JPH0768228A - 二重ジェットスプレー洗浄方法および装置 - Google Patents

二重ジェットスプレー洗浄方法および装置

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JPH0768228A
JPH0768228A JP6093581A JP9358194A JPH0768228A JP H0768228 A JPH0768228 A JP H0768228A JP 6093581 A JP6093581 A JP 6093581A JP 9358194 A JP9358194 A JP 9358194A JP H0768228 A JPH0768228 A JP H0768228A
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JP
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substrate surface
stream
selected portion
substrate
snow
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Application number
JP6093581A
Other languages
English (en)
Inventor
John D Sneed
ジョン・ディー・スニード
Wilfried Krone-Schmidt
− シュミット ウイルフリード・クローン
Michael J Slattery
マイケル・ジェイ・スラットリー
Howard S Bowen
ホワード・エス・ボウエン
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Raytheon Co
Original Assignee
Hughes Aircraft Co
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern

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  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Auxiliary Devices For Machine Tools (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、光学、電子および精密機械装置等
のデリケートな表面を洗浄するための二酸化炭素スノー
の使用する洗浄方法の性能を向上させることを目的とす
る。 【構成】 洗浄スノー流が第１のスプレー装置20のノズ
ル24によって選択された基体面に向けられ、その上に位
置された汚染を除去し、基体表面の選択された部分への
この洗浄スノー流の供給の前または後に基体表面の選択
された部分を加熱するために第２のスプレー装置30によ
って選択された基体面に加熱ガスが供給されることを特
徴とする。洗浄スノー流の供給の前の加熱では典型的に
は40〜60°Ｃに加熱され、また供給後の加熱では周囲蒸
気の露点より上の20°Ｃ以上に加熱される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に基体表面の正確な
洗浄をする時に使用するための装置および方法に関す
る。特に、本発明は高感度光学、電子および精密機械装
置において認められるようなデリケートな表面および精
密なハードウェアからトレース汚染を除去するための装
置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光学・機械・電子装置の装置精巧で精密
な表面には汚染物がないことが重要である。例えば、赤
外線光センサシステムは帯域内透過率を高め、帯域外の
放射線を排除するために薄膜光学被覆を使用する。痕跡
量の汚染であっても、入射した放射線を散乱、吸収また
は反射することによってスペクトル特性を劣化させる。
【０００３】光学表面上に存在している粒子および分子
汚染物は、放射特性を変化し、それによって光学装置の
熱雑音を増加させることによって問題を生じさせる可能
性が高い。検出器表面上に存在する粉塵および破片汚染
物はまた誤ったターゲットが出現した状態でクラッタを
生じさせる。さらに、レンズ、ウインドウおよび光学フ
ィルタ等の精密な光学装置表面上の分子汚染物の存在は
結果的に入射エネルギの吸収および散乱を生じさせ、シ
ステム品質を低下させる。
【０００４】精密なコンピュータおよびジャイロスコー
プ装置において、運動しているディスク駆動装置または
回転しているジャイロスコープ固定子中の粒子汚染物は
修理できない程度までこのようなシステムに損傷を与え
るか、或は不能にする。
【０００５】粒子および分子汚染が基体に存在しないこ
とは、集積回路を製造する時に使用される技術にも要求
される。
【０００６】精密な洗浄装置および方法の使用は高度の
技術用に限定されるものではない。例えば、自動車本体
パネル等のこのような基体上における粒子および分子汚
染物の存在はそれに施される被覆の一体化を害し、結果
的に被覆表面の剥離または発泡を生じさせる。
【０００７】クロロフルオロカーボンおよびケトン等の
種々の洗浄溶媒および溶液は、デリケートな表面を洗浄
するために使用されている。しかしながら、これらの洗
浄溶液および溶媒の大部分は環境的に有害である。これ
らの環境的問題に呼応して、多数の環境的に安全な洗浄
媒体が提案されており、その１つが二酸化炭素である。
【０００８】特に、シリコンウェハ、望遠鏡反射器およ
び薄膜光学被覆を含む種々の表面から分子および粒子汚
染物を除去するために“ドライアイススノー”としても
知られている二酸化炭素の流れまたはジェット噴射を使
用することが種々の研究者により報告されている。
【０００９】二酸化炭素ジェット噴射を形成するため
に、シリンダからの液体二酸化炭素が開口およびノズル
を有する装置を通して膨脹される。液体二酸化炭素の迅
速な膨脹は固体ＣＯ2 の微細な粒子を形成させ、これは
二酸化炭素ガス中に含まれて搬送される。開口およびノ
ズル構造の寸法は、所望のＣＯ2 スノーを得るように調
節される。この構造により、高速度の雪片のジェットが
生成され、洗浄されるべき表面に導かれる。ここにおい
て“スノー”という用語は、このようなガスの固体粒子
を含むガスの流れを意味するために使用されている。
【００１０】二酸化炭素スノーの形成および使用は、文
献（S.A.Hoening 氏による“Cleaning Surface with Dr
y Ice ”，Compressed Air Magazine,1986年 8月；R.V.
