JP2016058587A

JP2016058587A - 回路基板の製造方法

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Publication number: JP2016058587A
Application number: JP2014184509A
Authority: JP
Inventors: 純長沼; Jun Naganuma
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 2014-09-10
Filing date: 2014-09-10
Publication date: 2016-04-21
Anticipated expiration: 2034-09-10
Also published as: JP6316713B2

Abstract

【課題】樹脂マスク層の除去性が向上した回路基板の製造方法の提供
【解決手段】一態様において、下記工程（１）〜（６）を含む回路基板１の製造方法。（１）はんだ付け部が設けられた基板１表面に対して樹脂マスク層４を形成する工程。（２）樹脂マスク層にはんだ付け部が露出するように開口部７を形成する工程。（３）開口部にはんだバンプ形成材料５を充填する工程。（４）はんだバンプ形成材料を加熱して溶融させてはんだ付け部にはんだバンプ６を固定させる工程。（５）工程（４）で得られた基板を、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン、及び（成分ｃ）水を含有する洗浄剤組成物１を用いて洗浄する工程。（６）工程（５）で得られた基板を、（成分Ａ）ＤＭＳＯ、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）アミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物、及び（成分Ｄ）水を含有する洗浄剤組成物２を用いて洗浄する工程。
【選択図】図１

Description

本開示は、回路基板の製造方法に関する。

近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、高密度化の要求が年々増しており、かかる要求を満たす方式としてベアチップ実装方式が注目されている。ベアチップ実装方式においては、チップと基板配線との電気的接続をワイヤボンディングを介して達成する従来のフェイスアップ実装に代わり、金属バンプを介して達成するフェイスダウン実装が広く採用される傾向にある。金属バンプを介してフェイスダウン実装する、いわゆる金属バンプ法によると、電子部品間に低抵抗な接続を形成することが期待できる。

特許文献１には、固相線温度と液相線温度の間に固液共存の温度領域を有する組成の金属を含むバンプ形成材料を、開口部に充填する工程と、前記固相線温度以上であって、前記液相線温度未満に加熱する工程と、前記固相線温度未満に冷却する工程と、樹脂膜を除去した後、前記液相線温度以上に加熱する工程と、を含むバンプ形成方法が開示されている。そして、樹脂膜を除去する剥離液として、水酸化ナトリウム水溶液などのような強アルカリの剥離液、モノエタノールアミン水溶液や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液などの有機アルカリ剥離液が挙げられている。

特許文献２には、析出型はんだ組成物を加熱処理して、はんだを前記電極の表面に析出させた後、前記樹脂マスク層を除去するにあたり、グリコールエーテル類およびアミノアルコール類から選ばれる少なくとも１種を用いて、加熱処理後の前記樹脂マスク層を除去することを特徴とする樹脂マスク層の除去方法が開示されている。

特許文献３には、フォトレジストの剥離液として、特定の第四級アンモニウム水酸化物、水溶性アミンおよびヒドロキシルアミン類を含有する水溶液からなる剥離液が開示されている。

特開２００２−３３４８９５号公報特開２００６−１１４７３５号公報特開２００２−６２６６８号公報

金属バンプ法においては、バンプ形成のために用いた樹脂マスク層（樹脂膜）の除去率の向上が望まれている。基板表面に樹脂マスク層（樹脂膜）が残存すると良好な電子部品実装を行うことが困難となってしまうからである。特許文献２は樹脂マスク層の除去方法を開示するが、よりいっそう除去性が向上する方法が望まれている。

特許文献１では、樹脂膜が加熱処理を受けると洗浄性が低下するために、バンプ形成材料を溶融させる前に剥離剤で樹脂膜を除去する方法を開示する。しかし、この方法では低温加熱、冷却、高温加熱の温度制御が必要となる。作業の簡便性の点からは、一回の加熱処理でバンプを形成し、その後に洗浄する方法が望ましい。

そこで、本開示は、一態様において、加熱処理された樹脂マスク層（樹脂膜）の残留が低減された回路基板の製造方法を提供する。

本発明は、一態様において、下記の工程（１）〜（６）を含む回路基板の製造方法に関する。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面に対して樹脂マスク層を形成する工程。
工程（２）：前記樹脂マスク層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程。
工程（３）：前記開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程。
工程（４）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（５）：工程（４）で得られた基板を、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン、及び（成分ｃ）水を含有する洗浄剤組成物１を用いて洗浄する工程。
工程（６）：工程（５）で得られた基板を、（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物、及び（成分Ｄ）水を含有する洗浄剤組成物２を用いて洗浄する工程。

本開示に係る回路基板の製造方法によれば、樹脂マスク層（樹脂膜）を用いて回路基板のはんだ付け部（例えば、電極など）にはんだバンプを固定化する場合において、はんだバンプの加熱処理（リフロー）後の樹脂マスク層（樹脂膜）の除去を促進でき、はんだ接続信頼性を向上させうる、という効果が奏され得る。

本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を示す概略工程説明図である。

本開示は、一態様において、樹脂マスク法によりはんだ付け部にはんだバンプを形成した後、加熱処理された樹脂マスク層を剥離する場合に、所定の洗浄剤組成物１で洗浄した後、ジメチルスルホキシドとグリコールエーテル類とアミン化合物と水からなる洗浄剤組成物２を用いることで、加熱によって剥離しにくくなった樹脂マスク層を効率良く除去することができ、これにより、はんだ接続信頼性を向上させることができるという知見に基づく。

すなわち、本開示は、一態様において、前記工程（１）〜（６）を含む回路基板の製造方法に関する。

本開示に係る回路基板の製造方法において樹脂マスク層の除去性が向上する作用機構は明らかではないが以下のように推察される。洗浄剤組成物１は、はんだペーストやフラックス成分に含まれる酸成分や加熱により高分子量化した樹脂マスク（レジストフィルム）の樹脂の結合を切断することで低分子量化する。そして、ジメチルスルホキシドとグリコールエーテル類とアミン化合物と水からなる洗浄剤組成物２を用いることで低分子量化したレジストフィルムを溶解除去できると考えられる。そのため洗浄剤組成物１と洗浄剤組成物２の順番を変えた場合、高分子量化したレジストフィルムは洗浄剤組成物ではアルカリ成分が弱く低分子量化せずに洗浄剤組成物２に対して難溶化しているため除去できず残存してしまう。また、洗浄剤組成物１だけでは低分子量化しても洗浄剤組成物１との相溶性が悪く溶解できずに残存してしまうと推定される。

本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を図１に基づいて説明する。図１は、本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を示す概略工程説明図である。図１（ａ）に示すように、基板１の表面にソルダレジスト膜３（絶縁層）が形成され強固に固定される。ソルダレジスト膜３に形成した開口部７から電極２が露出している基板１の表面に、露光により電極２の部分を除いてレジストフィルムにて樹脂マスク層４を形成する。ついで図１（ｂ）に示すように、基板１の表面にはんだバンプ形成材料５を塗布する。あるいは、はんだバンプ形成材料のかわりに、はんだボールを前記開口部７に配置してもよい。ついで、加熱して、図１（ｃ）に示すように、はんだを前記電極２の表面に析出させ、はんだバンプ６を形成する。そして、図１（ｄ）に示すように樹脂マスク層４を洗浄剤組成物で洗浄して、はんだバンプ６が形成された回路基板１を得る。なお、一又は複数の実施形態において、必要に応じて図１（ｅ）に示すようにはんだバンプ６のフラッタニングを行う。

