KR101579767B1 - 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스 제거 시스템 - Google Patents
무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스 제거 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101579767B1 KR101579767B1 KR1020107029665A KR20107029665A KR101579767B1 KR 101579767 B1 KR101579767 B1 KR 101579767B1 KR 1020107029665 A KR1020107029665 A KR 1020107029665A KR 20107029665 A KR20107029665 A KR 20107029665A KR 101579767 B1 KR101579767 B1 KR 101579767B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ether
- glycol
- free solder
- lead
- solder flux
- Prior art date
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 63
- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title abstract description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- -1 glycol ethers Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 24
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 24
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 19
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 5
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 5
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 claims description 5
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OZICRFXCUVKDRG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-hydroxyethyl(propyl)amino]ethanol Chemical compound CCCN(CCO)CCO OZICRFXCUVKDRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 2-[butyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCO GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ODBLHEXUDAPZAU-ZAFYKAAXSA-N D-threo-isocitric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-ZAFYKAAXSA-N 0.000 claims description 4
- ODBLHEXUDAPZAU-FONMRSAGSA-N Isocitric acid Natural products OC(=O)[C@@H](O)[C@H](C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-FONMRSAGSA-N 0.000 claims description 4
- AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N N-ethyldiethanolamine Chemical compound OCCN(CC)CCO AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 4
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ODBLHEXUDAPZAU-UHFFFAOYSA-N threo-D-isocitric acid Natural products OC(=O)C(O)C(C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BWPAALSUQKGDBR-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCCCOCC(C)O BWPAALSUQKGDBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 3
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical class COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N triphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(O)=O UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940048102 triphosphoric acid Drugs 0.000 claims description 3
- XYKNTXVAUYWFFE-UHFFFAOYSA-N 1-(1-hexoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCCCOCC(C)OCC(C)O XYKNTXVAUYWFFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxypropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCCCC QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OHRSSDYDJRJIMN-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCCCC OHRSSDYDJRJIMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JVMKCHOJVQIXQN-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propoxy]propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OCCCC JVMKCHOJVQIXQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OHJYHAOODFPJOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethylhexoxy)ethanol Chemical compound CCCCC(CC)COCCO OHJYHAOODFPJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethylhexoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCC(CC)COCCOCCO OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GTAKOUPXIUWZIA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCOCCO GTAKOUPXIUWZIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 claims description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCCCC UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 11
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 9
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 1,4a-dimethyl-7-propan-2-yl-2,3,4,4b,5,6,10,10a-octahydrophenanthrene-1-carboxylic acid Chemical compound C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 2
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 2-(butylamino)ethanol Chemical compound CCCCNCCO LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 2-(dibutylamino)ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCCC IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCLSJHWBDUYDTR-UHFFFAOYSA-N 2-(propylamino)ethanol Chemical compound CCCNCCO BCLSJHWBDUYDTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORUVRNUPHYNSLY-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hexoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO ORUVRNUPHYNSLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXVMODFDROLTFD-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCO MXVMODFDROLTFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQKACYOAEDLUPG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-hexoxypropoxy)propoxy]propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCCCOC(C)COC(C)COC(C)COC(C)CO YQKACYOAEDLUPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHJGXOOOMKCJPP-UHFFFAOYSA-N 2-[tert-butyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(C(C)(C)C)CCO XHJGXOOOMKCJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020935 Sn-Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008757 Sn—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CBPYOHALYYGNOE-UHFFFAOYSA-M potassium;3,5-dinitrobenzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1 CBPYOHALYYGNOE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000002685 pulmonary effect Effects 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000008400 supply water Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
- B23K1/206—Cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/08—Auxiliary devices therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/10—Salts
- C11D7/16—Phosphates including polyphosphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3227—Ethers thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
무연 땜납 플럭스를 이용하여 얻어진 피세정물을 세정한 경우에도 충분한 세정력을 갖고, 또한, 프리 린스수로부터 용이하게 분리할 수 있는 세정제 조성물 및 폐수 발생량을 저감 가능한 프리 린스 방법을 이용하는 무연 땜납 플럭스 제거 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특정한 글리콜에테르류(A), 특정한 폴리옥시알킬렌아민류(B) 및 (c1) 지방족 히드록시카르복실산계 킬레이트제 및 (c2) (폴리)인산계 킬레이트제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 킬레이트제(C)를 함유하는 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물을 이용한다.
Description
본 발명은 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스 제거 시스템에 관한 것이다.
프린트 배선판에 전자 부품을 표면 실장할 때에는 일반적으로 납땜이 실시되는데, 납땜에 의해 부식성의 플럭스 잔사가 발생하고, 이것이 프린트 배선 기판의 품질을 저하시키기 때문에 해당 잔사는 세정 제거할 필요가 있다.
종래, 각종 전자 부품이나 합금제 부품 단체(單體)를 세정할 때에는 트리클로로에틸렌, 퍼클로로에틸렌, 염화메틸렌 등의 염소계 용제를 주성분으로 하는 염소계 세정제가 이용되고 있었다. 이들 염소계 용제는 불연성이고, 건조성에도 뛰어나다는 잇점이 있지만, 오존층 파괴나 토양 오염 등의 환경 문제, 인체에 대한 독성 등의 이유에서 현재는 그 사용이 제한되어 있다. 또한, 전자 부품 등의 세정에 있어서, 근래 특히 중시되는 염소 이온, 황산 이온 등의 이온성 잔사에 대해서는, 염소계 용제에 의한 세정 효과가 거의 인정되지 않는다는 문제점이 있었다.
