JPS6167230A - ウエ−ハ乾燥器 - Google Patents
ウエ−ハ乾燥器Info
- Publication number
- JPS6167230A JPS6167230A JP19086584A JP19086584A JPS6167230A JP S6167230 A JPS6167230 A JP S6167230A JP 19086584 A JP19086584 A JP 19086584A JP 19086584 A JP19086584 A JP 19086584A JP S6167230 A JPS6167230 A JP S6167230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- air
- carrier
- drying chamber
- drying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 13
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 4
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体ウェーハを化学処理し、水洗した後に
その乾燥に用いられるウェーハ乾燥器に関するものであ
る。
その乾燥に用いられるウェーハ乾燥器に関するものであ
る。
[従来の技術〕
第2図は従来のウェーハ乾燥器の構成を示す断面図で、
ボール(1)、上蓋(2)、ター/テーブル(3)。
ボール(1)、上蓋(2)、ター/テーブル(3)。
モータ(4)、排気口(5)、排水孔(6)から基本的
に構成されている。上蓋(2)の直下に#″ii純水び
ガスの導入管(7)並びにノズル(8)が設けられ、こ
の部分から適宜純水およびガスを噴射させクレードル(
9)に装着されているシリコンウェーハα0を洗浄、乾
燥させる働きをする。また、この時ターンテーブル(3
)モモータ(4)によりシーケンスに従い回転運動を行
いシリコンウェーへ〇〇上の水切りスピンと乾燥を行う
。同図でα])l−tパツキン、(2)は上蓋取手、側
はベルト、Q4は主i、asはキャリヤでシリコンウェ
ーハco をi荷するものでちる。
に構成されている。上蓋(2)の直下に#″ii純水び
ガスの導入管(7)並びにノズル(8)が設けられ、こ
の部分から適宜純水およびガスを噴射させクレードル(
9)に装着されているシリコンウェーハα0を洗浄、乾
燥させる働きをする。また、この時ターンテーブル(3
)モモータ(4)によりシーケンスに従い回転運動を行
いシリコンウェーへ〇〇上の水切りスピンと乾燥を行う
。同図でα])l−tパツキン、(2)は上蓋取手、側
はベルト、Q4は主i、asはキャリヤでシリコンウェ
ーハco をi荷するものでちる。
次KvJ作について説明する。シリコンウェーハαqを
装荷したキャリヤ(1玲tクレードル(9)に装着し、
上蓋(2)を閉じて洗浄、乾燥の準@は完了する。次い
で、乾燥器のスイッチを入れると同時に七−タ(4)が
駆動され、ターンテーブル(3)の生釉q4が回転し、
ターンテーブル(3)が100r、p、m、の速度で回
転を開始する。この時導入管(7)を通して純水がノズ
ル(8)に導かれる。この散水シャワーによってンリコ
ンウエーハG(Iが洗浄されるが、洗浄時、ボール(1
)内の底部に落下した洗浄済みの水は排水孔(6)を通
し排出される。またボール(1)で発生したミストは排
気孔(5)によって外気に排出される。このシーケンス
時間が終ると今度はターンテーブル(3)の回転数が自
動的にあげられ先のシーケンスで純水を供給した導入管
(7)からノズル+81を通して、窒素ガスを3分間流
すことによりウェーハqOのスピン乾燥が行われる。
装荷したキャリヤ(1玲tクレードル(9)に装着し、
上蓋(2)を閉じて洗浄、乾燥の準@は完了する。次い
で、乾燥器のスイッチを入れると同時に七−タ(4)が
駆動され、ターンテーブル(3)の生釉q4が回転し、
ターンテーブル(3)が100r、p、m、の速度で回
転を開始する。この時導入管(7)を通して純水がノズ
ル(8)に導かれる。この散水シャワーによってンリコ
ンウエーハG(Iが洗浄されるが、洗浄時、ボール(1
)内の底部に落下した洗浄済みの水は排水孔(6)を通
し排出される。またボール(1)で発生したミストは排
気孔(5)によって外気に排出される。このシーケンス
時間が終ると今度はターンテーブル(3)の回転数が自
動的にあげられ先のシーケンスで純水を供給した導入管
(7)からノズル+81を通して、窒素ガスを3分間流
すことによりウェーハqOのスピン乾燥が行われる。
従来の装置では密閉された容器の中で高速回転によるウ
ェーハの乾燥が行われるので、次に挙げるような問題点
がある。
