JPH0322427A - 半導体基板乾燥方法 - Google Patents
半導体基板乾燥方法Info
- Publication number
- JPH0322427A JPH0322427A JP15768189A JP15768189A JPH0322427A JP H0322427 A JPH0322427 A JP H0322427A JP 15768189 A JP15768189 A JP 15768189A JP 15768189 A JP15768189 A JP 15768189A JP H0322427 A JPH0322427 A JP H0322427A
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- JP
- Japan
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- wafer
- carrier
- hot
- air
- pulling
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- Pending
Links
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
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- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板（以下ウエノ・一と称す）の乾燥す
る方法に関し、特に温処理液よりウエノ１ーを微速度で
引き上げる際の乾燥方法に関する。
る方法に関し、特に温処理液よりウエノ１ーを微速度で
引き上げる際の乾燥方法に関する。
従来、この種の乾燥方法は、ウェハーを処理液より微速
度で引き上げることで表面張力により液体を除去し、乾
燥する方法や、又は、ウェハーを収納したキャリアを温
処理液より微速度で引き上げることで液体を除去し、か
つ余熱により蒸発を促進する乾燥方法等がある（例えば
特公昭６３６ ７ ７ ３ ５）。
度で引き上げることで表面張力により液体を除去し、乾
燥する方法や、又は、ウェハーを収納したキャリアを温
処理液より微速度で引き上げることで液体を除去し、か
つ余熱により蒸発を促進する乾燥方法等がある（例えば
特公昭６３６ ７ ７ ３ ５）。
上述した従来の乾燥方法は、表面張力だけで液体を除去
するか、もしくは表面張力で液体を除去しかつ余熱によ
って液体を蒸発させる乾燥方法なので、ウェハー表面状
態（親水性の度合）により大きく乾゛燥する時間が異な
るという欠点がある。
するか、もしくは表面張力で液体を除去しかつ余熱によ
って液体を蒸発させる乾燥方法なので、ウェハー表面状
態（親水性の度合）により大きく乾゛燥する時間が異な
るという欠点がある。
この欠点は、洗浄機等の自動機にこの乾燥方法を取り入
れた場合、大きな障害となる。また空気中に引き上げる
時、ウェハーに静電気が帯電し、パーティクルが付着し
やすくなるという欠点がある。
れた場合、大きな障害となる。また空気中に引き上げる
時、ウェハーに静電気が帯電し、パーティクルが付着し
やすくなるという欠点がある。
本発明は、半導体基板を収納容器に収容し温処理液に浸
漬して処理した後に前記温処理液から微速度で引き上げ
る際、前記ウェハー及び前記キャリアの余熱によって液
体の蒸発を促進させる半導体基板乾燥方法において、引
き上げ中に前記ウェハーの面に対し水平にアイオナイズ
ドされたクリーンな温風を流すこと．を特徴とする半導
体基板乾燥方法である。
漬して処理した後に前記温処理液から微速度で引き上げ
る際、前記ウェハー及び前記キャリアの余熱によって液
体の蒸発を促進させる半導体基板乾燥方法において、引
き上げ中に前記ウェハーの面に対し水平にアイオナイズ
ドされたクリーンな温風を流すこと．を特徴とする半導
体基板乾燥方法である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための装置の
縦断面図である。
縦断面図である。
温処理液が処理槽３の底部より導入されてオーバーフロ
ーしている処理槽３内に、ウェハー１を収納したキャリ
ア２を上下用アーム４で保持して浸漬し、温処理液によ
りウェハー１とキャリア２の温度が上昇するまで静置す
る。ウェノ）−１とキャリア２の温度が上がったところ
で、モータ５が所定の低速度で回転すると、ウェハー１
はキャリア２ごと所定の微速度で引き上げられる。
ーしている処理槽３内に、ウェハー１を収納したキャリ
ア２を上下用アーム４で保持して浸漬し、温処理液によ
りウェハー１とキャリア２の温度が上昇するまで静置す
る。ウェノ）−１とキャリア２の温度が上がったところ
で、モータ５が所定の低速度で回転すると、ウェハー１
はキャリア２ごと所定の微速度で引き上げられる。
さらにウェハー１とキャリア２の引き上げが開始される
と同時に、ファン９が始動する。ファン９が動くと、空
気はヒータ８，ＨＥＰＡフィルター７，アイオナイザ−
６を通り、上方のフード１１から所定の風速，風温のア
イオナイズドされたクリーンな温風となってウェハー面
に対し水平に流れ、排気用フード１０に吸い込まれる。
と同時に、ファン９が始動する。ファン９が動くと、空
気はヒータ８，ＨＥＰＡフィルター７，アイオナイザ−
６を通り、上方のフード１１から所定の風速，風温のア
イオナイズドされたクリーンな温風となってウェハー面
に対し水平に流れ、排気用フード１０に吸い込まれる。
引き上げは、ウェハー１がある定められた位置まで上が
ると終了する。
ると終了する。
第２図は本発明の第２の実施例を説明するための装置の
縦断面図である。第１の実施例では、上から下へ温風を
流しているが、この実施例ではフード１１を横方向に設
け、横方向から温風を流す。その他の動作は第ｌの実施
例と同じである。
縦断面図である。第１の実施例では、上から下へ温風を
流しているが、この実施例ではフード１１を横方向に設
け、横方向から温風を流す。その他の動作は第ｌの実施
例と同じである。
この実施例の利点は、処理槽の液面が波立たないという
ことである。
ことである。
以上説明したように本発明は、ウェハー面に対し水平に
クリーンなアイオナイズドされた温風を流した中を温処
理液よりウェハーとキャリアを微速度で引き上げること
によって、静電気を帯びることなく且つ乾燥時間を一定
とすることができ、短時間でクリーンな乾燥を行うこと
ができるという効果がある。
