KR102635269B1 - 전자재료용의 세정제 조성물, 세정제 원액, 및 전자재료의 세정방법 - Google Patents

전자재료용의 세정제 조성물, 세정제 원액, 및 전자재료의 세정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 전자재료용의 세정제 조성물은, 물과 공비성을 나타내는 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)을 포함하는 세정제 조성물로서, 상기 ３급 아민(Ａ)의 비점이, １ 기압 하에서 １３０~２５０℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하이다. 상기 세정제 조성물은, 매우 소량(저농도) 사용하더라도, 전자재료에 부착하는 파티클을 제거하는 것이 가능하고, 게다가 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정이 없더라도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 전자재료용의 세정제 조성물, 그 원액 및 전자재료의 세정공정을 포함하는 세정방법을 제공하는 것이 가능하다.

Description

전자재료용의 세정제 조성물, 세정제 원액, 및 전자재료의 세정방법
본 발명은 전자재료용의 세정제 조성물, 세정제 원액, 및 전자재료의 세정방법에 관한 것이다.
최근, 전자 업계에서는, 정보화, 에너지 절약화, 저탄소화 사회로의 변천에 동반하여, 전자부품의 소형화, 고성능화가 급속히 진전되고 있다. 그리고, 그 배경에는, 연마, 평탄화의 기술이 크게 관여하고 있다.
예를 들면, 반도체 관련 분야에서는, ＣＭＯＳ나 ＴＴＬ등의 디지털 ＩＣ 제조시의 리소그라피 공정에 있어서, 미세한 회로 패턴을 정확하고 고효율로 전사할 목적으로, 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 산화규소(ＳｉＯ２), 질화규소(Ｓｉ３Ｎ４), 인화규산유리(ＰＳＧ)등의 절연박막의 연마, 평탄화가 행해지고 있다. 또한, 하드디스크(Hard disk Drive, ＨＤＤ)등의 자기디스크를 취급하는 분야에서는, 디스크 표면과 자기헤드의 간격을 나노 차수로 억제하여, 기록밀도와 신뢰성을 양립시키기 위해, 디스크 표면의 연마, 평탄화가 행해지고 있다. 더욱이, 반도체조명(ＬＥＤ)등의 광디바이스나, 대 전력용 다이오드, 트랜지스터 등의 파워 디바이스를 취급하는 분야에서는 연마 공정에 의해, 사파이어(Ａｌ２Ｏ３), 탄화규소(ＳｉＣ), 질화갈륨(ＧａＮ)등의 기판 표면의 요철, 변질, 오염개소를 제거하여, 제품의 성능이나 수율을 향상시키고 있다.
상기 연마 방법으로는, 실리카(ＳｉＯ２), 알루미나(Ａｌ２Ｏ３) 또는 세리아(ＣｅＯ２)등의 미립자를 수(水)계 용매 등에 분산시킨 연마제(슬러리)를 사용한 화학기계 연마(Chemical Mechanical Polishing, ＣＭＰ) 및 다이아몬드 등의 경질입자를 박어넣은, 브러시, 패드, 휠 등에 의해 기계적으로 연마하는 방법 등이 있다.
그러나, 어느 방법에 있어서도, 연마 후의 전자재료에는 대량의 연마입자나 연마 부스러기 등(이하, 파티클이라고 기재한다)이 부착하여, 성능이나 수율의 저하를 초래하였다. 따라서, 이것들을 제거하는 세정공정이 필요불가결하고, 파티클을 기능적이고도 효율적으로 제거하는 세정제 조성물의 개발이 급선무가 되고 있다. 이와 같은 세정제 조성물로서, 예를 들면, 하기의 세정제 조성물이 개시되어 있다.
특허문헌１에 기재된 세정제 조성물은, 플루오린계 음이온성 계면활성제와 제４급 암모늄 수산화물을 함유하고 있고, 임의 성분으로서 알칸올아민을 포함한다.이 문헌에 의하면, 이 세정제 조성물은 반도체 웨이퍼 표면의 파티클의 제거에 적절하다는 것이 나타나 있다. 그러나, 이 세정제 조성물에는 비휘발성의 계면활성제 등이 포함되어 있고, 세정공정 후, 이들을 씻어내기 위한 세탁 공정이 필수로 고려되고 있다.
특허문헌２에 기재된 세정제 조성물은, 알킬아민류, 방향족 디아민류, 요소류, 티오우레아류, 아조화합물, 함질소복소환(含窒素複素環)화합물 및 특정의 아미노산류를 함유하고 있다. 이 문헌에 의하면, 이 세정제 조성물은 구리 배선이 실시된 반도체 표면의 산화동 및 파티클의 제거에 적절한 것이 개시되어 있다. 그러나, 이 세정제 조성물에는 비화발성의 산(예를 들면, 글리신)등이 포함되어 있고, 세정공정 후, 이들을 씻어내기 위한 세탁 공정이 필수인 것으로 고려되고 있다.
특허문헌３에 기재된 세정제 조성물은, 글리신, 아크릴산계 중합체, 특정의 비이온성 화합물 및 물을 포함한다. 이 문헌에 의하면, 이 세정제 조성물은 화학기계연마(ＣＭＰ) 용의 슬러리에서 비롯되는 파티클의 제거에 적절하다고 하는 것이 개시되어 있다. 그러나, 이 세정제 조성물에는 비휘발성의 산(예를 들면, 글리신)이나 중합체 등이 함유되어 있고, 세정공정 후, 이들을 씻어내기 위한 세탁 공정이 필수인 것으로 고려되고 있다.
