JP7385597B2 - フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 - Google Patents

Description

本開示は、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、該洗浄剤組成物を用いた洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。

近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し、半田フラックスの洗浄においては洗浄すべき隙間が狭くなってきている。また、環境安全面から鉛フリー半田が用いられるようになってきており、これに伴いロジン系フラックスが用いられている。

例えば、国際公開第２０１１／０２７６７３号（特許文献１）には、水１００重量部に対して、グリコールエーテル化合物を５～１００重量部含む、鉛フリーハンダ水溶性フラックス除去用洗浄剤が開示されている。
国際公開第２００５／０２１７００号（特許文献２）には、全体量に対して、グリコール化合物の含有量が１重量％未満の場合には、ベンジルアルコールの含有量を７０～９９．９重量％の範囲およびアミノアルコールの含有量を０．１～３０重量％の範囲とし、グリコール化合物の含有量が１～４０重量％の場合には、ベンジルアルコールの含有量を１５～９９重量％の範囲およびアミノアルコールの含有量を０．１～３０重量％の範囲とすることを特徴とする半田フラックス除去用洗浄剤が開示されている。
特開２００４－２６８８号公報（特許文献３）には、有機溶剤、炭素数４～１２のアルキル基又はアルケニル基を有するグリセリルエーテル５～３０重量％、及び水５重量％以上を含有してなる金属部品、電子部品、半導体部品および液晶表示パネル等の精密部品用の含水系洗浄剤組成物が開示されている。
特開２０１８－２１０９３号公報（特許文献４）には、２５℃の水１００ｇに対する溶解度が１０ｇ未満のアミン又はその塩、２５℃の水１００ｇに対する溶解度が０．０２ｇ以上１０ｇ未満の溶剤、及び水を含み、前記アミンが、炭素数６以上２６以下の、１級アミン、２級アミン及び３級アミンから選ばれる少なくとも１種である、スクリーン版用洗浄剤組成物が開示されている。

本開示は、一態様において、溶剤（成分Ａ）と、ハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）が７．８以下であるアミン（成分Ｂ）と、下記式（ＶＩ）で表されるジホスホン酸（成分Ｃ）と、を含有するフラックス残渣除去用洗浄剤組成物、又は、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを配合してなるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。

上記式（ＶＩ）において、Ｘは炭素数１以上６以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基である。

本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法に関する。

本開示は、一態様において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを本開示の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法に関する。

近年、半導体パッケージ基板の小型化によって、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなってきている。そして、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなることで、上記特許文献に開示されている洗浄剤組成物では、フラックス残渣の除去性（フラックス除去性）が不足し、洗浄性が十分であるとは言えなくなっている。さらに、洗浄剤組成物には、リフロー時に発生する酸化錫や錫塩に対する除去性（錫除去性）の向上も求められている。また、洗浄剤組成物には、分離せず安定な液状態を確保できることが求められている。

そこで、本開示は、安定な液状態を確保しつつ、フラックス除去性及び錫除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法及び電子部品の製造方法を提供する。

本開示によれば、安定な液状態を確保しつつ、フラックス除去性及び錫除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供できる。

本開示は、特定の溶剤（成分Ａ）と、特定のアミン（成分Ｂ）と、特定のジホスホン酸（成分Ｃ）と、を含有する洗浄剤組成物、又は、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを配合してなる洗浄剤組成物を用いることで、安定な液状態を確保しつつ、従来よりもフラックス除去性及び錫除去性が向上するという知見に基づく。

すなわち、本開示は、一又は複数の実施形態において、溶剤（成分Ａ）と、ハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）が７．８以下であるアミン（成分Ｂ）と、前記式（ＶＩ）で表されるジホスホン酸（成分Ｃ）と、を含有するフラックス残渣除去用洗浄剤組成物、又は、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを配合してなるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物（以下、これらをまとめて「本開示の洗浄剤組成物」ともいう）に関する。本開示によれば、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を効率よく除去できる。また、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、リフロー時に発生する酸化錫や錫塩を効率よく除去できる。さらに、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、安定性が高く均一透明なフラックス残渣除去用洗浄剤組成物が得られうる。

本開示の洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。
すなわち、本開示の洗浄剤組成物では、成分Ａ（溶剤）がフラックス並びにリフロー等で劣化したフラックス残渣に浸透し粘度を下げ、流動しやすくするとともに、成分Ｂ（アミン）が作用して、フラックス及びフラックス残渣を分解あるいは親水化し洗浄剤組成物中に溶けやすくする。
また、成分Ｂ（アミン）により、フラックス及びフラックス残渣の洗浄後のすすぎ工程における水への溶解性が高くなり、すすぎによるフラックス除去性を向上でき、洗浄及びすすぎ後のフラックス残渣の残存を低減できると推測される。
さらに、本開示の洗浄剤組成物中で成分Ｂと成分Ｃが塩を形成すると、成分Ｂ（アミン）と錫との親和性が高い成分Ｃ（ジホスホン酸）との塩が、リフローによって生成しフラックス残渣中や被洗浄物上に付着した酸化錫や錫塩に作用し、洗浄剤組成物中に溶けやすくする。また、成分Ｂと成分Ｃとの塩により、洗浄後のすすぎ工程における酸化錫や錫塩の水への溶解性が高くなって錫除去性が向上し、洗浄及びすすぎ後の酸化錫や錫塩の残存を低減できると推測される。
そして、成分Ｂと成分Ｃとの塩に関して、成分Ｂ（アミン）がハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）が７．８以下であることで、成分Ｃ（ジホスホン酸）との塩を成分Ａ（溶剤）へ溶解させることができ、均一で安定な洗浄剤組成物を得られると推測される。
但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。

本開示において「フラックス」とは、電極や配線等の金属と半田金属との接続を妨げる酸化物を取り除き、前記接続を促進するために用いられる、半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスやロジンを含まない水溶性フラックス等をいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。本開示において「フラックス残渣」とは、フラックスを用いて半田バンプを形成した後の基板、及び／又はフラックスを用いて半田付けをした後の基板等に残存するフラックス由来の残渣をいう。例えば、回路基板上に他の部品（例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板等）が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間（隙間）が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフロー等により半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。本開示において「フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田バンプを形成及び／又は半田付けした後のフラックス残渣を除去するための洗浄剤組成物をいう。本開示の洗浄剤組成物による洗浄性の顕著な効果発現の点から、半田は錫を含有する鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。

