DE4318663C1 - Verfahren zur Maskierung und Bearbeitung einer Oberfläche eines Substrates - Google Patents

Verfahren zur Maskierung und Bearbeitung einer Oberfläche eines Substrates

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Description

Zur Maskierung von Oberflächenbereichen auf einem Substrat, die von einem Bearbeitungsschritt des Substrats ausgenommen werden sollen, werden meist Überzüge aus organischem Material, Abdecklacke oder soge­ nannte Resists verwendet. Lacke, die gegenüber einer Bestrahlung empfindlich sind und sich daher durch Bestrahlung gemäß einem gewünschten Muster strukturieren las­ sen, werden als Photolacke bezeichnet. Diese finden in der Halbleitertechnik breite Anwendung. Sie ermöglichen die fein strukturierte Öffnung von Schutz- bzw. Passivierungsschichten oder auch eine fein strukturierte Metallisierung von Halblei­ tern, Keramik oder anderen Werkstoffen.
Auch in der Galvanik können Abdecklacke verwendet werden, wobei durch Auftragen dieser sogenannten Galvanoresists unerwünschte Metallisierungen oder Metallauflösungen vermieden werden.
Nach erfolgtem Prozeßschritt werden die Lacke vom Substrat entfernt, oft mit organischen Lösungsmitteln, mit Säuren oder Laugen, auf oxidativem Weg oder in einem Plasma.
Nachteilig an den Abdecklacken oder insbesondere den Photolacken sind deren hohe Material- wie auch Entsorgungskosten. Probleme bereitet auch der Umgang mit den oft gesundheits- und umweltschädlichen Produkten. Flüssige Abdecklacke besitzen oft ei­ nen hohen Lösungsmittelanteil, die Sicherheitsmaßnahmen am Ar­ beitsplatz notwendig machen können.
Einige Strukturierungsaufgaben können ohne Abdeck- und Maskie­ rungsschichten durch lokal eng begrenzte Bearbeitung mittels eines Lasers durchgeführt werden. Handelt es sich bei der strukturierenden Bearbeitung mittels Lasers jedoch um einen Ma­ terialabtrag, so entsteht dabei ein Feinstaub, der ebenfalls besondere Sicherheitsmaßnahmen am Arbeitsplatz und eine spezi­ elle Entsorgung erforderlich macht. Außerdem lassen sich beim teilweisen Abtragen von Substratoberflächen beispielsweise beim Öffnen von Schutzschichten Beschädigungen darunterliegender Substratbereiche oft nicht vermeiden. Dies gilt beispielsweise beim strukturierten Öffnen von Siliziumoxid oder -nitrid als Schutz- bzw. Passivierungsschicht von Silizium. In jedem Fall ist eine aufwendige Regelung von Laserführung und Laserleistung erforderlich, die das Bearbeitungsverfahren erheblich verteu­ ert.
Das Strukturieren einer gefrorenen und zum Beispiel aus Neon bestehenden aufkondensierten Schicht mittels Bestrahlung durch eine Maske ist aus der US 4 535 023 bekannt.
Aus EP 0 423 761 A2 und US 4 777 804 sind Reinigungsverfahren für Oberflächen von Halbleitersubstraten bekannt, bei denen das Substrat gekühlt wird, darauf dann eine Flüssigkeit unter Aus­ bildung einer Eisschicht aufkondensiert wird und diese Eis­ schicht schließlich zusammen mit einer Verunreinigung entfernt wird.
Der Erfindung liegt demzufolge das Problem zugrunde, ein Struk­ turierungs- und Maskierungsverfahren für Substratoberflächen anzugeben, welches einfach durchzuführen ist und das weder Ge­ sundheits- noch Umwelt- oder Entsorgungsprobleme bereitet.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen von Anspruch 1. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sowie ei­ ne bevorzugte Verwendung des Verfahrens sind den übrigen An­ sprüchen zu entnehmen.