［工程（１）］
工程（１）は、はんだ付け部が設けられた基板表面に対して樹脂マスク層を形成する工程である。はんだ付け部が設けられた基板は、一又は複数の実施形態において、はんだバンプを形成すべきはんだ付け部が設けられた回路基板が挙げられ、前記はんだ付け部は、一又は複数の実施形態において、電極部である。前記基板は、一又は複数の実施形態において、図１（ａ）に示す通り、基板１の表面がソルダレジスト膜３に覆われ、電極部２が表面に露出している形態が挙げられ、ソルダレジスト膜３は基板１の表面に強固に固定されている。ソルダレジスト膜３としては、限定されない一又は複数の実施形態において、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系などの樹脂が使用される。また、ソルダレジスト膜３は、工程（２）の前に電極部２を露出させるために開口部が形成されてもよく、或いは、工程（２）と同時又はその後に電極部２を露出させるために開口部が形成されてもよい。

樹脂マスク層を形成する樹脂材料としては、一又は複数の実施形態において、均一な厚膜形成の観点からフィルム状の感光性樹脂を用いることが好ましく、レジストフィルムがより好ましい。レジストフィルムは、汎用のものを使用できる。

樹脂マスク層の厚みは、一又は複数の実施形態において、析出はんだによりバンプを形成するために必要とされるはんだ析出量の観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは３０μｍ以上である。また、樹脂マスク層の厚みは、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク層を底部まで硬化させる観点から、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。

［工程（２）］
工程（２）は、工程（１）で形成した樹脂マスク層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程である。開口部の形成は、一又は複数の実施形態において、露光・現像処理により行うことができる。また、工程（２）は、一又は複数の実施形態において、ソルダレジスト膜の開口部を同時又は引き続いて露光・現像処理により形成してもよい。工程（２）により、図１（ａ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１の表面にソルダレジスト膜３及び樹脂マスク層４が形成され、これらソルダレジスト膜３及び樹脂マスク層４に形成された開口部７から電極部２が露出している基板が得られうる。

［工程（３）］
工程（３）は、工程（２）で形成した開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程である。はんだバンプ形成材料は、一又は複数の実施形態において、はんだペーストであり、例えば、ペースト印刷法で充填されうる。また、はんだバンプ形成材料は、一又は複数の実施形態において、はんだボールであって、例えば、ボール搭載法によって充填されうる。

はんだペーストとしては、一又は複数の実施形態において、（ａ）錫粉末と、鉛、銅、銀等の金属塩とを含有したはんだペースト、あるいは（ｂ）錫粉末と、銀イオン及び銅イオンから選ばれる少なくとも一種と、アリールホスフィン類、アルキルホスフィン類及びアゾール類から選ばれる少なくも一種との錯体とを含有したはんだペーストが挙げられる。上記（ａ）の金属塩と（ｂ）の錯体とは混合して使用することもできる。なお、錫粉末というときは、金属錫粉末の他、例えば銀を含有する錫−銀系の錫合金粉末や銅を含有する錫−銅系の錫合金粉末なども含むものとする。前記金属塩としては、有機カルボン酸塩、有機スルホン酸塩などが挙げられる。

はんだバンプ形成材料に含有されるはんだ合金は、典型的には錫ベースのはんだ合金であるが、例えば、インジウム系合金などの非錫系はんだ合金も、本開示において使用できる。従来の一般的な錫−鉛共晶はんだ合金の粒子も使用できるが、好ましくは鉛フリーはんだ合金の粒子を使用する。好ましい鉛フリーはんだ合金としては、錫−銀系、錫−銅系、錫−銀−銅系などが例示される。代表的組成例を挙げると次の通りである（％は質量％）：
Ｓｎ：残部、Ａｇ：０．３％、Ｃｕ：０．５％
Ｓｎ：残部、Ａｇ：３．５％、Ｃｕ：０．７％
Ｓｎ：残部、Ａｇ：３．５％
Ｓｎ：残部、Ｃｕ：０．７％。

はんだペーストには、さらにフラックス成分や溶剤を混合することもできる。フラックス成分としては、通常、錫−鉛系、錫−銀系、錫−銅系などのはんだ材料に使用されるものを用いることができ、溶剤としては組成物中の他の成分を溶解し、粘度や濃度を調整することができるものであれば、特に限定されるものではない。工程（３）により、図１（ｂ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１の表面にソルダレジスト膜３及び樹脂マスク層４が形成され、また、回路基板１の表面の電極部２上の開口部にはんだ形成材料５が充填又は配置された回路基板１が得られうる。

［工程（４）］
工程（４）は、工程（３）で充填したはんだバンプ形成材料を加熱して溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程である。加熱温度は、一又は複数の実施形態において、２００℃以上、回路基板の耐熱性を考慮して２００℃〜２６０℃が挙げられる。はんだバンプ形成材料の液相線温度は、通常２００℃以上であり、加熱温度は、その他の一又は複数の実施形態において、前記はんだバンプ形成材料の液相線温度以上、回路基板の耐熱性を考慮して前記液相線温度以上２６０℃以下が挙げられる。加熱時間は、はんだバンプ形成材料の組成などに応じて決定され、一又は複数の実施形態において、好ましくは３０秒〜１０分程度、より好ましくは１分〜５分程度である。回路基板の生産性の観点から、一回の加熱処理でバンプを固定させることが好ましい。工程（４）により、図１（ｃ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１の表面にソルダレジスト膜３及び樹脂マスク層４が形成され、また、回路基板１の表面の電極部２上にはんだバンプ６が形成された基板が得られうる。

［工程（５）］
工程（５）は、工程（４）で得られた基板を、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン、及び（成分ｃ）水を含有する洗浄剤組成物１を用いて洗浄する工程である。一又は複数の実施形態において、洗浄の際のはんだの腐食を抑制する観点から、前記洗浄剤組成物１は、さらに、（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を含有することが好ましい。前記洗浄剤組成物１で基板を洗浄する方法としては、一又は複数の実施形態において、超音波洗浄法、スプレー法、浸漬揺動法、浸漬法、手拭き法の各種の洗浄手段が挙げられる。回路基板の種類にあわせて、これらの手段を単独で又は適宜組み合わせてもよい。回路基板への影響を抑制する観点及び洗浄性の観点からは、スプレー法、浸漬揺動法又は浸漬法が好ましい。

工程（５）における洗浄時の温度は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４０℃以上である。また、水分の蒸発を抑制する観点から、９０℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。また、工程（５）における洗浄時のｐＨは、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは１１以上、より好ましくは１２以上であり、好ましくは１４以下である。なお、本開示において、洗浄組成物１及び洗浄剤組成物２のｐＨは、２５℃における値であって、ｐＨメータを用いて測定した値である。洗浄組成物１のｐＨは、具体的には、実施例に記載の方法で測定できる。

工程（５）における洗浄時間は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から１分以上が好ましく、３分以上がより好ましく、５分以上がさらに好ましく、回路基板の製造の時間を短縮する観点から、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましい。

［洗浄剤組成物１］
工程（５）における洗浄剤組成物１は、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン及び（成分ｃ）水を含有し、選択的に（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を含有する。洗浄剤組成物１は、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン及び（成分ｃ）水、並びに選択的に（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を、例えば２５℃で混合することにより調製することができる。また、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン、及び選択的に（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を含有する濃厚液を予め調製しておき、（成分ｃ）水で希釈して洗浄剤組成物１として使用しても良い。