또한 근래, 납의 유해성이 인식되게 되면서, 세계 각국에서 납을 포함하는 땜납의 사용이 제한되게 되어, 납을 함유하지 않는 무연 땜납이 적극적으로 사용되게 되어 왔다. 무연 땜납은 일부의 합금계를 제외하고, 종래의 주석, 납 공정(共晶) 땜납에 비하여 납땜 온도가 30℃ 이상 높아지는 것, 또한, 공정 땜납에 비하여 땜납 젖음성이 뒤떨어지기 때문에 종래보다도 강한 활성제가 많이 사용되고 있다. 이것에서 무연 땜납에 사용되는 플럭스는 종래의 주석, 납 공정 땜납에 비교하여 납땜 공정 시에 반응 생성물을 생성하기 쉽다는 문제가 있었다.
해당 반응 생성물은 무연 땜납으로 사용되고 있는 플럭스에 포함되는 활성제와 주석의 염, 또는 수지산과 주석의 염 등의 주석 염화합물이다. 이들 주석 염화합물은 2가 또는 4가의 주석의 염이기 때문에 세정제에 대한 용해성이 매우 부족하다. 그 때문에, 무연 땜납을 종래의 비할로겐계 세정제 조성물, 또는 극성 또는 비극성의 유기 용제를 이용하여 세정을 실시한 경우, 해당 주석 염화합물에 대한 세정력 부족 때문에 피세정물 표면에 해당 주석염에 유래하는 플럭스 잔사가 남거나, 해당 주석염에 유래하는 오염 물질이 재부착한다는 문제가 발생하고 있었다.
또한, 피세정물이 예를 들면, 실장 기판과 같이 매엽상(sheet-type)의 물품인 경우에는 세정 공정 및 물헹굼 공정의 효율의 관점에서 일반적으로는 세정제 및 헹굼액(통상은 물)은 모두 스프레이 양태로 이용되는 일이 많다. 예를 들면, 스프레이 양태로 이용하는 세정제로서, 계면 활성제를 함유하는 세정제를 사용하는 방법이 제안되어 있다(특허 문헌 1 및 2). 그러나 특허 문헌 1 또는 2의 세정제로 세정한 후에 물을 분사하면, 피세정물의 표면에서 다량의 거품이 발생해 버려서 물헹굼 공정의 관리가 번잡해진다는 문제가 있었다. 이 문제를 해결하기 위해 예를 들면, 소포제를 사용하는 것도 생각되지만, 소포제 때문에 세정 불량이 발생하는 일이 있었다.
덧붙여서, 오늘날의 환경 부하 저감의 관점에서, 세정 시스템에는 폐액 처리량을 저감할 수 있는 것이 요망되고 있다. 그러나 준수계(準水系)의 플럭스 세정 시스템의 헹굼 공정에서 이용되는 저장 헹굼 방식에 있어서는, 세정 공정으로부터 반입되는 세정액 및 플럭스를 프리 린스(pre-rinsing)조 내의 프리 린스수 안에 축적해 가고, 그 농도가 피세정물의 표면 품질 및 마무리 린스(post-rinsing)수의 수질에 영향을 미치는 농도에 도달하면, 그 전량을 폐기하는 것이 실시되고 있다. 이 단계에서 발생하는 프리 린스 폐액수의 양은 통상 스프레이 양태에서의 세정 및 물헹굼 공정에 있어서의 세정제의 소비량 및 폐기량보다도 오히려 많은 것에서, 큰 환경 부하를 주고 있었다. 또한, 프리 린스수에 대해서도, 프리 린스 폐액수로서 모두 폐기처리되기 때문에 새로이 물을 보급할 필요가 있었다. 그 때문에, 프리 린스수로부터 용이하게 분리할 수 있는 세정제 조성물을 이용할 수 있으면, 해당 세정제 조성물 만을 제거함으로써 프리 린스수를 재이용할 수 있기 때문에 프리 린스수의 교환 횟수를 저감할 수 있어서, 환경 부하를 저감할 수 있다고 생각된다.
본 발명은 무연 땜납 플럭스를 이용하여 얻어진 피세정물을 세정한 경우에도 충분한 세정력을 갖고, 또한, 프리 린스수로부터 용이하게 분리할 수 있는 세정제 조성물 및 폐수 발생량을 저감 가능한 프리 린스 방법을 이용하는 무연 땜납 플럭스 제거 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 특정 조성의 세정제 조성물을 이용하여 세정을 실시함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다. 본 발명은 이러한 지견에 기초하여 완성된 것이다.
즉, 본 발명은 하기의 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스 제거 시스템에 관련된 것이다.
