JP5297959B2 - 基板乾燥方法及び基板乾燥装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 314
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 406
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims description 105
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims description 105
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 42
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 41
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 22
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 21
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 21
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 6
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 84
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 151
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 73
- 230000008569 process Effects 0.000 description 73
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 69
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 5
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- SPSVMMKHVNWAFN-UHFFFAOYSA-N 1,3-xylene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1.CC1=CC=CC(C)=C1 SPSVMMKHVNWAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYLIRYQDDKDHLT-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=CC=C1C.CC1=CC=CC=C1C Chemical compound CC1=CC=CC=C1C.CC1=CC=CC=C1C WYLIRYQDDKDHLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001701 chloroform Drugs 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
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Description
図1はこの発明にかかる基板乾燥装置の第一実施形態を装備した基板乾燥装置を示す概略正面図であり、図2は図1の基板乾燥装置の制御構成を示すブロック図である。この基板乾燥装置は半導体ウェハ等の基板Wの表面Wfをリンス処理して乾燥する枚葉式の基板乾燥装置であり、当該リンス処理後に基板に付着した液体を凝固して除去することで基板Wを乾燥させる。本実施例ではリンス処理に使用する液体として脱イオン水(De Ionized Water。以下「DIW」と記載する)を用いる。
次に、この発明にかかる基板乾燥装置の第二実施形態を説明する。図8は第二実施形態における基板乾燥装置の動作を模式的に示す図である。この第二実施形態が第一実施形態と大きく相違する点は、液体が付着した基板Wに液体の凝固点よりも高い温度の置換液を供給し、パターン上層の液体を排除した後、当該置換液の供給温度を変更し、液体を排除するのに使用した置換液を、液体の凝固点よりも低くかつ置換液の凝固点よりも高い温度の置換液に置換して凝固体を形成する点である。なお、その他の構成は図1、図2及び図3に示す基板乾燥装置100と基本的に同一であるため、以下の説明では同一符号を付して構成説明を省略する。
次に、この発明にかかる基板乾燥装置の第三実施形態を説明する。この第三実施形態が第一実施形態と大きく相違する点は、液体が付着した基板Wに液体の凝固点よりも高い温度の置換液を供給し、パターン上層の液体を排除した後、更に、液体を排除するのに使用した置換液を、液体の凝固点よりも低くかつ置換液の凝固点よりも高い温度の置換液に置換して凝固体を形成する点である。そのため、第三実施形態では、液体の凝固点よりも高い温度の置換液を供給する第一の置換液供給部と、液体の凝固点よりも低くかつ置換液の凝固点よりも高い温度の置換液を供給する第二の置換液供給部を設けている点が第一実施形態と異なっている。
次に、この発明にかかる基板乾燥装置の第四実施形態を説明する。図10は第四実施形態における基板乾燥装置の動作のフローチャートであるこの第四実施形態が第一実施形態と大きく相違する点は、凝固体形成工程において、基板表面Wfに液体の凝固点よりも低くかつ置換液の凝固点よりも高い温度の置換液を供給し、パターン上層の液体11を排除しながら置換液層12の下に残留した液体を凝固させる工程を同時に行う点にある。なお、その他の構成は図1、及び図2に示す基板乾燥装置100と基本的に同一であるため、以下の説明では同一符号を付して構成説明を省略する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。上記各実施形態で採用されたものと異なる構成の「凝固体形成手段」や「結露防止手段」を用いてもよい。例えば図11(a)に示すように加熱冷却機構23aを備えたスピンベース23を用いてもよく、スピンベース23の上面に直接基板Wを当接させたり、スピンベース23の上面に基板Wを近接配置させた状態で凝固体形成工程や結露防止工程を行ってもよい。
2...スピンチャック
3...DIW吐出部
5...置換液吐出部(凝固体形成手段)
11...液体膜
12...置換液膜
13...置換液膜
15...凝固体
22...チャック回転機構
27...裏面窒素ノズル(凝固体形成手段、結露防止手段)
97...表面窒素ノズル(乾燥手段、結露防止手段)
W...基板
Wb...基板裏面
Wf...基板表面
Claims (9)
- 所定のパターンが形成され液体が付着した基板の表面に対し、前記液体と互いに混合し難く、かつ前記液体の凝固点よりも凝固点が低い置換液を供給して、前記パターンの上層に存在する前記液体を前記置換液に置換する置換工程と、
前記置換工程によって、前記置換液が前記パターン上層に存在する状態で、前記基板を前記液体の凝固点より低くかつ前記置換液の凝固点より高い温度に冷却して、前記液体のみ凝固させる凝固体形成工程と、
前記凝固体形成工程の後に、前記置換液を前記基板表面から除去する置換液除去工程と、
前記置換液除去工程により前記基板表面に露出した前記液体の凝固体を除去する乾燥工程と
を備える基板乾乾燥方法。 - 前記乾燥工程の後に、前記基板に結露が生ずるのを防止しながら常温まで加熱する結露防止工程
を更に備える請求項1記載の基板乾燥方法。 - 前記置換工程は、前記置換液を、前記液体の凝固点より高い温度にして供給し、前記基板の表面全体を覆う工程であり、
