JP5428859B2 - 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法 - Google Patents

鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5428859B2
JP5428859B2 JP2009526499A JP2009526499A JP5428859B2 JP 5428859 B2 JP5428859 B2 JP 5428859B2 JP 2009526499 A JP2009526499 A JP 2009526499A JP 2009526499 A JP2009526499 A JP 2009526499A JP 5428859 B2 JP5428859 B2 JP 5428859B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
free solder
solder flux
lead
cleaning composition
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009526499A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2009020199A1 (ja
Inventor
俊 田中
和貴 善福
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Arakawa Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Arakawa Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Arakawa Chemical Industries Ltd filed Critical Arakawa Chemical Industries Ltd
Priority to JP2009526499A priority Critical patent/JP5428859B2/ja
Publication of JPWO2009020199A1 publication Critical patent/JPWO2009020199A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5428859B2 publication Critical patent/JP5428859B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/26Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265Carboxylic acids or salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3227Ethers thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50Solvents
    • C11D7/5004Organic solvents
    • C11D7/5022Organic solvents containing oxygen
    • C11D2111/20
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/26Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/263Ethers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26Cleaning or polishing of the conductive pattern

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Description

本発明は、鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法に関する。
プリント配線板に電子部品を表面実装するには一般にハンダ付が行われる。しかし、ハンダ付後、腐食性のフラックス残渣が生じ、これがプリント配線基板の品質を低下させる。従って、当該残渣を洗浄除去する必要がある。
フラックス残渣用の洗浄剤としては種々あるが、引火の危険性や環境への影響等が小さく、またフラックス残渣の溶解力に優れるものとして、ポリオキシアルキレングリコールエーテル系化合物からなる非ハロゲン系有機溶剤にポリオキシアルキレンリン酸エステル系界面活性剤を添加してなる洗浄剤が知られている(例えば特許文献1および2)。
しかし、当該洗浄剤では、被洗浄物が複雑で微細な構造を有する実装基板等である場合において、十分な洗浄効果が得られない。例えば、FC実装やBGA実装のように、チップを多数の微細なハンダバンプで回路に接合するタイプのプリント配線基板を洗浄しようとしても、マイクロメータレベルの狭小な部分・間隙に付着したフラックス残渣を十分に除去できない。
この問題を解決できる洗浄剤については、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル系の非ハロゲン系有機溶剤と、特定分子量のアミン系化合物とを含有し、かつ25℃における粘度が特定範囲となるように調製された洗浄剤が開示されている(特許文献3)。
しかし、当該洗浄剤では、被洗浄物が鉛フリーハンダを用いて表面実装されたものである場合において、狭小な部分・間隙に付着したフラックス残渣を十分に除去できない。しかも、洗浄工程で一旦除去された汚れが、水すすぎ工程時に被洗浄物を再汚染し、白色残渣になりやすいという問題がある。
なお、被洗浄物が例えば実装基板のように枚葉状の物品である場合には、洗浄工程と水すすぎ工程の効率の観点より、一般的には洗浄剤とすすぎ液(通常は水)はいずれもスプレー態様で用いられることが多い。
しかし、例えば特許文献1や2の洗浄剤で洗浄した後に水を吹き付けると、被洗浄物の表面で多量の泡が生じてしまい、水すすぎ工程の管理が煩雑になる問題がある。この点、例えば消泡剤を使用することも考えられるが、これを原因とする洗浄不良が生じることがある。
特開平4−57899号公報 特開平8−73893号公報 特開平10−168488号公報
本発明は、引火の危険性や環境への影響が小さい(以下、安全性等という)だけでなく、鉛フリーハンダでハンダ付した被洗浄物の狭小な部分・間隙に付着したフラックス残渣の溶解力に優れ(以下、隙間洗浄性ということがある)、かつ、水すすぎ工程における被洗浄物の再汚染が生じにくい(以下、防汚染性ということがある)、新規な洗浄剤組成物を提供することを課題とする。
また本発明は、安全性等や隙間洗浄性、防汚染性に優れるだけでなく、スプレー態様の水すすぎ工程において泡の発生が少ない(以下、低発泡性ということがある)、新規な洗浄剤組成物を提供することを更なる課題とする。
本発明者は、当該フラックス残渣中に、鉛フリーハンダに由来する錫、錫イオン、それらの化合物等が多量に存在するため、前記した問題が生ずると考えた。そして鋭意検討した結果、下記特定の組成からなる洗浄剤によれば前記課題を解決できることを見出した。即ち本発明は、下記の鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物及び鉛フリーハンダフラックスの除去方法に関する。
