JPS6317224B2 - - Google Patents
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- JPS6317224B2 JPS6317224B2 JP55131992A JP13199280A JPS6317224B2 JP S6317224 B2 JPS6317224 B2 JP S6317224B2 JP 55131992 A JP55131992 A JP 55131992A JP 13199280 A JP13199280 A JP 13199280A JP S6317224 B2 JPS6317224 B2 JP S6317224B2
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- JP
- Japan
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- carrier
- wafer
- water
- clean bench
- drying
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ウエハーを化学処理した後の
ウエハーの水洗・乾燥に用いられるウエハー水洗
乾燥器に関するものである。第１図に示す従来か
ら使用されているウエハー水洗乾燥器は、キヤリ
ヤー１４にシリコンウエハー１５を装荷し、それ
をターンテーブル７の内側に設けてあるクレード
ル８の中にセツトする。その後上蓋１を閉じてツ
キン３と上蓋１によつてボール２を密閉し洗浄・
乾燥の準備を完了する。
ウエハーの水洗・乾燥に用いられるウエハー水洗
乾燥器に関するものである。第１図に示す従来か
ら使用されているウエハー水洗乾燥器は、キヤリ
ヤー１４にシリコンウエハー１５を装荷し、それ
をターンテーブル７の内側に設けてあるクレード
ル８の中にセツトする。その後上蓋１を閉じてツ
キン３と上蓋１によつてボール２を密閉し洗浄・
乾燥の準備を完了する。
次に乾燥器のスイツチ（図示せず）を入れると
同時にモーター９が駆動しターンテーブル７の主
軸１１が回転しターンテーブル７が100r.p.mの速
度で回転を開始する。この時純水導入管５を通し
て純水を散水ノズル６に導き、この散水シヤワー
によつてシリコンウエハー５を洗浄する。また、
洗浄中、ボール２内の底部に落下した洗浄済みの
水はドレン１３を通して排出される。さらにボー
ル２で発生したミストは排出孔１２によつて外気
に排出される。
同時にモーター９が駆動しターンテーブル７の主
軸１１が回転しターンテーブル７が100r.p.mの速
度で回転を開始する。この時純水導入管５を通し
て純水を散水ノズル６に導き、この散水シヤワー
によつてシリコンウエハー５を洗浄する。また、
洗浄中、ボール２内の底部に落下した洗浄済みの
水はドレン１３を通して排出される。さらにボー
ル２で発生したミストは排出孔１２によつて外気
に排出される。
上述のシーケンス時間が終ると今度はターンテ
ーブル７の回転数が自動的に上がり、先のシーケ
ンスで純水を供給した純水導入管５からノズル６
を通して乾空気を３分間流すことによつてウエハ
ー１５の乾燥を行う。
ーブル７の回転数が自動的に上がり、先のシーケ
ンスで純水を供給した純水導入管５からノズル６
を通して乾空気を３分間流すことによつてウエハ
ー１５の乾燥を行う。
このように従来の方法では密閉された容器の中
で高速回転によるウエハーの乾燥が行なわれるた
め次に述べるような欠点がある。
で高速回転によるウエハーの乾燥が行なわれるた
め次に述べるような欠点がある。
(1) 高速回転によつてウエハーを装着するキヤリ
ヤー自身が静電気を帯び、それによつてボール
内で発生した塵埃がキヤリヤー周辺に集められ
る結果、そキヤリヤーに装荷されているシリコ
ンウエハーの表面に塵埃が付着しシリコンウエ
ハーの表面が汚れる。また高速回転によつて乱
流が生じ、塵埃が直接ウエハーに付着する。
ヤー自身が静電気を帯び、それによつてボール
内で発生した塵埃がキヤリヤー周辺に集められ
る結果、そキヤリヤーに装荷されているシリコ
ンウエハーの表面に塵埃が付着しシリコンウエ
ハーの表面が汚れる。また高速回転によつて乱
流が生じ、塵埃が直接ウエハーに付着する。
(2) 回転体容器の中でウエハーを乾燥する際、純
水洗浄のシーケンスから乾燥スピンのシーケン
スに入つた時、シリコンウエハー表面に塵埃が
付着しているため、その表面に水滴の飛跡が形
成され、後の成膜生成に悪い影響を与える。
水洗浄のシーケンスから乾燥スピンのシーケン
スに入つた時、シリコンウエハー表面に塵埃が
付着しているため、その表面に水滴の飛跡が形
成され、後の成膜生成に悪い影響を与える。
本発明はこのような欠点を改良するために考
えられたもので、ウエハー水洗乾燥器にキヤリ
ヤーを水洗槽からクリーンベンチ内へ搬送する
