JPS60165727A - 半導体ウエ−ハの乾燥方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの乾燥方法Info
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- JPS60165727A JPS60165727A JP2145884A JP2145884A JPS60165727A JP S60165727 A JPS60165727 A JP S60165727A JP 2145884 A JP2145884 A JP 2145884A JP 2145884 A JP2145884 A JP 2145884A JP S60165727 A JPS60165727 A JP S60165727A
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- drying
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0092—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェーハ（以下却にウェーハとも言う）
の乾燥方法に関する。
の乾燥方法に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕一般にウェーハ
はウェーハカセットと呼ばれる治具にセットされた状態
で洗浄や乾燥が行なわｊる。従来の代表的な乾燥装置と
しては、例えば第１図に示すように、下底部に排水管λ
を有する固定ドラムｌの内側に回転ドラム３が同心配置
され、且つ、この回転ドラム３が固定ドラムｌの軸心部
を貫通するスピンドル弘に結合されたものがおったＯ ここで、ウェーハカセットｊにセットされた多数のウェ
ーハｔを回転ドラム３に装入した後、スピンドル弘を高
速回転させると、ウェーハ６はウェーハカセットｊと共
に回転ドラム３の内周面に押し付けられ、１つ、ウェー
ハ乙に付着中の水分は遠心力により周側部に穿設された
開口を通して振り切られる。
はウェーハカセットと呼ばれる治具にセットされた状態
で洗浄や乾燥が行なわｊる。従来の代表的な乾燥装置と
しては、例えば第１図に示すように、下底部に排水管λ
を有する固定ドラムｌの内側に回転ドラム３が同心配置
され、且つ、この回転ドラム３が固定ドラムｌの軸心部
を貫通するスピンドル弘に結合されたものがおったＯ ここで、ウェーハカセットｊにセットされた多数のウェ
ーハｔを回転ドラム３に装入した後、スピンドル弘を高
速回転させると、ウェーハ６はウェーハカセットｊと共
に回転ドラム３の内周面に押し付けられ、１つ、ウェー
ハ乙に付着中の水分は遠心力により周側部に穿設された
開口を通して振り切られる。
かかる乾燥装置にあっては、回転ドラムの中心部に純水
を供給したときこの純水の飛散によってウェーハｔが洗
浄されるので、洗浄の直後に乾燥を行い得るという優れ
た利点を有している。
を供給したときこの純水の飛散によってウェーハｔが洗
浄されるので、洗浄の直後に乾燥を行い得るという優れ
た利点を有している。
ところで、この洗浄の用台に拘わらず高速回転による乾
燥、すなわち１回転乾燥にあっては次に述べる欠点がめ
った。
燥、すなわち１回転乾燥にあっては次に述べる欠点がめ
った。
ａ）回転Ｆ構や可動部分が多いためダストか発生しやす
く、このダストが回転によって生じた気流によってドラ
ム内を漂遊することから、ウェ−ハへの付着が避けられ
なかった。
く、このダストが回転によって生じた気流によってドラ
ム内を漂遊することから、ウェ−ハへの付着が避けられ
なかった。
１））回転運動によってウェーハに比較的大きな刀が加
わるため、こｊがウェーハの破損原因となる他、ドラム
から破片を除去するに多大な時間を費すことかめった。
わるため、こｊがウェーハの破損原因となる他、ドラム
から破片を除去するに多大な時間を費すことかめった。
Ｃ）乾燥所要時間が長くなると同時に、上述した漂遊ダ
ストが付着しやすくなる。
ストが付着しやすくなる。
ｄ）パッチ処理が可能であるが、自動化ラインに組み込
み難かった。
み難かった。
本発明は上記の欠点を除去するためになさｎたもので、
ダストの付着を着しく低く抑さえ得１．目つ、破損のな
い高？將燥を実現し得る半導体つ工−ハの乾燥方法の提
供を目的とする。
ダストの付着を着しく低く抑さえ得１．目つ、破損のな
い高？將燥を実現し得る半導体つ工−ハの乾燥方法の提
供を目的とする。
この目的を達成するために本発明は、半導体ウェーハに
付着中の水分を、第２図の水の状態図における融解曲線
以下に冷却ｉ−で氷結させ、次いで雰囲気をこの状態図
における列華曲線以下に減圧することによって氷結水分
を昇華させると共に、昇華による水蒸気を前記半導体ウ
ェーハの近傍から除去することをモ像としている。
付着中の水分を、第２図の水の状態図における融解曲線
以下に冷却ｉ−で氷結させ、次いで雰囲気をこの状態図
における列華曲線以下に減圧することによって氷結水分
を昇華させると共に、昇華による水蒸気を前記半導体ウ
ェーハの近傍から除去することをモ像としている。