1. 下記一般式(1−1)で表される化合物および/または一般式(1−2)で表される化合物からなる非ハロゲン系有機溶剤(A)、下記一般式(2)で表されるアミン系化合物(B)、アミノ基非含有キレート剤(C)、ならびに必要に応じて水を含有する、鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
(式(1−1)中、Rは炭素数1〜6のアルキル基を、Rはメチル基または水素原子を、Xは炭素数1〜5のアルキル基または水素原子を、aは2〜4の整数を表す。)
(式(1−2)中、Rは炭素数1〜6のアルキル基を、Rはメチル基または水素原子を、Xは炭素数1〜5のアルキル基または水素原子を、bは2〜4の整数を表す。)
(式(2)中、Rは炭素数1〜7のアルキル基を、Yは炭素数1〜5のアルキル基または水素原子を、cは1〜15の整数を、dは0〜15の整数を表す。)
2. 前記非ハロゲン系有機溶剤(A)として、一般式(1−1)の化合物と一般式(1−2)の化合物を5/1〜1/5の重量比で含有する、1.の鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
3. 前記アミン系化合物(B)が、N−アルキルジアルカノールアミン類である、1.または2.の鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
4. 前記N−アルキルジアルカノールアミン類が、N−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N−ブチルジエタノールアミンおよびN−プロピルジエタノールアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種である、3.の鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
5. 前記アミノ基非含有キレート剤(C)が、脂肪族ヒドロキシカルボン酸系キレート剤および/または(ポリ)リン酸系キレート剤である、1.〜4.のいずれかの鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
6. 前記脂肪族ヒドロキシカルボン酸系キレート剤が、クエン酸、イソクエン酸およびリンゴ酸からなる群より選ばれる少なくとも1種である、5.の鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
7. 前記(ポリ)リン酸系キレート剤が、オルトリン酸、ピロリン酸およびトリリン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種である、5.の鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
8. 前記非ハロゲン系有機溶剤(A)100重量部に対して、前記アミン系化合物(B)を0.01〜30重量部、前記アミノ基非含有キレート剤(C)を0.01〜10重量部、および水を0〜10重量部含有する、1.〜7.のいずれかの鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
9. 水を5重量%含有する場合におけるB型粘度計の測定値が1〜10mPa・s/(20℃,60rpm,ローターNo.1)である、1.〜8.のいずれかの鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
10. ポリオキシアルキレンリン酸エステル系界面活性剤を含有しない、1.〜9.のいずれかの鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
11. 1.〜10.のいずれかの鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物を、鉛フリーハンダフラックスに接触させることを特徴とする、鉛フリーハンダフラックスの除去方法。
12. 1.〜10.のいずれかの鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物を、鉛フリーハンダフラックスにスプレー吹き付けすることにより洗浄物を得た後、当該洗浄物に水をスプレー吹き付けすることを特徴とする、鉛フリーハンダフラックスの除去方法。
本発明に係る洗浄剤組成物は、安全性等に優れるだけでなく、鉛フリーハンダでハンダ付した被洗浄物の狭小な部分・間隙に付着したフラックス残渣の溶解力に優れる。
そのため当該洗浄剤組成物は、例えば鉛フリーハンダを用いたFC実装やBGA実装のように、複雑で微細な構造を有するプリント配線基板の洗浄に特に適する。
また、本発明に係る洗浄剤組成物によれば、洗浄工程で一旦除去された汚れによる、水すすぎ工程時における被洗浄物の再汚染が生じにくい。
また、本発明に係る洗浄剤組成物がポリオキシアルキレンリン酸エステル系界面活性剤を含有しないものである場合には、間隙洗浄性や防汚染性に優れるだけでなく、スプレー態様による水すすぎ工程における泡の発生が少ないため、水すすぎ工程の管理が容易になる等の利点がある。
本発明に係る洗浄剤組成物の洗浄対象である「鉛フリーハンダフラックス」とは、具体的には、鉛フリーハンダに由来する錫を含むフラックス残渣を意味し、例えば、(ア)粉状の鉛フリーハンダとフラックス組成物とからなるペーストでハンダ付した後に生ずるフラックス残渣や、(イ)鉛フリーハンダで形成された電極を、フラックス組成物を介してハンダ付けした後に生ずるフラックス残渣、を含む意である。
なお、「鉛フリーハンダ」としては、例えば、Sn−Ag系ハンダ、Sn−Cu系ハンダ、Sn−Ag−Cu系ハンダ、Sn−Zn系ハンダ、Sn−Sb系ハンダ等が挙げられる。
また、「フラックス組成物」としては、具体的には、例えば、樹脂酸類(天然ロジン、重合ロジン、α,β不飽和カルボン酸変性ロジン等)や合成樹脂類(アクリル樹脂、ポリアミド樹脂等)などのベース樹脂、活性剤(アジピン酸等の有機酸、ジエチルアミン臭化水素銀等のハロゲン系化合物等)、チキソトロピック剤(硬化ひまし油、ヒドロキシステアリン酸エチレンビスアミド等)、溶剤(ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等)を主成分とする組成物が挙げられる。
<鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物>
本発明の洗浄剤組成物は、下記一般式(1−1)で表される化合物および/または一般式(1−2)で表される化合物からなる非ハロゲン系有機溶剤(A)(以下、(A)成分という)、下記一般式(2)で表されるアミン系化合物(B)(以下、(B)成分という)、アミノ基非含有キレート剤(C)(以下、(C)成分という)、ならびに必要に応じて水とを含有する点に特徴がある。
該(A)成分のうち、一般式(1−1)で表される化合物とは、以下のものである。
(式(1−1)中、Rは炭素数1〜6のアルキル基を、Rはメチル基または水素原子を、Xは炭素数1〜5のアルキル基または水素原子を、aは2〜4の整数を表す。)