搬送手段と、 上記クリーンベンチ内において上記キヤリヤ
ー内に装荷されるウエハーの表面に対しほぼ平
行に乾燥用流体を供給する乾燥用流体供給手段
と、 上記クリーンベンチ内へ搬送されたキヤリヤ
ー内に装荷されるウエハーの下部に水滴吸収口
が位置して、キヤリヤーに装荷されたウエハー
の水滴を吸引する水滴吸収手段とを備えること
により、清浄な乾燥を行うことを目的とするも
のである。
えられたもので、ウエハー水洗乾燥器にキヤリ
ヤーを水洗槽からクリーンベンチ内へ搬送する
搬送手段と、 上記クリーンベンチ内において上記キヤリヤ
ー内に装荷されるウエハーの表面に対しほぼ平
行に乾燥用流体を供給する乾燥用流体供給手段
と、 上記クリーンベンチ内へ搬送されたキヤリヤ
ー内に装荷されるウエハーの下部に水滴吸収口
が位置して、キヤリヤーに装荷されたウエハー
の水滴を吸引する水滴吸収手段とを備えること
により、清浄な乾燥を行うことを目的とするも
のである。
以下本発明の実施例をシリコンウエハーをバツ
チ処理で乾燥する場合について説明する。
チ処理で乾燥する場合について説明する。
第２図乃至第４図に示すようにウエハー水洗乾
燥器はクリーン・ベンチ１７、温水・水洗槽２
２、キヤリヤー移動用ロボツト本体２４、水滴吸
収筒本体２６により構成されている。
燥器はクリーン・ベンチ１７、温水・水洗槽２
２、キヤリヤー移動用ロボツト本体２４、水滴吸
収筒本体２６により構成されている。
上記クリーン・ベンチ１７は、側壁２８、前扉
３３、前扉取手１６、水滴集合板３８、排出孔２
７、及び乾燥用流体供給手段とを有し、この乾燥
用流体供給手段は、プレフイルタ（吸気用フイル
タ）１９、モータ２０、送風用フアン２９、フア
ンカバー２１、及びHEPAフイルタ（層流作成
用フイルタ）１８からなる。
３３、前扉取手１６、水滴集合板３８、排出孔２
７、及び乾燥用流体供給手段とを有し、この乾燥
用流体供給手段は、プレフイルタ（吸気用フイル
タ）１９、モータ２０、送風用フアン２９、フア
ンカバー２１、及びHEPAフイルタ（層流作成
用フイルタ）１８からなる。
また、上記温水・水洗槽２２は、ヒータ３６、
ヒータ用リード線２３、及びスノコ板３５を有す
る。
ヒータ用リード線２３、及びスノコ板３５を有す
る。
更に、キヤリヤー移動用ロボツトすなわち搬送
手段は、キヤリヤー移動用ロボツト本体２４及び
ロボツトアーム３０からなり、上記水滴吸収筒本
体２６は、クリーンベンチ内へ搬送されたキヤリ
ヤーの下部に水滴吸収口が位置して、キヤリヤー
に装荷されたウエハーの水滴を吸引する水滴吸収
筒３２、すなわち、水滴吸収手段、及びこの水滴
吸収筒３２に一端が接続された他端が真空機構に
接続された真空パイプ２５からなる。
手段は、キヤリヤー移動用ロボツト本体２４及び
ロボツトアーム３０からなり、上記水滴吸収筒本
体２６は、クリーンベンチ内へ搬送されたキヤリ
ヤーの下部に水滴吸収口が位置して、キヤリヤー
に装荷されたウエハーの水滴を吸引する水滴吸収
筒３２、すなわち、水滴吸収手段、及びこの水滴
吸収筒３２に一端が接続された他端が真空機構に
接続された真空パイプ２５からなる。
なお、キヤリヤー１４は複数のウエハー１５を
その表面が鉛直方向となるように装荷する如く構
成されている。
その表面が鉛直方向となるように装荷する如く構
成されている。
次に作用を説明する。
シリコンウエハー１５がキヤリヤー１４に装荷
された状態でライトエツチ（例えばHFとH2Oの
割合が、HF：H2O＝１：50のもの）を25秒間行
つて、例えばその表面に酸化膜を1000Å成長させ
たシリコンウエハーを洗浄乾燥する場合、まずシ
リコンウエハーをオーバーフロー型の水洗槽で５
分間水洗しシリコンウエハー表面に付いた薬品を
除去する。その後、第２図乃至第４図に示す温
水・水洗槽２２に例えば５分間浸漬する。この
時、温水・水洗槽２２内の純水の温度は90〜100
℃に維持しておく。このようにすれば、純水の蒸
発によりキヤリヤー１４を水洗槽２２から引き上
げたときの乾燥速度が速くなる。また、純水その
ものの電気伝導度が下がり、純度の高い純水特有
の問題である純水自身の静電気によるウエハーの
チヤージアツプを解消、ひいてはチヤージアツプ
によるウエハへの空気中の微粒子の引き寄せる防
止できる。
された状態でライトエツチ（例えばHFとH2Oの
割合が、HF：H2O＝１：50のもの）を25秒間行
つて、例えばその表面に酸化膜を1000Å成長させ
たシリコンウエハーを洗浄乾燥する場合、まずシ
リコンウエハーをオーバーフロー型の水洗槽で５
分間水洗しシリコンウエハー表面に付いた薬品を
除去する。その後、第２図乃至第４図に示す温
水・水洗槽２２に例えば５分間浸漬する。この
時、温水・水洗槽２２内の純水の温度は90〜100
℃に維持しておく。このようにすれば、純水の蒸
発によりキヤリヤー１４を水洗槽２２から引き上
げたときの乾燥速度が速くなる。また、純水その
