JPH03145130A - 物体表面から汚染粒子を除去する装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、物体の表面から粒子物質を除去する方法と装
置に関する。

〔従来の技術〕

半導体ウェハの製作において、完全な集積回路チップの
初期歩留まりは、多くの場合、２０〜３０％オーダとな
っている。市販の半導体ウェハ製作における歩留りが小
さい大きな理由は、製造プロセス中に均一で一貫したク
リーンさを達成するこεができないためである。例えば
、多くの半導体素子の場合、１つの回路の隣接しあう導
電パスの隔離距離は、１　”１クロン（“μｍ”）以下
のオーダで、一定の実験素子の場合には０．２５ミクロ
ンの小ささであることが多い。比較例として、人間の髪
の毛は普通の場合、７０ξクロンの径を有する。半導体
集積回路の製作にあたっては、経験的に確立された“２
０％ルール”は、もし１つの回路の臨界寸法がＸミクロ
ンである場合、０．２Ｘミクロンを上田るサイズの汚染
粒子は、全て回路から除去して回路の受容できる動作を
合理的に確保するようにすることを要求する。精密クリ
ーニングの分野では、超音波、メガソニック、ワイピン
グ、ブラシスクラビング、低圧界面活性剤スプレィ、高
圧ジェットスプレィ、エツチング、および遠心スプレィ
を含めて種々の方法が使用されてきた。超音波クリーニ
ングは、３０キロヘルツ以下の周波数では相当なノイズ
を発生し、８０−１００キロヘルツおよびそれ以上のオ
ーダのそれより高い周波数では、ホトレジストの如き半
導体材料の表面特性は輻射界によって傷を蒙るおそれが
ある。メガソニッククリーニングの場合には、バッチ処
理が必要とされ、連続的なフィード処理は不可能である
。使用される溶剤は、入念に選択する必要があり、強力
な弗化水素酸やそれと類似の清浄液は使用することはで
きない。表面上を拭くことは大きな汚染粒子を除去する
場合にのみ有効であって、不規則で非平面形の表面を清
浄化する上では有効ではない。汚染粒子は、溶剤又はワ
イパ自体から表面上に付着する可能性がある。ブラシに
よるスクラビングの場合にはこすりとられる部分が乾燥
していて、スクラブ液又はブラシが表面上、殊に親水面
上に汚染物質や不都合な薄膜を付着させ、一方側又は表
面のみが１時にクリーニングされるようにする必要があ
る。低圧界面活性剤のスプレィは、使用される圧力、通
常５〜８Ｑｐｓｉが、それ自体で小さな汚染粒子、殊に
０、５−１ξクロン以下の径の粒子を除去するに不十分
であるため、スプレィ液自体の洗剤作用に基づかなけれ
ばならない。高圧ジェットスプレィ法は、１００−４０
００ρｓｉの液体噴射射速度にもとづき、清浄化さるべ
き製品を固定し、堅固でない特性を有する表面上にかか
るスプレィ法を使用しないようにする必要がある。

表面エツチングは、表面上に可溶錯体を形成する特殊な
溶液を使用し継続して置換することが必要である。上記
表面の“置換゛は時折問題となり、エツチングは多数の
段階より戒る時間のかかるプロセスである。遠心スプレ
ィクリーニング法は、遠心力と高圧スプレィの組合せに
もとづき、高圧スプレィ法と同じ問題的を数多く備えて
いる。

水又はその他の同様の液体を粒子の周囲に凍結すること
によってシリコンウェハ面から汚染粒子を除去する方法
が米国特許第４．７７７．８０４号（権利者ブローリン
グ他）に開示されている。１つの汚染粒子のまわりに核
化する凍結結晶は、その粒子を大きくする。その後、粒
子と汚染物質は、凍結層の加熱を許さないブラシスクラ
ビングその他の手法によって表面から除去される。

