JP2003303799A - 表面洗浄装置および表面洗浄方法 - Google Patents

表面洗浄装置および表面洗浄方法

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JP2003303799A
JP2003303799A JP2002108361A JP2002108361A JP2003303799A JP 2003303799 A JP2003303799 A JP 2003303799A JP 2002108361 A JP2002108361 A JP 2002108361A JP 2002108361 A JP2002108361 A JP 2002108361A JP 2003303799 A JP2003303799 A JP 2003303799A
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Junichi Muramoto
准一 村本
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】薬液を使用しないエアロゾル洗浄法において、
被処理体の構造へ損傷を与える程度にまでエアロゾルの
吹き付け速度を増加させることなく、付着物の除去効率
を向上させることのできる表面洗浄装置および表面洗浄
方法を提供する。 【解決手段】エアロゾル噴出手段5により被処理体10
の被処理面に向けて浮遊する微粒子を含むエアロゾル5
1が吹き付けられ、レーザ光照射手段4により光学窓2
2を介して洗浄室2内にレーザ光LBが照射されること
により、エアロゾル51に含まれる微粒子を液化あるい
は気化させる。このようにして液化あるいは気化された
微粒子による流動作用により、被処理体10の被処理面
に付着した付着物が除去される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体基
板、MEMS(Micro Electro Mechanical System)、フ
ォトマスク等の被処理体の表面に付着した有機汚れや無
機汚れ等の付着物を、被処理体の表面から除去する表面
洗浄装置および表面洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造過程において、ウ
ェーハへの付着が許容される付着物のサイズは、パター
ンサイズの最小寸法の約1/2だと考えられている。パ
ターンサイズは近年縮小しており、除去する必要のある
付着物のサイズも同様に縮小している。
【0003】サイズが1μmよりも小さな付着物の除去
は非常に困難である。なぜなら、付着物がウェーハ表面
へ付着している力はその半径(体積に対する等価半径)
に比例する一方で、付着物が液体や気体などの流体から
受ける力はその半径の2乗(断面積)に比例するからで
ある。粒径の小さな付着物は断面積が小さいために流体
の流れから受ける力が小さくなり、十分な除去効果が得
られない。
【0004】このことは、エアブローや純水ブラシなど
流体の作用による除去方法において、1μmよりもサイ
ズが小さい付着物は除去しにくいことからも理解され
る。従って、そのような小さなサイズの付着物の除去
は、基板と付着物のゼータ電位の違いを利用した、アル
カリ性の薬液を用いたウェット洗浄法によって現在遂行
されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】次世代の洗浄プロセス
に対する仕様は、薬液の使用によって発生する基板上の
微細構造物の破壊を防止することである。次世代の半導
体デバイスのスケール・サイズは数10nmであり、そ
の微細構造物内に薬液などの液体が侵入すると液体の表
面張力によって微細構造物が破壊されてしまう。このこ
とは次世代の半導体デバイスの製造プロセスにおいてウ
ェット洗浄法を使用することが困難であることを示して
いる。
【0006】このように、基板上の微細構造物の破壊を
防止する点から、薬液を使用しないドライ・クリーニン
グ法によるウェーハ洗浄を実現することが望まれる。
【0007】ドライ洗浄法の一つに低温エアロゾル洗浄
法が挙げられる。低温エアロゾル洗浄法は二酸化炭素や
アルゴンなどの基板に対して不活性な気体をノズルもし
くは膨張弁で断熱膨張させ、気体中に微粒液体/固体を
形成し、それら微粒液体/固体を基板表面へ吹付けるこ
とにより、付着物を除去するものである。
【0008】低温エアロゾル洗浄法による付着物の除去
のメカニズムは、噴射に伴う気体の流れから受ける流体
流れ、微粒液体/固体の衝突、基板表面での気体および
微粒液体の流動、微粒液体/固体が基板表面で気化/昇
華する際に発生する気体流れであり、およびそれらの複
合作用だと考えられている。
【0009】半導体デバイスの製造プロセスにおいて、
高電流密度のイオン注入が行われた基板表面のレジスト
などは、架橋によるゲル化、固化、炭化が進んでいるた
め非常に強固に基板表面へ付着しており、低温エアロゾ
ル法はそのような強固な付着物を除去することが困難で
ある。低温エアロゾル洗浄法は、エアロゾルの拭きつけ
速度によって洗浄力が制限されるためだからである。
【0010】また、低温エアロゾル洗浄法では、エアロ
