CN109939977A - 树脂掩模剥离清洗方法 - Google Patents
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Abstract
一个方式中,提供树脂掩模除去性及连续操作稳定性优异的树脂掩模剥离清洗方法。本申请的一个方式中,涉及一种树脂掩模剥离清洗方法,其利用重复使用清洗液的循环型清洗装置对附着于被清洗物的树脂掩模进行剥离清洗。所述循环型清洗装置具有对剥离清洗所使用的清洗液进行过滤的1次过滤器,所述1次过滤器是网格尺寸为8目以上且80目以下的网。所述清洗液是含有下述式(I)所示的季铵氢氧化物(成分A)、下述式(II)所示的胺(成分B)、及水(成分C),且成分A的含量为1质量%以上且6.5质量%以下、成分B的含量为1质量%以上且10质量%以下、成分C的含量为50质量%以上且98质量%以下的清洗剂组合物。
Description
技术领域
本申请涉及树脂掩模剥离清洗方法及电子部件的制造方法。
背景技术
近年来,对于个人计算机、各种电子器件,低功耗化、处理速度的高速化、小型化正在推进,安装于它们上的封装基板等的布线的微细化正在逐年发展。在这样的微细布线以及支柱(ピラ一)、凸块(バンプ)等连接端子形成中,目前为止主要使用金属掩模法,但由于通用性低、对布线等的微细化的应对困难,因此正在向其他新的方法改变。
作为新的方法之一,已知有使用干膜抗蚀剂来代替金属掩模作为厚膜树脂掩模的方法。该树脂掩模最终被剥离/除去,但此时使用碱性的剥离用清洗剂。
作为这样的剥离用清洗剂,例如,专利文献1中记载了如下的电路基板的制造中使用的树脂掩模层用清洗剂组合物:在清洗剂组合物100质量份中,含有季铵氢氧化物0.5质量份以上且3.0质量份以下、含有水溶性胺3.0质量份以上且10.0质量份以下、含有酸或其铵盐0.3质量份以上且2.5质量份以下、含有水50.0质量份以上且95.0质量份以下。
专利文献2中记载了一种光致抗蚀剂剥离液组合物,其包含烷基氢氧化铵0.5~5质量%;非质子性极性溶剂60~90质量%;芳香族多元醇0.1~3质量%;直链的多元醇0.1~5质量%;及水5~30质量%。
专利文献3中记载了含有特定的季铵氢氧化物、胺、碳数1以上且5以下的羧酸或其盐、和水的负型树脂掩模剥离用清洗剂组合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-79244号公报
专利文献2:日本特表2013-527992号公报
专利文献3:日本特开2017-120400号公报
发明内容
发明要解决的问题
在印刷电路板等上形成微细布线时,当然会残留干膜抗蚀剂等树脂掩模,为了减少微细布线、凸块形成中使用的焊料、镀液等中所含的助剂等的残留,对清洗剂组合物要求高的清洗性。树脂掩模通过光、电子射线等改变对显影液的溶解性等物性,保护物质表面免受后续的蚀刻等处理的影响,这样的树脂掩模根据与光、电子射线的反应方法的不同大致分为正型和负型。对于负型树脂掩模,若曝光,则对显影液的溶解性降低,在显影后曝光部分残留,成为保护膜。对于正型树脂掩模,若曝光,则对显影液的溶解性增大,曝光部被除去。通过使用所述树脂掩模,能够形成金属布线、金属支柱、焊料凸块等电路基板的微细的连接部。
但是,树脂掩模的特性因连接部形成时所使用的镀液、加热处理等而发生变化,在下一工序的清洗工序中,难以将树脂掩模除去(剥离)。特别是由于负型树脂掩模具有通过与光、电子射线的反应而发生固化的特性,因此由于镀液、热,固化进展至超过必要的程度,在清洗工序中无法完全除去(剥离)、或除去(剥离)非常耗费时间,从而给基板、金属表面带来损伤。因此,对清洗剂组合物要求高的树脂掩模除去性。
进而,不仅是如上所述那样清洗剂组合物的性能的提高,考虑了生产性及对环境负担的影响的清洗装置、操作方法在获得高品质的封装基板等方面也是重要的因素,考虑到对环境负担的影响时,要求能够充分发挥清洗剂组合物的性能、进而连续操作稳定性优异的清洗装置、操作方法。
因此,本申请的一个方式中提供树脂掩模除去性及连续操作稳定性优异的树脂掩模剥离清洗方法。
用于解决问题的方案
本申请的一个方式中涉及一种树脂掩模剥离清洗方法,其利用重复使用清洗液的循环型清洗装置,对附着于被清洗物的树脂掩模进行剥离清洗,
所述循环型清洗装置具有对剥离清洗所使用的清洗液进行过滤的1次过滤器,
所述1次过滤器是网格尺寸为8目以上且80目以下的网,
所述清洗液是含有下述式(I)所示的季铵氢氧化物(成分A)、下述式(II)所示的胺(成分B)、和水(成分C),且成分A的含量为1质量%以上且6.5质量%以下、成分B的含量为1质量%以上且10质量%以下、成分C的含量为50质量%以上且98质量%以下的清洗剂组合物。
上述式(I)中,R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
上述式(II)中,R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种,R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种,R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种,或者,式(II)中,R5表示选自甲基、乙基、氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种,R6与R7彼此键合并与式(II)中的N原子一起形成吡咯烷环或哌嗪环。
本申请的一个方式中涉及一种电子部件的制造方法,其包括:对选自印刷电路板、晶片、及金属板中的至少1种电子部件,进行使用了树脂掩模的焊接及镀覆处理中的至少一种处理的工序;及通过本申请的清洗方法对实施了焊接及镀覆处理中的至少一种处理的所述电子部件进行清洗的工序。
发明效果
根据本申请,在一个方式中,提供树脂掩模除去性及连续操作稳定性优异的树脂掩模剥离清洗方法。
具体实施方式
本申请基于如下见解:通过使用具备具有特定网格尺寸的1次过滤器的循环型清洗装置,而且使用以特定量含有特定的季铵氢氧化物(成分A)、特定的胺(成分B)、及水(成分C)的清洗剂组合物作为循环型清洗装置中使用的清洗液,能够效率良好地除去树脂掩模,进而,能够提高连续操作稳定性,可以不需要长期停止操作从而降低生产性这样的频繁的维护。
即,本申请的一个方式中涉及一种树脂掩模剥离清洗方法(以下,也称为“本申请的清洗方法”),其利用重复使用清洗液的循环型清洗装置,对附着于被清洗物的树脂掩模进行剥离清洗,
所述循环型清洗装置具有对剥离清洗所使用的清洗液进行过滤的1次过滤器,
所述1次过滤器是网格尺寸为8目以上且80目以下的网,
所述清洗液是含有上述式(I)所示的季铵氢氧化物(成分A)、上述式(II)所示的胺(成分B)、及水(成分C),且成分A的含量为1质量%以上且6.5质量%以下、成分B的含量为1质量%以上且10质量%以下、成分C的含量为50质量%以上且98质量%以下的清洗剂组合物(以下,也称为“本申请的清洗剂组合物”)。
