JPH0210832A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JPH0210832A JPH0210832A JP16175388A JP16175388A JPH0210832A JP H0210832 A JPH0210832 A JP H0210832A JP 16175388 A JP16175388 A JP 16175388A JP 16175388 A JP16175388 A JP 16175388A JP H0210832 A JPH0210832 A JP H0210832A
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- semiconductor substrate
- water
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Links
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Landscapes
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体基板の洗浄方法に関し、特に乾燥時にシ
ミ（汚点）の発生しない洗浄方法に係り、半導体基板の
洗浄や半導体装置の製造工程中で利用されるものである
。
ミ（汚点）の発生しない洗浄方法に係り、半導体基板の
洗浄や半導体装置の製造工程中で利用されるものである
。
従来の技術
半導体基板の洗浄は、従来、高純度の水で洗浄した後に
、遠心脱水法や、有機溶剤雰囲気中で水と有機溶剤を置
換する方法等で乾燥を行なっている。
、遠心脱水法や、有機溶剤雰囲気中で水と有機溶剤を置
換する方法等で乾燥を行なっている。
第３図、第４図に従来技術により半導体基板の洗浄を行
なった時の工程順図を示す。第３図では半導体基板２１
を、半導体基板治具２２で保持しながら、洗浄槽２３に
満たした高純度の洗浄水２４で洗浄する。洗浄が終了す
ると乾燥装置２５に移載する。第４図は移載した状態を
示しており、半導体基板１は、半導体基板治具２２で保
持され、さらに回転台２６に保持される。回転台２６は
モーター２７によって高速回転し、半導体基板表面に付
着している水分を遠心力で振り切り乾燥せしめる。振り
切った水は排水口２８から排出される。
なった時の工程順図を示す。第３図では半導体基板２１
を、半導体基板治具２２で保持しながら、洗浄槽２３に
満たした高純度の洗浄水２４で洗浄する。洗浄が終了す
ると乾燥装置２５に移載する。第４図は移載した状態を
示しており、半導体基板１は、半導体基板治具２２で保
持され、さらに回転台２６に保持される。回転台２６は
モーター２７によって高速回転し、半導体基板表面に付
着している水分を遠心力で振り切り乾燥せしめる。振り
切った水は排水口２８から排出される。
発明が解決しようとする課題
従来技術による方法では、洗浄槽から乾燥装置に移載す
る時に、半導体基板が直接空気中に露出してしまう。単
結晶シリコンや、多結晶シリコン膜など、表面が接水性
を示す場合は、水は表面張力により水滴となるので、洗
浄水中や空気中のパ−ティクルが集中し、乾燥後に汚点
となって残り、不良の原因となる。本発明は、この汚点
の発生を防止するものである。
る時に、半導体基板が直接空気中に露出してしまう。単
結晶シリコンや、多結晶シリコン膜など、表面が接水性
を示す場合は、水は表面張力により水滴となるので、洗
浄水中や空気中のパ−ティクルが集中し、乾燥後に汚点
となって残り、不良の原因となる。本発明は、この汚点
の発生を防止するものである。
課題を解決するだめの手段
本発明では、半導体基板は高純度の水で洗浄した後に水
中から空気中へ露出することなく、洗浄水ごと凍結させ
、それから乾燥を行なう。乾燥では有機溶剤の蒸気雰囲
気中で凍結した洗浄水を融解させ、水分と有機溶剤を置
換する。この後に半導体基板を微速度で有機溶剤雰囲気
中から取り出し、乾燥せしめる。
中から空気中へ露出することなく、洗浄水ごと凍結させ
、それから乾燥を行なう。乾燥では有機溶剤の蒸気雰囲
気中で凍結した洗浄水を融解させ、水分と有機溶剤を置
換する。この後に半導体基板を微速度で有機溶剤雰囲気
中から取り出し、乾燥せしめる。
作用
本発明では洗浄してから乾燥終了まで半導体基板が水中
、若しくは蒸気雰囲気中で処理されるので、空気中に露
出されることがない。このだめ、単結晶シリコンや、多
結晶シリコン膜など、基板表面が接水性を示す場合でも
水滴の発生がなく、洗浄水中および空気中のパーティク
ルが集中しない。まだ、有機溶剤の蒸気雰囲気中から微