〔成分ａ〕
前記洗浄剤組成物１の成分ａである第四級アンモニウム水酸化物としては、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）で表されるものが挙げられる。
[(R₁)₃-N-R₂]⁺ OH^- (I)
（式中、Ｒ₁はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ₂は炭素数１〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基である。）

洗浄剤組成物１の成分ａである第四級アンモニウム水酸化物としては、一又は複数の実施形態において、カチオンとハイドロキサイドとからなる塩等が例示できる。また、カチオンとしては、一又は複数の実施形態において、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ（ｎ−又はｉ−）プロピルアンモニウム、トリメチルエチルアンモニウム等のテトラアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜６）が挙げられ、また、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム及びトリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム等のヒドロキシアルキル基を有するアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、テトラメチルアンモニウムが好ましい。第四級アンモニウム水酸化物として、具体的には、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピルアンモニウム水酸化物、トリメチルエチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物等が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、テトラメチルアンモニウム水酸化物が好ましい。洗浄剤組成物１は、一又は複数の実施形態において、一種類又は複数種類の成分ａを含有する。

洗浄剤組成物１における成分ａである第四級アンモニウム水酸化物の含有量は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは０．５質量部以上であり、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、より好ましくは０．７質量部以上である。そして、同様の観点から、洗浄剤組成物１の１００質量部中、成分ａである第四級アンモニウム水酸化物の含有量は、好ましくは３．０質量部以下であり、より好ましくは２．０質量部以下、さらに好ましくは１．５質量部以下である。

〔成分ｂ〕
前記洗浄剤組成物１の成分ｂは水溶性アミンである。水溶性アミンとしては、例えばアルキルアミン、アルカノールアミン、ポリアミン、環式アミン等が挙げられ、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、アルカノールアミンが好ましい。アルカノールアミンとしては、一又は複数の実施形態において、モノエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−ｔ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン等が例示できる。これらの中でも、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、モノエタノールアミンが好ましい。洗浄剤組成物１は、一又は複数の実施形態において、一種類又は複数種類の成分ｂを含有する。

成分ｂである水溶性アミンは、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｖ）で表されるアミン化合物が好ましい。

（式中、Ｒ₈は水素原子、水酸基、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、Ｒ₉、Ｒ₁₀はそれぞれ同一又は異なり水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₁₀は同時に水素原子とはならない。）

上記式（Ｖ）で表されるアミン化合物の具体例としては、２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上のアミン化合物が好ましく、モノエタノールアミン（ｐＫａ＝９．５５）、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．８７）、Ｎ−メチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．９５）、エチルアミノエタノール（ｐＫａ＝９．９）等のヒドロキシアルキル基を有するアミン、プロパンジアミン（ｐＫａ＝１０．６）等のアミノアルキル基を有するアミンが例示できる。これらの中でも、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、Ｎ−メチルエタノールアミン、プロパンジアミンが好ましく、Ｎ−メチルエタノールアミンがより好ましい。

洗浄剤組成物１における成分ｂである水溶性アミンの含有量は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは３．０質量部以上であり、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、より好ましくは４．０質量部以上である。そして、成分ｂである水溶性アミンの含有量は、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは１０．０質量部以下であり、同様の観点から、より好ましくは８．０質量部以下、さらに好ましくは７．０質量部以下である。

〔成分ｃ〕
前記洗浄剤組成物１の成分ｃである水としては、イオン交換水、超純水等のイオン性物質を抑制したものが挙げられる。洗浄剤組成物１における水の含有量は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは５０．０質量部以上であり、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、より好ましくは７０．０質量部以上、さらに好ましくは７５．０質量部以上、よりさらに好ましくは８０．０質量部以上であり、また、洗浄剤組成物１における水の含有量は、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは９５．０質量部以下であり、はんだの腐食を抑制する観点から、より好ましくは９３．０質量部以下である。

〔成分ｄ〕
前記洗浄剤組成物１は、一又は複数の実施形態において、洗浄の際のはんだの腐食を抑制する観点から、（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を含有する。成分ｄである酸又はそのアンモニウム塩としては、有機酸及び無機酸又はそのアンモニウム塩が挙げられ、有機酸として蟻酸、酢酸、蓚酸、琥珀酸及びクエン酸、無機酸として炭酸、硫酸、硝酸及びリン酸が挙げられる。酸のアンモニウム塩は、アンモニアの酸塩であってもよい。洗浄剤組成物１は、一又は複数の実施形態において、一種類又は複数種類の成分ｄを含有する。成分ｄは、具体的には、蟻酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、蓚酸アンモニウム、琥珀酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム及びリン酸アンモニウムからなる群から選ばれる１種以以上の化合物が好ましい。

洗浄剤組成物１における成分ｄである酸又はそのアンモニウム塩の含有量は、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは０．３質量部以上であり、はんだの腐食を抑制する観点から、より好ましくは０．６質量部以上、さらに好ましくは０．８質量部以上、よりさらに好ましくは０．９質量部以上である。そして、酸又はそのアンモニウム塩の含有量は、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは２．５質量部以下であり、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、より好ましくは１．５質量部以下である。

〔ｐＨ〕
前記洗浄剤組成物１のｐＨは、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１０．５以上であり、はんだの腐食を抑制する観点から、好ましくは１４以下、より好ましくは１３．５以下、さらに好ましく１３．０以下である。ｐＨは、例えば成分ａ、成分ｂ、及び／又は成分ｄの含有量で調整することができる。

〔その他の成分：有機溶媒〕
前記洗浄剤組成物１は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスクの溶解性の観点から有機溶媒を含みうる。有機溶媒としては、一又は複数の実施形態において、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジメチルスルホキシドが挙げられる。洗浄剤組成物１における有機溶媒は、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、洗浄剤組成物１の１００質量部中、０質量部以上が好ましく、より好ましくは０．４質量部以上、さらに好ましくは０．８質量部以上であり、同様の観点から３５．０質量部以下が好ましく、より好ましくは２０．０質量部以下、さらに好ましくは１０．０質量部以下である。

〔その他の成分：含窒素複素芳香族化合物〕
前記洗浄剤組成物１は、一又は複数の実施形態において、はんだの腐食を抑制する観点から含窒素複素芳香族化合物を含みうる。含窒素複素芳香族化合物としては、一又は複数の実施形態において、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１，２，３−トリアゾールが挙げられる。洗浄剤組成物１における含窒素複素芳香族化合物は、樹脂マスク層除去性の向上及びはんだの腐食を抑制する観点から、洗浄剤組成物１の１００質量部中、０．０１質量部以上が好ましく、より好ましくは０．０２質量部以上、さらに好ましくは０．０３質量部以上であり、同様の観点から１質量部以下が好ましく、より好ましくは０．８質量部以下、さらに好ましくは０．５質量部以下である。

工程（５）は、さらに、洗浄処理が終了した後、回路基板上に残存している洗浄剤組成物１に可溶化した汚れ及び／又は洗浄剤組成物１の成分を回路基板から取り除く観点から、すすぎ処理（以下、工程（５ａ）ともいう）を行うことが好ましい。すすぎ処理では、水又はアルコールを用いることが好ましい。すすぎ処理でのｐＨは中性付近（例えば、ｐＨ６．０〜８．０又はｐＨ６．５〜７．５）で行うことが好ましい。さらに洗浄処理又はすすぎ処理が終了した後、回路基板表面に残存している水分を除去するために、乾燥処理（以下、工程（５ｂ）ともいう）を行うことが好ましい。

