CN106513889B - 一种搪锡方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种搪锡方法，包括如下步骤，(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理；(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后的电子元件依次浸入至助焊剂、锡锅中，进行搪锡；(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件经冷却、清洗，得到成品；本发明的优点在于，预先将氧化层处理掉，再选用浸蘸的方式进行搪锡，去除了导致产品合格率低的不良因素，使成品中杂质含量降低至≤1％，提高成品合格率，同时搪锡处理方式缩短了时间，保证产品其他性能不受影响，方法简便、易行，适于规模化推广。

Description

一种搪锡方法
技术领域
本发明属于化学处理工艺领域，具体为一种搪锡方法。
背景技术
搪锡方法是指预先在元器件的引线、导线端头和各类线端子挂上一层薄而均匀的焊锡，以便整机装配时顺利进行焊接工作。但在实际操作工作中，需要进行焊接的各类线端子等连接元件，由于承担着使整机稳固连接、承受一定压力等功能，往往都是由特定的材料制成，而这些材料在实现功能的同时，也会有自身的缺陷，如公开号为 CN104201539A，发明名称为“一种连接器插针的搪锡方法”公开的技术方案：将连接器插针经清洗、蘸阻隔胶、烘干、涂助焊剂，再进行搪锡，其实现的技术效果是，通过阻焊胶对连接器插针不需要搪锡的位置进行保护再搪锡，然后用去胶溶剂去除插针表面的阻焊胶，更好地实现了连接器插针的局部搪锡去金，将插针针脚易脆的金材料去除，不仅能够保证插针的顺利连接，还助于提升产品坚固的性能。
再如，在集成电路行业中，集成电路封装管壳的引脚选用可伐合金，可伐合金是由易氧化的铁、钴、镍三种元素组成，所以长时间暴露在空气中会在可伐合金表面产生氧化层，此氧化层如不能及时的处理干净，在后续的搪锡工艺中会造成搪锡不完全等不合格产品，故在进行搪锡前需要对可伐合金进行预处理，但是，如果长时间将集成电路浸入高温锡锅中会造成密封不良等后果。在现有技术中，上述专利已经公开了解决连接件去金的技术问题，但既能解决去氧化层，又必须保证其他产品性能的问题亟待解决。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明公开了一种搪锡方法，其实现的目的为在搪锡方法中，通过预先去除电子元件上的氧化层，减少导致产品合格率低的不良因素，从而提高产品合格率。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案为，研发出一种新的搪锡方法，包括如下步骤，(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理；
(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后的电子元件依次浸入至助焊剂、锡锅中，进行搪锡；
(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件经冷却、清洗，得到成品。有些电子元件由于材料本身的物理特性，暴露在空气中时，会发生大面积的氧化，而发生氧化后再进行搪锡则会直接导致成品的合格率低，本发明预先将氧化层处理掉，再选用浸蘸的方式进行搪锡，去除了导致产品合格率低的不良因素，同时搪锡处理方式缩短了时间，保证产品其他性能不受任何影响，方法简便、易行，适于规模化推广。
本发明所指的电子元件包括组成电子产品的各部分零部件，尤其适用于金属材质的元件，例如集成电路、电容、连接器插针等。
进一步的，步骤(1)中采用去氧化液对电子元件去氧化处理，去氧化液为浓硫酸与水按照1:1-4的体积比配制而成。采用浓硫酸去除氧化层效果良好，且不会腐蚀电子元件本身，也不会对后续搪锡带来其他成分的杂质。
进一步的，步骤(1)中去氧化处理时，采用的去氧化液温度为25℃-98℃，在此温度条件下，去氧化处理的用时最少、效果最佳。
进一步的，去氧化液为浓硫酸与水按照1:1的体积比配制而成，采用温度为90℃ -98℃的去氧化液进行去氧化处理，去氧化液为浓硫酸与水按照1:4的体积比配制而成，采用温度为25℃的去氧化液进行去氧化处理，去氧化液浓度越低，所需要的温度也随之逐渐降低，浓度配合相适应的温度条件，去氧化效果最佳的同时，不会对电子元件本身腐蚀。