ェーハの乾燥が行われるので、次に挙げるような問題点
がある。
■ ウェーハを装着するキャリヤ自身が静電気を帯び、
それによってボール内で発生した塵埃がキャリヤ周辺に
集められ、それがシリコンウニーハの表面を汚す。
それによってボール内で発生した塵埃がキャリヤ周辺に
集められ、それがシリコンウニーハの表面を汚す。
■ 純水洗浄のシーケンスから乾燥のスピンのノータン
スに入った時、シリコンウェーハ表面に水滴の飛跡が形
成され、後の成膜形成に悪い影響を与える。
スに入った時、シリコンウェーハ表面に水滴の飛跡が形
成され、後の成膜形成に悪い影響を与える。
この発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たもので、静電気の帯電が生ぜず、従って塵埃の付着が
少なく、また、水滴の飛跡の形成のおそれのない静止形
乾燥器を得ることを目的としている。
たもので、静電気の帯電が生ぜず、従って塵埃の付着が
少なく、また、水滴の飛跡の形成のおそれのない静止形
乾燥器を得ることを目的としている。
この発明に係るウェーハ乾燥器はキャリヤに装着された
ウエーノ・を固定し、空気を加熱したのち高性能フィル
タで純化し、この純化昇温空気を上記ウェーハに吹き付
けるようKしたものである0〔作用〕 この発明ではウェーハを固定して回転させずに、高性能
フィルタで純化した昇温空気を吹きつけて乾*gせるよ
うにしたから、ウェーハに帯tを生ぜず、また水滴の飛
跡が残ることもない○〔実施例〕 第1図はこの発明の一実施例の構成を示す模式図で、第
1図AI−を断面線図、第1図Bは正面図、第1図Cは
上面図である。図において、αΩは乾燥器本体でこの内
部にはキャリヤ受は台αη、排水ドレyQe 、 外X
逆止弁Q’J 、シロッコファン勾、コニカルヒータ
r2I)、高性能(High Efficiency
ParticleAir:HEPA)フィルタ(イ)、
誘導筒@、整流板@が設けてあり、キャリヤ受は台α力
はウェーハ00に付着している水滴の水切りをよくする
た゛めパンチング状もしくは網状のものを用いる。排水
ドレン賭は水滴排水用であり、外気逆止弁09はウエー
ノ・乾燥中外気から汚れた空気が流入しないようにする
ためのもので、70ツコフアン(4)は高速回転を利用
し風速の速い空気を送るために用いる。ここで乾燥効i
t上げるためコニカルヒータ@を用いて送気される空気
を加熱するも・のである。HEPAフィルタ四は乾燥器
本体0Q内部を環流する空気全清浄化する役割をする。
ウエーノ・を固定し、空気を加熱したのち高性能フィル
タで純化し、この純化昇温空気を上記ウェーハに吹き付
けるようKしたものである0〔作用〕 この発明ではウェーハを固定して回転させずに、高性能
フィルタで純化した昇温空気を吹きつけて乾*gせるよ
うにしたから、ウェーハに帯tを生ぜず、また水滴の飛
跡が残ることもない○〔実施例〕 第1図はこの発明の一実施例の構成を示す模式図で、第
1図AI−を断面線図、第1図Bは正面図、第1図Cは
上面図である。図において、αΩは乾燥器本体でこの内
部にはキャリヤ受は台αη、排水ドレyQe 、 外X
逆止弁Q’J 、シロッコファン勾、コニカルヒータ
r2I)、高性能(High Efficiency
ParticleAir:HEPA)フィルタ(イ)、
誘導筒@、整流板@が設けてあり、キャリヤ受は台α力
はウェーハ00に付着している水滴の水切りをよくする
た゛めパンチング状もしくは網状のものを用いる。排水
ドレン賭は水滴排水用であり、外気逆止弁09はウエー
ノ・乾燥中外気から汚れた空気が流入しないようにする
ためのもので、70ツコフアン(4)は高速回転を利用
し風速の速い空気を送るために用いる。ここで乾燥効i
t上げるためコニカルヒータ@を用いて送気される空気
を加熱するも・のである。HEPAフィルタ四は乾燥器
本体0Q内部を環流する空気全清浄化する役割をする。
誘導筒ΦはHEPAフィルタ@を通過して来た空気をウ
ェーハ乾燥藁■9まで醇くもので、整流板(ハ)は環流
する空気がキャリヤ0Qに均一に当るように制御するも
のである。
ェーハ乾燥藁■9まで醇くもので、整流板(ハ)は環流
する空気がキャリヤ0Qに均一に当るように制御するも
のである。
この実施例のウェーハ乾燥器は次のようにして使用され
る。例えば、シリコンウェー八の表面に配化膜を区長さ
せるような場合の前処理を例にとって説明する。まず、
シリコンウェー八oOがキャリヤαQに装荷された状態
でライトエツチング(例えば液成分HF’ : u2o
=ユニ5oのエツチング液を用いて)を30秒間施した
後、純水による水洗を5分間以上行い、シリコ/ウェー
ハ表面に付いた薬品を除去する。その後シリコンウェー
/冶が装荷されたキャリヤαυをウェーハ乾燥室(1)
に入れ扉(2)を閉じる。続いてシロッコファン(1)
のスタートボタンを押し乾燥器運転全開始する。このシ