Peterson，C.W.Bowers氏による“ Contamination Remov
al by CO2 jet spray ”，SPIE，Vol.1329，Optical Sy
stem Contamination Effects，Measurements，Control
II，1990年；L.Layden,D.Wadlow 氏による“High Veloc
ity Carbon Dioxide Snow For Cleaning Vacuum System
Surfaces ”，Journal of Vacuum Science and Techno
logy，A8(5) 1990年 9月／10月；R.Sherman ，W.H.Witl
ock 氏による“ The Removal of Hydrocarbons and Sil
icon Grease Stains from Silicon Wafers”，Journal
of Vacuum Science Technology，B8(3) 1990年 5月／ 6
月；R.Zito氏による“ Cleaning Larger Objects with
CO2 snow ”，SPIE，Vol.1236，Advance Technology O
ptical Telescopes IV，1990年）およびWhitlock氏他に
よる米国特許第 4,806,171号明細書（“Apparatus and
method for Removing Minute Particles from a Substr
ate ”）に記載されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】デリケートな表面を洗
浄するための二酸化炭素スノーの使用は将来的に有望で
ある。しかしながら、新しい技術に関するように、これ
まで開発されてきた技術をさらに発達させ、改良するこ
とが依然として必要とされている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によると、基体の
表面から汚染を除去する改良された装置および方法が提
供される。この方法は選択された基体表面の限定された
部分を基体表面の同じ部分への洗浄スノー流の供給の直
前、その間および、またはその後に加熱することからな
る。
【００１３】二酸化炭素ジェットスプレーの使用は、基
体表面が基体表面への洗浄スノーの供給の直前に洗浄ス
ノーの温度より十分上の温度に暖められた場合、デリケ
ートなまたは精密な基体の表面から有機物その他の分子
および粒子汚染を除去する時にさらに効果的であること
が認められている。
【００１４】洗浄スノーは、基体表面が基体表面への洗
浄スノーの供給の直後に周辺蒸気の露点より十分上の温
度に暖められた場合に、基体表面を洗浄する時にさらに
効果的であることが認められた。二酸化炭素スノーは非
常に低温であり、周辺圧力でほぼ−60℃である。洗浄ス
ノーの滞在時間および基体に応じて、基体表面の温度は
露点より下に下降する可能性があり、それによって周辺
環境中の水蒸気を基体表面上で凝縮させる。これは、凝
縮物の蒸発後に基体表面上に残留する空気によって運ば
れた汚染物を凝縮された蒸気が伴出するときに不利であ
る。
【００１５】二酸化炭素スノーに関連した冷却は、特に
部品が長時間にわたって温度極値にさらされることがで
きない場合には非常に小さい熱量を有する小さい精密工
具で扱う時に特に不利である。これらの部品の完全性
は、基体表面への洗浄スノーの供給の前、その間および
その後に基体表面を加熱することによって維持されるこ
とができる。
【００１６】本発明の特徴は、改良された方法が基体表
面の選択された部分への洗浄スノー流の供給前に基体表
面の選択された部分を加熱するステップを含んでいるこ
とである。基体表面は、典型的に40乃至60℃の範囲の温
度に加熱される。本発明の別の特徴は、改良された方法
が基体表面の選択された部分への洗浄スノー流の供給後
に基体表面の選択された部分を再加熱するステップを含
んでいることである。基体表面は、周辺蒸気の露点より
上の少なくとも20℃の温度に再加熱される。本発明のさ
らに別の特徴は、改良された方法が洗浄プロセス中に基
体表面の選択された部分を加熱するステップを含んでい
ることである。本発明のさらに別の特徴は、基体表面の
選択された部分が基体表面の選択された部分への洗浄ス
ノー流の供給の前、供給中および、またはその後に基体
表面の選択された部分に加熱されたガスの１以上の流れ
を供給することによって加熱または再加熱されることで
ある。
【００１７】本発明のさらに別の特徴は、基体の表面か
ら汚染を除去するための、上記の方法を使用する改良さ
れた装置が提供されることである。改良された装置は、
洗浄スノー流を生成するための第１のスプレー装置およ
び加熱ガスの第１の流れを生成するための第２のスプレ
ー装置を含んでいる。第２のスプレー装置は、改良され
た装置が表面に平行な方向に移動される場合に、加熱ガ
スの第１の流れが洗浄スノー流が基体表面の選択された
部分と結合する前、その期間中またはその後に基体表面
の同じ部分と結合するように第１のスプレー装置に関し
て位置される。
【００１８】本発明の別の特徴は、改良された装置が加
熱ガスの第２の流れを生成するための第３のスプレー装
置を具備していることである。第１、第２および第３の
スプレー装置は、改良された装置が基体表面に平行な方
向に移動される場合に、加熱ガスの第１の流れが洗浄ス
ノー流が基体表面の選択された部分と結合する前に基体
表面の同じ部分と結合し、加熱ガスの第２の流れは洗浄
スノー流が基体表面の選択された部分と結合した後に基
体表面の同じ部分と結合するように互いに関して位置さ
れる。
【００１９】本発明の別の付加的な特徴は、改良された
装置が第１の上昇された温度に加熱ガスの第１の流れを
加熱するために第２のスプレー装置内に設けられている
第１の加熱コイルと、第２の上昇された温度に加熱ガス
の第２の流れを加熱するために第３のスプレー装置内に
設けられている第２の加熱コイルとを含んでいることで
ある。本発明のさらに別の特徴は、上記の加熱コイルが
好ましい第１および第２の上昇された温度での腐食に耐
える導体を具備していることである。本発明のさらに別
の特徴は、第２および第３のスプレー装置が第１および
第２の加熱コイルを囲み、それによって第１および第２
の加熱コイルによって発生された熱から第１および第２
のスプレー装置の外側本体を分離する第１および第２の