[선행기술문헌]
(특허문헌１) 특허 제３６２４８０９호 공보
(특허문헌２) 특허 제４８２１０８２호 공보
(특허문헌３) 특개 ２００８-１４７４４９호 공보
본 발명은, 매우 소량(저농도)의 사용으로도, 세정 대상물에 부착하는 파티클을 제거하는 것이 가능하고, 게다가 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정이 없더라도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 전자재료용의 세정제 조성물, 그 원액, 및 전자재료의 세정방법을 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 물과 공비성(共沸性)을 나타내는 ３급 아민(Ａ)및 물(Ｂ)을 특정 비율로 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다. 즉, 본 발명은 하기의 항 1 내지 9이다.
항1, 물과 공비성을 나타내는 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)을 포함한 세정제 조성물로서, 상기 ３급 아민(Ａ)의 비점이, １ 기압 하에서 １３０~２５０℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비(共沸) 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하인 것을 특징으로 하는 전자재료용의 세정제 조성물.
항２. 더욱이, 물과 공비성을 나타내는 일반식 (１)：Ｒ１-Ｏ-[ＣＨ２-ＣＨ(Ｘ)-Ｏ]ｎ-Ｈ (식 (１)중, Ｒ１은 탄소수 １~４의 알킬기를 나타내고, ｎ은 １~３을 나타내고, Ｘ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 글리콜계 용제(Ｃ)를 포함하고, 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 비점이, １ 기압 하에서 １２０~２７５℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(Ｃ)와 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율(％)이, 글리콜계 용제(Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율 이하인 것을 특징으로 하는 전항１에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.
항３. 상기 ３급 아민(Ａ)이, 일반식 (２)：(Ｒ２)Ｒ３Ｎ-ＣＨ２-ＣＨ(Ｙ)-ＯＨ (식 (２)중, Ｒ２ 및 Ｒ３은 각각 동일 또는 다른 탄소수 １~３의 알킬기를 나타내고, Ｙ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 모노아민(Ａ１), 및 일반식 (３)：(Ｒ４)Ｒ５Ｎ-Ｃ２Ｈ４-Ｚ-Ｃ２Ｈ４-ＮＲ６(Ｒ７)(식 (３)중, Ｒ４, Ｒ５, Ｒ６ 및 Ｒ７은 각각 동일 또는 다른 탄소수 １~３의 알킬기를 나타내고, Ｚ는 -ＣＨ２-, -(ＣＨ２)２-, -Ｏ-, -ＮＨ-, 또는 -Ｎ(ＣＨ３)- 을 나타낸다)으로 나타내지는 폴리아민(Ａ２)의 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전항１ 또는 전항２에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.
항４. 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 상기 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(Ａ／(Ａ＋Ｂ))이, １／１０００００ 이상인 전항 １ 내지 ３ 중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.
항５. 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)과 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 합계 중의 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 합계의 중량 비율((Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ))이, １／１０００００ 이상인 전항２ 내지 ４ 중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물.
항６. 전항１ 내지 ５ 중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물을 조제하기 위한 상기 ３급 아민(Ａ) 및 상기 물(Ｂ)을 포함한 세정제 원액.
항７. 전항１ 내지 ５중 어느 하나에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물을 이용한 전자재료의 세정공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
항８. 세탁 공정을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는, 전항７에 기재된 전자재료의 세정방법.
항９. 전자재료의 파티클의 제거공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전항７ 또는 전항８의 전자재료의 세정방법.
본 발명에 의하면, 매우 소량(저농도)의 사용으로도, 전자재료에 부착하는 파티클을 제거하는 것이 가능하고, 게다가 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정이 없더라도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 전자재료용의 세정제 조성물, 그 원액 및 전자재료의 세정방법을 제공하는 것이 가능하다.
본 발명의 세정제 조성물은, 물과 공비성을 나타내는 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)을 포함하고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하이기 때문에, 예를 들면, ５０℃ ~１５０℃ 정도 조건 하에서, 수분 내지 수십분의 단시간에서의 건조시에서도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 작용효과를 나타내기 때문에, 안전성이나 생산성에서 우수하다.
또한, 본 발명의 세정제 조성물은 더욱이, 물과 공비성을 나타내는 일반식 (１)：Ｒ１-Ｏ-[ＣＨ２-ＣＨ(Ｘ)-Ｏ]ｎ-Ｈ(식 (１)중, Ｒ１은 탄소수 １~４의 알킬기를 나타내고, ｎ은 １~３을 나타내고, Ｘ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 글리콜계 용제(Ｃ)를 포함하는 경우, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(Ｃ)와 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율(％)이, 글리콜계 용제(Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율 이하이기 때문에, 예를 들면, ５０℃ ~１５０℃ 정도 조건 하에서, 수분 내지 수십분의 단시간에서의 건조시에도, 세정제의 찌꺼기가 남지 않는 작용효과를 타나내기 때문에, 안전성이나 생산성에서 우수하다.
도 1은 세정제 조성물의 파티클 제거방법을 타나내는 일 예에 의한 설명도이다.
본 발명의 세정제 조성물은, 물과 공비성을 나타내는 ３급 아민(Ａ)(이하, (Ａ)성분이라 함) 및 물(Ｂ)(이하, (Ｂ)성분이라 함)을 포함하고, ３급 아민의 비점이 １ 기압 하(평상시 압력하에서, 표준 대기압 하)에서 １３０~２５０℃ 이고, 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하(３급 아민의 배합 비율이 물과의 공비 혼합물의 조성비 이하)이다. 제３급 아민(Ａ)의 비점이 １ 기압 하에서 １３０℃ 미만이면, 상기 세정제 조성물의 원액에 인화의 위험성이 발생하고, 수송, 보관 등의 취급이 곤란하게 된다. 한편, 제３급 아민(Ａ)의 비점이 １ 기압 하에서 ２５０℃ 를 초과하면, 물과의 공비 혼합물을 형성하기 어렵고, 건조성이 악화된다. 따라서, 인화성 및 건조성의 점에서 바람직하게는, １４０~２４０℃ 정도, 보다 바람직하게는, １５０~２３０℃ 정도이다.
