JP2003320451A - はんだ除去液およびはんだ除去方法 - Google Patents
はんだ除去液およびはんだ除去方法Info
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- JP2003320451A JP2003320451A JP2002131340A JP2002131340A JP2003320451A JP 2003320451 A JP2003320451 A JP 2003320451A JP 2002131340 A JP2002131340 A JP 2002131340A JP 2002131340 A JP2002131340 A JP 2002131340A JP 2003320451 A JP2003320451 A JP 2003320451A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子の動作確認の際に用いられるＩＣソ
ケット、及びこのＩＣソケットを有する基板において、
これらＩＣソケット及び基板、また基板上の電子部材等
を腐食することなく、ソケット内のコンタクト部に付着
・堆積したはんだやはんだの酸化物等を洗浄により除去
し、コンタクト部を高度に清浄化するＩＣソケットの除
去液及び除去方法を提供する。 【解決手段】多価カルボン酸又はその塩を含むはんだ除
去液。
ケット、及びこのＩＣソケットを有する基板において、
これらＩＣソケット及び基板、また基板上の電子部材等
を腐食することなく、ソケット内のコンタクト部に付着
・堆積したはんだやはんだの酸化物等を洗浄により除去
し、コンタクト部を高度に清浄化するＩＣソケットの除
去液及び除去方法を提供する。 【解決手段】多価カルボン酸又はその塩を含むはんだ除
去液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明ははんだ除去液および
これを用いたはんだ除去方法に存する。詳しくは、ＬＳ
Ｉ及びＩＣ等の半導体素子端子に施されているはんだめ
っきの除去液、及びこれを用いるはんだ除去方法に存
し、特に半導体素子の評価測定試験の際に用いられる、
ＬＳＩやＩＣ装着用ソケットやこれを有する基板から、
ソケットや基板に残存するのはんだの除去する際に、優
れた効果を奏するものである。
これを用いたはんだ除去方法に存する。詳しくは、ＬＳ
Ｉ及びＩＣ等の半導体素子端子に施されているはんだめ
っきの除去液、及びこれを用いるはんだ除去方法に存
し、特に半導体素子の評価測定試験の際に用いられる、
ＬＳＩやＩＣ装着用ソケットやこれを有する基板から、
ソケットや基板に残存するのはんだの除去する際に、優
れた効果を奏するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣや半導体ＬＳＩ（以下、「ＩＣ等」
と言うことがある。）は通常、その集積回路部の保護の
為に樹脂等のパッケージにより被覆されている。このパ
ッケージからは外部接続用の多数のリード端子が導出・
配置されており、この端子には通常、端子保護及びＩＣ
を基板に実装する際のはんだ接着性向上を目的して、は
んだメッキが施されている。
と言うことがある。）は通常、その集積回路部の保護の
為に樹脂等のパッケージにより被覆されている。このパ
ッケージからは外部接続用の多数のリード端子が導出・
配置されており、この端子には通常、端子保護及びＩＣ
を基板に実装する際のはんだ接着性向上を目的して、は
んだメッキが施されている。
【０００３】一方でＩＣ等は通常、実装に先立ちその性
能を評価する測定試験を行う。この評価試験はＩＣ等の
製造工程に於ける最終検査として実施され、本検査によ
り良不良品の判定・選別がなされる。この測定評価試験
に於いては、ＩＣを、測定試験装置に接続した基板上の
ＩＣ評価用のソケットにセットして行うことが一般的で
ある。ＩＣのリード端子はＩＣソケットのコンタクト部
に接触しており、ソケットを有する基板の各端子に試験
装置から各種電圧・電流等を供給し、ＩＣ内部に流れる
電流の計測、又はＩＣから出力される電圧の計測等を行
う。
能を評価する測定試験を行う。この評価試験はＩＣ等の
製造工程に於ける最終検査として実施され、本検査によ
り良不良品の判定・選別がなされる。この測定評価試験
に於いては、ＩＣを、測定試験装置に接続した基板上の
ＩＣ評価用のソケットにセットして行うことが一般的で
ある。ＩＣのリード端子はＩＣソケットのコンタクト部
に接触しており、ソケットを有する基板の各端子に試験
装置から各種電圧・電流等を供給し、ＩＣ内部に流れる
電流の計測、又はＩＣから出力される電圧の計測等を行
う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような評価試験を
正確に実施する為には、ソケットのコンタクト部におけ
る接触性を良好に維持する必要がある。この為、ソケッ
トのコンタクト部には通常、金メッキ等の処理が施され
ている。但しＩＣ等の評価を行うに連れて、このソケッ
トコンタクト部表面には、ＩＣ等のリード端子部にある
はんだやはんだの成分である錫・鉛及びそれらの酸化物
等の層が徐々に付着、堆積することによって、各リード