本開示において、ハンセン溶解度パラメータ (Hansen solubility parameter)（以下、「ＨＳＰ」ともいう)とは、Charles M. Hansenが１９６７年に発表した、物質の溶解性の予測に用いられる値であって、「分子間の相互作用が似ている２つの物質は、互いに溶解しやすい」との考えに基づくパラメータである。ＨＳＰは以下の３つのパラメータ（単位：ＭＰａ^0.5）で構成されている。
δｄ：分子間の分散力によるエネルギー
δｐ：分子間の双極子相互作用によるエネルギー
δｈ：分子間の水素結合によるエネルギー
化学工業２０１０年３月号（化学工業社）等に詳細な説明があり、パソコン用ソフト「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」等を用いることで各種物質のハンセン溶解度パラメータを得ることができる。

［成分Ａ：溶剤］
本開示の洗浄剤組成物における成分Ａは、一又は複数の実施形態において、フラックス除去性向上の観点から、下記式（Ｉ）で表される化合物、下記式（ＩＩ）で表される化合物及び下記式（ＩＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の溶剤であることが好ましい。

Ｒ¹－Ｏ－（ＡＯ）_n－Ｒ² （Ｉ）

上記式（Ｉ）において、Ｒ¹はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ²は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、ｎはＡＯの付加モル数であり、１以上３以下の整数である。

上記式（Ｉ）において、Ｒ¹はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であって、フラックス除去性向上の観点から、フェニル基又は炭素数４以上６以下のアルキル基が好ましく、炭素数４以上６以下のアルキル基がより好ましい。Ｒ²は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であって、同様の観点から、水素原子又は炭素数２以上４以下のアルキル基が好ましく、水素原子又はｎ－ブチル基がより好ましい。ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であって、同様の観点から、エチレンオキシド基が好ましい。ｎは１以上３以下の整数であって、同様の観点から、１又は２が好ましく、２がより好ましい。

上記式（Ｉ）で表される化合物としては、例えば、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル等のモノフェニルエーテル、炭素数１以上８以下のアルキル基を有するエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル等のモノアルキルエーテル、炭素数１以上８以下のアルキル基及び炭素数１以上４以下のアルキル基を有するエチレングリコールジアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、トリエチレングリコールジアルキルエーテル等のジアルキルエーテル、フェニル基及び炭素数１以上４以下のアルキル基を有するエチレングリコールフェニルアルキルエーテル、ジエチレングリコールフェニルアルキルエーテル、トリエチレングリコールフェニルアルキルエーテル等のフェニルアルキルエーテル、が挙げられる。上記式（Ｉ）で表される化合物としては、フラックス除去性向上の観点から、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル及びトリエチレングリコールジブチルエーテルから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールジブチルエーテルから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールジブチルエーテルから選ばれる少なくとも１種が更に好ましい。

Ｒ³－ＣＨ₂ＯＨ （ＩＩ）

上記式（ＩＩ）において、Ｒ³はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基を示し、フラックス除去性向上の観点から、フェニル基、シクロヘキシル基又はテトラヒドロフリル基が好ましく、フェニル基又はテトラヒドロフリル基がより好ましい。

上記式（ＩＩ）で表される化合物としては、例えば、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、シクロヘキサンメタノール、フルフリルアルコール及びテトラヒドロフルフリルアルコールが挙げられる。上記式（ＩＩ）で表される化合物としては、フラックス除去性向上の観点から、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール及びテトラヒドロフルフリルアルコールから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ベンジルアルコール及びテトラヒドロフルフリルアルコールから選ばれる少なくとも１種がより好ましい。

上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上８以下の炭化水素基、炭素数１以上３以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基であり、フラックス除去性向上の観点から、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷のいずれか一つが炭素数１以上８以下の炭化水素基であることが好ましく、炭素数１以上６以下の炭化水素基であることがより好ましく、メチル基、エチル基、ビニル基のいずれかであることが更に好ましい。

上記式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、例えば、２－ピロリドン、１－メチル－２－ピロリドン、１－エチル－２－ピロリドン、１－ビニル－２－ピロリドン、１－フェニル－２－ピロリドン、１－シクロヘキシル－２－ピロリドン、１－オクチル－２－ピロリドン、３－ヒドロキシプロピル－２－ピロリドン、４－ヒドロキシ－２－ピロリドン、４－フェニル－２－ピロリドン及び５－メチル－２－ピロリドン等が挙げられる。上記式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、フラックス除去性向上の観点から、２－ピロリドン、１－メチル－２－ピロリドン、１－エチル－２－ピロリドン、１－ビニル－２－ピロリドン、１－フェニル－２－ピロリドン、１－シクロヘキシル－２－ピロリドン、１－オクチル－２－ピロリドン及び５－メチル－２－ピロリドンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、１－メチル－２－ピロリドン、１－エチル－２－ピロリドン及び１－ビニル－２－ピロリドンから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、１－メチル－２－ピロリドンが更に好ましい。

成分Ａは、１種類、２種類の組合せ、又はそれ以上の組合せであってもよい。成分Ａが２種類の組合せである場合、成分Ａとしては、例えば、式（Ｉ）で表される化合物と式（ＩＩ）で表される化合物との組合せが挙げられる。

成分Ａとしては、フラックス除去性向上の観点から、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール及び１－メチル－２－ピロリドンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール及び１－メチル－２－ピロリドンから選ばれる少なくとも１種がより好ましい。

本開示の洗浄剤組成物における成分Ａの含有量は、フラックス除去性向上の観点から、７０質量％以上が好ましく、７５質量％以上がより好ましく、７８質量％以上が更に好ましく、そして、９９．５質量％以下が好ましく、９５質量％以下がより好ましく、９０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Ａの含有量は、７０質量％以上９９．５質量％以下が好ましく、７５質量％以上９５質量％以下がより好ましく、７８質量％以上９０質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種類以上の組合せである場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［成分Ｂ：アミン］
本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂは、ハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）が７．８以下であるアミンである。δｐが７．８以下のアミン（成分Ｂ）としては、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＶ）又は（Ｖ）で表されるアミンが挙げられる。成分Ｂは、１種類、２種類の組合せ、又はそれ以上の組合せであってもよい。