ロッコファン(7)で加速された空気はコニカルヒータ
Qυ→HEPAフィルタ(イ)→誘専筒翰→整流板(ハ
)→ウェーハ乾燥室(1)の経路で空気が循環し、ウェ
ーハo0を乾燥させる。乾燥後、扉(ハ)を開いてキャ
リヤQ5を取り出し、ウェーハの乾燥工程は終了する。
る。例えば、シリコンウェー八の表面に配化膜を区長さ
せるような場合の前処理を例にとって説明する。まず、
シリコンウェー八oOがキャリヤαQに装荷された状態
でライトエツチング(例えば液成分HF’ : u2o
=ユニ5oのエツチング液を用いて)を30秒間施した
後、純水による水洗を5分間以上行い、シリコ/ウェー
ハ表面に付いた薬品を除去する。その後シリコンウェー
/冶が装荷されたキャリヤαυをウェーハ乾燥室(1)
に入れ扉(2)を閉じる。続いてシロッコファン(1)
のスタートボタンを押し乾燥器運転全開始する。このシ
ロッコファン(7)で加速された空気はコニカルヒータ
Qυ→HEPAフィルタ(イ)→誘専筒翰→整流板(ハ
)→ウェーハ乾燥室(1)の経路で空気が循環し、ウェ
ーハo0を乾燥させる。乾燥後、扉(ハ)を開いてキャ
リヤQ5を取り出し、ウェーハの乾燥工程は終了する。
ここで使用するHEPAフィルタ@は直径0.3μm以
上の微粒子を99,97%除去できる性能以上のものを
用いる他、温風処理となるので高温に耐えうる材質が好
ましい。また、誘導筒@等、加速空気の通過する部分は
錆びることなく、かつ靜[気発生の少ない材料を使用す
ることは言うまでもない。
上の微粒子を99,97%除去できる性能以上のものを
用いる他、温風処理となるので高温に耐えうる材質が好
ましい。また、誘導筒@等、加速空気の通過する部分は
錆びることなく、かつ靜[気発生の少ない材料を使用す
ることは言うまでもない。
なお上記実施例では、1バッチ通常(ウェーハ24枚)
処理の場合に付いて説明したが、シロンコアアン(4)
の容量、HEPAフィルタ(イ)、乾燥室四の大容量化
を計れば、複数バッチの処理は可能である。また乾燥空
気としてクリーン・ルーム(クラス1000)内の清浄
度空気を用いて説明したが■2ガス等を導入しても同様
な効果が得られるO〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明によれば乾燥時に見られ
る水の飛跡がウエーノ・表面に残らない他、静電気誘起
による塵埃の付着も皆無となった。これにより乾燥後の
シリコンウエーノ・表面の清浄度は飛躍的に向上した。
処理の場合に付いて説明したが、シロンコアアン(4)
の容量、HEPAフィルタ(イ)、乾燥室四の大容量化
を計れば、複数バッチの処理は可能である。また乾燥空
気としてクリーン・ルーム(クラス1000)内の清浄
度空気を用いて説明したが■2ガス等を導入しても同様
な効果が得られるO〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明によれば乾燥時に見られ
る水の飛跡がウエーノ・表面に残らない他、静電気誘起
による塵埃の付着も皆無となった。これにより乾燥後の
シリコンウエーノ・表面の清浄度は飛躍的に向上した。
第1図はこの発明の一実施例の構成を示す模式図で、第
ユ図AViその断面図、第1図Bは正面図、第1図Cは
上面図である。第2図は従来のウェーハ乾燥器の構成を
示す断面図でらる0 図において、頭はウェーハ、αQはキャリヤ、(至)は
高速送風機(シロッコファン)、2υは昇温部(コニカ
ルヒータ)、に)は高性能フィルタ(HEPAフィルタ
)、に)は乾燥室である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
ユ図AViその断面図、第1図Bは正面図、第1図Cは
上面図である。第2図は従来のウェーハ乾燥器の構成を
示す断面図でらる0 図において、頭はウェーハ、αQはキャリヤ、(至)は
高速送風機(シロッコファン)、2υは昇温部(コニカ
ルヒータ)、に)は高性能フィルタ(HEPAフィルタ
)、に)は乾燥室である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)高速送風機、この高速送風機によつて送気された
空気を加熱昇温させる昇温部、この昇温部で昇温された
空気を純化する高性能フィルタ、及びキャリヤに装荷さ
れた複数枚のウェーハを収容し上記高性能フィルタを経
て得られる純化された高速高温空気を吹きつけて上記ウ
ェーハを乾燥させる乾燥室を備えたウェーハ乾燥器。 - (2)乾燥室で使用した空気を再び高速送風機に戻して
器内で空気を循環させるようにした特許請求の範囲第1
項記載のウェーハ乾燥器
