JPH03204921A - 剥離装置 - Google Patents

剥離装置

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Publication number
JPH03204921A
JPH03204921A JP8260290A JP8260290A JPH03204921A JP H03204921 A JPH03204921 A JP H03204921A JP 8260290 A JP8260290 A JP 8260290A JP 8260290 A JP8260290 A JP 8260290A JP H03204921 A JPH03204921 A JP H03204921A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
water
stripping solution
stripping
solution
absorbing unit
Prior art date
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Pending
Application number
JP8260290A
Other languages
English (en)
Inventor
Daisuke Manabe
真鍋 大輔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH03204921A publication Critical patent/JPH03204921A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は剥離装置、特にフォトレジストを剥離するため
の剥離装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の剥離装置は、第2図に示すように、剥離液1を収
容する浸漬槽2と、剥離液1を加温するヒータ3と、剥
離液1を循環させて液の攪拌と液中のレジストの残渣や
ゴミを濾過するフィルタ4と、循環ポンプ5とで構成さ
れていた。
なお基本的にはフィルタ4と循環ポンプ5がなくても剥
離装置としての機能は有している。
浸漬槽2の中の剥離液1をヒータ3で加熱し、所定の温
度に保持しておき、その中に7オトレジストを剥離する
基板10を浸漬すると、加熱された剥離液にフォトレジ
ストが溶解し、基板10からフォトレジストが剥離でき
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、このような上述した従来の剥離装置は剥
離処理を行う基板の枚数が少ない場合には、剥離液の加
熱、冷却が繰返さ八て、剥離液が長期間にわたって使用
されることになるが、剥離液として有機溶剤と有機アミ
ンとの混合溶剤として構成されている剥離液では空気中
の水分が次第に剥離液中に溶は込み、この水分とアミン
によってアルカリ性を示すようになり、基板表面の金属
(例えばアルミニウムなど)に対して腐食性をもつよう
になるという欠点があった。
特に、繰返し使用の場合7〜10日で水分が1%程度溶
は込んだ状態となり、この場合にその腐食性が最大とな
ると言われており、水分が一定量以上溶は込んだ剥離液
では基板にダメージを与えるため、剥離液を交換する必
要があり、剥離液の寿命が短かくなるという欠点もあっ
た。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の剥離装置は、浸漬槽と、剥離液を加熱するヒー
タと、水分吸収ユニットと、フィルタと、剥離液を前記
水分吸収ユニットとフィルタを通して循環させる循環ポ
ンプとを含んで構成される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図である。
第1図に示す剥離装置は、容量的lOでのテフロン製の
浸漬槽2と、この浸漬槽2の底部に設けられた剥離液を
加熱するためのヒータ3と、循環系への接続口9と、更
に上部にも循環系からの配管接続口すとを有している。
浸漬槽2の底部の接続口aからの循環系配管はポンプ5
.水分吸収ユニット6、フィルタ4を経由して浸漬槽2
の上部の接続口すと接続されている。
ここで、水分吸収ユニット6はテフロン製のフィルタハ
ウジングに約800gのシリカゲルを充填して構成され
ている。
また、循環ポンプ5は毎分約3pの流量をもち、フィル
タ4は0.45μmのサイズのフィルタを使用した。
剥離液1は東京応化製商品名剥離液10を使用した。こ
の剥離液1を毎日3時間ずつ90℃に加熱し、加熱冷却
を繰返した場合、7〜10日での水分の溶は込みは、0
.5%以下であり、基板に対するダメージもなく、剥離
液の寿命を2倍以上にすることができた。
上述した実施例では水分吸収ユニット6としてテフロン
製のフィルタハウジングに約800gのシリカゲルを充
填したものを用いる例を示したが、この代りに約700
gのモレキュラーシーブを充填したものを使用したもの
であってもよい。
この場合は、毎日5時間ずつ90℃に加熱し、加熱冷却
を繰返したが、1週間後の剥離液中の水分は0.5%以
下で、上述した実施例と同様に基板に対するダメージも
なく、剥離液の寿命を2倍以上にすることができた。
〔発明の効果〕
本発明の剥離装置は、剥離液の循環濾過系内に水分吸収
ユニットを設ける構成とすることにより、剥離液中に溶
は込む水分を除去することが可能となり、剥離液による
基板へのダメージを防止できるとともに、剥離液を長寿
命化できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は従来
の一例を示す構成図である。 ■・・・・・・剥離液、2・・・・・・浸漬槽、3・・
・・・・ヒータ、4・・・・・・フィルタ、5・・・・
・・循環ポンプ、6・・・・・・水分吸収ユニット、1
0・・・・・・基板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、剥離液を収容し被剥離基板を浸漬する浸漬槽と、該
    剥離液を加温するヒータと、前記剥離液中の水分を除去
    する水分吸収ユニットと、前記剥離液を濾過するフィル
    タと、前記剥離液を浸漬槽から水分吸収ユニットと前記
    フィルタユニットを通して循環させる循環ポンプとを含
    むことを特徴とする剥離装置。 2、特許請求の範囲第1項に記載の剥離装置において、
    水分吸収ユニット中の吸収剤がシリカゲルであることを
    特徴とする第1項記載の剥離装置。 3、特許請求の範囲第1項に記載の剥離装置において、
    水分吸収ユニット中の吸収剤がモレキュラーシーブであ
    ることを特徴とする第1項記載の剥離装置。
JP8260290A 1989-10-06 1990-03-29 剥離装置 Pending JPH03204921A (ja)

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JP8260290A JPH03204921A (ja) 1989-10-06 1990-03-29 剥離装置

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JP1-261557 1989-10-06
JP26155789 1989-10-06
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JP (1) JPH03204921A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005215627A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Japan Organo Co Ltd レジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置
US20090179806A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. Antenna mounting for electronic devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005215627A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Japan Organo Co Ltd レジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置
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