ものの電気伝導度が下がり、純度の高い純水特有
の問題である純水自身の静電気によるウエハーの
チヤージアツプを解消、ひいてはチヤージアツプ
によるウエハへの空気中の微粒子の引き寄せる防
止できる。
次に第２図に示すようにキヤリヤー移動用ロボ
ツト２４のロボツトアーム３０を温水・水洗槽２
２まで移動させ、キヤリヤーホールダー３１を開
いてロボツトアーム３０を降下させた後、キヤリ
ヤーホールダー３１を閉じてキヤリヤー１４を吊
り上げる。
ツト２４のロボツトアーム３０を温水・水洗槽２
２まで移動させ、キヤリヤーホールダー３１を開
いてロボツトアーム３０を降下させた後、キヤリ
ヤーホールダー３１を閉じてキヤリヤー１４を吊
り上げる。
その後、ロボツトアーム３０を横方向に移動さ
せてキヤリヤー１４を側壁窓を介して第３図に示
すようにクリーン・ベンチ１７内に持つてくる。
この状態でプレフイルター１９入口より引き込ま
れた空気は一度、フイルターされ比較的大きな例
えば直径が１〜5μｍ以上の塵埃を除去した後、
最終フイルターであるHEPAフイルター１８に
送り込まれ0.3μｍ以上の塵埃は99.7％以上除去さ
れ垂直層流となつて吹き出される。
せてキヤリヤー１４を側壁窓を介して第３図に示
すようにクリーン・ベンチ１７内に持つてくる。
この状態でプレフイルター１９入口より引き込ま
れた空気は一度、フイルターされ比較的大きな例
えば直径が１〜5μｍ以上の塵埃を除去した後、
最終フイルターであるHEPAフイルター１８に
送り込まれ0.3μｍ以上の塵埃は99.7％以上除去さ
れ垂直層流となつて吹き出される。
ここで使用するクリーン・ベンチ１７の清浄度
クラス値は100以下に維持されており、その吹出
口の制御風速は例えば８〜10ｍ／secである。
クラス値は100以下に維持されており、その吹出
口の制御風速は例えば８〜10ｍ／secである。
この垂直な空気の流れはシリコンウエハー表面
に吸着している水分を瞬間的に乾燥させるために
必要であり、その湿度は20％以上が好ましく、シ
リコンウエハーの乾き具合を考慮して例えば30〜
40℃の温風を使用する事もある。ここで水滴吸収
筒３２の働きを説明すると、第３図に示すように
シリコンウエハー１５を装荷したキヤリヤー１４
がクリーン・ベンチ１７に移動して来た時に、水
滴吸収筒本体２６のギヤー３４が駆動し水滴吸収
筒３２をシリコンウエハー１５の下部に接触させ
る。このとき水滴吸収筒３２の真空機構が働き真
空パイプ２５を介してシリコンウエハー下部に溜
まつている水滴を吸引する。
に吸着している水分を瞬間的に乾燥させるために
必要であり、その湿度は20％以上が好ましく、シ
リコンウエハーの乾き具合を考慮して例えば30〜
40℃の温風を使用する事もある。ここで水滴吸収
筒３２の働きを説明すると、第３図に示すように
シリコンウエハー１５を装荷したキヤリヤー１４
がクリーン・ベンチ１７に移動して来た時に、水
滴吸収筒本体２６のギヤー３４が駆動し水滴吸収
筒３２をシリコンウエハー１５の下部に接触させ
る。このとき水滴吸収筒３２の真空機構が働き真
空パイプ２５を介してシリコンウエハー下部に溜
まつている水滴を吸引する。
このようにウエハー表面の清浄度をそこなわず
して乾燥するのに重要な事は温水・水洗槽に使用
する純水及びクリーンベンチ１７に送る乾燥気体
の純度を維持することである。
して乾燥するのに重要な事は温水・水洗槽に使用
する純水及びクリーンベンチ１７に送る乾燥気体
の純度を維持することである。
このように本実施例では乾燥時に回転運動を導
入しないため、乱流によつて塵埃がウエハーに付
着することはなく、乾燥スピン時に見られる水の
飛跡がウエハー表面に残らない他、静電気誘起に
よる塵埃の付着も皆無であり、乾燥気体をプレフ
イルタ１９及びHEPAのフイルタ１８で濾過す
るようにしたので乾燥後のシリコンウエハー表面
の清浄度は飛躍的に向上できる。
入しないため、乱流によつて塵埃がウエハーに付
着することはなく、乾燥スピン時に見られる水の
飛跡がウエハー表面に残らない他、静電気誘起に
よる塵埃の付着も皆無であり、乾燥気体をプレフ
イルタ１９及びHEPAのフイルタ１８で濾過す
るようにしたので乾燥後のシリコンウエハー表面
の清浄度は飛躍的に向上できる。
尚、上記実施例ではキヤリヤー１個（収納ウエ
ハー25枚）を処理する場合について説明したが複
数個のキヤリヤーを用いた場合も同じような方法
で乾燥できる事は明らかである。
ハー25枚）を処理する場合について説明したが複
数個のキヤリヤーを用いた場合も同じような方法
で乾燥できる事は明らかである。
またクリーン・ベンチの吹出し流体として空気
を用いた場合について説明したがH2ガスのよう
な不活性ガスを用いればさらに乾燥効果は向上す
る。またクリーン・ベンチの吹出し口にアイオナ
イザー等の静電気防止器を取り付け、キヤリヤー
ケース１４等に帯電している静電気をやわらげ、