クリーンなアイオナイズドされた温風を流した中を温処
理液よりウェハーとキャリアを微速度で引き上げること
によって、静電気を帯びることなく且つ乾燥時間を一定
とすることができ、短時間でクリーンな乾燥を行うこと
ができるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を説明する縦断面図、第
２図は本発明の第２の実施例を説明する縦断面図である
。 １・・・・・・ウェハー ２・・・・・・キャリア、３
・・・・・・処理槽、４・・・・・・上下用アーム、５
・・・・・・モータ、６・・・・・・アイオナイザ−
７・・・・・・ＨＥＰＡフィルター８・・・・・・ヒー
タ、９・・・・・・ファン、１０・・・・・・排気用フ
ード、 １１・・・・・・フード。
２図は本発明の第２の実施例を説明する縦断面図である
。 １・・・・・・ウェハー ２・・・・・・キャリア、３
・・・・・・処理槽、４・・・・・・上下用アーム、５
・・・・・・モータ、６・・・・・・アイオナイザ−
７・・・・・・ＨＥＰＡフィルター８・・・・・・ヒー
タ、９・・・・・・ファン、１０・・・・・・排気用フ
ード、 １１・・・・・・フード。
Claims (1)
- 半導体基板を収納容器に収容し温処理液に浸漬して処理
した後に前記温処理液から微速度で引き上げる際、前記
ウェハー及び前記キャリアの余熱によって液体の蒸発を
促進させる半導体基板乾燥方法において、引き上げ中に
前記ウェハーの面に対し水平にアイオナイズドされたク
リーンな温風を流すことを特徴とする半導体基板乾燥方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15768189A JPH0322427A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体基板乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15768189A JPH0322427A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体基板乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322427A true JPH0322427A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15655063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15768189A Pending JPH0322427A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体基板乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322427A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997048129A1 (fr) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Seiko Epson Corporation | Procede de sechage par chauffage et appareil de sechage |
| WO1999008057A3 (en) * | 1997-08-07 | 1999-06-17 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for drying substrates |
| DE19800584A1 (de) * | 1998-01-09 | 1999-07-15 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
| JP2006310759A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2021145043A (ja) * | 2020-03-12 | 2021-09-24 | スピードファムクリーンシステム株式会社 | 基板乾燥装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60226130A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| JPS6367735A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-26 | Texas Instr Japan Ltd | 基体収容装置及び基体乾燥方法 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP15768189A patent/JPH0322427A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60226130A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100662825B1 (ko) * | 1996-06-14 | 2007-04-26 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 인양식건조방법및건조장치 |
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| DE19800584C2 (de) * | 1998-01-09 | 2002-06-20 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
| JP2006310759A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP4667256B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-04-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2021145043A (ja) * | 2020-03-12 | 2021-09-24 | スピードファムクリーンシステム株式会社 | 基板乾燥装置 |
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