以下の表１は、表面粒子除去のための今日の技術水準を
示す。

表１゜清浄プロセス特性の比較 ワイピング せん断 ５ミクロン 時間がかかる ブラシスクラ　　機械的およ ピング　びせん断 ０゜５ミクロン 親水面上では 十分な効果を 示さない 上述のクリーニング法はそれぞれ、満足のゆく有効性レ
ベルを達成するために活性機械成分を使用するか、特殊
な化学溶液を使用するか、あるいは労働集約的な人間の
参加を必要とする。更に、上記した各々のクリーニング
法は、清浄化される媒体の特殊な等級に限定され、一定
産業の最も厳格な要求条件を所与とすると、各方法の絶
対的なりリーニングの有効度はまだ商業上受容れること
の可能な均一なレベルにあるとはいえない、今日、かか
る方法は、径が０．３ミクロンもしくはそれ以上の汚染
物質の除去に限定されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、半導体ウェハ面の如き表面からすこぶ
る小さな粒子を除去することである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、本文中で“除去流体”と称される凝縮物又
は流体が液相から固相へ相変化することが汚染粒子と隣
接面間の接着力に対して及ぼす影響を活用する装置と方
法によって実現することができた。特に、粒子は、表面
上の除去流体を凍結させた後、凍結材料を溶解流体を少
なくとも部分的に溶解し捕集することによって製品の表
面から除去される。それに伴う特有の方法は、汚染物質
と支持表面の性質だけでなく、凍結プロセス中の除去流
体の容積膨張とその他の性質に関連する。

約言すれば、本発明は、クリーニングされるべき表面上
の粒子を、薄い除去流体の層、殊に、スチームや、スチ
ームとイソプロピルアルコールやイソブチルアルコール
の如き混合性溶剤の混合物によりコーチングすることを
′伴う、除去流体は粒子の表面を完全に湿潤もしくはコ
ーチングしなければならない。除去流体と共に湿潤剤を
使用してよい場合もある。除去流体はその後、凍結され
、支持粒子上の薄い凝縮物か、その凍結層内に小さな粒
子を閉込める除去流体の層を形成する。凝縮物が小粒子
のまわりに凍結しはじめると、汚染粒子と表面との間の
隔離距離は、凍結後、凝縮物の容積膨張によって大きく
なりがちである。この隔離距離の増大によって汚染粒子
と表面との間の接着力が小さくなり、これらの粒子は表
面から除去しやすくなる。凝縮物をコーチングした離散
的な粒子としてであれ、汚染粒子を閉じ込める凍結層と
してであれ、汚染粒子の除去は、強制流体対流により、
例えば、遠心力を活用し、温流体ですすぎ、あるいは凍
結層材料の下側から融解し凍結層材料を突落すことによ
って行われる。“流体対流は、表面をブラッシングした
リワイビングしたりするように、物理的接触によって除
去する場合とは対照的に、この場合には製品表面を横切
る粒子運動として定義される。離散的粒子は、他の粒子
と合体して、それらの凝縮物のコーチングを凍結層中に
混合することもあろう。

粒子捕捉層の均一な付着は、除去流体へさらす間に清掃
されるべき表面を回転することによって促進される。流
体は汚染物質粒子上に核を形成し、露出された表面上に
薄い層を形成する。凍結された凝縮物の層を除去する方
法は凍結凝縮物を特にスチームにさらすことによって表
面から一部もしくは完全に融解するこεを伴う。凍結凝
縮物又は凍結層が一部融解すると、それは単に表面から
すべ落ちるだけである。部分的なメルトが表面からすべ
り落ちるのを容易にするために、表面は、遠心力を活用
して、傾斜又は旋回させることができる。

所望表面で凍結材料の融解を補助するために、清掃さる
べき表面は熱源により表面下部から加熱することができ
る。層の完全な融解を伴わない凍結凝縮物又は層の除去
法は、強力な回転力又は遠心力を用いて表面から凍結材
料を投棄する操作を伴う。凍結層は、回転方向を迅速に
変化させることによって投棄することができる。清掃さ
るべき製品の超音波又はメガソニック振動も、表面の回
転と組合わせて凍結材料を表面から自由にする上での補
助とすることができる。

〔実施例〕

第１図について述べると、表面を清掃するための装置で
回転可能スピンドル１６に接続されたペデスタル（台座
）１４上に支持された半導体ウェハ又は製品１２を格納
するに好適なチャンバ１０を組込んだものが示されてい
る。ペデスタルはほぼ６０℃まで加熱することによって
、その上部にウェハを配置する前にペデスタル上の湿気
を払い落とす。−たんウェハ１２がチャンバ１０内部に
置かれると、チャンバは閉じられ、同チャンバを窒素、
ヘリウム、ネオン、アルゴンの如き不活性ガスで掃気す
ることによってクリーニングプロセスが開始される。ペ
デスタル、ウェハチャックは、それ以下ではクリーニン
グ流体がその上部で凍結するような温度に冷却される。