본 발명의 세정제 조성물은, 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ)및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하이다. 상기 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물은, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물(정비점(定沸點) 혼합물)을 형성하는 조성물을 의미한다. 상기 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물을 형성할 때의, 공비 혼합물 중의 (Ａ)의 중량 비율은, 예를 들면, 혼합 용액을 다단으로 증류함으로써 얻어진 비점 １００℃ 이하의 유분(留分)을, 가스착색법에 의해 분석하여, 절대검량곡선법에 따라 정량함으로써 구해진다.
상기 (Ａ)성분으로는, 물과 공비성을 나타내고, １ 기압 하에서 비점이 １３０~２５０℃ 정도의 ３급 아민이면, 각종 공지의 것을 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적으로는, 파티클의 제거력과 건조성의 점으로부터, 하기의 일반식 (２)으로 나타내지는 모노아민(Ａ１)(이하, (Ａ１)성분이라 함), 및 하기 일반식 (３)으로 나타내지는 폴리아민(Ａ２)(이하, (Ａ２)성분이라 함)이 특히 바람직하다. (Ａ)성분은, (Ａ１) 성분 또는 (Ａ２)성분 중의 어느 하나의 성분이라도 좋고, 양 쪽의 성분을 포함해도 좋다.
일반식 (２)：(Ｒ２)Ｒ３Ｎ-ＣＨ２-ＣＨ(Ｙ)-ＯＨ
(식 (２)중, Ｒ２ 및 Ｒ３은 각각 동일 또는 다른 탄소수 １~３의 알킬기를 나타내고, Ｙ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)
일반식 (３)：(Ｒ４)Ｒ５Ｎ―Ｃ２Ｈ４―Ｚ―Ｃ２Ｈ４―ＮＲ６(Ｒ７)
(식 (３)중, Ｒ４, Ｒ５, Ｒ６, 및 Ｒ７은 각각 동일 또는 다른 탄소수 １~３의 알킬기를 나타내고, Ｚ는 -ＣＨ２-, -(ＣＨ２)２-, -Ｏ-, -ＮＨ-, 또는 -Ｎ(ＣＨ３)- 을 나타낸다)
상기 일반식 (２)중, Ｒ２ 및 Ｒ３의 알킬기는, 탄소수 ２~３이 바람직하고, ２이 더욱 바람직하다. 또한, Ｙ는 수소가 바람직하다.
상기 일반식 (３)중, Ｒ４, Ｒ５, Ｒ６, 및 Ｒ７의 알킬기는, 탄소수 １~２가 바람직하고, １이 더욱 바람직하다. 또한, Ｚ는, -ＣＨ２-, -(ＣＨ２)２-, 또는 -Ｏ-가 바람직하고, -ＣＨ２- 또는 -(ＣＨ２)２- 가 더욱 바람직하다.
상기 (Ａ１) 성분으로는, 예를 들면, ２-(디메틸아미노)에탄올, ２-(디에틸아미노)에탄올, ２-(디이소프로필아미노)에탄올, ２-(디-ｎ-프로필아미노)에탄올, １-디메틸아미노-２-프로판올, １-디에틸아미노-２-프로판올, １-디이소프로필아미노-２-프로판올 및 １-디-ｎ-프로필아미노-２-프로판올 등을 예로 들수 있다. 이것들은 １종을 단독으로 또는 ２종 이상을 조합시켜서 이용하는 것이 가능하다. 이것들 중에서도 특히, 파티클의 제거력의 점 및 인화의 위험성이 낮은 점으로부터, ２-(디에틸아미노)에탄올, ２-(디이소프로필아미노)에탄올 및 １-디에틸아미노-２-프로판올으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 １종이 바람직하다.
상기 (Ａ２)성분으로는, 예를 들면, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라메틸펜타메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라에틸펜타메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라이소프로필펜타메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라-ｎ-프로필펜타메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라메틸헥사메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라에틸헥사메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라이소프로필헥사메틸렌디아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라-ｎ-프로필헥사메틸렌디아민, 비스(２-디메틸아미노에틸)에테르, 비스(２-디에틸아미노에틸)에테르, 비스(２-디이소프로필아미노에틸)에테르, 비스(２-디-ｎ-프로필아미노에틸)에테르, １,１,７,７-테트라메틸디에틸렌트리아민, １,１,７,７-테트라에틸디에틸렌트리아민, １,１,７,７-테트라이소프로필디에틸렌트리아민, １,１,７,７-테트라-ｎ-프로필디에틸렌트리아민, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'',Ｎ''-펜타메틸디에틸렌트리아민, ４-메틸-１,１,７,７-테트라에틸디에틸렌트리아민, ４-메틸-１,１,７,７-테트라이소프로필디에틸렌트리아민 및 ４-메틸-１,１,７,７-테트라-ｎ-프로필디에틸렌트리아민 등을 예로 들수 있다. 이것들은 １종을 단독으로 또는 ２종 이상을 조합시켜서 이용하는 것이 가능하다. 이것들 중에서도 특히, 파티클의 제거력의 점 및 인화의 위험성이 낮은 점으로부터, Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-테트라메틸헥사메틸렌디아민, 비스(２-디메틸아미노에틸)에테르 및 Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'',Ｎ''-펜타메틸디에틸렌트리아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 １종이 바람직하다.
상기 (Ｂ)성분으로는, 초순수, 순수, 정제수, 증류수, 이온 교환수 및 수도물 등을 예로 들수 있다.
본 발명의 세정제 조성물은, 상기 (Ａ)성분과 (Ｂ)성분의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(Ａ／(Ａ＋Ｂ))이, １／１０００００ 이상인 것이, 파티클의 제거성의 점에서 바람직하다. 보다 바람직하게는, １／８００００ 이상이고, 더욱 바람직하게는, １／２００００ 이상이고, 더욱 바람직하게는, １／５０００ 이상이다.