当該化合物としては、各種公知のものを特に制限なく用いることができる。具体的には、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールエチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルブチルエーテル、ジエチレングリコールプロピルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノペンチルエーテル、ジエチレングリコールジペンチルエーテル、ジエチレングリコールメチルペンチルエーテル、ジエチレングリコールエチルペンチルエーテル、ジエチレングリコールプロピルペンチルエーテル、ジエチレングリコールブチルペンチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル等のジエチレングリコールエーテル類;これらに対応するトリ−もしくはテトラエチレングリコールエーテル類;これらアルキレングリコールエーテル類においてRをメチル基としたグリコールエーテル類等が挙げられ、これらは1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、安全性等や間隙洗浄性の観点より、特にジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルが好ましい。
また、該(A)成分のうち、一般式(1−2)で表される化合物とは、以下のものである。
(式(1−2)中、Rは炭素数1〜6のアルキル基を、Rはメチル基または水素原子を、Xは炭素数1〜5のアルキル基または水素原子を、bは2〜4の整数を表す。)
当該化合物としては、各種公知のものを特に制限なく用いることができる。具体的には、例えば、前記一般式(1−1)の化合物として例示されたものについて、一般式(1−1)中の「R−O−」に相当する部位を「R−COO−」に置換したものが挙げられ、それらは1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。それらの中でも、安全性等や間隙洗浄性の観点より、特にジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等が好ましい。
なお、本発明の洗浄剤組成物において、(A)成分として前記一般式(1−1)の化合物と一般式(1−2)の化合物を5/1〜1/5程度、好ましくは2/1〜1/5の重量比で用いると、鉛フリーハンダフラックスの溶解力を維持しつつ洗浄剤を低粘度化できることから、隙間洗浄性が向上する。
また、本発明の洗浄剤組成物には、必要に応じて該(A)成分以外の非ハロゲン系有機溶剤を含有させることができる。具体的には、例えば、窒素含有化合物系溶剤(1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジプロピル−2−イミダゾリジノン、N−メチル−2−ピロリドン等)、炭化水素系溶剤(ヘキサン、ヘプタン、オクタン等)、アルコール系溶剤(メタノール、エタノール、ベンジルアルコール等)、ケトン系溶剤(アセトン、メチルエチルケトン等)、エーテル系溶剤(ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、グリコールエーテル類等)、エステル系溶剤(酢酸エチル、酢酸メチル等)等が挙げられ、これらは1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
前記(B)成分は、下記一般式(2)で表される。
(式(2)中、Rは炭素数1〜7のアルキル基を、Yは炭素数1〜5のアルキル基または水素原子を、cは1〜15の整数を、dは0〜15の整数を表す。)
該(B)成分としては、各種公知のものを特に制限なく用いることができる。具体的には、例えば、N−アルキルジアルカノールアミン類(N−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N−ブチルジエタノールアミン、N−プロピルジエタノールアミン等);式(2)中のRをアルキル基とする第1級脂肪族アミン(オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、2−エチルヘキシルアミン等)と、前記cを繰り返し単位とするエチレンオキサイドとの反応物等が挙げられ、これらは1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、安全性等や、特に防汚染性および低発泡性の観点より、前記N−アルキルジアルカノールアミン類が好ましく、特にN−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N−ブチルジエタノールアミンおよびN−プロピルジエタノールアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種がより好ましい。
前記(C)成分としては、分子内にアミノ基を有しないキレート剤であれば、各種公知のものを特に制限なく用いることができる。特に、隙間洗浄性や特に防汚染性の観点より、脂肪族ヒドロキシカルボン酸系キレート剤および/または(ポリ)リン酸系キレート剤が好ましい。
該脂肪族ヒドロキシカルボン酸系キレート剤としては、具体的には、炭素数が2〜5程度の直線状アルキル基を基本骨格として、これにカルボキシル基が2〜3個程度、および水酸基が1〜3個程度結合したヒドロキシカルボン酸類が挙げられる。具体的には、クエン酸、イソクエン酸、リンゴ酸、酒石酸や、これらの塩(ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、アルカノールアミン塩等をいう。以下、同様。)等を例示できる。これらの中でも、隙間洗浄性や特に防汚染性の観点より、クエン酸、イソクエン酸およびリンゴ酸からなる群より選ばれる少なくとも1種が好ましく、とりわけクエン酸が好ましい。
また、(ポリ)リン酸系キレート剤としては、隙間洗浄性や特に防汚染性の観点より、オルトリン酸、ピロリン酸およびトリリン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種が好ましく、特にピロリン酸が好ましい。
なお、(C)成分の代わりに分子内にアミノ基を有するキレート剤を用いると、水すすぎ工程時に被洗浄物の再汚染が生じ易くなる。そのようなものとしては、例えば、エチレンジアミン四酢酸や2−ヒドロキシエチルイミノ二酢酸等が挙げられる。
水としては、例えば純水、イオン交換水、精製水等が挙げられる。
なお、本発明の洗浄剤組成物には、本発明の所期の効果を損なわない程度において、各種公知の添加剤、例えばノニオン性界面活性剤(前記(A)成分および(B)成分に相当するものを除く)、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等の各種界面活性剤や、消泡剤、防錆剤、酸化防止剤等を含ませることができる。
