JPH1128563A - 半田付け方法 - Google Patents
半田付け方法Info
- Publication number
- JPH1128563A JPH1128563A JP18104697A JP18104697A JPH1128563A JP H1128563 A JPH1128563 A JP H1128563A JP 18104697 A JP18104697 A JP 18104697A JP 18104697 A JP18104697 A JP 18104697A JP H1128563 A JPH1128563 A JP H1128563A
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- JP
- Japan
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- alcohol
- soldered
- residue
- rosin
- dipping
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、半田付け方法において環境に与え
る影響をなくすことを目的とするものである。 【解決手段】 この目的を達成するために本発明は、ロ
ジン系フラックスを用いて半田付けを行った被半田付け
体を第１浸漬槽１内に浸漬させ、ここでアルコール２で
ロジン系フラックスを膨潤させた後に、高圧洗浄室１０
で高圧水を噴射させ、ロジン系フラックスを除去するよ
うにしたものである。
る影響をなくすことを目的とするものである。 【解決手段】 この目的を達成するために本発明は、ロ
ジン系フラックスを用いて半田付けを行った被半田付け
体を第１浸漬槽１内に浸漬させ、ここでアルコール２で
ロジン系フラックスを膨潤させた後に、高圧洗浄室１０
で高圧水を噴射させ、ロジン系フラックスを除去するよ
うにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は各種半田付け体の半
田付け方法に関するものである。
田付け方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、被半田付け体にロジン系フラック
スを用いて半田付けを行った場合には、このロジン系フ
ラックス残渣の除去のためには、フロン、エタンなどが
用いられていた。
スを用いて半田付けを行った場合には、このロジン系フ
ラックス残渣の除去のためには、フロン、エタンなどが
用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フロ
ン、エタンなどの使用は環境に悪影響を与えるという課
題を有していた。
ン、エタンなどの使用は環境に悪影響を与えるという課
題を有していた。
【０００４】本発明は、環境に悪影響を与えない半田付
け方法を提供することを目的とするものである。
け方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、ロジン系フラックス残渣付着部分にアルコ
ールを付着させた後に、このロジン系フラックス残渣付
着部分に高圧水を噴射してロジン系フラックス残渣を除
去するようにしたものである。
に本発明は、ロジン系フラックス残渣付着部分にアルコ
ールを付着させた後に、このロジン系フラックス残渣付
着部分に高圧水を噴射してロジン系フラックス残渣を除
去するようにしたものである。
【０００６】この発明によれば、環境に悪影響を与えな
い半田付け方法を提供できるものである。
い半田付け方法を提供できるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、被半田付け体をロジン系フラックスを用いて半田付
けを行った後に、ロジン系フラックス残渣部分にアルコ
ールを付着させ、その後、このロジン系フラックス部分
に高圧水を噴射してロジン系フラックスを除去するよう
にしたものであるから、環境に悪影響を与えないという
作用を有するものである。
は、被半田付け体をロジン系フラックスを用いて半田付
けを行った後に、ロジン系フラックス残渣部分にアルコ
ールを付着させ、その後、このロジン系フラックス部分
に高圧水を噴射してロジン系フラックスを除去するよう
にしたものであるから、環境に悪影響を与えないという
作用を有するものである。
【０００８】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１に記載の発明において、アルコールとしてグリコール
エーテルを用いたものであるから、半田付け部分におけ
るマイグレーションを防止することができる。すなわ
ち、被半田付け体において銀電極などが用いられている
場合には、この銀電極のマイグレーションを防止しなけ
ればならないのであるが、このアルコールとしてグリコ
ールエーテルを用いた場合には、そのマイグレーション
を防止することができるという作用を有するものであ
る。
１に記載の発明において、アルコールとしてグリコール
エーテルを用いたものであるから、半田付け部分におけ
るマイグレーションを防止することができる。すなわ
ち、被半田付け体において銀電極などが用いられている
場合には、この銀電極のマイグレーションを防止しなけ
ればならないのであるが、このアルコールとしてグリコ
ールエーテルを用いた場合には、そのマイグレーション
を防止することができるという作用を有するものであ
る。
【０００９】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
