのフ
イルタでろ過する。
３ 表面水洗ステーシヨン
固定有孔アプリケータ８２を使用して基板面
をイソプロピル・アルコールで常時、洗つて湿
潤して汚れを除去する。アルコールは0.2ミク
ロン深さのフイルタで常時ろ過する。
をイソプロピル・アルコールで常時、洗つて湿
潤して汚れを除去する。アルコールは0.2ミク
ロン深さのフイルタで常時ろ過する。
４ ブラズマ表面処理ステーシヨン
こん跡水分、吸収したガス状有機性汚れを除
去し最大表面湿潤を得る。
去し最大表面湿潤を得る。
基板をこのステーシヨンに割出した後、プラ
ズマ真空室９０を支持パレツト上に押し上げ
る。
ズマ真空室９０を支持パレツト上に押し上げ
る。
真空室９０を１トル真空に下げた後、酸素プラ
ズマを40秒間定着させる。基板温度は50℃に達
する。
ズマを40秒間定着させる。基板温度は50℃に達
する。
５ 被覆塗布ステーシヨン
シツプレイ（Shipley）1350［シツプレイ社
（Spipley Co.）製、ポジ型ホトレジスタ）を15
％固形分含有量で塗布する。
（Spipley Co.）製、ポジ型ホトレジスタ）を15
％固形分含有量で塗布する。
材料を0.2ミクロン深さのフイルタで常時ろ
過する。
過する。
円筒形アプリケータへの送り圧力は14p.s.iで
ある。
ある。
円筒形アプリケータの孔径は10ミクロンであ
る。
る。
円筒径アプリケータの走査速度は毎分４イン
チである。
チである。
得られる被覆厚みは0.75ミクロンである。
６ 乾燥ステーシヨン
赤外線放射パネル９４を使用して被覆を乾燥
させる。
させる。
パネル温度を350°Fに設定する。
空気の直反流量一毎分1.0リニヤフイート、
乾燥時間−４分
基板温度−４分後、90°F
７ 荷御しステーシヨン
基板１０の右側に回動上昇させパレツトから
はずす。
はずす。
この発明の目的は、基板被覆を、“清浄室”雰
囲気で行い、基板面の清浄、水洗い、プラブマ処
理および乾燥処理工程を、メニスカス被覆と合せ
て高い被覆一体性（低欠かん度）、優れた均一性
および反復性を有する膜を得ることにある。第４
図は、薄くて均一で欠かんのない被覆を得るため
この発明のメニスカス被覆方法と密結合できるポ
テンジヤル処置作動を要約している。
囲気で行い、基板面の清浄、水洗い、プラブマ処
理および乾燥処理工程を、メニスカス被覆と合せ
て高い被覆一体性（低欠かん度）、優れた均一性
および反復性を有する膜を得ることにある。第４
図は、薄くて均一で欠かんのない被覆を得るため
この発明のメニスカス被覆方法と密結合できるポ
テンジヤル処置作動を要約している。
清浄方法は、ブラシによる溶剤洗い、超音波洗
浄および（または）他の機械的洗浄方法を含む。
ついで基板は、溶剤乾燥除去前に高純度の水およ
び（または）溶剤でゆすぐ。また有孔円筒形アプ
リケータを利用して、溶剤で基板を清浄しゆすい
でもよい。溶剤乾燥は、制御ガス流を介する蒸発
作動および（または）真空方法を含む。さらに溶
剤汚れはかま加熱および（または）プラズマ処理
により除去できる。つぎに、清浄乾燥した基板は
本方法によりメニスカス被覆される。流体膜乾燥
方法は溶剤乾燥除去作動で使用される方法と同様
である。乾燥・被覆工程を含むいくつかの作動は
窒素および（または）他の不活性ガスを追放して
酸素および水分の接触を回避する。
浄および（または）他の機械的洗浄方法を含む。
ついで基板は、溶剤乾燥除去前に高純度の水およ
び（または）溶剤でゆすぐ。また有孔円筒形アプ
リケータを利用して、溶剤で基板を清浄しゆすい
でもよい。溶剤乾燥は、制御ガス流を介する蒸発
作動および（または）真空方法を含む。さらに溶
剤汚れはかま加熱および（または）プラズマ処理
により除去できる。つぎに、清浄乾燥した基板は
本方法によりメニスカス被覆される。流体膜乾燥
方法は溶剤乾燥除去作動で使用される方法と同様
である。乾燥・被覆工程を含むいくつかの作動は
窒素および（または）他の不活性ガスを追放して
酸素および水分の接触を回避する。
以上のように、本発明によれば、メニスカス被
覆方法において薄膜を均一に塗布する制御方法が
得られるから、本方法による精密被覆は、つぎの
ようなマイクロ電子リトグラフイの多くの分野で
有利であることが期待されている。
覆方法において薄膜を均一に塗布する制御方法が
得られるから、本方法による精密被覆は、つぎの
ようなマイクロ電子リトグラフイの多くの分野で
有利であることが期待されている。
１ シリコンウエーハに被覆されるフオトレジス
ト；１ミクロンのリトを使用し、密度が65Kか
ら256ピツト、マイクロプロセツサチツプ、32
ビツト等に増大する記憶回路を製造する。
ト；１ミクロンのリトを使用し、密度が65Kか
ら256ピツト、マイクロプロセツサチツプ、32
ビツト等に増大する記憶回路を製造する。
２ ソーラ装置用に、円形、方形または長方形の
シリコンウエーハに被覆されるフオトレジス
ト。
シリコンウエーハに被覆されるフオトレジス
ト。
３ ガラス基板、例えば、プラズマおよび液体結
晶表示パネル、薄膜装置、マスク等に被覆され
るフオトレジスト。
晶表示パネル、薄膜装置、マスク等に被覆され
るフオトレジスト。
４ 磁器（セラミツク）等ハイブリツド回路材に
被覆されるフオトレジスト。
被覆されるフオトレジスト。
５ ポリアミド、非反射材、導電フイルム、、ド
ーパント等被覆材がシリコンウエーハ、ガラ
ス、金属化ガラス、磁器面等に被覆される。
ーパント等被覆材がシリコンウエーハ、ガラ
ス、金属化ガラス、磁器面等に被覆される。
６ 清浄流体、ゆすぎ材および気体状乾燥媒体等
他の被覆材が、本方法により、基板に被覆され
る。
他の被覆材が、本方法により、基板に被覆され
る。
第１図は固定円筒形面の外側にある被覆材の流
下にたいし接線方向に逆基板が前進する状態を示
す一部断面にした略図、第２図は逆基板が固定態
様で支持されるが円筒形面が逆基板にたいし縦方
向に前進する変型を示す部分斜視図、第３図は精
密膜の溶着に関係するパラメータを示した部分垂
直断面図、第４図は本発明の実施に使用される清
掃、被覆および乾燥を含む基板処理工程の略図、
第５図は本方法を実施するための設定案を示す略