該ノニオン性界面活性剤としては、例えば、一般式(3):R−O−(CH−CH−O)−H(式中、Rは炭素数8〜20のアルキル基を、eは0〜20の整数を表す。)で表される化合物や、脂肪酸アミドのエチレンオキサイド付加物、ソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、脂肪酸アルカノールアミド、これらの対応するポリオキシプロピレン系界面活性剤等が挙げられ、これらは1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、該アニオン性界面活性剤としては、具体的には、例えば、硫酸エステル系アニオン性界面活性剤(高級アルコールの硫酸エステル塩、アルキル硫酸エステル塩、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル塩等)、スルホン酸塩系アニオン性界面活性剤(アルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩等)等が挙げられ、これらは1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、該カチオン性界面活性剤としては、具体的には、例えば、アルキル化アンモニウム塩、4級アンモニウム塩等を挙げることができ、これらは1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
また両性界面活性剤としては、アミノ酸型、ベタイン型両性界面活性剤を挙げることができ、これらは1種を単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明の洗浄剤組成物中、各成分の含有量は特に限定されないが、本発明の所期の効果を考慮して、通常は、(A)成分100重量部に対して、(B)成分が0.01〜30重量部程度(好ましくは0.1〜5重量部)、(C)成分が0.01〜10重量部程度(好ましくは0.02〜1重量部)、水が0〜10重量部程度(好ましくは1〜8重量部)である。また、前記添加剤の含有量は、通常5重量部程度未満である。
また、本発明の洗浄剤組成物の粘度は特に限定されないが、隙間洗浄性を考慮して、水を5重量%含有する場合におけるB型粘度計の測定値が1〜10mPa・s(20℃,60rpm,ローターNo.1)程度であるのが好ましい。ここで、mPa・s(20℃,60rpm,ローターNo.1)とは、ローターとしてローターNo.1を用い、洗浄剤組成物の液温が20℃で、且つ、ローター回転数が60rpmの条件下でB型粘度計を用いて測定された粘度を意味する。なお、前記粘度を測定する際の前記洗浄剤組成物のpHは通常2〜10程度である。
<鉛フリーハンダフラックスの除去方法>
本発明の洗浄剤組成物を鉛フリーハンダフラックスに接触させることにより、被洗浄物に付着した鉛フリーハンダフラックスを除去できる。
本発明の洗浄剤組成物の利用態様は特に限定されず、各種公知の方法を採用できる。具体的には、例えば、スプレー装置を使用して当該洗浄剤を鉛フリーハンダフラックスが付着した被洗浄物にスプレー吹き付けする方法(特開2007−096127号公報参照)、当該洗浄剤組成物に該被洗浄物を浸漬して超音波洗浄する方法、直通式洗浄装置(登録商標「ダイレクトパス」、荒川化学工業(株)製、特許第2621800号等)を用いる方法等が挙げられる。
本発明の洗浄剤組成物を用いて鉛フリーハンダフラックスを除去した後、得られた洗浄物を水ですすぐことが好ましい。特に、本発明の除去方法としては、前記洗浄剤組成物を、鉛フリーハンダフラックスにスプレー吹き付けすることにより洗浄物を得た後、当該洗浄物に水をスプレー吹き付けする方法が好ましい。
また、前記すすぎ処理は、複数回繰り返し行ってもよい。例えば、前記洗浄物に対して、プレすすぎ処理を行った後、仕上げすすぎ処理を行うことにより、洗浄物表面に付着した洗浄剤組成物を効果的に除去できる。
プレすすぎ処理は、純水等を用いた従来のプレすすぎ処理の方法に準じて行えばよい。
仕上げすすぎ処理は、従来の方法に従って行えばよい。例えば、プレすすぎ処理物に対して純水等を用いて処理する方法が挙げられる。
プレすすぎ処理後及び/又は仕上げすすぎ処理後に、必要に応じて乾燥処理を行ってもよい。
なお、すすぎ工程が、当該被洗浄物に水をスプレー吹き付けする態様で行われる場合には、低発泡性の観点より、本発明の洗浄剤としては、前記した各種界面活性剤を含まないほうが好ましい。
特に、アニオン性界面活性剤として、ポリオキシアルキレンリン酸エステル系界面活性剤を含まないものが好ましい。前記ポリオキシアルキレンリン酸エステル系界面活性剤としては、例えば、一般式(4):R−O−(CH−CH−O)−P(=O)(−Z)−OH(式中、Rは炭素数5〜20のアルキル基を、fは0〜20の整数を、Zはポリオキシアルキレンエーテル基または水酸基を表す。)で表される化合物やその塩が挙げられる。
以下、実施例および比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
(洗浄剤組成物の調製)
下記表1に示す各成分を混合し(重量%基準)、実施例1〜16および比較例1〜5の洗浄剤組成物を調製した。
表1中、各記号は以下の通りである。
BDG:ジエチレングリコールモノブチルエーテル
HeDG:ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル
EDGA:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
MBD:N−ブチルジエタノールアミン
CA:クエン酸
MA:リンゴ酸
PA:ピロリン酸
EDTA:エチレンジアミン四酢酸
212C:ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸モノエステル(製品名「プライサーフA212C」、第一工業製薬(株)製)
208B:ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸モノエステル(製品名「プライサーフA208B」、第一工業製薬(株)製)
Vis:B型粘度計(製品名「B8M」、(株)トキメック製;ローターNo.1)による、20℃および60rpmにおける測定値
〔鉛フリーハンダフラックスの調製〕
市販の鉛フリーハンダペースト(製品名「TASLF−219」、荒川化学工業(株)製;鉛フリーハンダ粉の組成は、96.5%がSn、3.0%がAg、0.5%がCuである。)をガラス瓶に仕込み、270℃のホットプレート上で加熱し、鉛フリーハンダ粉を溶融させた。その後、結果物は、溶融合体して沈降したハンダ合金とフラックス成分とに分離した。当該フラックス成分は、鉛フリーハンダでハンダ付した後に生ずるフラックス残渣のモデルであり、以下これを鉛フリーハンダフラックスとして用いる。
当該鉛フリーハンダフラックス成分の一部分を採取し、波長分散型蛍光X線分析装置(製品名「ZSX100e」、理学電機工業(株)製)を用いて錫濃度を測定した。結果、5重量%となる錫が検出された。
〔洗浄実験用モデルセルの作製〕
土台となるガラス板(縦0.6cm×横3cm×厚み1mm)の上に、スペーサーとなるガラス小板(縦0.6cm×横1cm×厚み350μm)を2枚、0.3cm間隔で併置し、当該ガラス小板間の凹部に前記鉛フリーハンダフラックスを供給した。
次いで、同じ大きさのガラス板を被せ、はみ出したフラックスを除去することにより、狭小空間(開口面積:0.3cm×350μm、奥行き:0.6cm)に前記鉛フリーハンダフラックスが充填された洗浄実験用モデルセルを作製した。
作製した洗浄実験用モデルセルに対して、下記試験1〜3を実施した。
〔試験1:隙間洗浄性の評価〕
前記モデルセルを実施例1で得た洗浄剤組成物(液温70℃)の中に浸漬し、10分間攪拌した後に取り出し、両開口部位における、フラックスが溶解した部分の合計面積(以下、溶解面積という)(mm)を算出した。また、実施例2〜16、および比較例1〜5の洗浄剤組成物についても同様の試験を実施した。