すすぎ処理の方法としては、浸漬法、超音波洗浄法、浸漬揺動法、スプレー法の各種の方法が挙げられる。すすぎ性の観点から、スプレー法及び浸漬法が好ましく、スプレー法及び浸漬法を併用することがより好ましい。すすぎ処理の温度は、すすぎ性の観点から、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４０℃以上であり、また、水分の蒸発を抑制する観点から、９０℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。すすぎ処理の時間は、すすぎ性の観点から３分以上が好ましく、５分以上がより好ましく、回路基板の製造の時間を短縮する観点から、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましい。

また、乾燥処理における乾燥方法としては、例えば、オーブンや送風乾燥機で乾燥させる方法が挙げられ、その乾燥温度は、乾燥性の観点から８０℃以上が好ましく、回路基板への影響を抑制する観点から１２０℃以下に加熱することが好ましく、１００℃以下がより好ましい。

［工程（６）］
工程（５）で得られた基板を、（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物、及び（成分Ｄ）水を含有する洗浄剤組成物２を用いて洗浄する工程である。工程（６）を行うことで、樹脂マスク層が高い除去率で除去された、はんだバンプが形成された回路基板が得られる。すなわち、工程（６）により、図１（ｄ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１の表面の電極部２上にはんだバンプ６が形成され、かつ、回路基板１の表面からソルダレジスト膜３から樹脂マスク層が高い除去率で除去された基板が得られうる。

工程（６）において、工程（５）で得られた基板を洗浄剤組成物２で洗浄する方法としては、超音波洗浄法、スプレー法、浸漬揺動法、浸漬法、手拭き法の各種の洗浄手段が挙げられる。回路基板の種類にあわせて、これらの手段を単独で又は適宜組み合わせて樹脂バリア層を洗浄することができる。回路基板への影響を抑制する観点と、洗浄性の観点からスプレー法、浸漬揺動法又は浸漬法が好ましい。

工程（６）における洗浄時の温度は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４０℃以上であり、また、水分の蒸発を抑制する観点から、９０℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。また、工程（６）における洗浄時のｐＨは、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは１１以上、より好ましくは１２以上である。

工程（６）における洗浄時間は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から１分以上が好ましく、３分以上がより好ましく、５分以上がさらに好ましく、回路基板の製造の時間を短縮する観点から、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましい。

［洗浄剤組成物］
洗浄剤組成物２は、（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物、及び（成分Ｄ）水を含有する。洗浄剤組成物２は、（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）アミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物、及び（成分Ｄ）水とを、例えば２５℃で混合することにより調製することができる。また、（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）アミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物を含有する濃厚液を予め調製しておき、（成分Ｄ）水で希釈して洗浄剤組成物２として使用しても良い。

〔成分Ａ〕
成分Ａは、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）である。前記洗浄剤組成物２におけるジメチルスルホキシドの含有量は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、洗浄剤組成物２の１００質量部中、好ましくは１０．０質量部以上、より好ましくは３０．０質量部以上、さらに好ましくは３５．０質量部以上、よりさらに好ましくは３９．０質量部以上である。また、同様の観点から、洗浄剤組成物２の１００質量部中、好ましくは５０．０質量部以下、より好ましくは４３．０質量部以下である。

〔成分Ｂ〕
成分Ｂは、グリコールエーテルである。成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩ）で表されるグリコールエーテルであることが好ましい。
R₃O (AO)_n R₄ (II)
（式中、Ｒ₃は炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１５のアリール基、Ｒ₄は水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基、ＡＯは炭素数２又は３のアルキレンオキシ基、ｎは平均付加モル数であって１〜４である。）

また、成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、（ポリ）アルキレングリコールのアルキルエーテル又はアリールエーテルである。（ポリ）アルキレングリコールとして、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールが挙げられる。アルキルエーテルとして、モノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル、モノイソブチルエーテル、モノヘキシルエーテル、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ブチルメチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ブチルエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテルが挙げられる。アリールエーテルとして、モノフェニルエーテル、モノベンジルエーテルが挙げられる。（Ｂ）成分は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノブチルエーテル、モノイソブチルエーテル、モノベンジルエーテルが好ましく、具体的には、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル及びエチレングリコールモノベンジルエーテルが好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテルがより好ましい。成分Ｂは上記式（ＩＩ）で表される単独の化合物であってもよく、複数種類の化合物からなるものであってもよい。

洗浄剤組成物２における成分Ｂの含有量は、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、洗浄剤組成物２の１００質量部中、好ましくは３０．０質量部以上、より好ましくは３５．０質量部以上である。そして、同様の観点から、成分Ｂの含有量は、洗浄剤組成物２の１００質量部中、好ましくは７０．０質量部以下、より好ましくは５０．０質量部以下、さらに好ましくは４３．０質量部以下である。

成分Ａと成分Ｂの質量比［Ａ／Ｂ］は、樹脂マスク層の除去性の観点から、好ましくは０．１５以上、より好ましくは０．３０以上、さらに好ましくは０．５０以上であり、そして、好ましくは２．００以下、より好ましくは１．５０以下、さらに好ましくは１．２０以下である。

〔成分Ｃ〕
成分Ｃは、２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物である。成分Ｃは、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩＩ）で表されかつ２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン、及び／又は、下記式（ＩＶ）で表される第四級アンモニウム水酸化物が好ましい。ｐＫａは例えば、『化学便覧基礎編』(日本化学会編丸善株式会社)等に記載されている。ｐＫａは好ましくは９．５以上、より好ましくは９．８以上であり、そして、好ましくは１２．０以下、より好ましくは１１．５以下、更に好ましくは１１．０以下である。
(R₅)₃N (III)
（式中、Ｒ₅はそれぞれ同一又は異なる水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、３つのＲ₅は同時に水素原子とはならない。）
[(R₆)₃-N-R₇]⁺ OH^- (IV)
（ただし、式中Ｒ₆ は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ₇は１〜３のアルキル基、または炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基を示す。）

上記式（ＩＩＩ）で表される２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上のアミン化合物の具体例としては、モノエタノールアミン（ｐＫａ＝９．５５）、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．８７）、Ｎ−メチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．９５）、エチルアミノエタノール（ｐＫａ＝９．９）等のヒドロキシアルキル基を有するアミン、プロパンジアミン（ｐＫａ＝１０．６）等のアミノアルキル基を有するアミンが例示できる。これらの中でも、樹脂マスクの除去の観点から、Ｎ−メチルエタノールアミン、プロパンジアミンが好ましく、Ｎ−メチルエタノールアミンがより好ましい。ｐＫａが９．０以上のアミン類を用いることでアルカリにより樹脂マスク層の低分子量化に作用すると考えられる。

上記式（ＩＶ）で示される第四級アンモニウム水酸化物としては、以下のカチオンとハイドロキサイドとからなる塩等が例示できる。また、前記カチオンとしては、例えばテトラアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）のようなテトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ（ｎ−またはｉ−）プロピルアンモニウム、トリメチルエチルアンモニウムが挙げられ、また、ヒドロキシアルキル基を有するアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）のようなトリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム及びトリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムなどが挙げられる。これらの中でもテトラメチルアンモニウムが好ましい。第四級アンモニウム水酸化物として、具体的には、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピルアンモニウム水酸化物、トリメチルエチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物等が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスクの除去の観点から、テトラメチルアンモニウム水酸化物が好ましい。