ゾルを高速度で基板へ吹付ける場合に、基板表面の力学
的に弱い微細構造物が破壊される恐れがある。そのよう
な微細構造物として中空構造をもつMEMSなどが代表
的である。
【0011】従って、特開平11−297653号公報
に開示されているように、低温エアロゾル洗浄法におけ
る付着物の除去効率を向上させるため、新たな付加ノズ
ルから得られる高速ガスによりエアロゾルを加速し、高
速ガスの保有熱により微粒液体/固体の気化/昇華を促
進する方法では、微細構造物の洗浄に対して機能しない
と考えられる。
【0012】しかしながら、微細構造物の破壊を防止す
るために、ノズルと基板との間の距離を増加させるなど
の手段を用いて、低温エアロゾルの吹き付け速度を減少
させた場合には、表面の付着物除去効率が減少してしま
う。
【0013】レジスト剥離をドライ式に行う手法の他の
一つとして、レーザ・クリーニング法が挙げられる。レ
ーザ・クリーニング法は基板表面と付着物へレーザ光を
照射し、光・熱反応によって付着物を除去する手法であ
る。代表的な例として、特表2000−500285号
公報に開示されているような、オラミル社の提案するレ
ーザ・ストリッピングがある。これは特定の雰囲気(O
2 /O3 とNxy )の供給による付着物の除去を促す
手法である。
【0014】レーザ・クリーニング法における問題点
は、レーザ光の直接照射により基板表面において1nm
以上の損傷が発生することである。これは照射されたレ
ーザ光が基板表面に吸収され、光および熱反応を引き起
こして光解離および融解を引き起こすために発生する。
そのような損傷の発生を抑制するためには、照射するレ
ーザ光の強度およびエネルギーを減少させる手法が採用
されてきたが、この場合には、付着物の除去を行うため
の十分なレーザ光の強度およびエネルギーを確保できず
除去効率が減少してしまう。
【0015】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、薬液を使用しないエアロゾル洗浄
法において、被処理体の構造へ損傷を与える程度にまで
エアロゾルの吹き付け速度を増加させることなく、付着
物の除去効率を向上させることのできる表面洗浄装置お
よび表面洗浄方法を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の表面洗浄装置は、被処理体の被処理面に向
けて浮遊する微粒子を含むエアロゾルを吹き付けるエア
ロゾル噴出手段と、レーザ光を照射して、前記エアロゾ
ルに含まれる前記微粒子を液化あるいは気化させるレー
ザ光照射手段とを有する。
【0017】前記レーザ光照射手段は、前記被処理体に
吸収される波長の前記レーザ光を前記被処理面へ照射し
て、前記被処理体の前記被処理面を加熱することにより
前記エアロゾルに含まれる前記微粒子を液化あるいは気
化させる。
【0018】前記レーザ光照射手段は、前記エアロゾル
に含まれる前記微粒子に吸収される波長の前記レーザ光
を照射して、前記エアロゾルに含まれる前記微粒子を液
化あるいは気化させる。
【0019】上記の本発明の表面洗浄装置によれば、エ
アロゾル噴出手段により被処理体の被処理面に向けて浮
遊する微粒子を含むエアロゾルが吹き付けられ、レーザ
光照射手段によりレーザ光が照射されることにより、エ
アロゾルに含まれる前記微粒子を液化あるいは気化させ
る。このように液化あるいは気化された微粒子による流
動作用により、被処理体の被処理面に付着した付着物が
除去される。
【0020】また、上記の目的を達成するため、本発明
の表面洗浄装置は、被処理体を収容し、レーザ光を透過
する光学窓を備える洗浄室と、前記被処理体の被処理面
に向けて浮遊する微粒子を含むエアロゾルを吹き付ける
エアロゾル噴出手段と、前記光学窓を介して前記洗浄室
内に前記レーザ光を照射して、前記エアロゾルに含まれ
る前記微粒子を液化あるいは気化させるレーザ光照射手
段とを有する。
【0021】前記レーザ光照射手段は、前記被処理体に
吸収される波長の前記レーザ光を前記被処理面へ照射し
て、前記被処理体の前記被処理面を加熱することにより
前記エアロゾルに含まれる前記微粒子を液化あるいは気
化させる。
【0022】前記レーザ光照射手段は、前記エアロゾル
に含まれる前記微粒子に吸収される波長の前記レーザ光
を照射して、前記エアロゾルに含まれる前記微粒子を液
化あるいは気化させる。
【0023】上記の本発明の表面洗浄装置によれば、エ
アロゾル噴出手段により被処理体の被処理面に向けて浮
遊する微粒子を含むエアロゾルが吹き付けられ、レーザ
光照射手段により光学窓を介して洗浄室内にレーザ光が
照射されることにより、エアロゾルに含まれる前記微粒
子を液化あるいは気化させる。このようにして液化ある
いは気化された微粒子による流動作用により、被処理体
の被処理面に付着した付着物が除去される。
【0024】さらに、上記の目的を達成するため、本発
明の表面洗浄方法は、被処理体の被処理面に向けて浮遊
する微粒子を含むエアロゾルを吹きつける工程と、レー
ザ光を照射して、前記エアロゾルに含まれる前記微粒子
を液化あるいは気化させる工程とを有する。
【0025】前記レーザ光を照射する工程において、前
記被処理体に吸収される波長のレーザ光を前記被処理面
へ照射して、前記被処理体の前記被処理面を加熱するこ
