JPH07297165A - 半導体基板の洗浄液乾燥方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄液乾燥方法Info
- Publication number
- JPH07297165A JPH07297165A JP10782994A JP10782994A JPH07297165A JP H07297165 A JPH07297165 A JP H07297165A JP 10782994 A JP10782994 A JP 10782994A JP 10782994 A JP10782994 A JP 10782994A JP H07297165 A JPH07297165 A JP H07297165A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- wafer
- drying
- water
- water tank
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体メモリ素子用のシリコンウェハやマス
クなどの半導体基板の洗浄後の乾燥時に於ける付着粒子
を極力低減する。 【構成】 洗浄後の半導体基板としてのシリコンウェハ
２を、左右一対のガイド溝６によりガイドし昇降アーム
４により支持しつつ水槽３内に埋没させる。その後、昇
降アーム４を上昇させ、ウェハ２を水槽３内から出す。
この時の水温を４０℃以上６０℃以下にしておく。 【効果】 ボイルして気泡が発生することにる不均一な
乾燥にならず、速やかに乾燥させることができ、乾燥が
遅い場合の液面の波打ちの影響による付着粒子の増加を
防止でき、付着粒子を極力低減した均一な乾燥を行うこ
とができる。
クなどの半導体基板の洗浄後の乾燥時に於ける付着粒子
を極力低減する。 【構成】 洗浄後の半導体基板としてのシリコンウェハ
２を、左右一対のガイド溝６によりガイドし昇降アーム
４により支持しつつ水槽３内に埋没させる。その後、昇
降アーム４を上昇させ、ウェハ２を水槽３内から出す。
この時の水温を４０℃以上６０℃以下にしておく。 【効果】 ボイルして気泡が発生することにる不均一な
乾燥にならず、速やかに乾燥させることができ、乾燥が
遅い場合の液面の波打ちの影響による付着粒子の増加を
防止でき、付着粒子を極力低減した均一な乾燥を行うこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の洗浄液乾
燥方法に関し、特に、シリコンウェハやマスクなどの半
導体基板の表面洗浄後の乾燥時に於ける付着粒子及び汚
れの発生を防止し得る半導体基板の洗浄液乾燥方法に関
する。
燥方法に関し、特に、シリコンウェハやマスクなどの半
導体基板の表面洗浄後の乾燥時に於ける付着粒子及び汚
れの発生を防止し得る半導体基板の洗浄液乾燥方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば半導体メモリ素子のシリコ
ンウェハやマスクなどの半導体基板の表面を清浄化する
工程に於いて、洗浄後乾燥する方法として、遠心力で液
を吹き飛ばして乾燥するスピンドライや、特開昭６０−
２２３１３０号公報に開示されているように、半導体基
板を洗浄液に浸した後、揺動させながらキャリアにより
微速度で引き上げつつ乾燥風を当てるスタティックドラ
イがあった。
ンウェハやマスクなどの半導体基板の表面を清浄化する
工程に於いて、洗浄後乾燥する方法として、遠心力で液
を吹き飛ばして乾燥するスピンドライや、特開昭６０−
２２３１３０号公報に開示されているように、半導体基
板を洗浄液に浸した後、揺動させながらキャリアにより
微速度で引き上げつつ乾燥風を当てるスタティックドラ
イがあった。
【０００３】しかしながら、上記スピンドライ乾燥で
は、半導体基板をキャリアと共に一体回転させるため、
回転機構からの発塵が問題になっていた。また、スタテ
ィックドライ乾燥では、半導体基板を保持したキャリア
を水面から引き上げるため、その上昇時に乾燥風により
水面が波打って基板表面にパーティクルが付着し易いと
いう問題があった。
は、半導体基板をキャリアと共に一体回転させるため、
回転機構からの発塵が問題になっていた。また、スタテ
ィックドライ乾燥では、半導体基板を保持したキャリア
を水面から引き上げるため、その上昇時に乾燥風により
水面が波打って基板表面にパーティクルが付着し易いと
いう問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術の
問題点に鑑み、本発明の主な目的は、半導体メモリ素子
用のシリコンウェハやマスクなどの半導体基板の洗浄後
の乾燥時に於ける付着粒子を極力低減し得る半導体基板
の洗浄液乾燥方法を提供することにある。
問題点に鑑み、本発明の主な目的は、半導体メモリ素子
用のシリコンウェハやマスクなどの半導体基板の洗浄後
の乾燥時に於ける付着粒子を極力低減し得る半導体基板
の洗浄液乾燥方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的は、本発
明によれば、半導体基板を洗浄後に乾燥するための半導
体基板の洗浄液乾燥方法であって、純水を満たされた水
槽中に半導体基板を水没させる過程と、前記半導体基板
を昇降手段により前記水槽中から上昇させる過程とを有
し、前記純水の温度が、４０℃以上６０℃以下であるこ