上記式（ＩＶ）において、Ｒ⁸は水素原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基であり、Ｒ⁹及びＲ¹⁰はそれぞれ独立に炭素数１以上６以下のアルキル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、Ｒ⁸は水素原子、炭素数２以上６以下のアルキル基、フェニル基、又はベンジル基が好ましい。

ハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）が７．８以下であって、上記式（ＩＶ）で表されるアミンとしては、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアルカノールアミン、ジメチルベンジルアミン等の芳香族アミンが挙げられる。上記式（ＩＶ）で表されるアミンの具体例としては、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン及びジメチルベンジルアミンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン及びジメチルベンジルアミンから選ばれる少なくとも１種がより好ましい。

上記式（Ｖ）において、Ｒ¹¹は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、Ｒ¹²は水素原子又はメチル基である。フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、Ｒ¹¹はメチル基又はイソブチル基が好ましく、Ｒ¹²はメチル基が好ましい。

ハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）が７．８以下であって、上記式（Ｖ）で表されるアミンとしては、１，２－ジメチルイミダゾール、１－イソブチル－２－メチルイミダゾール等のイミダゾール類が挙げられる。上記式（Ｖ）で表されるアミンの具体例としては、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、１，２－ジメチルイミダゾール及び１－イソブチル－２－メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種が好ましく、１，２－ジメチルイミダゾールがより好ましい。

成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）は７．８以下であって、フラックス除去性向上及び安定性向上の観点から、７．７以下が好ましく、６以下がより好ましく、５以下が更に好ましく、そして、フラックス除去性向上の観点から、１以上が好ましい。より具体的には、成分Ｂのハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）は、１以上７．７以下が好ましく、１以上６以下がより好ましく、１以上５以下が更に好ましい。

成分Ｂとしては、安定性向上の観点から、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、ジメチルベンジルアミン、１，２－ジメチルイミダゾール及び１－イソブチル－２－メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ジブチルモノエタノールアミン、ジメチルベンジルアミン及び１－イソブチル－２－メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、ジブチルモノエタノールアミン及びジメチルベンジルアミンから選ばれる少なくとも１種が更に好ましい。成分Ｂとしては、ロジン系フラックス除去性向上の観点から、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、ジメチルベンジルアミン、１，２－ジメチルイミダゾール及び１－イソブチル－２－メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ジブチルモノエタノールアミン、ジメチルベンジルアミン、１，２－ジメチルイミダゾール及び１－イソブチル－２－メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、１，２－ジメチルイミダゾールが更に好ましい。

本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量は、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、０．２質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．４質量％以上が更に好ましく、０．５質量％以上がより更に好ましく、そして、同様の観点から、１５質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましく、３質量％以下がより更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量は、０．２質量％以上１５質量％以下が好ましく、０．３質量％以上１０質量％以下がより好ましく、０．４質量％以上５質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以上３質量％以下がより更に好ましい。成分Ｂが２種類以上の組合せである場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。

本開示の洗浄剤組成物において、成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）は、錫除去性向上の観点から、５以上が好ましく、８以上がより好ましく、１０以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、６０以下が好ましく、４５以下がより好ましく、２０以下が更に好ましい。より具体的には、質量比（Ａ／Ｂ）は、５以上６０以下が好ましく、８以上４５以下がより好ましく、１０以上２０以下が更に好ましい。

［成分Ｃ：ジホスホン酸（成分Ｃ）］
本開示の洗浄剤組成物における成分Ｃは、下記式（ＶＩ）で表されるジホスホン酸である。成分Ｃは、１種類、２種類の組合せ、又はそれ以上の組合せであってもよい。

上記式（ＶＩ）において、Ｘは炭素数１以上６以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基である。錫除去性向上の観点から、Ｘはヒドロキシアルキレン基が好ましい。また、フラックス除去性向上の観点から、Ｘの炭素数は１以上４以下が好ましく、１以上２以下がより好ましい。

成分Ｃの具体例としては、例えば、フラックス除去性向上の観点から、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、メチレンジホスホン酸、１，２－エチレンジホスホン酸、１，３－プロピレンジホスホン酸、１，４－ブチレンジホスホン酸、１，５－ペンチレンジホスホン酸及び１，６－ヘキシレンジホスホン酸から選ばれる少なくとも１種のジホスホン酸が好ましく、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸及びメチレンジホスホン酸から選ばれる少なくとも１種のジホスホン酸がより好ましく、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸が更に好ましい。

本開示の洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量は、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上が更に好ましく、そして、フラックス除去性向上及び安定性向上の観点から、３質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１．５質量％以下が更に好ましく、１質量％以下がより更に好ましい。より具体的には、成分Ｃの含有量は、０．１質量％以上３質量％以下が好ましく、０．３質量％以上２質量％以下がより好ましく、０．３質量％以上１．５質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以上１質量％以下がより更に好ましい。成分Ｃが２種類以上の組合せである場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。

本開示の洗浄剤組成物おいて、成分Ｂと成分Ｃとの塩がフラックス及び錫の除去に関与すると考えられ、成分Ｂと成分Ｃのモル比Ｂ／Ｃがこれらの除去性の因子となると推察される。本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂと成分Ｃのモル比Ｂ／Ｃは、フラックス除去性及び錫除去性向上の観点から、４以上が好ましく、４．５以上より好ましく、４．８以上が更に好ましく、７以上がより更に好ましく、１０以上がより更に好ましく、そして、４０以下が好ましく、３０以下がより好ましく、２５以下が更に好ましく、２２以下がより更に好ましく、１８以下がより更に好ましい。より具体的にはモル比Ｂ／Ｃは、４以上４０以下が好ましく、４．５以上３０以下がより好ましく、４．８以上２５以下が更に好ましく、７以上２２以下がより更に好ましく、１０以上１８以下がより更に好ましい。

