KR102176804B1 - 스크린판용 세정제 조성물 - Google Patents
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Abstract
세정성 및 액 제거성이 우수한 스크린판용의 세정제 조성물의 제공.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 10 g 미만인 아민 (성분 A) 또는 그 염, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 0.02 g 이상 10 g 미만인 용제 (성분 B), 및 물을 함유하고, 상기 성분 A 가 탄소수가 6 이상 26 이하의, 1 급 아민, 2 급 아민 및 3 급 아민에서 선택되는 적어도 1 종인, 스크린판용 세정제 조성물에 관한 것이다.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 10 g 미만인 아민 (성분 A) 또는 그 염, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 0.02 g 이상 10 g 미만인 용제 (성분 B), 및 물을 함유하고, 상기 성분 A 가 탄소수가 6 이상 26 이하의, 1 급 아민, 2 급 아민 및 3 급 아민에서 선택되는 적어도 1 종인, 스크린판용 세정제 조성물에 관한 것이다.
Description
본 개시는 스크린판용 세정제 조성물 및 스크린판의 세정 방법에 관한 것이다.
프린트 기판이나 세라믹 기판 등에 전자 부품을 실장할 때, 일반적으로 납땜이 행해진다. 통상, 납땜에는, 땜납 및 모재 표면의 산화막을 제거하거나, 혹은 땜납 및 모재 표면의 재산화를 방지하여, 충분한 땜납 접속을 얻는 목적으로 플럭스가 사용된다. 그러나 플럭스는 부식성이고, 플럭스 잔류물은 프린트 배선 기판의 품질을 저하시키는 점에서, 플럭스 잔류물을 세정 제거하기 위한 각종 세정제 조성물이 제안되어 있다.
예를 들어, 특허문헌 1 에는, 플럭스 잔류물이나 금속 가공유 등의 여러 가지 오염물을 세정하기 위한, 특정한 수용성 글리콜에테르 75 ∼ 94.99 중량％, 170 ∼ 270 ℃ 의 비점을 갖는 유기 아민류 0.01 ∼ 5 중량％, 물 5 ∼ 20 중량％ 로 구성하고, 실질적으로 타성분을 함유하지 않는 공업용 세정제 조성물이 개시되어 있다.
특허문헌 2 에는, 프린트 기판 제조시에 있어서의 임의의 공정에서 기판 상에 잔류하는 플럭스 및 재융해액을 세정하기 위한, 글리콜계 용제, 아민류 및/또는 계면 활성제로 이루어지는 세정제 조성물이 개시되어 있다.
최근, 저소비 전력, 고속 처리와 같은 관점에서, 전자 부품이 소형화되고 있고, 그것에 수반하여 배선 패턴이 미세화되고 있다. 미세한 배선 형성에는, 스크린판을 사용한 스크린 인쇄가 주로 행해지고 있다. 그러나, 스크린판의 반복 사용에 의한 플럭스나 땜납 페이스트 등의 각종 페이스트의 스크린판 표면에 대한 부착이 배선 불량 등의 제품 불량으로 이어져, 향후 커다란 문제가 되는 것이 염려되고 있다. 그러나, 종래의 세정제 조성물에서는, 스크린판에 부착된 플럭스나 땜납 페이스트 등의 오염물에 대한 세정성이 충분하지 않았다. 또한, 프레온 규제 이전부터 사용되고 있는 세정 장치가 여전히 많이 사용되고 있어, 세정제로서 탈프레온화했지만, 세정 장치의 구성 및 구조상, 세정 후에 헹굼을 실시하지 않고 그대로 건조시켜 스크린판을 사용하는 점에서, 높은 생산성을 얻기 위해서는, 세정제에는 빠른 건조성이나 액 제거성이 요구된다. 또한, 인화성을 갖는 등의 유기 용제를 사용하는 경우, 엄중한 설비를 설치하여 방폭 사양으로 할 필요가 있어, 인화성을 갖지 않고, 즉 고비점이면서 또한 저휘발성의 물을 함유하면서, 빠른 건조성, 액 제거성 및 미세 배선에 대응할 수 있는 높은 세정성을 갖는 세정제가 요구되고 있다.
예를 들어, 특허문헌 3 에는, 일정한 비점을 갖고, 수용성인 1 종 또는 2 종 이상의 글리콜에테르계 화합물 25 ∼ 45 중량％, 일정한 비점과 일정량의 수용성을 갖는 1 종 또는 2 종 이상의 글리콜에테르계 화합물 5 ∼ 25 중량％, 아민계 화합물 0.005 ∼ 1.0 중량％ 및 물 (잔량) 을 함유하는 메탈 마스크용 세정제가 개시되어 있다.
특허문헌 4 에는, 유기 EL 재료가 부착된 피세정물을 세정하기 위한 세정제로서, 프로필프로필렌디글리콜과 같은 특정한 프로필렌글리콜 5 ∼ 80 질량％ 및 N-메틸-2-피롤리돈과 같은 특정한 피롤리돈류 20 ∼ 95 질량％ 로 이루어지는 조성물을 함유하여 이루어지는 세정제가 개시되어 있다.
특허문헌 5 에는, 저비점의 친수성 글리콜에테르모노알킬에테르, 고비점의 친수성 글리콜에테르모노알킬에테르 및 물을 함유하는 스크린판 세정용 조성물이 개시되어 있다.
스크린판의 배선 패턴의 미세화에 수반하여, 스크린판의 반복 사용에 의한 플럭스나 땜납 페이스트 등의 각종 페이스트의 스크린판 표면에 대한 잔류에서 기인하는 제품 결함을 방지하기 위해, 세정제에는 보다 높은 세정성이 요구되고 있다. 또한, 높은 생산성을 얻기 위해서는, 세정 후에 빠르게 건조시킬 수 있는 것이 바람직하고, 세정제에는 빠른 액 제거성이 요구된다. 그러나, 상기 특허문헌에 기재된 방법에서는, 높은 세정성과 빠른 액 제거성을 양립시킬 수 있는 것이 없었다.