1. (a1) 20℃에 있어서의 물에 대한 용해도가 2％ 미만이고, 비중이 0.98 이하인 글리콜에테르류 30∼49중량％, (a2) 20℃에 있어서의 물에 대한 용해도가 2∼10％이고, 비중이 0.98 이하인 글리콜에테르류 3∼30중량％ 및 (a3) 20℃에서 물에 가용이고, 비중이 0.98 이하인 글리콜에테르류 21∼60중량％로 이루어지는 글리콜에테르류(A), 일반식(1):
[일반식 1]
(식 중, R1은 탄소수 1∼7의 알킬기를, Y는 탄소수 1∼7의 알킬기 또는 수소 원자를, a는 1∼15의 정수, b는 0∼15의 정수를 나타낸다.)로 나타내어지는 폴리옥시알킬렌아민류(B) 및 (c1) 지방족 히드록시카르복실산계 킬레이트제 및 (c2) (폴리)인산계 킬레이트제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 킬레이트제(C)를 함유하는 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
2. (a1)성분이 일반식(2):
[일반식 2]
(식 중, R2는 탄소수 1∼10의 알킬기를, R3은 메틸기 또는 수소 원자를, R4는 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 수소 원자를, c는 1∼4의 정수를 나타낸다.)로 나타내어지는 글리콜에테르류, (a2)성분이 일반식(3):
[일반식 3]
(식 중, R5는 탄소수 1∼5의 알킬기를, R6은 메틸기 또는 수소 원자를, R7은 탄소수 1∼5의 알킬기 또는 수소 원자를, d는 1∼4의 정수를 나타낸다.)로 나타내어지는 글리콜에테르류 및 (a3)성분이 일반식(4):
[일반식 4]
(식 중, R8은 탄소수 1∼5의 알킬기를, R9는 메틸기 또는 수소 원자를, R10은 탄소수 1∼5의 알킬기 또는 수소 원자를, e는 1∼4의 정수를 나타낸다.)로 나타내어지는 글리콜에테르류인 상기 항 1에 기재된 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
3. 폴리옥시알킬렌아민류(B)가 N―알킬디알카놀아민류인 상기 항 1 또는 2에 기재된 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
4. N―알킬디알카놀아민류가 N―메틸디에탄올아민, N―에틸디에탄올아민, N―프로필디에탄올아민, N―부틸디에탄올아민 및 N―t―부틸디에탄올아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 상기 항 3에 기재된 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
5. (c1) 지방족 히드록시카르복실산계 킬레이트제가 구연산, 이소구연산 및 사과산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 상기 항 1∼4 중 어느 한 항에 기재된 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
6. (c2) (폴리)인산계 킬레이트제가 오르토인산, 피로인산 및 트리인산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 상기 항 1∼4 중 어느 한 항에 기재된 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
7. (a1)성분 30∼49중량부, (a2)성분 3∼20중량부, (a3)성분 31∼60중량부, (B)성분 0.01∼30중량부, (C)성분 0.01∼10중량부 및 물 0∼10중량부를 함유하는 상기 항 1∼6 중 어느 한 항에 기재된 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
8. 상기 항 1∼7 중 어느 한 항에 기재된 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물을 무연 땜납 플럭스가 부착된 피세정물에 접촉시킨 후, 해당 피세정물을 헹굼액에 접촉시켜서, 발생한 폐헹굼액을 유층과 수층으로 분리하고, 얻어진 수층을 회수 및 재사용하는 것을 특징으로 하는 무연 땜납 플럭스 제거 시스템.
본 발명의 세정제 조성물을 이용하면, 무연 땜납 플럭스를 세정했을 때에 반응 생성물인 주석 염화합물 유래의 잔사를 남기지 않고, 양호하게 플럭스를 제거할 수 있다.
또한, 프리 린스 공정에서 발생한 폐헹굼액을 용이하게 유층(油層)과 수층(水層)으로 분리할 수 있기 때문에 얻어진 수층을 재사용하는 것으로 폐액 발생량을 저감할 수 있고, 환경 부하의 관점에서도, 또한, 폐액 처리 비용의 관점에 있어서도 의의가 있다.
또한, 본 발명에 관련되는 세정제는 계면 활성제를 함유하지 않기 때문에 스프레이 양태에 의한 물헹굼 공정에 있어서의 거품의 발생이 적고, 물헹굼 공정의 관리가 용이해지는 등의 잇점이 있다.
본 발명에 관련되는 세정제의 세정 대상인 “무연 땜납 플럭스”란, 구체적으로는, 무연 땜납에 유래하는 주석을 포함하는 플럭스 잔사를 의미하고, 예를 들면, (ⅰ) 가루상의 무연 땜납과 플럭스 조성물로 이루어지는 페이스트로 납땜한 후에 발생하는 플럭스 잔사나 (ⅱ) 무연 땜납으로 형성된 전극을 플럭스 조성물을 통하여 납땜한 후에 발생하는 플럭스 잔사 등을 포함하는 것이다.
또한, “무연 땜납”으로서는 예를 들면, Sn―Ag계 땜납, Sn―Cu계 땜납, Sn―Ag―Cu계 땜납, Sn―Zn계 땜납, Sn―Sb계 땜납 등을 들 수 있다.
또한, “플럭스 조성물”로서는, 구체적으로는 예를 들면, 수지산류(천연 로진, 중합 로진, α, β불포화 카르복실산 변성 로진 등)나 합성 수지류(아크릴 수지, 폴리아미드 수지 등) 등의 베이스 수지, 활성제(아디프산 등의 유기산, 디에틸아민 브롬화 수소은 등의 할로겐계 화합물 등), 칙소트로픽제(경화 피마자유, 히드록시스테아린산 에틸렌비스아미드 등), 용제(디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등)를 주성분으로 하는 조성물을 들 수 있다.