本開示の洗浄剤組成物において、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、洗浄時に、成分Ｂの少なくとも一部は成分Ｃと塩を形成しており、成分Ｂの少なくとも一部は成分Ｃと塩を形成していないことが好ましい。すなわち、本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、洗浄時に、成分Ｂと成分Ｃとの塩を含有するとともに、成分Ｃと塩を形成していない成分Ｂを含有する。本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂと成分Ｃとの塩の含有量は、フラックス除去性向上及び錫除去性向上の観点から、０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．７質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｂと成分Ｃとの塩の含有量は、０．１質量％以上１０量％以下が好ましく、０．３質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．７質量％以上３質量％以下が更に好ましい。

［成分Ｄ：水］
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、水（成分Ｄ）をさらに含むことができる。成分Ｄとしては、イオン交換水、ＲＯ水、蒸留水、純水、超純水等が使用され得る。本開示の洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量は、引火点を下げる観点から、１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましく、８質量％以上が更に好ましく、そして、フラックス除去性向上及び安定性向上の観点から、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量は、１質量％以上２０質量％以下が好ましく、５質量％以上１５質量％以下がより好ましく、８質量％以上１０質量％以下が更に好ましい。

本開示の洗浄剤組成物が成分Ｄを含有する場合、安定性向上の観点から、本開示の洗浄剤組成物に含まれる成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテルと該ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の他の成分Ａとを併用することが好ましい。

［その他の成分］
本開示の洗浄剤組成物は、前記成分Ａ～Ｄ以外に、必要に応じてその他の成分をさらに配合又は含有することができる。本開示の洗浄剤組成物におけるその他の成分の含有量は、０質量％以上１０質量％以下が好ましく、０質量％以上８質量％以下がより好ましく、０質量％以上５質量％以下が更に好ましく、０質量％以上２質量％以下がより更に好ましい。

本開示の洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、安定性向上の観点から、例えば、界面活性剤（成分Ｅ）が挙げられる。成分Ｅとしては、同様の観点から、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、アルキルグルコシド、アルキルグリセリルエーテル等の非イオン界面活性剤が好ましく、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、アルキルグリセリルエーテルがより好ましい。成分Ｅの具体例としては、ポリオキシエチレンデシルエーテル、２－エチルヘキシルグリセリルエーテル等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物における成分Ｅの含有量は、安定性向上の観点から、０．５質量％以上が好ましく、０．８質量％以上がより好ましく、そして、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Ｅの含有量は、０．５質量％以上５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上３質量％以下がより好ましく、０．８質量％以上２質量％以下が更に好ましい。

さらなるその他の成分として、本開示の洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ２酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、ベンゾトリアゾール等の防錆剤、増粘剤、分散剤、成分Ｂ以外の塩基性物質、高分子化合物、可溶化剤、防腐剤、殺菌剤、抗菌剤、消泡剤、酸化防止剤を適宜配合又は含有することができる。

［洗浄剤組成物の製造方法］
本開示の洗浄剤組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び必要に応じて上述した成分Ｄ及びその他の成分を公知の方法で配合することにより製造できる。一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物は、少なくとも成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを配合してなるものとすることができる。したがって、本開示は、一態様において、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法（以下、「本開示の洗浄剤組成物の製造方法」ともいう）に関する。本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、成分Ｂと成分Ｃは別々に配合されてもよいし、成分Ｂと成分Ｃとの塩として配合されてもよい。本開示の洗浄剤組成物の製造方法は、一又は複数の実施形態において、成分Ｂと成分Ｃを配合した後、成分Ａ及び必要に応じて上述した成分Ｄ及びその他の成分を配合することができる。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び必要に応じて成分Ｄ及びその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の配合量は、上述した本開示の洗浄剤組成物の各成分の含有量と同じとすることができる。

本開示において「洗浄剤組成物における各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物を洗浄に使用する時点での前記各成分の含有量をいう。

本開示の洗浄剤組成物は、添加作業、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮物として製造及び保管してもよい。本開示の洗浄剤組成物の濃縮物の希釈倍率としては、例えば、３倍以上３０倍以下が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び必要に応じて配合される成分Ｄ及びその他の成分が上述した含有量（すなわち、洗浄時の含有量）になるよう水（成分Ｄ）で希釈して用いることができる。

［洗浄剤組成物のｐＨ］
本開示の洗浄剤組成物は、フラックス残渣の除去性を向上させる点から、アルカリ性であることが好ましく、例えば、ｐＨ８以上ｐＨ１４以下が好ましい。ｐＨは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の成分Ｂ以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。

［被洗浄物］
本開示の洗浄剤組成物は、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に使用される。フラックス残渣を有する被洗浄物としては、例えば、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられる。被洗浄物の具体例としては、例えば、電子部品及びその製造中間物が挙げられ、具体的には、半田付け電子部品及びその製造中間物が挙げられ、より具体的には、部品が半田で半田付けされた電子部品及びその製造中間物、部品が半田を介して接続されている電子部品及びその製造中間物、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物、半田を介して接続されている部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物等が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、フラックスを使用した半田付けにより、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品が搭載された回路基板、及び／又は、前記部品を半田接続するための半田バンプが形成された回路基板を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品（半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板等）との間に形成される空間であって、その高さ（部品間の距離）が、例えば、５～５００μｍ、１０～２５０μｍ、或いは２０～１００μｍの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極（ランド）の大きさや間隔に依存する。

［洗浄方法］
本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に接触させることを含む、フラックス残渣を除去するための洗浄方法（以下、「本開示の洗浄方法」ともいう）に関する。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示の洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、例えば、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。さらに、同様の観点から、本開示の洗浄方法は、国際公開第２００６／０２５２２４号、特公平６－７５７９６号公報、特開２０１４－１４４４７３号公報、特開２００４－２３０４２６号公報、特開２０１３－１８８７６１号公報、特開２０１３－１７３１８４号公報等に記載されているフラックスを用いて半田接続した電子部品に対して使用することが好ましい。本開示の洗浄方法は、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示の洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波の周波数としては、同様の観点から、２６～７２Ｈｚ、８０～１５００Ｗが好ましく、３６～７２Ｈｚ、８０～１５００Ｗがより好ましい。