非熱伝導性のライニングを具備していることである。本
発明の上記の特徴およびその他多数の利点は、以下の詳
細な説明および添付図面を参照することによって良好に
理解されるであろう。
【００２０】
【実施例】以下の詳細な説明は、精密な光学、電気・光
および電気装置および精密ハードウェアにおいて典型的
に使用されるデリケートなまたは精密な表面等の選択さ
れた基体の表面から汚染物を除去する時に使用するため
の装置および方法に関する。改良された装置および方法
の基本的な使用は光学表面および重要な電子表面から汚
染の痕跡量を除去する場合であるが、当業者は本発明の
装置および方法が広い範囲にわたって適用され、高レベ
ルの洗浄または精密な洗浄を必要とする任意の表面およ
び構造を洗浄するために使用されてもよいことを理解す
るであろう。例えば、本発明は洗浄される表面を損傷せ
ずに汚染が除去されなければならない塗装、被覆または
結合の前に表面を洗浄するために使用されてもよい。さ
らに当業者は、本発明が二酸化炭素スノーが好ましい洗
浄媒体である洗浄適用に制限されるものではないことを
理解するであろう。むしろ、本発明はそれに限定される
ものではなく、窒素、アルゴンおよびネオン等を含んで
いる、スノーに形成できる気体、液体および固体状態で
存在する任意の化学的材料が洗浄媒体として使用されて
もよい。二酸化炭素は、その他の材料、特にネオンに比
較してその比較的安価であり、二酸化炭素の所望の特性
のために使用されることが好ましい。
【００２１】本発明によると、基体の表面から汚染を除
去する改良された方法は、基体表面の選択された部分へ
の洗浄スノー流の供給の前または後に基体表面の選択さ
れた部分を加熱するステップを含む。基体表面の選択さ
れた部分は、基体表面の選択された部分への洗浄スノー
流の供給の直前に加熱され、基体表面の選択された部分
への洗浄スノー流の供給直後に再加熱されることが好ま
しい。基体表面への洗浄スノー流の供給の直前に基体表
面を加熱することは、有機物およびその他の分子およひ
粒子汚染物の除去時における洗浄スノーの効果を高め
る。基体表面への洗浄スノー流の供給直後の基体表面の
加熱は、基体表面上における汚染を含む凝縮物の形成を
妨げる。
【００２２】基体表面の選択された部分は、洗浄スノー
の温度より上の20乃至 160℃の範囲の第１の上昇温度に
予め加熱されていることが好ましい。二酸化炭素スノー
が好ましい洗浄媒体である適用に対して、第１の上昇温
度は凍結温度より上の40乃至60℃の範囲であることが好
ましい。基体温度は、周辺蒸気の露点より上の少なくと
も20℃である温度に再加熱される。大部分の適用におい
て、基体表面は第１の上昇温度以上の温度に再加熱され
る。基体表面の選択された部分は、基体表面の選択され
た部分への洗浄スノー流の供給の前、その供給中およ
び、またはその後に基体表面の選択された部分に１以上
の加熱ガス流を供給することによって加熱され、再加熱
されることが好ましい。加熱ガスは、窒素、二酸化炭素
およびアルゴンを含む不活性または実質的に不活性ガス
のグループから選択されることが好ましい。乾燥した空
気はいくつかの適用に適切である。
【００２３】基体表面の選択された部分を加熱するため
に１以上のガスの流れを使用する第１の好ましい実施例
の装置は、図１において10で示されている。装置10は、
二酸化炭素洗浄スノー流を生成するための第１のスプレ
ー装置20と、第１のスプレー装置20を支持するための第
１のハウジング30と、第１の加熱ガスの流れを生成する
ための第２のスプレー装置40と、第２のスプレー装置40
を支持するための第２のハウジング100 とを含む。
【００２４】第１のスプレー装置20は、好ましくは超純
粋二酸化炭素源（示されていない）から液体二酸化炭素
を受取るための入口22と、液体二酸化炭素が膨脹されて
洗浄スノーにされる臨界オリフィスを有するバルブ装置
（示されていない）と、選択された基体に二酸化炭素ス
ノーを伝達するための出口ポート26を有するノズル24と
を含む。洗浄スノー流速度の正しく反復可能な調節のた
めに補助装置28が設けられていることが好ましい。入口
22を通って第１のスプレー装置20に入力した二酸化炭素
の温度および圧力は、二酸化炭素スノーの形成に関連し
た従来技術にしたがって制御される。
【００２５】第１のスプレー装置20は、適当な手段によ
り第１のハウジング30によって結合される中間外面25を
含んでいる。第１のハウジング30は、第１のスプレー装
置20が縦軸29Ａに沿って調節可能に位置されることを可
能にするように外面25をスライド可能に受けるために構
成された内部空洞（示されていない）を具備しているこ
とが好ましい。好ましい実施例において、ノズル24は第
１のスプレー装置20に分離可能に接続され、それによっ
てオペレータは異なる寸法および形状の別のノズルとノ
ズル24を置換することができる。
【００２６】第２のスプレー装置40は、第１の端部44お
よび第２の端部46を有する管状体42を含んでいる。管状
体42は、加圧されたガス源（示されていない）から好ま
しいガスを受けるために第１および第２の端部44と46と
の間に入口ポート48を具備している。管状体42はまた選
択された基体に好ましいガスを伝達するために第２の端
部46に出口50を具備している。管状体42は外壁49および
内壁51を含んでいる。内壁51は実質的に円筒型の内部空
洞52を限定している。図２に最も良く示されているよう
に、内部空洞52内には加熱コイル54および非熱伝導性ラ
イニング56が設けられている。加熱コイル54は、細長い
導体58および非導電性支持体60を含んでいる。非導電性
支持体60は円筒型端部部分62および管状導線支持部64を
含む。円筒型端部部分62は外端面66、内端面68および外
側表面69並びに第１および第２の細長い空洞70および72
を含み、両空洞は細長い導体58を受けるために外端面66
と内端面68との間に延在している。管状導線支持部64は
第３および第４の端部74および76を含み、縦軸79Ａに沿
ってそれらの間に延在している。管状導線支持部64は、
第１の細長い円筒型空洞70に隣接する第３の細長い円筒
型空洞78を限定する。
【００２７】細長い導体58は、第１および第３の細長い
空洞70および78をそれぞれ通って外面66から第４の端部
76に延在する第１の部分80を具備している。導体58はま
た第４の端部76において第１の部分80に接続された第２