とを特徴とする半導体基板の洗浄液乾燥方法を提供する
ことにより達成される。
明によれば、半導体基板を洗浄後に乾燥するための半導
体基板の洗浄液乾燥方法であって、純水を満たされた水
槽中に半導体基板を水没させる過程と、前記半導体基板
を昇降手段により前記水槽中から上昇させる過程とを有
し、前記純水の温度が、４０℃以上６０℃以下であるこ
とを特徴とする半導体基板の洗浄液乾燥方法を提供する
ことにより達成される。
【０００６】
【作用】このようにすれば、室温に近い４０℃未満では
純水が乾燥し難く、６０℃を越えると、蒸気の発生量が
多くなったり、ボイルして液中に気泡が発生すると均一
に乾燥できなくなるが、４０℃以上６０℃以下ではボイ
ルすることなく、比較的早く蒸発させることができる。
純水が乾燥し難く、６０℃を越えると、蒸気の発生量が
多くなったり、ボイルして液中に気泡が発生すると均一
に乾燥できなくなるが、４０℃以上６０℃以下ではボイ
ルすることなく、比較的早く蒸発させることができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適実施例を添付の図面につ
いて詳しく説明する。
いて詳しく説明する。
【０００８】図１は、本発明が適用された半導体基板の
乾燥装置を示す模式的断面図である。この乾燥装置１
は、半導体メモリ素子のシリコンウェハやマスクなどの
半導体基板２を、研磨を行って、その後出荷する前に乾
燥するために用いられる。
乾燥装置を示す模式的断面図である。この乾燥装置１
は、半導体メモリ素子のシリコンウェハやマスクなどの
半導体基板２を、研磨を行って、その後出荷する前に乾
燥するために用いられる。
【０００９】なお、洗浄工程に於いては、例えば２５枚
のウェハを骨組み程度の籠状のキャリア内に互いに隙間
をあけて並列に配置しておき、キャリア毎各ステージ間
を移送するようにされている（図示せず）。そして、洗
浄を行ったウェハ２を、乾燥装置１により乾燥する。
のウェハを骨組み程度の籠状のキャリア内に互いに隙間
をあけて並列に配置しておき、キャリア毎各ステージ間
を移送するようにされている（図示せず）。そして、洗
浄を行ったウェハ２を、乾燥装置１により乾燥する。
【００１０】この乾燥装置１は、図に示されるように水
槽３と、水槽３内に設けられた昇降アーム４とを有して
いる。水槽３には図示されない吸水口から供給された純
水が満たされており、上記洗浄を終えたウェハ２が、搬
送アーム５により左右端を半径方向内向きに挟まれるよ
うにして水槽３の上方まで搬送される。そのウェハ２
を、水槽３内の左右側面に固設された左右一対のガイド
溝６に整合させ、搬送アーム５の上記挟み力を緩めてガ
イド溝６によりガイドしつつ水槽３内に下降させ、予め
上昇限位置に待機している昇降アーム４によりウェハ２
の下端を支持する。なお、水槽３の上端部側面には、水
槽３からあふれ出た水を回収するためのＵ字溝状の水受
け７が設けられている。
槽３と、水槽３内に設けられた昇降アーム４とを有して
いる。水槽３には図示されない吸水口から供給された純
水が満たされており、上記洗浄を終えたウェハ２が、搬
送アーム５により左右端を半径方向内向きに挟まれるよ
うにして水槽３の上方まで搬送される。そのウェハ２
を、水槽３内の左右側面に固設された左右一対のガイド
溝６に整合させ、搬送アーム５の上記挟み力を緩めてガ
イド溝６によりガイドしつつ水槽３内に下降させ、予め
上昇限位置に待機している昇降アーム４によりウェハ２
の下端を支持する。なお、水槽３の上端部側面には、水
槽３からあふれ出た水を回収するためのＵ字溝状の水受
け７が設けられている。
【００１１】次に、本乾燥装置による作業要領を以下に
示す。一旦、図１の矢印Ａに示されるように昇降アーム
４を下限位置まで下降し、ウェハ２全体を水槽３内に水
没させる。ウェハ２表面は前記洗浄にて親水性にしてお
くことにより、表面へ付着粒子が付着し難くなる。
示す。一旦、図１の矢印Ａに示されるように昇降アーム
４を下限位置まで下降し、ウェハ２全体を水槽３内に水
没させる。ウェハ２表面は前記洗浄にて親水性にしてお
くことにより、表面へ付着粒子が付着し難くなる。
【００１２】次に、図２の矢印Ｂに示されるように昇降
アーム４を上昇させる。この時の上昇速度は、ウェハ２
を上げる際にがたつくと液面が揺れてウェハ表面にパー
ティクルが付着するため、ウェハ２を振動させない程度
に遅くする。また、水温は４０℃以上６０℃以下である
と良い。水温が４０℃未満の場合にはウェハ２の表面が
乾燥し難く、ウェハ２の上昇速度が遅いと、水面の揺れ
などの影響を比較的長時間受けることになる。水温が６
０℃を越える場合には、溶液中のパーティクルが付着し
易くなり、またボイルするため液中に気泡が発生し、蒸
気の発生量が多くなって、均一に乾燥できなくなる。
アーム４を上昇させる。この時の上昇速度は、ウェハ２
を上げる際にがたつくと液面が揺れてウェハ表面にパー
ティクルが付着するため、ウェハ２を振動させない程度
に遅くする。また、水温は４０℃以上６０℃以下である
と良い。水温が４０℃未満の場合にはウェハ２の表面が
乾燥し難く、ウェハ２の上昇速度が遅いと、水面の揺れ
などの影響を比較的長時間受けることになる。水温が６
０℃を越える場合には、溶液中のパーティクルが付着し
易くなり、またボイルするため液中に気泡が発生し、蒸
気の発生量が多くなって、均一に乾燥できなくなる。
