JPH01225124A - 基板乾燥方法 - Google Patents
基板乾燥方法Info
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- JPH01225124A JPH01225124A JP5102288A JP5102288A JPH01225124A JP H01225124 A JPH01225124 A JP H01225124A JP 5102288 A JP5102288 A JP 5102288A JP 5102288 A JP5102288 A JP 5102288A JP H01225124 A JPH01225124 A JP H01225124A
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Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば磁気ディスク用基板、シリコンウェ
ハ、ガラス基板などの洗浄後の基板を乾燥する方法に関
するものである０ 〔従来技術〕 磁気ディスク用基板、シリコンウェハ、ガラス基板など
の洗浄は、基板の表面状態を決定し、後の工程を左右す
るだけに重要な工程である０その中においてもとりわけ
重要な工程性乾燥工程である。洗浄によって基板表面上
の汚れ、異物などを除去した後、い゛かに洗浄液を除去
し、かつ乾燥させるかがポイントになる。すなわち均−
一様に乾燥させないと、乾燥むらが生じ、かえって表面
を汚すことになるからである。このため、蒸気乾燥など
の方法が用いられている。
ハ、ガラス基板などの洗浄後の基板を乾燥する方法に関
するものである０ 〔従来技術〕 磁気ディスク用基板、シリコンウェハ、ガラス基板など
の洗浄は、基板の表面状態を決定し、後の工程を左右す
るだけに重要な工程である０その中においてもとりわけ
重要な工程性乾燥工程である。洗浄によって基板表面上
の汚れ、異物などを除去した後、い゛かに洗浄液を除去
し、かつ乾燥させるかがポイントになる。すなわち均−
一様に乾燥させないと、乾燥むらが生じ、かえって表面
を汚すことになるからである。このため、蒸気乾燥など
の方法が用いられている。
この蒸気乾燥方法は、基板に付着している洗浄液を乾燥
に用いる溶媒に置換し、さらに乾燥用溶媒を沸点以上に
加熱し蒸気を発生させ基板をその蒸気の中にいれて基板
を暖めて、その後ゆつくシと基板を引き上げて乾燥させ
る方法である。この方法では乾燥用溶媒は室温付近で蒸
発しやすく沸点も比較的低いことが望まれる◇これらの
条件から、一般には乾燥用溶媒としてはフロン系、イン
プロピルアルコールが用いられている。このフロン系、
イソプロピルアルコールを用いた蒸気乾燥は非常に乾燥
むらができにくい、蒸気による洗浄効果も合わせ持つな
どの優れた特徴を持つ。しかし、フロン系は環境破壊の
問題から国連でも問題になっており、使用量制約が提唱
され、次第に実施されつつある。また、イソプロピルア
ルコールの蒸気は引火点が低いことから爆発の危険が非
常に高いため、防爆の安全設備を整える必要がある。
に用いる溶媒に置換し、さらに乾燥用溶媒を沸点以上に
加熱し蒸気を発生させ基板をその蒸気の中にいれて基板
を暖めて、その後ゆつくシと基板を引き上げて乾燥させ
る方法である。この方法では乾燥用溶媒は室温付近で蒸
発しやすく沸点も比較的低いことが望まれる◇これらの
条件から、一般には乾燥用溶媒としてはフロン系、イン
プロピルアルコールが用いられている。このフロン系、
イソプロピルアルコールを用いた蒸気乾燥は非常に乾燥
むらができにくい、蒸気による洗浄効果も合わせ持つな
どの優れた特徴を持つ。しかし、フロン系は環境破壊の
問題から国連でも問題になっており、使用量制約が提唱
され、次第に実施されつつある。また、イソプロピルア
ルコールの蒸気は引火点が低いことから爆発の危険が非
常に高いため、防爆の安全設備を整える必要がある。
これらの問題点を解決するために、温純水での乾燥が提
案されている。温純水での乾燥においては、用いる溶媒
は水であり、使用量の規制や防爆設備を考慮する必要が
ない。
案されている。温純水での乾燥においては、用いる溶媒
は水であり、使用量の規制や防爆設備を考慮する必要が
ない。
温純水による乾燥では、蒸気を用いず温純水（５０〜８
０°Ｃ）の槽から基板を引き上げることによって乾燥さ