그래서, 본 개시는, 세정성 및 액 제거성이 우수한 스크린판용의 세정제 조성물 및 세정 방법을 제공한다.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 10 g 미만인 아민 (성분 A) 또는 그 염, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 0.02 g 이상 10 g 미만인 용제 (성분 B), 및 물을 함유하고, 상기 성분 A 가, 탄소수가 6 이상 26 이하의, 1 급 아민, 2 급 아민 및 3 급 아민에서 선택되는 적어도 1 종인, 스크린판용 세정제 조성물에 관한 것이다.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 사용하여 피세정물을 세정하는 공정을 포함하고, 상기 피세정물은, 스크린 인쇄 후의 스크린판인, 스크린판의 세정 방법에 관한 것이다.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 스크린 인쇄 후의 스크린판을 세정하기 위한, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용에 관한 것이다.
본 개시는, 일 양태에 있어서, 플럭스 및 땜납 페이스트의 적어도 일방을 스크린판으로부터 제거하기 위한, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용에 관한 것이다.
본 개시에 의하면, 세정성 및 액 제거성이 우수한 스크린판용의 세정제 조성물을 제공할 수 있다. 그리고, 본 개시의 세정제 조성물을 사용함으로써, 스크린판의 세정 및 건조에 걸리는 시간이 단축되고, 청정도가 우수한 스크린판을 효율적으로 얻을 수 있으며, 나아가 고품질의 프린트 기판이나 세라믹 기판 등의 전자 부품의 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
본 개시는, 스크린판의 세정에 사용하는 세정제 조성물 중에, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 10 g 미만이고, 탄소수 6 ∼ 26 의 1 ∼ 3 급 아민 (성분 A) 및 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 0.02 g 이상 10 g 미만인 용제 (성분 B) 를 함유시킴으로써, 세정성을 향상시킬 수 있고, 액 제거성이 빨라진다는 지견에 근거한다.
즉, 본 개시는, 일 양태에 있어서, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 10 g 미만인 아민 (성분 A) 또는 그 염, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 0.02 g 이상 10 g 미만인 용제 (성분 B), 및 물을 함유하고, 상기 성분 A 가, 탄소수가 6 이상 26 이하의, 1 급 아민, 2 급 아민 및 3 급 아민에서 선택되는 적어도 1 종인, 스크린판용 세정제 조성물 (이하, 「본 개시에 관련된 세정제 조성물」이라고도 한다) 에 관한 것이다. 본 개시에 의하면, 세정성 및 액 제거성이 우수한 스크린판용의 세정제 조성물을 제공할 수 있다. 그리고, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 사용함으로써, 스크린판의 세정 및 건조에 걸리는 시간이 단축되고, 청정도가 우수한 스크린판을 효율적으로 얻을 수 있으며, 나아가 고품질의 프린트 기판이나 세라믹 기판 등의 전자 부품의 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 효과의 작용 메커니즘의 상세에는 불분명한 부분이 있지만, 다음과 같이 추정된다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물을 스크린 인쇄 후의 스크린판의 세정에 사용하면, 세정제 조성물 중의 성분 A 의 아민은, 물에 대한 용해도가 낮아, 저친수성 즉 소수성을 갖는 점에서, 스크린판 표면에 흡착되어, 스크린판 표면을 소수화한다. 그리고, 성분 A 는, 스크린판 표면의 소수화와 동시에, 플럭스 등의 유성 성분에 흡착 혹은 침투하여, 유성 성분의 유동성을 높게 하고, 스크린판 표면과 전하 반발시킨다. 이와 같이 성분 A 가 스크린판 표면과 플럭스 등의 유성 성분에 작용함으로써, 스크린판으로부터 유성 성분을 떼어내고 (제거하고), 또한 제거한 유성 성분이 스크린판에 재부착되는 것을 방지할 수 있는 것으로 생각된다. 또한, 세정제 조성물에 의한 세정에 있어서, 스프레이나 초음파에 의한 물리력의 보조에 의해, 스크린판으로부터 유성 성분을 제거하기 쉬워지는 것으로 생각된다. 이와 같이, 스크린판으로부터의 유성 성분의 제거 및 재부착의 방지가 가능하고, 또한 유성 성분의 응집을 억제할 수 있기 때문에, 세정성이 향상되는 것으로 추측된다. 그리고, 스크린판 표면이 소수화된 것, 및/또는 세정제 조성물의 표면 장력이 큰 것에 의해, 액 제거성이 빨라지는 것으로 추측된다.
또, 세정제 조성물 중의 성분 B 의 용제는, 물에 대해 어느 정도의 용해도를 갖는 점에서, 성분 A 와 상용하여, 성분 A 를 수중에 균일하게 안정화시킬 수 있어, 플럭스 등의 유성 성분에 흡착 혹은 침투하기 쉽게 하기 때문에, 세정성이 향상되는 것으로 추측된다.
그리고, 성분 A 가 산과 염을 형성한 경우, 특히, 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 산 (성분 C) 이 추가로 배합되어, 성분 A 의 아민과 성분 C 의 산이 염을 형성한 경우, 세정제 조성물 중에 아민과 산의 염이 존재함으로써 플럭스 등의 유성 성분에 대한 침투성이 높아져, 보다 단시간에 상기 효과를 발현할 수 있게 되는 것으로 추측된다.
단, 본 개시는 이 메커니즘으로 한정하여 해석되지 않아도 된다.
[성분 A : 아민]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 10 g 미만인 아민 (성분 A) 또는 그 염을 함유한다. 본 개시에 있어서 성분 A 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
성분 A 의 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도는, 10 g 미만으로서, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 8 g 이하가 바람직하고, 5 g 이하가 보다 바람직하고, 2 g 이하가 더욱 바람직하고, 1 g 이하가 보다 더 바람직하고, 0.5 g 이하가 보다 더 바람직하고, 0.2 g 이하가 보다 더 바람직하고, 0.1 g 이하가 보다 더 바람직하며, 그리고, 동일한 관점에서, 0.0001 g 이상이 바람직하고, 0.001 g 이상이 보다 바람직하고, 0.01 g 이상이 더욱 바람직하다.
성분 A 의 아민은, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 탄소수가 6 이상 26 이하의, 1 급 아민, 2 급 아민 및 3 급 아민에서 선택되는 적어도 1 종이다. 성분 A 의 탄소수는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 6 이상으로서, 7 이상이 바람직하고, 8 이상이 보다 바람직하며, 그리고, 동일한 관점에서, 26 이하로서, 18 이하가 바람직하고, 12 이하가 보다 바람직하고, 10 이하가 더욱 바람직하다. 성분 A 가 염의 형태인 경우, 염을 형성시키기 위한 카운터 이온으로는 특별히 한정되지 않아도 되고, 예를 들어, 성분 C 의 산을 들 수 있다.