［電子部品の製造方法］
本開示は、一態様において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを本開示の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法（以下、「本開示の電子部品の製造方法」ともいう）に関する。フラックスを使用した半田付けは、例えば、鉛フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間や半田バンプの周辺等に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。さらに、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間等に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。

［キット］
本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法及び／又は本開示の電子部品の製造方法に使用するためのキット（以下、「本開示のキット」ともいう）に関する。本開示のキットは、一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物を製造するためのキットである。

本開示のキットの一実施形態としては、前記成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂ及び成分Ｃを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されていない状態で含み、第１液と第２液とが使用時に混合されるキット（２液型洗浄剤組成物）が挙げられる。前記第１液及び第２液には、各々必要に応じて上述した成分Ｄ及びその他の成分が含まれていても良い。前記第１液及び第２液の少なくとも一方は、一又は複数の実施形態において、成分Ｄ（水）の一部又は全部を含有することができる。一又は複数の実施形態において、前記第１液と第２液とが混合された後、必要に応じて成分Ｄ（水）で希釈されてもよい。

本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
＜１＞ 溶剤（成分Ａ）と、
ハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）が７．８以下であるアミン（成分Ｂ）と、
下記式（ＶＩ）で表されるジホスホン酸（成分Ｃ）と、を含有する、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、又は、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを配合してなるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物。

上記式（ＶＩ）において、Ｘは炭素数１以上６以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基である。

＜２＞ 溶剤（成分Ａ）は、下記式（Ｉ）で表される化合物、下記式（ＩＩ）で表される化合物及び下記式（ＩＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の溶剤である、＜１＞に記載の洗浄剤組成物。
Ｒ¹－Ｏ－（ＡＯ）_n－Ｒ² （Ｉ）
上記式（Ｉ）において、Ｒ¹はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ²は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、ｎはＡＯの付加モル数であり、１以上３以下の整数である。
Ｒ³－ＣＨ₂ＯＨ （ＩＩ）
上記式（ＩＩ）において、Ｒ³はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基である。

上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上８以下の炭化水素基、炭素数１以上３以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基である。
＜３＞ 上記式（Ｉ）において、Ｒ¹はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であって、フェニル基又は炭素数４以上６以下のアルキル基が好ましく、炭素数４以上６以下のアルキル基がより好ましい、＜２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜４＞ 上記式（Ｉ）において、Ｒ²は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であって、水素原子又は炭素数２以上４以下のアルキル基が好ましく、水素原子又はｎ－ブチル基がより好ましい、＜２＞又は＜３＞に記載の洗浄剤組成物。
＜５＞ 上記式（Ｉ）において、ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であって、エチレンオキシド基が好ましい、＜２＞から＜４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜６＞ 上記式（Ｉ）において、ｎは１以上３以下の整数であって、１又は２が好ましく、２がより好ましい、＜２＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜７＞ 上記式（ＩＩ）において、Ｒ³はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基であって、フェニル基、シクロヘキシル基又はテトラヒドロフリル基が好ましく、フェニル基又はテトラヒドロフリル基がより好ましい、＜２＞から＜６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜８＞ 上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上８以下の炭化水素基、炭素数１以上３以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基であって、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷のいずれか一つが炭素数１以上８以下の炭化水素基であることが好ましく、炭素数１以上６以下の炭化水素基であることがより好ましく、メチル基、エチル基、ビニル基のいずれかであることが更に好ましい、＜２＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜９＞ 成分Ａは、式（Ｉ）で表される化合物と式（ＩＩ）で表される化合物との組合せである、＜２＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１０＞ 成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール及び１－メチル－２－ピロリドンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール及び１－メチル－２－ピロリドンから選ばれる少なくとも１種がより好ましい、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１１＞ 成分Ａの含有量は、７０質量％以上が好ましく、７５質量％以上がより好ましく、７８質量％以上が更に好ましい、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１２＞ 成分Ａの含有量は、９９．５質量％以下が好ましく、９５質量％以下がより好ましく、９０質量％以下が更に好ましい、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１３＞ 成分Ａの含有量は、７０質量％以上９９．５質量％以下が好ましく、７５質量％以上９５質量％以下がより好ましく、７８質量％以上９０質量％以下が更に好ましい、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１４＞ アミン（成分Ｂ）は、下記式（ＩＶ）又は（Ｖ）で表されるアミンである、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。

上記式（ＩＶ）において、Ｒ⁸は水素原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基であり、Ｒ⁹及びＲ¹⁰はそれぞれ独立に炭素数１以上６以下のアルキル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。