の部分82を具備している。第２の部分82は第１の部分80
と内端面68との間に延在したコイル部分84と、第２の細
長い空洞72を通って外端面66に延在する直線部分86とを
有している。
【００２８】導体58の第１の部分80および直線部分86
は、単一部品を形成するように非導電性支持部60と一体
に形成されている。コイル部分84は、溶接することによ
って第１の部分80および直線部分86に結合され、したが
って必要ならば交換されることが可能であることが好ま
しい。円筒型端部部分62の外端面66は、可変電源（示さ
れていない）に第１および第２の直線部分80および86を
接続するために適切な手段（示されていない）を具備し
ている。
【００２９】加熱コイル54は、第１の端部44で管状体42
中に挿入できるように構成されている。円筒型端部部分
62の外側表面69と管状体42の内壁51との間の公差は最小
にされることが好ましい。密閉手段（示されていない）
は、円筒型端部部分62と内壁51との間における好ましい
ガスの漏洩を阻止するために設けられている。円筒型端
部部分62は、入口ポート48を通って第２のスプレー装置
40に入る好ましいガスの流れを遮断しないように内部空
洞52内に位置されていなければならない。管状体42は加
熱コイル54が管状体42の第２の端部46を越えて延び出な
いことを確実にするために十分に長いことが好ましい。
この構造は、導体58との直接的な接触および結果的な傷
害から第２のスプレー装置40のオペレータを保護する。
【００３０】好ましい実施例において、中央導線支持部
64の外径は内部空洞52の内径に関して実質的に狭く、そ
れによって好ましいガスが出口50に向かって伝達された
ときに入口ポート48から好ましいガスを受け、そこに位
置されたコイル部分84によって熱を伝達するために管状
空洞が限定される。非熱伝導性ライニング56は実質的に
管状であり、外面92、内面94およびそれらの間に延在し
ている環状壁96を有する。外面92は入口ポート48を遮断
せずにライニング56が第２の端部46から管状体42の内部
空洞52中にスライドして挿入され、一方同時に外面92と
内壁51との間に最小の間隙を提供することを保証するよ
うに構成されている。環状壁96は、コイル部分84が好ま
しいガスとインターフェイスする領域を最大にするよう
に比較的薄いことが好ましい。
【００３１】組立てに関して、非導電性ライニングは入
口ポート48を遮断せずに入口ポート48と第２の端部46と
の間に延在する。非導電性ライニング56は、任意の適切
な手段を使用して内壁51に接続される。密封手段（示さ
れていない）はまたライニング56と内壁51との間での好
ましいガスの漏洩を阻止するために設けられていること
が好ましい。非導電性支持部60はセラミック材料から構
成され、一方非導電性ライニング56はパイレックス(pyr
ex) および石英を含む材料のクラスの物質から構成され
ていることが好ましい。好ましい絶縁体は脆弱であるた
め、管状体42もまた電解研磨されたステンレス鋼等の脆
弱でない材料から構成されていることが好ましい。
【００３２】非導電性ライニング56は熱伝達プロセスの
効率を高め、一方同時に管状体42の外面が熱して危険に
なることがなく、それによってオペレータが傷害を受け
る危険性にさらさないことを保証することによって第２
のスプレー装置40の安全な動作を容易にする。図１に最
も良く示されているように、第２のスプレー装置40は任
意の適切な手段を使用して第１のハウジング30に実質的
に隣接する位置に固定されている第２のハウジング100
内に設けられている。セラミック絶縁体101 が第１およ
び第２のハウジング40と100 との間に設けられているこ
とが好ましい。
【００３３】第２のハウジング100 は、ボール支持部10
4 および球状ボール106 を含んでいるボール接合装置10
2 を備えている。球状ボール106 は外側湾曲面108 と球
状ボール106 の中心を通って延在する円筒型空洞110 と
を具備している。円筒型空洞110 は、円筒型空洞110 中
への管状体42の挿入時に管状体42の外面49を受けて結合
するように構成されている。ボール支持部104 は、ほぼ
60°の範囲の任意の方向の球状ボール106 （およびそれ
と結合された第２のスプレー装置40）の回転運動を可能
にするように球状ボール106 の外側湾曲面108 と結合す
るように構成されている。図１に最も良く示されている
ように、第１のハウジング30に関して位置を固定された
第２のハウジング100 により、第２のスプレー装置40の
任意の回転は加熱ガスの第１の流れと洗浄スノー流との
間の入射角度を変化させる。特に、第２のスプレー装置
40は加熱ガスの第１の流れが洗浄スノー流に平行に集束
するか、或はそれから発散するように調節可能に回転さ
れてもよい。
【００３４】本発明にしたがって基体表面の選択された
部分が加熱されることを確実にするために、第２のスプ
レー装置40は、洗浄スノー流によって発生された“フッ
トプリント”を囲む十分な大きさで基体表面の選択され
た部分上の“フットプリント”を発生させる加熱ガスの
流れを生成する。第２のスプレー装置40はまた加熱ガス
の流れの形状を調節するための手段を具備していてもよ
い。好ましい１実施例（示されていない）において、異
なるチップが加熱ガス流体の扇形形状を変化するように
管状体42の第２の端部46に設けられてもよい。
【００３５】動作において、第２のスプレー装置40は選
択された基体の一部分への洗浄スノー流の供給の前、そ
の間および、またはその後のいずれかに選択された基体
の同じ部分上で局部化された加熱を行うように第１のス
プレー装置20に関して位置を固定されている。
【００３６】図２に最も良く示されているような本発明
の第２の好ましい実施例において、第２のスプレー装置
は、加熱ガスの第１および第２の平行な流れを生成する
ための２つの相互接続された平行な第１および第２の管
状部分122 および124 を有する二重ガスマニフォールド
120 を含む。第１の管状部分122 は第１の入口126 およ
び第１の出口128 を含む。第２の管状部分124 は第２の
入口130 および第２の出口132 を含む。第１および第２
の両管状部分122 および124 は加熱コイル54および非熱
伝導性ライニング56を具備している。第１のスプレー装
置20は、改良された装置が選択された基体表面に平行な