본 발명의 세정제 조성물은, 파티클 제거성의 점에서, 물과 공비성을 나타내는 일반식 (１)：Ｒ１-Ｏ-[ＣＨ２-ＣＨ(Ｘ)-Ｏ]ｎ-Ｈ (식 (１)중, Ｒ１은 탄소수 １~４의 알킬기를 나타내고, ｎ은 １~３을 나타내고, Ｘ는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)로 나타내지는 글리콜계 용제(Ｃ)(이하, (Ｃ)성분이라 함)을 포함하고, 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 비점이, １ 기압 하에서 １２０~２７５℃ 이고, 상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(Ｃ)와 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율(％)이, 글리콜계 용제(Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율 이하 포함하는 것이 바람직하다.
상기의 글리콜계 용제(Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물은, (Ｃ) 및 (Ｂ)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물(정비점 혼합물)을 형성하는 조성물을 의미한다. 상기 글리콜계 용제 (Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 혼합물이 공비 혼합물을 형성할 때의 공비 혼합물 중의 (Ｃ)의 중량 비율은, 예를 들면, 혼합 용액을 다단으로 증류함으로써 얻어진 비점 １００℃ 이하의 유분을, 가스착색법에 의해 분석하여, 절대검량곡선법에 따라 정량함으로써 구해진다.
상기 일반식 (１)중, Ｒ１의 알킬기는, 탄소수 １~３이 바람직하고, １~２가 더욱 바람직하다. 또한, Ｘ는 메틸기가 바람직하다. 또한, ｎ은, ２~３이 바람직하고, ３이 더욱 바람직하다.
상기 (Ｃ)성분으로는, 예를 들면, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노이소부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노이소프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노이소부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노이소프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노이소부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-ｎ-프로필에테르, 트리프로필렌글리콜 모노이소프로필에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노이소부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-ｓｅｃ-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노-ｔｅｒｔ-부틸에테르 등을 예로 들수 있다. 이것들은 １종을 단독으로 또는 ２종 이상을 조합시켜도 좋다. 이것들 중에서도 특히, 파티클의 제거력의 점 및 인화의 위험성이 낮은 점으로부터, 디에틸렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 １종이 바람직하다.
또한, (Ｃ)성분은, 건조성이 양호한 점 및 세정제 원액의 인화를 억제할 수 있는 점에서 그 １ 기압 하의 비점이 １２０~２７５℃ 정도, 바람직하게는 １３０~２６０℃ 정도, 더욱 바람직하게는 １４０~２５０℃ 정도이다.
또한, (Ｃ)성분을 가하는 경우, 본 발명의 세정제 조성물은, 상기 (Ａ)성분과 (Ｂ)성분과 (Ｃ)성분의 합계 중의 (Ａ)성분과 (Ｃ)성분의 중량 비율((Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ))이, １／１０００００ 이상인 것이, 파티클의 제거성의 점에서 바람직하다. 보다 바람직하게는, １／８００００ 이상이고, 더욱 바람직하게는, １／２００００ 이상이고, 더욱 바람직하게는, １／５０００ 이상이다.
본 발명의 세정제 조성물 중의 (Ａ)성분 및 (Ｂ)성분의 합계 비율, 또는, (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 합계 비율은, ８０중량％ 이상이 바람직하고, ９０중량％ 이상이 보다 바람직하고, ９５중량％ 이상이 더욱 바람직하고, ９８중량％ 이상이 더욱 바람직하고, １００중량％이 보다 더욱 바람직하다.
본 발명의 세정제 조성물은, (Ａ)성분 및 (Ｂ)성분, 필요에 따라서 (Ｃ)성분을 각종 공지의 수단으로 혼합함으로써 조제한다.
본 발명의 세정제 조성물은, 전자재료의 세정제로 이용된다. 전자재료로는, 예를 들면, 포토마스크, 광학렌즈, 진공방전관, 터치패널, 표시 디바이스용 유리 등의 유리가공품, 금속마스크, 팔레트, 리드프레임, 자기디스크, 히트싱크 등의 금속가공품, 유리에폭기판, 폴리이미드기판, 종이패놀기판, 플라스틱 몰드 부품 등의 수지가공품, 실리콘(Ｓｉ), 사파이어(Ａｌ２Ｏ３), 탄화규소(ＳｉＣ), 다이아몬드 (Ｃ), 질화갈륨(ＧａＮ), 인화갈륨(ＧａＰ), 비화갈륨(ＧａＡｓ), 인화인듐(ＩｎＰ)등의 웨이퍼 및 이들의 절단(슬라이싱, 다이싱 등), 연삭(백그라인드, 블라스트 등), 모깍기 (베벨링, 배럴 등), 연마(래핑, 폴리싱, 버프 등) 가공품, 더욱이, 이들 물품을 가공, 실장, 용접, 세정, 반발송 할 때 사용하는 기구, 캐리어, 매거진 등이 포함된다.
또한, 전자재료로는, 인쇄회로기판, 플렉시블 회로기판, 세라믹 배선기판, 반도체소자, 반도체 패키징, 자기 매체, 파워 모듈 및 카메라 모듈 등의 전자부품, 더욱이, 이들의 부품을 가공, 실장, 용접, 세정, 반송할 때 사용하는 기구, 캐리어, 매거진 등을 예로 들수 있다.
본 발명의 세정제 조성물은, 건조성에 영향이 없는 범위에서, 각종 공지의 첨가제를 배합하여도 좋다.첨가제로서, 구체적으로는, 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 양성 계면활성제, 고분자형 계면활성제, 킬레이트제, 산화방지제, 방청제, 봉공(封孔)처리제, ｐＨ조정제 및 소포제 등을 예로 들수 있다.