上記式（Ｖ）において、Ｒ¹¹は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、Ｒ¹²は水素原子又はメチル基である。
＜１５＞ 成分Ｂは、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、ジメチルベンジルアミン、１，２－ジメチルイミダゾール及び１－イソブチル－２－メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ジブチルモノエタノールアミン、ジメチルベンジルアミン及び１－イソブチル－２－メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、ジブチルモノエタノールアミン及びジメチルベンジルアミンから選ばれる少なくとも１種が更に好ましい、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１６＞ 成分Ｂの含有量は、０．２質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．４質量％以上が更に好ましく、０．５質量％以上がより更に好ましい、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１７＞ 成分Ｂの含有量は、１５質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましく、３質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１８＞ 成分Ｂの含有量は、０．２質量％以上１５質量％以下が好ましく、０．３質量％以上１０質量％以下がより好ましく、０．４質量％以上５質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以上３質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１９＞ 成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）は、５以上が好ましく、８以上がより好ましく、１０以上が更に好ましい、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２０＞ 成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）は、６０以下が好ましく、４５以下がより好ましく、２０以下が更に好ましい、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２１＞ 成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）は、５以上６０以下が好ましく、８以上４５以下がより好ましく、１０以上２０以下が更に好ましい、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２２＞ 上記式（ＶＩ）において、Ｘは炭素数１以上６以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基であって、ヒドロキシアルキレン基が好ましい、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２３＞ 上記式（ＶＩ）において、Ｘの炭素数は１以上４以下が好ましく、１以上２以下がより好ましい、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２４＞ 成分Ｃは、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、メチレンジホスホン酸、１，２－エチレンジホスホン酸、１，３－プロピレンジホスホン酸、１，４－ブチレンジホスホン酸、１，５－ペンチレンジホスホン酸及び１，６－ヘキシレンジホスホン酸から選ばれる少なくとも１種のジホスホン酸が好ましく、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸及びメチレンジホスホン酸から選ばれる少なくとも１種のジホスホン酸がより好ましく、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸が更に好ましい、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２５＞ 成分Ｃの含有量は、０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上が更に好ましい、＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２６＞ 成分Ｃの含有量は、３質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１．５質量％以下が更に好ましく、１質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜２５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２７＞ 成分Ｃの含有量は、０．１質量％以上３質量％以下が好ましく、０．３質量％以上２質量％以下がより好ましく、０．３質量％以上１．５質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以上１質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２８＞ 成分Ａの含有量が７０質量％以上９９．５質量％以下であり、成分Ｂの含有量が０．２質量％以上１５質量％以下であり、成分Ｃの含有量が０．１質量％以上３質量％以下である、＜１＞から＜２７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２９＞ 成分Ｂと成分Ｃとのモル比Ｂ／Ｃは、４以上が好ましく、４．５以上より好ましく、４．８以上が更に好ましく、７以上がより更に好ましく、１０以上がより更に好ましい、＜１＞から＜２８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３０＞ 成分Ｂと成分Ｃとのモル比Ｂ／Ｃは、４０以下が好ましく、３０以下がより好ましく、２５以下が更に好ましく、２２以下がより更に好ましく、１８以下がより更に好ましい、＜１＞から＜２９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３１＞ 成分Ｂと成分Ｃとのモル比Ｂ／Ｃは、４以上４０以下が好ましく、４．５以上３０以下がより好ましく、４．８以上２５以下が更に好ましく、７以上２２以下がより更に好ましく、１０以上１８以下がより更に好ましい、＜１＞から＜３０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３２＞ 成分Ｂの少なくとも一部は、成分Ｃと塩を形成しており、成分Ｂの少なくとも一部は、成分Ｃと塩を形成していない、＜１＞から＜３１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３３＞ 成分Ｂと成分Ｃとの塩の含有量は、０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．７質量％以上が更に好ましい、＜３２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜３４＞ 成分Ｂと成分Ｃとの塩の含有量は、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい、＜３２＞又は＜３３＞に記載の洗浄剤組成物。
＜３５＞ 成分Ｂと成分Ｃとの塩の含有量は、０．１質量％以上１０量％以下が好ましく、０．３質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．７質量％以上３質量％以下が更に好ましい、＜３２＞から＜３４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３６＞ 水（成分Ｄ）をさらに含む、＜１＞から＜３５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３７＞ 成分Ｄの含有量は、１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましく、８質量％以上が更に好ましい、＜３６＞に記載の洗浄剤組成物。
＜３８＞ 成分Ｄの含有量は、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい、＜３６＞又は＜３７＞に記載の洗浄剤組成物。
＜３９＞ 成分Ｄの含有量は、１質量％以上２０質量％以下が好ましく、５質量％以上１５質量％以下がより好ましく、８質量％以上１０質量％以下が更に好ましい、＜３６＞から＜３８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜４０＞ 界面活性剤（成分Ｅ）をさらに含有する、＜１＞から＜３９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜４１＞ キレート力を持つ化合物、ベンゾトリアゾール等の防錆剤、増粘剤、分散剤、成分Ｂ以外の塩基性物質、高分子化合物、可溶化剤、防腐剤、殺菌剤、抗菌剤、消泡剤、及び酸化防止剤から選ばれる少なくとも１種をさらに含有する、＜１＞から＜４０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜４２＞ フラックス残渣を有する被洗浄物を＜１＞から＜４１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法。
＜４３＞ 被洗浄物が、半田付け電子部品の製造中間物である、＜４２＞に記載の洗浄方法。
＜４４＞ 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを＜４２＞又は＜４３＞に記載の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法。

以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。

１．洗浄剤組成物の調製（実施例１～１８、比較例１～１０）
１００ｍＬガラスビーカーに、下記表２に記載の組成となるように各成分を配合し、下記条件で混合することにより、実施例１～１８及び比較例１～１０の洗浄剤組成物を調製した。表２中の各成分の数値は、断りのない限り、調製した洗浄剤組成物における含有量（質量％）を示す。
＜混合条件＞
液温度：２５℃
攪拌機：マグネチックスターラー（５０ｍｍ回転子）
回転数：３００ｒｐｍ
攪拌時間：１０分

