JP2021042327A - フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】一態様において、フラックス除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。【解決手段】本開示は、一態様において、芳香族アルコール（成分Ａ）及びアルカノール第４級アンモニウム塩（成分Ｂ）を含有する、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。【選択図】なし

Description

本開示は、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、該洗浄剤組成物を用いた洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。

プリント配線基板等の電子基板に電子部品を実装する際、一般的にはんだ接合が行われる。近年、電子機器の処理速度向上、省エネルギー化、環境汚染物質排出抑制といった観点から、１）半田金属の鉛フリー化、２）配線や半田バンプの微細化、３）機器の軽量化や省資源化のため配線基板等の薄化の方向へ技術革新が進んでいる。とりわけ、１)半田金属の鉛フリー化においては、その結果として、半田金属の融点の上昇に伴い、リフロー温度の高温化する。これにより、フラックスが劣化や重合しやすくなり、除去しにくくなった。このような背景により、高温リフロー後の有機物残渣に対しても良好な洗浄性を示す洗浄剤が求められる。

例えば、特許文献１には、ベンジルアルコール又は２−フェニルエチルアルコールを７０重量％以上含有する洗浄剤組成物が提案されている。そして、実施例ではベンジルアルコール及びポリオキシアルキレンを有する界面活性剤からなる洗浄剤組成物が開示されている。
特許文献２には、特定のアミン（成分Ａ）、特定のグリコールエーテル（成分Ｂ）、特定のポリオキシエチレンアルキルエーテル（成分Ｃ）、特定のグリセリルエーテル（成分Ｄ）、芳香族アルコール（成分Ｅ）及び水（成分Ｆ）を含有し、各成分が特定範囲であるフラックス用洗浄剤組成物が提案されている。そして、実施例では、Ｎ−メチルエタノールアミン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ポリオキシエチレン２−エチルヘキシルエーテル、２−エチルヘキシルグリセリルエーテル、ベンジルアルコール及び水からなる洗浄剤組成物が開示されている。
特許文献３には、特定の第４級アンモニウム塩と、ヒドラジンとを含有する水溶液であるフラックス洗浄剤が提案されている。そして、実施例としてテトラメチルアンモニウムとヒドラジンとを含有するフラックス洗浄剤及び水酸化トリメチル−２ヒロロキシエチルアンモニウムとヒドラジンとを含有するフラックス洗浄剤が開示されている。
特許文献４には、水酸化第４級アンモニウム塩と、水とを含む水性フラックス洗浄剤が提案されている。そして、実施例ではテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液及びコリン水溶液でロジン系フラックス残渣を洗浄したことが開示されている。

特開平３−１４０４８６号公報 特開２０１７−１１５０３３号公報 特開平７−１６６１９６号公報 特開平２−２９２３９９号公報

近年、配線や半田バンプの微細化によって、半導体パッケージ等の部品が高密度に搭載される。そして、部品の高密度搭載により、基板を搭載した機器の使用時には基板温度が高温になるため、部品を接続する半田には高温に耐え得る溶融温度が高い半田が用いられる。そして、半田バンプの微小化や半田溶融時の従来より高い温度によるフラックスの変性により、上記特許文献に開示されている洗浄剤組成物では、フラックス残渣の除去性（フラックス除去性）が不足し、洗浄性が十分であるとは言えなくなっている。

そこで、本開示は、フラックス除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法及び電子部品の製造方法を提供する。

本開示は、一態様において、芳香族アルコール（成分Ａ）及びアルカノール第４級アンモニウム塩（成分Ｂ）を含有する、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。

本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法に関する。

本開示は、一態様において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを本開示の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法に関する。

本開示によれば、フラックス除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供できる。

本発明者らは、芳香族アルコールを含有する洗浄剤組成物において、特定のアルカリ化合物を含有させると、半田金属の腐食を抑制しつつ良好なフラックス残渣の洗浄性が得られることを見出した。本開示は、芳香族アルコール（成分Ａ）及びアルカノール第４級アンモニウム塩（成分Ｂ）を含有する洗浄剤組成物をフラックス残渣除去に用いることにより、従来よりもフラックス残渣の除去性が向上するという知見に基づく。

すなわち、本開示は、一態様において、芳香族アルコール（成分Ａ）及びアルカノール第４級アンモニウム塩（成分Ｂ）を含有する、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物（以下、「本開示の洗浄剤組成物」ともいう）に関する。本開示によれば、一態様において、フラックス除去性に優れるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物が得られうる。さらに、本開示によれば、半田金属への腐食等の影響を抑制できる（防食性を有する）フラックス残渣除去用洗浄剤組成物が得られうる。