洗浄剤組成物２における成分Ｃの含有量は、樹脂マスク層の除去性の観点から、洗浄剤組成物２の１００質量部中、好ましくは０．５質量部以上、より好ましくは１．０質量部以上、さらに好ましくは３．０質量部以上であり、そして、洗浄剤組成物２の１００質量部中、好ましくは２０．０質量部以下、より好ましくは１５．０質量部以下である。

〔成分Ｄ〕
成分Ｄは水であり、イオン交換水、超純水等のイオン性物質を抑制したものが好ましい。洗浄剤組成物２における成分Ｄの含有量は、樹脂マスク層の除去性の観点から、洗浄剤組成物２の１００質量部中、好ましくは３．０質量部以上、より好ましくは８．０質量部以上、さらに好ましくは１２．０質量部以上であり、そして、洗浄剤組成物２の１００質量部中、好ましくは２０．０質量部以下、より好ましくは１８．０質量部以下である。

成分Ｃと成分Ｄの質量比［Ｃ／Ｄ］は、樹脂マスク層の除去性の観点から、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．２以上であり、そして、好ましくは１．５以下、より好ましくは０．９以下であり、さらに好ましくは０．６以下である。

成分Ａと成分Ｂの合計と、成分Ｃと成分Ｄの合計の質量比［〔Ａ＋Ｂ〕／〔Ｃ＋Ｄ〕］は、樹脂マスク層の除去性の観点から、好ましくは１．０以上、より好ましくは２．０以上であり、そして、好ましくは１０．０以下、より好ましくは５．０以下である。

〔ｐＨ〕
洗浄剤組成物２のｐＨは、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク層を十分に洗浄する観点から、好ましくは１１以上、より好ましくは１２以上である。ｐＨは、成分Ｃのアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物の含有量で調整することができる。

さらに、工程（６）は、洗浄処理が終了した後、回路基板上に残存している洗浄剤組成物２に可溶化した汚れ及び／又は洗浄剤組成物２の成分を回路基板から取り除く観点から、すすぎ処理〔以下、工程（６ａ）ともいう〕を行うことが好ましい。すすぎ処理では、水又はアルコールを用いることが好ましい。すすぎ処理でのｐＨは中性付近（例えば、ｐＨ６．０〜８．０又はｐＨ６．５〜７．５）で行うことが好ましい。さらに洗浄処理又はすすぎ処理が終了した後、回路基板表面に残存している水分を除去するために、乾燥処理〔以下、工程（６ｂ）ともいう〕を行うことが好ましい。

［電子部品の接合］
本開示に係る回路基板の製造方法は、一又は複数の実施形態において、さらに、前記工程（６）で得られた基板上に電子部品を乗せ、前記はんだバンプの液相線温度２６０℃以下の温度に加熱して電子部品のはんだ付け部と基板のはんだ付け部とを接合し、電子部品が接合した基板を得る工程を含む。この実施形態によれば、電子部品が接合された回路基板を製造できる。

［樹脂マスク層の除去方法］
本開示は、その他の態様において、樹脂マスク層が形成された回路基板から該樹脂マスク層を除去する方法であって、前記基板を最初に、前述した洗浄剤組成物１、すなわち、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン及び（成分ｃ）水並びに選択的に（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を含有する洗浄剤組成物１で洗浄し、次に、前述した洗浄剤組成物２、すなわち、（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム、及び（成分Ｄ）水を含有する洗浄剤組成物２で洗浄することを含む方法に関する。洗浄剤組成物１及び洗浄剤組成物２の具体的な構成、及び、それらを用いた洗浄方法は、上述のとおりとすることができる。

［キット］
本開示は、さらにその他の態様において、本開示に係る回路基板の製造方法及び／又は本開示に係る樹脂マスク層の除去方法に使用するためのキットであって、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン及び（成分ｃ）水並びに選択的に（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を含有する洗浄剤組成物１と、（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム、及び（成分Ｄ）水を含有する洗浄剤組成物２とを含むキットに関する。洗浄剤組成物１及び洗浄剤組成物２の具体的な構成、及び、それらを用いた洗浄方法は、上述のとおりとすることができる。本開示において、前記洗浄剤組成物１及び洗浄剤組成物２は、濃縮物であってもよい。

上述した実施形態に関し、本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態にかかる組成物、製造方法、或いは用途を開示する。

＜１＞下記の工程（１）〜（６）を含む回路基板の製造方法。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面に対して樹脂マスク層を形成する工程。
工程（２）：前記樹脂マスク層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程。
工程（３）：前記開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程。
工程（４）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（５）：工程（４）で得られた基板を、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン、及び（成分ｃ）水を含有する洗浄剤組成物１を用いて洗浄する工程。
工程（６）：工程（５）で得られた基板を、（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物、及び（成分Ｄ）水を含有する洗浄剤組成物２を用いて洗浄する工程。