とにより前記エアロゾルに含まれる前記微粒子を液化あ
るいは気化させる。
【0026】前記レーザ光を照射する工程において、前
記エアロゾルに含まれる前記微粒子に吸収される波長の
前記レーザ光を照射して、前記エアロゾルに含まれる前
記微粒子を液化あるいは気化させる。
【0027】上記の本発明の表面洗浄方法によれば、被
処理体の被処理面に向けて浮遊する微粒子を含むエアロ
ゾルを吹きつけ、レーザ光を照射してエアロゾルに含ま
れる微粒子を液化あるいは気化させる。このようにして
液化あるいは気化された微粒子による流動作用により、
被処理体の被処理面に付着した付着物が除去される。
【0028】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の表面洗浄装置お
よび表面洗浄方法の実施の形態について、図面を参照し
て説明する。
【0029】第1実施形態 図1は、本実施形態に係る表面洗浄装置の概略構成の一
例を示す図である。図1に示す表面洗浄装置は、大別し
て、例えば洗浄対象となる被処理基板10を収容するチ
ャンバ2と、チャンバ2内に設置され被処理基板10を
保持するステージ3と、チャンバ2内にレーザ光LBを
照射するレーザ光照射手段4と、被処理基板10の表面
へ向けてエアロゾルを吹き付ける吹き付けノズル5と、
被処理基板から除去された付着物とエアロゾルとを吸引
してチャンバ2外へ排出する排気手段6とを有する。
【0030】チャンバ2は、排気手段6により後述する
ように所定の減圧状態になっており、その壁面下部に被
処理基板を搬出入するためのゲートバルブ等からなる気
密ドア21が設置され、さらに、レーザ光LBが入射す
る位置にレーザ光LBを透過する光学窓22が設置され
ており、当該光学窓22は、例えば、石英ガラス等によ
り形成されている。
【0031】ステージ3は、被処理基板10を真空吸着
あるいはメカニカルチャックにより保持し、さらに、被
処理基板10を平面方向に移動させ、かつ、被処理基板
10を回転させるように可動可能に構成されている。こ
れは、例えば、メカニカルステージとモータとの組み合
わせにより実現される。
【0032】レーザ光照射手段4は、レーザ光LBを出
射するレーザ光源41と、反射ミラー42と、反射ミラ
ー42により反射されたレーザ光LBを集光する集光レ
ンズ43とを有する。
【0033】レーザ光源41は、後述するように、被処
理基板10に選択的に吸収される波長のレーザ光LBを
反射ミラー42に向けて出射する。
【0034】反射ミラー42は、ミラー面の角度を変更
する駆動部を備え、これにより、横方向から入射したレ
ーザ光LBの光軸を曲げる角度調整を行い、この動作を
連続的に行なうことにより、被処理基板10に対しレー
ザ光LBを一方向に走査する。
【0035】集光レンズ43は、反射ミラー42により
反射されたレーザ光LBを集光して、被処理基板10の
洗浄領域に集光する。
【0036】吹き付けノズル5は、公知のエアロゾル供
給源に接続され、気体中に微粒液体や微粒固体等の微粒
子が浮遊したエアロゾル51を被処理基板10の表面へ
吹き付けるものである。吹き付けノズル5は、例えば駆
動装置等により接続されており、被処理基板10への吹
き付け位置を制御可能に構成されている。
【0037】例えば、アルゴン固体の微粒子を含むエア
ロゾルを形成する場合には、エアロゾル供給源におい
て、アルゴンガス(Ar)と窒素ガス(N2 )が混合さ
れ、ArとN2 の混合ガスをフィルタに通すことにより
ガス中の不純粒子を除去した後に、冷却器によりアルゴ
ンガスの液化点近くまで冷却される。このようなエアロ
ゾル供給源において冷却された混合ガスが吹き付けノズ
ル5に供給される。吹き付けノズル5に供給され、チャ
ンバ2内に供給された混合ガスは、減圧状態にあるチャ
ンバ2内で急激に断熱膨張して、アルゴンの液体、固体
あるいはこれらの混合物からなる極微粒子のガス状懸濁
物であるエアロゾル51となる。このとき、チャンバ2
内の圧力は、排気手段6により、アルゴンのエアロゾル
を形成するようにアルゴンの三重点以下に維持されてい
る状態にある。
【0038】排気手段6は、被処理基板10上のガス等
を排気し得るように設置され、被処理基板10に供給さ
れたエアロゾル51とともに、被処理基板10から除去
された付着物をチャンバ2外へ排出する排気口61と、
当該排気口61と外部の真空ポンプとを接続する排気管
62とを有する。排気手段6は、上述したアルゴンのエ
アロゾルを用いる場合には、チャンバ2内の圧力をアル
ゴンの三重点(68kPa)以下とするような真空状態
に維持する。
【0039】次に、上記構成の表面洗浄装置を用いた洗
浄動作について、その洗浄原理を示す図2を参照して説
明する。まず、排気手段6によりチャンバ2内が所望の
減圧状態となるように維持された状態で、チャンバ2へ
気密ドア21を介してステージ3に搭載された被処理基
板10を搬入する。
【0040】そして、図2(a)に示すように、ステー
ジ3に搭載された被処理基板10上の付着物11が存在
する領域、すなわち、洗浄領域へ、吹き付けノズル5か
らエアロゾル51を吹き付け、さらに、レーザ光源41
からレーザ光LBを出射し、出射されたレーザ光LB
は、反射ミラー42により反射されて集光レンズ43に