端子との接触が不良となり、ＩＣ等の正確な評価が困難
となる問題が生じていた。
正確に実施する為には、ソケットのコンタクト部におけ
る接触性を良好に維持する必要がある。この為、ソケッ
トのコンタクト部には通常、金メッキ等の処理が施され
ている。但しＩＣ等の評価を行うに連れて、このソケッ
トコンタクト部表面には、ＩＣ等のリード端子部にある
はんだやはんだの成分である錫・鉛及びそれらの酸化物
等の層が徐々に付着、堆積することによって、各リード
端子との接触が不良となり、ＩＣ等の正確な評価が困難
となる問題が生じていた。
【０００５】このソケットのコンタクト部に堆積したは
んだ、及びはんだの酸化物層を除去する技術としては、
例えば特開平７−２３４２６２号公報では、５０％塩酸
に浸漬後、純水にて洗浄する方法、或いははんだ層に対
するブラッシングやエアーブローによる除去方法が開示
されている。また特開２０００−９７９９２号公報や特
開２００１−９３９８号公報では、電解質として硝酸ナ
トリウム溶液や硫酸カリウム、硫酸ナトリウム等の電解
質ゲルを用いて、はんだの酸化物層を電気分解して除去
する方法が提案されている。
んだ、及びはんだの酸化物層を除去する技術としては、
例えば特開平７−２３４２６２号公報では、５０％塩酸
に浸漬後、純水にて洗浄する方法、或いははんだ層に対
するブラッシングやエアーブローによる除去方法が開示
されている。また特開２０００−９７９９２号公報や特
開２００１−９３９８号公報では、電解質として硝酸ナ
トリウム溶液や硫酸カリウム、硫酸ナトリウム等の電解
質ゲルを用いて、はんだの酸化物層を電気分解して除去
する方法が提案されている。
【０００６】しかしながら前記ソケットは通常、プリン
ト基板等に取り付けて用いられることが多く、これらの
技術では高濃度の酸性溶液によるプリント基板及び基板
上の電子部材への悪影響がでるという問題があり、また
ブラシを用いると金メッキされたコンタクト部が損傷す
るという問題があった。また後者の電解法では、ソケッ
トのコンタクト部毎に通電する必要があり、電解質溶液
や電解質ゲルへの浸漬量の制御等を必須としており、ソ
ケットの取り付けられた基板の洗浄効率を向上させるこ
とは困難であった。
ト基板等に取り付けて用いられることが多く、これらの
技術では高濃度の酸性溶液によるプリント基板及び基板
上の電子部材への悪影響がでるという問題があり、また
ブラシを用いると金メッキされたコンタクト部が損傷す
るという問題があった。また後者の電解法では、ソケッ
トのコンタクト部毎に通電する必要があり、電解質溶液
や電解質ゲルへの浸漬量の制御等を必須としており、ソ
ケットの取り付けられた基板の洗浄効率を向上させるこ
とは困難であった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題を解決
するためになされたものであり、詳しくは完成した半導
体ＬＳＩやＩＣなどの半導体デバイスの動作確認の際に
用いられるＩＣソケット、及びこのＩＣソケットを有す
る基板において、これらＩＣソケット及び基板、また基
板上の電子部材等を腐食することなく、ソケット内のコ
ンタクト部に付着、堆積したはんだやはんだの成分であ
る鉛、錫及びそれらの酸化物等を除去し、ＩＣソケット
内のコンタクト部を高度に清浄化するはんだ除去液、及
びこの除去液を用いる除去方法を提供することを目的と
するものである。
するためになされたものであり、詳しくは完成した半導
体ＬＳＩやＩＣなどの半導体デバイスの動作確認の際に
用いられるＩＣソケット、及びこのＩＣソケットを有す
る基板において、これらＩＣソケット及び基板、また基
板上の電子部材等を腐食することなく、ソケット内のコ
ンタクト部に付着、堆積したはんだやはんだの成分であ
る鉛、錫及びそれらの酸化物等を除去し、ＩＣソケット
内のコンタクト部を高度に清浄化するはんだ除去液、及
びこの除去液を用いる除去方法を提供することを目的と
するものである。
【０００８】本発明者らは、上記課題を解決するために
鋭意検討を重ねた結果、特定のカルボン酸又はその塩を
含む特定の溶液が、はんだ除去液およびはんだ除去方法
における上記課題を解決出来ることを見いだし、本発明
を完成させた。従来のはんだ除去液である強酸性溶液等
を用いると、そのｐＨが低くない場合には、はんだ及び
その酸化物等の除去性が低下し、逆にｐＨが低すぎると
基板等の除去対象外の部材への悪影響が出るという問題
があった。本発明のはんだ除去液は、特定の多価カルボ
ン酸またはその塩を用いることにより、更にはアルカリ
成分を添加して所定のｐＨに調整しても、はんだ除去性
の低下が抑制され、かつ基板等へ悪影響を抑制してはん
だやその酸化物を除去できるので高度の清浄化が可能と
なる。
鋭意検討を重ねた結果、特定のカルボン酸又はその塩を
含む特定の溶液が、はんだ除去液およびはんだ除去方法
における上記課題を解決出来ることを見いだし、本発明
を完成させた。従来のはんだ除去液である強酸性溶液等
を用いると、そのｐＨが低くない場合には、はんだ及び
その酸化物等の除去性が低下し、逆にｐＨが低すぎると
基板等の除去対象外の部材への悪影響が出るという問題
があった。本発明のはんだ除去液は、特定の多価カルボ