물로 희석함으로써, 상기 전자재료용의 세정제 조성물을 조제하는 것이 가능한 세정제 원액도 본 발명의 하나이다. 본 발명의 세정제 원액에는, 파티클의 세정에 유효한 성분이 농축되어 있고, 효율이 양호한 수송, 보관이 가능하게 된다. 또한, 이 세정제 원액은 소량으로도 우수한 세정성을 발현하기 때문에, 사용시에 물에 희석할 때, 물의 중량 비율을 높일 수 있고, 비용, 환경부담이 저감되는 점에서도 우수하다.
본 발명의 세정제 조성물을 이용한 전자재료의 세정공정을 포함하는 세정방법도 본 발명의 하나이다. 세정공정은, 본 발명에 관한 세정제 조성물을 파티클이 부착된 전자재료에 접촉시켜서, 파티클을 씻어내는 공정이다. 상기 세정방법은, 각종 공지의 린즈제에 의해 전자재료로부터 세정제 성분을 씻어내기 위한 세탁 공정을 포함하지 않아도 좋다. 이것에 의해, 세탁 공정에 드는 비용 및 시간의 삭감이 가능하게 된다. 세정 대상이 되는 파티클은 특히 한정되지는 않지만, 대표적인 것으로서 예를 들면, 기계연마 연마(ＣＭＰ) 및 기계적 연마에 사용되는 실리카(ＳｉＯ２), 알루미나(Ａｌ２Ｏ３), 세리아(ＣｅＯ２) 등의 미립자, 다이아몬드, 석류석, 스텐레스, 강, 철, 동, 아연, 알루미늄, 세라믹, 유리, 규사, 플라스틱 등의 경질입자 및 상기 전자재료를, 절단(슬라이싱, 다이싱 등), 연삭(백그라인드, 블라스트 등), 면깍기 (베벨링, 배럴 등), 연마(래핑, 폴리싱, 버프 등) 가공할 때에 발생하는, 부스러기, 파편, 연마 가루, 더욱이, 상기 전자재료 및 전자부품을 가공, 실장, 용접, 세정, 반송할 때에 발생하는 유기물 찌꺼기, 무기물 찌꺼기 등을 예로 들수 있다.
그 다른 파티클로는, 예를 들면, 상기 전자재료 및 전자부품의 제조공정 전반에 있어서, 물품에 부착하는 먼지, 티글 등을 예로 들수 있다.
본 발명의 세정제 조성물을 파티클이 부착한 부품에 접촉시켜서, 물품을 세정하는 수단은 한정되지 않고, 세정수단으로는, 예를 들면, 침지 세정, 샤워 세정, 스프레이 세정, 초음파 세정, 액(液)중 분사 세정, 직동식 세정(다이렉트패스(ダイレクトパス)(등록상표))등을 예로 들수 있다. 또한, 공지의 세정 장치로서, 예를 들면, 특개 평７-３２８５６５호 공보, 특개 ２０００-１８９９１２호 공보, 특개 ２００１-９３２호 공보, 특개 ２００５-１４４４４１호 공보 등을 예로 들수 있다. 또한, 본 발명의 세정제 조성물 및 세정제 원액은, 비위험물이기 때문에, 연소되지 않는다. 그 때문에 방폭설비도 필요하지 않게 되고, 샤워 세정이나 스프레이 세정에도 적함한다.
본 발명의 세정제 조성물은, 건조공정에서 용이하게 발휘시키는 것이 가능하기 때문에, 세정 후의 물품에 찌꺼기가 잔존하지 않는다. 그 때문에, 물품의 세탁 공정을 생략할 수 있다. 다만, 필요에 따라서, 본 발명과 동일한 세정제 또는 각종 공지의 린스제로 행구는 것이 가능하다. 린스제로는, 순수 및 이온 교환수 등의 물, 메틸알코올, 에틸알코올 및 이소프로필알코올 등의 알코올 류를 예로 들수 있다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 들어서 본 발명 방법을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이것들에 한정되지 않는다. 또한, 실시예중, 부(部) 또는 ％는 중량 기준이다. 또한, 이하의 세정제 원액에 사용된 각종 ３급 아민(Ａ) 및 글리콜계 용제(Ｃ)에 대하여, 그 구조, １ 기압 하에서의 비점, 물과의 공비 혼합물의 조성비(중량 비율)에 대하여, 표 ２, 표 ３에 나타낸다.
[ 공비 혼합물의 조성비]
２００ｍｌ의 가지형상 플라스크에, (Ａ)성분 ２５ 중량부, 이온 교환수 １００ 중량부를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 혼합하고, (Ａ)성분을 포함하는 수용액을 조제하였다. 계속해서, 상기 가지형상 플라스크에 이론 단수 Ｎ＝１０에 상당하는 증류 칼럼, T자 형상 관, 온도계 및 리비히 냉각기를 접속하였다. 계속해서, １ 기압 하, 상기 가지형상 플라스크를 오일 욕조에서 가열하여, 혼합 용액을 비등시킴으로써, 비점 １００℃ 이하의 유분만을 채취하였다.
다음으로, 상기 유분에 있어서의 상기 (Ａ)성분을, 가스착색법 ６８５０　Network GC System(Agilent Technoloies 社製)에 있어서, 절대검량곡선법에 따라 정량하였다. 또한 (Ｃ)성분에 대해서도 (Ａ)성분과 바꾸어 마찬가지의 방법으로 정량하였다.