図、第６図は基板面の清掃、被覆および乾燥アセ
ンブリ案の垂直正面図、第７図は第６図に示すア
センブリの平面図、第８図は被覆材を円筒形壁に
半径方向に分配する、有孔壁を有する円筒形アプ
リケータを示す垂直断面図、第９図は円筒形壁が
被覆材の流れを通さないようにしたもう１つの変
型の垂直断面図、第１０図は被覆材の下向き層流
が扁球面上にある、さらに他の変型の垂直断面
図、第１１図は被覆材の下向き層流が三角形面上
にある他の変型を示す。 〔主要部分の符号の説明〕、１２，８２……アプ
リケータ、１４……被覆材回収トラフ、１６……
被覆材供給管、１７……被覆材出口、２４，２５
……フイルタ、２６，２７……ポンプ、６２……
洗浄ブラシ、７０……タンク、９０……プラズマ
室、９２……リフト、Ｌ……前縁、Ｔ……後縁。
下にたいし接線方向に逆基板が前進する状態を示
す一部断面にした略図、第２図は逆基板が固定態
様で支持されるが円筒形面が逆基板にたいし縦方
向に前進する変型を示す部分斜視図、第３図は精
密膜の溶着に関係するパラメータを示した部分垂
直断面図、第４図は本発明の実施に使用される清
掃、被覆および乾燥を含む基板処理工程の略図、
第５図は本方法を実施するための設定案を示す略
図、第６図は基板面の清掃、被覆および乾燥アセ
ンブリ案の垂直正面図、第７図は第６図に示すア
センブリの平面図、第８図は被覆材を円筒形壁に
半径方向に分配する、有孔壁を有する円筒形アプ
リケータを示す垂直断面図、第９図は円筒形壁が
被覆材の流れを通さないようにしたもう１つの変
型の垂直断面図、第１０図は被覆材の下向き層流
が扁球面上にある、さらに他の変型の垂直断面
図、第１１図は被覆材の下向き層流が三角形面上
にある他の変型を示す。 〔主要部分の符号の説明〕、１２，８２……アプ
リケータ、１４……被覆材回収トラフ、１６……
被覆材供給管、１７……被覆材出口、２４，２５
……フイルタ、２６，２７……ポンプ、６２……
洗浄ブラシ、７０……タンク、９０……プラズマ
室、９２……リフト、Ｌ……前縁、Ｔ……後縁。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 次の各工程からなる非接触メニスカス被覆方
法： Ａ 液体被覆材を保持する２つの勾配面を互いに
反対向きに配置した非回転有孔筒状アプリケー
タの各勾配面の内側から外側に液体被覆材を流
出して、両勾配面の頂点部分から互いに反対向
きに流れる液体被覆材の下向き層流を形成する
工程； Ｂ 被覆すべき物品の表面が前記頂点部分におけ
る液体被覆材に接触するが該勾配面には接触し
ないようにして、前記頂点部分における該層流
の接線方向に該物品と該層流を相対的に移動さ
せる工程。 Ｃ 前記のように移動させながら前記物品に接触
する液体被覆材の前縁と後縁の間を所定の長さ
に保持して、被覆物品の表面を液体被覆材の層
流から均一に脱離させる工程。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/265,724 US4370356A (en) | 1981-05-20 | 1981-05-20 | Method of meniscus coating |
| US265724 | 1981-05-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137470A JPS58137470A (ja) | 1983-08-15 |
| JPH0349627B2 true JPH0349627B2 (ja) | 1991-07-30 |
Family
ID=23011639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56187662A Granted JPS58137470A (ja) | 1981-05-20 | 1981-11-20 | メニスカス被覆方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4370356A (ja) |
| JP (1) | JPS58137470A (ja) |
| DE (1) | DE3145879C2 (ja) |
| FR (1) | FR2506183A1 (ja) |
| GB (1) | GB2098510B (ja) |
| NL (1) | NL8105269A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011518426A (ja) * | 2008-02-22 | 2011-06-23 | マテリアルズ・アンド・テクノロジーズ・コーポレーション | 片面式高スループットの湿式エッチングおよび湿式処理装置および方法 |
| JP2013066873A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 塗布装置 |
| WO2015166566A1 (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 株式会社エフケー光学研究所 | 塗布装置及び塗布方法 |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4676404A (en) * | 1983-10-17 | 1987-06-30 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Method and apparatus for feeding drug liquid from hermetic returnable can |
| FR2557471B1 (fr) * | 1983-12-29 | 1986-05-09 | Lancesseur Bernard | Capsule absorbante et notamment deshydratante |
| DE3429335C1 (de) * | 1984-08-09 | 1986-02-13 | Billhöfer Maschinenfabrik GmbH, 8500 Nürnberg | Verfahren und Vorrichtung zum Lackieren unebener Platten |