ン酸またはその塩を用いることにより、更にはアルカリ
成分を添加して所定のｐＨに調整しても、はんだ除去性
の低下が抑制され、かつ基板等へ悪影響を抑制してはん
だやその酸化物を除去できるので高度の清浄化が可能と
なる。
【０００９】すなわち本発明の要旨は、多価カルボン酸
又はその塩を含有することを特徴とするはんだ除去液に
存する。特に、ＩＣソケット内のコンタクト部を高度に
清浄化する除去液、及び当該洗浄液を用いることを特徴
とする表面に金メッキ等により被覆されたコンタクト部
を有するＩＣソケット及びＩＣソケットを有する基板か
らのはんだ除去方法に存する。
又はその塩を含有することを特徴とするはんだ除去液に
存する。特に、ＩＣソケット内のコンタクト部を高度に
清浄化する除去液、及び当該洗浄液を用いることを特徴
とする表面に金メッキ等により被覆されたコンタクト部
を有するＩＣソケット及びＩＣソケットを有する基板か
らのはんだ除去方法に存する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の除去液は、多価カルボン酸又はその塩を含有す
ることを特徴とする。本発明における多価カルボン酸又
はその塩としては、１分子内にカルボキシル基及びその
塩交換された基を二個以上有する化合物であれば任意の
ものを使用できる。多価カルボン酸やその塩類としては
例えば、二価のカルボン酸としてはシュウ酸、マロン
酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、酒
石酸、リンゴ酸、イミノジ酢酸等が、三価のカルボン酸
としてはクエン酸、ニトリロトリ酢酸等が、また四価以
上のカルボン酸としてはエチレンジアミンテトラ酢酸、
ポリアクリル酸等及びこれらの塩等が挙げられる。これ
らの中でも、はんだの除去性の観点から二価のカルボン
酸又はその塩類が好ましい。
本発明の除去液は、多価カルボン酸又はその塩を含有す
ることを特徴とする。本発明における多価カルボン酸又
はその塩としては、１分子内にカルボキシル基及びその
塩交換された基を二個以上有する化合物であれば任意の
ものを使用できる。多価カルボン酸やその塩類としては
例えば、二価のカルボン酸としてはシュウ酸、マロン
酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、酒
石酸、リンゴ酸、イミノジ酢酸等が、三価のカルボン酸
としてはクエン酸、ニトリロトリ酢酸等が、また四価以
上のカルボン酸としてはエチレンジアミンテトラ酢酸、
ポリアクリル酸等及びこれらの塩等が挙げられる。これ
らの中でも、はんだの除去性の観点から二価のカルボン
酸又はその塩類が好ましい。
【００１１】複数のカルボキシル基又はその塩交換され
た基は、お互いが直接、又は炭素原子や窒素原子等また
はこれらを含む結合基を介して結合していてもよい。結
合基の炭素数又は窒素数は任意だが、除去するはんだ及
びその酸化物の溶解促進の為に２以下、中でも１以下で
あることが好ましく、特にカルボキシル基またはその塩
交換された基同志が直接結合しているものが好ましい。
具体的にはシュウ酸又はその塩が、はんだ及びその酸化
物等の除去性、及び除去後の廃液処理が容易であること
から好ましい。
た基は、お互いが直接、又は炭素原子や窒素原子等また
はこれらを含む結合基を介して結合していてもよい。結
合基の炭素数又は窒素数は任意だが、除去するはんだ及
びその酸化物の溶解促進の為に２以下、中でも１以下で
あることが好ましく、特にカルボキシル基またはその塩
交換された基同志が直接結合しているものが好ましい。
具体的にはシュウ酸又はその塩が、はんだ及びその酸化
物等の除去性、及び除去後の廃液処理が容易であること
から好ましい。
【００１２】本発明の除去液における多価カルボン酸又
はその塩の含有量は適宜選択すればよいが、はんだ及び
はんだ酸化物等の除去性、及び除去液の保存安定性の観
点から０．０１〜３５重量％、より好ましくは０．０５
〜２０重量％、特に好ましくは０．１〜１５重量％であ
る。含有量が少ないと、はんだ及びはんだ酸化物等の除
去性が低下する場合があり、また多すぎても多価カルボ
ン酸又はその塩の溶液への溶解が困難となり、保存安定
性の低下を伴う場合がある。
はその塩の含有量は適宜選択すればよいが、はんだ及び
はんだ酸化物等の除去性、及び除去液の保存安定性の観
点から０．０１〜３５重量％、より好ましくは０．０５
〜２０重量％、特に好ましくは０．１〜１５重量％であ
る。含有量が少ないと、はんだ及びはんだ酸化物等の除
去性が低下する場合があり、また多すぎても多価カルボ
ン酸又はその塩の溶液への溶解が困難となり、保存安定
性の低下を伴う場合がある。
【００１３】本発明の除去液のｐＨは任意であり、前述
の多価カルボン酸溶液に由来するｐＨのままでもよい
し、適宜、アルカリ成分を用いてｐＨを調整してもよ
い。アルカリ成分としては任意のものを使用できるが、
中でも下記一般式（Ｉ）又は（II）にて表される化合物
等を用いることが好ましい。
の多価カルボン酸溶液に由来するｐＨのままでもよい
し、適宜、アルカリ成分を用いてｐＨを調整してもよ
い。アルカリ成分としては任意のものを使用できるが、
中でも下記一般式（Ｉ）又は（II）にて表される化合物
