JPH08146622A - レジスト剥離液補充液及びその使用方法 - Google Patents
レジスト剥離液補充液及びその使用方法Info
- Publication number
- JPH08146622A JPH08146622A JP30828794A JP30828794A JPH08146622A JP H08146622 A JPH08146622 A JP H08146622A JP 30828794 A JP30828794 A JP 30828794A JP 30828794 A JP30828794 A JP 30828794A JP H08146622 A JPH08146622 A JP H08146622A
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- JP
- Japan
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- solution
- resist stripping
- alkanolamine
- stripping solution
- replenishing
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 レジスト剥離液中のアルカノールアミン濃度
より高濃度のアルカノールアミン、及び極性有機溶剤を
主成分とするレジスト剥離液補充液及びその使用方法。
アルカノールアミンとしては、一般式化１で表わされる
ものが用いられる。アルカノールアミン濃度は導電率計
又は吸光光度計１５により検出され、この検出値に基づ
いて、補充液が補給される。 【化１】 【効果】 レジスト剥離液に補充した場合に、レジスト
剥離液のアルカノールアミン濃度を一定に維持すること
ができる。
より高濃度のアルカノールアミン、及び極性有機溶剤を
主成分とするレジスト剥離液補充液及びその使用方法。
アルカノールアミンとしては、一般式化１で表わされる
ものが用いられる。アルカノールアミン濃度は導電率計
又は吸光光度計１５により検出され、この検出値に基づ
いて、補充液が補給される。 【化１】 【効果】 レジスト剥離液に補充した場合に、レジスト
剥離液のアルカノールアミン濃度を一定に維持すること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路、液晶
パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるレジス
ト剥離液に補充するレジスト剥離液補充液及びその使用
方法に関する。
パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるレジス
ト剥離液に補充するレジスト剥離液補充液及びその使用
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レジスト剥離液は、半導体集積回路、液
晶パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフォ
トレジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路
又は付随する電極部の製造は以下のように行なわれる。
まず、シリコンなどの基板上に金属膜をＣＶＤやスパッ
タなどの方法で積層させる。その上部にフォトレジスト
を膜付けし、それを露光、現像などの処理でパターン形
成する。パターン形成されたフォトレジストをマスクと
して金属膜をエッチングする。不用となったフォトレジ
ストをレジスト剥離液を用い剥離する。その操作を繰り
返す事で素子の形成を行なう。
晶パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフォ
トレジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路
又は付随する電極部の製造は以下のように行なわれる。
まず、シリコンなどの基板上に金属膜をＣＶＤやスパッ
タなどの方法で積層させる。その上部にフォトレジスト
を膜付けし、それを露光、現像などの処理でパターン形
成する。パターン形成されたフォトレジストをマスクと
して金属膜をエッチングする。不用となったフォトレジ
ストをレジスト剥離液を用い剥離する。その操作を繰り
返す事で素子の形成を行なう。
【０００３】従来、剥離剤組成物としては無機酸、有機
酸、無機アルカリ、有機アルカリ、極性溶剤などの単一
溶剤、又はそれらの混合溶液が用いられているが、レジ
ストのレジスト剥離液への溶解性及びレジスト剥離液の
レジストへの浸透性が良好、また、下地金属の腐蝕が少
ないなどの理由で、有機アルカリであるアルカノールア
ミンと極性溶剤の混合溶液を主成分としたレジスト剥離
液が主に用いられている。
酸、無機アルカリ、有機アルカリ、極性溶剤などの単一
溶剤、又はそれらの混合溶液が用いられているが、レジ
ストのレジスト剥離液への溶解性及びレジスト剥離液の
レジストへの浸透性が良好、また、下地金属の腐蝕が少
ないなどの理由で、有機アルカリであるアルカノールア
ミンと極性溶剤の混合溶液を主成分としたレジスト剥離
液が主に用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子回路又は付
随する電極部の製造において、レジスト剥離の工程で
は、レジスト剥離液自体の剥離能力を向上させるため、
レジスト剥離液は通常、６０〜１２０℃程度に加温さ
れ、かつ、シャワー等の方法で使用される。その為、蒸
発量の異なる２種以上の成分で構成されるレジスト剥離