本申请的清洗方法的效果的作用机制的详细情况存在不明确的部分,但推测如下。
负型树脂掩模通常含有会溶解于碱性显影液的碱可溶性树脂、通过曝光产生酸的产酸剂、和以酸为催化剂在碱可溶性树脂间形成交联的交联剂。作为碱可溶性树脂,可列举出对羟基苯乙烯(PHS)树脂、甲基丙烯酸酯系树脂等。可以认为:若对负型树脂掩模照射光、电子射线等,则在负型树脂掩模的曝光部,由产酸剂产生酸,通过曝光后的烘烤热,碱可溶性树脂与交联剂以酸为催化剂而发生缩合交联反应。可以认为:通过缩合交联反应,碱可溶性树脂变化为具有3维结构的巨大的高分子化合物,成为不溶于碱显影液的树脂。此时,反应性高的交联剂通过镀覆处理、焊接等会与碱可溶性树脂发生反应至超过必要的程度,因此碱可溶性树脂变化为具有更复杂的3维结构的巨大的高分子化合物,其结果,显影后的负型树脂掩模的剥离除去变得困难。
与此相对,对于本申请的清洗剂组合物,可以认为:碱性的成分A及成分B利用焊料糊剂、焊剂成分中所含的酸成分、或加热来切断高分子量化的负型树脂掩模的树脂的键合,能够实现低分子量化。而且,可以认为:成分A及水(成分C)浸透至低分子量化的负型树脂掩模,树脂的张力发生应变,在树脂中产生应力,由此树脂掩模容易以适度的尺寸剥离,能够效率良好地除去树脂掩模。
进而,可以认为:本申请的清洗方法能够将树脂掩模的剥离片控制为适度的尺寸。由此,推测不易引起在用于搬运半导体封装等被清洗物的送入/输出输送机上的缠结,容易用1次过滤器效率良好地捕集剥离片,能够重复使用清洗液而不进行长期停止操作从而降低生产性这样的频繁的维护,能够实现低环境负担并且高的生产效率。
但是,本申请也可以不限定于该机制来解释。
本申请中,所谓树脂掩模,是指用于保护物质表面免受蚀刻、镀覆、加热等处理的影响的掩模、即作为保护膜而起作用的掩模。作为树脂掩模,在一个或多个实施方式中,可列举出曝光或显影工序后的抗蚀剂层、实施了曝光及显影中的至少一种处理的(以下,也称为“进行了曝光和/或显影处理的”)抗蚀剂层、或固化的抗蚀剂层。作为形成树脂掩模的树脂材料,在一个或多个实施方式中,可列举出膜状的感光性树脂、或抗蚀剂膜。抗蚀剂膜可以使用通用的抗蚀剂膜。
(清洗剂组合物)
[成分A:季铵氢氧化物]
本申请的清洗剂组合物中的成分A为下述式(I)所示的季铵氢氧化物。成分A可以单独使用1种或混合使用2种以上。
上述式(I)中,R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
作为成分A,例如,可列举出由季铵阳离子和氢氧化物形成的盐等。作为成分A的具体例,可列举出选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、2-羟乙基三乙基氢氧化铵、2-羟乙基三丙基氢氧化铵、2-羟丙基三甲基氢氧化铵、2-羟丙基三乙基氢氧化铵、2-羟丙基三丙基氢氧化铵、二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵、二乙基双(2-羟乙基)氢氧化铵、二丙基双(2-羟乙基)氢氧化铵、三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵、三(2-羟乙基)乙基氢氧化铵、三(2-羟乙基)丙基氢氧化铵、四(2-羟乙基)氢氧化铵、和四(2-羟丙基)氢氧化铵中的至少1种。这些当中,从树脂掩模除去性提高、剥离片捕集性提高及连续操作稳定性提高的观点出发,作为成分A,优选选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵、和二乙基双(2-羟乙基)氢氧化铵中的至少1种,更优选选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、和二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵中的至少1种,进一步优选二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵。
对于本申请的清洗剂组合物的使用时的成分A的含量,从树脂掩模除去性提高、剥离片捕集性提高及连续操作稳定性提高的观点出发,优选1质量%以上、更优选2质量%以上、进一步优选2.5质量%以上、更进一步优选3质量%以上,而且,从减小排水处理负担的观点出发,优选6.5质量%以下、更优选6质量%以下、进一步优选5.5质量%以下、更进一步优选5质量%以下。更具体而言,成分A的含量优选1质量%以上且6.5质量%以下、更优选2质量%以上且6质量%以下、进一步优选2.5质量%以上且5.5质量%以下、更进一步优选3质量%以上且5质量%以下。成分A为2种以上的组合的情况下,成分A的含量是指它们的合计含量。
本申请中,所谓“清洗剂组合物的使用时的各成分的含量”,是指在清洗时、即清洗剂组合物开始在清洗中使用的时刻的各成分的含量。
[成分B:胺]
本申请的清洗剂组合物中的成分B为下述式(II)所示的胺。成分B可以单独使用1种或混合使用2种以上。
上述式(II)中,R5表示氢原子、甲基、乙基或氨基乙基,R6为选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基或乙基中的至少1种,R7为选自氨基乙基、羟乙基或羟丙基中的至少1种,或者,式(II)中,R5为选自甲基、乙基、氨基乙基、羟乙基或羟丙基中的至少1种,R6与R7彼此键合并与式(II)中的N原子一起形成吡咯烷环或哌嗪环。
作为成分B,从树脂掩模除去性提高、剥离片捕集性提高及连续操作稳定性提高的观点出发,优选选自单乙醇胺、单异丙醇胺、N-甲基单乙醇胺、N-甲基异丙醇胺、N-乙基单乙醇胺、N-乙基异丙醇胺、二乙醇胺、二异丙醇胺、N-二甲基单乙醇胺、N-二甲基单异丙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-甲基二异丙醇胺、N-二乙基单乙醇胺、N-二乙基单异丙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N-乙基二异丙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、N-(β-氨基乙基)异丙醇胺、N-(β-氨基乙基)二乙醇胺、N-(β-氨基乙基)二异丙醇胺、1-甲基哌嗪、1-(2-羟乙基)吡咯烷、1-(2-羟乙基)哌嗪、乙二胺及二亚乙基三胺中的至少1种,更优选选自单乙醇胺、单异丙醇胺、二乙醇胺、N-甲基单乙醇胺、N-乙基单乙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、1-(2-羟乙基)哌嗪及二亚乙基三胺中的至少1种,进一步优选选自单乙醇胺、单异丙醇胺、二乙醇胺、N-甲基单乙醇胺、及N-乙基单乙醇胺中的至少1种,更进一步优选单乙醇胺。