洗浄剤組成物の成分として下記のものを使用する。
（成分Ａ）
Ａ１：テトラヒドロフルフリルアルコール［富士フィルム和光純薬株式会社製］
Ａ２：ジエチレングリコールモノブチルエーテル［日本乳化剤株式会社製、ブチルジグリコール（ＢＤＧ）］
Ａ３：ジプロピレングリコールモノブチルエーテル［日本乳化剤株式会社製、ブチルプロピレンジグリコール（ＢＦＤＧ）］
Ａ４：ジエチレングリコールジブチルエーテル［日本乳化剤株式会社製、ジブチルジグリコール（ＤＢＤＧ）］
Ａ５：１－メチル－２－ピロリドン［富士フィルム和光純薬株式会社製］
Ａ６：ベンジルアルコール［ランクセス株式会社製］
（成分Ｂ）
Ｂ１：Ｎ，Ｎ－ジブチルモノエタノールアミン［日本乳化剤株式会社製、アミノアルコール２Ｂ］
Ｂ２：Ｎ，Ｎ－ジメチルベンジルアミン［花王株式会社製、カオーライザーＮｏ．２０］
Ｂ３：１，２－ジメチルイミダゾール［東京化成工業株式会社製］
Ｂ４：１－イソブチル－２－メチルイミダゾール［花王株式会社製、カオーライザーＮｏ．１２０］
Ｂ５：ジイソプロパノールアミン［三井化学ファイン株式会社製、ジイソプロパノールアミン（ＤＩＰＡ）］
Ｂ６：Ｎ－ｎ－ブチルジエタノールアミン［日本乳化剤株式会社製、アミノアルコールＭＢＤ］
（非成分Ｂ）
Ｂ７：トリエタノールアミン［株式会社日本触媒製］
Ｂ８：メチルジエタノールアミン［日本乳化剤株式会社製、アミノアルコールＭＤＡ］
Ｂ９：２－エチル－４－メチルイミダゾール［富士フィルム和光純薬株式会社製］
Ｂ１０：２－メチルイミダゾール［富士フィルム和光純薬株式会社製］
Ｂ１１：モノエタノールアミン［株式会社日本触媒製］
（成分Ｃ）
Ｃ１：１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸［イタルマッチジャパン株式会社製、デイクエスト ２０１０、固形分６０質量％］
Ｃ２：メチレンジホスホン酸［富士フィルム和光純薬株式会社製］
（成分Ｄ）
水［オルガノ株式会社製純水装置Ｇ－１０ＤＳＴＳＥＴで製造した１μＳ/ｃｍ以下の純水］
（成分Ｅ）
Ｅ１：ポリオキシエチレンデシルエーテル［ＢＡＳＦ社製、Ｌｕｔｅｎｓｏｌ ＸＬ４０、炭素数１０のゲルベアルコールエチレンオキサイド平均４モル付加物］
Ｅ２：２－エチルヘキシルグリセリルエーテル（下記製造方法にて製造）
２－エチルヘキサノール１３０ｇ及び三フッ化ホウ素エーテル錯体２．８４ｇを、撹拌しながら０℃まで冷却する。温度を０℃に保ちながら、エピクロロヒドリン１３８．８ｇを１時間で滴下する。滴下終了後、減圧下（１３～２６Ｐａ）、１００℃で余剰のアルコールを留去する。この反応混合物を５０℃まで冷却し、５０℃を保ちながら４８％水酸化ナトリウム水溶液１２５ｇを１時間で滴下し、３時間撹拌した後、２００ｍＬの水を加え、分層させる。水層を除いた後、更に１００ｍＬの水で２回洗浄して、２０８ｇの粗２－エチルヘキシルグリシジルエーテルを得る。この粗２－エチルヘキシルグリシジルエーテル２０８ｇ、水１０４．８ｇ、ラウリン酸５．８２ｇ及び水酸化カリウム１８．５ｇをオートクレーブに入れ、１４０℃で５時間撹拌する。減圧下（６．６７ｋＰａ）、１００℃で脱水後、ラウリン酸９．７ｇ及び水酸化カリウム２．７２ｇを加え、１６０℃で１５時間反応し、その後減圧蒸留（５３～６７Ｐａ，１２０～１２３℃）により精製し、１１０．２ｇの２－エチルヘキシルグリセリルエーテルを得る。
（その他の成分）
ベンゾトリアゾール［東京化成工業株式会社製、１，２，３－ベンゾトリアゾール］

［アミン（成分Ｂ、非成分Ｂ）の物性］
洗浄剤組成物の調製に用いたアミン（成分Ｂ、非成分Ｂ）のハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）を表１に示す。極性項（δｐ）は、パソコン用ソフト「ＨＳＰｉＰ：Hansen Solubility Parameters in Practice」を用いて算出した。

２．洗浄剤組成物の評価
［洗浄剤組成物の液状態］
調製後の洗浄剤組成物の液状態を２５℃で目視観察した。均一透明なものをＡ、分離し均一透明でないものをＢとし、結果を表２に示す。Ａは、安定な液状態が確保されていると判断でき、Ｂは、液状態が不安定であると判断できる。

［洗浄性の評価］
調製した実施例１～１８及び比較例１～１０の洗浄剤組成物を用いて洗浄性について試験を行い、評価した。

＜テスト基板＞
銅配線プリント基板（１０ｍｍ×１５ｍｍ）上に、スクリーン版を用いて下記ソルダーペーストを塗布する。窒素雰囲気下２５０℃でリフローすることでテスト基板を作製する。

＜フラックスの組成＞
完全水添ロジン（イーストマンケミカル社製、Ｆｏｒａｌ ＡＸ－Ｅ）５８．０質量％
Ｎ，Ｎ’－ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩（株式会社ワコーケミカル製）０．５質量％
アジピン酸（和光純薬工業株式会社製）０．５質量％
硬化ヒマシ油（豊国製油株式会社製）６．０質量％
ヘキシルグリコール（日本乳化剤株式会社製）３５．０質量％

＜フラックスの製造方法＞
溶剤のヘキシルグリコールに残りの他の成分を添加して溶解することにより、前記組成のフラックスを得た。

＜ソルダーペーストの製造方法＞
上記のフラックス１１．０ｇとはんだ粉末［千住金属工業株式会社製、Ｍ７０５（Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ＝９６．５／３／０．５）］８９．０ｇを１時間混練して調製した。

＜洗浄試験＞
洗浄試験は、以下の手順にて行った。
まず、超音波洗浄槽、第１リンス槽、第２リンス槽を以下の条件で準備する。超音波洗浄槽は、周波数４０ｋＨｚに設定し出力を２００Ｗとする。５０ｍＬガラスビーカーに各洗浄剤組成物を１００ｇ添加し、超音波洗浄層に入れて、６０℃に加温することにより得た。第１リンス槽及び第２リンス槽は、５０ｍｍ回転子を一つ入れた１００ｍＬガラスビーカーを二つ用意し、それぞれに純水１００ｇを添加し、温浴に入れて、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら４０℃に加温することにより得た。
次に、テスト基板をピンセットで保持して、前記超音波洗浄槽へ挿入し、１分間浸漬する。次に、テスト基板をピンセットで保持して第１リンス槽に挿入し、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら１分間浸漬する。
さらに、テスト基板をピンセットで保持して第２リンス槽に挿入し、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら１分間浸漬する。
最後に、テスト基板を窒素パージし乾燥する。