方向に移動された場合、洗浄スノー流が基体表面の一部
分と結合する前にガスの第１の流れが基体表面の同じ部
分と結合し、ガスの第２の流れが洗浄スノー流が基体表
面のその部分と結合した後に基体表面の同じ部分と結合
するように、第１および第２の管状部分122 および124
の間に平行に位置されていることが好ましい。反対に、
改良された装置が実質的に第１の方向と逆の第２の方向
に移動された場合、ガスの第２の流れは洗浄スノー流が
基体表面の一部分と結合する前に基体表面の同じ部分と
結合し、ガスの第１の流れは洗浄スノー流が基体表面の
一部分と結合した後に基体表面の同じ部分と結合するよ
うに、基体表面の一部分と結合する。
【００３７】動作において、第２の好ましい実施例の装
置は第１のステップとして、洗浄スノーの供給前に選択
された基体の選択された部分を予め加熱するように動作
している両加熱ガスジェット噴射と共に基体表面に平行
な第１の方向に移動される。その後、改良された装置は
第２のステップとして、動作している３つの全てのジェ
ット噴射と共に逆方向に移動され、基体表面への洗浄ス
ノー流の供給の直前および直後に基体表面を予め加熱
し、および再加熱する。その後、第１のステップは選択
された基体の完全な再加熱を保証するように反復され
る。
【００３８】上記の好ましい実施例のいずれにおいて
も、流出した加熱ガスの温度は好ましいガスの流動速
度、コイル部分84の温度並びに好ましいガスおよび好ま
しい導体58の熱伝達特性の関数である。好ましいガスの
流動速度は、任意の適当な手段、すなわち通常のニード
ル弁、ソレノイド弁またはその他の弁を使用して制御さ
れる。コイル部分84の温度は、可変電源および、または
ガスの流動速度を使用して制御されてもよい。
【００３９】電源は、コイル部分84が臨界温度、すなわ
ち導体58の酸化が生成されるか、或は洗浄されるべき基
体が損傷を受ける温度を越えないように、好ましいガス
の適切な流れがない場合に加熱コイル54の動作を阻止す
るためのインターロックを含んでいることが好ましい。
酸化された導体は粒子汚染物の潜在的な原因であるた
め、酸化は望ましくない。細長い導体58は、加熱ガスに
対して好ましい温度での酸化に耐える導体材料から構成
されていることが好ましい。ニクロムは種々の適用に対
して効果的な導体58であることが認められている。コイ
ル部分84の酸化が問題となる場合、別の加熱手段が使用
されてもよい。例えば、コイル部分84が不活性材料の外
側に巻き付けられるか、或はその代わりに基体表面の選
択された部分が放射線エネルギを使用して加熱されても
よい。
【００４０】不活性または実質的に不活性なガスの使用
は、選択される導体58の腐食を軽減する。ガス流の純度
をさらに保証するようにガス入口の上流にガスフィルタ
を含み、好ましいガス源から派生した汚染物質をトラッ
プすることもまた望ましい。ウェハガードフィルタ（ミ
リポア社の商標名）は種々の適用に適切であることが認
められている。
【００４１】電源はまた洗浄スノーの適切な流れがない
場合に加熱コイル54の動作を阻止するためにインターロ
ックを含んでいてもよい。これは、温度に敏感な部品の
過熱を防止する。電気的に動作される洗浄スノースプレ
ー装置を使用する好ましい実施例において、第１および
第２のスプレー装置用の電源はパルス化されたまたは連
続的な動作のために相互接続され、プログラムされても
よい。
【００４２】以上、本発明の上記の実施例を説明したき
たが、当業者はここに記載されたものが単なる例示であ
り、その他の種々の変更、適応、および修正が本発明の
技術的範囲を逸脱することなく実施されることを理解す
べきである。したがって、本発明の技術範囲はここに示
された特定の実施例に限定されるものではなく、添付さ
れた特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の好ましい加熱ガススプレー装置を含む第
１の好ましい実施例の装置の概略図。
【図２】加熱コイルおよびそのための非熱伝導性のライ
ニングの好ましい実施例を示した第２の好ましい加熱ガ
ススプレー装置の概略的な分解図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウイルフリード・クローン − シュミッ ト アメリカ合衆国、カリフォルニア州 92633、フラートン、ダブリュ・マリポ サ・レーン 1851 (72)発明者 マイケル・ジェイ・スラットリー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90249、ガーデナ、ミラー・アベニュー 15016 (72)発明者 ホワード・エス・ボウエン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90077、ロサンゼルス、ナンバー202、ロー ズコマー 2345

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 洗浄スノー流が選択された基体面に向け
    られ、その上に位置された汚染を除去する基体表面の洗
    浄方法において、 基体表面の選択された部分への前記洗浄スノー流の供給
    の前または後に基体表面の選択された部分を加熱するス
    テップを含んでいることを特徴とする基体表面の洗浄方
    法。
  2. 【請求項２】 前記基体表面の選択された部分に対する
    前記洗浄スノー流の供給の前に基体表面の選択された部
    分を加熱するステップを含んでいる請求項１記載の方
    法。
  3. 【請求項３】 前記基体表面の選択された部分は、基体
    に損傷を与えずに基体の選択された部分からの汚染の除
    去を高めるのに十分である第１の上昇された温度に加熱
    される請求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 さらに、前記基体表面の選択された部分
    に対する前記洗浄スノー流の供給の後に前記基体表面の
    前記選択された部分を再加熱するステップを含んでいる
    請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記基体表面の選択された部分は、この
    基体表面の選択された部分上に凝縮物の形成を防止する
    のに十分である第２の上昇された温度に再加熱される請