对于本申请的清洗剂组合物的使用时的成分B的含量,从树脂掩模除去性提高、剥离片捕集性提高及连续操作稳定性提高的观点出发,优选1质量%以上、更优选2质量%以上、进一步优选2.5质量%以上、更进一步优选3质量%以上,而且,从同样的观点出发,优选10质量%以下、更优选8质量%以下、进一步优选6质量%以下、更进一步优选5质量%以下。更具体而言,成分B的含量优选1质量%以上且10质量%以下、更优选2质量%以上且8质量%以下、进一步优选2.5质量%以上且6质量%以下、更进一步优选3质量%以上且5质量%以下。成分B为2种以上的组合的情况下,成分B的含量是指它们的合计含量。
[成分C:水]
本申请的清洗剂组合物中的成分C为水。作为成分C,可以使用离子交换水、RO水、蒸馏水、纯水、超纯水。成分C的含量根据本申请的清洗剂组合物的使用方式来适宜设定即可。
对于本申请的清洗剂组合物的使用时的成分C的含量,从树脂掩模除去性提高、剥离片捕集性提高、连续操作稳定性提高及减小排水处理负担的观点出发,优选50质量%以上、更优选60质量%以上、进一步优选70质量%以上,而且,从同样的观点出发,优选98质量%以下、更优选96质量%以下、进一步优选95.5质量%以下。更具体而言,成分C的含量优选50质量%以上且98质量%以下、更优选60质量%以上且96质量%以下、进一步优选70质量%以上且95.5质量%以下。
[其他成分]
本申请的清洗剂组合物除了所述成分A~C以外,根据需要还可以含有其他成分。作为其他成分,可列举出通常的清洗剂中可使用的成分,例如可列举出选自螯合剂、增稠剂、分散剂、碱性物质、表面活性剂、高分子化合物、增溶剂、抗氧化剂、防腐剂、防锈剂、消泡剂、抗菌剂等中的至少1种。本申请的清洗剂组合物的使用时的其他成分的含量优选0质量%以上且2质量%以下、更优选0质量%以上且1.5质量%以下、进一步优选0质量%以上且1.3质量%以下、更进一步优选0质量%以上且1质量%以下。
本申请的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中,也可以实质上不含酸。本申请中,酸的使用包括酸和/或其盐的使用。所谓“实质上不含酸”,是指本申请的清洗剂组合物中的酸的含量小于0.3质量%,优选为0.1质量%以下、更优选实质上为0质量%。
[清洗剂组合物的制造方法]
本申请的清洗剂组合物可以通过利用公知的方法将成分A、成分B及成分C、以及根据需要的上述其他成分配合来制造。例如,本申请的清洗剂组合物是将成分A、成分B及成分C、以及根据需要的上述其他成分配合而成的组合物。因此,本申请涉及包括至少配合成分A、成分B及成分C的工序的清洗剂组合物的制造方法。本申请中,“配合”包括将成分A~C及根据需要的其他成分同时或以任意顺序混合。本申请的清洗剂组合物的制造方法中,各成分的配合量可以设为与上述本申请的清洗剂组合物的各成分的含量相同。
对于本申请的清洗剂组合物的使用时的pH,从树脂掩模除去性提高、剥离片捕集性提高及连续操作稳定性提高的观点出发,优选10以上、更优选10.5以上,而且,从同样的观点出发,优选14以下、更优选13.5以下。更具体而言,本申请的清洗剂组合物的使用时的pH优选10以上且14以下、更优选10.5以上且13.5以下。pH例如可以通过成分A、成分B及成分C的含量来调整,根据需要,可以配合例如硝酸、硫酸等无机酸;羟基羧酸、多元羧酸、氨基聚羧酸、氨基酸等有机酸;及它们的金属盐、铵盐、氨、胺等除成分A以外的碱性物质来进行调整。pH是25℃下的清洗剂组合物的pH,具体而言可以通过实施例中记载的方法进行测定。
本申请的清洗剂组合物可以在不引起分离、析出等而损害保管稳定性的范围内制备成减少了成分C即水的量的浓缩物。对于清洗剂组合物的浓缩物,从运输及贮藏的观点出发,优选制成稀释倍率3倍以上的浓缩物,从保管稳定性的观点出发,优选制成稀释倍率10倍以下的浓缩物。清洗剂组合物的浓缩物在使用时可以用水(成分C)进行稀释以使成分A~C成为上述的含量(即,清洗时的含量)来使用。进而,清洗剂组合物的浓缩物在使用时也可以分别添加各成分而使用。本申请中,所谓清洗剂组合物的浓缩物的“使用时”或“清洗时”,是指清洗剂组合物的浓缩物进行了稀释的状态。
本申请的清洗剂组合物为浓缩物的情况下,对于清洗剂组合物的浓缩物中的成分A的含量,从树脂掩模除去性提高、剥离片捕集性提高及连续操作稳定性提高的观点出发,优选0.3质量%以上、更优选1质量%以上、进一步优选2质量%以上、更进一步优选3质量%以上,而且,从同样的观点出发,优选10质量%以下、更优选8质量%以下、进一步优选6质量%以下、更进一步优选5质量%以下。更具体而言,清洗剂组合物的浓缩物中的成分A的含量优选0.3质量%以上且10质量%以下、更优选1质量%以上且8质量%以下、进一步优选2质量%以上且6质量%以下、更进一步优选3质量%以上且5质量%以下。
本申请的清洗剂组合物为浓缩物的情况下,对于清洗剂组合物的浓缩物中的成分B的含量,从树脂掩模除去性提高、剥离片捕集性提高及连续操作稳定性提高的观点出发,优选5质量%以上、更优选9质量%以上、进一步优选15质量%以上、更进一步优选18质量%以上,而且,从同样的观点出发,优选30质量%以下、更优选25质量%以下、进一步优选20质量%以下、更进一步优选15质量%以下。更具体而言,清洗剂组合物的浓缩物中的成分B的含量优选5质量%以上且30质量%以下、更优选9质量%以上且25质量%以下、进一步优选15质量%以上且20质量%以下。
本申请的清洗剂组合物为浓缩物的情况下,对于清洗剂组合物的浓缩物中的成分C的含量,从树脂掩模除去性提高、剥离片捕集性提高、连续操作稳定性提高、及使清洗剂组合物稳定化的观点出发,优选50质量%以上、更优选60质量%以上、进一步优选70质量%以上,而且,从同样的观点出发,优选90质量%以下、更优选85质量%以下、进一步优选80质量%以下。更具体而言,清洗剂组合物的浓缩物中的成分C的含量优选50质量%以上且90质量%以下、更优选60质量%以上且85质量%以下、进一步优选70质量%以上且80质量%以下。
对于本申请的清洗剂组合物的浓缩物的pH,从稀释后的清洗性及树脂掩模除去性提高的观点出发,优选10以上、更优选10.5以上,而且,从稀释后的清洗性的观点出发,优选14以下、更优选13.5以下。更具体而言,本申请的清洗剂组合物的浓缩物的pH优选10以上且14以下、更优选10.5以上且13.5以下。
[被清洗物]
在一个或多个实施方式中,本申请的清洗剂组合物可适合用于附着有树脂掩模的被清洗物的清洗、或、附着有进行了镀覆处理和/或加热处理的树脂掩模的被清洗物的清洗。
作为被清洗物,例如,可列举出电子部件及其制造中间物。作为电子部件,例如,可列举出选自印刷电路板、晶片、铜板及铝板等金属板中的至少1种部件。所述制造中间物包含作为电子部件的制造工序中的中间制造物的、树脂掩模处理后的中间制造物。