クリーニングプロセスは、スチーム２０又超純度水蒸気
、又は別の適当な除去流体をノズル２２を介してチャン
バ１０内へ噴霧する操作を続行する。それと同時に以下
に述べる如く窒素流が維持される。その他の適当な除去
流体としては水蒸気とイソブチルアルコール又はイソプ
ロピルアルコールの混合物があり、この場合、アルコー
ル比は１０〜２０％にすぎない。これらの流体は、水が
そうであるように、流体が凍結し固体相へ移行する時の
容積の膨張を表わす。除去流体２０は、粒子を凝縮によ
りコーチングしたり、ウェハ１２の表面をコーチングし
湿潤させることによって粒子を閉じ込めるために必要な
範囲でのみ加えられる。イソプロピルアルコールやアン
モニアの如き湿潤剤は、そこから他のガスをパージする
間や、除去流体の凍結が起こる際にチャンバ内へ導入す
る。

ウェハ１２の表面は、以上の２つの方法の何れかによっ
て除去流体２０の凍結点以下に冷却することが望ましい
。第１の方法は、チャンバ内へ除去流体２０の凍結温度
を下田る温度を有する冷気や窒素の如き冷却ガス２４を
射出することが必要である。チャンバ１０内を冷却ガス
を循環させると、除去流体は凍結し、汚染粒子上に凍結
状態で′１１ｉ縮するか凍結層２１を形成する。除去流
体２０がウェハ１２の表面上に凍結する乙、表面上の汚
染粒子は凍結層２１内にはまりこむことになる。

表面上に形成される凍結層２１は、１〜２ξクロン厚で
あることが望ましいが、１０ξクロンあるいはそれ以上
の厚さとすることもできる。凍結作用は、湿れた汚染粒
子と表面の間の隔離間隔を大きくすることによってウェ
ハ１２の表面と汚染の粒子間の接着力を減少させる。ペ
デスタルもしくはウェハチャックは６０℃に周期的に加
熱した後、先に述べた低温に冷却された後加熱される等
することによって表面に対して緊密に結合された粒子を
ゆるくすることができるようになっている。

いったん、周期的凍結と加熱プロセスが完了するや、汚
染物質粒子は、単に凍結材料を除去するだけで、例えば
スチーム又は漬水と（又は）アルコールの影響の下に融
解することによって表面から除去される。チャンバの排
水２６は、融解されたものであれ凍結されたものであれ
、汚染粒子を含む材料をチャンバ１０から除去するため
に使用される。クリーニングプロセス中に使用されるス
テップの適当なタイミングは経験的に判断することがで
き、何時−つのプロセスステップが完了したかを判断す
るためにチャンバ内にセンサを使用することができる。

第２の方法において、ウェハチャックの温度制御は、凝
縮物の凍結温度Ｔｆｒｅｅｚｅ未満の温度Ｔに維持され
る冷却流体をウェハ１２をサポートするチャックやペデ
スタル１４内の迂回路又は蛇行路内を循環させることに
よって達成することができる。ペデスタル１４内のこの
冷却流体の循環は、ペデスタルと、清掃さるべき指定表
面上の除去流体２０の温度をＴ　＜　Ｔ　ｆｒｅｅｚｅ
の温度にまで低下させることによって、′ａ縮物又は凍
結層２１が指定の表面上に形成されるようになっている
。循環流体を有するペデスタルの例は、米国特許第４．
６２８，９９１号（権利者フシアーノ外）に見ることが
できる。冷却流体は、加熱サイクルについては加熱流体
と置換することができる。

ペデスタルやその他の製品サポート手段１４は真空チャ
ックとすることができ、その起動状態でウェハ１２を真
空力によって真空チャックの一面に対して保持する。ペ
デスタルは、ウェハをスリップさせずに軸の周囲を高速
で回転可能なようにウェハ１２を保持することができな
ければならない。

ウェハ１２を回転させながら、除去流体２０をスチーム
、又はその他の蒸気もしくは液体の形にウユハ上へ凝縮
させると、この流体の薄い膜がウェハの表面上に形成さ
れる。これはその後上述のように凍結される。その代わ
り、このステップ中にウェハを固定保持することができ
る。後になって、結晶もしくは凍結層２１は、例えば、
層を融解し、高温の蒸気凝縮物（例えばスチームより発
生する）を蒸気表面上に付着させることによって、表面
から除去することができる。回転速度を大きくしたり攪
拌回転方向を突然変化させると、ウェハ表面から除去流
体をクリアする上で補助作用が得られる。同時に、ウェ
ハ１２は回転中に振動させて凍結材料２１を表面からゆ
るめる効果を補助することがでるき。もしクリーニング
プロセスにおいて使用される除去流体２０がスチーム（
望ましい流体）であれば、それは脱イオン化され超純度
であり、１０億につき数個の不純物しか含んでいない。