速度で取り出すことによって乾燥するので、基板表面で
凝縮した有機溶剤の流れが発生するため、空気中のパー
ティクルの集中がなく、汚点の発生を防止できる。
、若しくは蒸気雰囲気中で処理されるので、空気中に露
出されることがない。このだめ、単結晶シリコンや、多
結晶シリコン膜など、基板表面が接水性を示す場合でも
水滴の発生がなく、洗浄水中および空気中のパーティク
ルが集中しない。まだ、有機溶剤の蒸気雰囲気中から微
速度で取り出すことによって乾燥するので、基板表面で
凝縮した有機溶剤の流れが発生するため、空気中のパー
ティクルの集中がなく、汚点の発生を防止できる。
実施例
第１図、第２図に本発明の一実施例の工程順図を示す。
まず第１図で半導体基板１は、半導体基板治具２で保持
され、洗浄槽３に満たした高純度の水４により洗浄され
る。充分洗浄された時点で冷却装置５に冷媒入［−１６
より出ロアまで冷媒として液化フロンを導入し、洗浄水
が凍結するまで冷却する。
され、洗浄槽３に満たした高純度の水４により洗浄され
る。充分洗浄された時点で冷却装置５に冷媒入［−１６
より出ロアまで冷媒として液化フロンを導入し、洗浄水
が凍結するまで冷却する。
凍結した洗浄水を半導体治具２ごとハンガー８で引き揚
げる。
げる。
次に第２図の乾燥槽１３中に半導体基板１および半導体
基板治具２を凍結した洗浄水と共にハンガー８で移動し
導入する。乾燥槽１３中はイソプロピルアルコール（Ｃ
）１５０ＨＯ）ＩＣＨ５） １４をヒーター１６で加熱
して得だ蒸気雰囲気にすでに満たされている。凍結した
洗浄水に赤外線ランプ１６により赤外線を照射し、融解
すると、水分は下に落ちイソプロピルアルコール１４中
に混入する。さらに、半導体基板１は、インプロピルア
ルコールの蒸気雰囲気により水分と置換される。
基板治具２を凍結した洗浄水と共にハンガー８で移動し
導入する。乾燥槽１３中はイソプロピルアルコール（Ｃ
）１５０ＨＯ）ＩＣＨ５） １４をヒーター１６で加熱
して得だ蒸気雰囲気にすでに満たされている。凍結した
洗浄水に赤外線ランプ１６により赤外線を照射し、融解
すると、水分は下に落ちイソプロピルアルコール１４中
に混入する。さらに、半導体基板１は、インプロピルア
ルコールの蒸気雰囲気により水分と置換される。
充分に水をインプロピルアルコールで置換してから半導
体基板１を半導体基板治具２ごとノ・ンガー８により毎
分１ｏｃｍの速度で引きあげると、冷却装置１７により
イン１０ビルアルコールノ蒸気雰囲気が液化面２ｏを境
として上方で液化するため下方に流れ落ち、半導体基板
１を乾燥せしめる。
体基板１を半導体基板治具２ごとノ・ンガー８により毎
分１ｏｃｍの速度で引きあげると、冷却装置１７により
イン１０ビルアルコールノ蒸気雰囲気が液化面２ｏを境
として上方で液化するため下方に流れ落ち、半導体基板
１を乾燥せしめる。
なお、有機溶剤としては、他に、トリクロールトリフロ
ロエタン（０２Ｃ６５Ｆ３ ）等を用いることができる
。
ロエタン（０２Ｃ６５Ｆ３ ）等を用いることができる
。
発明の効果
洗浄水を凍結させることにより、半導体基板が空気中に
さらされることがないため、特に撓水性を示す表面での
汚点が皆無となり、半導体装置等の歩留りや信頼性が向
上する。また、遠心脱水法と異なり、高速運動する部分
が彦いため機械的に発生するダストを少なく抑えること
ができる。
さらされることがないため、特に撓水性を示す表面での
汚点が皆無となり、半導体装置等の歩留りや信頼性が向
上する。また、遠心脱水法と異なり、高速運動する部分
が彦いため機械的に発生するダストを少なく抑えること
ができる。
第１図、第２図は本発明の半導体基板の洗浄方法を示し
た工程順図、第３図、第４図は従来法による半導体基板
の洗浄方法を示した工程順図である０ １．２１・・・・・・半導体基板、２，２２・・・・・
・半導体基板治具、３，２３・・・・・・洗浄槽、４，
２４・・・・・・洗浄水、６・・・・・・冷却装置、６
・・・・・・冷媒入口、ア・・・・・・冷媒出口、８・
・・・・・ハンガー、１３・・・・・・乾燥槽、１４・
・・・・・インプロピルアルコール、１６・・・・・・
ヒーター１６・・・・・・赤外線ランプ、１７・・・・
・・冷却装置、１８・・・・・・有機溶剤供給口、１９
・・・・・・有機溶剤排出口、２０・・・・・・液化面
、２５・・・・・・乾燥装置、２６・・・・・・回転台
、２７・・・・・・モーター、２８・・・・・・排水口
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ−
＋’＊（□夏 ２−０千劃転を板充ス ３−５先達確 ４−↓先３ｔメ（ ７−−−：Ｊ＋Ｂ並Ｄ ８−−−〕＼ンカ゛′− 第４図 ｚ′！ ２＋−４４イネ５蟇；狐 ｎ−４奪ＩＥ基板北− ２３−５先Δり肴 ２４−、：先５−＋永 ２７〜−−モー９ ２８−−一羽Ｉ＝巴Ｄ