液の場合、使用中に剥離液組成比が変化し、レジスト剥
離力が逐次変化する問題がある。したがって本発明の課
題は、経時的に組成変化するレジスト剥離液に、レジス
ト剥離液の組成比が変化しないように補充するレジスト
剥離液補充液及びその使用方法を得ることである。本発
明は、上記の諸点に鑑みなされたもので、アルカノール
アミン及び溶剤を主成分としたレジスト剥離液補充液及
びその使用方法を提供することにある。
随する電極部の製造において、レジスト剥離の工程で
は、レジスト剥離液自体の剥離能力を向上させるため、
レジスト剥離液は通常、６０〜１２０℃程度に加温さ
れ、かつ、シャワー等の方法で使用される。その為、蒸
発量の異なる２種以上の成分で構成されるレジスト剥離
液の場合、使用中に剥離液組成比が変化し、レジスト剥
離力が逐次変化する問題がある。したがって本発明の課
題は、経時的に組成変化するレジスト剥離液に、レジス
ト剥離液の組成比が変化しないように補充するレジスト
剥離液補充液及びその使用方法を得ることである。本発
明は、上記の諸点に鑑みなされたもので、アルカノール
アミン及び溶剤を主成分としたレジスト剥離液補充液及
びその使用方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】レジスト剥離力
を一定に維持する為には、レジスト剥離液中、蒸発量の
大きな成分であるアルカノールアミンのみを剥離槽に適
量添加することでも達成可能と考えられる。しかし、ア
ルカノールアミンは凝固点が高く、冬期や室温が低い場
合は凝固することがある。また、室温では粘度も高く送
液が困難であり作業性が悪い。したがって、高濃度のア
ルカノールアミンと溶剤との混合物を用いることによ
り、凝固点、または粘度を低下させることが有効である
と考えられる。上述の目的を達成するために、本発明の
レジスト剥離液補充液は、レジスト剥離液中のアルカノ
ールアミン濃度より高濃度のアルカノールアミン、及び
溶剤を主成分とするものである。具体的には、一般式化
２で表わされるアルカノールアミン（Ｉ）の少なくとも
１種と溶剤とを混合してなるものである。
を一定に維持する為には、レジスト剥離液中、蒸発量の
大きな成分であるアルカノールアミンのみを剥離槽に適
量添加することでも達成可能と考えられる。しかし、ア
ルカノールアミンは凝固点が高く、冬期や室温が低い場
合は凝固することがある。また、室温では粘度も高く送
液が困難であり作業性が悪い。したがって、高濃度のア
ルカノールアミンと溶剤との混合物を用いることによ
り、凝固点、または粘度を低下させることが有効である
と考えられる。上述の目的を達成するために、本発明の
レジスト剥離液補充液は、レジスト剥離液中のアルカノ
ールアミン濃度より高濃度のアルカノールアミン、及び
溶剤を主成分とするものである。具体的には、一般式化
２で表わされるアルカノールアミン（Ｉ）の少なくとも
１種と溶剤とを混合してなるものである。
【０００６】
【化２】
【０００７】すなわち、本発明のレジスト剥離液補充液
は、一般式化２で表わされるアルカノールアミン（Ｉ）
の少なくとも１種と溶剤とを混合することを特徴として
いる。
は、一般式化２で表わされるアルカノールアミン（Ｉ）
の少なくとも１種と溶剤とを混合することを特徴として
いる。
【０００８】本発明の補充液において、一般式化２（ア
ルカノールアミン（Ｉ））の具体例としては、Ｎ，Ｎ−
ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノー
ルアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル
−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタ
ノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミ
ノ−１−プロパノール、モノエタノールアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレングリ
コールアミン、ヒドロキシルアミン等であり、これら単
独で又は混合物として使用される。
ルカノールアミン（Ｉ））の具体例としては、Ｎ，Ｎ−
ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノー
ルアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル
−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタ
ノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミ
ノ−１−プロパノール、モノエタノールアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレングリ
コールアミン、ヒドロキシルアミン等であり、これら単
独で又は混合物として使用される。
【０００９】アルカノールアミン（Ｉ）の含有量は３０
〜９０重量％、望ましくは４０〜７０重量％、さらに望
ましくは５０〜６０重量％である。また、本発明の補充
液には、安定剤、界面活性剤等の種々の添加剤を含ませ
ることもできる。アルカノールアミンの含有量が３０重
量％未満の場合は、補充液としての十分な効果を得るこ
とができない。一方、９０重量％を越える高濃度の場合
は、凝固点、粘度が高い為、取り扱う上での作業性が悪
い。
〜９０重量％、望ましくは４０〜７０重量％、さらに望
ましくは５０〜６０重量％である。また、本発明の補充