それに起因する塵埃を除去することも可能であ
る。また、上記実施例ではキヤリヤー１４が温
水・水洗槽２２からクリーン・ベンチ１７に横方
向に平行移動する場合を示したがクリーン・ベン
チ１７を温水・水洗槽２２の真上に設置し、キヤ
リヤー１４を垂直移動させることによつても同一
の作用効果を奏し得る。
を用いた場合について説明したがH2ガスのよう
な不活性ガスを用いればさらに乾燥効果は向上す
る。またクリーン・ベンチの吹出し口にアイオナ
イザー等の静電気防止器を取り付け、キヤリヤー
ケース１４等に帯電している静電気をやわらげ、
それに起因する塵埃を除去することも可能であ
る。また、上記実施例ではキヤリヤー１４が温
水・水洗槽２２からクリーン・ベンチ１７に横方
向に平行移動する場合を示したがクリーン・ベン
チ１７を温水・水洗槽２２の真上に設置し、キヤ
リヤー１４を垂直移動させることによつても同一
の作用効果を奏し得る。
以上のように本発明によれば、乾燥用流体供給
手段にてキヤリヤー内に集荷されるウエハーの表
面に対しほぼ平行に乾燥用流体を供給するように
し、かつ水滴吸収手段にて、ウエハーの下部に溜
つた残留水滴を吸引するようにしたので、乾燥が
早く、かつ乾燥後のシリコンウエハーの表面の清
浄度を飛躍的に向上できる。
手段にてキヤリヤー内に集荷されるウエハーの表
面に対しほぼ平行に乾燥用流体を供給するように
し、かつ水滴吸収手段にて、ウエハーの下部に溜
つた残留水滴を吸引するようにしたので、乾燥が
早く、かつ乾燥後のシリコンウエハーの表面の清
浄度を飛躍的に向上できる。
第１図は従来のものを説明するための断面図、
第２図乃至第４図は本発明の一実施例を示す上面
図、断面図及び斜視図である。 図中１４はキヤリヤー、１５はシリコンウエハ
ー、１６は前扉取手、１７はクリーン・ベンチ、
１８はHEPAフイルター、１９はプレフイルタ
ー、２０はフアン駆動モーター、２１はフアンカ
バー、２２は温水・水洗槽、２３はヒーター用リ
ード線、２４はキヤリヤ移動用ロボツト本体、２
５は真空パイプ、２６は水滴吸引筒本体、２７は
クリーン・ベンチ排出孔、２８は側壁、２９はフ
アン、３０はロボツトアーム、３１はキヤリヤー
ホールダー、３２は水滴吸収筒、３３はクリー
ン・ベンチ前扉、３４はギヤー、３５は温水・水
洗槽用スノコ板、３６はヒーター、３７は石英保
護管、３８は水滴集合板であり同一符号は同一部
分を示す。
第２図乃至第４図は本発明の一実施例を示す上面
図、断面図及び斜視図である。 図中１４はキヤリヤー、１５はシリコンウエハ
ー、１６は前扉取手、１７はクリーン・ベンチ、
１８はHEPAフイルター、１９はプレフイルタ
ー、２０はフアン駆動モーター、２１はフアンカ
バー、２２は温水・水洗槽、２３はヒーター用リ
ード線、２４はキヤリヤ移動用ロボツト本体、２
５は真空パイプ、２６は水滴吸引筒本体、２７は
クリーン・ベンチ排出孔、２８は側壁、２９はフ
アン、３０はロボツトアーム、３１はキヤリヤー
ホールダー、３２は水滴吸収筒、３３はクリー
ン・ベンチ前扉、３４はギヤー、３５は温水・水
洗槽用スノコ板、３６はヒーター、３７は石英保
護管、３８は水滴集合板であり同一符号は同一部
分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 化学処理された半導体ウエハーを水洗槽で水
洗し、クリーンベンチ内で乾燥するウエハー水洗
乾燥器であつて、 複数のウエハーをその表面が鉛直方向となるよ
うに装荷するキヤリヤーと、 このキヤリヤーを水洗槽からクリーンベンチ内
へ搬送する搬送手段と、 上記クリーンベンチ内において上記キヤリヤー
内に装荷されるウエハーの表面に対しほぼ平行に
乾燥用流体を供給する乾燥用流体供給手段と、 上記クリーンベンチ内へ搬送されたキヤリヤー
内に装荷されるウエハーの下部に水滴吸収口が位
置して、キヤリヤーに装荷されたウエハーの水滴
を吸引する水滴吸収手段とを備えたことを特徴と
するウエハー水洗乾燥器。 ２ 水洗槽内には純水が収められ、この純水の温
度が高温に維持されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のウエハー水洗乾燥器。 ３ 純水の温度は90〜100℃であることを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載のウエハー水洗乾
燥器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13199280A JPS5756930A (en) | 1980-09-22 | 1980-09-22 | Wafer washing and drying device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13199280A JPS5756930A (en) | 1980-09-22 | 1980-09-22 | Wafer washing and drying device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5756930A JPS5756930A (en) | 1982-04-05 |