せる０この方法においても均−一様な乾燥ができる。し
かし、この方法では温排水表面の波は少しで屯あっては
ならないという問題点がある。波があると一旦乾燥した
部分にまた温純水がかかったりして、−様な乾燥が望め
ない０すなわち乾燥むらの原因となる０液層と気層の界
面は常に水平に保たねばならない０このため、温純水槽
を防振台に載せるなどの対策が考えられるが、基板を引
き上げる機械的駆動部はどうしても必要であり、かつ温
純水槽の近くに設置せざるを得す、振動を完全に除去す
ることが困難であるという問題点があった。また、吊り
下げた基板の保持を強固にしても、引き上げる際に基板
そのものが揺れることを完全に防ぐことが難しいという
問題点があった。
０°Ｃ）の槽から基板を引き上げることによって乾燥さ
せる０この方法においても均−一様な乾燥ができる。し
かし、この方法では温排水表面の波は少しで屯あっては
ならないという問題点がある。波があると一旦乾燥した
部分にまた温純水がかかったりして、−様な乾燥が望め
ない０すなわち乾燥むらの原因となる０液層と気層の界
面は常に水平に保たねばならない０このため、温純水槽
を防振台に載せるなどの対策が考えられるが、基板を引
き上げる機械的駆動部はどうしても必要であり、かつ温
純水槽の近くに設置せざるを得す、振動を完全に除去す
ることが困難であるという問題点があった。また、吊り
下げた基板の保持を強固にしても、引き上げる際に基板
そのものが揺れることを完全に防ぐことが難しいという
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、振動のない安定で均−一様な乾燥が可能な基
板乾燥方法を得ることを目的とするＯ （課ＭＭを解決するだめの手段〕 この発明の基板乾燥方法は、基板を温純水槽内の温純水
に浸漬して加温し、基板加温後、上記温純水を排水し上
記槽内の水面紮凹下させて上記基板を上記益純水から露
出させて上記基板を乾燥させるようにしたものである。
たもので、振動のない安定で均−一様な乾燥が可能な基
板乾燥方法を得ることを目的とするＯ （課ＭＭを解決するだめの手段〕 この発明の基板乾燥方法は、基板を温純水槽内の温純水
に浸漬して加温し、基板加温後、上記温純水を排水し上
記槽内の水面紮凹下させて上記基板を上記益純水から露
出させて上記基板を乾燥させるようにしたものである。
温純水槽内の基板針引き上げる代わりに、温純水の水位
を下げることによって、振動や基板の揺れが生じること
なく基板の均−一様な乾燥を達成できる。
を下げることによって、振動や基板の揺れが生じること
なく基板の均−一様な乾燥を達成できる。
以下、この発明を図について説明する０図面はこの発明
の一実施例に係わる基板乾燥装置を示す構成図である。
の一実施例に係わる基板乾燥装置を示す構成図である。
図において、（１）は温純水槽、（２）は排水パルプ、
（３）は基板、（４）は基板量シ下げ機構、（５）は排
水された温純水の蓄積槽である。
（３）は基板、（４）は基板量シ下げ機構、（５）は排
水された温純水の蓄積槽である。
次に動作について説明する。吊り下げ機構（４）により
吊り下げられ、前工程よシ搬送された基板（３）は、８
０°Ｃに設定された温純水槽（１）の中に下ろされ温純
水に浸漬される。基板が十分温まる時間基板を浸漬した
まま保持する。次に温純水槽（１）の排水パルプ（２）
を開け、温純水を排水する。排水されるに従い、温純水
１ｍ （１）内の水面が徐々に低下し、基板（３）は徐
々に露出し空気中に現れてくる。この過程で基板（３）
は乾燥される。温純水をすべて排水し終ったら、基板（
３）を引き上げて次の工程へ搬送する。さらに純水の蓄
積槽（５）から温純水槽＋１）へ温純水を戻して次の乾
燥に備える。
吊り下げられ、前工程よシ搬送された基板（３）は、８
０°Ｃに設定された温純水槽（１）の中に下ろされ温純
水に浸漬される。基板が十分温まる時間基板を浸漬した
まま保持する。次に温純水槽（１）の排水パルプ（２）
を開け、温純水を排水する。排水されるに従い、温純水
１ｍ （１）内の水面が徐々に低下し、基板（３）は徐
々に露出し空気中に現れてくる。この過程で基板（３）
は乾燥される。温純水をすべて排水し終ったら、基板（
３）を引き上げて次の工程へ搬送する。さらに純水の蓄
積槽（５）から温純水槽＋１）へ温純水を戻して次の乾