概して、ガス内の不純物は液体中の不純物よりも少なく
、それ故、汚染物質上に凍結材料を形成するためには蒸
気凝縮による方法が望ましい。その後、表面は、窒素、
ヘリウム、ネオン、アルゴンの如き不活性ガスをチャン
バ１０内に循環させることによって乾燥させることがで
きる。

チャンバ１０の内側面の材料は、その化学的抵抗とすぐ
れた遮熱性で知られるポリビニルジフルオライドその他
の剛性非多孔質熱可塑性材料であることが望ましい。普
通の場合、チャンバ１０は、円筒形又は環状形をし、蒸
気１２をチャンバ内に付着させたりチャンバから除去す
ることを可能にするために密封可能カバー２８を備えて
いる。汚染粒子がウェハ１２が存在するチャンバ１０内
へ進入することを防止するために、チャンバは周囲の気
圧より若干高い圧力にシールされ加圧され、余分な汚染
物質がチャンバ１０内へ進入する危険を排除するように
なっている。

ペデスタルやチャックを加熱しなからウェハ１２を回転
させるとこの材料をウェハから払い落す上で役立つ。

いったんウェハが凍結材料から除去されると、凍結解氷
のサイクル全体を１回もしくはそれ以上の回数反復する
（推奨すべき手続きである。）か、ウェハを乾燥させる
ことができる。乾燥のために、チャックを加熱し、乾燥
窒素をパージガスとして流す。

第２図と第３図について述べると、ペデスタル又はチャ
ック１４は真空を活用することによってウェハ１２をサ
ポートする。真空力は真空源（図示せず）に接続された
真空ライン４６を経て真空チャック１４へ供給される。

流体供給ライン４８と流体排出ライン５０は、チャック
１４内の内部蛇行チャネル５４を介して真空チャック４
４を介して高温又は冷却流体を循環させる。これはウェ
ハ１２を暖めたり、冷却したりするためである。

ベアリング５６によって、真空チャック４４は、スピン
ドル１６の周囲に回転することが可能になる。運転中、
１１００−１５０Ｏｒｐの典型的な回転速度が予期され
る。回転シール６０は、高温・冷却流体を格納するため
に使用される、第４図について述べると、チャンバ１０
は、真空供給ボートとライン４６により駆動される真空
チャック１４を使用する。チャック１４は中心部を可動
上壁８０と下部支持筒Ｎ８２とにより形成される環状空
間７８内に支持される。土壁８０は、移動させて空気ア
クチュエータ８４により空間７８を開閉させることがで
きる。半導体ウェハ１２はチャック１４上に位置決めさ
れる。ウェハ１２は、ウェハをチャンバ間で装入したり
除去したりするために、ペデスタルスピンドル５８によ
って垂直に上昇させたり位置決めしたりできる。

チャンバはＮ２の如き不活性ガスによって囲われる。こ
のシュラウド（回い）は、チャックが周辺領域を隔離す
るためにチャックが位置するチャンバの中央部分を周辺
領域から一部隔離するガスカーテンである。このように
して、スピンドルの運動により生成された粒子はウェハ
表面に達することを妨げられる。シュラウドガスは、供
給ボート９２と９４を介してチャンバ内へ導入される。

中心導管１０４は、チャンバの中心領域におけるパージ
ガス、清掃流体、乾燥ガスを適当な時間に処理する。チ
ャック１４はスピンドル５８を介してモータ９８へ連結
されたドライブ系列によってその軸の周囲を回転するこ
とができる。

凝縮物を上壁１２０上に形成させてウェハ１２上へした
たらせないように、ヒータ素子１２２を使用して土壁の
温度を除去流体の露点を土建るところに維持することが
できる。回転中のウェハ１２から投げ落とされた材料は
、環状の空間７８内に捕集され、後に排水管１１８を経
由して除去される。ウェハを乾燥させるための乾燥ガス
は、中心導管１０４を介して空間７８内へ導入すること
ができる。底壁８２中のヒータ素子はチャンバの温度を
安定化させる補助を行う。