等を用いることが好ましい。
【００１４】
【化２】Ｒ1 +ＯＨ- （Ｉ）
(Ｒ2)4Ｎ+ＯＨ- （II）
（但し、Ｒ1はアルカリ金属を示し、Ｒ2は水素原子又は
水酸基、アルコキシ基、ハロゲンにて置換されていても
よい炭素数１〜３のアルキル基のいずれかを示し、Ｒ2
は全て同一でも異なっていてもよい。）
水酸基、アルコキシ基、ハロゲンにて置換されていても
よい炭素数１〜３のアルキル基のいずれかを示し、Ｒ2
は全て同一でも異なっていてもよい。）
【００１５】本発明にて用いるアルカリ成分は、単独ま
たは２種以上を任意の割合で使用してよい。アルカリ成
分のうち、多価カルボン酸との中和生成物の溶解度、
又、はんだ及びその酸化物等の除去性、及び除去後の廃
液処理が容易であることから、水酸化カリウムや水酸化
アンモニウム（アンモニア水）が、特に好ましい。
たは２種以上を任意の割合で使用してよい。アルカリ成
分のうち、多価カルボン酸との中和生成物の溶解度、
又、はんだ及びその酸化物等の除去性、及び除去後の廃
液処理が容易であることから、水酸化カリウムや水酸化
アンモニウム（アンモニア水）が、特に好ましい。
【００１６】上述の通り、本発明の除去液のｐＨは多価
カルボン酸及びアルカリ成分により任意に調整してよい
が、中でもｐＨは０．７〜１０、更には３〜８、特に４
〜７であることが好ましい。ｐＨが低すぎたり、また逆
に高すぎるとコンタクト部のはんだ及びその酸化物等の
除去性は向上することもあるが、ＩＣソケットを有する
基板上の電子部材や回路パターン等に悪影響を与える場
合がある。
カルボン酸及びアルカリ成分により任意に調整してよい
が、中でもｐＨは０．７〜１０、更には３〜８、特に４
〜７であることが好ましい。ｐＨが低すぎたり、また逆
に高すぎるとコンタクト部のはんだ及びその酸化物等の
除去性は向上することもあるが、ＩＣソケットを有する
基板上の電子部材や回路パターン等に悪影響を与える場
合がある。
【００１７】尚、本発明における「はんだ」とは、融点
が４５０Ｋ以下の、いわゆる低融点金属または合金全般
を示し、一般的には錫（Ｓｎ）や鉛（Ｐｂ）の合金、具
体的にはＳｎ−Ｐｂ、Ｐｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｚｎ−
Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐ
ｂ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｓｂ等の合
金が挙げられる。
が４５０Ｋ以下の、いわゆる低融点金属または合金全般
を示し、一般的には錫（Ｓｎ）や鉛（Ｐｂ）の合金、具
体的にはＳｎ−Ｐｂ、Ｐｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｚｎ−
Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐ
ｂ−Ｃｄ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｓｂ等の合
金が挙げられる。
【００１８】本発明のはんだ除去液は、中でもＳｎを含
むはんだ、更にはＳｎの含有率が５０重量％以上、特に
好ましくは９０重量％以上であるはんだの除去に好適で
ある。このようなはんだにおけるＳｎ以外の成分として
は任意であり、銀やＰｂ等が挙げられる。本発明のはん
だ除去液は、更に界面活性剤を含有することで、ＩＣソ
ケット内のコンタクト部の濡れ性向上、及び各種パーテ
ィクル汚染や有機物汚染等の除去性が向上するので好ま
しい。
むはんだ、更にはＳｎの含有率が５０重量％以上、特に
好ましくは９０重量％以上であるはんだの除去に好適で
ある。このようなはんだにおけるＳｎ以外の成分として
は任意であり、銀やＰｂ等が挙げられる。本発明のはん
だ除去液は、更に界面活性剤を含有することで、ＩＣソ
ケット内のコンタクト部の濡れ性向上、及び各種パーテ
ィクル汚染や有機物汚染等の除去性が向上するので好ま
しい。
【００１９】本発明に用いられる界面活性剤は従来公知
の任意のものを使用できる。界面活性剤の選択にあたっ
ては、ＩＣソケットの濡れ性、汚染レベル、各種パーテ
ィクルや有機物汚染の種類、要求される清浄度レベル、
界面活性剤コスト、化学的安定性等から総合的に判断
し、適宜選択すればよい。界面活性剤としては、アニオ
ン系、カチオン系、両性、ノニオン系の任意の界面活性
剤系が挙げられ、中でもアニオン系、両性、ノニオン系
の界面活性剤が好ましい。特にアニオン系、ノニオン系
の界面活性剤が好ましい。これらの界面活性剤は単独で
用いても、２種以上のものを適宜組み合わせて用いても
よい。中でもアニオン系界面活性剤とノニオン系界面活
性剤の組み合わせは汚染洗浄効果の点から好ましい。
の任意のものを使用できる。界面活性剤の選択にあたっ
ては、ＩＣソケットの濡れ性、汚染レベル、各種パーテ
ィクルや有機物汚染の種類、要求される清浄度レベル、
界面活性剤コスト、化学的安定性等から総合的に判断
し、適宜選択すればよい。界面活性剤としては、アニオ
ン系、カチオン系、両性、ノニオン系の任意の界面活性
剤系が挙げられ、中でもアニオン系、両性、ノニオン系