본 발명의 세정제는 (a1) 20℃에 있어서의 물에 대한 용해도가 2％ 미만이고, 비중이 0.98 이하인 글리콜에테르류(이하, “(a1)성분”이라 한다) 30∼49중량％, (a2) 20℃에 있어서의 물에 대한 용해도가 2∼10％이고, 비중이 0.98 이하인 글리콜에테르류(이하, “(a2)성분”이라 한다) 3∼30중량％(바람직하게는 3∼20중량％) 및 (a3) 20℃에서 물에 가용(solubility)이고, 비중이 0.98 이하인 글리콜에테르류(이하, “(a3)”성분이라 한다) 21∼60중량％(바람직하게는 31∼60중량％)로 이루어지는 글리콜에테르류(A)(이하, “(A)성분”이라 한다), 일반식(1):
[일반식 1]
(식 중, R1은 탄소수 1∼7의 알킬기를, Y는 탄소수 1∼7의 알킬기 또는 수소 원자를, a는 1∼15의 정수, b는 0∼15의 정수를 나타낸다.)로 나타내어지는 폴리옥시알킬렌아민류(B)(이하, “(B)성분”이라 한다) 및 (c1) 지방족 히드록시카르복실산계 킬레이트제(이하, “(c1)성분”이라 한다) 및 (c2) (폴리)인산계 킬레이트제(이하, “(c2)성분”이라 한다)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 킬레이트제(C)(이하, “(C)성분”이라 한다)를 함유하는 점에 특징이 있다.
(a1)성분으로서는, 20℃에 있어서의 물에 대한 용해도가 2％ 미만 정도(바람직하게는 0.5％ 이상 2％ 미만), 비중이 0.98 이하 정도(바람직하게는 0.96 이하)를 충족하는 글리콜에테르류이면 특별히 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 또한, 20℃에 있어서의 물에 대한 용해도란, 20℃이고, 물 100g으로 용해할 수 있는 용질(solute)의 양(g)의 비율을 말한다. 이들의 예로서는 예를 들면, 일반식(2):
[일반식 2]
(식 중, R2는 탄소수 1∼10의 알킬기를, R3은 메틸기 또는 수소 원자를, R4는 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 수소 원자를, c는 1∼4의 정수를 나타낸다.)로 나타내어지는 화합물 등을 들 수 있다.
일반식(2)로 나타내어지는 화합물로서, 바람직하게는 일반식(2) 중, R2가 탄소수 4∼8의 알킬기이고, R3이 메틸기 또는 수소 원자이며, R4가 탄소수 4의 알킬기 또는 수소 원자이고, c는 1∼4의 정수인 화합물이다.
일반식(2)로 나타내어지는 화합물로서는, 구체적으로는 예를 들면, 에틸렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜모노2―에틸헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노2―에틸헥실에테르, 프로필렌글리콜모노헥실에테르, 디프로필렌글리콜모노헥실에테르, 트리프로필렌글리콜모노헥실에테르, 테트라프로필렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜디부틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르, 디프로필렌글리콜디부틸에테르, 트리프로필렌글리콜디부틸에테르, 테트라프로필렌글리콜디부틸에테르 등의 글리콜에테르류 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
또한, (a2)성분으로서는, 20℃에 있어서의 물에 대한 용해도가 2∼10％ 정도, 비중이 0.98 이하 정도(바람직하게는 0.95 이하 정도)를 충족하는 글리콜에테르류이면 특별히 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 이들의 예로서는 예를 들면, 일반식(3):
[일반식 3]
(식 중, R5는 탄소수 1∼5의 알킬기를, R6은 메틸기 또는 수소 원자를, R7은 탄소수 1∼5의 알킬기 또는 수소 원자를, d는 1∼4의 정수를 나타낸다.)로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.
일반식(3)으로 나타내어지는 화합물로서, 바람직하게는 일반식(3) 중, R5가 탄소수 3∼4의 알킬기이고, R6이 메틸기이며, R7이 수소 원자이고, d는 1∼2의 정수인 화합물이다.
일반식(3)으로 나타내어지는 화합물로서는, 구체적으로는 예를 들면, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 글리콜에테르류를 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
또한, (a3)성분으로서는, 물에 가용이고, 비중이 0.98 이하 정도인 글리콜에테르류이면 특별히 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 이들의 예로서는 예를 들면, 일반식(4):
[일반식 4]
(식 중, R8은 탄소수 1∼5의 알킬기를, R9는 메틸기 또는 수소 원자를, R10은 탄소수 1∼5의 알킬기 또는 수소 원자를, e는 1∼4의 정수를 나타낸다.)로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.
일반식(4)로 나타내어지는 화합물로서, 바람직하게는 일반식(4) 중, R8이 탄소수 1∼4의 알킬기이고, R9가 메틸기 또는 수소 원자이며, R10이 탄소수 1∼2의 알킬기 또는 수소 원자이고, e는 1∼4의 정수인 화합물이다.
일반식(4)로 나타내어지는 화합물로서는, 구체적으로는 예를 들면, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 글리콜에테르류를 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
상기 (B)성분은 상기의 일반식(1)로 나타내어지는 화합물이면 특별히 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다.