＜２＞前記洗浄剤組成物１の成分ａが、下記式（Ｉ）で表される、＜１＞記載の製造方法。
[(R₁)₃-N-R₂]⁺ OH^- (I)
（式中、Ｒ₁はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ₂は炭素数１〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基である。）
＜３＞前記洗浄剤組成物１の成分ａである第四級アンモニウム水酸化物がカチオンとハイドロキサイドとからなる塩であって、
前記カチオンが、テトラアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）又はヒドロキシアルキル基を有するアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）の少なくとも一方であり、好ましくは、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ（ｎ−またはｉ−）プロピルアンモニウム、テトラ（ｎ−またはｉ−）ブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、及びトリメチルエチルアンモニウムからなる群から選択される少なくとも１つのテトラアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）、又は、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム及びトリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムからなる群から選択される少なくとも１つのヒドロキシアルキル基を有するアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）であり、より好ましくはテトラメチルアンモニウムであるもの、或いは、
前記第四級アンモニウム水酸化物が、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピルアンモニウム水酸化物、トリメチルエチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物、及びトリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物からなる群から選択される少なくとも１つであり、好ましくはテトラメチルアンモニウム水酸化物である、＜１＞又は＜２＞に記載の製造方法。
＜４＞前記洗浄剤組成物１における成分ａの含有量が、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは０．５質量部以上、より好ましくは０．７質量部以上であり、又は、好ましくは３．０質量部以下、より好ましくは２．０質量部以下、さらに好ましくは１．５質量部以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の製造方法。
＜５＞前記洗浄剤組成物１の成分ｂが、アルカノールアミン、アルキルアミン、ポリアミン、又は環式アミンである、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の製造方法。
＜６＞前記洗浄剤組成物１の成分ｂが、アルカノールアミンであり、好ましくはモノエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−ｔ−ブチルエタノールアミン、及びＮ−メチルエタノールアミンからなる群から選択される少なくとも１つのアルカノールアミンであり、より好ましくはモノエタノールアミンである、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の製造方法。
＜７＞前記洗浄剤組成物１における成分ｂである水溶性アミンの含有量が、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは３．０質量部以上、より好ましくは４．０質量部以上であり、又は、好ましくは１０．０質量部以下、より好ましくは８．０質量部以下、さらに好ましくは７．０質量部以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の製造方法。
＜８＞前記洗浄剤組成物１の成分ｃである水の含有量が、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは５０．０質量部以上、より好ましくは７０．０質量部以上、さらに好ましくは７５．０質量部以上、よりさらに好ましくは８０．０質量部以上であり、又は、好ましくは９５．０質量部以下、より好ましくは９３．０質量部以下である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の製造方法。
＜９＞前記洗浄剤組成物１が、さらに、（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を含有する、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１０＞前記洗浄剤組成物１の成分ｄである酸又はそのアンモニウム塩の含有量が、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは０．３質量部以上、より好ましくは０．６質量部以上、さらに好ましくは０．８質量部以上、よりさらに好ましくは０．９質量部以上であり、又は、好ましくは２．５質量部以下、より好ましくは１．５質量部以下である、＜９＞に記載の製造方法。
＜１１＞前記洗浄剤組成物１が、さらに、有機溶媒を含有する、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１２＞前記洗浄剤組成物１における有機溶媒の含有量が、洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは０質量部以上、より好ましくは０．４質量部以上、さらに好ましくは０．８質量部以上であり、又は、好ましくは３５．０質量部以下、より好ましくは２０．０質量部以下、さらに好ましくは１０．０質量部以下である、＜１１＞に記載の製造方法。
＜１３＞前記洗浄剤組成物１が、さらに、含窒素複素芳香族化合物を含有する、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１４＞前記洗浄剤組成物１における含窒素複素芳香族化合物の含有量が、剥洗浄剤組成物１の１００質量部中、好ましくは０．０１質量部以上、より好ましくは０．０２質量部以上、さらに好ましくは０．０３質量部以上であり、又は、好ましくは１質量部以下、より好ましくは０．８質量部以下、さらに好ましくは０．５質量部以下である、＜１３＞に記載の製造方法。
＜１５＞工程（５）の洗浄をｐＨが１１以上、好ましくは１２以上、又は、１４以下で行う、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１６＞前記工程（５）と前記工程（６）との間に、すすぎ処理の工程、好ましくは水又はアルコールを用いるすすぎ処理の工程、より好ましくは中性付近での水又はアルコールを用いるすすぎ処理の工程を含む、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１７＞前記洗浄剤組成物２が、該洗浄剤組成物２の１００質量部に対し、成分Ａを１０．０質量部以上、好ましくは３０．０質量部以上、より好ましくは３５．０質量部以上、さらに好ましくは３９．０質量部以上及び／又は５０．０質量部以下、好ましくは４３．０質量部以下含有し、成分Ｂを３０．０質量部以上、好ましくは３５．０質量部以上及び／又は７０．０質量部以下、好ましくは５０．０質量部以下、より好ましくは４３．０質量部以下含有し、成分Ｃを０．５質量部以上、好ましくは１．０質量部以上、より好ましくは３．０質量部以上及び／又は２０．０質量部以下、好ましくは１５．０質量部以下含有し、成分Ｄを３．０質量部以上、好ましくは８．０質量部以上、より好ましくは１２．０質量部以上及び／又は２０．０質量部以下、好ましくは１８．０質量部以下含有する、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１８＞前記洗浄剤組成物２の成分Ｂが、下記式（ＩＩ）で表されるグリコールエーテルである、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の製造方法。
R₃O (AO)_n R₄ (II)
（式中、Ｒ₃は炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１５のアリール基、Ｒ₄は水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基、ＡＯは炭素数２又は３のアルキレンオキシ基、ｎは平均付加モル数であって１〜４である。）
＜１９＞前記洗浄剤組成物２の成分Ｂが、（ポリ）アルキレングリコールのアルキルエーテル又はアリールエーテルであり、
好ましくは、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、及びトリプロピレングリコールからなる群から選択される（ポリ）アルキレングリコールのアルキルエーテル又はアリールエーテルであり、
より好ましくは、前記アルキルエーテルは、モノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル、モノイソブチルエーテル、モノヘキシルエーテル、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ブチルメチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ブチルエチルエーテル、ジプロピルエーテル、及びジブチルエーテルからなる群から選択され、及び／又は、アリールエーテルは、モノフェニルエーテル、及びモノベンジルエーテルからなる群から選択され、
さらに好ましくは、前記成分Ｂがエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノブチルエーテル、モノイソブチルエーテル、モノベンジルエーテルからなる群から選択され、
さらにより好ましくは前記成分Ｂがジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル及びエチレングリコールモノベンジルエーテルからなる群から選択され、
さらにより好ましくは前記成分Ｂがジエチレングリコールモノブチルエーテルである、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２０＞前記洗浄剤組成物２における成分Ａと成分Ｂとの質量比［Ａ／Ｂ］が、０．１５以上、好ましくは０．３０以上、より好ましくは０．５０以上であり、又は、２．００以下、好ましくは１．５０以下、より好ましくは１．２０以下である、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２１＞前記洗浄剤組成物２の成分Ｃの、２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが、好ましくは９．５以上、より好ましくは９．８以上であり、又は、好ましくは１２．０以下、より好ましくは１１．５以下、更に好ましくは１１．０以下である、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２２＞前記洗浄剤組成物２の成分Ｃが、下記式（ＩＩＩ）で表されるアミン、及び／又は、下記式（ＩＶ）で表される第四級アンモニウム水酸化物である、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の製造方法。
(R₅)₃N (III)
（式中、Ｒ₅はそれぞれ同一又は異なり水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、３つのＲ₅は同時に水素原子とはならない。）
[(R₆)₃-N-R₇]⁺ OH^- (IV)
（式中、Ｒ₆はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ₇は１〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基である。）
＜２３＞前記工程（４）における加熱温度が、２００℃以上、２６０℃以下である、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２４＞上記式（ＩＩＩ）で表される２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上のアミン化合物が、ヒドロキシアルキル基を有するアミン又はアミノアルキル基を有するアミンであり、好ましくはモノエタノールアミン（ｐＫａ＝９．５５）、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．８７）、Ｎ−メチルエタノールアミン（ｐＫａ＝９．９５）、エチルアミノエタノール（ｐＫａ＝９．９）等のヒドロキシアルキル基を有するアミン及びプロパンジアミン（ｐＫａ＝１０．６）等のアミノアルキル基を有するアミンからなる群から選択されるものであり、さらに好ましくはＮ−メチルエタノールアミン又はプロパンジアミンであり、さらにより好ましくはＮ−メチルエタノールアミンであり、
上記式（ＩＶ）で示される第四級アンモニウム水酸化物が、カチオンとハイドロキサイドとからなる塩であり、好ましくは前記カチオンがテトラアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）又はヒドロキシアルキル基を有するアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）であるものであり、より好ましくは前記カチオンがテトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ（ｎ−またはｉ−）プロピルアンモニウム、及びトリメチルエチルアンモニウムからなる群から選択されるテトラアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）又はトリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム及びトリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムからなる群から選択されるヒドロキシアルキル基を有するアルキルアンモニウムカチオン（アルキルの炭素数１〜３）であるものであり、
或いは、
上記式（ＩＶ）で示される第四級アンモニウム水酸化物が、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピルアンモニウム水酸化物、テトラブチルアンモニウム水酸化物、テトラペンチルアンモニウム水酸化物、テトラヘキシルアンモニウム水酸化物、トリメチルエチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物、及びトリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物からなる群から選択されるもの、好ましくはテトラメチルアンモニウム水酸化物である、＜２２＞又は＜２３＞に記載の製造方法。
＜２５＞前記洗浄剤組成物２における成分Ｃの含有量が、洗浄剤組成物２の１００質量部中、０．５質量部以上、好ましくは１．０質量部以上、より好ましくは３．０質量部以上及び／又は２０．０質量部以下、好ましくは１５．０質量部以下である、＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２６＞洗浄剤組成物２における成分Ｄの含有量が、洗浄剤組成物２の１００質量部中、３．０質量部以上、好ましくは８．０質量部以上、より好ましくは１２．０質量部以上及び／又は２０．０質量部以下、好ましくは１８．０質量部以下である、＜１＞から＜２５＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２７＞成分Ｃと成分Ｄの質量比〔Ｃ／Ｄ〕が、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．２以上であり、そして、好ましくは１．５以下、より好ましくは０．９以下であり、さらに好ましくは０．６以下である、＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２８＞成分Ａと成分Ｂの合計と、成分Ｃと成分Ｄの合計の質量比［〔Ａ＋Ｂ〕／〔Ｃ＋Ｄ〕］が、好ましくは１．０以上、より好ましくは２．０以上であり、そして、好ましくは１０．０以下、より好ましくは５．０以下である、＜１＞から＜２７＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２９＞前記洗浄剤組成物２のｐＨが、好ましくは１１以上、より好ましくは１２以上である、＜１＞から＜２８＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３０＞前記工程（６）の洗浄処理が終了した後に、すすぎ処理の工程、好ましくは水又はアルコールを用いるすすぎ処理の工程、より好ましくは中性付近での水又はアルコールを用いるすすぎ処理の工程を含む、＜１＞から＜２９＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３１＞樹脂マスク層が形成された回路基板から該樹脂マスク層を除去する方法であって、前記基板を最初に（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン及び（成分ｃ）水、並びに選択的に（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を含有する洗浄剤組成物１で洗浄し、次に（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム及び（成分Ｄ）水を含有する洗浄剤組成物２で洗浄することを含む方法。
＜３２＞＜１＞から＜３０＞のいずれかに記載の製造方法及び／又は＜３１＞記載の樹脂マスク層の除去方法に使用するためのキットであって、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン及び（成分ｃ）水、並びに選択的に（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を含有する洗浄剤組成物１と、（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム、及び（成分Ｄ）水を含有する洗浄剤組成物２とを含むキット。