作为树脂掩模,可以为负型树脂掩模,也可以为正型树脂掩模,从容易发挥本申请的效果的方面出发,优选负型树脂掩模。作为负型树脂掩模,例如,可列举出进行了曝光和/或显影处理的负型干膜抗蚀剂。本申请中,所谓负型树脂掩模,是指使用负型抗蚀剂而形成的掩模,例如,可列举出进行了曝光和/或显影处理的负型抗蚀剂层。本申请中,所谓正型树脂掩模,是指使用正型抗蚀剂而形成的掩模,例如,可列举出进行了曝光和/或显影处理的正型抗蚀剂层。
作为附着有树脂掩模的被清洗物的具体例,例如,可列举出通过经过进行使用了干膜抗蚀剂等树脂掩模的、焊接及镀覆处理(镀铜、镀铝、镀镍等)中的至少一种处理的工序,从而在基板表面形成有布线、连接端子等的电子部件等。更具体而言,可列举出使用负型树脂掩模进行镀铜或镀铝处理而形成有微细布线或支柱的印刷电路板及晶片、使用负型树脂掩模而形成有焊料凸块的印刷电路板及晶片等。
[电子部件的制造方法]
本申请的一个方式中,涉及一种电子部件的制造方法(以下,也称为“本申请的电子部件制造方法”),其包括:对选自印刷电路板、晶片、及金属板中的至少1种电子部件,进行使用了树脂掩模的焊接及镀覆处理中的至少一种处理的工序;及通过本申请的清洗方法对实施了焊接及镀覆处理中的至少一种处理的所述电子部件进行清洗的工序。
根据本申请的电子部件制造方法,通过进行利用本申请的清洗方法的清洗,能够有效地去除附着于电子部件的树脂掩模,因此能实现可靠性高的电子部件的制造。进而,通过进行利用本申请的清洗方法的清洗,能够提高连续操作稳定性,因此能够提高电子部件的制造效率。
[循环型清洗装置]
本申请中的循环型清洗装置为对附着有树脂掩模的被清洗物(例如,印刷电路板、晶片、及金属板等电子部件)进行连续清洗的清洗装置。本申请中的循环型清洗装置具有对树脂掩模的剥离清洗所使用的清洗液进行过滤(1次过滤)的1次过滤器。作为本申请中的循环型清洗装置的一个实施方式,可列举出如下循环型清洗装置,其具有:贮藏清洗液的贮液槽、清洗被清洗物的清洗槽、用于将贮液槽内的清洗液供给至清洗槽并使清洗槽内的清洗液返回至贮液槽而循环的循环路径、配置于循环路径的送液泵等流体机械、以及配置于从清洗槽到贮液槽的路径上的1次过滤器。作为贮液槽,只要为能够贮藏对循环使用清洗液充足的量的清洗液、并可进行清洗液、水等的投入、清洗液成分的浓度调整、温度调整等的贮藏槽即可。作为清洗槽,只要为能够通过浸渍清洗、超声波清洗、空气中喷淋清洗、液体中喷流清洗、刷洗等手段使清洗液接触被清洗材料的清洗槽即可。作为送液泵等流体机械,只要为蜗壳泵、级联泵、齿轮泵、活塞泵等能够输送液体的机械即可。
在一个或多个实施方式中,本申请中的循环型清洗装置可以还具有对用所述1次过滤器过滤完的清洗液进行过滤(2次过滤)的2次过滤器。
在一个或多个实施方式中,从生产性的观点出发,本申请中的循环型清洗装置优选具有被清洗物用的送入/输出输送机,更优选具有自动送入/输出输送机。
在一个或多个实施方式中,本申请中的1次过滤器为配置于从清洗槽到贮液槽的路径上、对树脂掩模的剥离清洗所使用的清洗液进行过滤从而将剥离片从清洗液中除去的过滤器。作为1次过滤器,从维护的操作性提高的观点出发,优选作为为了将蓄积的剥离片废弃而可拆卸的结构的、在一部分具有过滤器部分的结构。在一个或多个实施方式中,本申请中的1次过滤器可列举出网格尺寸为8目以上且80目以下的网。
对于本申请中的1次过滤器的网格尺寸,从剥离片捕集性提高及连续操作稳定性提高的观点出发,为8目以上,优选10目以上、更优选12目以上、进一步优选14目以上,而且,从同样的观点出发,为80目以下,优选70目以下、更优选60目以下、进一步优选50目以下。更具体而言,1次过滤器的网格尺寸为8目以上且80目以下,优选10目以上且70目以下、更优选12目以上且60目以下、进一步优选14目以上且50目以下。网格尺寸通过下式来求出。
网格尺寸(目)=25.4÷[开口(mm)+线径(mm)]
对于本申请中的1次过滤器的开孔率,从剥离片捕集性提高及连续操作稳定性提高的观点出发,为30%以上,优选35%以上、更优选38%以上、进一步优选40%以上,而且,从同样的观点出发,为75%以下,优选72%以下、更优选70%以下、进一步优选68%以下。更具体而言,1次过滤器的开孔率为30%以上且75%以下,优选35%以上且72%以下、更优选38%以上且70%以下、进一步优选40%以上且68%以下。开孔率通过下式来求出。
开孔率(%)=[开口(mm)÷(开口(mm)+线径(mm))]2×100
对于本申请中的1次过滤器的开口,从剥离片捕集性提高及连续操作稳定性提高的观点出发,优选0.2mm以上、更优选0.3mm以上、进一步优选0.4mm以上,而且,从同样的观点出发,优选5mm以下、更优选4mm以下、进一步优选3mm以下。更具体而言,1次过滤器的开口优选0.2mm以上且5mm以下、更优选0.3mm以上且4mm以下、进一步优选0.4mm以上且3mm以下。
本申请中,1次过滤器用的网可使用的材质可以为金属制,也可以为树脂制,从耐久性的观点出发,优选不锈钢制。作为网的编织法,可以为平纹编织、斜纹编织、平纹密纹编织及斜纹密纹编织等而不特别限定,从获得性的观点出发,优选平纹编织及斜纹编织,更优选平纹编织。
本申请中的循环型清洗装置具有2次过滤器的情况下,作为2次过滤器,可列举出与上述1次过滤器相同的过滤器,例如,可以适当地使用网格尺寸及开孔率比1次过滤器小的网。
本申请中,进而涉及以下的一个或多个实施方式。
<1>一种树脂掩模剥离清洗方法,其利用重复使用清洗液的循环型清洗装置,对附着于被清洗物的树脂掩模进行剥离清洗,
所述循环型清洗装置具有对剥离清洗所使用的清洗液进行过滤的1次过滤器,
所述1次过滤器是网格尺寸为8目以上且80目以下的网,
所述清洗液是含有下述式(I)所示的季铵氢氧化物(成分A)、下述式(II)所示的胺(成分B)、及水(成分C),且成分A的含量为1质量%以上且6.5质量%以下、成分B的含量为1质量%以上且10质量%以下、成分C的含量为50质量%以上且98质量%以下的清洗剂组合物。
上述式(I)中,R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
上述式(II)中,R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种,R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种,R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种,或者,式(II)中,R5表示选自甲基、乙基、氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种,R6与R7彼此键合并与式(II)中的N原子一起形成吡咯烷环或哌嗪环。