성분 A 로는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.
[화학식 1]
식 (Ⅰ) 중, R1 은, 탄소수 5 이상 18 이하의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 및 탄소수 5 이상 18 이하의 직사슬 또는 분기사슬의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R2 및 R3 은 동일하거나 또는 상이하며, 탄소수 1 이상 5 이하의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 및 수소 원자에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R1, R2 및 R3 의 탄소수의 합계가 6 이상 26 이하이다.
식 (Ⅰ) 에 있어서, R1 의 탄소수는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 5 이상으로서, 6 이상이 바람직하고, 7 이상이 보다 바람직하며, 그리고, 기포의 생성을 억제하는 (이하, 「억포성 (抑泡性)」이라고도 한다) 관점에서, 18 이하로서, 12 이하가 바람직하고, 10 이하가 보다 바람직하고, 8 이하가 더욱 바람직하다.
식 (Ⅰ) 에 있어서, R2 및 R3 은 각각 독립적으로, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 탄소수 1 이상 5 이하의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 및 수소 원자에서 선택되는 적어도 1 종으로서, 탄소수 1 또는 2 의 직사슬 알킬기 및 수소 원자에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 메틸기 또는 수소 원자가 보다 바람직하고, 수소 원자가 더욱 바람직하다.
식 (Ⅰ) 에 있어서, R1, R2 및 R3 의 합계 탄소수는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 6 이상으로서, 7 이상이 바람직하고, 8 이상이 보다 바람직하며, 그리고 억포성의 관점에서, 26 이하로서, 18 이하가 바람직하고, 12 이하가 보다 바람직하고, 10 이하가 더욱 바람직하다.
성분 A 의 염으로는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 상기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물과 산의 염을 들 수 있다. 산으로는, 성분 A 와 수용성의 염을 형성하는 것이면 특별히 한정되지 않아도 되지만, 예를 들어, 후술하는 성분 C 의 산을 들 수 있다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 0.001 질량％ 이상이 바람직하고, 0.01 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.02 질량％ 이상이 더욱 바람직하며, 그리고, 세정성, 액 제거성 및 억포성의 관점에서, 2.0 질량％ 이하가 바람직하고, 1.0 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.7 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 0.2 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.15 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.1 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 성분 A 가 2 종 이상의 아민의 조합인 경우, 성분 A 의 함유량은 그들의 합계 함유량을 말한다.
본 개시에 있어서 「세정제 조성물의 세정시에 있어서의 각 성분의 함유량」이란, 1 또는 복수의 실시형태에 있어서, 세정 공정에 사용되는 세정제 조성물의 각 성분의 함유량을 말한다.
[성분 B : 용제]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 0.02 g 이상 10 g 미만인 용제 (성분 B) 를 함유한다. 본 개시에 있어서 성분 B 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
성분 B 의 25 ℃ 의 물에 대한 용해도는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 0.02 g 이상으로서, 0.05 g 이상이 바람직하고, 0.1 g 이상이 보다 바람직하고, 0.2 g 이상이 더욱 바람직하며, 그리고, 동일한 관점에서, 10 g 미만으로서, 5 g 이하가 바람직하고, 3 g 이하가 보다 바람직하고, 2 g 이하가 더욱 바람직하다.
성분 B 로는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 상기 범위 내의 용해도를 갖는 성분 A 이외의 용제를 들 수 있고, 예를 들어, 상기 범위 내의 용해도를 갖는, 글리콜에테르계 용제 및 알코올계 용제에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다. 상기 글리콜에테르계 용제로는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 하기 식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.
상기 식 (Ⅱ) 에 있어서, R4 는, 탄소수 3 이상 12 이하의 탄화수소기를 나타내고, EO 는 에틸렌옥사이드기를 나타내고, m 은 EO 의 부가 몰수로서 0 이상 5 이하의 수이고, PO 는 프로필렌옥사이드기를 나타내고, n 은 PO 의 부가 몰수로서 0 이상 2 이하의 수이고, m＋n ≥ 1 이고, EO 와 PO 의 부가 형태는 블록이어도 되고 랜덤이어도 되며, EO 와 PO 의 부가 순서는 상관하지 않는다.
식 (Ⅱ) 에 있어서, R4 는, 세정성 및 액 제거성을 향상시키는 관점에서, 탄소수 3 이상 12 이하의 탄화수소기로서, 탄소수 6 이상 10 이하의 탄화수소기가 바람직하고, 탄소수 6 이상 8 이하의 탄화수소기가 보다 바람직하다.
식 (Ⅱ) 에 있어서, (EO)m(PO)n 은, 에틸렌옥사이드기 단독으로 구성되어 있어도 되지만, 에틸렌옥사이드기와 프로필렌옥사이드기로 구성되어 있어도 된다. (EO)m(PO)n 이, 에틸렌옥사이드기와 프로필렌옥사이드기로 구성되는 경우, EO 와 PO 의 배열은 랜덤이어도 되고 블록이어도 된다. EO 와 PO 의 배열이 블록인 경우, EO 의 블록수, PO 의 블록수는, 각 평균 부가 몰수가 상기 범위 내이면, 각각 1 개여도 되고 1 개 이상이어도 된다. EO 로 이루어지는 블록의 수가 2 개 이상인 경우, 각 블록에 있어서의 EO 의 반복수는, 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다.