Das erfindungsgemäße Verfahren schlägt also vor, beliebige Ab­ decklack-, Lack- oder Photolackschichten, die bei der Bear­ beitung von Substraten erforderlich sind, durch eine Eisschicht zu ersetzen. Der Ersatz der meist organischen Lacke durch Was­ ser bzw. Eis führt zu einer spürbaren Kostenreduzierung des Be­ arbeitungsverfahrens und dies bereits allein durch die erspar­ ten Kosten des Abdecklacks. Außerdem ist der Umgang mit Wasser problemlos, da weder gefährliche oder bedenkliche Rückstände verbleiben, die eine Entsorgung erfordern. Der Umgang bzw. die Entsorgung der Eisschicht ist einfach und kann ebenso wie das Entfernen der Eisschicht sehr schnell erfolgen. Das Verfahren ist insbesondere auch schonend für das Substrat, da Aufbringen, Entfernen und gegebenenfalls Strukturierung der Eisschicht un­ ter milden Bedingungen erfolgen können. Außerdem erfolgt durch das Eis keinerlei Kontamination des Substrates.
Die Eisschicht kann zur Bearbeitung aller denk­ baren Substrate verwendet werden, die gegen einen Kontakt mit Wasser bzw. Eis unempfindlich sind. Mögliche Substrate sind al­ so Elementhalbleiter wie Silizium oder Germanium, Verbindungs­ halbleiter vom III-V-Typ wie Galliumarsenid oder Indiumphos­ phid, Verbindungshalbleiter vom Typ II-VI wie Cadmiumsulfid, Quecksilbertellurid, Verbindungshalbleiter aus der Klasse der Cchalkopyrite wie Kupfer Indium (Gallium)-Diselenid (-Sulfid), sowie Glas, Keramikwerkstoffe, Metalle und Kunststoffe.
Die Eisschicht kann auf beliebigen Oberflächen aufgebracht wer­ den, die Strukturen aufweisen können oder die eine beliebige bis vertikale Neigung besitzen. Trotzdem kann darüber eine gleichmäßige Eisschicht erzeugt werden, deren Dicke beliebig wählbar ist. Dies stellt einen weiteren Vorteil gegenüber Lack­ schichten dar, die oft eine begrenzte maximale Auftragsdicke besitzen.
Die Eisschicht kann als Maskenschicht verwendet werden, wobei größere Bereiche bzw. ganze Oberflächen von Substraten abge­ deckt werden können, beispielsweise die Rückseite eines Wafers während der Behandlung der Vorderseite. Möglich ist es auch, gezielt bestimmte empfindliche Strukturen lokal abzudecken, zum Beispiel durch Auftropfen von Wasser auf die Strukturen und an­ schließendes Vereisen. Besonders vorteilhaft wird die Eis­ schicht jedoch ganzflächig auf Substratoberflächen aufgebracht und anschließend strukturiert, beispielsweise mit einem heißen Werkzeug oder einem Laser. In vielen Anwendungen kann die Eis­ schicht dabei einen Photolack ersetzen.
Eine weitere Möglichkeit zur Anwendung des Verfahrens besteht darin, Seitenwände oder Ränder von Substra­ ten während eines Bearbeitungsschrittes zu schützen. So lassen sich beispielsweise gezielt Waferränder vereisen, um eine seit­ liche Kontamination des Wafers oder des Substrates bei dem oder den Bearbeitungsschritten zu vermeiden.
Mit einer Eisschicht als Abdeck- oder Maskierungsschicht verse­ hene Substrate können verschiedenen Bearbeitungsschritten un­ terzogen werden. Bevorzugt sind Bearbeitungsschritte mit wäßri­ gen und insbesondere kühlbaren Lösungen, beispielsweise Ätzlö­ sungen zum Öffnen von Fenstern in Oxid- oder Nitridschichten in der Siliziumhalbleitertechnik oder zum Erzeugen von Gräben. Weitere geeignete wäßrige Bearbeitungsverfahren sind zum Bei­ spiel Bekeimungslösungen für Metallisierungen und die entspre­ chenden Metallisierungsbäder für chemische und galvanische Me­ tallabscheidungen. Eine bevorzugte Verwendung findet das Verfahren daher in der galvanoplastischen Mikros­ trukturierung oder zur Herstellung von Leiterbahnstrukturen, beispielsweise den stromableitenden Kontakten auf Solarzellen.