以下の実施例は本開示の例示を目的とし、本開示をいかなる意味でも制限する意図はない。実施例中、％は特に指定しない限り質量％である。

［実施例１〜９、比較例１〜１１］
下記の洗浄剤組成物１、洗浄剤組成物２、回路基板を使用し、はんだバンプが形成された回路基板を製造した。
［洗浄剤組成物１の調製］
テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（成分ａ）１質量部、モノエタノールアミン（成分ｂ）５質量部、水（成分ｃ）９４質量部（合計１００質量部）で配合し、それを均一に混合することにより洗浄剤組成物１を調製した。ｐＨは、１３であった。なお、ｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物１のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、電極を洗浄剤組成物１に浸漬した後１分後の数値である（以下同様）。この洗浄剤組成物１を実施例１〜９、比較例５〜１２の洗浄剤組成物１として使用した。
［洗浄剤組成物２の調製］
ジメチルスルホキシド（成分Ａ）４０質量部、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ｂ）４０質量部、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（成分Ｃ）５質量部及び水（成分Ｄ）１５質量部（合計１００質量部）で配合し、それを均一に混合することにより、実施例１の洗浄剤組成物２を調製した。また、実施例２〜９及び比較例５〜１２の洗浄剤組成物は、表２に記載の組成となるように各成分を所定の質量部で配合した以外は実施例１と同様に洗浄剤組成物２を調製した。洗浄剤組成物２のｐＨを表２に示した。表２でｐＨの欄が「＞１４」とあるものは、ｐＨが１４を超えるものである。
［回路基板］
はんだバンプの形成に用いた回路基板は、厚さ３００μｍ、サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍのガラスエポキシ基板であった。この基板は、直径２５μｍの銅表面の電極を、５０μｍのピッチで１チップあたり３６００個有していた。基板表面の電極周囲は、電極より高い高さ１５μｍのソルダレジストで囲まれていた。

［はんだバンプが形成された回路基板の製造］
実施例１〜９及び比較例５〜１２では、下記工程（１）〜工程（６ｂ）に従ってはんだバンプが形成された回路基板を製造した。
工程（１）回路基板に形成されたソルダレジスト（太陽インキ：ＡＵＳ４１０）上にレジストフィルム（デュポン：ＷＢ−５０３０）を貼り、樹脂マスク層を形成した。
工程（２）露光・現像処理により回路基板の電極上の樹脂マスク層及びソルダレジストに開口部を形成した。
工程（３）市販のはんだペースト（エコソルダーＭ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２−Ｖ、千住金属製、ハンダ金属（Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ）とフラックス（ロジン酸、添加剤及び溶剤の混合物）の混合物、液相線温度２１７℃）を塗布した。
工程（４）２５０℃のホットプレート上で１分間加熱し、リフローさせて回路基板の電極上にはんだバンプを形成した。該回路基板を１ｃｍ角に切断しテストピースとした。
工程（５）温度６０℃に保持された１００ｇの洗浄剤組成物１を入れた２００ｍｌビーカー内にその１ｃｍ角のテストピースを１分間浸漬し洗浄を行いビーカーからテストピースを取り出した。
工程（５ａ）テストピースを温度６０℃に保持されたイオン交換水に５分浸漬してすすぎを行い、テストピースを取り出した。
工程（５ｂ）テストピースを温度８５℃で１５分間、送風低温乾燥機で乾燥した。
工程（６）温度６０℃に保持された１００ｇの洗浄剤組成物２（実施例１〜９及び比較例５〜１２）を入れた２００ｍｌビーカー内にその１ｃｍ角のテストピースを１分間浸漬し洗浄を行いビーカーからテストピースを取り出した。
工程（６ａ）テストピースを温度６０℃に保持されたイオン交換水に５分浸漬してすすぎを行い、テストピースを取り出した。
工程（６ｂ）テストピースを温度８５℃で１５分間、送風低温乾燥機で乾燥した。

［はんだバンプが形成された回路基板の製造：比較例１〜４］
比較例１〜４では、以下のようにはんだバンプが形成された回路基板を製造した。
比較例１：工程（６）、工程（６ａ）及び工程（６ｂ）を行わかった以外は、実施例１と同様にはんだバンプが形成された回路基板を製造した。
比較例２：工程（５）、工程（５ａ）及び工程（５ｂ）を行わかった以外は、実施例１と同様にはんだバンプが形成された回路基板を製造した。
比較例３：工程（５）で実施例１の洗浄剤組成物２を、工程（６）で実施例１の洗浄剤組成物１を用いた以外は、実施例１と同様にはんだバンプが形成された回路基板を製造した。
比較例４：工程（４）を行わなかった以外は、比較例３と同様にはんだバンプが形成された回路基板を製造した。