성분 B 의 구체예로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜모노2-에틸헥실에테르 (용해도 : 0.20 g), 디에틸렌글리콜모노2-에틸헥실에테르 (용해도 : 0.20 g), 에틸렌글리콜모노헥실에테르 (용해도 : 1.00 g), 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 (용해도 : 1.40 g), 프로필렌글리콜모노페닐에테르 (페녹시프로판올, 용해도 : 0.20 g), 디프로필렌글리콜모노프로필에테르 (용해도 : 5.60 g), 프로필렌글리콜모노부틸에테르 (용해도 : 6.60 g) 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합을 들 수 있다. 액 제거성을 향상시키는 관점에서, 에틸렌글리콜모노2-에틸헥실에테르 (용해도 : 0.20 g), 에틸렌글리콜모노헥실에테르 (용해도 : 1.00 g), 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 (용해도 : 1.40 g) 및 프로필렌글리콜모노페닐에테르 (용해도 : 0.20 g)에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합이 바람직하고, 에틸렌글리콜모노2-에틸헥실에테르 (용해도 : 0.20 g), 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 (용해도 : 1.40 g) 및 프로필렌글리콜모노페닐에테르 (용해도 : 0.20 g) 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합이 보다 바람직하고, 에틸렌글리콜모노2-에틸헥실에테르 (용해도 : 0.20 g) 및 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 (용해도 : 1.40 g) 중 어느 일방이 더욱 바람직하고, 에틸렌글리콜모노2-에틸헥실에테르 (용해도 : 0.20 g) 가 보다 더 바람직하다. 괄호 안의 용해도는, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도를 나타낸다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 0.1 질량％ 이상이 바람직하고, 0.5 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 1 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 2 질량％ 이상이 보다 더 바람직하며, 그리고, 동일한 관점에서, 20 질량％ 이하가 바람직하고, 15 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 12 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 10 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 성분 B 가 2 종 이상의 용제의 조합인 경우, 성분 B 의 함유량은 그들의 합계 함유량을 말한다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 성분 B 의 함유량에 대한 성분 A 의 함유량의 비 A/B 는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 0.001 이상이 바람직하고, 0.002 이상이 보다 바람직하고, 0.003 이상이 더욱 바람직하며, 그리고, 동일한 관점에서, 0.1 이하가 바람직하고, 0.09 이하가 보다 바람직하고, 0.08 이하가 더욱 바람직하다.
[성분 C : 산]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 산 (성분 C) 을 추가로 함유할 수 있다. 또, 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 산 (성분 C) 이 추가로 배합된 것으로 할 수 있다. 본 개시에 있어서 성분 C 는, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
성분 C 로는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 성분 A 와 염을 형성하는 산이 바람직하고, 카르복시기, 술폰산기, 황산기 및 인산기에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 1 ∼ 3 개 갖는 탄소수 2 이상 12 이하의 화합물 그리고 포름산에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 산이 보다 바람직하다.
성분 C 의 구체예로는, 예를 들어, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 카프로산, 에난트산, 카프릴산, 2-에틸헥산산, 펠라르곤산, 카프르산, 라우르산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베르산, 아젤라산, 세바크산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 글리콜산, 락트산, 타르트론산, 하이드록시부티르산, 글리세린산, 말산, 타르타르산, 시트르산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 나프탈렌술폰산, 라우릴황산에스테르, 2-아미노에틸포스폰산, 1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산) 및 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합을 들 수 있고, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 포름산, 아세트산, 카프릴산, 2-에틸헥산산, 락트산, 시트르산, p-톨루엔술폰산 및 1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합이 보다 바람직하며, 포름산, 아세트산, 2-에틸헥산산, 시트르산, p-톨루엔술폰산 및 1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합이 더욱 바람직하고, 포름산, 아세트산, p-톨루엔술폰산 및 1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합이 더 바람직하고, 아세트산 및 p-톨루엔술폰산 중 어느 일방이 더욱 바람직하며, 아세트산이 보다 더 바람직하다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 C 의 함유량 (또는 배합량) 은, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 0.001 질량％ 이상이 바람직하고, 0.005 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.01 질량％ 이상이 더욱 바람직하며, 그리고, 세정성, 액 제거성 및 기포의 생성을 낮게 억제하는 관점에서, 2.0 질량％ 이하가 바람직하고, 1.0 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.7 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 0.2 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.15 질량％ 이하가 보다 더 바람직하며, 0.1 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 성분 C 가 2 종 이상의 산의 조합인 경우, 성분 C 의 함유량 (또는 배합량) 은 그들의 합계 함유량 (또는 합계 배합량) 을 말한다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 성분 C 의 함유량 (또는 배합량) 에 대한 성분 A 의 함유량의 비 A/C 는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 0.1 이상이 바람직하고, 0.2 이상이 보다 바람직하고, 0.4 이상이 더욱 바람직하며, 그리고, 동일한 관점에서, 10 이하가 바람직하고, 7 이하가 보다 바람직하고, 5 이하가 더욱 바람직하다.
[성분 D : 물]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 물 (성분 D) 을 함유한다. 성분 D 의 물로는, 이온 교환수, RO 수, 증류수, 순수, 초순수가 사용될 수 있다. 물의 함유량은, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용 양태에 맞추어 적절히 설정하면 된다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 D 의 함유량은, 세정성의 관점에서, 70 질량％ 이상이 바람직하고, 80 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 85 질량％ 이상이 더욱 바람직하며, 그리고, 동일한 관점에서, 99 질량％ 이하가 바람직하고, 97 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 95 질량％ 이하가 더욱 바람직하다.
[임의 성분]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 본 개시의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 상기 서술한 성분 A ∼ D 이외에, 필요에 따라서 임의 성분을 함유할 수 있다. 임의 성분으로는, 예를 들어 논이온성 계면 활성제 ; 하이드록시에틸아미노아세트산, 하이드록시에틸이미노2아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산 등의 아미노카르복실산염 등의 킬레이트력을 갖는 화합물 ; 방부제 ; 녹 방지제 ; 살균제 ; 항균제 ; 실리콘 등의 소포제 ; 산화 방지제 ; 야자 지방산메틸, 아세트산벤질 등의 에스테르 ; 탄화수소계 용제 ; 알코올류 ; 등에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 조합을 들 수 있다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 임의 성분의 함유량은, 본 개시의 효과를 방해하지 않는 관점에서, 0 질량％ 이상 2.0 질량％ 이하가 바람직하고, 0 질량％ 이상 1.5 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0 질량％ 이상 1.3 질량％ 이하가 더욱 바람직하며, 0 질량％ 이상 1.0 질량％ 이하가 보다 더 바람직하다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물이 2 종 이상의 임의 성분을 함유하는 경우, 임의 성분의 함유량은 그들의 합계 함유량을 말한다.
[세정제 조성물의 pH ]
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 세정시의 pH 는, 세정성 및 액 제거성의 관점에서, 12 이하가 바람직하고, 9 이하가 보다 바람직하고, 8 이하가 더욱 바람직하고, 7 이하가 보다 더 바람직하며, 그리고, 세정성, 액 제거성 및 세정 설비의 부식 방지의 관점에서, 4 이상이 바람직하고, 4.5 이상이 보다 바람직하고, 5 이상이 더욱 바람직하고, 5.5 이상이 보다 더 바람직하다. 본 개시에 있어서 「세정시의 pH 」란, 25 ℃ 에 있어서의 세정제 조성물의 사용시 (희석 후) 의 pH 로, pH 미터를 사용하여 측정할 수 있다. 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 pH 의 조정은, 예를 들어, 질산, 황산 등의 무기산 ; 옥시카르복실산, 다가 카르복실산, 아미노폴리카르복실산, 아미노산 등의 유기산 ; 및 그들의 금속염이나 암모늄염, 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 아민 등의 염기성 물질 ; 등을 사용하여 실시할 수 있다.