(B)성분으로서는, 구체적으로는 예를 들면, N―알킬디알카놀아민류, N―알킬모노알카놀아민류 등을 들 수 있다. N―알킬디알카놀아민류로서는 예를 들면, N―메틸디에탄올아민, N―에틸디에탄올아민, N―프로필디에탄올아민, N―부틸디에탄올아민, N―t―부틸디에탄올아민 등을 들 수 있다. N―알킬모노알카놀아민류로서는 예를 들면, N―메틸에탄올아민, N―에틸에탄올아민, N―프로필에탄올아민, N―부틸에탄올아민, N―t―부틸에탄올아민, N, N―디메틸에탄올아민, N, N―디에틸에탄올아민, N, N―디부틸에탄올아민 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도 안전성이나 특히 오염 방지성 및 저발포성의 관점에서, 상기 N―알킬디알카놀아민류가, 특히 N―메틸디에탄올아민, N―에틸디에탄올아민, N―프로필디에탄올아민, N―부틸디에탄올아민 및 N―t―부틸디에탄올아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.
(C)성분으로서는, 분자 내에 아미노기를 갖지 않는 킬레이트제로서, (c1)성분 및 (c2)성분으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이면 특별히 한정되지 않고, 공지의 것을 이용할 수 있다. (c1)성분 또는 (c2)성분을 이용함으로써 간극 세정성이나 특히 오염 방지성을 향상시킬 수 있다.
(c1)성분은 적어도 하나 이상의 카르복실기 및 적어도 하나 이상의 수산기를 갖는 화합물이고, 바람직한 것으로서, 탄소수가 2∼5 정도의 직선상 알킬기를 기본 골격으로 하고, 이것에 카르복실기가 2∼3개 정도 및 수산기가 1∼3개 정도 결합한 히드록시카르복실산류를 들 수 있다. 구체적으로는 예를 들면, 구연산, 이소구연산, 사과산, 주석산 및 이들의 염(나트륨염, 칼륨염, 암모늄염, 알카놀아민염 등을 말한다. 이하 동일.) 등을 예시할 수 있다. 이들 중에서도 간극 세정성이나 특히 오염 방지성의 관점에서, 구연산, 이소구연산 및 사과산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하고, 특히, 구연산이 바람직하다.
(c2)성분으로서는, 간극 세정성이나 특히 오염 방지성의 관점에서, 오르토인산, 피로인산 및 트리인산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하고, 특히 피로인산이 바람직하다.
또한, (C)성분 대신에 분자 내에 아미노기를 갖는 킬레이트제를 이용하면, 물헹굼 공정 시에 피세정물의 재오염이 발생하기 쉬워진다.
본 발명의 세정제 조성물에 이용되는 물로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 순수, 이온 교환수, 정제수 등을 들 수 있다.
본 발명의 세정제에는 본 발명의 소기의 효과를 손상하지 않을 정도에 있어서, 각종 공지의 첨가제, 예를 들면, 소포제, 방청제, 산화 방지제 등을 이용할 수 있다.
본 발명의 세정제 조성물에 이용되는 각 성분의 사용량은 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 소기의 효과를 고려하여 통상은 (a1)성분 30∼49중량부, (a2)성분 3∼20중량부, (a3)성분 31∼60중량부, (B)성분 0.01∼30중량부(바람직하게는 0.1∼10중량부), (C)성분 0.01∼10중량부 정도(바람직하게는 0.02∼1중량부), 물 0∼10중량부 정도(바람직하게는 1∼8중량부)이다. 또한, 상기 첨가제의 함유량은 통상 5중량부 정도이다. 또한, 해당 세정제 조성물의 pH는 특별히 한정되지 않지만, 통상 2∼10 정도이다.
본 발명의 무연 땜납 플럭스 제거 시스템은 본 발명의 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물을 무연 땜납 플럭스가 부착된 피세정물에 접촉시킨 후, 해당 피세정물을 헹굼액에 접촉시켜서, 발생한 폐헹굼액을 유층과 수층으로 분리하며, 얻어진 수층을 회수 및 재사용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 세정제 조성물을 무연 땜납 플럭스가 부착된 피세정물에 접촉시키는 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 각종 공지의 방법을 채용할 수 있다. 구체적으로는 예를 들면, 스프레이 장치를 사용하여 해당 세정제 조성물을 무연 땜납 플럭스가 부착된 피세정물에 스프레이 분사하는 방법, 해당 세정제 조성물에 해당 피세정물을 침지하여 초음파 세정하는 방법, 직통식 세정 장치(등록 상표“다이렉트 패스”, 아라카와 화학 공업(주)제, 특허 제 2621800호 등)를 이용하는 방법 등을 들 수 있다.
피세정물을 헹굼액에 접촉시키는 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법을 채용할 수 있다. 구체적으로는 예를 들면, 상기의 세정제 조성물을 무연 땜납 플럭스가 부착된 피세정물에 접촉시키는 방법과 동등한 방법을 들 수 있다.
헹굼 공정에 의해 발생한 폐헹굼액을 유층과 수층으로 분리하는 방법으로서는, 공지의 방법을 채용할 수 있다. 구체적으로는 예를 들면, 폐행굼액을 보온ㆍ정치할 수 있는 조내에서 일정 시간 유지하고, 발생한 유층을 배출하는 방법이나 유수 분리 장치라 불리는 미소 분산한 유층 성분의 조대화ㆍ응집을 가속시키는 특수한 필터를 구비한 장치를 헹굼조에 연결하고, 헹굼조 내의 헹굼 폐액을 연속적으로 필터 순환시키는 것으로 유수 분리 장치 내에 유층을 발생시켜서 차례 차례 배출하는 방법 등을 들 수 있다. 본 발명의 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물을 포함하는 폐헹굼액은 40∼80℃로 보온하여 상기의 분리 방법을 이용하는 것으로 수층과 유층으로 용이하게 분리하고, 세정제 조성물의 대부분은 비중차에 의해 부상하여 유층을 형성한다. 또한, 플럭스 잔사 등의 오염 성분은 유층에 용해하고 있기 때문에 수층은 회수 후, 헹굼 공정에 재사용할 수 있다.