| JPS63182074A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-27 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 有限長の板体の片側表面に有機珪素含有溶液を塗布する方法 |
| JP2565406B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1996-12-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 塗布装置及びカラーフィルターの製造方法 |
| EP0376207A3 (en) * | 1988-12-26 | 1991-07-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Application device |
| EP0395957B1 (en) * | 1989-04-21 | 1995-07-05 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method of producing a substrate coated with a film of liquid crystal material and method and apparatus of producing a liquid crystal optical device |
| US5238523A (en) * | 1989-04-21 | 1993-08-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Apparatus for producing a liquid crystal optical device |
| DE4021621A1 (de) * | 1989-07-13 | 1991-01-24 | Hamatech Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur belackung einer oberflaeche mit schutzlack oder fotolack |
| US5455062A (en) * | 1992-05-28 | 1995-10-03 | Steag Microtech Gmbh Sternenfels | Capillary device for lacquering or coating plates or disks |
| FR2693558B1 (fr) * | 1992-07-09 | 1994-08-19 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication de couches minces présentant des propriétés optiques. |
| US5336575A (en) * | 1992-11-03 | 1994-08-09 | Zenith Electronics Corporation | Method of producing CRT screens using meniscus coating |
| US5556665A (en) * | 1992-11-03 | 1996-09-17 | Zenith Electronics Corporation | Meniscus coating of CRT screens |
| US5339842A (en) * | 1992-12-18 | 1994-08-23 | Specialty Coating Systems, Inc. | Methods and apparatus for cleaning objects |
| US5270079A (en) * | 1992-12-18 | 1993-12-14 | Specialty Coatings Systems, Inc. | Methods of meniscus coating |
| EP0701487B1 (de) * | 1993-05-05 | 1998-11-25 | STEAG MicroTech GmbH | Vorrichtung zur belackung oder beschichtung von platten oder scheiben |
| WO1995005901A1 (de) * | 1993-08-26 | 1995-03-02 | Steag Micro-Tech Gmbh Sternenfels | Vorrichtung zur belackung von substraten in der halbleiterfertigung |
| US5650196A (en) * | 1993-05-05 | 1997-07-22 | Steag Microtech Gmbh | Device for coating substrates in semiconductor production |
| EP0654306B1 (en) * | 1993-05-27 | 2001-08-16 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of and apparatus for application of liquid |
| US5368645A (en) * | 1993-09-24 | 1994-11-29 | Specialty Coating Systems Inc. | Vacuum chuck for coating apparatus |
| US5895542A (en) * | 1994-11-23 | 1999-04-20 | Appleton Papers Incorporated | Coater and a method for coating a substrate |