【００１３】この乾燥装置１による乾燥により水温を４
０℃以上６０℃以下にすると、ボイルが発生せずに速や
かに乾燥し、ウェハ２表面に対する付着粒子の低減及び
均一乾燥を行うことができる。
０℃以上６０℃以下にすると、ボイルが発生せずに速や
かに乾燥し、ウェハ２表面に対する付着粒子の低減及び
均一乾燥を行うことができる。
【００１４】
【発明の効果】このように本発明によれば、スピンドラ
イ法のように回転機構を用いないため発塵を防止でき、
また水温を４０℃以上６０℃以下にすることにより、半
導体基板を上昇させつつ速やかに蒸発させることがで
き、乾燥が遅い場合の液面の波打ちの影響による付着粒
子の増加を防止でき、表面の付着粒子を極力低減しかつ
均一な乾燥を行うことができる。
イ法のように回転機構を用いないため発塵を防止でき、
また水温を４０℃以上６０℃以下にすることにより、半
導体基板を上昇させつつ速やかに蒸発させることがで
き、乾燥が遅い場合の液面の波打ちの影響による付着粒
子の増加を防止でき、表面の付着粒子を極力低減しかつ
均一な乾燥を行うことができる。
【図１】本発明に基づく乾燥装置を示すの模式的断面
図。
図。
【図２】本乾燥装置の作動要領を示す模式的断面図。
１ 乾燥装置 ２ ウェハ ３ 水槽 ４ 昇降アーム ５ 搬送アーム ６ ガイド溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渥美 純 相模原市淵野辺５−10−１ 新日本製鐵株 式会社エレクトロニクス研究所内 (72)発明者 佐近 正 川崎市中原区井田1618番地 新日本製鐵株 式会社先端技術研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を洗浄後に乾燥するための半
導体基板の洗浄液乾燥方法であって、 純水を満たされた水槽中に半導体基板を水没させる過程
と、前記半導体基板を昇降手段により前記水槽中から上
昇させる過程とを有し、前記純水の温度が、４０℃以上
６０℃以下であることを特徴とする半導体基板の洗浄液
乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10782994A JPH07297165A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板の洗浄液乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10782994A JPH07297165A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板の洗浄液乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297165A true JPH07297165A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14469099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10782994A Pending JPH07297165A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板の洗浄液乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297165A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001078112A1 (de) * | 2000-04-05 | 2001-10-18 | Mattson Wet Products Gmbh | Verfahren zum be- und entladen eines behandlungsbeckens |
| KR102035626B1 (ko) * | 2018-12-26 | 2019-10-23 | 조인숙 | 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치 |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP10782994A patent/JPH07297165A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001078112A1 (de) * | 2000-04-05 | 2001-10-18 | Mattson Wet Products Gmbh | Verfahren zum be- und entladen eines behandlungsbeckens |
| KR102035626B1 (ko) * | 2018-12-26 | 2019-10-23 | 조인숙 | 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치 |
| WO2020138812A1 (ko) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 조인숙 | 반도체 웨이퍼용 건조기의 가이드장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010109 |