<2>根据<1>所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,成分A为选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、2-羟乙基三乙基氢氧化铵、2-羟乙基三丙基氢氧化铵、2-羟丙基三甲基氢氧化铵、2-羟丙基三乙基氢氧化铵、2-羟丙基三丙基氢氧化铵、二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵、二乙基双(2-羟乙基)氢氧化铵、二丙基双(2-羟乙基)氢氧化铵、三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵、三(2-羟乙基)乙基氢氧化铵、三(2-羟乙基)丙基氢氧化铵、四(2-羟乙基)氢氧化铵、及四(2-羟丙基)氢氧化铵中的至少1种,优选选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵、及二乙基双(2-羟乙基)氢氧化铵中的至少1种,更优选选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、及二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵中的至少1种,进一步优选二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵。
<3>根据<1>或<2>所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,本申请的清洗剂组合物的使用时的成分A的含量优选1质量%以上、更优选2质量%以上、进一步优选2.5质量%以上、更进一步优选3质量%以上。
<4>根据<1>~<3>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,本申请的清洗剂组合物的使用时的成分A的含量优选6.5质量%以下、更优选6质量%以下、进一步优选5.5质量%以下、更进一步优选5质量%以下。
<5>根据<1>~<4>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,本申请的清洗剂组合物的使用时的成分A的含量优选1质量%以上且6.5质量%以下、更优选2质量%以上且6质量%以下、进一步优选2.5质量%以上且5.5质量%以下、更进一步优选3质量%以上且5质量%以下。
<6>根据<1>~<5>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,成分B优选选自单乙醇胺、单异丙醇胺、N-甲基单乙醇胺、N-甲基异丙醇胺、N-乙基单乙醇胺、N-乙基异丙醇胺、二乙醇胺、二异丙醇胺、N-二甲基单乙醇胺、N-二甲基单异丙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-甲基二异丙醇胺、N-二乙基单乙醇胺、N-二乙基单异丙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N-乙基二异丙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、N-(β-氨基乙基)异丙醇胺、N-(β-氨基乙基)二乙醇胺、N-(β-氨基乙基)二异丙醇胺、1-甲基哌嗪、1-(2-羟乙基)吡咯烷、1-(2-羟乙基)哌嗪、乙二胺及二亚乙基三胺中的至少1种,更优选选自单乙醇胺、单异丙醇胺、二乙醇胺、N-甲基单乙醇胺、N-乙基单乙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、1-(2-羟乙基)哌嗪及二亚乙基三胺中的至少1种,进一步优选选自单乙醇胺、单异丙醇胺、二乙醇胺、N-甲基单乙醇胺、及N-乙基单乙醇胺中的至少1种,更进一步优选单乙醇胺。
<7>根据<1>~<6>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物的使用时的成分B的含量优选1质量%以上、更优选2质量%以上、进一步优选2.5质量%以上、更进一步优选3质量%以上。
<8>根据<1>~<7>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物的使用时的成分B的含量优选10质量%以下、更优选8质量%以下、进一步优选6质量%以下、更进一步优选5质量%以下。
<9>根据<1>~<8>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物的使用时的成分B的含量优选1质量%以上且10质量%以下、更优选2质量%以上且8质量%以下、进一步优选2.5质量%以上且6质量%以下、更进一步优选3质量%以上且5质量%以下。
<10>根据<1>~<9>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物的使用时的成分C的含量优选50质量%以上、更优选60质量%以上、进一步优选70质量%以上。
<11>根据<1>~<10>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物的使用时的成分C的含量优选98质量%以下、更优选96质量%以下、进一步优选95.5质量%以下。
<12>根据<1>~<11>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物的使用时的成分C的含量优选50质量%以上且98质量%以下、更优选60质量%以上且96质量%以下、进一步优选70质量%以上且95.5质量%以下。
<13>根据<1>~<12>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物实质上不含酸。
<14>根据<1>~<13>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物中的酸的含量小于0.3质量%,优选为0.1质量%以下、更优选实质上为0质量%。
<15>根据<1>~<14>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,25℃下的清洗剂组合物的pH优选10以上、更优选10.5以上。
<16>根据<1>~<15>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,25℃下的清洗剂组合物的pH优选14以下、更优选13.5以下。
<17>根据<1>~<16>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,25℃下的清洗剂组合物的pH优选10以上且14以下、更优选10.5以上且13.5以下。