| US5545440A (en) * | 1994-12-05 | 1996-08-13 | At&T Global Information Solutions Company (Aka Ncr Corporation) | Method and apparatus for polymer coating of substrates |
| US5601655A (en) * | 1995-02-14 | 1997-02-11 | Bok; Hendrik F. | Method of cleaning substrates |
| US5935653A (en) * | 1996-01-18 | 1999-08-10 | Micron Technology, Inc. | Methods for coating a substrate |
| US5762773A (en) | 1996-01-19 | 1998-06-09 | Micron Display Technology, Inc. | Method and system for manufacture of field emission display |
| US6117294A (en) | 1996-01-19 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Black matrix material and methods related thereto |
| US5900273A (en) * | 1996-01-19 | 1999-05-04 | Micron Technology, Inc. | Method for coating a substrate covered with a plurality of spacer members |
| US5858459A (en) * | 1996-02-22 | 1999-01-12 | Micron Technology, Inc. | Cassette invertor apparatus and method |
| US5695833A (en) * | 1996-06-12 | 1997-12-09 | Bok; Hendrik F. | Method for uniform film coating of substrates |
| DE19632844C1 (de) * | 1996-08-14 | 1997-11-06 | Greisel Baustoff Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von Mörtel auf die Unterseite eines Bausteins |
| DE60044762D1 (de) * | 1999-05-20 | 2010-09-16 | Kaneka Corp | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
| US7122126B1 (en) * | 2000-09-28 | 2006-10-17 | Materials And Technologies Corporation | Wet processing using a fluid meniscus, apparatus and method |
| US6528117B2 (en) * | 2001-01-19 | 2003-03-04 | Paul Lewis | Method for coating a substance on one side of a substrate using a single miniscus |
| DE10139923A1 (de) * | 2001-08-14 | 2003-03-06 | Inductotherm Coating Equipment | Verfahren und Vorrichtung zum schmelzflüssigen Beschichten |
| US20040045578A1 (en) * | 2002-05-03 | 2004-03-11 | Jackson David P. | Method and apparatus for selective treatment of a precision substrate surface |
| US20040023367A1 (en) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Affymetrix, Inc. | Method of photolithographic production of polymer arrays |
| US7147721B2 (en) * | 2002-12-30 | 2006-12-12 | Asm Assembly Automation Ltd. | Apparatus and method for cleaning electronic packages |
| US8127395B2 (en) * | 2006-05-05 | 2012-03-06 | Lam Research Corporation | Apparatus for isolated bevel edge clean and method for using the same |
| DE102007033226A1 (de) | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Kosub, Johann | Aerodynamisches Schleuderverfahren zum Auftragen von flüssigen Schichten |
| CN104540600B (zh) | 2012-08-09 | 2016-09-28 | 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 | 辊式涂布方法和设备 |
| US8960123B2 (en) * | 2013-02-08 | 2015-02-24 | Enki Technology, Inc. | Coating and curing apparatus and methods |