(실시예)
이하, 실시예 및 비교예를 들어서 본 발명을 보다 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.
[세정제의 조제]
하기 표 1에 나타내는 각 성분을 혼합하여(중량％ 기준), 실시예 및 비교예용의 세정제를 조제했다.
표 1 중, 각 기호는 이하와 같다.
HeDG: 디에틸렌글리콜모노헥실에테르
HeG: 에틸렌글리콜모노헥실에테르
DBDG: 디에틸렌글리콜디부틸에테르
PFDG: 디프로필렌글리콜모노부틸에테르
BFDG: 디프로필렌글리콜모노프로필에테르
BFG: 프로필렌글리콜모노부틸에테르
BDG: 디에틸렌글리콜모노부틸에테르
MFDG: 디프로필렌글리콜모노메틸에테르
PFG: 프로필렌글리콜모노프로필에테르
MDB: N―부틸디에탄올아민
MEM: N―에틸에탄올아민
CA: 구연산
MA: 사과산
PA: 피로인산
EDTA: 에틸렌디아민4초산
다만, 비교예 8은 EDTA가 세정제에 용해되지 않았기 때문에 조제할 수 없었다.
[무연 땜납 플럭스의 조제]
시판하는 무연 땜납 페이스트(제품명“TASLF―219Y”, 아라카와 화학 공업(주)제; 무연 땜납 가루의 조성은 96. 5％가 Sn, 3. 0％가 Ag, 0.5％가 Cu이다.)를 유리병에 넣고, 270℃의 핫 플레이트 상에서 가열하여 무연 땜납 가루를 용융시켰다. 그 후, 결과물은 용융 합체하여 침강한 땜납 합금과 플럭스 성분으로 분리했다. 해당 플럭스 성분은 무연 땜납으로 납땜한 후에 발생하는 플럭스 잔사의 모델이고, 이하, 이것을 무연 땜납 플럭스로서 이용했다.
[시험 1: 플럭스 용해성의 평가]
상기 모델 플럭스 잔사를 60℃로 가온한 상기 실시예 및 비교예용의 세정제에 1중량％, 2중량％, 또는 3중량％로 되도록 첨가하고, 20분간 교반하여 시험액을 조제했다. 그 때의 외관을 이하의 기준으로 육안 평가했다.
○: 시험액은 투명했다.
×: 시험액은 백탁(白濁)해 있었다. 또는, 불용성의 침강물을 발생시켰다.
[시험 2: 유수 분리 효율의 평가]
상기 세정제(실시예 및 비교예)의 초기액(플럭스 농도 0％) 및 플럭스 함유액(플럭스 농도 1. 0％)을 각각 조제하고, 이온 교환수에 그 농도가 10중량％로 되도록 첨가했다. 그것을 교반 분산시킨 후, 60℃에서 20분간 정치하고, 분리한 수층(하층)을 채취했다. 채취한 수층의 액(모델 헹굼수)의 20℃에서의 굴절률을 계측하고(장치명“아베 굴절률계 NAR―1T”, (주)아타고), 검량선을 이용하여 세정제 농도(×로 한다)로 환산하고, 분리 효율(여기에서, 분리 효율＝(10－x)／10×100[％]로 정의한다)을 산출했다. 분리 효율이 높을수록 재사용되는 수층의 세정제 농도가 낮아져서 바람직하다.
○: 분리 효율 60％ 이상
△: 분리 효율 30％를 넘고 60％ 미만
×: 분리 효율 30％ 이하
[시험 3: 발포성의 평가]
상기 실시예 및 비교예용의 세정제에 이온 교환수를 첨가하고, 세정제의 함유량이 3중량％로 되기까지 희석하며, 얻어진 희석액을 유리제 시험관(ø15㎜×150㎜)에 5㎖ 넣고, 밀전(密栓)했다. 이어서, 해당 시험관을 60℃로 가온한 후, 10회 세게 진탕(shaken)하고, 10초간 방치한 후의 거품이 이는 높이(㎜)를 측정했다.