当該溶解面積が大きいほど、被洗浄物の狭小部分におけるフラックス残渣の溶解力が優れることを意味する。
〔試験2:防汚染性の評価〕
実施例1の洗浄剤組成物に前記鉛フリーハンダフラックスを分散させ(洗浄剤に対し1重量%)、試験液(汚れ液)とした。次いでこれをイオン交換水(すすぎ液)に、その濃度が1重量%、3重量%、5重量%となるように順に攪拌分散させ、それぞれの段階における分散液の濁りの有無を以下に基準で目視評価した。また、実施例2〜16、および比較例1〜5の洗浄剤組成物についても同様の試験を実施した。
濁りの発生は、水すすぎ工程における被洗浄物の再汚染の指標となる。結果を表2に示す。
A:分散液は透明であった。
B:分散液は若干白濁していた。
C:分散液はかなり白濁していた。
〔試験3:低発泡性の評価〕
実施例1の洗浄剤組成物にイオン交換水を加えて、洗浄剤の含有量が1重量%となるまで希釈し、得られた希釈液をガラス製試験管(φ15mm×150mm)に5cc入れ、密栓した。次いで、当該試験管を10回振とうし、10秒間放置した後の泡立ちの高さ(cm)を測定した。また、実施例2〜16、および比較例1〜5の洗浄剤組成物についても同様の試験を実施した。
泡立ちの高さは、その値が大きいほど、水すすぎ工程(スプレー態様)において泡が発生しやすいことを意味する。結果を表2に示す。
〔ハンダ付基板(被洗浄物)の作製〕
電極エリアを3×3個有する、10cm角のガラスエポキシ基板を用意した。前記電極エリアは、直径100μmの平面電極が正方形状に25個×25個配列されたものである。
次いで、各電極エリアの四辺上に位置する平面電極に、前記市販鉛フリーハンダペーストをメタルスキージを用いてスクリーン印刷した(スキージ速度:20mm/秒、版離れ速度:0.1mm/秒)。次いで、各電極エリアに5mm角のICチップ(電極数が25×25)を搭載した(計9個)。次いで、ICチップを搭載したハンダ付用基板を、窒素リフロー炉(プリヒート:150〜160℃)で90秒加熱し、ハンダ付けを行なうことによりハンダ付基板を得た。該ハンダ付基板において、ICチップとガラスエポキシ基板との間隙は50μmであった。
得られたハンダ付基板の模式図を図1に示す。
〔ハンダ付基板の洗浄〕
スプレー式洗浄装置及び貯液槽を備えた洗浄ステーション(登録商標「トルネードジェット」、荒川化学工業(株)製、図2)を用いてハンダ付基板の洗浄を行った。
まず、洗浄装置1内のWに相当する部分に、搭載されたICチップが上側になるように前記ハンダ付基板をセットした。次いで、該ハンダ付基板の面方向に回転する噴射ノズル(吹付け装置3)より、実施例1の洗浄剤組成物(液温度70℃)を、該ハンダ付基板のICチップを搭載した面に扇状に噴射(3kg/cm、2分間)することにより、洗浄を行なった。
〔プレすすぎ処理〕
洗浄後のハンダ付基板を、前記洗浄ステーションに隣接させたプレすすぎステーション(図2と同構成)における、プレすすぎ装置1内のWに相当する位置に、搭載されたICチップが上側になるようにセットした。次いで、該ハンダ付基板の面方向に回転する噴射ノズル(吹付け装置3)より、すすぎ液(液温25℃)を、該ハンダ付基板のICチップを搭載した面に扇状に噴射(1kg/cm、2分間)することにより、プレすすぎ処理を行なった。なお、前記すすぎ液としては、前記洗浄剤組成物を純水に溶解させてなる水溶液(該水溶液中における該組成物の含有量:3重量%)を用いた。前記洗浄剤組成物を純水に溶解させたのは、すすぎ装置が閉回路(図2参照)である場合、液を循環使用することになるので、その状況(汚染状況)を再現するためである。
〔試験4:低発泡性の評価〕
プレすすぎ処理直後の貯液槽R(貯液槽口面積2205cm)の液面(使用済みすすぎ液の液面)に発生した泡の高さから、すすぎ性を以下の基準で目視評価した。なお、前記液面から貯液槽口までの高さは10cmである。
A:液面にほとんど泡が発生していない
B:液面からタンク口までの高さの半分程度まで泡が発生している
C:タンク口から泡があふれる
〔仕上げすすぎ処理〕
プレすすぎ処理後のハンダ付基板を、前記プレすすぎステーションに隣接させた仕上げすすぎステーション(図2と同構成)における、仕上げすすぎ装置1内のWに相当する部分にセットした。次いで、プレすすぎ処理後のハンダ付基板に対して、該ハンダ付基板の面方向に回転する噴射ノズル(吹付け装置3)より、純水(液温25℃)を該ハンダ付基板のICチップを搭載した面に扇状に噴射(3kg/cm)することにより、仕上げすすぎ処理を行なった。
実施例2〜16、および比較例1〜5の洗浄剤組成物を用いた場合についても、上記と同様の方法により、ハンダ付基板の洗浄、プレすすぎ処理及び仕上げすすぎ処理を実施した。
〔試験5:基板洗浄性の評価〕
仕上げすすぎ処理後、乾燥を行ったハンダ付基板から、全てのICチップを引き剥がし、フラックス残渣が目視確認できた電極エリアの個数を数えた。数が多いほど、洗浄性が不良であることを意味する。
A:どの電極エリアにおいてもフラックスの残渣が観察されない。
B:フラックスの残渣が確認できる電極エリアが1〜2箇所ある。
C:フラックスの残渣が確認できる電極エリアが3〜4箇所ある。
D:フラックスの残渣が確認できる電極エリアが5箇所以上ある。
図1は、[実施例]にて作製したハンダ付基板の模式図を示す。 図2は、[実施例]にて利用した洗浄ステーション、プレすすぎステーション及び仕上げすすぎステーションの概略図を示す。
符号の説明
1 洗浄装置、プレすすぎ装置、又は仕上げすすぎ装置
2 支持部
3 吹付け装置
4 給液装置
6 液受け部
7 蓋部
C2、C4 調節弁
D2、D4 自動弁
E2、E4 圧力計
F2、F4 流量計
G4 逆止弁
H5 ストレーナ
K1、K2、K3、K4、K5 管
P ポンプ
R 貯液槽
S 洗浄ステーション
W 基板

Claims (10)

  1. 下記一般式(1−1)で表される化合物および/または一般式(1−2)で表される化合物からなる非ハロゲン系有機溶剤(A)、N−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N−ブチルジエタノールアミンおよびN−プロピルジエタノールアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種であるアミン系化合物(B)、アミノ基非含有キレート剤(C)を含有ポリオキシアルキレンリン酸エステル系界面活性剤を含有しない、鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
    (式(1−1)中、Rは炭素数1〜6のアルキル基を、Rはメチル基または水素原子を、Xは炭素数1〜5のアルキル基または水素原子を、aは2〜4の整数を表す。)
    (式(1−2)中、Rは炭素数1〜6のアルキル基を、Rはメチル基または水素原子を、Xは炭素数1〜5のアルキル基または水素原子を、bは2〜4の整数を表す。
  2. 前記非ハロゲン系有機溶剤(A)として、一般式(1−1)の化合物と一般式(1−2)の化合物を5/1〜1/5の重量比で含有する、請求項1の鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