本開示において「フラックス」とは、電極や配線等の金属と半田金属との接続を妨げる酸化物を取り除き、前記接続を促進するために用いられる、半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスやロジンを含まない水溶性フラックス等をいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。本開示において「フラックス残渣」とは、フラックスを用いて半田バンプを形成した後の基板、及び／又はフラックスを用いて半田付けをした後の基板等に残存するフラックス由来の残渣をいう。例えば、回路基板上に他の部品（例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板等）が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間（隙間）が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフロー等により半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。本開示において「フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田バンプを形成及び／又は半田付けした後のフラックス残渣を除去するための洗浄剤組成物をいう。本開示に係る洗浄剤組成物による洗浄性の顕著な効果発現の点から、半田は錫を含有する鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。

［芳香族アルコール（成分Ａ）］
本開示の洗浄剤組成物における芳香族アルコール（以下、「成分Ａ」ともいう）としては、芳香環及び水酸基を有する化合物であればよい。フラックス除去性向上の観点から、芳香族アルコールの炭素数は、７以上が好ましく、そして、１０以下が好ましく、９以下がより好ましい。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

成分Ａの具体例としては、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、４−メチルベンジルアルコール、４−エチルベンジルアルコール、２−フェニル−１−プロパノール、及び２−フェニル−２−プロパノールから選ばれる少なくとも１種が挙げられ、フラックス除去性向上の観点から、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール及び４−エチルベンジルアルコールから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ベンジルアルコールがより好ましい。

本開示の洗浄剤組成物における成分Ａの含有量は、フラックス除去性向上の観点から、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上がさらに好ましく、そして、８５質量％以下が好ましく、８２質量％以下がより好ましく、より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Ａの含有量は、３０質量％以上８５質量％以下が好ましく、５０質量％以上８５質量％以下がより好ましく、７０質量％以上８２質量％以下がさらに好ましい。成分Ａが２種以上の組合せである場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。

本開示の洗浄剤組成物は、成分Ａ以外の有機溶剤を含有することができるが、フラックス除去性向上の観点から、成分Ａは、全有機溶剤中、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上がさらに好ましい。

［アルカノール第４級アンモニウム塩（成分Ｂ）］
本開示の洗浄剤組成物におけるアルカノール第４級アンモニウム塩（以下、「成分Ｂ」ともいう）としては、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム塩が挙げられる。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

式（Ｉ）中、Ｒ¹は、炭素数が１以上２以下のアルキル基であり、Ｒ²及びＲ³はそれぞれ独立に、炭素数が１以上２以下のアルキル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒ⁴は、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。フラックス除去性向上の観点から、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立に、炭素数が１以上２以下のアルキル基であり、Ｒ³及びＲ⁴はそれぞれ独立に、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。前記アルキル基の炭素数としては、フラックス除去性向上の観点から、１以上２以下が好ましい。Ｘ^-は、陰イオンである。陰イオンとしては、例えば、ヒドロキシドイオンが挙げられる。

成分Ｂの具体例としては、例えば、ジメチルジエタノールアンモニウム塩（ビス（２‐ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウム塩）、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム塩（コリン）、メチルトリエタノールアンモニウム塩等が挙げられ、フラックス除去性向上の観点から、ジメチルジエタノールアンモニウム塩が好ましい。塩の対イオンとしては、水酸化物イオンが挙げられる。成分Ｂとしては、例えば、ジメチルジエタノールアンモニウムヒドロキシドが挙げられる。

本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量は、フラックス除去性向上の観点から、３質量％以上が好ましく、４質量％以上がより好ましく、７質量％以上がさらに好ましく、そして、半田金属の腐食抑制の観点から、１５質量％以下が好ましく、１３質量％以下がより好ましく、１１質量％以下がさらに好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量は、３質量％以上１５質量％以下が好ましく、４質量％以上１３質量％以下がより好ましく、７質量％以上１１質量％以下がさらに好ましい。成分Ｂが２種以上の組合せである場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。

本開示の洗浄剤組成物は、成分Ｂ以外の塩基性物質を含有することができるが、フラックス除去性向上の観点から、成分Ｂは、全塩基性物質中、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上がさらに好ましい。