    求項４記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記基体の選択された部分に対する前記
    洗浄スノー流の供給の前に前記基体の選択された部分に
    加熱ガスの第１の流れを供給するステップを含んでいる
    請求項２記載の方法。
  7. 【請求項７】 さらに、前記基体の前記選択された部分
    に対する前記洗浄スノー流の供給の後に前記基体の選択
    された部分に加熱ガスの第２の流れを供給することによ
    って、前記基体表面の選択された部分に対する洗浄スノ
    ー流の供給後に前記基体表面の選択された部分を再加熱
    するステップを含んでいる請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】 洗浄スノー流を生成する第１のスプレー
    装置と、 前記基体表面の選択された部分に前記洗浄スノー流を導
    く手段と、 加熱ガスの第１の流れを生成する第２のスプレー装置
    と、 前記基体表面の選択された部分に前記加熱ガスの第１の
    流れを導く手段とを具備していることを特徴とする選択
    された基体の表面から汚染を除去する装置。
  9. 【請求項９】 第１のスプレー装置は、前記汚染を除去
    する装置が前記基体表面に平行な方向に移動された場
    合、前記洗浄スノー流が前記基体表面の選択された部分
    と結合する前、結合している期間中またはその後に前記
    加熱ガスの第１の流れが前記基体表面の選択された部分
    と結合するように前記第２のスプレー装置に関して位置
    されている請求項８記載の装置。
  10. 【請求項１０】 さらに加熱ガスの第２の流れを生成す
    るための第３のスプレー装置と、前記基体表面の前記選
    択された部分に前記加熱ガスの第２の流れを導く手段と
    を含み、前記第３のスプレー装置は前記汚染を除去する
    装置が前記基体表面に平行な方向に移動された場合、前
    記洗浄スノー流が前記基体表面の選択された部分と結合
    する前に前記加熱ガスの第１の流れが前記基体表面の選
    択された部分と結合し、前記洗浄スノー流が前記基体表
    面の選択された部分と結合した後、加熱ガスの前記第２
    の流れが前記基体表面の選択された部分と結合するよう
    に前記第１および第２のスプレー装置に関して位置され
    ている請求項８記載の装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021339A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2013099828A (ja) * 2011-11-09 2013-05-23 Ebara Corp 研磨装置および方法
US9579768B2 (en) 2011-07-19 2017-02-28 Ebara Corporation Method and apparatus for polishing a substrate

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5571335A (en) * 1991-12-12 1996-11-05 Cold Jet, Inc. Method for removal of surface coatings
US5868878A (en) * 1993-08-27 1999-02-09 Hughes Electronics Corporation Heat treatment by plasma electron heating and solid/gas jet cooling
US5514024A (en) * 1993-11-08 1996-05-07 Ford Motor Company Nozzle for enhanced mixing in CO2 cleaning system
US6103016A (en) * 1994-12-05 2000-08-15 Lucent Technologies Inc. Mitigation of electrostatic discharges during carbon dioxide cleaning
US5651834A (en) * 1995-08-30 1997-07-29 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for CO2 cleaning with mitigated ESD
US5616067A (en) * 1996-01-16 1997-04-01 Ford Motor Company CO2 nozzle and method for cleaning pressure-sensitive surfaces
DE19627118C2 (de) * 1996-07-05 2000-04-27 Carl Kramer Verfahren und Vorrichtung zur Abblasung von Medien von Gutoberflächen
US6036786A (en) * 1997-06-11 2000-03-14 Fsi International Inc. Eliminating stiction with the use of cryogenic aerosol
US5961732A (en) * 1997-06-11 1999-10-05 Fsi International, Inc Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol
US7752705B2 (en) * 1997-08-13 2010-07-13 Bissell Homecare, Inc. Extraction cleaning with heating
US5924460A (en) * 1997-09-12 1999-07-20 Jones; Albert P. Method and device for cleaning a barbeque grill
US5928434A (en) * 1998-07-13 1999-07-27 Ford Motor Company Method of mitigating electrostatic charge during cleaning of electronic circuit boards