前記凝固体形成工程は、前記基板の裏面から前記基板を冷却する工程である請求項1又は2記載の基板乾燥方法。 - 前記置換工程は、前記置換液を、前記液体の凝固点より高い温度にして供給する工程であり、
前記凝固体形成工程は、前記置換液を、前記液体の凝固点より低くかつ前記置換液の凝固点より高い温度にして供給し、前記基板を冷却する工程である請求項1又は2記載の基板乾燥方法。 - 前記凝固体形成工程は、前記置換液を、前記液体の凝固点より低くかつ前記置換液の凝固点より高い温度にして供給するとともに、前記基板の裏面からも冷却する工程である請求項4記載の基板乾燥方法。
- 前記置換液を、前記液体の凝固点より低くかつ前記置換液の凝固点より高い温度にして供給することにより、前記パターン上層に存在する前記液体を前記置換液に置換する前記置換工程と、前記パターン上層に前記置換液が存在する状態で前記液体のみ凝固する前記凝固体形成工程を同時に行う請求項1又は2記載の基板乾燥方法。
- 前記置換液はハイドロフルオロエーテル溶液である請求項1ないし請求項6いずれか一項に記載の基板乾燥方法。
- 所定のパターンが形成され液体が付着した基板を保持する基板保持手段と、
前記基板の表面に対し、前記液体と互いに混合し難く、かつ前記液体の凝固点よりも凝固点が低い置換液を供給して、前記パターンの上層に存在する前記液体を前記置換液に置換する置換手段と、
前記パターン上層に前記置換液が存在する状態で、前記基板を前記液体の凝固点より低くかつ前記置換液の凝固点より高い温度に冷却して、前記液体のみ凝固させる凝固体形成手段と、
前記基板表面から前記置換液を除去する置換液除去手段と、
前記基板表面に露出した前記液体の凝固体を除去する乾燥手段と、
を備える基板乾乾燥装置。 - 前記基板を常温まで加熱する結露防止手段
を更に備える請求項8記載の基板乾燥装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009216724A JP5297959B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 基板乾燥方法及び基板乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009216724A JP5297959B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 基板乾燥方法及び基板乾燥装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011066272A JP2011066272A (ja) | 2011-03-31 |
JP5297959B2 true JP5297959B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=43952198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009216724A Active JP5297959B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 基板乾燥方法及び基板乾燥装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5297959B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5643007B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2014-12-17 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 表面構造体の乾燥方法 |
JP5753391B2 (ja) * | 2011-02-03 | 2015-07-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP5786190B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-09-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6022829B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2016-11-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
JP6259299B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-01-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6368145B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-08-01 | 株式会社プレテック | 基板の洗浄方法及び基板の洗浄装置 |
JP6325067B2 (ja) * | 2016-12-15 | 2018-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
JP6356207B2 (ja) * | 2016-12-15 | 2018-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板乾燥方法及び基板処理装置 |
JP6887265B2 (ja) | 2017-02-28 | 2021-06-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7015219B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04242930A (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 被処理物の乾燥方法 |
JPH1131673A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JPH11354486A (ja) * | 1998-06-09 | 1999-12-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2008091364A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4767204B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2011-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4994990B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2012-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、プログラム、記録媒体および置換剤 |
-
2009
- 2009-09-18 JP JP2009216724A patent/JP5297959B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011066272A (ja) | 2011-03-31 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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