よって、チャンバ2内の例えば被処理基板10の表面に
集光される。
【0041】ここで、レーザ光源41により出射される
レーザ光LBは、そのエネルギーおよび強度が被処理基
板10の表面が融解されるエネルギーよりも十分弱く、
かつ、被処理基板表面へ選択的に吸収される波長のもの
とする。また、吹き付けられたエアロゾル51には、微
粒固体511と微粒液体512の混合物を含むものとす
る。この加熱を目的としたレーザ光の波長は赤外域にな
ると考えられ、例えば、被処理基板10にシリコン基板
を用いた場合には、波長が1.2μm〜6μmでは内部
吸収が少ないことから好ましく用いることができる。
【0042】被処理基板10の表面は、レーザ光LBの
照射によって局所的かつ瞬間的に加熱され、図2(b)
に示すように、加熱された被処理基板表面に到達した微
粒固体511は、被処理基板10の表面から伝達される
熱エネルギーにより、気化して流動ガス511aとな
り、また、融解して流動液体511bとなる。また、同
様にして、微粒液体512も、被処理基板10の表面か
ら伝達される熱エネルギーにより気化して、流動ガス5
12aとなる。
【0043】そして、このようにして発生した流動ガス
511a,512aや、流動液体511bによる流動作
用により、被処理基板10の表面に付着した付着物11
は、被処理基板10の表面から除去される。また、レー
ザ光LBが照射されることによる付着物の光反応や、熱
エネルギーが付着物11にも伝達されることによる付着
物11の熱反応の効果も相まって、付着物11の除去が
促進される。除去された付着物11は、排気手段6の排
気口61へエアロゾル51とともに吸気されて、チャン
バ2外へ排出される。
【0044】上記の除去作用は、前述した特開平11−
297653号公報のように、高速のガス吹き付けをす
ることなく除去効率を促進することを意味する。これ
は、基板表面に力学的に弱く、気体の高速吹き付けによ
り破壊されやすい微細構造物の洗浄法として有益であ
る。
【0045】上記のエアロゾル51の吹き付けおよびレ
ーザ光LBの照射を、被処理基板10に付着された付着
物に対して、選択的に行なう場合の洗浄領域の制御は、
以下のようにして行なう。
【0046】すなわち、図3に示すように、先の工程に
おいて表面検査機により付着物11の位置を計測してお
き(ステップST1)、当該表面検査機において計測さ
れた付着物11の位置データを当該表面洗浄装置へ伝送
する(ステップST2)。そして、先に伝送された付着
物11の位置データに応じた位置にレーザ光を照射する
ように反射ミラー42の反射面の角度を制御し、さら
に、吹き付けノズル5の吹き付け位置を制御する(ステ
ップST3)。以上のようにして、被処理基板10の洗
浄領域を制御することにより、表面検査機により計測さ
れた付着物11の全てが除去される。
【0047】なお、上記のように付着物11の存在する
位置のみ局所的に洗浄領域を制御する他、被処理基板1
0の表面の全面を洗浄するようにしてもよい。以下に、
ステージ3に搭載された被処理基板10の全面を洗浄す
るための洗浄方法について説明する。
【0048】例えば、図4(a)に示すように、吹き付
けノズル5による被処理基板10へのエアロゾルの吹き
付け領域Ar1が、被処理基板10の径よりも大きくな
るような線状とする。レーザ光LBについては、吹き付
け領域Ar1中を反射ミラー42を制御してレーザ光L
Bを一方向に走査するか、あるいは、吹き付け領域Ar
1の全領域を一括して照射できるようにする。吹き付け
領域Ar1の全領域へのレーザ光LBの一括照射は、例
えば、集光レンズ43にシリンドリカルレンズを採用す
ることにより達成される。そして、吹き付けノズル5は
固定し、被処理基板10を矢印d1方向に移動させるこ
とにより、被処理基板10の表面を洗浄する。
【0049】また、図4(b)に示すように、図4
(a)と同様の吹き付け領域Ar1を形成したままで、
被処理基板10を固定しておき、吹き付けノズル5を移
動させて吹き付け領域Ar1を被処理基板10上で矢印
d2方向に移動させ、当該吹き付け領域Ar1の移動に
同期させて、反射ミラー42の反射面を制御することに
よりレーザ光LBの照射領域が吹き付け領域Ar1に対
応して移動させるようにする。
【0050】また、図5(c)に示すように、吹き付け
ノズル5による被処理基板10へのエアロゾルの吹き付
け領域Ar1をスポット状とし、当該吹き付け領域Ar
1に重なるようにレーザ光LBの照射領域Ar2を形成
し、吹き付けノズル5を移動させることでエアロゾルの
吹き付け領域Ar1を矢印d3方向(径方向)に走査し
つつ、ステージ3を矢印d5方向に回転させることによ
り、被処理基板10の全面を洗浄する。このとき、吹き
付け領域Ar1の矢印d3方向への走査に同期させて、
反射ミラー42の反射面を制御することによりレーザ光
LBの照射領域Ar2を吹き付け領域Ar1に対応して
矢印d4方向へ走査するようにする。
【0051】また、図5(d)に示すように、吹き付け
ノズル5による被処理基板10へのエアロゾルの吹き付
け領域Ar1を被処理基板10の半径程度の線状とし、
当該吹き付け領域Ar1内において、反射ミラー42の
制御によりスポット状のレーザ光LBの照射領域Ar2