た工程順図、第３図、第４図は従来法による半導体基板
の洗浄方法を示した工程順図である０ １．２１・・・・・・半導体基板、２，２２・・・・・
・半導体基板治具、３，２３・・・・・・洗浄槽、４，
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・・冷却装置、１８・・・・・・有機溶剤供給口、１９
・・・・・・有機溶剤排出口、２０・・・・・・液化面
、２５・・・・・・乾燥装置、２６・・・・・・回転台
、２７・・・・・・モーター、２８・・・・・・排水口
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ−
＋’＊（□夏 ２−０千劃転を板充ス ３−５先達確 ４−↓先３ｔメ（ ７−−−：Ｊ＋Ｂ並Ｄ ８−−−〕＼ンカ゛′− 第４図 ｚ′！ ２＋−４４イネ５蟇；狐 ｎ−４奪ＩＥ基板北− ２３−５先Δり肴 ２４−、：先５−＋永 ２７〜−−モー９ ２８−−一羽Ｉ＝巴Ｄ
Claims (1)
- 半導体基板を水によって洗浄し、乾燥せしめる工程にお
いて、前記水による洗浄後に半導体基板と共に洗浄水を
凍結させたのち、有機溶剤の蒸気雰囲気中で前記凍結し
た洗浄水を融解して、前記有機溶剤と融解した洗浄水を
置換した後に、前記半導体基板表面に付着した有機溶剤
を蒸発させ乾燥せしめることを特徴とする半導体基板の
洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16175388A JPH0210832A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16175388A JPH0210832A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210832A true JPH0210832A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15741235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16175388A Pending JPH0210832A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210832A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012074564A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2013201302A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2015141468A1 (ja) * | 2014-03-17 | 2015-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP16175388A patent/JPH0210832A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012074564A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US9922848B2 (en) | 2010-09-29 | 2018-03-20 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Apparatus for and method of processing substrate |
| JP2013201302A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2015141468A1 (ja) * | 2014-03-17 | 2015-09-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2015177124A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| TWI553426B (zh) * | 2014-03-17 | 2016-10-11 | 斯克林集團公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
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