の界面活性剤が好ましい。特にアニオン系、ノニオン系
の界面活性剤が好ましい。これらの界面活性剤は単独で
用いても、２種以上のものを適宜組み合わせて用いても
よい。中でもアニオン系界面活性剤とノニオン系界面活
性剤の組み合わせは汚染洗浄効果の点から好ましい。
【００２０】アニオン系界面活性剤としてはカルボン酸
型、スルホン酸型、硫酸エステル型、リン酸エステル型
などが挙げられ、両性界面活性剤としてはアミノ酸型、
ベタイン型などが挙げられ、ノニオン系界面活性剤とし
てはポリエチレングリコール型、多価アルコール型など
が挙げられる。アニオン系界面活性剤の中ではスルホン
酸型（−ＳＯ3−基を有するもの）や硫酸エステル型
（−ＯＳＯ3−基を有するもの）が好ましい。−ＳＯ3−
基、または−ＯＳＯ3−基を少なくとも１つ有する化合
物は単独で使用しても、２種以上のものを適宜組み合わ
せて用いてもよく、具体的には例えばアルキルスルホン
酸類、アルキルベンゼンスルホン酸類、アルキル硫酸エ
ステル類、アルキルエーテル硫酸エステル類、ポリオキ
シエチレンアルキルエーテル硫酸エステル系及びこれら
の塩類が好ましく用いられる。
型、スルホン酸型、硫酸エステル型、リン酸エステル型
などが挙げられ、両性界面活性剤としてはアミノ酸型、
ベタイン型などが挙げられ、ノニオン系界面活性剤とし
てはポリエチレングリコール型、多価アルコール型など
が挙げられる。アニオン系界面活性剤の中ではスルホン
酸型（−ＳＯ3−基を有するもの）や硫酸エステル型
（−ＯＳＯ3−基を有するもの）が好ましい。−ＳＯ3−
基、または−ＯＳＯ3−基を少なくとも１つ有する化合
物は単独で使用しても、２種以上のものを適宜組み合わ
せて用いてもよく、具体的には例えばアルキルスルホン
酸類、アルキルベンゼンスルホン酸類、アルキル硫酸エ
ステル類、アルキルエーテル硫酸エステル類、ポリオキ
シエチレンアルキルエーテル硫酸エステル系及びこれら
の塩類が好ましく用いられる。
【００２１】ノニオン系界面活性剤の中では、例えばポ
リアルキレングリコール型として、ポリオキシエチレン
アルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルフェ
ニルエーテル類、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル
類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類、
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエーテル類、
ポリオキシエチレンポリオキシブチレンエーテル類、ポ
リオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテ
ル類、ポリオキシエチレンポリオキシブチレンアルキル
エーテル類などが挙げられる。また多価アルコール型と
してはグリセリン脂肪酸エステル類、ソルビタン脂肪酸
エステル類などが挙げられる。
リアルキレングリコール型として、ポリオキシエチレン
アルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルフェ
ニルエーテル類、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル
類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類、
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエーテル類、
ポリオキシエチレンポリオキシブチレンエーテル類、ポ
リオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテ
ル類、ポリオキシエチレンポリオキシブチレンアルキル
エーテル類などが挙げられる。また多価アルコール型と
してはグリセリン脂肪酸エステル類、ソルビタン脂肪酸
エステル類などが挙げられる。
【００２２】これらの界面活性剤のうち、汚染除去性に
優れ、且つ起泡性が低く優れているとの観点から、ポリ
オキシエチレンアルキルエーテル類やポリオキシエチレ
ンポリオキシプロピレンアルキルエーテル類等のポリオ
キシアルキレンアルキルエーテル類が好ましい。本発明
のはんだ除去液における界面活性剤の濃度は任意だが、
はんだ除去液に対して通常０．００１〜５重量％、好ま
しくは０．００５〜１重量％である。界面活性剤の添加
量が少なすぎると界面活性剤による部材の濡れ性の向上
及び各種パーティクル汚染除去性能が十分でなく、また
多過ぎると泡立ちが顕著となり洗浄工程に不向きとなる
場合があり、また廃液を生分解処理する場合の負荷が増
大する場合がある。
優れ、且つ起泡性が低く優れているとの観点から、ポリ
オキシエチレンアルキルエーテル類やポリオキシエチレ
ンポリオキシプロピレンアルキルエーテル類等のポリオ
キシアルキレンアルキルエーテル類が好ましい。本発明
のはんだ除去液における界面活性剤の濃度は任意だが、
はんだ除去液に対して通常０．００１〜５重量％、好ま
しくは０．００５〜１重量％である。界面活性剤の添加
量が少なすぎると界面活性剤による部材の濡れ性の向上