거품이 이는 높이는 그 값이 클수록 물헹굼 공정(스프레이 양태)에 있어서 거품이 발생하기 쉬운 것을 의미한다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Claims (8)
- (a1) 에틸렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜모노2-에틸헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노2-에틸헥실에테르, 프로필렌글리콜모노헥실에테르, 디프로필렌글리콜모노헥실에테르, 트리프로필렌글리콜모노헥실에테르, 테트라프로필렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜디부틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르, 디프로필렌글리콜디부틸에테르, 트리프로필렌글리콜디부틸에테르 및 테트라프로필렌글리콜디부틸에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 글리콜에테르류 30~49중량%, (a2) 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르 및 디프로필렌글리콜모노부틸에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 글리콜에테르류 3~30중량% 및 (a3) 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르 및 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 글리콜에테르류 21~60중량%로 이루어지는 글리콜에테르류(A), 일반식(1):
[일반식 1]
(식 중, R1은 탄소수 1~7의 알킬기를, Y는 탄소수 1~7의 알킬기 또는 수소 원자를, a는 1~15의 정수, b는 0~15의 정수를 나타낸다.)로 나타내어지는 폴리옥시알킬렌아민류(B) 및 (c1) 지방족 히드록시카르복실산계 킬레이트제 및 (c2) (폴리)인산계 킬레이트제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 킬레이트제(C)를 함유하는
무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
폴리옥시알킬렌아민류(B)가 N―알킬디알카놀아민류인
무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
- 제 2 항에 있어서,
N―알킬디알카놀아민류가 N―메틸디에탄올아민, N―에틸디에탄올아민, N―프로필디에탄올아민, N―부틸디에탄올아민 및 N―t―부틸디에탄올아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인
무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
(c1) 지방족 히드록시카르복실산계 킬레이트제가 구연산, 이소구연산 및 사과산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인
무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
(c2) (폴리)인산계 킬레이트제가 오르토인산, 피로인산 및 트리인산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인
무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
(a1)성분 30~49중량부, (a2)성분 3~20중량부, (a3)성분 31~60중량부, (B)성분 0.01~30중량부, (C)성분 0.01~10중량부 및 물 0~10중량부를 함유하는
무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 무연 땜납 플럭스용 세정제 조성물을 무연 땜납 플럭스가 부착된 피세정물에 접촉시킨 후, 해당 피세정물을 헹굼액에 접촉시켜서, 발생한 폐헹굼액을 유층과 수층으로 분리하고, 얻어진 수층을 회수 및 재사용하는 것을 특징으로 하는
무연 땜납 플럭스 제거 시스템. - 삭제
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2008-217589 | 2008-08-27 | ||
| JP2008217589 | 2008-08-27 | ||
| PCT/JP2009/064377 WO2010024141A1 (ja) | 2008-08-27 | 2009-08-17 | 鉛フリーはんだフラックス除去用洗浄剤組成物および鉛フリーはんだフラックス除去システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110044838A KR20110044838A (ko) | 2011-05-02 |
| KR101579767B1 true KR101579767B1 (ko) | 2015-12-23 |
Family
ID=41721310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107029665A KR101579767B1 (ko) | 2008-08-27 | 2009-08-17 | 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스 제거 시스템 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8211845B2 (ko) |
| JP (1) | JP5556658B2 (ko) |
| KR (1) | KR101579767B1 (ko) |
| CN (1) | CN102131910B (ko) |
| TW (1) | TWI437094B (ko) |
| WO (1) | WO2010024141A1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190025667A (ko) * | 2016-08-01 | 2019-03-11 | 카오카부시키가이샤 | 스크린판용 세정제 조성물 |
| KR20200136655A (ko) | 2019-05-28 | 2020-12-08 | (주)태원시스켐 | 희석식 수용성 땜납용 플럭스 세정제 조성물 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101530321B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2015-06-19 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스의 제거 방법 |
| JP5857740B2 (ja) | 2009-09-03 | 2016-02-10 | 荒川化学工業株式会社 | 鉛フリーハンダ水溶性フラックス除去用洗浄剤、除去方法及び洗浄方法 |
| CN104312779B (zh) * | 2010-07-09 | 2017-10-20 | 化研科技株式会社 | 洗涤剂组合物用原液、洗涤剂组合物以及洗涤方法 |
| JP5843213B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2016-01-13 | 荒川化学工業株式会社 | プリント配線板用水系洗浄剤組成物およびこれを用いたプリント配線板の洗浄方法 |
| US10259083B2 (en) * | 2013-09-12 | 2019-04-16 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Cleaning flux, cleaning solder paste, and solder joint |
| JP6202678B2 (ja) * | 2014-02-03 | 2017-09-27 | 花王株式会社 | 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 |
| JP6226144B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2017-11-08 | 荒川化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物原液、洗浄剤組成物および洗浄方法 |
| JP6243792B2 (ja) * | 2014-05-12 | 2017-12-06 | 花王株式会社 | はんだが固化された回路基板の製造方法、電子部品が搭載された回路基板の製造方法、及び、フラックス用洗浄剤組成物 |
| JP6345512B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-06-20 | 花王株式会社 | 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 |
| JP6650100B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2020-02-19 | 荒川化学工業株式会社 | 物品の洗浄及び濯ぎ方法、並びに物品の洗浄及び濯ぎ装置 |
| JP5825451B1 (ja) * | 2015-07-01 | 2015-12-02 | 富士通株式会社 | アップリンク応答信号伝送方法、基地局、移動局及び通信システム |
| KR102384908B1 (ko) | 2015-11-25 | 2022-04-08 | 삼성전자주식회사 | 자성 패턴 세정 조성물, 자성 패턴 형성 방법 및 자기 메모리 장치의 제조 방법 |
| KR102635269B1 (ko) * | 2015-12-25 | 2024-02-13 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 전자재료용의 세정제 조성물, 세정제 원액, 및 전자재료의 세정방법 |