Die Eisschicht ist auch als Abdeckschicht für Bearbeitungs­ schritte mit gasförmigen Medien geeignet. Weiterhin kann die Eisschicht als "Lift-off-Schicht" bei solchen Beschichtungen die­ nen, die bei relativ niedrigen Temperaturen, möglichst in Ge­ frierpunktnähe, möglich sind.
Zum Erzeugen der Eisschicht kann zunächst das Substrat gekühlt werden. Dies ist zum Beispiel in einer Kühlkammer möglich, wird vorzugsweise jedoch durch Auflegen auf eine mit einem Kryostat gekühlte Unterlage oder ein Peltier-Element durchgeführt. Auch in ein flüssiges kaltes Medium kann das Substrat zur Abkühlung eingetaucht werden, mit diesem besprüht oder geflutet werden, beispielsweise mittels eines kalten Lösungsmittels oder eines flüssigen Gases wie zum Beispiel mit flüssigem Stickstoff oder durch Behandlung mit Kohlendioxidpulver. In entsprechender Weise kann alternativ auch die Substratunterlage gekühlt wer­ den.
Das Aufbringen der Eisschicht kann lokal erfolgen, zum Beispiel durch gezieltes Auftropfen. Ganzflächiges Erzeugen der Eis­ schicht auf der Substratoberfläche erfolgt beispielsweise durch Aufsprühen, Auftropfen oder Aufdampfen. Aufsprühen und Aufdamp­ fen sind insbesondere für nicht ebene, also geneigte oder gar vertikale Oberflächen geeignet. Die Erzeugung einer Eisschicht auf sämtlichen Oberflächen eines Substrats kann durch Eintau­ chen des gekühlten Substrates in ein wäßriges Medium bzw. Flu­ tung erfolgen.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist es auch mög­ lich, zwei flache Substrate mit einer dünnen Eisschicht zu ver­ kleben, wobei die Eisschicht nicht nur als Abdeckschicht für beide Wafer, sondern auch als Klebemittel fungiert.
Natürlich ist es auch möglich, zunächst einen Wasserfilm oder -tropfen auf dem Substrat aufzubringen und das Substrat erst anschließend zur Vereisung des darauf aufgebrachten Wassers zu kühlen.
Unter Umständen kann es durch das Material der Substratoberflä­ che erforderlich sein, die Oberfläche vor dem Aufbringen des Wassers bzw. des Eises hydrophil zu machen oder dem Wasser ein Mittel zur Reduzierung der Oberflächenspannung und/oder ein Dispersionshilfsmittel zuzusetzen. Auch die Zugabe von Alkohol zum vereisenden Wasser kann das Benetzungsverhalten verbes­ sern.
Bei Verwendung einer gekühlten Unterlage zur Erzeugung der Eis­ schicht kann es erforderlich sein, auf der Unterlage festgefro­ rene Substrate durch Erwärmen der Unterlage wieder zu entfer­ nen, beispielsweise durch kurzzeitige Stromumkehr bei Verwen­ dung eines Peltier-Elementes oder durch Vorsehen von Heizdräh­ ten oder Integrieren einer Heizplatte in der Unterlage.
Zur mechanischen Strukturierung der Eisschicht eignen sich heiße Werkzeuge, besser beheizte Werkzeuge wie Nadeln, Stifte oder Drähte. Zum Erzeugen einfacher Strukturen ist auch ein Schneiden bzw. sonstiges mechanisches Bearbeiten der Eisschicht möglich. Wahlweise kann dabei mit Unterdruck gearbeitet werden, um den während der Strukturierung durch Aufschmelzen entstande­ nen Wasserfilm zu entfernen oder diesen abzusaugen.
Die mit einem Werkzeug in der Eisschicht erzielbaren Strukturen können der Formgebung des Werkstücks entsprechen. Mit Hohlna­ deln können beispielsweise Punkte oder Ringe erzeugt werden, mit Stiften oder Stempeln Quadrate oder Linien. Wird das Werk­ zeug zur Strukturierung der Eisschicht über die Eisschicht ge­ führt, ist die Erzeugung beliebig geformter Strukturen möglich.