液には、安定剤、界面活性剤等の種々の添加剤を含ませ
ることもできる。アルカノールアミンの含有量が３０重
量％未満の場合は、補充液としての十分な効果を得るこ
とができない。一方、９０重量％を越える高濃度の場合
は、凝固点、粘度が高い為、取り扱う上での作業性が悪
い。
【００１０】本発明の剥離液補充液における溶剤の具体
例としては、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブ
チルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチル
セロソルブアセテート、メトキシメチルプロピオネー
ト、エトキシエチルプロピオネート、プロピレングリコ
ールメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、乳酸ブチル、乳酸イソプロピル、ピルビン酸エチ
ル、２−ヘプタノール、３−メチル１−ブタノール、２
−メチル１−ブタノール、２−メチル２−ブタノール、
メチルジグライム、メチルイソブチルケトン、メチルア
ミルケトン、シクロヘキサノン、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ピリジ
ン、ジメチルスルホキサイド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピ
ロリドン、γ−ブチロラクトン、スルホラン、水等であ
り、これら単独で又は混合物として使用される。上記の
本発明のレジスト剥離液補充液は、レジスト剥離液管理
装置において、つぎのようにして用いられる。すなわ
ち、レジスト剥離液のアルカノールアミン濃度を導電率
計又は吸光光度計により検出し、この検出値に基づいて
レジスト剥離液補充液を補給する。
例としては、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブ
チルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチル
セロソルブアセテート、メトキシメチルプロピオネー
ト、エトキシエチルプロピオネート、プロピレングリコ
ールメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、乳酸ブチル、乳酸イソプロピル、ピルビン酸エチ
ル、２−ヘプタノール、３−メチル１−ブタノール、２
−メチル１−ブタノール、２−メチル２−ブタノール、
メチルジグライム、メチルイソブチルケトン、メチルア
ミルケトン、シクロヘキサノン、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ピリジ
ン、ジメチルスルホキサイド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピ
ロリドン、γ−ブチロラクトン、スルホラン、水等であ
り、これら単独で又は混合物として使用される。上記の
本発明のレジスト剥離液補充液は、レジスト剥離液管理
装置において、つぎのようにして用いられる。すなわ
ち、レジスト剥離液のアルカノールアミン濃度を導電率
計又は吸光光度計により検出し、この検出値に基づいて
レジスト剥離液補充液を補給する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて
さらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限
定されるものではなく、適宜変更して実施することが可
能なものである。 実施例１、２、３、４、５、６ モノエタノールアミンとジエチレングリコールモノブチ
ルエーテルを表１の実施例に示す組成に調整し、凝固点
と２５℃での粘度を測定し、比較した。表１の数値は、
実施例１、２、３、４、５、６及び比較例１、２におけ
る凝固点と粘度の測定値、補充液として取り扱う場合の
作業性を示している。凝固点の単位は℃、粘度の単位は
mPa ・s である。表１において◎は「きわめて優れてい
る」、○は「優れている」、×は「劣る」を表してい
る。
さらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限
定されるものではなく、適宜変更して実施することが可
能なものである。 実施例１、２、３、４、５、６ モノエタノールアミンとジエチレングリコールモノブチ
ルエーテルを表１の実施例に示す組成に調整し、凝固点
と２５℃での粘度を測定し、比較した。表１の数値は、
実施例１、２、３、４、５、６及び比較例１、２におけ
る凝固点と粘度の測定値、補充液として取り扱う場合の
作業性を示している。凝固点の単位は℃、粘度の単位は
mPa ・s である。表１において◎は「きわめて優れてい
る」、○は「優れている」、×は「劣る」を表してい
る。
【００１２】
【表１】
【００１３】比較例１、２ モノエタノールアミンとジエチレングリコールモノブチ
ルエーテルを表１の比較例に示す組成に調整し、実施例
１、２、３、４、５、６と同様の評価を行なった。
ルエーテルを表１の比較例に示す組成に調整し、実施例
１、２、３、４、５、６と同様の評価を行なった。
【００１４】実施例１、２、３、４、５、６において、
凝固点及び粘度が作業性の良好な範囲まで低下し、効果
が認められた。従って、本発明がレジスト剥離液補充液
としてきわめて有用であることが明らかである。
凝固点及び粘度が作業性の良好な範囲まで低下し、効果
が認められた。従って、本発明がレジスト剥離液補充液
としてきわめて有用であることが明らかである。
【００１５】つぎに本発明の補充液の使用方法の実施例