US6530823B1 (en) 2000-08-10 2003-03-11 Nanoclean Technologies Inc Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US6543462B1 (en) 2000-08-10 2003-04-08 Nano Clean Technologies, Inc. Apparatus for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US6719613B2 (en) * 2000-08-10 2004-04-13 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants utilizing filtered carbon dioxide
US6726549B2 (en) * 2000-09-08 2004-04-27 Cold Jet, Inc. Particle blast apparatus
USH2193H1 (en) * 2001-01-30 2007-07-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of growing homoepitaxial silicon carbide
US6656017B2 (en) 2001-04-24 2003-12-02 David P. Jackson Method and apparatus for creating an open cell micro-environment for treating a substrate with an impingement spray
US20050217706A1 (en) * 2002-04-05 2005-10-06 Souvik Banerjee Fluid assisted cryogenic cleaning
US6852173B2 (en) * 2002-04-05 2005-02-08 Boc, Inc. Liquid-assisted cryogenic cleaning
US7066789B2 (en) * 2002-07-29 2006-06-27 Manoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US7134941B2 (en) * 2002-07-29 2006-11-14 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for residue removal and corrosion prevention in a post-metal etch process
US7101260B2 (en) * 2002-07-29 2006-09-05 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US6764385B2 (en) 2002-07-29 2004-07-20 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and cleaning surfaces substantially free of contaminants
US7297286B2 (en) * 2002-07-29 2007-11-20 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US20040029494A1 (en) * 2002-08-09 2004-02-12 Souvik Banerjee Post-CMP cleaning of semiconductor wafer surfaces using a combination of aqueous and CO2 based cryogenic cleaning techniques
JP4118194B2 (ja) * 2003-06-02 2008-07-16 横河電機株式会社 洗浄装置
DK1756399T3 (da) * 2004-06-14 2010-07-19 Gas Turbine Efficiency Ab Anlæg og indretning til opsamling og behandling af spildevand fra motorvask
WO2006076005A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-20 Boc, Inc. System for cleaning a surface using cryogenic aerosol and fluid reactant
FR2932642B1 (fr) * 2008-06-16 2011-01-07 Air Liquide Procede de brasage de composants electroniques incorporant une etape combinee de refroidissement et nettoyage des cartes apres brasage
KR101792470B1 (ko) * 2012-11-15 2017-11-01 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤 부착물 제거 장치와, 상기 부착물 제거 장치를 이용한 증착 시스템
TWI623968B (zh) * 2015-09-30 2018-05-11 東京威力科創股份有限公司 使用液態二氧化碳以使半導體基板乾燥的方法及設備
US11287753B2 (en) * 2018-02-23 2022-03-29 Asml Netherlands B.V. Cleaning apparatus and methods of cleaning
CN115151379A (zh) 2019-12-31 2022-10-04 冷喷有限责任公司 用于增强的喷射流的方法和装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03145130A (ja) * 1989-10-17 1991-06-20 Applied Materials Inc 物体表面から汚染粒子を除去する装置及び方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58223563A (ja) * 1982-06-15 1983-12-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd アイスプラスト法