及び各種パーティクル汚染除去性能が十分でなく、また
多過ぎると泡立ちが顕著となり洗浄工程に不向きとなる
場合があり、また廃液を生分解処理する場合の負荷が増
大する場合がある。
【００２３】また本発明のはんだ除去液には、更に酸化
剤又は還元剤を含有させて、洗浄液の酸化還元電位を制
御することにより、ＩＣソケットのコンタクト部に付着
したはんだ及びはんだ酸化物等の除去性が向上するので
好ましい。本発明に用いられる酸化剤又は還元剤として
は、従来公知の任意のものを使用できる。酸化剤又は還
元剤の選択にあたっては、ＩＣソケット及びこのＩＣソ
ケットを有する基板等において、はんだ及びその酸化物
等の洗浄除去性、部材への腐食性、化学的安定性等から
総合的に判断し、適宜選択すればよい。酸化剤としては
例えば塩化第二鉄や過酸化水素水が、また還元剤として
はチオウレア、アスコルビン酸等がはんだ除去性の観点
から好ましい。
剤又は還元剤を含有させて、洗浄液の酸化還元電位を制
御することにより、ＩＣソケットのコンタクト部に付着
したはんだ及びはんだ酸化物等の除去性が向上するので
好ましい。本発明に用いられる酸化剤又は還元剤として
は、従来公知の任意のものを使用できる。酸化剤又は還
元剤の選択にあたっては、ＩＣソケット及びこのＩＣソ
ケットを有する基板等において、はんだ及びその酸化物
等の洗浄除去性、部材への腐食性、化学的安定性等から
総合的に判断し、適宜選択すればよい。酸化剤としては
例えば塩化第二鉄や過酸化水素水が、また還元剤として
はチオウレア、アスコルビン酸等がはんだ除去性の観点
から好ましい。
【００２４】本発明の除去液を用いたはんだ除去方法は
任意の温度下において実施できるが、はんだの除去、及
びはんだが付着しているソケットや基板の洗浄効果を向
上させる目的で、３０〜８５℃に加温して行うことが好
ましい。ＩＣソケット内のコンタクト部のはんだ及びは
んだ酸化物等の除去に際しては、その除去性及び洗浄効
率の観点から、４０〜８０℃にて行うのが好ましい。
任意の温度下において実施できるが、はんだの除去、及
びはんだが付着しているソケットや基板の洗浄効果を向
上させる目的で、３０〜８５℃に加温して行うことが好
ましい。ＩＣソケット内のコンタクト部のはんだ及びは
んだ酸化物等の除去に際しては、その除去性及び洗浄効
率の観点から、４０〜８０℃にて行うのが好ましい。
【００２５】本発明のはんだ除去液の適用方法は任意だ
が、例えば除去液に直接ＩＣソケット又はこのＩＣソケ
ットを有する基板を浸漬させる方法、つまり洗浄槽に除
去液を満たし、はんだで汚染されたソケットや基板を浸
漬させるディップ洗浄方式等が挙げられる。またはんだ
除去の際には、ディップ洗浄槽を震蕩させたり、槽内の
洗浄液を強制循環させることにより洗浄効果を高めるこ
とが出来る。更に、洗浄の際に１０〜１０００ｋＨｚ程
度の超音波をソケット等に照射を併用すると、コンタク
ト部からのはんだ及びはんだ酸化物等の除去が促進され
るので、より好ましい。
が、例えば除去液に直接ＩＣソケット又はこのＩＣソケ
ットを有する基板を浸漬させる方法、つまり洗浄槽に除
去液を満たし、はんだで汚染されたソケットや基板を浸
漬させるディップ洗浄方式等が挙げられる。またはんだ
除去の際には、ディップ洗浄槽を震蕩させたり、槽内の
洗浄液を強制循環させることにより洗浄効果を高めるこ
とが出来る。更に、洗浄の際に１０〜１０００ｋＨｚ程
度の超音波をソケット等に照射を併用すると、コンタク
ト部からのはんだ及びはんだ酸化物等の除去が促進され
るので、より好ましい。
【００２６】
【実施例】次に実施例を用いて本発明の具体的態様を説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。 ＜実施例１〜５＞はんだ除去性の評価には、ＩＣソケッ
トより分離したコンタクトピンを用いて各々ディップ洗
浄による評価を実施した。多価カルボン酸としてはシュ
ウ酸を用い、濃度調整したはんだ除去液１００ｍｌを所
定の温度に調整後、コンタクトピンを浸漬してはんだ除
去を行った。
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。 ＜実施例１〜５＞はんだ除去性の評価には、ＩＣソケッ
トより分離したコンタクトピンを用いて各々ディップ洗
浄による評価を実施した。多価カルボン酸としてはシュ
ウ酸を用い、濃度調整したはんだ除去液１００ｍｌを所
定の温度に調整後、コンタクトピンを浸漬してはんだ除
去を行った。
【００２７】この除去の際、超音波を使用しない場合に
は、系内をマグネチックスターラーにて攪拌を行った。
また、超音波を照射する際には、この攪拌は行わず、上
記洗浄液を入れたビーカーを超音波洗浄機（KAIJO DENK
I社製 SONO CLEANER 50a）の洗浄槽に入れて洗浄を行
った。所定時間洗浄後、コンタクトピンを純水にてリン
ス洗浄を行い、エアーブローにて乾燥させた。洗浄実施
前後のコンタクトピンに付着したはんだ及びはんだ酸化
物等の付着面積量をレーザー顕微鏡（KEYENCE社製 VK-
8500）にて目視観察を行った。
は、系内をマグネチックスターラーにて攪拌を行った。
また、超音波を照射する際には、この攪拌は行わず、上
