JP6680631B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
凝固開始位置から凝固終了位置への凝固部の相対移動中、初期凝固領域の形成後に初期凝固領域の冷却を開始して初期凝固領域の温度を凝固対象液の凝固点より低い温度に維持させる工程と、を備えることを特徴としている。
10…基板保持部
40…凝固部
43…凝固ノズル
44…ノズル回動機構(移動部)
50…冷却部
53…冷却ノズル(冷媒供給部材)
55…ボルテックスチューブ(冷媒供給部材)
56…当接部材
57…冷媒供給管(冷媒供給部材)
59,561…ペルチェ素子
113…チャック回転機構(回転部)
115…吸着チャック(冷却部、当接部材)
562…(当接部材の)下面(処理面)
LF…液膜
FF…凍結膜
PS…凝固開始位置
PE…凝固終了位置
SA…凝固領域
SAi…初期凝固領域
SR…(初期凝固領域の)反対領域
W…基板
Wb…(基板の)裏面
Wf…(基板の)表面
Claims (8)
- 凝固対象液が付着した表面を上方に向けた水平姿勢の基板に対し、凝固対象液を部分的に凝固させて凝固領域を形成する凝固部を相対移動させることで、前記基板の表面上の凝固対象液を全て凝固させる基板処理装置であって、
前記凝固部の相対移動中に、前記凝固部により最初に形成された初期凝固領域を冷却して前記初期凝固領域の温度を前記凝固対象液の凝固点より低い温度に維持させる冷却部を備え、
前記冷却部は、前記初期凝固領域の形成後に、前記初期凝固領域の冷却を開始する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記冷却部は、前記凝固部の相対移動を終了するまでの間、前記初期凝固領域の冷却を継続する基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記冷却部は、前記初期凝固領域または前記基板のうち前記初期凝固領域が形成される基板領域に対して前記凝固対象液の凝固点より低い温度を有する冷媒を供給して前記初期凝固領域の冷却を行う冷媒供給部材を有する基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記冷媒供給部材は、圧縮ガスによって発生する旋回流を冷気と暖気に分離して前記冷気を前記冷媒として前記初期凝固領域に向けて供給するボルテックスチューブを有する基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記冷却部は、前記初期凝固領域または前記基板のうち前記初期凝固領域が形成される基板領域に対して前記凝固対象液の凝固点より低い温度を有する処理面を当接させて前記初期凝固領域の冷却を行う当接部材を有する基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記冷却部は、前記当接部材の前記処理面を前記凝固対象液の凝固点より低い温度に冷却するペルチェ素子を有する基板処理装置。 - 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記表面を上方に向けて前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を鉛直軸回りに回転させる回転部と、
前記基板の中央部および周縁部のうちの一方を凝固開始部とするとともに他方を凝固終了部とし、前記凝固開始部および前記凝固終了部に対向する前記凝固部の位置をそれぞれ凝固開始位置および凝固終了位置とし、前記回転部により回転される前記基板に対して前記凝固部を前記凝固開始位置から前記凝固終了位置に相対移動させる移動部と、
を備える基板処理装置。 - 凝固対象液が付着した表面を上方に向けた水平姿勢の基板に対し、凝固対象液を部分的に凝固させて凝固領域を形成する凝固部を凝固開始位置に位置させて前記基板の表面の付着する凝固対象液の一部を最初に凝固させて初期凝固領域を形成する工程と、
前記基板に対し、前記凝固開始位置から前記凝固開始位置と異なる凝固終了位置に前記凝固部を相対移動させることで前記凝固部により凝固された凝固領域を拡幅して前記基板の表面上の凝固対象液を全て凝固させる工程と、
前記凝固開始位置から前記凝固終了位置への前記凝固部の相対移動中、前記初期凝固領域の形成後に前記初期凝固領域の冷却を開始して前記初期凝固領域の温度を前記凝固対象液の凝固点より低い温度に維持させる工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
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