について説明する。 実施例７ 図１は本発明の補充液の使用方法を実施するレジスト剥
離液管理装置の一例を示す系統図である。図中の参照番
号１〜１３は、従来の既設のレジスト剥離処理装置を構
成する機器である。すなわち、この従来のレジスト剥離
処理装置は、レジスト剥離液を貯留するレジスト剥離処
理槽１、オーバーフロー槽２、液面レベル計３、レジス
ト剥離室フード４、レジスト剥離液スプレー７、レジス
ト剥離液スプレーへの送液ポンプ８、レジスト剥離液中
の微細粒子等を除去するためのフィルター９、基板を配
置してレジスト剥離しつつ移動するローラーコンベアー
５、基板６、及びレジスト剥離液の清浄化と撹拌のため
の循環ポンプ１１、微細粒子除去用フィルター１３、な
らびにＮ2 ガス、補充液等の配管類などからなってい
る。
について説明する。 実施例７ 図１は本発明の補充液の使用方法を実施するレジスト剥
離液管理装置の一例を示す系統図である。図中の参照番
号１〜１３は、従来の既設のレジスト剥離処理装置を構
成する機器である。すなわち、この従来のレジスト剥離
処理装置は、レジスト剥離液を貯留するレジスト剥離処
理槽１、オーバーフロー槽２、液面レベル計３、レジス
ト剥離室フード４、レジスト剥離液スプレー７、レジス
ト剥離液スプレーへの送液ポンプ８、レジスト剥離液中
の微細粒子等を除去するためのフィルター９、基板を配
置してレジスト剥離しつつ移動するローラーコンベアー
５、基板６、及びレジスト剥離液の清浄化と撹拌のため
の循環ポンプ１１、微細粒子除去用フィルター１３、な
らびにＮ2 ガス、補充液等の配管類などからなってい
る。
【００１６】上記レジスト剥離処理装置に付設される機
器は、吸光光度計１５、レジスト剥離液補充液供給缶２
０、レジスト剥離液補充液供給用の流量調節弁１７、こ
れら各機器を接続する配管類、電気計装類又は空気計装
類などであり、これらでレジスト剥離液管理装置が構成
される。
器は、吸光光度計１５、レジスト剥離液補充液供給缶２
０、レジスト剥離液補充液供給用の流量調節弁１７、こ
れら各機器を接続する配管類、電気計装類又は空気計装
類などであり、これらでレジスト剥離液管理装置が構成
される。
【００１７】レジスト剥離液補充液を貯留するレジスト
剥離液補充液供給缶２０は、配管２１からのＮ2 ガスで
１〜２Kgf ／cm2 に加圧されており、レジスト剥離液補
充液流量調節弁１７の開により管路１８を通って圧送さ
れる。
剥離液補充液供給缶２０は、配管２１からのＮ2 ガスで
１〜２Kgf ／cm2 に加圧されており、レジスト剥離液補
充液流量調節弁１７の開により管路１８を通って圧送さ
れる。
【００１８】また、レジスト剥離液スプレー用の管路１
０にオンラインで設置された吸光光度計１５には、管路
１４から試料液が導入されて吸光度が連続測定され、測
定済み液は管路１６から管路１０に戻される。製品基板
の品質管理上で必要なレジスト剥離液のアルカノールア
ミン濃度の目標値は、操業実績又は計算に基づき予め各
制御器に設定しておかなければならない。管路１０にオ
ンラインで設置された吸光光度計１５は、測定誤差を最
小限とするための諸補償機能と吸光度制御器１９を備え
ている。管路１０から導入した試料液の吸光度測定値
を、吸光度制御器１９に入力して、その値が目標値にな
るように、出力信号によりレジスト剥離液補充液を、流
量調節弁１７により自動制御して、アルカノールアミン
濃度を目標値に調整するまで補給する。
０にオンラインで設置された吸光光度計１５には、管路
１４から試料液が導入されて吸光度が連続測定され、測
定済み液は管路１６から管路１０に戻される。製品基板
の品質管理上で必要なレジスト剥離液のアルカノールア
ミン濃度の目標値は、操業実績又は計算に基づき予め各
制御器に設定しておかなければならない。管路１０にオ
ンラインで設置された吸光光度計１５は、測定誤差を最
小限とするための諸補償機能と吸光度制御器１９を備え
ている。管路１０から導入した試料液の吸光度測定値
を、吸光度制御器１９に入力して、その値が目標値にな
るように、出力信号によりレジスト剥離液補充液を、流
量調節弁１７により自動制御して、アルカノールアミン
濃度を目標値に調整するまで補給する。
【００１９】なお、上記の実施例では、吸光光度計を用
いる場合について説明したが、吸光光度計の代わりに導
電率計を用いることも可能である。
いる場合について説明したが、吸光光度計の代わりに導
電率計を用いることも可能である。
【００２０】
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、次ぎのような効果を奏する。 （１） 高濃度にアルカノールアミンを含有したレジス
ト剥離液補充液であるので、レジスト剥離液に補充した
場合に、レジスト剥離液のアルカノールアミン濃度を一
定に維持することができる。 （２） アルカノールアミン含有量が適量であるので凝
固点、粘度が低く作業性が良好である。
で、次ぎのような効果を奏する。 （１） 高濃度にアルカノールアミンを含有したレジス
ト剥離液補充液であるので、レジスト剥離液に補充した
場合に、レジスト剥離液のアルカノールアミン濃度を一
定に維持することができる。 （２） アルカノールアミン含有量が適量であるので凝
固点、粘度が低く作業性が良好である。
【図１】本発明の補充液の使用方法の一実施例を示すレ
ジスト剥離液管理装置の系統図である。
ジスト剥離液管理装置の系統図である。
１ レジスト剥離処理槽 ３ 液面レベル計 ５ ローラーコンベアー ６ 基板 ７ レジスト剥離液スプレー ８ 送液ポンプ １１ 循環ポンプ １５ 吸光光度計 １７ レジスト剥離液補充液流量調節弁 １９ 吸光度制御器 ２０ レジスト剥離液補充液供給缶