記洗浄液を入れたビーカーを超音波洗浄機（KAIJO DENK
I社製 SONO CLEANER 50a）の洗浄槽に入れて洗浄を行
った。所定時間洗浄後、コンタクトピンを純水にてリン
ス洗浄を行い、エアーブローにて乾燥させた。洗浄実施
前後のコンタクトピンに付着したはんだ及びはんだ酸化
物等の付着面積量をレーザー顕微鏡（KEYENCE社製 VK-
8500）にて目視観察を行った。
【００２８】はんだ除去前の付着量に比して、除去後の
付着量が１０％未満のものを◎、１０〜５０％のものを
○、５０超〜９０％のものを△、付着残量が９０％超の
ものを×とした。結果を表１に示す。 ＜実施例６〜１１＞洗浄液のｐＨを４Ｎ水酸化カリウム
溶液及び２９％アンモニア水にて調整した以外は実施例
１〜５と同様にして、はんだ除去性の評価を実施した。
結果を表１に示す。 ＜比較例１〜６＞シュウ酸の代わりに、比較例１〜３で
は塩酸を、また比較例４〜６では硝酸を用いた以外は実
施例１〜５と同様にして、はんだ除去性の評価を実施し
た。結果を表１に示す。
付着量が１０％未満のものを◎、１０〜５０％のものを
○、５０超〜９０％のものを△、付着残量が９０％超の
ものを×とした。結果を表１に示す。 ＜実施例６〜１１＞洗浄液のｐＨを４Ｎ水酸化カリウム
溶液及び２９％アンモニア水にて調整した以外は実施例
１〜５と同様にして、はんだ除去性の評価を実施した。
結果を表１に示す。 ＜比較例１〜６＞シュウ酸の代わりに、比較例１〜３で
は塩酸を、また比較例４〜６では硝酸を用いた以外は実
施例１〜５と同様にして、はんだ除去性の評価を実施し
た。結果を表１に示す。
【００２９】＜実施例１２〜１４＞実施例１２では界面
活性剤（オキシエチレン縮合物のアルキルエーテル）
を、実施例１３では酸化剤として過酸化水素水を、また
実施例１４では還元剤としてチオウレアをそれぞれ添加
した以外は実施例１〜５と同様にして、はんだ除去性の
評価を実施した。結果を表２に示す。 ＜比較例７，８＞シュウ酸に代えて、比較例７では水酸
化ナトリウムを、また比較例８ではＴＭＡＨ（テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド）を用いた以外は
実施例１〜５と同様にして、はんだ除去性の評価を実施
した。結果を表１に示す。
活性剤（オキシエチレン縮合物のアルキルエーテル）
を、実施例１３では酸化剤として過酸化水素水を、また
実施例１４では還元剤としてチオウレアをそれぞれ添加
した以外は実施例１〜５と同様にして、はんだ除去性の
評価を実施した。結果を表２に示す。 ＜比較例７，８＞シュウ酸に代えて、比較例７では水酸
化ナトリウムを、また比較例８ではＴＭＡＨ（テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド）を用いた以外は
実施例１〜５と同様にして、はんだ除去性の評価を実施
した。結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】以上の結果から明らかなように、本発明の
はんだ除去液を用いた際には、従来からの強酸性溶液を
用いた洗浄や、物理的なブラッシング、また電解質を用
いた電気分解法等による除去方法に比べて、ｐＨとして
よりマイルドな中性に近い洗浄液にて、プリント基板及
び基板上の電子部材への悪影響をもたらすこともなく、
より簡便な浸漬によるディップ洗浄により、ＩＣソケッ
トのコンタクト部の清浄化が達成出来る。加えて洗浄中
に超音波等の付与により、更なる高清浄化も可能であ
る。
はんだ除去液を用いた際には、従来からの強酸性溶液を
用いた洗浄や、物理的なブラッシング、また電解質を用
いた電気分解法等による除去方法に比べて、ｐＨとして
よりマイルドな中性に近い洗浄液にて、プリント基板及
び基板上の電子部材への悪影響をもたらすこともなく、
より簡便な浸漬によるディップ洗浄により、ＩＣソケッ
トのコンタクト部の清浄化が達成出来る。加えて洗浄中
に超音波等の付与により、更なる高清浄化も可能であ
る。
【００３３】
【発明の効果】本発明のはんだ除去液によれば、半導体
ＬＳＩやＩＣなどの半導体素子の動作確認の際に用いら
れるＩＣソケット、及びこのＩＣソケットを有する基板
において、これらＩＣソケット及び基板、また基板上の
電子部材等を腐食することなく、ソケット内のコンタク
ト部に付着・堆積したはんだやはんだの成分である錫・
鉛及びそれらの酸化物等を洗浄により簡便に除去出来
る。これにより、ＩＣソケットとＩＣ間の良好な導電状
態を維持することにより、ＩＣの最終検査に於ける評価
試験の信頼性を向上させ、ＩＣソケットの延命化による
コストの低減が可能となる。
ＬＳＩやＩＣなどの半導体素子の動作確認の際に用いら
れるＩＣソケット、及びこのＩＣソケットを有する基板
において、これらＩＣソケット及び基板、また基板上の
電子部材等を腐食することなく、ソケット内のコンタク
ト部に付着・堆積したはんだやはんだの成分である錫・
鉛及びそれらの酸化物等を洗浄により簡便に除去出来
る。これにより、ＩＣソケットとＩＣ間の良好な導電状
態を維持することにより、ＩＣの最終検査に於ける評価
試験の信頼性を向上させ、ＩＣソケットの延命化による
コストの低減が可能となる。
