JPS61139030A - 半導体用ウエハ−及びカセツトの乾燥方法 - Google Patents
半導体用ウエハ−及びカセツトの乾燥方法Info
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- JPS61139030A JPS61139030A JP26006884A JP26006884A JPS61139030A JP S61139030 A JPS61139030 A JP S61139030A JP 26006884 A JP26006884 A JP 26006884A JP 26006884 A JP26006884 A JP 26006884A JP S61139030 A JPS61139030 A JP S61139030A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体用ウェハー及びカセットの乾燥方法に関
するものである。
するものである。
（従来の技術）
従来の乾燥手段は、作業効率の゛すぐれた遠心乾燥が主
流を成していたが、ＶＬＳＩ のように高清浄度を要求
されてくると、必ずしも満足できなくなってきた。特に
、リンサードライヤーでは疎水性表面のウエノ・−を乾
燥するときは、飛散した水玉がグローブ壁に衝突し、ミ
ストになって再付着する。密着空間内に高速回転体があ
る方式であるため、汚染ポテンシャルが高い悩みがある
。そのため、高清浄乾燥を要するところでは、蒸気乾燥
が導入されている。
流を成していたが、ＶＬＳＩ のように高清浄度を要求
されてくると、必ずしも満足できなくなってきた。特に
、リンサードライヤーでは疎水性表面のウエノ・−を乾
燥するときは、飛散した水玉がグローブ壁に衝突し、ミ
ストになって再付着する。密着空間内に高速回転体があ
る方式であるため、汚染ポテンシャルが高い悩みがある
。そのため、高清浄乾燥を要するところでは、蒸気乾燥
が導入されている。
蒸気乾燥にはフロン方式とイソプロピルアルコール方式
、とがあり、前者はウニ・・−上の水を一度アルコール
と置換させるため、溶媒槽（フロンにアルコールを４〜
１０チ添加したもの）に浸漬する必要があり溶媒中の粒
子濃度の管理結果が乾燥品質に大きく影響する問題があ
る。後者には、溶媒液への浸漬は必要でない利点はある
が、可燃性であるため、防火、防爆対策を充分施さない
と使用できないという問題がある。
、とがあり、前者はウニ・・−上の水を一度アルコール
と置換させるため、溶媒槽（フロンにアルコールを４〜
１０チ添加したもの）に浸漬する必要があり溶媒中の粒
子濃度の管理結果が乾燥品質に大きく影響する問題があ
る。後者には、溶媒液への浸漬は必要でない利点はある
が、可燃性であるため、防火、防爆対策を充分施さない
と使用できないという問題がある。
（発明が解決しようとする問題点）
以上３つの方式では夫々の問題点を解決したとしても、
どうしても解決できない重要な問題があるそれはウェハ
ーを収納するカセットはポリプロピレン又はテフロンの
成型品でできており、本質的に吸水性が大きいため、超
純水で何時間すすぎをやっても前工程で吸着された薬品
を取り除くことはできない。したがって、各工程毎に専
用のカセットを用意し、その都度ウェハーを移し替える
処理を必要とする欠点があった。
どうしても解決できない重要な問題があるそれはウェハ
ーを収納するカセットはポリプロピレン又はテフロンの
成型品でできており、本質的に吸水性が大きいため、超
純水で何時間すすぎをやっても前工程で吸着された薬品
を取り除くことはできない。したがって、各工程毎に専
用のカセットを用意し、その都度ウェハーを移し替える
処理を必要とする欠点があった。
そこで、本発明においては、真空乾燥を利用してウェハ
ーの乾燥及びカセットに吸着している水及び薬品をも取
除き、ウェハーを各工程毎にカセットに移し替えること
なく処理することができる方法を提供しようとするもの
である。
ーの乾燥及びカセットに吸着している水及び薬品をも取
除き、ウェハーを各工程毎にカセットに移し替えること
なく処理することができる方法を提供しようとするもの
である。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明における半導体用ウェハー及びカセットの乾燥方
法は、半導体用ウェハーを収納したカセットを、容器内
に装入して密閉し、低真空の約２０ＩＩＩＨ？を限度と
する減圧を行うことにより乾燥を行うものである。
法は、半導体用ウェハーを収納したカセットを、容器内
に装入して密閉し、低真空の約２０ＩＩＩＨ？を限度と
する減圧を行うことにより乾燥を行うものである。
（作用）
本発明においてはウェハーを容器に装入して密閉し、低
真空の約２０ｊｌｌｌＨＰを限度とする減圧を行う。使
用する容器は通常ペルジャーを用い、真空ポンプにで吸
収して減圧を行い水分及び薬品を吸引除去して乾燥を行
う。
真空の約２０ｊｌｌｌＨＰを限度とする減圧を行う。使
用する容器は通常ペルジャーを用い、真空ポンプにで吸
収して減圧を行い水分及び薬品を吸引除去して乾燥を行
う。
どんどん真空吸引をつづけると約２０ ＩＩ Ｈ５Ｌ（
於室温）で水は沸騰状態になり、その時残っている水は
飛散し、ウェハーやカセットに再付着する。又約５ｍｍ
）（ｊ％に達すると水は凍結し、氷になるので乾燥不能
になる。したがって、第２図に示す吸引曲線のように水
真空ポンプ（理論的に到達真空度は約２０〜３０１１１
Ｈｉ）を使用するのが望ましい。
於室温）で水は沸騰状態になり、その時残っている水は
飛散し、ウェハーやカセットに再付着する。又約５ｍｍ
）（ｊ％に達すると水は凍結し、氷になるので乾燥不能
になる。したがって、第２図に示す吸引曲線のように水
真空ポンプ（理論的に到達真空度は約２０〜３０１１１
Ｈｉ）を使用するのが望ましい。
（実施例）
本発明方法を図面に基き詳細に説明すると、ウェハー１
をカセット２内に収納した状態でベース３上に載置し、
ベース３上にｏ ＩＪング４を介してペルジャーで形成
した容器５を密閉する。
をカセット２内に収納した状態でベース３上に載置し、
ベース３上にｏ ＩＪング４を介してペルジャーで形成
した容器５を密閉する。
ベース３には真空吸引用ホース６の一端を接続し、カッ
ト電磁弁７、リーク電磁弁８を介して真空ポンプ９に接
続している。又ペース３の他方には空気導入ホース１０