[세정제 조성물의 제조 방법]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 상기 성분 A, 성분 B 및 성분 D, 그리고 필요에 따라서 성분 C 및 임의 성분을 공지된 방법으로 배합함으로써 제조할 수 있다. 예를 들어, 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 적어도 상기 성분 A, 성분 B 및 성분 D 를 배합하여 이루어지는 것으로 할 수 있다. 따라서, 본 개시는, 일 양태에 있어서, 적어도 상기 성분 A, 성분 B 및 성분 D 를 배합하는 공정을 포함하는, 세정제 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 개시에 있어서 「배합한다」란, 성분 A, 성분 B 및 성분 D, 그리고 필요에 따라서 성분 C 및 임의 성분을 동시에 또는 임의의 순서로 혼합하는 것을 포함한다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 제조 방법에 있어서, 각 성분의 배합량은, 상기 서술한 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 각 성분의 함유량과 동일한 것으로 할 수 있다.
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 저장 및 수송의 관점에서, 성분 D 의 물의 양을 줄인 농축물로서 조제해도 된다. 세정제 조성물의 농축물은, 저장 및 수송의 관점에서, 희석 배율 3 배 이상의 농축물로 하는 것이 바람직하고, 보관 안정성의 관점에서, 희석 배율 200 배 이하의 농축물로 하는 것이 바람직하다. 세정제 조성물의 농축물은, 사용시에 각 성분의 함유량이, 상기 서술한 함유량 (즉, 세정시의 함유량) 이 되도록 물로 희석하여 사용할 수 있다. 또한, 세정제 조성물의 농축물은, 사용시에 각 성분을 따로 따로 첨가하여 사용할 수도 있다. 본 개시에 있어서 세정제 조성물의 농축물의 「사용시」 또는 「세정시」란, 세정제 조성물의 농축물이 희석된 상태를 말한다.
[피세정물]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 스크린 인쇄 후의 스크린판의 세정, 플럭스 ; 땜납 페이스트, 은 페이스트, 구리 페이스트 등의 도전성 페이스트 ; 등이 부착된 스크린판의 세정에 사용될 수 있다. 스크린판으로는, 예를 들어, 메탈 마스크, 수지 마스크, 전기 주조 마스크, 유제 (乳劑) 마스크 등을 들 수 있다.
따라서, 본 개시는, 일 양태에 있어서, 스크린 인쇄 후의 스크린판을 세정하기 위한, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용에 관한 것이다. 그리고, 본 개시는, 그 밖의 양태에 있어서, 플럭스 및 땜납 페이스트의 적어도 일방을 스크린판으로부터 제거하기 위한, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 사용에 관한 것이다.
[세정 방법]
본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 사용하여 피세정물을 세정하는 공정 (이하, 「세정 공정」이라고도 한다) 을 포함하는, 스크린판의 세정 방법 (이하, 「본 개시에 관련된 세정 방법」이라고도 한다) 에 관한 것이다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물이 농축물인 경우, 본 개시에 관련된 세정 방법은, 세정제 조성물의 농축물을 희석시키는 공정을 추가로 포함할 수 있다. 피세정물로는, 상기 서술한 피세정물을 들 수 있다. 상기 세정 공정은, 일 또는 복수의 실시형태에 있어서, 피세정물에 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 접촉시키는 것을 포함할 수 있다. 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 사용하여 세정하는 방법으로는, 예를 들어, 피세정물을 세정조에 침지하여 피세정물에 세정제 조성물을 접촉시키는 방법, 초음파 세정 장치의 욕조 내에서 피세정물에 세정제 조성부를 접촉시키는 방법, 세정제 조성물을 스프레이상 (狀) 으로 사출하여 피세정물에 접촉시키는 방법 등을 들 수 있다.
본 개시에 관련된 세정 방법은, 상기 세정 후의 스크린판을 헹구지 않고 건조시키는 공정을 추가로 포함할 수 있다. 이로써, 스크린판의 세정 및 건조에 걸리는 시간이 단축되고, 청정도가 우수한 스크린판을 효율적으로 얻을 수 있으며, 고품질의 프린트 기판이나 세라믹 기판 등의 전자 부품의 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 개시에 관련된 세정 방법은, 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 세정력이 발휘되기 쉬운 점에서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물과 피세정물의 접촉시에 초음파를 조사하는 것이 바람직하다. 초음파의 조사 조건으로는, 예를 들어, 20 ∼ 2000 kHz 로 설정할 수 있다.
[키트]
본 개시는, 일 양태에 있어서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 제조하기 위한 키트로서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 구성하는 상기 성분 A, 상기 성분 B, 및 상기 성분 D 중 적어도 1 성분이 다른 성분과 혼합되지 않은 상태로 보관되어 있는, 키트 (이하, 「본 개시에 관련된 키트」라고도 한다) 에 관한 것이다. 본 개시에 의하면, 세정성 및 액 제거성이 우수한 세정제 조성물이 얻어질 수 있는 키트를 제공할 수 있다.
본 개시에 관련된 키트로는, 예를 들어, 성분 B 를 함유하는 용액 (제 1 액) 과, 성분 A, C 및 D 의 1 종 또는 2 종 이상을 함유하는 용액 (제 2 액) 이 서로 혼합되어 있지 않은 상태로 보존되어 있고, 이들이 사용시에 혼합되는 키트 (2 액형 세정제 조성물) 를 들 수 있다. 상기 제 1 액 및 제 2 액의 각각에는, 필요에 따라서 상기 서술한 임의 성분이 혼합되어 있어도 된다.
본 개시는, 또한 이하의 세정제 조성물, 세정 방법, 제조 방법 및 키트에 관한 것이다.
＜1＞ 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 10 g 미만인 아민 (성분 A) 또는 그 염, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 0.02 g 이상 10 g 미만인 용제 (성분 B), 및 물 (성분 D) 을 함유하고, 상기 성분 A 가, 탄소수가 6 이상 26 이하의, 1 급 아민, 2 급 아민 및 3 급 아민에서 선택되는 적어도 1 종인, 스크린판용 세정제 조성물.