第５図について述べると、ウェハチャック１２について
ガスシュラウドの詳細が示されている。

ガスシュラウド供給ボート９２．９４内に導入されるガ
スは、角度を形成するノズル９３．９５によって環状の
空間中へ向けられる。ウェハ表面上に単方向のガス流を
備えることによって回転中のチャックによって再循環の
渦が生ずる作用を防止するようにすることが重要である
。これらの渦は、ウェハ表面上へ逆付着する不純物を含
む恐れがある。供給流１０４は、パージ流９２．９４と
相俟って、これら再循環渦の形成を防止するに十分高く
なくてはならない。

同様にして、シュラウドガスもウェハチャック下部のチ
ャネル９９を経由して導入される。このガスは２つの目
的を有する。同ガスは回転ベアリングＢをパージして冷
間チャック作業中における湿気凝縮と氷を防止する。同
時に、これらベアリング内に発生した粒子が処理チャン
バ内へ進入することを防止する。これは、ガス流を通路
１０１と１０３を介して分岐するように通路寸法を設計
することによって達成することができる。この空間の底
部における排出ボートＰは循環中の空間シュラウドの退
去と同時に、ウェハからふり落された流体の排出をも可
能にする。空間の幅は、ふり落された流体材料の十分な
捕獲を可能にするほど十分なものでなければならない。

第６図は、本発明の流体供給システムを示す。

処理チャンバ１０は、その表面が清掃さるべきウェハを
格納している。スチームジェネレータ１４２からのスチ
ームは、バルブ１４４により導管１０４を経由して処理
チャンバ１０内へ解放される。ガス供給源１４６からの
Ｎ８の如きパージシュラウドガスは、バルブ１４８．１
４９により、適当な時間に処理チャンバ１４０内へ解放
される。チャンバ１０の中心領域のガスは導管１０４を
経由して搬送される一方、シュラウドガスは導管９３を
介して搬送される。冷却流体供給源１５０又は加熱流体
供給源１５４は、必要に応じて、流体を、それぞれ、導
管１５２又は加熱導管１５６によって搬送し、再循環冷
却・加熱ループを形成する。

除去流体２０が凍結によって液相から固体相へ相変換す
ることが表面における汚染粒子の分離に及ぼす影響は、
第７図と第８図に示されている。

第７図に示すように、汚染粒子１７２は、ウェハ１２の
表面１７４に隣接しており、その際、粒子１７２は除去
流体２０の薄い層でコーチングされている。今日の接着
理論は５００人（オングストローム）の径を有する汚染
粒子１７２は、はぼ４人の距離だけウェハ１２の表面か
ら浮遊するであろうと予測している。

然しなから、第８図に示すように、除去流体２０が凍結
して恐らく凍結凝縮層２１となるにつれ、凝ｍ物により
占められる容積は、膨張し、汚染物質１７２は、ウェハ
１２の表面１７４から移動し、汚染粒子１７２とウェハ
１２の間の隔離距離は著しく大きくなる。殊に、その距
離は、凍結材料２１の形成と共に、４人からほぼ１２−
１５人の距離へ増加する。このため接着力は著しく低下
し、それは汚染粒子１７２とつ五ハ表面１７４間の牽引
力から生ずるものと考えられている。接着力が低下する
ことによって粒子は比較的容易に表面から除去すること
が可能になる。