燥に備える。
このように、この発明によれば、温純水に浸漬された基
板を引き上げる代わシに、温純水を排水するようにした
ので、機械的な駆動を必要とせず振動源がなくなる。こ
のため乾燥工程中に振動などによって水面に波が立つこ
とがなくなり、基板に乾燥むらの出現することがなくな
シ均−−様な乾燥が実現できるようになった。
板を引き上げる代わシに、温純水を排水するようにした
ので、機械的な駆動を必要とせず振動源がなくなる。こ
のため乾燥工程中に振動などによって水面に波が立つこ
とがなくなり、基板に乾燥むらの出現することがなくな
シ均−−様な乾燥が実現できるようになった。
なお、この場合排水速度は限定要素ではないが、あまり
速くし過ぎては水面に波が立ち好ましくない。従って、
例えば水−面の低下速度として２０ｃｍ／分程度、ある
いはそれ以下の排水速度が望ましい。
速くし過ぎては水面に波が立ち好ましくない。従って、
例えば水−面の低下速度として２０ｃｍ／分程度、ある
いはそれ以下の排水速度が望ましい。
また排水パルプには排水速度を制御できるものを使用す
ることが望ましい。
ることが望ましい。
温純水の温度としては５０〜８０°Ｃが適当である。
上記実施例では温純水を廃棄せず何度も使用するが、乾
燥が終了する度に廃棄してもよく、上記実施例と同様の
効果を奏する。
燥が終了する度に廃棄してもよく、上記実施例と同様の
効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、基板を温純水槽内の
温純水に浸漬して加温し、基板加温酸、上記温純水を排
水し上記槽内の水面ｔ−低下させて上記基板を上記温純
水から露出させて上記基板を乾燥させるようにすること
により、振動のない安定で均−一様な乾燥ができるとい
う効果がおる。
温純水に浸漬して加温し、基板加温酸、上記温純水を排
水し上記槽内の水面ｔ−低下させて上記基板を上記温純
水から露出させて上記基板を乾燥させるようにすること
により、振動のない安定で均−一様な乾燥ができるとい
う効果がおる。
図面はこの発明の一実施例に係わる基板乾燥装置を示す
構成図である。 （１）・・・温純水槽、（２）・・・排水バルブ、（３
）・・・基板、（４）・・・基板吊り下げ機構、（５）
・・・温純水の蓄積槽。
構成図である。 （１）・・・温純水槽、（２）・・・排水バルブ、（３
）・・・基板、（４）・・・基板吊り下げ機構、（５）
・・・温純水の蓄積槽。
Claims (1)
- 基板を温純水槽内の温純水に浸漬して加温し、基板加
温後、上記温純水を排水し上記槽内の水面を低下させて
上記基板を上記温純水から露出させて上記基板を乾燥さ
せるようにした基板乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5102288A JPH01225124A (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 基板乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5102288A JPH01225124A (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 基板乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225124A true JPH01225124A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12875174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5102288A Pending JPH01225124A (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 基板乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01225124A (ja) |
-
1988
- 1988-03-03 JP JP5102288A patent/JPH01225124A/ja active Pending
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