Eine besonders feine Strukturierung kann mit einem Laser er­ reicht werden, wobei dessen thermische Wirkung ausgenutzt wird. So kann ein mit Eis versiegeltes Siliziumsubstrat beispielswei­ se mit einem Nd:YAG-Laser bei einer Wellenlänge von 1,06 µm oder mit einem Erbium-Laser bei 3 µm strukturiert werden. Bei 3 µm Wellenlänge zeigt Wasser bzw. Eis hohe Absorption, während Silizium dafür nahezu transparent ist. Durch kurzzeitige Be­ lichtung wird ein lokales Schmelzen des Eises bewirkt, ohne die Substratoberfläche zu zerstören oder zu beschädigen. Zur Erhö­ hung der Absorptionsfähigkeit des Eises (für das Laserlicht) können darin gelöste oder fein dispergierte bzw. suspendierte Substanzen mit höherer Absorptionsfähigkeit als Eis enthalten sein. Bei der Strukturierung entstehendes Wasser bzw. Wasser­ dampf kann durch Absaugen oder mit Unterdruck entfernt werden.
Prinzipiell ist es auch möglich, sofern die Eisschicht entspre­ chend dick erzeugt wird, die zur Strukturierung in der Eis­ schicht erzeugten Löcher oder Gräben nicht ganz bis zur Substratoberfläche zu durchstoßen oder das Wiederangefrieren eines verbleibenden dünnen Wasserfilms zu erlauben. Die dafür erforderliche Dicke der Eisschicht richtet sich unter anderem nach der Expositionszeit gegenüber dem späteren Bearbeitungs­ schritt, der Temperatur und der Anzahl der für den Bearbei­ tungsschritt verwendeten Medien. Auch flüssige Bearbeitungsme­ dien, die unter 0°C gekühlt sind, bewirken eine allmähliche Auflösung der Eisschicht, die an den äußeren Eisschichten an­ setzt und so auch in Strukturöffnungen der Eisschicht verblei­ bende dünnere Eisschichten unmittelbar aufzulösen vermag und die dabei darunterliegende Substratbereiche der Bearbeitung zu­ gänglich macht.
In analoger Weise ist es auch beim sogenannten Fensterätzen nicht erforderlich, die gesamte Schutzschicht, beispielsweise eine Oxid- bzw. Nitridschicht beim Silizium in einem Schritt abzutragen. Da die nicht geätzten Schichten meist wesentlich dicker als der im Fenster verbleibende Rest der Schutzschicht sind, kann nach dem Entfernen der Eisschicht noch eine kurze Ätzung durchgeführt werden, um das Fenster endgültig zu öffnen.
Bei der mechanischen Strukturierung lassen sich Strukturen kleiner 100 µm realisieren. In einer speziellen Anwendung kann ein entsprechend ausgebildetes beheiztes Drahtnetz zum Erzeugen von Strukturen in der Eisschicht verwendet werden, bei­ spielsweise zur Erzeugung von ca. 20 µm durchmessenden Quadra­ ten. Damit lassen sich in einer (100) Siliziumoberfläche bzw. auf polykristallinem Silizium invertierte Pyramiden erzeugen. Eine solche Struktur- oder Texturätzung wird insbesondere für die Oberflächen von Solarzellen verwendet, um Reflexionsverlu­ ste zu vermeiden und so die Absorption einfallenden Sonnen­ lichts zu erhöhen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispie­ len und der dazugehörigen vier Figuren näher erläutert. Die Fi­ guren zeigen ausschnittsweise einen schematischen Querschnitt durch eine Solarzelle während verschiedener Verfahrensstufen bei der Herstellung von stromableitenden Vorderseitenkontakten unter Verwendung des Verfahrens.
Fig. 1: Die Solarzelle besteht aus einem Siliziumsubstrat SS, welches einen in der Nähe der Vorder- oder Lichteinfallsseite gelegenen flachen pn-Übergang PN aufweist. Über dem Übergang PN ist auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats SS eine dünne Oxid­ schicht OS ausgebildet. Nicht dargestellt ist die Textur der Substratoberfläche, die mittels einer anisotropen Ätzung er­ zeugte pyramidenförmige Erhebungen mit einem Durchmesser klei­ ner 5 µm aufweist.