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19086584A JPS6167230A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | ウエ−ハ乾燥器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19086584A JPS6167230A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | ウエ−ハ乾燥器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6167230A true JPS6167230A (ja) | 1986-04-07 |
Family
ID=16265048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19086584A Pending JPS6167230A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | ウエ−ハ乾燥器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6167230A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4332857A1 (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
WO2017161657A1 (zh) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种槽式烘干结构 |
-
1984
- 1984-09-10 JP JP19086584A patent/JPS6167230A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4332857A1 (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
DE4332857C2 (de) * | 1992-09-25 | 1999-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
WO2017161657A1 (zh) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种槽式烘干结构 |
US10553460B2 (en) | 2016-03-23 | 2020-02-04 | Changzhou S.C Exact Equipment Co., Ltd. | Groove-type drying structure |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05326483A (ja) | ウエハ処理装置およびウエハ一貫処理装置 | |
JPS6167230A (ja) | ウエ−ハ乾燥器 | |
JPS61148820A (ja) | 処理方法 | |
JPS6317224B2 (ja) | ||
JPS62173720A (ja) | ウエハ洗浄装置 | |
JPH05121388A (ja) | 半導体装置の洗浄方法と洗浄装置 | |
JPH05283389A (ja) | 半導体基板洗浄方法 | |
JP2511873B2 (ja) | ベ−パ乾燥装置 | |
JPH0513400A (ja) | 治具洗浄乾燥方法および装置 | |
JPH0682647B2 (ja) | 処理装置 | |
JPH06252115A (ja) | 被洗浄物の洗浄方法 | |
JPH04259222A (ja) | 洗浄装置 | |
JP2557515B2 (ja) | 水蒸気乾燥装置 | |
JPH0745574A (ja) | ワークの洗浄及び乾燥方法とその装置 | |
JP2922194B1 (ja) | 洗浄物の乾燥装置 | |
JPH0322427A (ja) | 半導体基板乾燥方法 | |
JPS60106135A (ja) | 乾燥装置 | |
JPH0210832A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JP2648556B2 (ja) | シリコンウエーハの表面処理方法 | |
JPH06216104A (ja) | バッチ式のウエハ処理用回転式洗浄乾燥装置 | |
JPH0210831A (ja) | 半導体基板の洗浄装置 | |
JPH01300525A (ja) | 乾燥方法及び装置 | |
JPH08191057A (ja) | スピン乾燥方法およびその装置 | |
JPS63102234A (ja) | ウエハ乾燥方式 | |
JPH0727883B2 (ja) | ウェーハ等の乾燥装置 |