本開示の洗浄剤組成物において、成分Ａと成分Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）は、フラックス除去性向上の観点から、２以上が好ましく、４以上がより好ましく、６以上がさらに好ましく、そして、２０以下が好ましく、１８以下がより好ましく、１６以下がさらに好ましい。より具体的には、質量比（Ａ／Ｂ）は、２以上２０以下が好ましく、２以上１８以下がより好ましく、４以上１６以下がさらに好ましく、６以上１６以下がさらに好ましい。

本開示の洗浄剤組成物において、成分Ａと成分Ｂの合計の含有量は、フラックス除去性向上の観点から、５０質量％以上が好ましく、６５質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましく、そして、９９質量％以下が好ましく、９５質量％以下がより好ましく、９０質量％以下がさらに好ましい。

［成分Ｃ：水］
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、水（以下、「成分Ｃ」ともいう）をさらに含むことができる。成分Ｃとしては、イオン交換水、ＲＯ水（逆浸透膜処理水）、蒸留水、純水、超純水等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量は、引火点を下げ取り扱い性を向上する観点から、１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましく、８質量％以上がさらに好ましく、そして、フラックス除去性向上の観点から、２５質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１２質量％以下がさらに好ましく、１０質量％以下がよりさらに好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量は、１質量％以上２５質量％以下が好ましく、１質量％以上１５質量％以下がより好ましく、５質量％以上１２質量％以下がさらに好ましく、８質量％以上１０質量％以下がよりさらに好ましい。

［その他の成分］
さらに、その他の成分として、本開示の洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、キレート力を持つ化合物、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等の成分Ａ以外の水溶性有機溶媒、ベンゾトリアゾール等の防錆剤、増粘剤、分散剤、成分Ｂ以外の塩基性物質、高分子化合物、カプリル酸等の可溶化剤、防腐剤、殺菌剤、抗菌剤、消泡剤、酸化防止剤を適宜含有することができる。本開示の洗浄剤組成物におけるその他の成分の含有量は、０質量％以上４２質量％以下が好ましく、０質量％以上３０質量％以下がより好ましく、０質量％以上２０質量％以下がさらに好ましく、０質量％以上７質量％以下がさらに好ましい。本開示の洗浄剤組成物における成分Ａ以外の水溶性有機溶媒の含有量は、０質量％以上４０質量％以下が好ましく、０質量％以上２５質量％以下がより好ましく、０質量％以上１５質量％以下がさらに好ましく、０質量％以上５質量％以下がさらに好ましい。

［洗浄剤組成物の製造方法］
本開示の洗浄剤組成物は、例えば、成分Ａ及び成分Ｂ、並びに、必要に応じて上述した成分Ｃ及びその他の成分を公知の方法で配合することにより製造できる。一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物は、少なくとも成分Ａと成分Ｂとを配合してなるものとすることができる。したがって、本開示は、一態様において、少なくとも成分Ａ及び成分Ｂを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、及び必要に応じて成分Ｃ及びその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の配合量は、上述した本開示の洗浄剤組成物の各成分の含有量と同じとすることができる。本開示において「洗浄剤組成物中の各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物を洗浄に使用する時点での前記各成分の含有量をいう。

［洗浄剤組成物のｐＨ］
本開示の洗浄剤組成物は、フラックス除去性を向上させる点から、アルカリ性であることが好ましく、例えば、ｐＨが８以上１４以下であることが好ましい。ｐＨは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の成分Ｂ以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。本開示において洗浄剤組成物のｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物の使用時のｐＨである。

［被洗浄物］
本開示の洗浄剤組成物は、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に使用される。フラックス残渣を有する被洗浄物としては、例えば、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられる。被洗浄物の具体例としては、例えば、電子部品及びその製造中間物が挙げられ、具体的には、半田付け電子部品及びその製造中間物が挙げられ、より具体的には、部品が半田で半田付けされた電子部品及びその製造中間物、部品が半田を介して接続されている電子部品及びその製造中間物、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物、半田を介して接続されている部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物等が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、フラックスを使用した半田付けにより、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品が搭載された回路基板、及び／又は、前記部品を半田接続するための半田バンプが形成された回路基板を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品（半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板等）との間に形成される空間であって、その高さ（部品間の距離）が、例えば、５〜５００μｍ、１０〜２５０μｍ、或いは２０〜１００μｍの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極（ランド）の大きさや間隔に依存する。