の一端を接続し、電磁弁１１、流量調節バルブ１２を介
してエアーフィルター１３に接続している。
ト電磁弁７、リーク電磁弁８を介して真空ポンプ９に接
続している。又ペース３の他方には空気導入ホース１０
の一端を接続し、電磁弁１１、流量調節バルブ１２を介
してエアーフィルター１３に接続している。
そして、真空ポンプ９に水真空ポンプを用いて吸引する
と第２図に示す吸引曲線を画き、約２０ｆｌＨＰの真空
度に到達し、後は２０ａｌｌｌＨ７の真空度を続け、ウ
ェハー及びカセットに吸着している水及び薬品をも気化
させて除去することになる。
と第２図に示す吸引曲線を画き、約２０ｆｌＨＰの真空
度に到達し、後は２０ａｌｌｌＨ７の真空度を続け、ウ
ェハー及びカセットに吸着している水及び薬品をも気化
させて除去することになる。
付着している水の量が多く、吸引時間が長くなる場合に
は、遠赤外線等を利用して、ウェハー及びカセットを温
めると乾燥時間を短縮することも可能である。
は、遠赤外線等を利用して、ウェハー及びカセットを温
めると乾燥時間を短縮することも可能である。
乾燥後は電磁弁１１を開いてエアフィルター１３で浄化
した清浄な空気（ガスでも可）を容器Ｓ内へ送り込み常
圧に戻す。
した清浄な空気（ガスでも可）を容器Ｓ内へ送り込み常
圧に戻す。
尚、真空ポンプ９に油ポンプを用いる際には、破線で示
す油水分離器１４を油ポンプ９に接続してポンプの油に
混じる水を除去し、空気導入側には破線で示すように並
列してエアーフィルター１３と吸入口とを流量調節バル
ブ１５を介して直接接続し、極微量の空気を導入する回
路を設けることにより吸引曲線を水真空ポンプに近づけ
ることができ、真空度を上昇させることができる。
す油水分離器１４を油ポンプ９に接続してポンプの油に
混じる水を除去し、空気導入側には破線で示すように並
列してエアーフィルター１３と吸入口とを流量調節バル
ブ１５を介して直接接続し、極微量の空気を導入する回
路を設けることにより吸引曲線を水真空ポンプに近づけ
ることができ、真空度を上昇させることができる。
本発明においては、内部に吸着している水及び薬品をも
吸出することができ、高清浄度を得ることができる。
吸出することができ、高清浄度を得ることができる。
又、カセットを交換する必要がないので工程を省略する
ことができ、能率を向上させることができる。
ことができ、能率を向上させることができる。
第１図は本発明に係る半導体ウェハー及びカセット乾燥
方法に用いる装置の一例を示す断面図、第２図は吸引曲
線を示す図である。 尚、図中１・・・半導体用ウェハー、２・・・カセット
、５・・・容器（ペルジャー）。
方法に用いる装置の一例を示す断面図、第２図は吸引曲
線を示す図である。 尚、図中１・・・半導体用ウェハー、２・・・カセット
、５・・・容器（ペルジャー）。
Claims (1)
- 半導体用ウェハーを収納したカセットを容器内に装入
して密閉し、低真空の約２０ｍｍＨｇを限度とする減圧
を行うことにより乾燥を行うことを特徴とする半導体用
ウェハー及びカセットの乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26006884A JPS61139030A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | 半導体用ウエハ−及びカセツトの乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26006884A JPS61139030A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | 半導体用ウエハ−及びカセツトの乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61139030A true JPS61139030A (ja) | 1986-06-26 |
Family
ID=17342860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26006884A Pending JPS61139030A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | 半導体用ウエハ−及びカセツトの乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61139030A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415926A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Nec Corp | Forming method of fine pattern |
| JPH0629278A (ja) * | 1992-04-27 | 1994-02-04 | Chuo Riken:Kk | 基板洗浄方法及び減圧乾燥装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165727A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハの乾燥方法 |
-
1984
- 1984-12-11 JP JP26006884A patent/JPS61139030A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165727A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハの乾燥方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415926A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Nec Corp | Forming method of fine pattern |
| JPH0629278A (ja) * | 1992-04-27 | 1994-02-04 | Chuo Riken:Kk | 基板洗浄方法及び減圧乾燥装置 |
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