＜2＞ pH 가 5 이상 12 이하인, ＜1＞ 에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜3＞ pH 는, 12 이하가 바람직하고, 9 이하가 보다 바람직하고, 8 이하가 더욱 바람직하고, 7 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 또는 ＜2＞ 에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜4＞ pH 는, 4 이상이 바람직하고, 4.5 이상이 보다 바람직하고, 5 이상이 더욱 바람직하고, 5.5 이상이 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜3＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜5＞ 성분 A 의 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도는, 10 g 미만으로서, 8 g 이하가 바람직하고, 5 g 이하가 보다 바람직하고, 2 g 이하가 더욱 바람직하고, 1 g 이하가 보다 더 바람직하고, 0.5 g 이하가 보다 더 바람직하고, 0.2 g 이하가 보다 더 바람직하며, 0.1 g 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜4＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜6＞ 성분 A 의 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도는, 0.0001 g 이상이 바람직하고, 0.001 g 이상이 보다 바람직하고, 0.01 g 이상이 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜5＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜7＞ 성분 A 의 탄소수는, 6 이상으로서, 7 이상이 바람직하고, 8 이상이 보다 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜6＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜8＞ 성분 A 의 탄소수는, 26 이하로서, 18 이하가 바람직하고, 12 이하가 보다 바람직하고, 10 이하가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜7＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜9＞ 성분 A 가, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종인, ＜1＞ 내지 ＜8＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
[화학식 2]
상기 식 (Ⅰ) 에 있어서, R1 은, 탄소수 5 이상 18 이하의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 및 탄소수 5 이상 18 이하의 직사슬 또는 분기사슬의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R2 및 R3 은 동일하거나 또는 상이하며, 탄소수 1 이상 5 이하의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 및 수소 원자에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R1, R2 및 R3 의 합계 탄소수가 6 이상 26 이하이다.
＜10＞ 성분 A 의 염이, 상기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 카르복시기, 술폰산기, 황산기 및 인산기에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 1 ∼ 3 개 갖는 탄소수 2 이상 12 이하의 화합물 그리고 포름산에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물의 염인, ＜9＞ 에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜11＞ 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 0.001 질량％ 이상이 바람직하고, 0.01 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.02 질량％ 이상이 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜10＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜12＞ 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 2.0 질량％ 이하가 바람직하고, 1.0 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.7 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 0.2 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.15 질량％ 이하가 보다 더 바람직하며, 0.1 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜11＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜13＞ 성분 B 의 25 ℃ 의 물에 대한 용해도는, 0.02 g 이상으로서, 0.05 g 이상이 바람직하고, 0.1 g 이상이 보다 바람직하고, 0.2 g 이상이 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜12＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜14＞ 성분 B 의 25 ℃ 의 물에 대한 용해도는, 10 g 미만으로서, 5 g 이하가 바람직하고, 3 g 이하가 보다 바람직하고, 2 g 이하가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜13＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜15＞ 성분 B 가, 하기 식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물인, ＜1＞ 내지 ＜14＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
여기서, 식 (Ⅱ) 에 있어서, R4 는, 탄소수 3 이상 12 이하의 탄화수소기를 나타내고, EO 는 에틸렌옥사이드기를 나타내고, m 은 EO 의 부가 몰수로서 0 이상 5 이하의 수이고, PO 는 프로필렌옥사이드기를 나타내고, n 은 PO 의 부가 몰수로서 0 이상 2 이하의 수이고, m＋n ≥ 1 이고, EO 와 PO 의 부가 형태는 블록이어도 되고 랜덤이어도 되며, EO 와 PO 의 부가 순서는 상관하지 않는다.
＜16＞ 식 (Ⅱ) 에 있어서의 R4 는, 탄소수 3 이상 12 이하의 탄화수소기로서, 탄소수 6 이상 10 이하의 탄화수소기가 바람직하고, 탄소수 6 이상 8 이하의 탄화수소기가 보다 바람직한, ＜15＞ 에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜17＞ 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 0.1 질량％ 이상이 바람직하고, 0.5 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 1 질량％ 이상이 더욱 바람직하고, 2 질량％ 이상이 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜16＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜18＞ 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 20 질량％ 이하가 바람직하고, 15 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 12 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 10 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜17＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜19＞ 세정제 조성물 중의 성분 B 의 함유량에 대한 성분 A 의 함유량의 비 A/B 는, 0.001 이상이 바람직하고, 0.002 이상이 보다 바람직하고, 0.003 이상이 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜18＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜20＞ 세정제 조성물 중의 성분 B 의 함유량에 대한 성분 A 의 함유량의 비 A/B 는, 0.1 이하가 바람직하고, 0.09 이하가 보다 바람직하고, 0.08 이하가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜19＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜21＞ 카르복시기, 술폰산기, 황산기 및 인산기에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 1 ∼ 3 개 갖는 탄소수 2 이상 12 이하의 화합물 그리고 포름산에서 선택되는 적어도 1 종의 산 (성분 C) 이 추가로 배합된, ＜1＞ 내지 ＜20＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜22＞ 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 C 의 함유량 (또는 배합량) 은, 0.001 질량％ 이상이 바람직하고, 0.005 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 0.01 질량％ 이상이 더욱 바람직한, ＜21＞ 에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜23＞ 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 C 의 함유량 (또는 배합량) 은, 2.0 질량％ 이하가 바람직하고, 1.0 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0.7 질량％ 이하가 더욱 바람직하고, 0.2 질량％ 이하가 보다 더 바람직하고, 0.15 질량％ 이하가 보다 더 바람직하며, 0.1 질량％ 이하가 보다 더 바람직한, ＜21＞ 또는 ＜22＞ 에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜24＞ 세정제 조성물 중의 성분 C 의 함유량 (또는 배합량) 에 대한 성분 A 의 함유량의 비 A/C 는, 0.1 이상이 바람직하고, 0.2 이상이 보다 바람직하고, 0.4 이상이 더욱 바람직한, ＜21＞ 내지 ＜23＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜25＞ 세정제 조성물 중의 성분 C 의 함유량 (또는 배합량) 에 대한 성분 A 의 함유량의 비 A/C 는, 10 이하가 바람직하고, 7 이하가 보다 바람직하고, 5 이하가 더욱 바람직한, ＜21＞ 내지 ＜24＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜26＞ 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 D 의 함유량은, 70 질량％ 이상이 바람직하고, 80 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 85 질량％ 이상이 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜25＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜27＞ 세정제 조성물의 세정시에 있어서의 성분 D 의 함유량은, 99 질량％ 이하가 바람직하고, 97 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 95 질량％ 이하가 더욱 바람직한, ＜1＞ 내지 ＜26＞ 중 어느 하나에 기재된 스크린판용 세정제 조성물.