卯、３図は本発明を実施する装置の一例で、同図ｔａｌ
ね部分的に破断１−７て示した斜視図、同図ｔｂｌはそ
の縦断１１１１図である。ここで、下底面および外周面
が図示しない断熱材で棲わｎた盤体／／と、折り曲げた
状態でこの盤体／／を１通する管／：１．と、この管１
２内に例えば液体窒素Ｎ！吟の低温流体を流す図示しガ
い流体連流手段とで冷却装置／３が構成されている。捷
だ、盤体ｌ／の上底面には蓋／ＩＩが被せられ、この両
者によってウェーハｔを収納し得る空間、すなわち、ウ
ェーハ収納空間が形成、されている。また、蓋７Ｍの底
部にはパルプ１６を介設した管１５およびパルプ／ざを
介設し、たもう一つの管１７の一端部がそれぞわ接続さ
扛、このうち管／３の他端部はウェーハ収納空間に清浄
な空気を送給する図示し々いポンプに、管１７の他端部
はウェーハ収納空間をＯｏを気圧以下に保持し得る排気
ポンプ１９にそワソれ接続されている。
ね部分的に破断１−７て示した斜視図、同図ｔｂｌはそ
の縦断１１１１図である。ここで、下底面および外周面
が図示しない断熱材で棲わｎた盤体／／と、折り曲げた
状態でこの盤体／／を１通する管／：１．と、この管１
２内に例えば液体窒素Ｎ！吟の低温流体を流す図示しガ
い流体連流手段とで冷却装置／３が構成されている。捷
だ、盤体ｌ／の上底面には蓋／ＩＩが被せられ、この両
者によってウェーハｔを収納し得る空間、すなわち、ウ
ェーハ収納空間が形成、されている。また、蓋７Ｍの底
部にはパルプ１６を介設した管１５およびパルプ／ざを
介設し、たもう一つの管１７の一端部がそれぞわ接続さ
扛、このうち管／３の他端部はウェーハ収納空間に清浄
な空気を送給する図示し々いポンプに、管１７の他端部
はウェーハ収納空間をＯｏを気圧以下に保持し得る排気
ポンプ１９にそワソれ接続されている。
（３）
第３図において、ＩｋＩＱを開けて純水洗浄砂のウェー
ハｔを冷却装ｇｔ３にＭＷし、次いで蓋ＩＱを閉じるこ
とによってウェーハｔを収納する。この前後に液体窒素
Ｎ！を管１２に流し始めると冷却装置１３がウェーハ６
から熱を奪うため、これに付着した水分７は間接的に冷
却されて氷となる。ここで、パルプ／ざを開放すると共
に、排気ポンプ／ｌによってウェーハ収納空間をｏ、ｒ
５圧川下に保持すると氷が昇華ｌて水蒸気の状態で排気
さむ、る。次に、氷が完全に昇華した時点でバルブ１６
を開放し、ウェーハ収納空間に清浄な空気を満たすこと
によって乾燥が終了し、ここでウェーハｔををり出し得
る状態になる。
ハｔを冷却装ｇｔ３にＭＷし、次いで蓋ＩＱを閉じるこ
とによってウェーハｔを収納する。この前後に液体窒素
Ｎ！を管１２に流し始めると冷却装置１３がウェーハ６
から熱を奪うため、これに付着した水分７は間接的に冷
却されて氷となる。ここで、パルプ／ざを開放すると共
に、排気ポンプ／ｌによってウェーハ収納空間をｏ、ｒ
５圧川下に保持すると氷が昇華ｌて水蒸気の状態で排気
さむ、る。次に、氷が完全に昇華した時点でバルブ１６
を開放し、ウェーハ収納空間に清浄な空気を満たすこと
によって乾燥が終了し、ここでウェーハｔををり出し得
る状態になる。
この第３図に示した乾燥装置は、１枚若しくは数枚のウ
ェーハを間接的に冷却して乾燥するものであるが、ウェ
ーハカセットにセットされた状態の多数のウェーハを同
時に乾燥するには付着水分を直接的に冷却する必要があ
る。
ェーハを間接的に冷却して乾燥するものであるが、ウェ
ーハカセットにセットされた状態の多数のウェーハを同
時に乾燥するには付着水分を直接的に冷却する必要があ
る。
第グ図は斯かる冷却法によって本発明を実施する装置の
構成例で、筒状伸壁を有する容器本体コ／（４＝） と、これに被せられる蓋ｎとでウェーハ収納容器が形成
され、さらに、容器本体２／の底部にはバルブ２３を介
設した管Ｊ、およびバルブ２５を介設したもう一つの管
２乙の一端部がそれぞれ接続され、このうち、管２１１
の他端部には液体窒素Ｎ、および気体窒素を送給する図
示しない窒素送給装置が接続され、％ｆ２６の他端部に
はウェーハ収納容器内をｏ、ｔｒ気圧以下に保持し得る
排気ポンプ：１．７が接続されている。
構成例で、筒状伸壁を有する容器本体コ／（４＝） と、これに被せられる蓋ｎとでウェーハ収納容器が形成
され、さらに、容器本体２／の底部にはバルブ２３を介
設した管Ｊ、およびバルブ２５を介設したもう一つの管
２乙の一端部がそれぞれ接続され、このうち、管２１１
の他端部には液体窒素Ｎ、および気体窒素を送給する図
示しない窒素送給装置が接続され、％ｆ２６の他端部に
はウェーハ収納容器内をｏ、ｔｒ気圧以下に保持し得る
排気ポンプ：１．７が接続されている。
第μ図において、蓋２２を開き、次いで、純水洗浄を終
了したウェーハ乙を、ウェーハカセットｊごと容器本体
ユコの内部に入ｎ、次いで蓋Ｕを閉じる。ここでバルブ
Ｊを短時間だけ開放してウェーハ収納容器内に液体窒素
を流入させるとウェーハ乙に付着り、た水分が直接冷却
さ扛て氷になる。
了したウェーハ乙を、ウェーハカセットｊごと容器本体
ユコの内部に入ｎ、次いで蓋Ｕを閉じる。ここでバルブ
Ｊを短時間だけ開放してウェーハ収納容器内に液体窒素
を流入させるとウェーハ乙に付着り、た水分が直接冷却