［洗浄方法］
本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に接触させることを含む、フラックス残渣を除去するための洗浄方法（以下、「本開示の洗浄方法」ともいう）に関する。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示の洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、例えば、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。さらに、同様の観点から、本開示の洗浄方法は、国際公開第２００６／０２５２２４号、特公平６−７５７９６号公報、特開２０１４−１４４４７３号公報、特開２００４−２３０４２６号公報、特開２０１３−１８８７６１号公報、特開２０１３−１７３１８４号公報等に記載されているフラックスを用いて半田接続した電子部品に対して使用することが好ましい。本開示の洗浄方法は、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示の洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波の周波数としては、同様の観点から、２６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗが好ましく、３６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗがより好ましい。

［電子部品の製造方法］
本開示は、一態様において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを本開示の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法（以下、「本開示の電子部品の製造方法」ともいう）に関する。フラックスを使用した半田付けは、例えば、鉛フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を用いて洗浄を行うことにより、半田付けされた部品の隙間や半田バンプの周辺等に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。さらに、本開示の洗浄方法を用いて洗浄を行うことにより、半田付けされた部品の隙間等に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。

［キット］
本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法及び／又は本開示の電子部品の製造方法に使用するためのキット（以下、「本開示のキット」ともいう）に関する。本開示のキットは、一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物を製造するためのキットである。

本開示のキットの一実施形態としては、前記成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されていない状態で含み、第１液と第２液とが使用時に混合されるキット（２液型洗浄剤組成物）が挙げられる。前記第１液及び第２液には、各々必要に応じて上述した成分Ｃ及びその他の成分が含まれていても良い。前記第１液及び第２液の少なくとも一方は、一又は複数の実施形態において、成分Ｃの一部又は全部を含有することができる。一又は複数の実施形態において、前記第１液と第２液とが混合された後、必要に応じて成分Ｃ（水）で希釈されてもよい。

以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。

１．洗浄剤組成物の調製（実施例１〜３、比較例１〜４）
１００ｍＬガラスビーカーに、下記表１に記載の組成となるように各成分を配合し、下記条件で混合することにより、実施例１〜３及び比較例１〜４の洗浄剤組成物を調製した。各洗浄剤組成物のｐＨは、実施例１〜３及び比較例２〜４がｐＨ１４、比較例１がｐＨ７であった。表１中の各成分の数値は、断りのない限り、調製した洗浄剤組成物における含有量（質量％）を示す。ｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物のｐＨであり、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）の電極を洗浄剤組成物に浸漬して３分後の数値を測定した。
＜混合条件＞
液温度：２５℃
攪拌機：マグネチックスターラー（５０ｍｍ回転子）
回転数：３００ｒｐｍ
攪拌時間：１０分

洗浄剤組成物の成分として下記のものを使用する。
（成分Ａ）
ベンジルアルコール［ランクセス株式会社製］
（成分Ｂ）
ジメチルジエタノールアンモニウムヒドロキシド［東京化成工業株式会社製］
（非成分Ｂ）
水酸化カリウム（ＫＯＨ）［富士フイルム和光純薬株式会社］
メチルジエタノールアミン［日本乳化剤株式会社製、アミノアルコールＭＤＡ］
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド［東京化成工業株式会社製］
モノエタノールアミン［東京化成工業株式会社製］
（成分Ｃ）
水［オルガノ株式会社製純水装置Ｇ−１０ＤＳＴＳＥＴで製造した１μＳ/ｃｍ以下の純水］
（その他の成分）
ジエチレングリコールモノブチルエーテル［日本乳化剤株式会社製、ブチルジグリコール（ＢＤＧ）］（水溶性有機溶媒）
カプリル酸［花王株式会社］（可溶化剤）
ベンゾトリアゾール［東京化成工業株式会社製、１，２，３−ベンゾトリアゾール］（防錆剤）

２．洗浄剤組成物の評価
調製した実施例１〜３及び比較例１〜４の洗浄剤組成物を用いて洗浄性、及び防食性について試験を行い、評価した。

＜テスト基板＞
半田バンプとなる部分を１０個有する銅配線プリント基板（１０ｍｍ×１５ｍｍ）上に、スクリーン版を用いて下記ソルダーペースト１又は２を塗布する。窒素雰囲気下３００℃でリフローすることでテスト基板を作製する。