进一步的，步骤(1)去氧化处理的时间为90s-240s，去氧化液为浓硫酸与水按照1:1的体积比配制而成，处理时间为90s-98s，去氧化液为浓硫酸与水按照1:4的体积比配制而成，处理时间为2min-4min。去氧化液的浓度越高处理时间越短，处理时间一般根据电子元件上氧化层的行程时间、厚度而定，采用本发明的去氧化液，即使氧化层形成时间长、较为严重也在5min之内能够去除，即可得到不影响后续搪锡处理的电子元件，处理时间短、效率高。
进一步的，步骤(2)中，先将电子元件的1/3浸入到助焊剂，再将电子元件全部浸入到锡锅中，重复所述浸蘸方法，将电子元件浸入锡锅蘸锡三次，每次电子元件完全浸入至锡锅中保持的时间为1s，选用上述方法进行搪锡，得到的成品中杂质含量降低至≤1％。
进一步的，步骤(2)搪锡处理的温度为260℃-280℃，所采用的搪锡处理温度选择可进一步保证，搪锡处理不会对电子元件其他功能改性。
进一步的，步骤(3)中将搪锡后的电子元件冷却至25℃再进行清洗，搪锡后的电子元件冷却至室温环境即可，得到杂质含量低、其他产品性能均不影响的成品。
进一步的，所述的步骤(3)电子元件冷却完成后进行清洗时，先在40℃-50℃的温水下冲洗15-20min，再用细毛刷轻刷电子元件表面，用于将电子元件的灰尘、杂质等清洗干净。
进一步的，用细毛刷轻刷电子元件表面后，将电子元件完全浸入煮沸的开水中浸泡30-35min，此步骤可将电子元件灭菌、增强电子元件物理弹性，减少影响成品合格率的杂质。
进一步的，步骤(3)中清洗时使用的洗液为纯净水，所选用的纯净水指的是不含杂质的、不含有细菌的水，杂质是指有机污染物、无机盐、任何添加剂和各类杂质，清洗选用纯净水则可进一步保证电子元件不会再额外引入杂质，提高成品合格率。
除了上述搪锡方法外，本发明相应的也保护根据上述搪锡方法制得的电子元件产品。
综上，本发明包括以下有益效果：预先将氧化层处理掉，再选用浸蘸的方式进行搪锡，去除了影响产品合格率低的不良因素，使成品中杂质含量降低至≤1％，提高成品合格率，同时搪锡处理方式缩短了时间，保证产品其他性能不受任何影响，方法简便、易行，适于规模化推广。
具体实施方式
下面通过具体的实施例对本发明做进一步的详细描述。
实施例一：本发明公开的一种搪锡方法，包括如下步骤，
(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理：去氧化处理所使用的溶液根据电子元件材料而定，一般采用醋酸溶液、柠檬酸溶液等。
(2)搪锡处理：将步骤(1)先浸入助焊剂中，后浸入锡锅中，进行搪锡；助焊剂是指在焊接工艺中能帮助和促进焊接过程，同时具有保护作用、阻止氧化反应的化学物质，助焊剂采用现有技术中常用于电子元件的助焊剂即可，助焊剂的主要原材料有机溶剂，松香树脂及其衍生物、合成树脂表面活性剂、有机酸活化剂、防腐蚀剂、助溶剂、成膜剂等，由于使用的助焊剂为本领域技术人员公知的现有技术，故不在此详细描述。
(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件经冷却、清洗，得到成品，本步骤所涉及的冷却温度、清洗液、清洗液温度条件等，无特殊限制，只要本步骤中冷却处理方法、选用的现有技术中清洗液与前述两个步骤配合，不会影响产品性能、降低成品合格率即可。
本发明所指的电子元件包括组成电子产品的各部分零部件，尤其适用于金属材质的元件，例如集成电路、电容、连接器插针等，例如采用上述方法可应用于集成电路行业中，集成电路封装管壳的引脚选用可伐合金材质铸成，但可伐合金长时间暴露在空气中会在其表面产生氧化层，此氧化层如不能及时的处理干净，在后续的搪锡工艺中会造成搪锡不完全等不合格产品，采用本发明方法得到的成品，经过现有技术方法检测杂质含量≤1％，其他性能均没有受到不良影响，同一批次生产产品中合格率达到98％。
实施例二：本发明提供的一种搪锡方法，包括如下步骤，
(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理：采用去氧化液对电子元件去氧化处理，去氧化液为浓硫酸与水按照1:1的体积比配制而成，采用温度为98℃的上述去氧化液对电子元件的氧化层进行腐蚀，腐蚀时间90s即可；
(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后电子元件的1/3浸入到装有助焊剂中，再将电子元件全部浸入到锡锅中，采用所述方式，电子元件浸入锡锅蘸锡三次，每次电子元件完全浸入至锡锅中保持的时间为1s；先采用浓硫酸去除氧化层、后采用三次蘸锡的方法进行搪锡，能较彻底的完成搪锡操作，一致性好，得到的产品杂质含量≤1％。
(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件放在专用货架上，自然降温冷却至室温，然后再将电子元件清洗，清洗时电子元件温度始终保持在25℃，清洗后即得到成品。
实施例三：本发明公开的搪锡方法，包括如下步骤，