を矢印d6方向に走査しつつ、ステージ3を矢印d7方
向に回転させることにより、被処理基板10の全面を洗
浄する。
【0052】以上のように、被処理基板10の全面を洗
浄する方法は、種々の方法があり、これに限定されるも
のではない。
【0053】上記の本実施形態に係る表面洗浄装置およ
び表面洗浄方法によれば、被処理基板10の表面を、レ
ーザ光LBの照射によって局所的かつ瞬間的に加熱し、
図2(b)に示すように、加熱された被処理基板表面か
ら伝達される熱エネルギーにより、被処理基板10の表
面に到達した微粒固体511や微粒液体512を融解お
よび気化させて、流動ガス511a,512aや流動液
体511bを発生させ、当該流動ガス511a,512
aや流動液体511bによる流動作用により、被処理基
板10の表面に付着した付着物11を、被処理基板10
の表面から除去している。また、レーザ光LBが照射さ
れることによる付着物11の光反応や、熱エネルギーが
付着物11にも伝達されることによる付着物11の熱反
応の効果も相まって、付着物11の除去が促進される。
【0054】従って、低温エアロゾルを用いた洗浄にお
いて、高速のエアロゾルの吹き付けをすることなく除去
効率を促進させることができ、イオン注入後のレジスト
のような非常に強固に固着した付着物11を除去するこ
とも可能となる。力学的に弱く、気体の高速吹き付けに
より破壊されやすい微細構造物が表面に形成された被処
理基板10の洗浄にも適用できる。
【0055】また、被処理基板10の表面から除去され
た付着物11は、排気口61によりエアロゾル51とと
もに吸引されることから、除去された付着物11の被処
理基板10への再付着を防止することができる。
【0056】ここで、レーザ光LBは、被処理基板10
を瞬間的に加熱させるために使用するものであるから、
被処理基板10へ選択的に吸収される波長であれば、そ
のエネルギーおよび強度を被処理基板10の表面が融解
されるエネルギーよりも十分弱くすることができること
から、レーザ光LBによる被処理基板10への損傷もな
い。
【0057】なお、上記の効果を得るための洗浄装置の
構成は、従来の低温エアロゾル洗浄法に使用する装置の
チャンバーに光学窓を配置し、光照射手段4を設けるこ
とによって達成することができ、新たな付加ノズルの設
置やその制御等の必要性はない。
【0058】第2実施形態 図6は、本実施形態に係る表面洗浄装置の概略構成の一
例を示す図である。図6に示す表面洗浄装置では、チャ
ンバ2には、その壁面下部の両側に被処理基板10を搬
出入するためのゲートバルブ等からなる気密ドア21
a,21bが設置されており、さらに、被処理基板10
の表面上でガス流を形成させるための遮蔽板23が設置
されている。
【0059】また、第1実施形態の排気手段6の代わり
に、遮蔽板23が設置された側から例えば窒素ガス等の
パージガスを供給する供給口81がチャンバ2に設置さ
れており、さらに、エアロゾル、パージガス、および被
処理基板10から除去された付着物をチャンバ2外へ排
出する排気口82が設置されている。排気口82は、第
1実施形態と同様に、例えば、アルゴンのエアロゾルを
用いる場合には、アルゴンの三重点(68kPa)以下
とするような真空状態に維持する。
【0060】上記の遮蔽板23を挟んで設置された供給
口81および排気口82により、被処理基板10の表面
に平行に流れるガス流が形成されるように構成されてい
る。なお、その他の構成は、第1実施形態と同様である
ため、その説明は省略する。
【0061】次に、上記構成の表面洗浄装置を用いた洗
浄動作について説明する。まず、チャンバ2へ気密ドア
21aを介してステージ3に搭載された被処理基板10
を搬入する。ステージ3に搭載された被処理基板10
は、矢印d8の示す方向に搬入される。
【0062】吹き付けノズル5によってエアロゾル51
が被処理基板10上に吹き付けられ、また、エアロゾル
51が吹き付けられる被処理基板10上に、光学窓22
を通してレーザ光LBが照射される。
【0063】上記のエアロゾル51の吹き付けおよびレ
ーザ光LBの照射の際には、チャンバ2へ被処理基板1
0に対して不活性なパージガス80を供給口81から導
入する。このとき、遮蔽板の供給口81側は圧力が相対
的に高い状態となり、排気口82側は圧力が相対的に低
い状態となることから、供給口81から排気口82へ
と、矢印に示すように被処理基板10の表面にパージガ
ス80のガス流が形成される。
【0064】従って、エアロゾル51の吹き付けおよび
レーザ光LBの照射により、被処理基板10から除去さ
れた付着物は、パージガス80のガス流に乗って排気口
82へと搬送され、既に清浄化された被処理基板10の
被処理面へ再付着することが防止される。
【0065】上記のエアロゾル51およびレーザ光LB
を用いた付着物の除去を、被処理基板10に付着された
付着物に対して、選択的に行なう場合の洗浄領域の制御
は、第1実施形態と同様であるが、特に、全面洗浄を行
なう際には、第1実施形態において説明した図4(a)
あるいは図4(b)に示す方法のように、被処理基板1
0の一方向側から順に洗浄していく方法が好ましく用い
られる。
【0066】その後、表面の洗浄が行なわれた被処理基
