JPH02288334A - 純水引き上げ乾燥装置 - Google Patents
純水引き上げ乾燥装置Info
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- JPH02288334A JPH02288334A JP10963889A JP10963889A JPH02288334A JP H02288334 A JPH02288334 A JP H02288334A JP 10963889 A JP10963889 A JP 10963889A JP 10963889 A JP10963889 A JP 10963889A JP H02288334 A JPH02288334 A JP H02288334A
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- water
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- drying
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Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体のシリコン基板、液晶パネルのガラス
基板、光学レンズ等（以下、単に基板という）の洗浄後
の乾燥工程に用いる純水引き上げ乾燥装置に関する。
基板、光学レンズ等（以下、単に基板という）の洗浄後
の乾燥工程に用いる純水引き上げ乾燥装置に関する。
〔従来の技術１
従来、加温した純水槽から基板を微低速で引き上げてい
くことにより、純水の表面張力を利用して基板に付着す
る水滴を極力排去し、残った水分を基板の熱容量、ある
いは熱風、ヒーター等の補助手段により完全に乾燥させ
るという純水乾燥方式において、純水槽のオーバーフロ
ーは基板の引き上げ前は行うが、基板引き上げ時は給水
をストップし、水面を静止させて行っていた。これは水
面に波立ちがあると、基板に水滴が残り易くなったり、
しま模様のじみが残ったりして乾燥品質が落ちるからで
あった。
くことにより、純水の表面張力を利用して基板に付着す
る水滴を極力排去し、残った水分を基板の熱容量、ある
いは熱風、ヒーター等の補助手段により完全に乾燥させ
るという純水乾燥方式において、純水槽のオーバーフロ
ーは基板の引き上げ前は行うが、基板引き上げ時は給水
をストップし、水面を静止させて行っていた。これは水
面に波立ちがあると、基板に水滴が残り易くなったり、
しま模様のじみが残ったりして乾燥品質が落ちるからで
あった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、基板の引き上げ時水面を静止させると液中のパ
ーティクルは上層部分に滞留するし、気中のパーティク
ルも水面上に捕捉され漂うため、水面上ではパーティク
ルの濃度がきわめて高くなる。この状態で基板を引き上
げていくと、基板近傍の水面表層は基板の上昇と共に基
板表面に引き寄せられ、基板は水面表層のパーティクル
をくっつけながら上昇することとなり、その分乾燥品質
が落ちるという問題点を有する。
ーティクルは上層部分に滞留するし、気中のパーティク
ルも水面上に捕捉され漂うため、水面上ではパーティク
ルの濃度がきわめて高くなる。この状態で基板を引き上
げていくと、基板近傍の水面表層は基板の上昇と共に基
板表面に引き寄せられ、基板は水面表層のパーティクル
をくっつけながら上昇することとなり、その分乾燥品質
が落ちるという問題点を有する。
そこで１本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、基板引き上げ時も適量のオーバーフローを行うこと
により、水面の波立ちを問題ないレベルに押え、しかも
水面表層のパーティクルを低減し乾燥品質を向上させる
ことを目的とする。
め、基板引き上げ時も適量のオーバーフローを行うこと
により、水面の波立ちを問題ないレベルに押え、しかも
水面表層のパーティクルを低減し乾燥品質を向上させる
ことを目的とする。
また、従来のオーバーフロー槽は水面が均一に流動して
おらず、場合によってはよどみができることもあった。
おらず、場合によってはよどみができることもあった。
そこで本発明はこのよな問題点を解決するために、純水
槽内もしくは水面上にノズル、ファン等を配置し、水面
に強制的な流れを作り、より一層の水面表層のパーティ
クル濃度の低減、乾燥品質の向上を図ることも目的とす
る。
槽内もしくは水面上にノズル、ファン等を配置し、水面
に強制的な流れを作り、より一層の水面表層のパーティ
クル濃度の低減、乾燥品質の向上を図ることも目的とす
る。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するため、本発明の純水引き上げ乾燥装
置は、加温した純水槽から基板を微低速で引き上げてい
くことにより、純水の表面張力を利用して基板に付着す
る水滴を極力排去し、残った。水分を基板の熱容量、あ
るいは熱風、ヒーター等の補助手段により完全に乾燥さ
せるという純水乾燥方式において、純水槽をオーバーフ
ローさせながら引き上げ動作を行うことを特徴とする。
置は、加温した純水槽から基板を微低速で引き上げてい
くことにより、純水の表面張力を利用して基板に付着す
る水滴を極力排去し、残った。水分を基板の熱容量、あ
るいは熱風、ヒーター等の補助手段により完全に乾燥さ
せるという純水乾燥方式において、純水槽をオーバーフ
ローさせながら引き上げ動作を行うことを特徴とする。
またかかるオーバーフロー槽の槽内、もしくは水面上に
ノズル、ファン等を配置し、水面に強制的に流れを作る
手段を有することを特徴とする。
ノズル、ファン等を配置し、水面に強制的に流れを作る