(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理：采用去氧化液对电子元件去氧化处理，去氧化液为浓硫酸与水按照1:4的体积比配制而成，采用25℃的去氧化液对电子元件的氧化层进行腐蚀，腐蚀4min即可处理妥当，不会影响后续搪锡处理；所述浓硫酸是指本领域技术人员公知的，质量分数大于或等于70％的硫酸溶液。
(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后电子元件的1/3浸入到助焊剂中，再将电子元件全部浸入到锡锅中，采用所述方式，电子元件浸入锡锅蘸锡三次，每次电子元件完全浸入至锡锅中保持的时间为1s，搪锡处理的温度为260℃；先采用浓硫酸去除氧化层、后采用三次蘸锡的方法进行搪锡，能较彻底的完成搪锡操作，一致性好，得到的产品杂质含量≤1％。
(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件放在专用货架上，自然降温冷却至25℃再进行清洗，清洗时先在40℃的温水下冲洗15-20min，再用细毛刷轻刷电子元件表面然后再将电子元件清洗，用细毛刷轻刷电子元件表面后，将电子元件完全浸入煮沸的开水中浸泡30-35min，清洗所采用的水均为纯净水。
经上述制得的电子元件物理弹性良好、杂质含量低，同一批次生产的产品合格率高达98％。
实施例四：本发明公开的搪锡方法，包括如下步骤，
(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理：采用去氧化液对电子元件去氧化处理，去氧化液为浓硫酸与水按照1:1.5的体积比配制而成，采用90℃的去氧化液对电子元件的氧化层进行腐蚀，腐蚀98s即可处理妥当，不会影响后续搪锡处理；所述浓硫酸是指本领域技术人员公知的，质量分数大于或等于70％的硫酸溶液。
(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后电子元件的1/3浸入到助焊剂中，再将电子元件全部浸入到锡锅中，采用所述方式，电子元件浸入锡锅蘸锡三次，每次电子元件完全浸入至锡锅中保持的时间为1s，搪锡处理的温度为280℃；先采用浓硫酸去除氧化层、后采用三次蘸锡的方法进行搪锡，能较彻底的完成搪锡操作，一致性好，得到的产品杂质含量≤1％。
(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件放在专用货架上，自然降温冷却至25℃再进行清洗，清洗时先在50℃的温水下冲洗15-20min，再用细毛刷轻刷电子元件表面然后再将电子元件清洗，用细毛刷轻刷电子元件表面后，将电子元件完全浸入煮沸的开水中浸泡30-35min，清洗所采用的水均为纯净水。
经上述制得的电子元件物理弹性良好、杂质含量低，同一批次生产的产品合格率高达98％。
实施例五：本发明公开的搪锡方法，包括如下步骤，(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理：采用去氧化液对电子元件去氧化处理，去氧化液为浓硫酸与水按照 1:2的体积比配制而成，采用80℃的去氧化液对电子元件的氧化层进行腐蚀，腐蚀 105-112s即可处理妥当，不会影响后续搪锡处理；所述浓硫酸是指本领域技术人员公知的，质量分数大于或等于70％的硫酸溶液。
(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后电子元件的1/3浸入到助焊剂中，再将电子元件全部浸入到锡锅中，采用所述方式，电子元件浸入锡锅蘸锡三次，每次电子元件完全浸入至锡锅中保持的时间为1s，搪锡处理的温度为270℃；先采用浓硫酸去除氧化层、后采用三次蘸锡的方法进行搪锡，能较彻底的完成搪锡操作，一致性好，得到的产品杂质含量≤1％。
(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件放在专用货架上，自然降温冷却至25℃再进行清洗，清洗时先在45℃的温水下冲洗15-20min，再用细毛刷轻刷电子元件表面然后再将电子元件清洗，用细毛刷轻刷电子元件表面后，将电子元件完全浸入煮沸的开水中浸泡30-35min，清洗所采用的水均为纯净水。
经上述制得的电子元件物理弹性良好、杂质含量低，同一批次生产的产品合格率高达98％。
实施例六：本发明公开的搪锡方法，包括如下步骤，(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理：采用去氧化液对电子元件去氧化处理，去氧化液为浓硫酸与水按照 1:3的体积比配制而成，采用65℃的去氧化液对电子元件的氧化层进行腐蚀，腐蚀 130-150s即可处理妥当，不会影响后续搪锡处理；所述浓硫酸是指本领域技术人员公知的，质量分数大于或等于70％的硫酸溶液。