| JP5978337B1 (ja) * | 2015-03-16 | 2016-08-24 | 株式会社東芝 | 塗布装置、塗布方法及び塗布プログラム |
| JP6239548B2 (ja) | 2015-03-18 | 2017-11-29 | 株式会社東芝 | 塗布装置及び塗布方法 |
| DE102016210883A1 (de) | 2016-06-17 | 2017-12-21 | Singulus Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Substraten unter Verwendung einer Auflagerolle mit porösem Material |
| PL234389B1 (pl) * | 2017-12-04 | 2020-02-28 | Akademia Gorniczo Hutnicza Im Stanislawa Staszica W Krakowie | Urządzenie i sposób prowadzenia reakcji fotochemicznej w przesuwanym menisku |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5567359A (en) * | 1978-11-16 | 1980-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for coating |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1289507A (en) * | 1917-12-06 | 1918-12-31 | Barrett Co | Method and apparatus for treating coated roofing materials. |
| US2541479A (en) * | 1945-10-06 | 1951-02-13 | Eastman Kodak Co | Method and apparatus for coating photographic film |
| BE555735A (ja) * | 1956-03-12 | |||
| GB858118A (en) * | 1956-07-06 | 1961-01-04 | Ilford Ltd | Improvements in or relating to coating processes |
| US3294576A (en) * | 1963-01-14 | 1966-12-27 | First Safe Deposit Nat Bank Of | Method of producing printed circuit structures |
| US3429741A (en) * | 1965-06-11 | 1969-02-25 | Eastman Kodak Co | Method of coating using a bead coater |
| US3367791A (en) * | 1966-07-11 | 1968-02-06 | Addressograph Multigraph | Liquid development of electrostatic images |
| US3589975A (en) * | 1967-03-23 | 1971-06-29 | Reynolds Metals Co | Composite sheet of plastic and metallic material and method of making the same |
| US3473955A (en) * | 1967-05-05 | 1969-10-21 | Eastman Kodak Co | Coating process |
| US3535157A (en) * | 1967-12-18 | 1970-10-20 | Shipley Co | Method of coating printed circuit board having through-holes |
| GB1246749A (en) * | 1968-08-22 | 1971-09-15 | Asahi Glass Co Ltd | Method of and apparatus for coating glass surfaces |
| US4004045A (en) * | 1974-08-09 | 1977-01-18 | Stelter Manfred K | Method for fluid film application |
| US4055144A (en) * | 1976-03-15 | 1977-10-25 | Polychrome Corporation | Apparatus for meniscus coating of a moving web |
| US4082868A (en) * | 1976-03-18 | 1978-04-04 | Armco Steel Corporation | Method for continuously contact-coating one side only of a ferrous base metal strip with a molten coating metal |
| US4154193A (en) * | 1976-11-16 | 1979-05-15 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Glass frit mixture coating apparatus |
| DE3041721A1 (de) * | 1980-11-05 | 1982-06-09 | Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen | Vorrichtung zum auftragen von mindestens einer schicht auf eine oberflaeche eines gutes |