  3. 前記アミノ基非含有キレート剤(C)が、脂肪族ヒドロキシカルボン酸系キレート剤および/または(ポリ)リン酸系キレート剤である、請求項1又は2の鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
  4. 前記脂肪族ヒドロキシカルボン酸系キレート剤が、クエン酸、イソクエン酸およびリンゴ酸からなる群より選ばれる少なくとも1種である、請求項の鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
  5. 前記(ポリ)リン酸系キレート剤が、オルトリン酸、ピロリン酸およびトリリン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種である、請求項の鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
  6. さらに水を含む、請求項1〜5のいずれかの鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
  7. 前記非ハロゲン系有機溶剤(A)100重量部に対して、前記アミン系化合物(B)を0.01〜30重量部、前記アミノ基非含有キレート剤(C)を0.01〜10重量部、および水を0〜10重量部含有する、請求項1〜のいずれかの鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
  8. 水を5重量%含有する場合におけるB型粘度計の測定値が1〜10mPa・s/(20℃,60rpm,ローターNo.1)である、請求項1〜のいずれかの鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物。
  9. 請求項1〜のいずれかの鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物を、鉛フリーハンダフラックスに接触させることを特徴とする、鉛フリーハンダフラックスの除去方法。
  10. 請求項1〜のいずれかの鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物を、鉛フリーハンダフラックスにスプレー吹き付けすることにより洗浄物を得た後、当該洗浄物に水をスプレー吹き付けすることを特徴とする、鉛フリーハンダフラックスの除去方法。
JP2009526499A 2007-08-08 2008-08-08 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法 Active JP5428859B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009526499A JP5428859B2 (ja) 2007-08-08 2008-08-08 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007207107 2007-08-08
JP2007207107 2007-08-08
JP2008018852 2008-01-30
JP2008018852 2008-01-30
JP2009526499A JP5428859B2 (ja) 2007-08-08 2008-08-08 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法
PCT/JP2008/064275 WO2009020199A1 (ja) 2007-08-08 2008-08-08 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2009020199A1 JPWO2009020199A1 (ja) 2010-11-04
JP5428859B2 true JP5428859B2 (ja) 2014-02-26

Family

ID=40341426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009526499A Active JP5428859B2 (ja) 2007-08-08 2008-08-08 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8372792B2 (ja)
JP (1) JP5428859B2 (ja)
KR (1) KR101530321B1 (ja)
CN (1) CN101827928B (ja)
TW (1) TWI443191B (ja)
WO (1) WO2009020199A1 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101530321B1 (ko) * 2007-08-08 2015-06-19 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스의 제거 방법
JP5556658B2 (ja) * 2008-08-27 2014-07-23 荒川化学工業株式会社 鉛フリーはんだフラックス除去用洗浄剤組成物および鉛フリーはんだフラックス除去システム
US8614053B2 (en) 2009-03-27 2013-12-24 Eastman Chemical Company Processess and compositions for removing substances from substrates
US8309502B2 (en) * 2009-03-27 2012-11-13 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8444768B2 (en) * 2009-03-27 2013-05-21 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
WO2011027673A1 (ja) * 2009-09-03 2011-03-10 荒川化学工業株式会社 鉛フリーハンダ水溶性フラックス除去用洗浄剤、除去方法及び洗浄方法
JP5514657B2 (ja) * 2010-07-09 2014-06-04 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法
CN102051286B (zh) * 2011-01-18 2012-09-12 广州瀚源电子科技有限公司 一种松香型焊锡膏用水基清洗剂
US9170051B2 (en) * 2012-04-02 2015-10-27 Illinois Tool Works Inc. Reflow oven and methods of treating surfaces of the reflow oven
US8940099B2 (en) 2012-04-02 2015-01-27 Illinois Tool Works Inc. Reflow oven and methods of treating surfaces of the reflow oven
US9029268B2 (en) 2012-11-21 2015-05-12 Dynaloy, Llc Process for etching metals
JP6158060B2 (ja) * 2013-12-10 2017-07-05 花王株式会社 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物