１.세정제 원액의 조제
조제예１
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ２-(디에틸아미노)에탄올(ＤＥＡＥ) ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(ＤＰＧＭＭＥ) ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
조제예２
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＤＥＡＥ ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르(ＴＰＧＭＭＥ) ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
조제예３
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ', -테트라메틸헥사메틸렌디아민(ＴＭＨＭＤＡ) ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 ＴＰＧＭＭＥ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
조제예４
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＴＭＨＭＤＡ ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 디에틸렌글리콜 모노-ｎ-부틸에테르(ＤＥＧＭＢＥ) ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
조제예５
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 비스(２-디메틸아미노에틸)에테르(ＢＤＭＡＥＥ) ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 ＤＥＧＭＢＥ ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
조제예６
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＤＥＡＥ １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
조제예７
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＴＭＨＭＤＡ １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
조제예８
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＢＤＭＡＥＥ １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
비교 조제예１
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 Ｎ-부틸디에탄올 아민 (ＢＤＥＡ) ２０ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 테트라에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(ＴＥＧＭＭＥ) ８０ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
비교 조제예２
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ＢＤＥＡ １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
비교 조제예３
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로서 ２-(２-아미노에틸아미노)에탄올(ＡＥＡＥ) １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
비교 조제예４
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ｃ)성분으로서 폴리옥시에틸렌알킬에테르(ＰＯＥＡＥ) １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
비교 조제예５
비커에 이온 교환수 １００ 중량부, 상기 (Ａ)성분으로 하여 디에틸아민(ＤＥＡ) １００ 중량부 및 교반기 피스를 넣고, 자석 교반기에 의해 충분히 교반하여, 세정제 원액을 조제하였다.
비교 조제예６
이온 교환수를 세정제 원액으로 사용하였다.
２.세정제 원액의 인화성
[인화성의 평가방법 ]
각각의 세정제 원액의 인화점을, 클리블랜드(Cleveland 개방법 ＪＩＳ　Ｋ２２６５-４)에 준거하여 측정하고, 인화성을 이하의 기준으로 평가하였다. 표 １에 결과를 보였다.
[인화성의 평가 기준]
○：인화점 없음, 또는 인화점이 １００℃ 이상
×：인화점이 １００℃ 미만
３.세정제 조성물의 파티클 제거성
[오염액의 조제]
스크루관(용량 ２０ｍＬ)(Ａ)에 아세톤(和光純工業(株)製, 순도 ９９.５％ 이상) ９.９ｇ과 결정성 실리카 필러(상품명「클리스트라이트(クリスタライト)　ＶＸ-Ｓ２」, (株)龍森製, 평균 입자직경 ５μｍ) ０.１ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 １％의 오염액(Ａ)을 １０ｇ 조제하였다. 이어서, 다른 스크루관(Ａ')에 오염액(Ａ) １ｇ과 아세톤 ９ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 ０.１％의 오염액(Ａ')을 １０ｇ 조제하였다.
마찬가지로, 스크루관(Ｂ)에 아세톤 ９.９ｇ과 구상 실리카(상품명「Ｓｃｉｑａｓ」, 堺化工業(株)製, 평균 입자직경 １μｍ) ０.１ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 １％의 오염액(Ｂ)을 １０ｇ 조제하였다. 이어서, 다른 스크루관(Ｂ')에 오염액(Ｂ) １ｇ과 아세톤 ９ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 ０.１％의 오염액(Ｂ')을 １０ｇ 조제하였다.
마찬가지로, 스크루관(Ｃ)에 아세톤 ９.９ｇ과 알루미나입자(상품명「정밀연마용α-알루미나」, 和光純工業(株)製, 평균 입자직경 ０.５μｍ) ０.１ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 １％의 오염액(Ｃ)을 １０ｇ 조제하였다. 이어서, 다른 스크루관(Ｃ')에 오염액(Ｃ) １ｇ과 아세톤 ９ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 농도 ０.１％의 오염액(Ｃ')을 １０ｇ 조제하였다.
[시험용 웨이퍼의 제작]
다음으로, 오염액(Ａ) ０.０２ｇ을 고순도 실리콘 웨이퍼(애즈원(アズワン)(株)製, 직경 φ ４인치)의 중심에 적하하여, 자연 건조시키고, 시험용 웨이퍼(Ａ)를 제작하였다. 또한, 오염액(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지로 고순도 실리콘 웨이퍼에 적하하여, 자연 건조시키고, 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')을 제작하였다.
[파티클 제거성의 평가방법]
실시예１
도 １에 나타나듯이, 비커(１)(용량 １０００ｍＬ, 직경 φ １１０ｍｍ, 높이 １５０ｍｍ)에 조제예１의 세정제 원액 ４０.０ｇ(２), 이온 교환수 ９６０.０ｇ(３) 및 교반기 피스(４)를 넣고, 자석 교반기 (５)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／５０로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 ８００ｒｐｍ으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(Ａ)(６)를 넣고, 스텐레스 클립(７) 및 스텐레스 봉(８)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 １０ 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(Ａ)를 꺼내서, 온도 ８０℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 １０ 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다.
다음으로, 광학현미경(１０００배율)을 사용하여, 세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼(Ａ)의 오염 개소를 무작위로 ５개소 관찰하여, 잔존하는 파티클의 총수을 구했다. 한편, 이것과 마찬가지의 방법에 의해, 상기 오염액(Ａ)에서 오염된 직후의 웨이퍼 표면에 부착하는 파티클의 총수도 구하고, 다음 식에 의해 파티클 제거율을 산출하였다. 이 평가를 실시예 하나당 5회 행하고, 파티클 제거율의 평균값을 구하여, 이하의 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다. 표 ４에 결과를 보인다(이하 동일).
파티클 제거율(％)＝(오염 직후의 파티클 총수 - 세정 후에 남아 있는 파티클 총수)／오염 직후의 파티클 총수 ×１００
[파티클 제거성의 평가 기준]
◎：파티클 제거율이 ９０％ 이상
○：파티클 제거율이 ７０％ 이상 ９０％ 미만
△：파티클 제거율이 ５０％ 이상 ７０％ 미만
×：파티클 제거율이 ５０％ 미만
또한, 세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 파티클 제거성을 평가하였다.