<18>根据<1>~<17>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物为将减少了成分C的量的浓缩物用成分C稀释制备而成的清洗剂组合物。
<19>根据<18>所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物的浓缩物的稀释倍率为3倍以上且10倍以下。
<20>根据<1>~<19>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的网格尺寸为8目以上,优选10目以上、更优选12目以上、进一步优选14目以上。
<21>根据<1>~<20>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的网格尺寸为80目以下,优选70目以下、更优选60目以下、进一步优选50目以下。
<22>根据<1>~<21>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的网格尺寸为8目以上且80目以下,优选10目以上且70目以下、更优选12目以上且60目以下、进一步优选14目以上且50目以下。
<23>根据<1>~<22>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的开孔率为30%以上,优选35%以上、更优选38%以上、进一步优选40%以上。
<24>根据<1>~<23>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的开孔率为75%以下,优选72%以下、更优选70%以下、进一步优选68%以下。
<25>根据<1>~<24>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的开孔率为30%以上且75%以下,优选35%以上且72%以下、更优选38%以上且70%以下、进一步优选40%以上且68%以下。
<26>根据<1>~<25>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的开口优选0.2mm以上、更优选0.3mm以上、进一步优选0.4mm以上。
<27>根据<1>~<26>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的开口优选5mm以下、更优选4mm以下、进一步优选3mm以下。
<28>根据<1>~<27>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的开口优选0.2mm以上且5mm以下、更优选0.3mm以上且4mm以下、进一步优选0.4mm以上且3mm以下、。
<29>根据<1>~<28>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,循环型清洗装置具有对用1次过滤器过滤完的清洗液进行过滤的2次过滤器,2次过滤器为网格尺寸及开孔率比1次过滤器小的网。
<30>根据<1>~<29>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,树脂掩模为负型树脂掩模。
<31>根据<1>~<30>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,被清洗物为电子部件的制造中间物。
<32>根据<1>~<31>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,被清洗物为选自使用负型树脂掩模进行镀铜或镀铝处理而形成有微细布线或支柱的印刷电路板及晶片、以及使用负型树脂掩模而形成有焊料凸块的印刷电路板及晶片中的至少1种。
<33>一种电子部件的制造方法,其包括:对选自印刷电路板、晶片、及金属板中的至少1种电子部件,进行使用了树脂掩模的焊接及镀覆处理中的至少一种处理的工序;及通过权利要求<1>~<32>中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法对实施了焊接及镀覆处理中的至少一种处理的所述电子部件进行清洗的工序。
实施例
以下,通过实施例具体地对本申请进行说明,但本申请不受这些实施例任何限定。
1.清洗剂组合物a~g的制备
在200mL玻璃烧杯中以有效成分换算计添加AH212(成分A)4.0g、单乙醇胺(成分B)8.0g、及水(成分C)198.0g,对其进行搅拌从而均匀地混合,由此制备清洗剂组合物a。
而且,通过与清洗剂组合物a同样的方法,在包含除成分A~C以外的成分的情况下也同时添加这些成分,以表1所示的组成比制备清洗剂组合物b~g。将各清洗剂组合物a~g的各成分的含量(质量%)及pH示于表1。
pH是25℃下的清洗剂组合物的pH,是用pH计(亚电波工业株式会社、HM-30G)进行测定,将电极浸渍于清洗剂组合物3分钟后的数值。
作为清洗剂组合物的成分,使用下述物质。
二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵(成分A)[四日市合成株式会社制、AH212(50%水溶液)]
四甲基氢氧化铵(成分A)[昭和电工株式会社制、TMAH(25%)]
2-羟乙基三甲基氢氧化铵(成分A)[东京化成工业株式会社制、胆碱(48%-50%水溶液)]
氢氧化钠(非成分A)[关东化学株式会社制、鹿特级、固体成分48质量%]
单乙醇胺(成分B)[Nippon Shokubai Co.,Ltd.制]
水(成分C)[用Organo Corporation制纯水装置G-10DSTSET制造的1μS/cm以下的纯水]
二甲基亚砜(其他成分)[Toray Fine Chemicals Co.,Ltd.制、工业用DMSO]
没食子酸(其他成分)[东京化成工业株式会社制]
甘油(其他成分)[花王株式会社制、精制甘油]
2.评价
将制备的清洗剂组合物a~g和下述的1次过滤器及2次过滤器如表2所示那样组合并进行评价。并且,对下述所示的树脂掩模除去性、剥离片尺寸、剥离片辊卷绕性、液体过滤性进行评价。
[试验片的制作]
将负型厚膜抗蚀剂形成用感光性膜(旭化成株式会社制、SUNFORT UFG-250、40mm×50mm×20μm)在下述条件下层压于铜板(太佑机材株式会社制、C1100P、55mm×75mm×1mm)的表面,制作进行曝光处理而固化的试验片。
<层压>
使用洁净辊(RAYON INDUSTRIAL CO.,LTD.制、RY-505Z)及真空涂抹器(Rohm&HaasCompany制、VA7024/HP5),以辊温度50℃、辊压1.4巴、处理时间30秒进行。