さ扛て氷になる。
次に、ウェーハ乙に付着した水分の全てが氷に彦る時点
を見計らってパルプ２５を開放し、排気ポンプ２りによ
ってウェーハ収納容器内をＯ１ｌ気圧以下に減圧する。
を見計らってパルプ２５を開放し、排気ポンプ２りによ
ってウェーハ収納容器内をＯ１ｌ気圧以下に減圧する。
この結果、氷結水分は昇華して水蒸気の形ヤ排気される
。 ′ 次に、パルプ２５を閉成する一方、バルブ２３を開放し
てウェーハ収納容器内に気体窒素を送給すると、上述し
たと同様な乾燥が行なわ１１、月つ、ウェーハををり出
し得る状態になる。
。 ′ 次に、パルプ２５を閉成する一方、バルブ２３を開放し
てウェーハ収納容器内に気体窒素を送給すると、上述し
たと同様な乾燥が行なわ１１、月つ、ウェーハををり出
し得る状態になる。
この第１図に示した装置は、上記第３図に示した装置と
比較して多数のウェーハを同時に乾燥させ得るという利
点がある。
比較して多数のウェーハを同時に乾燥させ得るという利
点がある。
ところで、上述１−７たコつの装置は倒れも本発り１を
実施する好例で、こむら以外の構成も勿論可能であり、
要はウェーハに付着中の水分を氷結させ。
実施する好例で、こむら以外の構成も勿論可能であり、
要はウェーハに付着中の水分を氷結させ。
次いで氷結水分を昇華させると共に、昇華による水蒸気
を半導体ウェーハの近傍から除去するものであれば上述
したと同様な乾燥を行々い得る。
を半導体ウェーハの近傍から除去するものであれば上述
したと同様な乾燥を行々い得る。
以上の詐明によって明らかな如く、本発明は半導体ウェ
ーハに回転等のｊν動を与える心壁がないのでダストの
発生が皆無であることから半導体つ工−ハ自体の清浄度
を確保し得、さらに、半導体ウェーハの破損もないこと
からシリコンおよびデポ膜等の屑を容器内より除去する
作業も不要になるＯ また、本発明はウェーハ洗浄体に、このウェーハに付着
している水分を急冷して氷にして了りので、この付着水
分にダストやイオンの混入する割合を極めて低く抑さえ
ることができる。
ーハに回転等のｊν動を与える心壁がないのでダストの
発生が皆無であることから半導体つ工−ハ自体の清浄度
を確保し得、さらに、半導体ウェーハの破損もないこと
からシリコンおよびデポ膜等の屑を容器内より除去する
作業も不要になるＯ また、本発明はウェーハ洗浄体に、このウェーハに付着
している水分を急冷して氷にして了りので、この付着水
分にダストやイオンの混入する割合を極めて低く抑さえ
ることができる。
さらに、本発明は氷結水分を昇華させて了うので、自然
乾燥時にウェーハ表面にできるゝクマ′の発生を防止す
ることができる。すなわち、付着水分にダストやイオン
が混入した場合、自然乾燥では水が気として発散するに
従って残された水滴中のダスト濃度が高まり、全水分が
気化して発散した後には、残さ１．たダストがウェーハ
表面に強く１〃着するが、本発明によｊはダストやイオ
ンが僅かに混入］７た場合でも氷結水分を昇華させるた
め、ウェーハに対する残留ダストの吸着力を著しく小さ
くすることができる。
乾燥時にウェーハ表面にできるゝクマ′の発生を防止す
ることができる。すなわち、付着水分にダストやイオン
が混入した場合、自然乾燥では水が気として発散するに
従って残された水滴中のダスト濃度が高まり、全水分が
気化して発散した後には、残さ１．たダストがウェーハ
表面に強く１〃着するが、本発明によｊはダストやイオ
ンが僅かに混入］７た場合でも氷結水分を昇華させるた
め、ウェーハに対する残留ダストの吸着力を著しく小さ
くすることができる。
さらに１だ、本発明は静的な乾燥を行なうことから自動
化が容易になり、し７かも、単純且つ廉価な装置で済む
という優ねた効果が得られている。
化が容易になり、し７かも、単純且つ廉価な装置で済む
という優ねた効果が得られている。
（７）
第１図は従来の半導体ウェーハのｗｉ燥フｊ法を採る装
置の構成を部分的に破断して示した斜視図、第２図は本
発明の詳細な説明するための水の状態図、第３図（ａｌ
およびｔｂ＋は本発明の半導体ウェーッ・の乾燥方法を
実施する装置の構成例を示す斜視図および縦断面図、四
び図はもう一つ他の装置の構成例を示す斜視図である。 ！・・・ウェーハカセット、６・・・半導体ウェーハ、
７・・・水分、／２ 、１５ 、 ／７ 、２’！、
、 ２６・・・管１３・・・冷却装置。 １４１・・・蓋、／Ａ、／ざ、 ｕ 、 Ｊ５− バル
ブ、／ｑ、 ２７−・・排気ポンプ。 出願人代理人 猪 股 消 （１） 第１図 范２区 気化９１） −一、。
置の構成を部分的に破断して示した斜視図、第２図は本
発明の詳細な説明するための水の状態図、第３図（ａｌ
およびｔｂ＋は本発明の半導体ウェーッ・の乾燥方法を
実施する装置の構成例を示す斜視図および縦断面図、四
び図はもう一つ他の装置の構成例を示す斜視図である。 ！・・・ウェーハカセット、６・・・半導体ウェーハ、
７・・・水分、／２ 、１５ 、 ／７ 、２’！、
、 ２６・・・管１３・・・冷却装置。 １４１・・・蓋、／Ａ、／ざ、 ｕ 、 Ｊ５− バル
ブ、／ｑ、 ２７−・・排気ポンプ。 出願人代理人 猪 股 消 （１） 第１図 范２区 気化９１） −一、。