-
1981
- 1981-05-20 US US06/265,724 patent/US4370356A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-11-19 DE DE3145879A patent/DE3145879C2/de not_active Expired
- 1981-11-20 FR FR8121770A patent/FR2506183A1/fr active Pending
- 1981-11-20 JP JP56187662A patent/JPS58137470A/ja active Granted
- 1981-11-20 NL NL8105269A patent/NL8105269A/nl not_active Application Discontinuation
- 1981-11-20 GB GB8135072A patent/GB2098510B/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5567359A (en) * | 1978-11-16 | 1980-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for coating |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011518426A (ja) * | 2008-02-22 | 2011-06-23 | マテリアルズ・アンド・テクノロジーズ・コーポレーション | 片面式高スループットの湿式エッチングおよび湿式処理装置および方法 |
| JP2013066873A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 塗布装置 |
| WO2015166566A1 (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 株式会社エフケー光学研究所 | 塗布装置及び塗布方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2098510A (en) | 1982-11-24 |
| NL8105269A (nl) | 1982-12-16 |
| JPS58137470A (ja) | 1983-08-15 |
| GB2098510B (en) | 1985-02-27 |
| US4370356A (en) | 1983-01-25 |
| DE3145879A1 (de) | 1982-12-16 |
| DE3145879C2 (de) | 1985-03-28 |
| FR2506183A1 (fr) | 1982-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0349627B2 (ja) | ||
| CA2111784C (en) | Methods and apparatus for cleaning objects | |
| CN111261553A (zh) | 晶圆清洗装置 | |
| CA2111795C (en) | Methods of meniscus coating | |
| CN105195465B (zh) | 一种超声波‑兆声波复合频率全自动光学元件清洗装置 | |
| Marra et al. | Physical principles of Marangoni drying | |
| JP3502947B2 (ja) | 半導体の超微粒子洗浄装置 | |
| US20020066464A1 (en) | Processing a workpiece using ozone and sonic energy | |
| EP1583136A1 (en) | Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head | |
| JPH04154122A (ja) | 基板処理装置及び同方法 | |
| CN107210193A (zh) | 用于清洗和干燥集成电路基板的方法和装置 | |
| US5695833A (en) | Method for uniform film coating of substrates | |
| JP2006055775A (ja) | ダイコータの塗工方法およびこの方法によって作製されたフォトリソグラフィ用ペリクル | |
| JP3725349B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2009110984A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| Thomas | Optical coating fabrication | |
| JPH0577932U (ja) | レジスト液供給装置 | |
| JPH02288334A (ja) | 純水引き上げ乾燥装置 | |
| WO2020235438A1 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP2000208458A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| KR20240080763A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| CN118073228A (zh) | 基板处理设备及基板处理方法 | |
| CN113168852A (zh) | 一种工件、工件加工方法及工件加工系统 | |
| JPH08141521A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2009043854A (ja) | ウェーハ乾燥装置及びウェーハ乾燥方法 |