＜28＞ ＜1＞ 내지 ＜27＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물을 사용하여 피세정물을 세정하는 공정을 포함하고, 상기 피세정물은, 스크린 인쇄 후의 스크린판인, 스크린판의 세정 방법.
＜29＞ 상기 세정 후의 스크린판을 헹구지 않고 건조시키는 공정을 포함하는, ＜28＞ 에 기재된 스크린판의 세정 방법.
＜30＞ ＜1＞ 내지 ＜27＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물을 제조하기 위한 키트로서, 성분 A, 성분 B 및 성분 D 중 의 적어도 1 성분이 다른 성분과 혼합되지 않은 상태로 보관되어 있는 키트.
＜31＞ 스크린 인쇄 후의 스크린판을 세정하기 위한, ＜1＞ 내지 ＜27＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물의 사용.
＜32＞ 플럭스 및 땜납 페이스트의 적어도 일방을 스크린판으로부터 제거하기 위한, ＜1＞ 내지 ＜27＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물의 사용.
실시예
이하에, 실시예에 의해 본 개시를 구체적으로 설명하지만, 본 개시는 이들 실시예에 의해 하등 한정되는 것은 아니다.
1. 세정제 조성물의 조제 (실시예 1 ∼ 26 및 비교예 1 ∼ 4)
하기 표 1 에 기재된 조성 및 함유량 (질량％, 유효분) 이 되도록 각 성분을 배합하여, 실시예 1 ∼ 26 및 비교예 1 ∼ 4 의 세정제 조성물을 얻었다. pH 는, 25 ℃ 에 있어서의 세정제 조성물의 pH 이고, pH 미터 (토아 전파 공업 주식회사, HM-30G) 를 사용하여 측정하며, 전극을 세정제 조성물에 침지하고 40 분 후의 수치이다.
세정제 조성물의 성분으로서 하기의 것을 사용하였다.
＜성분 A : 아민＞
·n-헥실아민 (와코 순약 공업 주식회사 제조)
·n-옥틸아민 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조)
·n-도데실아민 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조, 도데실아민)
·n-스테아릴아민 (도쿄 화성 공업 주식회사 제조, 스테아릴아민)
·N-메틸헥실아민 (와코 순약 공업 주식회사 제조)
·N,N-디메틸헥실아민 (와코 순약 공업 주식회사 제조)
＜비성분 A : 아민＞
·n-부틸아민 (와코 순약 공업 주식회사 제조)
·폴리옥시에틸렌 (2 몰) 라우릴아민 (아오키 유지 공업 주식회사 제조, BLAUNON L-202)
＜성분 B : 용제 (글리콜에테르)＞
·에틸렌글리콜모노2-에틸헥실에테르 [닛폰 유화제 주식회사 제조, 2에틸헥실글리콜 (EHG)]
·디에틸렌글리콜모노헥실에테르 [닛폰 유화제 주식회사 제조, 헥실디글리콜 (HeDG)]
·페녹시프로판올 (프로필렌글리콜모노페닐에테르) [닛폰 유화제 주식회사 제조, 페닐프로필렌글리콜 (PhFG)]
·에틸렌글리콜모노헥실에테르 [닛폰 유화제 주식회사 제조, 헥실글리콜 (HeG)]
·디에틸렌글리콜모노2-에틸헥실에테르 [닛폰 유화제 주식회사 제조, 2에틸헥실디글리콜 (EHDG)]
·디프로필렌글리콜모노프로필에테르 [닛폰 유화제 주식회사 제조, 프로필프로필렌디글리콜 (PFDG)]
＜비성분 B : 용제＞
·디에틸렌글리콜모노부틸에테르 [닛폰 유화제 주식회사 제조, 부틸디글리콜 (BDG)]
＜성분 C : 산＞
·아세트산 (칸토 화학 주식회사 제조, 시카 (鹿) 1 급)
·p-톨루엔술폰산 (와코 순약 공업 주식회사 제조, p-톨루엔술폰산 일수화물)
·1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산 (Italmatch Chemicals 사 제조, 데이퀘스트 2010, 60 ％ 수용액)
·포름산 (주식회사 아사히 화학 공업소 제조, 포름산 88 ％)
·2-에틸헥산산 (와코 순약 공업 주식회사 제조)
·시트르산 [와코 순약 공업 주식회사 제조, 구연산 (무수)]
＜성분 D : 물＞
·오르가노 주식회사 제조의 순수 장치 G-10DSTSET 로 제조한 1 μS/㎝ 이하의 순수
＜기타＞
·수산화칼륨 (칸토 화학 주식회사 제조, 시카 특급, 고형분 48 질량％)
[아민 및 용제의 물에 대한 용해도]
1 ℓ 유리 비커에 물을 500 g 첨가하고, 회전자 (불소 수지 (PTFE), φ8 ㎜ × 50 ㎜) 를 이용하여, 회전수 100 rpm 으로 교반하면서, 25 ℃ 의 항온조에서 보온한다. 각종 아민 또는 용제를 0.1 g 첨가하고, 육안으로 보아 균일 투명한 상태를 확인한다. 균일 투명하지 않게 될 때까지 각종 아민 또는 용제를 0.1 g 씩 추가로 첨가하여, 물에 대한 용해도를 측정한다.
여기서, 아민 또는 용제를 50 g 첨가해도 균일 투명한 경우, 그 시점에서 측정을 종료하고, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도는 10 g 이상으로 판단한다. 아민 또는 용제를 0.1 g 첨가했을 때에 균일 투명하지 않은 경우, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도는 0.02 g 미만으로 판단한다.
2. 세정제 조성물의 평가
조제한 실시예 1 ∼ 26 및 비교예 1 ∼ 4 의 세정제 조성물을 사용하여 하기 평가를 실시하였다.
[안정성]
100 ㎖ 유리 비커에 각 세정제 조성물을 100 g 조제하고, 온도 25 ℃ 에 있어서 회전자 (불소 수지 (PTFE), φ8 ㎜ × 25 ㎜) 를 이용하여, 회전수 100 rpm 에 있어서의 교반 중인 액의 상태를 육안으로 관찰하여, 하기 평가 기준으로 안정성을 평가한다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다. 상 분리가 확인되지 않은 경우에는, 안정성이 우수한 것으로 평가할 수 있다.