JP6202678B2 (ja) * 2014-02-03 2017-09-27 花王株式会社 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物
JP6226144B2 (ja) * 2014-02-27 2017-11-08 荒川化学工業株式会社 洗浄剤組成物原液、洗浄剤組成物および洗浄方法
US10711224B2 (en) 2014-04-16 2020-07-14 Ecolab Usa Inc. Compositions and methods useful for removing tablet coatings
JP6928026B2 (ja) * 2014-04-16 2021-09-01 エコラボ ユーエスエー インコーポレイティド 錠剤コーティングを除去するために有用な組成物及び方法
JP6345512B2 (ja) * 2014-06-30 2018-06-20 花王株式会社 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物
US9902006B2 (en) 2014-07-25 2018-02-27 Raytheon Company Apparatus for cleaning an electronic circuit board
JP6951059B2 (ja) * 2016-08-01 2021-10-20 花王株式会社 スクリーン版用洗浄剤組成物
CN108929808B (zh) * 2017-05-26 2020-11-27 荒川化学工业株式会社 无铅软钎料焊剂用清洗剂组合物、无铅软钎料焊剂的清洗方法
JP7385597B2 (ja) * 2018-12-05 2023-11-22 花王株式会社 フラックス残渣除去用洗浄剤組成物
KR20210099006A (ko) 2018-12-05 2021-08-11 카오카부시키가이샤 플럭스 잔사의 세정
CN111073765A (zh) * 2019-12-11 2020-04-28 长沙凯泽工程设计有限公司 一种电子线路板清洁清洗剂的制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02290982A (ja) * 1989-04-28 1990-11-30 Nippon Hyomen Kagaku Kk 錫基本金属被膜の剥離液
JPH0457900A (ja) * 1990-06-27 1992-02-25 Arakawa Chem Ind Co Ltd ロジン系ハンダフラックスの先浄剤および該洗浄剤を用いてなるロジン系ハンダフラックスの洗浄方法
JPH0515858A (ja) * 1991-07-12 1993-01-26 Seiko Epson Corp ワーク洗浄装置
JPH0521936A (ja) * 1991-07-12 1993-01-29 Seiko Epson Corp 回路基板洗浄方法及び洗浄装置
JPH07236862A (ja) * 1994-02-25 1995-09-12 Arakawa Chem Ind Co Ltd 微細孔構造を有する電子材料の洗浄処理方法
JPH0873893A (ja) * 1994-07-05 1996-03-19 Arakawa Chem Ind Co Ltd 洗浄剤組成物
JPH10168488A (ja) * 1996-10-11 1998-06-23 Kao Corp 洗浄剤組成物
WO2007119392A1 (ja) * 2006-03-17 2007-10-25 Arakawa Chemical Industries, Ltd. 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、鉛フリーハンダフラックス除去用すすぎ剤、及び鉛フリーハンダフラックスの除去方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0457899A (ja) 1990-06-27 1992-02-25 Arakawa Chem Ind Co Ltd ロジン系ハンダフラックスの洗浄剤および該洗浄剤を用いてなるロジン系ハンダフラックスの洗浄方法
US7579308B2 (en) * 1998-07-06 2009-08-25 Ekc/Dupont Electronics Technologies Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
JP4025953B2 (ja) * 2001-01-05 2007-12-26 荒川化学工業株式会社 洗浄剤組成物
US7543592B2 (en) * 2001-12-04 2009-06-09 Ekc Technology, Inc. Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
DE10160993A1 (de) * 2001-12-12 2003-06-18 Basf Ag Stickstoffhaltige Polymere umfassende Reinigungsmittelzusammensetzungen
JP4443864B2 (ja) * 2002-07-12 2010-03-31 株式会社ルネサステクノロジ レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法
JP4161850B2 (ja) * 2003-05-13 2008-10-08 コニカミノルタエムジー株式会社 感光性組成物、感光性平版印刷版、及びその画像形成方法
JP4737361B2 (ja) * 2003-12-19 2011-07-27 Jsr株式会社 絶縁膜およびその形成方法
WO2006026784A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-09 Applied Chemical Technologies, Inc. Methods and compositions for paint removal
JP4855667B2 (ja) * 2004-10-15 2012-01-18 ハリマ化成株式会社 樹脂マスク層の除去方法およびはんだバンプ付き基板の製造方法
US20060094613A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Lee Wai M Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
WO2006133253A1 (en) * 2005-06-07 2006-12-14 Advanced Technology Materials, Inc. Metal and dielectric compatible sacrificial anti-reflective coating cleaning and removal composition
US20080139436A1 (en) * 2006-09-18 2008-06-12 Chris Reid Two step cleaning process to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric material