凍結材料２１がウェハ１２や汚染粒子１７２上に形成さ
れ終った後、凍結材料は解氷し、再び凍結することが可
能になる。この解氷と凍結のプロセスによって、最初形
成される凍結材料２１中の対応する距離に対するウェハ
１２からの汚染物質ね子１７２の距離は、大きくするこ
とができるため、汚染粒子のウェハ表面１７４に対する
接着力を更に小さくすることができる。この解氷と凍結
のサイクルは同一の凍結除去流体２１を用いて１回もし
くは何度も実行することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による装置の正面図、第２図は、第１
図の装置に使用される真空チャツクの断面図、 第３図は、第２図に示す真空チャックの上面図、第４図
は、本発明によるウェア清掃室の断面図、第５図は、第
４図に示すウェハチャックのガスシュラウドの拡大図、 第６図は、本発明の実施に使用されるシステムのブロッ
ク線図、 第７図と第８図とは、相変化中の粒子と表面間の隔離距
離を示す概略図。 １６・・・・・・スピンドル、　１４・・・・・・ペデ
スタル、工２・・・・・・半導体ウェハ、１０・・・・
・・チャンバ、２０・・・・・・除去流体、　　２４・
・・・・・冷却ガス、２１・・・・・・凍結層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、除去流体を清掃さるべき物体の表面方向へ向ける手
   段と、 上記除去流体を上記表面上で凍結させる手段と、 上記凍結された除去流体を上記表面から除去する手段と
   、 から成る、汚染粒子を物体表面から除去する装置。 ２、更に、その内部に物体サポートを有する閉鎖可能な
   チャンバより成る請求項１の装置。 ３、上記除去流体を方向づける手段がスチームジェネレ
   ータに接続されるノズルを含む請求項２の装置。 ４、上記除去流体の凍結手段が上記物体サポートに接続
   される冷却ループより成る請求項２の装置。 ５、上記凍結材料の除去手段が物体サポートに接続され
   る加熱ループより成る請求項２の装置。 ６、上記ノズルが全体的に不活性のガスの供給源に接続
   される請求項３の装置。 ７、上記チャンバが物体サポートの周辺にガスシュラウ
   ドを提供する手段を提供するガス供給手段を内蔵する請
   求項２の装置。 ８、上記チャンバが、上記物体サポートの周囲に環状空
   間と、物体サポートの周辺にガスシュラウドを提供する
   ガス供給手段を備え、上記ガスシュラウドが上記環状空
   間中へ延びる請求項２の装置。 ９、上記環状空間が、空間の内側径方向周縁を形成しプ
   レナムを物体サポートから隔てる環状壁を備える請求項
   ８の装置。 １０、上記ハウジングが、その内部に熱的に安定させる
   ヒータ手段を備えた遮熱壁と化学的に無反応の壁を備え
   る請求項２の装置。 １１、上記物体サポートが、上記除去流体凍結手段と凍
   結材料除去手段と流体連通するウェハチャックである請
   求項２の装置。 １２、上記ウェハチャックがその内部に形成された蛇行
   溝を備える請求項１１の装置。 １３、上記ウェハチャックが、更にウェハチャックを旋
   回させる手段を備える請求項１１の装置。 １４、相向かいあう平面形の大きな表面を有する物体か
   ら汚染粒子を除去する装置において、 物体を収納する密封可能なチャンバと、 一つの平面が露出されるように物体をサポートするチャ
   ンバ内のサポート手段と、 除去流体を平面上へ処理する流体流手段と、上記除去流
   体が上記サポート手段上で凍結する温度と、 上記凍結除去流体が融解する温度の間で物体サポートの
   温度を変化させる手段と、 融解した除去流体をチャンバから除去する手段と、 から成る、前記装置。 １５、上記流体流手段が、スチームジェネレータへ接続
   されるノズルを備える請求項１４の装置。 １６、上記ノズルが、全体として不活性のガス供給源に
   対しても接続される請求項１５の装置。 １７、上記チャンバが物体サポートの周辺にガスシュラ
   ウドを提供するガス供給手段を備える請求項１４の装置
   。 １８、上記チャンバが、上記サポート手段の周囲に環状
   空間と、上記サポート手段の周辺にガスシュラウドを提
   供するガス供給手段を備え、ガスシュラウドが上記環状
   空間内へ延びる請求項１４の装置。 １９、上記サポート手段が、その内部に形成された蛇行
   溝と、サポート手段を旋回させるモータを備える請求項
   １４の装置。 ２０、製品の指定表面から粒子を除去する方法において
   、除去流体をその上部に汚染粒子を有する製品の指定表
   面方向へ向けることによって、除去流体が粒子を湿潤さ
   せるようにし（但し、除去流体は液状から固体状へ移行
   直後に容積が膨張するタイプのものである。）、 除去流体を凍結させることによって凍結除去流体の薄い
   層を指定表面上に形成し、 凍結材料を指定表面から除去する、前記方法。 ２１、上記凍結材料除去のステップが、上記凍結材料の
   少なくとも一部を融解し、その融解した材料を上記表面
   から除去することにより行われる請求項２０の方法。 ２２、更に、上記凍結材料を融解させ、上記指定表面上
   に少なくとも一度は再凍結させた後、上記凍結材料を上
   記指定表面から除去する段階を備える請求項２０の方法
   。