＜洗浄性の評価（フラックス除去性）＞
洗浄後、テスト基板を卓上顕微鏡 Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ ＴＭ３０３０ （株式会社日立ハイテクノロジーズ製）で観察し、任意の９ポイントの半田バンプ上に残存するフラックス残渣の有無を目視確認し、フラックス残渣が残る半田バンプの個数を数えた。結果を表２に示す。
さらに、テスト基板を光学顕微鏡ＶＨＸ－２０００（株式会社キーエンス製）で観察し、半田バンプ近傍に残存するフラックス残渣の有無を目視確認し、半田バンプ近傍にフラックス残渣が残る半田バンプの個数を数えた。結果を表２に示す。

＜洗浄性の評価（錫除去性）＞
リフロー時に半田バンプ近傍に発生する酸化錫に対する洗浄性を確認するため、酸化錫の溶解性及び溶解後の再析出抑制性を以下の方法で評価した。
５０ｍＬガラスビーカーに洗浄剤組成物２０ｇを添加し、酸化錫（ＩＶ）を１ｇ添加、２５℃にて、撹拌子を用いて３時間攪拌した。その後、遠心分離により、未溶解酸化錫（ＩＶ）を沈降させた上澄みを、１－メチル－２－ピロリドンで２倍に希釈し、測定液を得た。測定液中のＳｎ濃度をＩＣＰ発光分光分析装置（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、Ａｇｉｌｅｎｔ ５１１０ ＩＣＰ－ＯＥＳ）を用いて測定し、洗浄剤組成物中へのＳｎ溶解量（ｐｐｍ）を算出した。結果を表２に示す。

＜洗浄性の評価（ロジン酸溶解性）＞
フラックスの親和性を確認するため、フラックスの成分として用いられるロジン酸の溶解性を以下の方法で評価した。
５０ｍＬガラスビーカーに洗浄剤組成物１００ｇとロジン酸を１ｇ添加し、超音波洗浄槽を用い、周波数４０ｋＨｚに設定し出力を２００Ｗの条件で、２５℃で１時間超音波処理を行った。ロジン酸が溶解した場合はさらにロジン酸を１ｇ添加し、同様の操作を行った。この操作をロジン酸が未溶解になるまで繰り返し行うことで、溶解度を見積もった。溶解度が高いほど、ロジン系フラックス除去性に優れると評価できる。ロジン系フラックス除去性の観点から、溶解度は４０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、５５質量％以上が更に好ましく、６０質量％以上が更に好ましいと評価できる。
［評価基準］
Ａ：溶解度が６０質量％以上
Ｂ：溶解度が５０質量％以上６０質量％未満
Ｃ：溶解度が４０質量％以上５０質量％未満
Ｄ：溶解度が４０質量％未満

上記表２に示すとおり、実施例１～１８の洗浄剤組成物は、成分Ａ～Ｃの少なくとも１つが配合されていない比較例１～１０に比べて、安定な液状態を確保しつつ、フラックス除去性及び錫除去性に優れていた。さらに、実施例１～９、１２、１４～１８の洗浄剤組成物は、ロジン酸の溶解度が５０質量％以上と高く、実施例１０～１１、１３に比べて、ロジン系フラックス除去性に優れることが分かった。

本開示の洗浄剤組成物を用いることにより、フラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。

Claims (14)

1. 溶剤（成分Ａ）と、
   ハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）が７．８以下であるアミン（成分Ｂ）と、
   下記式（ＶＩ）で表されるジホスホン酸（成分Ｃ）と、を含有する、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
   

   

   上記式（ＶＩ）において、Ｘは炭素数１以上６以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基である。
2. 溶剤（成分Ａ）と、
   ハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）が７．８以下であるアミン（成分Ｂ）と、
   下記式（ＶＩ）で表されるジホスホン酸（成分Ｃ）と、を配合してなる、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
   

   

   上記式（ＶＩ）において、Ｘは炭素数１以上６以下のアルキレン基又はヒドロキシアルキレン基である。
3. 成分Ｂと成分Ｃのモル比Ｂ／Ｃが、４以上４０以下である、請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物。
4. 成分Ａの含有量が７０質量％以上９９．５質量％以下であり、
   成分Ｂの含有量が０．２質量％以上１５質量％以下であり、
   成分Ｃの含有量が０．１質量％以上３質量％以下である、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
5. 溶剤（成分Ａ）は、下記式（Ｉ）で表される化合物、下記式（ＩＩ）で表される化合物及び下記式（ＩＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の溶剤である、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
   Ｒ¹－Ｏ－（ＡＯ）_n－Ｒ² （Ｉ）
   上記式（Ｉ）において、Ｒ¹はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ²は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、ｎはＡＯの付加モル数であり、１以上３以下の整数である。
   Ｒ³－ＣＨ₂ＯＨ （ＩＩ）
   上記式（ＩＩ）において、Ｒ³はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基である。
   

   

   上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上８以下の炭化水素基、炭素数１以上３以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基である。
6. アミン（成分Ｂ）は、下記式（ＩＶ）又は（Ｖ）で表されるアミンである、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
   

   

   上記式（ＩＶ）において、Ｒ⁸は水素原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基であり、Ｒ⁹及びＲ¹⁰はそれぞれ独立に炭素数１以上６以下のアルキル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。
   

   

   上記式（Ｖ）において、Ｒ¹¹は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、Ｒ¹²は水素原子又はメチル基である。
7. 水（成分Ｄ）をさらに含む、請求項１から６のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
8. 成分Ｄの含有量は２０質量％以下である、請求項７に記載の洗浄剤組成物。
9. 成分Ｄの含有量は１質量％以上である、請求項７又は８に記載の洗浄剤組成物。
10. 成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）が、５以上６０以下である、請求項１から９のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
11. 成分Ｂが、ジブチルモノエタノールアミン、ブチルジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、ジメチルベンジルアミン、１，２－ジメチルイミダゾール及び１－イソブチル－２－メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種である、請求項１から１０のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
12. フラックス残渣を有する被洗浄物を請求項１から１１のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法。
13. 被洗浄物が、半田付け電子部品の製造中間物である、請求項１２に記載の洗浄方法。
14. 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを請求項１２又は１３に記載の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法。