２に記載の発明において、グリコールエーテル中に純水
を添加したものであって、これによってアルコール自体
の引火点を消失させることができるという作用を有する
ものである。
２に記載の発明において、グリコールエーテル中に純水
を添加したものであって、これによってアルコール自体
の引火点を消失させることができるという作用を有する
ものである。
【００１０】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
３に記載の発明において、純水が１０％の含有量とした
ので、その引火点を消失させるとともに、アルコールと
しての膨潤効果を維持できるという作用を有するもので
ある。
３に記載の発明において、純水が１０％の含有量とした
ので、その引火点を消失させるとともに、アルコールと
しての膨潤効果を維持できるという作用を有するもので
ある。
【００１１】本発明の請求項５に記載の発明は、請求項
２に記載の発明において、アルコールを５０℃に加温し
たのでロジン系フラックス残渣の膨潤効果が高くなると
いう作用を有するものである。
２に記載の発明において、アルコールを５０℃に加温し
たのでロジン系フラックス残渣の膨潤効果が高くなると
いう作用を有するものである。
【００１２】（実施の形態）以下、本発明の一実施形態
における半田付け方法を図面を用いて説明する。図１は
本発明の一実施の形態における半田付け方法の工程図、
図２は同要部である被半田付け体の斜視図である。図２
に示すごとく被半田付け体３５としては基板３３上に抵
抗体３４を印刷し、その抵抗体３４の接続部分に銀電極
３１を有するものであって、その接続部分に端子３２を
半田付けしたものを想定している。図１において、端子
３２を銀電極３１にロジン系フラックスを用いて半田付
けした被半田付け体３５を第１浸漬槽１に浸漬させる。
この第１浸漬槽１の中には、純水を１０％入れたグリコ
ールエーテル系のアルコール２が満たされており、この
中に先ほどの被半田付け体３５が浸漬されるようになっ
ている。なお、第１浸漬槽１には循環槽３が設けられて
おり、この循環槽３にはヒーター４が設けられている。
すなわち、先ほどのアルコール２は、この循環槽３に循
環させられ、ヒーター４で５０℃に加温された後に、ポ
ンプ５によって第１浸漬槽１に循環させられるようにな
っている。また、膨潤させるためには、アルコール２を
５０℃前後に加温しておく方がロジン系フラックス残渣
は膨潤しやすくなるのである。
における半田付け方法を図面を用いて説明する。図１は
本発明の一実施の形態における半田付け方法の工程図、
図２は同要部である被半田付け体の斜視図である。図２
に示すごとく被半田付け体３５としては基板３３上に抵
抗体３４を印刷し、その抵抗体３４の接続部分に銀電極
３１を有するものであって、その接続部分に端子３２を
半田付けしたものを想定している。図１において、端子
３２を銀電極３１にロジン系フラックスを用いて半田付
けした被半田付け体３５を第１浸漬槽１に浸漬させる。
この第１浸漬槽１の中には、純水を１０％入れたグリコ
ールエーテル系のアルコール２が満たされており、この
中に先ほどの被半田付け体３５が浸漬されるようになっ
ている。なお、第１浸漬槽１には循環槽３が設けられて
おり、この循環槽３にはヒーター４が設けられている。
すなわち、先ほどのアルコール２は、この循環槽３に循
環させられ、ヒーター４で５０℃に加温された後に、ポ
ンプ５によって第１浸漬槽１に循環させられるようにな
っている。また、膨潤させるためには、アルコール２を
５０℃前後に加温しておく方がロジン系フラックス残渣
は膨潤しやすくなるのである。
【００１３】次に、このロジン系フラックス残渣の膨潤
時間として１５〜１６秒経過した後に、この被半田付け
体３５は、第１浸漬槽１から取り出されて第２浸漬槽６
へ浸漬される。第２浸漬槽６においても第１浸漬槽と同
じくアルコール２が満たされており、さらに循環槽７に
おいては循環槽３と同様のことが行われている。すなわ
ちヒーター８が設けられており、加温されたものがポン
プ９で第２浸漬槽６に循環させられるようになっている
のである。そして、第２浸漬槽６においても、１５秒経
過した後、被半田付け体３５は取り出され、高圧洗浄室
１０において２００kgf/cm2の高圧水を高圧ポンプ１１
によりロジン系フラックス残渣部分に向けて噴射し、こ
こで完全にロジン系フラックス残渣を除去していく。こ
のとき、前記高圧水は逆浸透膜処理装置１２により水道
水を純水に変えたものである。この場合、第１浸漬槽
１、第２浸漬槽６においてアルコールで十分にロジン系
フラックス残渣が膨潤しているので、この２００kgf/cm
2の高圧水で簡単にかつ確実に除去することができる。
そして、このフラックスが除去された被半田付け体３５
はヒーター１３から圧搾空気を温風として送られる乾燥
室１４で乾燥させられ、次工程に移動するようになって
いる。
時間として１５〜１６秒経過した後に、この被半田付け
体３５は、第１浸漬槽１から取り出されて第２浸漬槽６
へ浸漬される。第２浸漬槽６においても第１浸漬槽と同
じくアルコール２が満たされており、さらに循環槽７に
おいては循環槽３と同様のことが行われている。すなわ
ちヒーター８が設けられており、加温されたものがポン
プ９で第２浸漬槽６に循環させられるようになっている
のである。そして、第２浸漬槽６においても、１５秒経
過した後、被半田付け体３５は取り出され、高圧洗浄室
１０において２００kgf/cm2の高圧水を高圧ポンプ１１
によりロジン系フラックス残渣部分に向けて噴射し、こ