<曝光处理>
使用印刷电路板用直接绘制装置(SCREEN Graphic and PrecisionSolutionsCo.,Ltd.制、Mercurex LI-9500),以曝光量150mJ/cm2进行曝光。
[树脂掩模除去性评价]
在将加热至55℃的各清洗剂组合物搅拌至液体整体流动的程度的状态下浸渍试验片,目视观察树脂掩模的剥离状态,测量将树脂掩模完全剥离为止所需的时间作为剥离时间(秒)。浸渍时间最长设为达180秒。将测量结果示于表1。剥离时间越短,表示树脂掩模的除去性越高。
[剥离片尺寸的测定]
将树脂掩模除去性评价后的清洗剂组合物用滤纸(东洋滤纸株式会社制、定性滤纸No.2(φ70mm))过滤,用显微镜(KEYENCE CORPORATION制、VHX-2000)以20倍观察滤纸上的剥离片,通过自动面积测量求出平均剥离片尺寸(mm2)。将测量结果示于表1。
[剥离片辊卷绕性的评价]
若剥离片在清洗装置内的基板输送辊上附着、卷绕,则会产生辊旋转不良等清洗装置的不良情况。如下地进行用于确认有无该不良发生的评价。
从树脂掩模除去性评价后的清洗剂组合物中取出试验片,在烧杯中放入玻璃棒(长度15cm、φ10mm),以不触碰烧杯壁的方式以1分钟60次的搅拌速度对清洗剂组合物进行搅拌。其后,将玻璃棒从烧杯中取出,目视确认有无附着于玻璃棒的剥离片。将结果示于表1。未确认到剥离片在玻璃棒的附着的情况下,评价为抑制了对清洗装置内的基板输送辊等周边构件的附着,可实现稳定的操作。
[液体过滤性的评价]
如表2所示那样将各清洗剂组合物a~g和各1次过滤器(5目、10目、24目、100目、300目)组合,进行液体过滤性的评价。
具体而言,首先,从树脂掩模除去性评价后的清洗剂组合物中取出试验片,将清洗剂组合物用1次过滤器(不锈钢制网)过滤。而且,用过滤了该清洗剂组合物的1次过滤器(不锈钢制网)对水20mL进行过滤,测定水20mL总量的过滤所需的时间(秒)(1次过滤)。将测定结果示于表2。
接着,将1次过滤后的清洗剂组合物用2次过滤器(不锈钢制网、300目)进行过滤。然后,用过滤了该清洗剂组合物的2次过滤器(不锈钢制网、300目)对水20mL进行过滤,测定水20mL总量的过滤所需的时间(秒)(2次过滤)。需要说明的是,1次过滤及2次过滤的过滤面积均为0.785cm2(φ1cm)。将测定结果示于表2。
表2中,若在1次过滤和/或2次过滤中水20mL的全部过滤所需的时间超过10秒,则评价为连续操作稳定性不好。在1次过滤的情况下,清洗液不进行从清洗槽到泵的循环,在2次过滤的情况下,发生泵堵塞或喷头的堵塞从而不进行清洗液的循环,需要停止操作进行过滤器更换或清洗装置的维护(清洗、堵塞除去),因此可以判断为连续操作稳定性不好。
另一方面,在1次过滤及2次过滤这两者中,水20mL的全部过滤所需的时间为10秒以内的情况下,评价为连续操作稳定性高。
1次过滤器及2次过滤器使用以下的网。
5目[平纹编织、线径0.7mm、开口4.38mm、开孔率74.3%、不锈钢制]
10目[平纹编织、线径0.5mm、开口2.04mm、开孔率64.5%、不锈钢制]
24目[平纹编织、线径0.25mm、开口0.81mm、开孔率58.4%、不锈钢制]
100目[平纹编织、线径0.1mm、开口0.154mm、开孔率36.8%、不锈钢制]
300目[平纹编织、线径0.04mm、开口0.045mm、开孔率28.0%、不锈钢制]
[表1]
[表2]
如表1及表2所示,对于组合使用了包含成分A~C的清洗剂组合物a~c和具有特定网格尺寸的1次过滤器的实施例1~6,树脂掩模除去性优异,并且连续操作稳定性优异。
产业上的可利用性
通过使用本申请,能够提供树脂掩模除去性及连续操作稳定性优异的清洗方法。因此,本申请的清洗方法能够实现附着有树脂掩模的电子部件的清洗工序的缩短化及所制造的电子部件的性能/可靠性的提高,能够提高半导体装置的生产性。
Claims (30)
1.一种树脂掩模剥离清洗方法,其利用重复使用清洗液的循环型清洗装置,对附着于被清洗物的树脂掩模进行剥离清洗,
所述循环型清洗装置具有对剥离清洗所使用的清洗液进行过滤的1次过滤器,
所述1次过滤器是网格尺寸为8目以上且80目以下的网,
所述清洗液是含有作为成分A的下述式(I)所示的季铵氢氧化物、作为成分B的下述式(II)所示的胺、和作为成分C的水,且成分A的含量为1质量%以上且6.5质量%以下、成分B的含量为1质量%以上且10质量%以下、成分C的含量为50质量%以上且98质量%以下的清洗剂组合物,
上述式(I)中,R1、R2、R3及R4各自独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种,
上述式(II)中,R5表示选自氢原子、甲基、乙基及氨基乙基中的至少1种,R6表示选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基及乙基中的至少1种,R7表示选自氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种,或者,式(II)中,R5表示选自甲基、乙基、氨基乙基、羟乙基及羟丙基中的至少1种,R6与R7彼此键合并与式(II)中的N原子一起形成吡咯烷环或哌嗪环。
2.根据权利要求1所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,作为成分A的季铵氢氧化物为选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、2-羟乙基三乙基氢氧化铵、2-羟乙基三丙基氢氧化铵、2-羟丙基三甲基氢氧化铵、2-羟丙基三乙基氢氧化铵、2-羟丙基三丙基氢氧化铵、二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵、二乙基双(2-羟乙基)氢氧化铵、二丙基双(2-羟乙基)氢氧化铵、三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵、三(2-羟乙基)乙基氢氧化铵、三(2-羟乙基)丙基氢氧化铵、四(2-羟乙基)氢氧化铵、及四(2-羟丙基)氢氧化铵中的至少1种。
3.根据权利要求1所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,作为成分A的季铵氢氧化物为选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵、及二乙基双(2-羟乙基)氢氧化铵中的至少1种。
