JPH0414824A - 純水引き上げ乾燥装置 - Google Patents

純水引き上げ乾燥装置

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JPH0414824A
JPH0414824A JP11841990A JP11841990A JPH0414824A JP H0414824 A JPH0414824 A JP H0414824A JP 11841990 A JP11841990 A JP 11841990A JP 11841990 A JP11841990 A JP 11841990A JP H0414824 A JPH0414824 A JP H0414824A
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JP
Japan
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water
tank
substrate
pure water
particles
Prior art date
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Pending
Application number
JP11841990A
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English (en)
Inventor
Shuji Ito
伊藤 周二
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、半導体のシリコン基板、フォトマスク、液晶
パネルのガラス基板、光学レンズ等(以下、単に基板と
いう)の洗浄後の乾燥工程に用いる純水引き上げ乾燥装
置に関する。
[従来の技術] 従来、加温した純水槽から基板を微低速で引き上げてい
くことにより、純水の表面張力を利用して基体に付着す
る水滴を極力排去し、残った水分を基体の熱容量、ある
いは熱風、ヒーター等の補助手段による乾燥方式が提案
され、実施されている。(特開昭56−1614s1)
y(特開昭6G−225150)、(特開昭6l−27
0599)、(特開昭63−677ss) この方式において、純水槽引き上げ槽のオーバーフロー
は、基板の引き上げ前は行なうが、基板引き上げ時は給
水を止めて、水面を静止させて行なって℃・た。これは
水面に波立ちがあると、基板に水滴が残り易くなったり
、しま模様のじみが残ったりして乾燥品質が落ちるから
であった。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、従来技術のように、基板の引き上げ時に
水面を静止させると液中のパーティクルは上層部に滞留
するし、気中のパーティクルも水面上に補足され漂うた
め、水面上ではパーティクルの濃度がきわめて高くなる
。この状態で基板を引き上げてい(と、基板近傍の木表
面層は基板の上昇と共に基板表面に引き寄せられ、基板
は水面表層のパーティクルを(つつけながら上昇するこ
とになり、その分乾燥品質が落ちるという問題点を・有
する。
又、オーバフローをしながら引き上げを行なっても、水
面が均一に流動せず、よどみが発生する場合もあった。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、引
き上げ槽上部の回りを冷却することにより、木表面層で
の水を流れを中心から外周側に均一に流動させ、水面表
層のパーティクルを増減し乾燥品質を向上させることを
目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明の純水引き上げ乾燥装置は、純水槽から基板を微
低速で引き上げていくことにより、純水の表面張力を利
用して基板に付着する水滴を極力排出し、残った水分を
基板の熱容量、あるいは熱風、ヒーター等の補助手段に
より、乾燥させるという純水引き上げ乾燥装置において
、純水槽上部の回りを冷却することにより、層流をつく
り、水面表層のパーティクル、ゴミを除去する機能を備
えたことを特徴とする。
[作用] 温純水が槽の中央下部から供給される場合、温純水は回
りより暖かいため、上部に移動する。槽上部の回りを冷
却すると、上部に移動した@純水が急速に冷やされ、今
度は下部に移動する。更に下部中央で暖められて上部に
移動する。この循環により、槽内の水流は、中央部で上
昇、端部では下降を繰り返す。
基板を汚れの原因となるパーティクルは、表層面に浮い
ており、引き上げ時に基板に引き寄せられてしまう。本
発明では常に中央から端部に純温水の流れができるため
、パーティクルが外部に流され、表層のパーティクルの
濃度が低減される。
以上により、基板に付着するパーティクル数が減ること
で、乾燥品質が向上する。
[実施例] 以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
1図において、温純水は純水槽1に純水供給バイブ2よ
り供給され槽内を流動する。純水槽1に温純水が満たさ
れると、槽上部より温純水はあふれ、オーバーフローし
た温純水はオーバー+−70−槽5で受け、排水パイプ
4より排出される一方、基板5はカセット6にセットさ
れ、これをカゴ7で受けている。これらをロボットアー
ム8に取付け、ロボット9で上下動を行なう。槽上部の
回りに冷却水のパイプ10で、槽の一部を冷却している
基板の引き上げ時は、まず第1図のように基板を純水槽
1に完全に沈めた状態から、毎秒1〜10mといつ微低
速で引き上げ、温純水の表面張力を利用して、基板表面
に付着する水滴を極力排去し、基板の熱容量で乾燥させ
る。場合によって完全乾燥に熱風、ヒーターを補助的に
使用することもある。
第2図において、本発明による純水引き上げ乾燥装置の
槽内の温純水の流れを示す。暖められた温純水が中央部
で上昇し、回りで下降する。これにより表層のパーティ
クル、ゴミが端部に移動してオーバーフローで排出され
る。
[発明の効果コ 以上述べたよ5に、本発明によれば、ダ1き上げ温純水
槽内の温純水の流れを制御し、表層のパーティクル、ゴ
ミを除去することが可能となったため、乾燥品質を向上
させることができた。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の純水引き上げ乾燥装置の概略図。第
2図は本発明の純水引き上げ乾燥装置の原理図。 1−・〜・・・・純水槽 2・・・−・・・・純水供給パイプ 3−・・・・−・オーバーフロー槽 4−−−−−・・排水パイプ 5− ・−・−基 板 6−−−−−・カセット 7・・・・・・・・・カ ゴ 8・・・・・・・ロボットアーム 9・・・・・・・・・ロボット 10・・・・・・・・・冷却水パイプ 11−・−・・・・純水の流れ 12−・・・・・・・表層のパーティクル、ゴミの流れ
以上 出願人 セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  純水槽から基板を微低速で引き上げていくことにより
    、純水の表面張力を利用して基板に付着する水滴を極力
    排去し、残った水分を基板の熱容量、あるいは熱風、ヒ
    ーター等の補助手段により、乾燥させるという純水引き
    上げ乾燥装置において、純水槽上部の回りを冷却するこ
    とにより、層流をつくり水面表層のパーティクル、ゴミ
    を除去する機能を備えたことを特徴とする純水引き上げ
    乾燥装置。
JP11841990A 1990-05-08 1990-05-08 純水引き上げ乾燥装置 Pending JPH0414824A (ja)

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JP11841990A JPH0414824A (ja) 1990-05-08 1990-05-08 純水引き上げ乾燥装置

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JPH0414824A true JPH0414824A (ja) 1992-01-20

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