Zur Herstellung der stromableitenden Kontakte in Form einer Fingerelektrode (Grid) muß die Oxidschicht OS an den zur Kon­ taktierung vorgesehenen Stellen entfernt werden bzw. dort die Substratoberfläche freigelegt werden. Dazu wird das Silizium­ substrat SS auf eine gekühlte Unterlage aufgelegt, die mit Hilfe eines Kryostaten auf eine Temperatur von ca. minus 10°C gebracht wird. Durch Besprühen der Substratoberfläche mit ent­ mineralisiertem Wasser von ca. 4°C wird über der Siliziumoxi­ dschicht OS eine Eisschicht mit einer Dicke von wenigen 100 µm während einer Vereisungszeit von ca. 1 Minute erzeugt.
Mit einer beheizten Nadel N wird nun in der Eisschicht ein der Elektrodenstruktur entsprechendes Muster herausgeschmolzen und dort die Oxidoberfläche OS freigelegt. Die Nadel N weist bei­ spielsweise einen Durchmesser von 200 µm auf. Alternativ kann die Struktur auch mit einem beheizten und bereits die gewünschte Form der Fingerelektrode aufweisenden Blechstreifen von zum Beispiel 100 µm Dicke aus der Eisschicht herausgelöst werden.
Fig. 2 zeigt den gemäß einem vorgegebenen Muster herausge­ schmolzenen Graben G in der Eisschicht ES. In einem Bearbei­ tungsschritt wird nun die in dem Graben G freigelegte Oxid­ schicht OS entfernt, um dort die Oberfläche des Silizium- Substrats SS freizulegen. Dazu wird die Solarzelle mitsamt der darauf aufgebrachten Eisschicht ES in gepufferter verdünnter Flußsäure geätzt. In der auf ca. -5°C gekühlten Lösung ist nach ca. 4 Minuten die im Graben G freigelegte Oxidschicht OS entfernt, wobei in dem so erzeugten Oxidfenster OF die Oberflä­ che des Siliziumsubstrats SS freigelegt ist (siehe Fig. 3). Trotz der gekühlten Ätzlösung ist die Eisschicht ES nach diesem Schritt in ihrer Dicke etwas vermindert.
Der nächste Schritt betrifft die Metallisierung der im Oxidfen­ ster OF frei liegenden Substratoberfläche und erfolgt in einer Palladiumchloridlösung, die ebenfalls Flußsäure enthält. Dazu braucht die Eisschicht ES nicht entfernt zu werden. Doch auch ohne Eisschicht ES erfolgt die Bekeimung spezifisch auf der freiliegenden Halbleiteroberfläche des Siliziumsubstrats SS im Oxidfenster OF.
Fig. 4 zeigt die so erzeugte Palladiumkeimschicht PS im Oxid­ fenster OF, die in einem anschließenden Schritt durch spezifi­ sche Metallabscheidung über der Palladiumkeimschicht verstärkt wird.
Die Verstärkung der Palladiumschicht PS kann beispielsweise durch chemische Abscheidung einer Nickelschicht über der Palla­ diumschicht PS erfolgen, die wiederum beispielsweise durch gal­ vanische, photochemische oder bipolare Abscheidung einer Sil­ berschicht oder durch chemische oder galvanische Kupferabschei­ dung verstärkt werden kann.
In einer Variante dieses Verfahrens kann während der Erzeugung der Vorderseitenkontakte die Rückseite mit Hilfe einer Eis­ schicht abgedeckt und dadurch gegen die sauren Bearbeitungs­ schritte zur Öffnung der Oxidfenster OF geschützt werden. Dies ist insbesondere dann erforderlich, wenn die Rückseite bereits säurempfindliche Kontakte, zum Beispiel aufgedampftes bzw. aufgesputtertes Aluminium oder gebrannten Silbersiebdruck auf­ weist. Durch erfindungsgemäßes Abdecken dieser Metallisierung mit einer Eisschicht wird diese vor einem Säureangriff beim Öffnen der Oxidfenster OF geschützt. Die Eisschicht für Vorder- und Rückseite kann dabei in einem Schritt durch Eintauchen des gekühlten Siliziumsubstrats in Wasser bzw. Fluten des Substrats mit Wasser erfolgen. Die Dicke der Eisschicht auf der Rückseite der Solarzelle beträgt demzufolge ebenfalls einige 100 µm, mit der auch ca. 10 µm hohe aufgedruckte Rückseitenkontakte bequem abgedeckt werden können.