手段を有することを特徴とする。
［作 用１
上記のように純水槽をオーバーフローさせながら引き上
げ動作を行うと、水面表層に滞留するパーティクル濃度
が低減でき、基板に付着するパーティクルの数も減るの
で乾燥品質が向上する。
げ動作を行うと、水面表層に滞留するパーティクル濃度
が低減でき、基板に付着するパーティクルの数も減るの
で乾燥品質が向上する。
また、かかるオーバーフロー槽の槽内もしくは水面上に
ノズル、ファン等を配置し、水面に強制的に流れを作る
ことにより水面上のよどみが無くなるので、さらに水面
表層のパーティクル濃度が低減でき乾燥品質が向上する
。
ノズル、ファン等を配置し、水面に強制的に流れを作る
ことにより水面上のよどみが無くなるので、さらに水面
表層のパーティクル濃度が低減でき乾燥品質が向上する
。
【実 施 例］
以下に本発明の実施例を図面にもとすいて説明する。第
１図において、温純水は純水ｔ！ｌに純水供給パイプ２
より供給され、小さい穴をいくつもあけた分散板３によ
り拡散して槽内な流動する。
１図において、温純水は純水ｔ！ｌに純水供給パイプ２
より供給され、小さい穴をいくつもあけた分散板３によ
り拡散して槽内な流動する。
純水（口１に温純水が満たされると、槽上部の切欠きを
通して温純水はあふれ、オーバーフローした温純水はオ
ーバーフロー槽４でうけ、排水バイブ５より排出される
。一方、基板６はカセット７にセットされ、これをカゴ
８で受けている。これらをロボットアーム９に取付け、
ロボット１０で上下動を行う。基板の引き上げ時は、ま
ず第１図のように基板を純水槽１に完全にしずめた状態
がら、毎秒１〜１０ｍｍという微低速で引き上げ、温純
水の表面張力を利用して基板表面に付着する水滴を極力
排去し、基板の熱容量で乾燥させる。
通して温純水はあふれ、オーバーフローした温純水はオ
ーバーフロー槽４でうけ、排水バイブ５より排出される
。一方、基板６はカセット７にセットされ、これをカゴ
８で受けている。これらをロボットアーム９に取付け、
ロボット１０で上下動を行う。基板の引き上げ時は、ま
ず第１図のように基板を純水槽１に完全にしずめた状態
がら、毎秒１〜１０ｍｍという微低速で引き上げ、温純
水の表面張力を利用して基板表面に付着する水滴を極力
排去し、基板の熱容量で乾燥させる。
場合によって完全乾燥に、熱風、ヒーターを補助的に使
用することもある。
用することもある。
以上のような実施例において、純水槽ｌは基板引き上げ
前後を通じて、オーバーフローさせっ７ｊ９゜しにする
、ただし基板引き上げ時は、水面の波立ちがあると乾燥
品質に影響が出るため、バルブ１１で給水流量を３１２
／ｍｉｎ程度に押え、さらに分散板、純水槽上部の切欠
き等により、水面のゆらぎを極力押えている。分散板は
槽内の；品度純水の流動を均一にし、純水槽上部の切欠
きはオーバーフローしやすくさせるのど波消しの効果が
あり有効である。以上により、水面の波立ちを問題ない
レベルに押えられたため、オーバーフローさせながらの
基板の引き上げが可能となり、水面表層のパーティクル
レベルを低減し乾燥品質が向上した。
前後を通じて、オーバーフローさせっ７ｊ９゜しにする
、ただし基板引き上げ時は、水面の波立ちがあると乾燥
品質に影響が出るため、バルブ１１で給水流量を３１２
／ｍｉｎ程度に押え、さらに分散板、純水槽上部の切欠
き等により、水面のゆらぎを極力押えている。分散板は
槽内の；品度純水の流動を均一にし、純水槽上部の切欠
きはオーバーフローしやすくさせるのど波消しの効果が
あり有効である。以上により、水面の波立ちを問題ない
レベルに押えられたため、オーバーフローさせながらの
基板の引き上げが可能となり、水面表層のパーティクル
レベルを低減し乾燥品質が向上した。
また単にオーバーフローのみならず、第２図に示すよう
に槽内にファン１２を配置し、水面に強制的な層流の流
れを作りながら基板を引き上げることが、水面のよどみ
をな（シ、水面表層のパーティクル濃度低減にさらに有
効である。この場合ファンだけでなく、第３図に示すよ
うなノズル１３を設け、バイパスからの噴流でも良い。
に槽内にファン１２を配置し、水面に強制的な層流の流
れを作りながら基板を引き上げることが、水面のよどみ
をな（シ、水面表層のパーティクル濃度低減にさらに有
効である。この場合ファンだけでなく、第３図に示すよ
うなノズル１３を設け、バイパスからの噴流でも良い。
また第４図に示すように、ファンやノズルを水面上に配
置し水面に流れを作るだけでも、よどみ防止、表層のパ
ーティクル除去に十分効果がある。
置し水面に流れを作るだけでも、よどみ防止、表層のパ
ーティクル除去に十分効果がある。
ｆ発明の効果］
本発明のオーバーフロー機構を備えた純水引き上げ乾燥
装置は、以上説明したように、基板の引き上げ時も適量
のオーバーフローを行うことにより、水面の波立ちを問
題ないしベルに押え、しかも水面表層のパーティクルを
低減し乾燥品質を向上させる効果がある。
装置は、以上説明したように、基板の引き上げ時も適量
のオーバーフローを行うことにより、水面の波立ちを問
題ないしベルに押え、しかも水面表層のパーティクルを
低減し乾燥品質を向上させる効果がある。
また、オーバーフロー槽内もしくは水面上にノズル、フ
ァン等を配置し、水面に強制的な流れを作ることにより
、−磨水面表層のパーティクルＬ農度を低減させ、乾燥
品質向上の効果がある。
ァン等を配置し、水面に強制的な流れを作ることにより
、−磨水面表層のパーティクルＬ農度を低減させ、乾燥
品質向上の効果がある。
第１図は、本発明の純水引き上げ乾燥方式の概略図。
第２図及び第３図は１本発明のオーバーフロー槽内にフ
ァン及びノズルを配置した場合の概略図。 第４図は、本発明のオーバーフロー槽の水面上にファン