＜フラックスの組成＞
完全水添ロジン（イーストマンケミカル社製、Ｆｏｒａｌ ＡＸ−Ｅ）５８．０質量％
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩（株式会社ワコーケミカル製）０．５質量％
アジピン酸（富士フィルム和光純薬株式会社製）０．５質量％
硬化ヒマシ油（豊国製油株式会社製）６．０質量％
ヘキシルグリコール（日本乳化剤株式会社製）３５．０質量％

＜フラックスの製造方法＞
溶剤のヘキシルグリコールに残りの他の成分を添加して溶解することにより、前記組成のフラックスを得た。

＜ソルダーペーストの製造方法＞
ソルダーペースト１には、上記のフラックス１１．０ｇとはんだ粉末［千住金属工業株式会社製、Ｓｎ／Ｓｂ＝９５／５）］８９．０ｇを１時間混練して調製したものを用いた。
ソルダーペースト２には、市販のソルダーペースト［千住金属工業株式会社製、ＯＺ295-162Ｆ-50-８］を用いた。

＜洗浄試験＞
洗浄試験は、以下の手順にて行った。
まず、超音波洗浄槽、第１リンス槽、第２リンス槽を以下の条件で準備する。
超音波洗浄槽は、周波数４０ｋＨｚに設定し出力を２００ｗとする。５０ｍＬガラスビーカーに各洗浄剤組成物を５０ｇ添加し、超音波洗浄層に入れて、６０℃に加温することにより得た。第１リンス槽及び第２リンス槽は、５０ｍｍ回転子を一つ入れた１００ｍＬガラスビーカーを二つ用意し、それぞれに純水１００ｇを添加し、温浴に入れて、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら４０℃に加温することにより得た。
次に、ソルダーペースト１又は２を用いたテスト基板をピンセットで保持して、前記超音波洗浄槽へ挿入し、５分間浸漬する。次に、テスト基板をピンセットで保持して第１リンス槽に挿入し、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら３分間浸漬する。
さらに、テスト基板をピンセットで保持して第２リンス槽に挿入し、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら３分間浸漬する。
最後に、テスト基板を窒素パージし乾燥する。

［洗浄性の評価（フラックス除去性）］
洗浄試験後のテスト基板を光学顕微鏡ＶＨＸ−２０００（株式会社キーエンス製）で観察し、半田バンプ近傍に残存するフラックス残渣の有無を目視確認し、半田バンプ近傍にフラックス残渣が残る半田バンプの個数を数えた。結果を表１に示す。

［防食性の評価］
洗浄性（フラックス除去性）の評価を行った後のテスト基板上の半田金属を光学顕微鏡ＶＨＸ-２０００（株式会社キーエンス製）及び卓上顕微鏡 Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ ＴＭ３０３０ （株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を用いて腐食等の有無を目視観察し、下記の評価基準で半田金属への影響を評価する。その結果、実施例１〜３、比較例１〜４のいずれも、腐食等は観察されなかった。

上記表１に示すとおり、芳香族アルコール（成分Ａ）及びアルカノール第４級アンモニウム塩（成分Ｂ）を含む実施例１〜３の洗浄剤組成物は、成分Ａ及び／又は成分Ｂを含まない比較例１〜４に比べて、フラックス除去性に優れていた。

本開示を用いることにより、フラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、電子部品の生産性を向上できる。

Claims (9)

1. 芳香族アルコール（成分Ａ）及びアルカノール第４級アンモニウム塩（成分Ｂ）を含有する、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
2. アルカノール第４級アンモニウム塩（成分Ｂ）は、下記式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム塩である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
   

   

   式（Ｉ）中、Ｒ¹は、炭素数が１以上２以下のアルキル基であり、Ｒ²及びＲ³はそれぞれ独立に、炭素数が１以上２以下のアルキル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒ⁴は、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種であり、Ｘ^-は、陰イオンである。
3. 前記式（Ｉ）において、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ独立に、炭素数が１以上２以下のアルキル基であり、Ｒ³及びＲ⁴はそれぞれ独立に、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である、請求項２に記載の洗浄剤組成物。
4. 芳香族アルコール（成分Ａ）の含有量が、３０質量％以上８５質量％以下である、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
5. アルカノール第４級アンモニウム塩（成分Ｂ）の含有量が、３質量％以上１５質量％以下である、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
6. 水（成分Ｃ）をさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
7. フラックス残渣を有する被洗浄物を請求項１から６のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法。
8. 被洗浄物が、半田付け電子部品の製造中間物である、請求項７に記載の洗浄方法。
9. 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを請求項７又は８に記載の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法。