板10は、気密ドア21bを介してチャンバ2外へ搬出
されることとなる。
【0067】上記の本実施形態に係る表面洗浄装置およ
び表面洗浄方法によれば、第1実施形態の効果に加え、
エアロゾル51の吹き付けおよびレーザ光LBの照射に
より、被処理基板10から除去された付着物は、パージ
ガス80のガス流に乗って排気口82へと搬送されるこ
とから、第1実施形態に比して、既に清浄化された被処
理基板10の被処理面へ除去後の付着物が再付着する効
果を向上させることができる。
【0068】第3実施形態 図7は、本実施形態に係る表面洗浄装置の概略構成の一
例を示す図である。第1および第2実施形態では、被処
理基板10の上方からレーザ光LBを被処理基板10へ
向けて照射する構成について説明したが、本実施形態で
は、レーザ光LBを被処理基板10の表面に平行に照射
して、被処理基板10へレーザ光が照射されないように
構成されているものである。
【0069】すなわち、チャンバ2の側壁には、レーザ
光LBが入射する位置および出射する位置に、レーザ光
LBを透過する光学窓22a,22bが設置されてお
り、この光学窓22a,22bは、例えば、石英ガラス
等により形成されている。
【0070】レーザ光照射手段4aは、レーザ光源41
aと、レーザ光源41aにより出射されたレーザ光LB
を集光する集光レンズ43aとを有する。
【0071】レーザ光源41aは、後述するように、吹
き付けノズル5により吹き付けられたエアロゾル51に
含まれる微粒液体や微粒固体等の微粒子に選択的に吸収
される波長のレーザ光LBを集光レンズ43aに向けて
出射する。
【0072】集光レンズ43aは、例えば清浄化を行う
被処理基板10の表面に対して平行に入射されるレーザ
光LBを、被処理基板10の洗浄領域の上方に集光す
る。なお、集光レンズ43aは、図示しない駆動機構に
接続されており、光学窓22aとの距離を変えることに
より、レーザ光LBの進行方向における焦点位置を制御
可能に構成されている。
【0073】また、チャンバ2外には、光学窓22bか
ら出射されるレーザ光を受光して、当該レーザ光LBを
減衰させる光ダンパ9が設けられている。
【0074】図8は、光ダンパ9の一構成例を説明する
ための断面図である。図8に示すように、光ダンパ9
は、レーザ光LBの入射側の壁にレーザ光の取り込み口
91が設けられた直方体の筐体90と、高反射率を有す
る2枚の反射板92と、筐体90に接続された吸気管9
3とを有する。
【0075】取り込み口91は開放していても良いが、
ダンパ外部側に反射防止膜を形成したりダンパ内部側へ
反射膜を成膜した光学窓を配置することにより構成され
ていてもよい。
【0076】2枚の反射板92は、取り組み口91とは
反対側の一端が互いに貼り合わされて筐体90内に配置
されており、取り込み口91から入射されたレーザ光L
Bを矢印に示す経路に従って、2枚の反射板92のお互
いが張り合わさる位置へ導き、レーザ光LBを終端させ
る。反射板92の材質は、例えばアルミニウムなどが挙
げられる。
【0077】吸気管93は、例えば、レーザ光LBの取
り込み口91の付近に設置されており、図示しない真空
ポンプ等に接続されている。反射率の高い材質により反
射板92が構成されていても、レーザ光LBの反射の際
にわずかに表面がアブレーションされるため、吸気管9
3は、それによって発生した塵埃を筐体90の外部へ排
出する。
【0078】また、反射板92は、図示しない冷却機構
を備える。なぜならば、2枚の反射板92の接合部分に
おいてレーザ光のエネルギーが吸収され、発熱により熱
損傷の発生が懸念されるためである。冷却原理は循環水
の供給や、ペルチエ素子による電気的冷却等の公知の技
術によるものとする。
【0079】次に、上記構成の表面洗浄装置を用いた洗
浄動作について、その洗浄原理を示す図9を参照して説
明する。まず、排気手段6によりチャンバ2内が所望の
減圧状態となるように維持された状態で、チャンバ2内
へ気密ドア21を介してステージ3に搭載された被処理
基板10を搬入する。
【0080】そして、図9(a)に示すように、ステー
ジ3に搭載された被処理基板10上の付着物11が存在
する領域、すなわち、洗浄領域へ、吹き付けノズル5か
らエアロゾル51を吹き付け、さらに、レーザ光源41
aから被処理基板10の表面に平行にレーザ光LBを出
射し、出射されたレーザ光LBは、集光レンズ43aに
よって、被処理基板10の洗浄領域の上方に集光され
る。
【0081】ここで、吹き付けられたエアロゾル51に
は、微粒固体511と微粒液体512との混合物を含む
ものとする。また、レーザ光源41aにより出射される
レーザ光LBは、エアロゾル51に含まれる微粒固体5
11や微粒液体512等の微粒子に選択的に吸収される
波長のものとする。この波長は、用いるエアロゾルの吸
収スペクトルを測定することにより決定される。
【0082】エアロゾルに含まれる微粒固体511や微
粒液体512に吸収される波長のレーザー光LBを照射
することにより、図9(b)に示すように、被処理基板
10の洗浄領域へ向かう微粒固体511は、レーザ光L
Bのエネルギーにより、気化して流動ガス511aとな
り、また、同様にして、微粒液体512も気化して、流
動ガス512aとなる。