실시예２
도 １에 나타나듯이, 비커(１)(용량 １０００ｍＬ, 직경 φ １１０ｍｍ, 높이 １５０ｍｍ)에 조제예１의 세정제 원액 ２０.０ｇ(２), 이온 교환수 ９８０.０ｇ(３) 및 교반기 피스(４)를 넣고, 자석 교반기 (５)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／１００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 ８００ｒｐｍ으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(Ａ)(６)를 넣고, 스텐레스 클립(７) 및 스텐레스 봉(８)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 １０ 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(Ａ)을 꺼내서, 온도 ８０℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 １０ 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다.
세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (Ａ)~(Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대하여, 실시예１과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.
실시예３
도 １에 나타나듯이, 비커(１)(용량 １０００ｍＬ, 직경 φ １１０ｍｍ, 높이 １５０ｍｍ)에 조제예１의 세정제 원액 １.０ｇ(２), 이온 교환수 ９９９.０ｇ(３ 및 교반기 피스(４)를 넣고, 자석 교반기 (５)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／２０００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 ８００ｒｐｍ으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(Ａ)(６)를 넣고, 스텐레스 클립(７) 및 스텐레스 봉(８)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 １０ 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(Ａ)을 꺼내서, 온도 ８０℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 １０ 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다.
세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (Ａ)~(Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대하여, 실시예１과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.
실시예４
도 １에 나타나듯이, 비커(１)(용량 １０００ｍＬ, 직경 φ １１０ｍｍ, 높이 １５０ｍｍ)에 조제예１의 세정제 원액 ０.２ｇ(２), 이온 교환수 ９９９.８ｇ(３) 및 교반기 피스(４)를 넣고, 자석 교반기 (５)에 의해 충분히 교반하여, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／１００００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이어서, 자석 교반기의 회전 속도를 ８００ｒｐｍ으로 조절하여, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(Ａ)(６)를 넣고, 스텐레스 클립(７) 및 스텐레스 봉(８)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 １０ 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(Ａ)을 꺼내서, 온도 ８０℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 １０ 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(Ｂ), (Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다.
세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (Ａ)~(Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대하여, 실시예１과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.
실시예５~１８, 비교예１~８
실시예１과 마찬가지의 방법으로, 표 ４에 나타나듯이, 각각의 세정제 원액을 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이 １／２０００ 또는 １／１００００로 되도록 희석하여, 각각의 세정제 조성물의 파티클 제거성을 평가하였다.
비교예９
비교조제예５의 세정제 원액은, 인화점이 １００℃ 미만이기 때문에, 평가하지 않았다.
비교예１０
도 １에 나타나듯이, 비커(１)(용량 １０００ｍＬ, 직경 φ １１０ｍｍ, 높이 １５０ｍｍ)에 이온 교환수 １０００ｇ(３) 및 교반기 피스(４)를 넣고, 자석 교반기의 회전 속도를 ８００ｒｐｍ으로 조절하였다. 이어서, 용액 중에 상기 시험용 웨이퍼(Ａ)(６)를 넣고, 스텐레스 클립(７) 및 스텐레스 봉(８)에 의해 고정하면서, 실온 하에서 １０ 분간 세정을 행했다. 그 후, 용액으로부터 시험용 웨이퍼(Ａ)를 꺼내서, 온도 ８０℃ 로 설정한 순풍 건조기 속에서 １０ 분간 건조시켰다. 또한, 상기 시험용 웨이퍼(Ａ')~(Ｃ')에 대해서도 마찬가지의 순서로 세정과 건조를 행했다.
세정과 건조를 마친 시험용 웨이퍼 (Ａ)~(Ｃ) 및 (Ａ')~(Ｃ')에 대하여, 실시예１과 동등한 평가 기준에 기초하여 파티클 제거성을 평가하였다.
４.세정제 조성물의 건조성
[건조성의 평가방법 ]
실시예１
스크루관(용량 １００ｍＬ)에 조제예１의 세정제 원액 ４.０ｇ, 이온 교환수 ９６.０ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／５０로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 다음으로, 고순도 실리콘 웨이퍼(애즈원(アズワン)(株)제조, 직경 φ ４인치)의 중심에 이 세정제 조성물을 ０.０５ｇ 적하하여, ８０℃ 로 조절한 순풍 건조기 속에서 ２０ 분간 정치시켰다. 그리고, 건조 후의 웨이퍼 표면을 눈으로 관찰하여, 이하의 평가 기준에 기초하여 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.
[건조성의 평가 기준]
○：세정제 조성물의 찌꺼기 없음
×：세정제 조성물의 찌꺼기 있음
실시예２
스크루관(용량 １００ｍＬ)에 조제예１의 세정제 원액 ２.０ｇ, 이온 교환수 ９８.０ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／１００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이하, 실시예１과 마찬가지의 순서에 의해, 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.
실시예３
스크루관(용량 １００ｍＬ)에 조제예１의 세정제 원액 ０.１ｇ, 이온 교환수 ９９.９ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／２０００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이하, 실시예１과 마찬가지의 순서에 의해, 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.
실시예４
스크루관(용량 １００ｍＬ)에 조제예１의 세정제 원액 ０.０２ｇ, 이온 교환수 ９９.９８ｇ을 넣고, 잘 흔들어서, 상기 (Ａ)성분, (Ｂ)성분 및 (Ｃ)성분의 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이, １／１００００로 되는 세정제 조성물을 조제하였다. 이하, 실시예１과 마찬가지의 순서에 의해, 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.