こで完全にロジン系フラックス残渣を除去していく。こ
のとき、前記高圧水は逆浸透膜処理装置１２により水道
水を純水に変えたものである。この場合、第１浸漬槽
１、第２浸漬槽６においてアルコールで十分にロジン系
フラックス残渣が膨潤しているので、この２００kgf/cm
2の高圧水で簡単にかつ確実に除去することができる。
そして、このフラックスが除去された被半田付け体３５
はヒーター１３から圧搾空気を温風として送られる乾燥
室１４で乾燥させられ、次工程に移動するようになって
いる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明は、ロジン系フラッ
クスを用いて半田付けを行った被半田付け体の残渣をア
ルコールで膨潤させた後に高圧水を噴射してロジン系フ
ラックス残渣を除去することができるのでフロン、エタ
ンは用いず環境に悪影響を与えるということのない半田
付け方法を提供できるという効果を有するものである。
クスを用いて半田付けを行った被半田付け体の残渣をア
ルコールで膨潤させた後に高圧水を噴射してロジン系フ
ラックス残渣を除去することができるのでフロン、エタ
ンは用いず環境に悪影響を与えるということのない半田
付け方法を提供できるという効果を有するものである。
【図１】本発明の一実施形態における半田付け方法を示
す工程図
す工程図
【図２】同要部である被半田付け体の斜視図
１ 第１浸漬槽 ２ アルコール ３ 循環槽 ４ ヒーター ５ ポンプ ６ 第２浸漬槽 ７ 循環槽 ８ ヒーター ９ ポンプ １０ 高圧洗浄室 １１ 高圧ポンプ １２ 逆浸透膜処理装置 １３ ヒーター １４ 乾燥室
Claims (5)
- 【請求項１】 被半田付け体をロジン系フラックスを用
いて半田付けを行った後に、前記ロジン系フラックス残
渣付着部分にアルコールを付着させ、その後、このロジ
ン系フラックス部分に高圧水を噴射してロジン系フラッ
クスを除去する半田付け方法。 - 【請求項２】 アルコールとしてグリコールエーテル系
のアルコールを用いた請求項１に記載の半田付け方法。 - 【請求項３】 グリコールエーテル系のアルコール中に
純水を添加した請求項２に記載の半田付け方法。 - 【請求項４】 純水は１０％の含有量とした請求項３に
記載の半田付け方法。 - 【請求項５】 アルコールは５０℃に加温した請求項２
に記載の半田付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18104697A JPH1128563A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18104697A JPH1128563A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 半田付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1128563A true JPH1128563A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16093832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18104697A Pending JPH1128563A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 半田付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1128563A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106057802A (zh) * | 2011-03-18 | 2016-10-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储器设备和电子设备 |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP18104697A patent/JPH1128563A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106057802A (zh) * | 2011-03-18 | 2016-10-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储器设备和电子设备 |
| CN106057802B (zh) * | 2011-03-18 | 2020-03-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储器设备和电子设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040628 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040713 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050624 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060523 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060530 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061003 |