| JPS6317224B2 true JPS6317224B2 (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=15071017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13199280A Granted JPS5756930A (en) | 1980-09-22 | 1980-09-22 | Wafer washing and drying device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5756930A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129374A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-25 | 株式会社日立製作所 | 洗浄乾燥装置 |
| JPS59215729A (ja) * | 1983-05-21 | 1984-12-05 | Ulvac Corp | 半導体もしくは磁気記録媒体等の基板の洗浄装置 |
| JPS60223130A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Sharp Corp | 基板の洗滌乾燥方法及びその装置 |
| JPS60254620A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Fujitsu Ltd | ウエハーの乾燥方法および装置 |
| JPS6143430A (ja) * | 1984-08-07 | 1986-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | カセツト洗浄装置 |
| JPS61170034A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-07-31 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
| US4777732A (en) | 1986-06-12 | 1988-10-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Wafer centrifugal drying apparatus |
| JPH0727885B2 (ja) * | 1986-06-13 | 1995-03-29 | 沖電気工業株式会社 | 半導体ウエハ遠心乾燥装置 |
| DE3733670C1 (de) * | 1987-10-05 | 1988-12-15 | Nukem Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen insbesondere von scheibenfoermigen oxidischen Substraten |
| JP6021608B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2016-11-09 | 新電元工業株式会社 | レジスト現像装置、レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831886U (ja) * | 1971-08-21 | 1973-04-18 | ||
| JPS5389671A (en) * | 1977-01-19 | 1978-08-07 | Hitachi Ltd | Continuous treating apparatus |
-
1980
- 1980-09-22 JP JP13199280A patent/JPS5756930A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831886U (ja) * | 1971-08-21 | 1973-04-18 | ||
| JPS5389671A (en) * | 1977-01-19 | 1978-08-07 | Hitachi Ltd | Continuous treating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5756930A (en) | 1982-04-05 |
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