Claims (1)
- 半導体ウェーハに付着中の水分を氷結させ、次いで氷結
水分を昇華させると共に、昇華による水蒸気を前記半導
体ウェーハの近傍から除去することを％徴とする半導体
ウェーハの乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2145884A JPS60165727A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 半導体ウエ−ハの乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2145884A JPS60165727A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 半導体ウエ−ハの乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165727A true JPS60165727A (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=12055530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2145884A Pending JPS60165727A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 半導体ウエ−ハの乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165727A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139030A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 半導体用ウエハ−及びカセツトの乾燥方法 |
| JPS6415926A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Nec Corp | Forming method of fine pattern |
| US4817652A (en) * | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
| JPH0243730A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄装置 |
| EP0423761A2 (en) * | 1989-10-17 | 1991-04-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for particle removal by forced fluid convection |
| US5133136A (en) * | 1989-09-15 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Method of and apparatus for drying articles |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP2145884A patent/JPS60165727A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139030A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-26 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 半導体用ウエハ−及びカセツトの乾燥方法 |
| US4817652A (en) * | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
| JPS6415926A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Nec Corp | Forming method of fine pattern |
| JPH0243730A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄装置 |
| US5133136A (en) * | 1989-09-15 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Method of and apparatus for drying articles |
| EP0423761A2 (en) * | 1989-10-17 | 1991-04-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for particle removal by forced fluid convection |
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