US4655847A (en) * 1983-09-01 1987-04-07 Tsuyoshi Ichinoseki Cleaning method
JPS6067077A (ja) * 1983-09-19 1985-04-17 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 被研掃物の研掃方法及び装置
US4631250A (en) * 1985-03-13 1986-12-23 Research Development Corporation Of Japan Process for removing covering film and apparatus therefor
US4817652A (en) * 1987-03-26 1989-04-04 Regents Of The University Of Minnesota System for surface and fluid cleaning
US4806171A (en) * 1987-04-22 1989-02-21 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for removing minute particles from a substrate
DE3844649C2 (ja) * 1987-06-23 1992-04-23 Taiyo Sanso Co. Ltd., Osaka, Jp
JPH0622224B2 (ja) * 1988-03-05 1994-03-23 大阪酸素工業株式会社 パーティクルが少ないか又は含まない液化二酸化炭素の供給
BR8807903A (pt) * 1988-04-25 1991-05-21 Aga Ab Processo de remocao de tinta
US4962891A (en) * 1988-12-06 1990-10-16 The Boc Group, Inc. Apparatus for removing small particles from a substrate
JPH03116832A (ja) * 1989-09-29 1991-05-17 Mitsubishi Electric Corp 固体表面の洗浄方法
US5062898A (en) * 1990-06-05 1991-11-05 Air Products And Chemicals, Inc. Surface cleaning using a cryogenic aerosol
US5125979A (en) * 1990-07-02 1992-06-30 Xerox Corporation Carbon dioxide snow agglomeration and acceleration
JP2529468B2 (ja) * 1990-11-30 1996-08-28 大陽酸素株式会社 半導体ウエハの洗浄装置及び洗浄方法
US5108512A (en) * 1991-09-16 1992-04-28 Hemlock Semiconductor Corporation Cleaning of CVD reactor used in the production of polycrystalline silicon by impacting with carbon dioxide pellets
US5315793A (en) * 1991-10-01 1994-05-31 Hughes Aircraft Company System for precision cleaning by jet spray
US5209028A (en) * 1992-04-15 1993-05-11 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus to clean solid surfaces using a cryogenic aerosol

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03145130A (ja) * 1989-10-17 1991-06-20 Applied Materials Inc 物体表面から汚染粒子を除去する装置及び方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009021339A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US9579768B2 (en) 2011-07-19 2017-02-28 Ebara Corporation Method and apparatus for polishing a substrate
US9969046B2 (en) 2011-07-19 2018-05-15 Ebara Corporation Method and apparatus for polishing a substrate
US10259098B2 (en) 2011-07-19 2019-04-16 Ebara Corporation Method and apparatus for polishing a substrate
JP2013099828A (ja) * 2011-11-09 2013-05-23 Ebara Corp 研磨装置および方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0622129B1 (en) 1998-12-23
CA2122402C (en) 1998-10-06
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EP0622129A3 (en) 1994-12-07
CA2122402A1 (en) 1994-10-31
US5354384A (en) 1994-10-11
DE69415381T2 (de) 1999-08-26
DE69415381D1 (de) 1999-02-04
TW262401B (ja) 1995-11-11

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