実施例１〜９、比較例１〜１１のテストピースにおける樹脂マスク層の除去性につき、下記の条件で評価した。その結果を表１及び表２に示す。
＜樹脂マスク除去性評価＞
回路基板の製造後のテストピースを光学顕微鏡で観察（倍率：１０００倍）し、１ｃｍ角のテストピースから５視野選択し、光学顕微鏡の面積測定モードで基板上に残存する樹脂マスクの面積を計算し、洗浄率を算出した。除去率の計算方法・測定に用いた光学顕微鏡は下記に示す。実施例１及び比較例１〜４ではバンプ周辺及びその周辺以外の箇所を、実施例２〜９及び比較例５〜１１はバンプ周辺以外の箇所で評価した。なお、バンプ周辺以外の箇所は洗浄しにくく差が表れやすい箇所である。
除去率＝（５視野の合計面積―洗浄後基板上の樹脂マスク残渣面積）÷５視野の合計面積×１００
測定機器：ＫＥＹＥＮＣＥ製デジタルマイクロスコープＶＨＸ−２０００

表１に示す通り、実施例１は、比較例１〜３に比べて、バンプ周辺及びバンプ周辺以外における樹脂マスク層の除去率が優れていた。また、実施例１は、リフロー工程をしなかった比較例４と同程度に樹脂マスク層が除去された。比較例４のリフローをしなかった場合では、レジストフィルムの高分子量化が起こらず洗浄剤組成物２、洗浄剤組成物１の順序でも洗浄できたが、はんだバンプが付着した回路基板は得られなかった。

表２に示す通り、工程（６）で実施例１〜９の洗浄剤組成物２を用いると比較例５〜１１に比べて樹脂マスク層が良好に洗浄除去された。

［実施例１０〜１８、比較例１２〜１８］
工程（５）で使用する洗浄剤組成物１を、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（成分ａ）１質量部、モノエタノールアミン（成分ｂ）５質量部、ギ酸（成分ｄ）０．７質量部、水（成分ｃ）９２．５質量部、ジエチレングリコールブチルエーテル０．８質量部（合計１００質量部）配合し、それを均一に混合することにより調製した以外は、実施例１〜９及び比較例５〜１１と同様にして、テストピースにおける樹脂マスク層の除去性を評価した。２５℃における洗浄剤組成物１のｐＨは１０．８であった。その結果を表３に示す。

表３に示す通り、工程（６）で実施例１０〜１８の洗浄剤組成物２を用いると比較例１２〜１８に比べて樹脂マスク層が良好に洗浄除去された。また、工程（６）後の基板のハンダバンプを目視で観察したところ、実施例５は腐食が観察されたが、実施例５と同じ洗浄剤組成物２を用いた実施例１４では腐食は観察されなかった。

［実施例１９〜２７、比較例１９〜２５］
洗浄剤組成物１を、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（成分ａ）１質量部、モノエタノールアミン（成分ｂ）５質量部、ギ酸アンモニウム（成分ｄ）０．５質量部、水（成分ｃ）９２．７質量部、ジエチレングリコールブチルエーテル０．８質量部（合計１００質量部）配合し、それを均一に混合することにより調製した以外は、実施例１〜９及び比較例５〜１１と同様にして、テストピースにおける樹脂マスク層の除去性を評価した。２５℃における洗浄剤組成物１のｐＨは１２．５であった。その結果を表４に示す。

表４に示す通り、工程（６）で実施例１９〜２７の洗浄剤組成物２を用いると比較例１９〜２５に比べて樹脂マスク層が良好に洗浄除去された。また、工程（６）後の基板のハンダバンプを目視で観察したところ、実施例５は腐食が観察されたが、実施例５と同じ洗浄剤組成物２を用いた実施例２３では腐食は観察されなかった。

Claims

下記の工程（１）〜（６）を含む回路基板の製造方法。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面に対して樹脂マスク層を形成する工程。
工程（２）：前記樹脂マスク層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程。
工程（３）：前記開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程。
工程（４）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（５）：工程（４）で得られた基板を、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン、及び（成分ｃ）水を含有する洗浄剤組成物１を用いて洗浄する工程。
工程（６）：工程（５）で得られた基板を、（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物、及び（成分Ｄ）水を含有する洗浄剤組成物２を用いて洗浄する工程。
前記洗浄剤組成物１の成分ａが、下記式（Ｉ）で表される、請求項１記載の製造方法。
[(R₁)₃-N-R₂]⁺ OH^- (I)
（式中、Ｒ₁はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ₂は炭素数１〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基である。）
前記洗浄剤組成物１の成分ｂが、アルカノールアミン、アルキルアミン、ポリアミン、又は環式アミンである、請求項１又は２に記載の製造方法。
工程（５）の洗浄をｐＨが１１以上１４以下で行う、請求項１から３のいずれかに記載の製造方法。
前記洗浄剤組成物２の成分Ｂが、下記式（ＩＩ）で表されるグリコールエーテルである、請求項１から４のいずれかに記載の製造方法。
R₃O (AO)_n R₄ (II)
（式中、Ｒ₃は炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１５のアリール基、Ｒ₄は水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基、ＡＯは炭素数２又は３のアルキレンオキシ基、ｎは平均付加モル数であって１〜４である。）
前記洗浄剤組成物２の成分Ｃが、下記式（ＩＩＩ）で表されるアミン、及び／又は、下記式（ＩＶ）で表される第四級アンモニウム水酸化物である、請求項１から５のいずれかに記載の製造方法。
(R₅)₃N (III)
（式中、Ｒ₅はそれぞれ同一又は異なり水素原子、炭素数１〜６の炭化水素基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、又は、炭素数１〜６のアミノアルキル基であり、３つのＲ₅は同時に水素原子とはならない。）
[(R₆)₃-N-R₇]⁺ OH^- (IV)
（式中、Ｒ₆はそれぞれ同一又は異なる炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ₇は１〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基である。）
前記工程（４）における加熱温度が、２００℃以上２６０℃以下である、請求項１から６のいずれかに記載の製造方法。
前記工程（４）における加熱温度が、前記はんだバンプ形成材料の液相線温度以上、２６０℃以下である、請求項１から７のいずれかに記載の製造方法。
前記洗浄剤組成物２が、該洗浄剤組成物２の１００質量部に対し、成分Ａを１０．０質量部以上５０．０質量部以下、成分Ｂを３０．０質量部以上７０．０質量部以下、成分Ｃを０．５質量部以上２０．０質量部以下、成分Ｄを３．０質量部以上２０．０質量部以下含有する、請求項１から８のいずれかに記載の製造方法。
前記洗浄剤組成物２における成分Ａと成分Ｂとの質量比［Ａ／Ｂ］が、０．１５以上２．００以下である、請求項１から９のいずれかに記載の製造方法。
前記工程（５）と前記工程（６）との間に、すすぎ処理の工程を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の製造方法。
前記洗浄剤組成物１が、さらに、（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を含有する、請求項１から１１のいずれかに記載の製造方法。
請求項１から１２のいずれかに記載の製造方法に使用するためのキットであって、（成分ａ）第四級アンモニウム水酸化物、（成分ｂ）水溶性アミン、及び（成分ｃ）水、並びに選択的に（成分ｄ）酸又はそのアンモニウム塩を含有する洗浄剤組成物１と、（成分Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、（成分Ｂ）グリコールエーテル、（成分Ｃ）２５℃の水溶液における酸解離定数ｐＫａが９．０以上であるアミン及び／又は第四級アンモニウム水酸化物、及び（成分Ｄ）水を含有する洗浄剤組成物２とを含むキット。