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０１Ｒ 31/26 Ｇ０１Ｒ 31/26 Ｚ
(72)発明者 斉藤 範之
北九州市八幡西区黒崎城石１番１号 三菱
化学株式会社内
Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AG01 AG12 AH00
2G011 AC13 AC14 AF02
3B201 AA46 BB94 BB96
4H003 DA15 DB01 EA21 EA23 EB07
Claims (11)
- 【請求項１】 多価カルボン酸又はその塩を含有するこ
とを特徴とするはんだ除去液。 - 【請求項２】 多価カルボン酸又はその塩が二価のカル
ボン酸又はその塩であることを特徴とする請求項１に記
載のはんだ除去液。 - 【請求項３】 更に下記一般式（Ｉ）又は（II）で表さ
れる化合物を含有することを特徴とする請求項１または
２に記載のはんだ除去液。 【化１】Ｒ1 +ＯＨ- （Ｉ） (Ｒ2)4Ｎ+ＯＨ- （II） （但し、Ｒ1はアルカリ金属を示し、Ｒ2は水素原子又は
水酸基、アルコキシ基、ハロゲンにて置換されていても
よい炭素数１〜３のアルキル基のいずれかを示し、Ｒ2
は全て同一でも異なっていてもよい。） - 【請求項４】 二価のカルボン酸又はその塩を結ぶ炭素
鎖長及び／又は窒素鎖長が２以下であることを特徴とす
る請求項１乃至３のいずれかに記載のはんだ除去液。 - 【請求項５】 二価のカルボン酸又はその塩がシュウ酸
又はその塩であることを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれかに記載のはんだ除去液。 - 【請求項６】 ｐＨが０．７〜１０であることを特徴と
する請求項１乃至５のいずれかに記載のはんだ除去液。 - 【請求項７】 多価カルボン酸又はその塩の含有量が
０．０１〜３５重量％であることを特徴とする請求項１
乃至６のいずれかに記載のはんだ除去液。 - 【請求項８】 更に界面活性剤を含有することを特徴と
する、請求項１乃至７のいずれかに記載のはんだ除去
液。 - 【請求項９】 半導体素子端子メッキ用はんだ除去液で
あることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載
のはんだ除去液。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれかに記載のは
んだ除去液を４０〜８０℃の温度にて用いることを特徴
とするはんだ除去方法。 - 【請求項１１】 半導体素子端子メッキ用はんだ除去方
法であることを特徴とする請求項１０に記載のはんだ除
去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002131340A JP2003320451A (ja) | 2002-05-07 | 2002-05-07 | はんだ除去液およびはんだ除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002131340A JP2003320451A (ja) | 2002-05-07 | 2002-05-07 | はんだ除去液およびはんだ除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003320451A true JP2003320451A (ja) | 2003-11-11 |
Family
ID=29544015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002131340A Pending JP2003320451A (ja) | 2002-05-07 | 2002-05-07 | はんだ除去液およびはんだ除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003320451A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110044838A (ko) * | 2008-08-27 | 2011-05-02 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스 제거 시스템 |
-
2002
- 2002-05-07 JP JP2002131340A patent/JP2003320451A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110044838A (ko) * | 2008-08-27 | 2011-05-02 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스 제거 시스템 |
| KR101579767B1 (ko) | 2008-08-27 | 2015-12-23 | 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스 제거 시스템 |
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