<평가 기준>
A : 상 분리 없음
B : 상 분리
[세정성 시험 방법]
스테인리스제 철망 (능첩직, 500 메시) 에 플럭스 (MB-T100, 센쥬 금속 공업 주식회사 제조) 를 도포하고, 스테인리스제 철망의 개구부를 플럭스로 채우고, 여분의 플럭스를 스퀴지로 제거 후, 24 시간, 실온에서 방치하고, 20 ㎜ × 20 ㎜ 로 절단하여 평가용 테스트 피스를 제작한다. 이 테스트 피스를 사용하여 세정제 조성물의 세정성을 이하의 순서로 평가한다.
100 ㎖ 유리 비커에 각 세정제 조성물을 50 g 첨가하고, 25 ℃ 수욕에서 보온한다. 다음으로, 테스트 피스를 핀셋으로 유지하여, 세정제 조성물에 침지하고, 초음파 (104 kHz, 50 W) 를 15 분간 조사한다. 세정 후, 테스트 피스를 헹구지 않고, 60 ℃ 의 열풍으로 15 분간 건조시킨다.
[세정성의 평가 방법]
광학 현미경 디지털 마이크로스코프 VHX-2000 (주식회사 키엔스 제조) 을 사용하여, 건조 후의 테스트 피스의 메시 개구부에 플럭스 잔류물의 유무를 육안으로 확인하고, 플럭스 잔류물이 남은 개구부의 잔류물 비율을 하기 계산식에 의해 산출하여, 세정성을 평가한다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 값이 작을수록, 세정성이 우수한 것으로 평가할 수 있다.
잔류물 비율 (％) = 잔류물이 있는 개구부 수 ÷ 전체의 개구부 수 × 100
[액 제거성 평가]
니켈판 (50 ㎜ × 25 ㎜ × 0.5 ㎜, 타이유 기재 주식회사 제조) 을 테스트 피스로 하여, 수직 (50 ㎜ 를 높이 방향으로 한다) 으로 직립시키고, 세정제 조성물을 수직면 상단에 0.04 ㎖ 적하하여, 하단까지의 도달 시간을 계측해서, 액 제거성을 평가한다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 값이 작을수록, 액 제거성이 우수하여, 건조가 빠른 것으로 평가할 수 있다.
[억포성]
각 세정제 조성물을 110 ㎖ 의 스크루관 보틀에 50 g 첨가하여, 25 ℃ 로 보온하고, 30 회 상하로 흔들고, 가만히 정지시켜 두어 10 초 후의 기포 높이를 계측하여, 억포성을 평가한다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 값이 작을수록, 기포 생성의 억제 효과가 높은 것으로 평가할 수 있다.
상기 표 1 에 나타내는 바와 같이, 소정의 아민 (성분 A), 소정의 용제 (성분 B) 및 물 (성분 D) 을 함유하는 실시예 1 ∼ 26 의 세정제 조성물은, 비교예 1 ∼ 4 의 세정제 조성물에 비해, 세정성 및 액 제거성이 우수하였다.
산업상 이용가능성
본 개시의 세정제 조성물은, 스크린 인쇄 후의 스크린판용의 세정제 조성물로서 유용하여, 세정 및 건조에 걸리는 시간을 단축하고, 청정도가 높은 스크린판을 효율적으로 얻을 수 있으며, 또한 고품질의 프린트 기판이나 세라믹 기판 등의 전자 부품의 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
Claims (10)
- 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 10 g 미만인 아민 (성분 A) 또는 그 염, 25 ℃ 의 물 100 g 에 대한 용해도가 0.02 g 이상 10 g 미만인 용제 (성분 B), 및 물을 함유하고,
상기 성분 A 가, 탄소수가 6 이상 26 이하의, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종이고,
카르복시기, 술폰산기, 황산기 및 인산기에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 1 ∼ 3 개 갖는 탄소수 2 이상 12 이하의 화합물 그리고 포름산에서 선택되는 적어도 1 종의 산 (성분 C) 이 추가로 배합된, 스크린판용 세정제 조성물.
[화학식 1]
상기 식 (Ⅰ) 에 있어서, R1 은, 탄소수 5 이상 18 이하의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 및 탄소수 5 이상 18 이하의 직사슬 또는 분기사슬의 알케닐기에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R2 및 R3 은 동일하거나 또는 상이하며, 탄소수 1 이상 5 이하의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 및 수소 원자에서 선택되는 적어도 1 종을 나타내고, R1, R2 및 R3 의 합계 탄소수가 6 이상 26 이하이다. - 제 1 항에 있어서,
pH 가 5 이상 12 이하인, 스크린판용 세정제 조성물. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
성분 A 의 염이, 상기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물과, 카르복시기, 술폰산기, 황산기 및 인산기에서 선택되는 적어도 1 종의 기를 1 ∼ 3 개 갖는 탄소수 2 이상 12 이하의 화합물 그리고 포름산에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물의 염인, 스크린판용 세정제 조성물. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
성분 B 가, 하기 식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물인, 스크린판용 세정제 조성물.
상기 식 (Ⅱ) 에 있어서, R4 는, 탄소수 3 이상 12 이하의 탄화수소기를 나타내고, EO 는 에틸렌옥사이드기를 나타내고, m 은 EO 의 부가 몰수로서 0 이상 5 이하의 수이고, PO 는 프로필렌옥사이드기를 나타내고, n 은 PO 의 부가 몰수로서 0 이상 2 이하의 수이고, m＋n ≥ 1 이고, EO 와 PO 의 부가 형태는 블록이어도 되고 랜덤이어도 되며, EO 와 PO 의 부가 순서는 상관하지 않는다. - 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 세정제 조성물을 사용하여 피세정물을 세정하는 공정을 포함하고,
상기 피세정물은, 스크린 인쇄 후의 스크린판인, 스크린판의 세정 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 세정 후의 스크린판을 헹구지 않고 건조시키는 공정을 포함하는, 스크린판의 세정 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
스크린 인쇄 후의 스크린판의 세정에 사용되는, 스크린판용 세정제 조성물. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
플럭스 및 땜납 페이스트의 적어도 일방을 스크린판으로부터 제거하기 위해 사용되는, 스크린판용 세정제 조성물. - 삭제
- 삭제
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