KR101530321B1 (ko) * 2007-08-08 2015-06-19 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스의 제거 방법
US20090137191A1 (en) * 2007-10-29 2009-05-28 Wai Mun Lee Copper cmp polishing pad cleaning composition comprising of amidoxime compounds
TW200941582A (en) * 2007-10-29 2009-10-01 Ekc Technology Inc Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions
US20090130849A1 (en) * 2007-10-29 2009-05-21 Wai Mun Lee Chemical mechanical polishing and wafer cleaning composition comprising amidoxime compounds and associated method for use
US8062429B2 (en) * 2007-10-29 2011-11-22 Ekc Technology, Inc. Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions
KR20100082012A (ko) * 2007-11-16 2010-07-15 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 반도체 기판으로부터의 금속 하드 마스크 에칭 잔류물의 제거를 위한 조성물
JP5496463B2 (ja) * 2008-03-21 2014-05-21 富士フイルム株式会社 記録液、インクセット、画像記録方法、画像記録装置および記録物
JP5556658B2 (ja) * 2008-08-27 2014-07-23 荒川化学工業株式会社 鉛フリーはんだフラックス除去用洗浄剤組成物および鉛フリーはんだフラックス除去システム
US20100105595A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Wai Mun Lee Composition comprising chelating agents containing amidoxime compounds
US8361237B2 (en) * 2008-12-17 2013-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02290982A (ja) * 1989-04-28 1990-11-30 Nippon Hyomen Kagaku Kk 錫基本金属被膜の剥離液
JPH0457900A (ja) * 1990-06-27 1992-02-25 Arakawa Chem Ind Co Ltd ロジン系ハンダフラックスの先浄剤および該洗浄剤を用いてなるロジン系ハンダフラックスの洗浄方法
JPH0515858A (ja) * 1991-07-12 1993-01-26 Seiko Epson Corp ワーク洗浄装置
JPH0521936A (ja) * 1991-07-12 1993-01-29 Seiko Epson Corp 回路基板洗浄方法及び洗浄装置
JPH07236862A (ja) * 1994-02-25 1995-09-12 Arakawa Chem Ind Co Ltd 微細孔構造を有する電子材料の洗浄処理方法
JPH0873893A (ja) * 1994-07-05 1996-03-19 Arakawa Chem Ind Co Ltd 洗浄剤組成物
JPH10168488A (ja) * 1996-10-11 1998-06-23 Kao Corp 洗浄剤組成物
WO2007119392A1 (ja) * 2006-03-17 2007-10-25 Arakawa Chemical Industries, Ltd. 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、鉛フリーハンダフラックス除去用すすぎ剤、及び鉛フリーハンダフラックスの除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200914606A (en) 2009-04-01
KR20100047254A (ko) 2010-05-07
WO2009020199A1 (ja) 2009-02-12
KR101530321B1 (ko) 2015-06-19
CN101827928A (zh) 2010-09-08
US8372792B2 (en) 2013-02-12
TWI443191B (zh) 2014-07-01
JPWO2009020199A1 (ja) 2010-11-04
CN101827928B (zh) 2012-10-03
US20100180917A1 (en) 2010-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5428859B2 (ja) 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法
US8877697B2 (en) Cleaning agent for removal of, removal method for, and cleaning method for water-soluble, lead-free solder flux
JP5556658B2 (ja) 鉛フリーはんだフラックス除去用洗浄剤組成物および鉛フリーはんだフラックス除去システム
KR102176804B1 (ko) 스크린판용 세정제 조성물
JP6412377B2 (ja) 樹脂マスク層用洗浄剤組成物及び回路基板の製造方法
JP6598671B2 (ja) フラックス用洗浄剤組成物
KR102419315B1 (ko) 무연 납땜 용제용 세정제 조성물, 무연 납땜 용제의 세정 방법
JP6158060B2 (ja) 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物
CN107868728B (zh) 共沸清洗剂及其再生方法、清洗方法以及清洗剂试剂盒
JP7320839B2 (ja) リンス剤及びリンス剤の使用方法
JP6345512B2 (ja) 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物
JP2016058587A (ja) 回路基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110411

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130423

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130610

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5428859

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250