Claims (5)
- 【請求項１】 レジスト剥離液中のアルカノールアミン
濃度より高濃度のアルカノールアミン、及び溶剤を主成
分とすることを特徴とするレジスト剥離液補充液。 - 【請求項２】 アルカノールアミンが一般式化１で表わ
されるアルカノールアミン（Ｉ）である請求項１記載の
レジスト剥離液補充液。 【化１】 - 【請求項３】 アルカノールアミンの含有量が３０〜９
０重量％である請求項１又は２記載のレジスト剥離液補
充液。 - 【請求項４】 安定剤及び界面活性剤の少なくとも１種
を添加してなる請求項１、２又は３記載のレジスト剥離
液補充液。 - 【請求項５】 レジスト剥離液のアルカノールアミン濃
度を導電率計又は吸光光度計により検出し、この検出値
に基づいて、請求項１〜４のいずれかに記載のレジスト
剥離液補充液を補給することを特徴とするレジスト剥離
液補充液の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30828794A JPH08146622A (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | レジスト剥離液補充液及びその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30828794A JPH08146622A (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | レジスト剥離液補充液及びその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08146622A true JPH08146622A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17979224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30828794A Pending JPH08146622A (ja) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | レジスト剥離液補充液及びその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08146622A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340253B1 (en) | 2000-02-10 | 2002-01-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resist peeling system and control method of a resist peeling solution |
| EP1285312A1 (en) * | 2000-12-30 | 2003-02-26 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Method of controlling photoresist stripping process and regenerating photoresist stripper composition based on near infrared spectrometer |
| JP2019112498A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離洗浄方法 |
-
1994
- 1994-11-16 JP JP30828794A patent/JPH08146622A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340253B1 (en) | 2000-02-10 | 2002-01-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resist peeling system and control method of a resist peeling solution |
| EP1285312A1 (en) * | 2000-12-30 | 2003-02-26 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Method of controlling photoresist stripping process and regenerating photoresist stripper composition based on near infrared spectrometer |
| EP1285312A4 (en) * | 2000-12-30 | 2005-11-16 | Dongjin Semichem Co Ltd | METHOD FOR CONTROLLING A PROCESS FOR REMAINING THE PHOTORESIS AND REGENERATING A PHOTORESIS REMOTE COMPOSITION BASED ON A SPECTROMETER IN THE NEAR INFRARED RANGE |
| JP2019112498A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離洗浄方法 |
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