【0083】そして、このようにして発生した流動ガス
511a,512aによる流動作用により、被処理基板
10の表面に付着した付着物11は、被処理基板10の
表面から除去される。除去された付着物11は、排気手
段6の排気口61へエアロゾル51とともに吸気され
て、チャンバ2外へ排出される。
【0084】上述した洗浄領域の制御は、集光レンズ4
3aを駆動機構により移動させて光学窓22aとの距離
を換えることによりレーザ光LBの進行方向における焦
点位置を制御し、この焦点位置に合わせて吹き付けノズ
ル5を移動させることにより一方向における洗浄領域の
制御が可能である。そして、上記に加えてステージ3に
よる被処理基板10の移動を併用することにより、被処
理基板10の平面方向における付着物の局所的な除去が
可能である。なお、このときの処理フローは、第1実施
形態の図3に示したのと同様に行なう。
【0085】また、第1実施形態において説明した図4
〜図5に示す方法により、被処理基板10の表面の全面
を洗浄することもできる。
【0086】上記の本実施形態に係る表面洗浄装置およ
び表面洗浄方法によれば、被処理基板10の表面に平行
に、エアロゾルに含まれる微粒固体511や微粒液体5
12に吸収される波長のレーザー光LBを照射すること
により、図9(b)に示すように、被処理基板10の洗
浄領域へ向かう微粒固体511および微粒気体512を
気化させて、流動ガス511a,512aを発生させ、
当該流動ガス511a,512aによる流動作用によ
り、被処理基板10の表面に付着した付着物11を、被
処理基板10の表面から除去している。
【0087】従って、低温エアロゾルを用いた洗浄にお
いて、高速のエアロゾルの吹き付けをすることなく除去
効率を促進させることができ、イオン注入後のレジスト
のような非常に強固に固着した付着物を除去することも
可能となる。また、力学的に弱く、気体の高速吹き付け
により破壊されやすい微細構造物が表面に形成された被
処理基板10の洗浄にも適用できる。
【0088】また、被処理基板10の表面から除去され
た付着物11は、排気口61によりエアロゾル51とと
もに吸引されることから、除去された付着物11の被処
理基板10への再付着を防止することができる。
【0089】ここで、レーザ光LBは、被処理基板10
へは照射されないことから、エアロゾルに含まれる微粒
固体511や微粒液体512に吸収される波長であれ
ば、そのエネルギーおよび強度に制限はなく、また、レ
ーザ光LBによる被処理基板10への損傷もない。
【0090】なお、上記の効果を得るための洗浄装置の
構成は、従来の低温エアロゾル洗浄法に使用する装置の
チャンバーに光学窓を配置し、レーザ光照射手段4aを
設けることによって達成することができ、新たな付加ノ
ズルの設置やその制御等の必要性はない。
【0091】本発明は、上記の実施形態の説明に限定さ
れない。本実施形態において用いるエアロゾルやパージ
ガス等の種類は特に限定されるものでなく、被処理基板
および付着物の種類に応じた種々のものを適用すること
ができる。また、例えば、レーザ光の被処理基板への走
査は、本実施形態で説明した他、公知の電気光学偏向素
子や音響光学偏向素子等を用いる方法を採用することも
できる。
【0092】また、第1実施形態において、レーザ光源
41は、被処理基板10に選択的に吸収される波長のレ
ーザ光LBを出射する例について説明したが、この場合
においても、第3実施形態のようにエアロゾルに含まれ
る微粒液体や微粒固体等の微粒子に選択的に吸収される
波長のレーザ光LBを被処理基板10の上方から出射す
ることにより、被処理基板10に付着した付着物を除去
することも可能である。
【0093】また、第3実施形態では、レーザ光を被処
理基板の表面に平行に入射させることにより、レーザ光
を被処理基板へ照射させない例について説明したが、レ
ーザ光の入射角度についてはこれに限られるものでな
く、レーザ光が被処理基板へ照射されない限りにおい
て、種々の角度をもたせてもよい。さらに、第3実施形
態においても、第2実施形態のように、パージガスを供
給して被処理基板10の表面にガス流を形成するように
してもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々の変更が可能である。
【0094】
【発明の効果】本発明によれば、薬液を使用しないエア
ロゾル洗浄法において、被処理体の構造へ損傷を与える
程度にまでエアロゾルの吹き付け速度を増加させること
なく、付着物の除去効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る表面洗浄装置の概略構成の
一例を示す図である。
【図2】第1および第2実施形態に係る表面洗浄装置に
おける洗浄原理を説明するための図である。
【図3】被処理基板の表面洗浄を局所的に行なうための
フローチャートである。
【図4】被処理基板を全面洗浄する方法を説明するため
の図である。
【図5】被処理基板を全面洗浄する他の方法を説明する
ための図である。
【図6】第2実施形態に係る表面洗浄装置の概略構成の
一例を示す図である。
【図7】第3実施形態に係る表面洗浄装置の概略構成の
一例を示す図である。
【図8】第3実施形態に係る表面洗浄装置の光ダンパの