In einer weiteren Variante des Verfahrens sollen auf der textu­ rierten 100-Oberfläche eines Siliziumsubstrates Punktkontakte aufgebracht werden. Dazu wird wie eben beschrieben vorgegangen, mit der Ausnahme, daß die beheizte Nadel beispielsweise durch ein Feld von beheizten Nadeln ersetzt wird, mit der keine Grä­ ben, sondern eine Anordnung von Löchern in die Eisschicht ge­ schmolzen wird.
Auch mit einem Laser ist es möglich, Gräben oder Löcher in ei­ ner aus Eis bestehenden Abdeckschicht über einem Silizium­ substrat zu erzeugen. Wird die Strukturierung der eben be­ schriebenen Eisschicht mit Hilfe eines Nd:YAG-Lasers von 1,06 µm Wellenlänge bei einer Ausgangsleistung von ca. 1,5 Watt vor­ genommen, so können bei einer Pulsbreite von ca. 200 bis 400 ns bei einer Pulsfrequenz von ca. 20 bis 40 kHz Löcher und Gräben in der Eisschicht erzeugt werden, ohne daß es zur einer Zerstö­ rung der Oxidschicht und damit zu einer Störung des pn-Über­ gangs PN kommt.
Als günstig erweist sich dabei die Anfärbung des zu gefrieren­ den Wassers, die im einfachsten Fall zum Beispiel mit schwarzer Tusche durchgeführt werden kann. Die Färbung richtet sich dabei nach der verwendeten Laserwellenlänge, um die Absorptionsfähig­ keit des Eises gegenüber dem Laser zu erhöhen.
In vorteilhafter Weiterbildung der Erfindung wird die Eis­ schicht mit einem kontinuierlichen cw-Laser strukturiert.

Claims (11)

1. Verfahren zur Maskierung und Bearbeitung einer Oberfläche eines Substrates (SS), bei dem das Substrat unter 0°C abgekühlt wird, ein erster Be­ reich der Oberfläche mit einer dünnen Eisschicht (ES) versehen wird, eine Bearbeitung eines zweiten, nicht von der Eisschicht bedeckten Bereichs der Oberfläche durchgeführt wird, und bei dem die Eisschicht anschließend durch Erwärmen des Substrats über 0°C entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem Ätzen, Dotieren, chemisches Umsetzen mit einem Reagens, Beschichten, Oxidieren, Metallisieren oder Elektroplattieren als Bearbeitung durchgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem zunächst zumindest der erste Bereich der Oberfläche vor dem Erzeugen der Eis­ schicht (ES) hydrophil gemacht wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem zunächst eine Eisschicht (ES) auf einer Oberfläche er­ zeugt wird und bei dem anschließend vor der Bearbeitung Teile der Eisschicht entsprechend einem gewünschten Muster (G) wieder entfernt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das Entfernen der Eisschicht (ES) entsprechend dem Mu­ ster (G) mit einem heißen Werkzeug (N) durchgeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das Entfernen der Eisschicht (ES) mit einem Laser er­ folgt.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die Eisschicht (ES) durch Gefrieren von Wasser erzeugt wird, das einen darin gelösten, suspendierten oder dispergier­ ten, die Laserstrahlung absorbierenden Stoff enthält.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem das Erzeugen der Eisschicht (ES) durch Kühlen des Substrats (SS) und in Kontaktbringen mit Wasser durch Besprü­ hen, Eintauchen, Auftropfen oder Aufdampfen erfolgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem als Substrat (SS) ein Halbleiterwafer verwendet wird.
10. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 9 bei der Herstellung von Solarzel­ len, insbesondere zum Erzeugen der stromableitenden Kontakte.
11. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 9 zur Herstellung mikromechanischer Systeme.
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