4.根据权利要求1所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,作为成分A的季铵氢氧化物为选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、及二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵中的至少1种。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,作为成分B的胺为选自单乙醇胺、单异丙醇胺、N-甲基单乙醇胺、N-甲基异丙醇胺、N-乙基单乙醇胺、N-乙基异丙醇胺、二乙醇胺、二异丙醇胺、N-二甲基单乙醇胺、N-二甲基单异丙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-甲基二异丙醇胺、N-二乙基单乙醇胺、N-二乙基单异丙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N-乙基二异丙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、N-(β-氨基乙基)异丙醇胺、N-(β-氨基乙基)二乙醇胺、N-(β-氨基乙基)二异丙醇胺、1-甲基哌嗪、1-(2-羟乙基)吡咯烷、1-(2-羟乙基)哌嗪、乙二胺及二亚乙基三胺中的至少1种。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,作为成分B的胺为选自单乙醇胺、单异丙醇胺、二乙醇胺、N-甲基单乙醇胺、N-乙基单乙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、1-(2-羟乙基)哌嗪及二亚乙基三胺中的至少1种。
7.根据权利要求1~4中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,作为成分B的胺为选自单乙醇胺、单异丙醇胺、二乙醇胺、N-甲基单乙醇胺、及N-乙基单乙醇胺中的至少1种。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,成分A的含量为2质量%以上且6质量%以下。
9.根据权利要求1~7中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,成分A的含量为3质量%以上且5质量%以下。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,成分B的含量为2质量%以上且8质量%以下。
11.根据权利要求1~9中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,成分B的含量为3质量%以上且5质量%以下。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,成分C的含量为60质量%以上且96质量%以下。
13.根据权利要求1~11中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,成分C的含量为70质量%以上且95.5质量%以下。
14.根据权利要求1~13中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,25℃下的清洗剂组合物的pH为10以上且14以下。
15.根据权利要求1~14中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物为将减少了成分C的量的浓缩物用成分C稀释制备而成的清洗剂组合物。
16.根据权利要求15所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,清洗剂组合物的浓缩物的稀释倍率为3倍以上且10倍以下。
17.根据权利要求1~16中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的网格尺寸为10目以上且70目以下。
18.根据权利要求1~16中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的网格尺寸为12目以上且60目以下。
19.根据权利要求1~16中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的网格尺寸为14目以上且50目以下。
20.根据权利要求1~19中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的开口为0.2mm以上且5mm以下。
21.根据权利要求1~19中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的开口为0.4mm以上且3mm以下。
22.根据权利要求1~21所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,所述1次过滤器的开孔率为30%以上且75%以下。
23.根据权利要求1~21中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的开孔率为35%以上且72%以下。
24.根据权利要求1~21中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,1次过滤器的开孔率为40%以上且68%以下。
25.根据权利要求1~24中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,循环型清洗装置具有对用1次过滤器过滤完的清洗液进行过滤的2次过滤器,2次过滤器为网格尺寸和开孔率比1次过滤器小的网。
26.根据权利要求1~25中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,所述清洗剂组合物实质上不含酸。
27.根据权利要求1~26中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,树脂掩模为负型树脂掩模。
28.根据权利要求1~27中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,被清洗物为电子部件的制造中间物。
29.根据权利要求1~28中任一项所述的树脂掩模剥离清洗方法,其中,被清洗物为选自使用负型树脂掩模进行镀铜或镀铝处理而形成有微细布线或支柱的印刷电路板及晶片、以及使用负型树脂掩模而形成有焊料凸块的印刷电路板及晶片中的至少1种。
30.一种电子部件的制造方法,其包括:对选自印刷电路板、晶片、及金属板中的至少1种电子部件,进行使用了树脂掩模的焊接及镀覆处理中的至少一种处理的工序;和利用权利要求1~29中任一项所述的清洗方法对实施了焊接及镀覆处理中的至少一种处理的所述电子部件进行清洗的工序。
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