一構成例を説明するための断面図である。
【図9】第3実施形態に係る表面洗浄装置における洗浄
原理を説明するための図である。
【符号の説明】
2…チャンバ、3…ステージ、4,4a…レーザ光照射
手段、5…吹き付けノズル、6…排気手段、9…光ダン
パ、10…被処理基板、11…付着物、21,21a,
21b…気密ドア、22,22a,22b…光学窓、2
3…遮蔽板、41,41a…レーザ光源、42…反射ミ
ラー、43,43a…集光レンズ、51…エアロゾル、
61…排気口、62…排気管、80…パージガス、81
…供給口、82…排気口、90…筐体、91…取り込み
口、92…反射板、93…吸気管、511…微粒固体、
511a…流動ガス、511b…流動液体、512…微
粒液体、512a…流動ガス、Ar1…エアロゾル吹き
付け領域、Ar2…レーザ光照射領域。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被処理体の被処理面に向けて浮遊する微粒
    子を含むエアロゾルを吹き付けるエアロゾル噴出手段
    と、 レーザ光を照射して、前記エアロゾルに含まれる前記微
    粒子を液化あるいは気化させるレーザ光照射手段とを有
    する表面洗浄装置。
  2. 【請求項2】前記レーザ光照射手段は、前記被処理体に
    吸収される波長の前記レーザ光を前記被処理面へ照射し
    て、前記被処理体の前記被処理面を加熱することにより
    前記エアロゾルに含まれる前記微粒子を液化あるいは気
    化させる請求項1記載の表面洗浄装置。
  3. 【請求項3】前記レーザ光照射手段は、前記エアロゾル
    に含まれる前記微粒子に吸収される波長の前記レーザ光
    を照射して、前記エアロゾルに含まれる前記微粒子を液
    化あるいは気化させる請求項1記載の表面洗浄装置。
  4. 【請求項4】吹き付けられた前記エアロゾルおよび前記
    被処理面より除去された付着物を排出する排気手段をさ
    らに有する請求項1記載の表面洗浄装置。
  5. 【請求項5】前記被処理体の前記被処理面上にガス流を
    形成し得るパージガスを供給するパージガス供給手段を
    さらに有し、前記排気手段は、前記パージガス、前記エ
    アロゾルおよび前記付着物を排出する請求項4記載の表
    面洗浄装置。
  6. 【請求項6】被処理体を収容し、レーザ光を透過する光
    学窓を備える洗浄室と、 前記被処理体の被処理面に向けて浮遊する微粒子を含む
    エアロゾルを吹き付けるエアロゾル噴出手段と、 前記光学窓を介して前記洗浄室内に前記レーザ光を照射
    して、前記エアロゾルに含まれる前記微粒子を液化ある
    いは気化させるレーザ光照射手段とを有する表面洗浄装
    置。
  7. 【請求項7】前記レーザ光照射手段は、前記被処理体に
    吸収される波長の前記レーザ光を前記被処理面へ照射し
    て、前記被処理体の前記被処理面を加熱することにより
    前記エアロゾルに含まれる前記微粒子を液化あるいは気
    化させる請求項6記載の表面洗浄装置。
  8. 【請求項8】前記レーザ光照射手段は、前記エアロゾル
    に含まれる前記微粒子に吸収される波長の前記レーザ光
    を照射して、前記エアロゾルに含まれる前記微粒子を液
    化あるいは気化させる請求項6記載の表面洗浄装置。
  9. 【請求項9】吹き付けられた前記エアロゾルおよび前記
    被処理面より除去された付着物を排出する排気手段をさ
    らに有する請求項6記載の表面洗浄装置。
  10. 【請求項10】前記被処理体の前記被処理面上にガス流
    を形成し得るパージガスを供給するパージガス供給手段
    をさらに有し、前記排気手段は、前記パージガス、前記
    エアロゾルおよび前記付着物を排出する請求項9記載の
    表面洗浄装置。
  11. 【請求項11】被処理体の被処理面に向けて浮遊する微
    粒子を含むエアロゾルを吹きつける工程と、 レーザ光を照射して、前記エアロゾルに含まれる前記微
    粒子を液化あるいは気化させる工程とを有する表面洗浄
    方法。
  12. 【請求項12】前記レーザ光を照射する工程において、
    前記被処理体に吸収される波長のレーザ光を前記被処理
    面へ照射して、前記被処理体の前記被処理面を加熱する
    ことにより前記エアロゾルに含まれる前記微粒子を液化
    あるいは気化させる請求項11記載の表面洗浄方法。
  13. 【請求項13】前記レーザ光を照射する工程において、
    前記エアロゾルに含まれる前記微粒子に吸収される波長
    の前記レーザ光を照射して、前記エアロゾルに含まれる
    前記微粒子を液化あるいは気化させる請求項11記載の
    表面洗浄方法。
  14. 【請求項14】前記エアロゾルを吹き付ける工程および
    前記レーザ光を照射する工程において、前記被処理体の
    前記被処理面上にガス流を形成し得るパージガスを供給
    しながら前記エアロゾルの吹き付けおよび前記レーザ光
    の照射を行なう請求項11記載の表面洗浄方法。
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