| JP6938937B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2021-09-22 | 荒川化学工業株式会社 | 防錆膜用の除去剤 |
| JP6822440B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2021-01-27 | 荒川化学工業株式会社 | 鉛フリーはんだフラックス用洗浄剤組成物、鉛フリーはんだフラックスの洗浄方法 |
| JP7073655B2 (ja) * | 2017-09-19 | 2022-05-24 | 荒川化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物原液、及び該洗浄剤組成物原液を含む洗浄剤組成物 |
| JP7087853B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-06-21 | 荒川化学工業株式会社 | 洗浄剤及び洗浄方法 |
| JP7370339B2 (ja) * | 2018-12-05 | 2023-10-27 | 花王株式会社 | フラックス残渣の洗浄 |
| BR112021017180A2 (pt) * | 2019-04-03 | 2021-11-09 | Chemetall Gmbh | Método para purgar circuitos de pintura revestidos com uma tinta não curada, solução de limpeza de purga de base aquosa, e, concentrado para produzir a solução de limpeza de purga de base aquosa |
| JP7215978B2 (ja) * | 2019-08-21 | 2023-01-31 | 荒川化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 |
| JP7006826B1 (ja) | 2021-07-27 | 2022-01-24 | 荒川化学工業株式会社 | 鉛フリーはんだフラックス用洗浄剤組成物、鉛フリーはんだフラックスの洗浄方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003320451A (ja) | 2002-05-07 | 2003-11-11 | Mitsubishi Chemicals Corp | はんだ除去液およびはんだ除去方法 |
| WO2005021700A1 (ja) | 2003-08-27 | 2005-03-10 | Kaken Tech Co., Ltd. | 半田フラックス除去用洗浄剤および半田フラックスの洗浄方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0457899A (ja) | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | ロジン系ハンダフラックスの洗浄剤および該洗浄剤を用いてなるロジン系ハンダフラックスの洗浄方法 |
| JPH0457900A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | ロジン系ハンダフラックスの先浄剤および該洗浄剤を用いてなるロジン系ハンダフラックスの洗浄方法 |
| JPH05271693A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-19 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 洗浄剤 |
| JP3164656B2 (ja) * | 1992-08-04 | 2001-05-08 | 東邦化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| JP2813862B2 (ja) * | 1994-07-05 | 1998-10-22 | 荒川化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| JP2949425B2 (ja) | 1996-10-11 | 1999-09-13 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| KR101362301B1 (ko) * | 2006-03-17 | 2014-02-12 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물, 무연 땜납 플럭스제거용 세척제 및 무연 땜납 플럭스의 제거방법 |
| KR101530321B1 (ko) | 2007-08-08 | 2015-06-19 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스의 제거 방법 |
-
2009
- 2009-08-17 JP JP2010526656A patent/JP5556658B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-17 US US12/999,471 patent/US8211845B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-17 KR KR1020107029665A patent/KR101579767B1/ko active IP Right Grant
- 2009-08-17 CN CN200980133557XA patent/CN102131910B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-17 WO PCT/JP2009/064377 patent/WO2010024141A1/ja active Application Filing
- 2009-08-20 TW TW098128030A patent/TWI437094B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003320451A (ja) | 2002-05-07 | 2003-11-11 | Mitsubishi Chemicals Corp | はんだ除去液およびはんだ除去方法 |
| WO2005021700A1 (ja) | 2003-08-27 | 2005-03-10 | Kaken Tech Co., Ltd. | 半田フラックス除去用洗浄剤および半田フラックスの洗浄方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190025667A (ko) * | 2016-08-01 | 2019-03-11 | 카오카부시키가이샤 | 스크린판용 세정제 조성물 |
| KR102176804B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2020-11-10 | 카오카부시키가이샤 | 스크린판용 세정제 조성물 |
| KR20200136655A (ko) | 2019-05-28 | 2020-12-08 | (주)태원시스켐 | 희석식 수용성 땜납용 플럭스 세정제 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI437094B (zh) | 2014-05-11 |
| US20110094545A1 (en) | 2011-04-28 |
| JPWO2010024141A1 (ja) | 2012-01-26 |
| JP5556658B2 (ja) | 2014-07-23 |
| US8211845B2 (en) | 2012-07-03 |
| TW201016842A (en) | 2010-05-01 |
| KR20110044838A (ko) | 2011-05-02 |
| WO2010024141A1 (ja) | 2010-03-04 |
| CN102131910A (zh) | 2011-07-20 |
| CN102131910B (zh) | 2012-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101579767B1 (ko) | 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스 제거 시스템 | |
| KR101729612B1 (ko) | 무연 땜납 수용성 플럭스 제거용 세정제, 제거 방법 및 세정 방법 | |
| JP5428859B2 (ja) | 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法 | |
| CN100408257C (zh) | 无铅焊料专用水溶性助焊剂 | |
| TWI424055B (zh) | Lead-free solder flux removal detergent composition, lead-free solder flux removal rinse and lead-free solder flux removal method | |
| CN108929808B (zh) | 无铅软钎料焊剂用清洗剂组合物、无铅软钎料焊剂的清洗方法 | |
| JP5945914B2 (ja) | フラックス残渣除去用洗浄剤 | |
| JP6458964B2 (ja) | 共沸洗浄剤及びその再生方法、洗浄方法、並びに洗浄剤キット | |
| CN110951546A (zh) | 一种电子工业用中性清洗剂 | |
| JPH05125395A (ja) | 洗浄剤組成物 | |
| JPH05271693A (ja) | 洗浄剤 | |
| JP2023018511A (ja) | 鉛フリーはんだフラックス用洗浄剤組成物、鉛フリーはんだフラックスの洗浄方法 | |
| JPH07331287A (ja) | ロジン系フラックス残渣の洗浄方法 | |
| WO1993016160A1 (en) | Defluxing composition and use thereof | |
| KR20170056139A (ko) | 무연땜납 플럭스 세정제 조성물 | |
| KR20100125772A (ko) | 무연땜납 플럭스 세정제 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181115 Year of fee payment: 4 |