を配置した場合の概略図。 １ ・ ２ ・ ３ ・ ４ ・ ６ ・ ７ ・ １ Ｏ・ １１ ・ １２ ・ ｌ ３ ・ ｌ ４ ・ ｌ ５ ・ 純水槽 純水供給パイプ 分散板 オーバーフロー槽 排水バイブ 基板 カセット カゴ ロボットアーム ロボット バルブ ファン ノズル ポンプ フィルター
ァン及びノズルを配置した場合の概略図。 第４図は、本発明のオーバーフロー槽の水面上にファン
を配置した場合の概略図。 １ ・ ２ ・ ３ ・ ４ ・ ６ ・ ７ ・ １ Ｏ・ １１ ・ １２ ・ ｌ ３ ・ ｌ ４ ・ ｌ ５ ・ 純水槽 純水供給パイプ 分散板 オーバーフロー槽 排水バイブ 基板 カセット カゴ ロボットアーム ロボット バルブ ファン ノズル ポンプ フィルター
Claims (2)
- （１）加温した純水槽から基板を微低速で引き上げてい
くことにより、純水の表面張力を利用して基板に付着す
る水滴を極力排去し、残った水分を基板の熱容量、ある
いは熱風、ヒーター等の補助手段により完全に乾燥させ
るという純水乾燥方式において、純水槽をオーバーフロ
ーさせながら引き上げ動作を行うことを特徴とする純水
引き上げ乾燥装置。 - （２）請求項１記載のオーバーフロー機能を備えた純水
引き上げ乾燥装置の槽内、もしくは水面上にノズル、フ
ァン等を配置し、水面に強制的に流れを作る手段を有す
ることを特徴とする純水引き上げ乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10963889A JPH02288334A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 純水引き上げ乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10963889A JPH02288334A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 純水引き上げ乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288334A true JPH02288334A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14515361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10963889A Pending JPH02288334A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 純水引き上げ乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02288334A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09181034A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-07-11 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体ウェーハ洗浄装置及び方法 |
| WO1997048129A1 (fr) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Seiko Epson Corporation | Procede de sechage par chauffage et appareil de sechage |
| JP2008260000A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Toyota Motor Corp | 洗浄装置 |
| JP2013013893A (ja) * | 2012-08-20 | 2013-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄装置 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP10963889A patent/JPH02288334A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09181034A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-07-11 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体ウェーハ洗浄装置及び方法 |
| WO1997048129A1 (fr) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Seiko Epson Corporation | Procede de sechage par chauffage et appareil de sechage |
| US6179930B1 (en) | 1996-06-14 | 2001-01-30 | Seiko Epson Corporation | Pull-up drying method and apparatus |
| JP2008260000A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Toyota Motor Corp | 洗浄装置 |
| JP2013013893A (ja) * | 2012-08-20 | 2013-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄装置 |
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