(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后电子元件的1/3浸入到助焊剂中，再将电子元件全部浸入到锡锅中，采用所述方式，电子元件浸入锡锅蘸锡三次，每次电子元件完全浸入至锡锅中保持的时间为1s，搪锡处理的温度为265℃；先采用浓硫酸去除氧化层、后采用三次蘸锡的方法进行搪锡，能较彻底的完成搪锡操作，一致性好，得到的产品杂质含量≤1％。
(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件放在专用货架上，自然降温冷却至25℃再进行清洗，清洗时先在48℃的温水下冲洗15-20min，再用细毛刷轻刷电子元件表面然后再将电子元件清洗，用细毛刷轻刷电子元件表面后，将电子元件完全浸入煮沸的开水中浸泡30-35min，清洗所采用的水均为纯净水。
经上述制得的电子元件物理弹性良好、杂质含量低，同一批次生产的产品合格率高达98％。
实施例七：本发明公开的搪锡方法，包括如下步骤，(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理：采用去氧化液对电子元件去氧化处理，去氧化液为浓硫酸与水按照 1:3.5的体积比配制而成，采用40℃的去氧化液对电子元件的氧化层进行腐蚀，腐蚀180-200s即可处理妥当，不会影响后续搪锡处理；所述浓硫酸是指本领域技术人员公知的，质量分数大于或等于70％的硫酸溶液。
(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后电子元件的1/3浸入到助焊剂中，再将电子元件全部浸入到锡锅中，采用所述方式，电子元件浸入锡锅蘸锡三次，每次电子元件完全浸入至锡锅中保持的时间为1s，搪锡处理的温度为275℃；先采用浓硫酸去除氧化层、后采用三次蘸锡的方法进行搪锡，能较彻底的完成搪锡操作，一致性好，得到的产品杂质含量≤1％。
(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件放在专用货架上，自然降温冷却至25℃再进行清洗，清洗时先在43℃的温水下冲洗15-20min，再用细毛刷轻刷电子元件表面然后再将电子元件清洗，用细毛刷轻刷电子元件表面后，将电子元件完全浸入煮沸的开水中浸泡30-35min，清洗所采用的水均为纯净水。
经上述制得的电子元件物理弹性良好、杂质含量低，同一批次生产的产品合格率高达98％。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种搪锡方法，其特征在于，该方法包括如下步骤，(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理；
(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后的电子元件依次浸入至助焊剂、锡锅中，进行搪锡；
(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件经冷却、清洗，得到成品；
步骤(1)中采用去氧化液对电子元件去氧化处理，去氧化液为浓硫酸与水按照1:1-4的体积比配制而成；
步骤(1)中去氧化处理时，采用的去氧化液温度为25℃-98℃；
步骤(1)去氧化处理的时间为90s-240s；
步骤(2)中，先将电子元件的1/3浸入到助焊剂中，再将电子元件全部浸入到锡锅中；在步骤(2)进行电子元件的搪锡处理时，电子元件浸入锡锅蘸锡三次，每次电子元件完全浸入至锡锅中保持的时间为1s；步骤(2)搪锡处理的温度为260℃-280℃；步骤(3)中将搪锡后的电子元件冷却至25℃再进行清洗；所述的步骤(3)电子元件冷却完成后进行清洗时，先在40℃-50℃的温水下冲洗15-20min，再用细毛刷轻刷电子元件表面；用细毛刷轻刷电子元件表面后，将电子元件完全浸入煮沸的开水中浸泡30-35min；步骤(3)中清洗时使用的洗液为纯净水。
2.根据权利要求1所述的搪锡方法，其特征在于，去氧化液为浓硫酸与水按照1:1的体积比配制而成，采用温度为90℃-98℃的去氧化液进行去氧化处理。
3.根据权利要求1所述的搪锡方法，其特征在于，去氧化液为浓硫酸与水按照1:4的体积比配制而成，采用温度为25℃的去氧化液进行去氧化处理。
4.根据权利要求2所述的搪锡方法，其特征在于，氧化液为浓硫酸与水按照1:1的体积比配制而成，去氧化处理的时间为90s-98s。
5.根据权利要求3所述的搪锡方法，其特征在于，去氧化液为浓硫酸与水按照1:4的体积比配制而成，去氧化处理的时间为2min-4min。
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