실시예５~１８, 비교예１~８
실시예１과 마찬가지의 방법으로, 표 ４에 나타나듯이, 각각의 세정제 원액을 배합 비율 [(Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ)]이 １／２０００ 또는 １／１００００로 되도록 희석하여, 각각의 세정제 조성물의 건조성을 평가하였다.
비교예１０
이온 교환수를 사용하여, 실시예１과 마찬가지의 순서에 의해, 건조성을 평가하였다.
１: 비커
２: 세정제 원액
３: 이온 교환수
４: 교반기 피스
５: 자석 교반기
６: 시험용 웨이퍼
７: 스텐레스 클립
８: 스텐레스 봉

Claims (9)

  1. 물과 공비성을 나타내는 ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)을 포함한 세정제 조성물로서,
    상기 ３급 아민(Ａ)의 비점이, １ 기압 하에서 １３０~２５０℃ 이고,
    상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(％)이, ３급 아민(Ａ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율 이하이며,
    상기 3급 아민(A)은 하기 일반식 (３)으로 나타내지는 폴리아민(Ａ２)이며,
    [일반식 (3)]
    (Ｒ４)Ｒ５Ｎ-Ｃ２Ｈ４-Ｚ-Ｃ２Ｈ４-ＮＲ６(Ｒ７)
    [상기 일반식 (３)에서, Ｒ４, Ｒ５, Ｒ６ 및 Ｒ７은 각각 동일 또는 다른 탄소수 １~３의 알킬기를 나타내고, Ｚ는 -ＣＨ２-, -(ＣＨ２)２-, -Ｏ-, -ＮＨ-, 또는 -Ｎ(ＣＨ３)- 을 나타냄]
    상기 세정제 조성물은 물과 공비성을 나타내는 하기 일반식 (1)로 나타내지는 글리콜계 용제(Ｃ)를 포함하고,
    [일반식 (１)]
    Ｒ１-Ｏ-[ＣＨ２-ＣＨ(Ｘ)-Ｏ]ｎ-Ｈ
    [상기 일반식 (１)에서, Ｒ１은 탄소수 １~４의 알킬기를 나타내고, ｎ은 １~３을 나타내고, Ｘ는 수소 또는 메틸기를 나타냄]
    상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 비점이, １ 기압 하에서 １２０~２７５℃ 이고,
    상기 세정제 조성물에 있어서의 상기 글리콜계 용제(Ｃ)와 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율(％)이, 글리콜계 용제(Ｃ) 및 물(Ｂ)로 이루어진 공비 혼합물 중의 글리콜계 용제(Ｃ)의 중량 비율 이하인 것을 특징으로 하고,
    상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)과 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 합계 중의 상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 글리콜계 용제(Ｃ)의 합계의 중량 비율((Ａ＋Ｃ)／(Ａ＋Ｂ＋Ｃ))이, １／１０００００ 이상인 것을 특징으로 하는 전자재료용의 세정제 조성물.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 ３급 아민(Ａ)과 상기 물(Ｂ)의 합계 중의 상기 ３급 아민(Ａ)의 중량 비율(Ａ／(Ａ＋Ｂ))이, １／１０００００ 이상인,
    전자재료용의 세정제 조성물.
  5. 삭제
  6. 제1항에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물을 조제하기 위한 상기 ３급 아민(Ａ) 및 상기 물(Ｂ)을 포함하는,
    세정제 원액.
  7. 제1항에 기재된 전자재료용의 세정제 조성물을 이용한 전자재료의 세정공정을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    전자재료의 세정방법.
  8. 제7항에 있어서,
    세탁 공정을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는,
    전자재료의 세정방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 전자재료의 파티클의 제거공정을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    전자재료의 세정방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015060379A1 (ja) * 2013-10-23 2015-04-30 荒川化学工業株式会社 リサイクル可能な工業用共沸洗浄剤、物品の洗浄方法、工業用共沸洗浄剤の再生方法、当該再生方法により再生された工業用共沸洗浄剤、並びに洗浄再生装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008080097A2 (en) * 2006-12-21 2008-07-03 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid cleaner for the removal of post-etch residues
CN101412950A (zh) * 2007-10-19 2009-04-22 安集微电子（上海）有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
KR101579767B1 (ko) * 2008-08-27 2015-12-23 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 무연 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 및 무연 땜납 플럭스 제거 시스템
WO2011027673A1 (ja) * 2009-09-03 2011-03-10 荒川化学工業株式会社 鉛フリーハンダ水溶性フラックス除去用洗浄剤、除去方法及び洗浄方法
WO2012005068A1 (ja) * 2010-07-09 2012-01-12 化研テック株式会社 洗浄剤組成物用原液、洗浄剤組成物および洗浄方法
JP2012186470A (ja) * 2011-02-18 2012-09-27 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線半導体用洗浄剤
CN102827708A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 安集微电子（上海）有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN102827707A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 安集微电子科技(上海)有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
KR101880305B1 (ko) * 2011-12-16 2018-07-20 동우 화인켐 주식회사 전자재료용 세정액 조성물
JP2013157516A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Advanced Technology Materials Inc 銅配線半導体用洗浄剤
JP2014049521A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Advanced Technology Materials Inc 銅配線半導体用洗浄剤
JP6226144B2 (ja) * 2014-02-27 2017-11-08 荒川化学工業株式会社 洗浄剤組成物原液、洗浄剤組成物および洗浄方法
JP6487630B2 (ja) * 2014-05-20 2019-03-20 化研テック株式会社 洗浄剤組成物用原液、洗浄剤組成物および洗浄方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015060379A1 (ja) * 2013-10-23 2015-04-30 荒川化学工業株式会社 リサイクル可能な工業用共沸洗浄剤、物品の洗浄方法、工業用共沸洗浄剤の再生方法、当該再生方法により再生された工業用共沸洗浄剤、並びに洗浄再生装置

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