JP2000075506A - フォトレジスト用のストリッパ―組成物 - Google Patents
フォトレジスト用のストリッパ―組成物Info
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトレジストの溶解性能及びストリップ性
に優れるフォトレジスト用のストリッパー組成物を提供
する。 【解決手段】 このストリッパー組成物は、１０〜３０
重量％のアルカノールアミン、１０〜３５重量％のジメ
チルスルホキシド、３０〜５０重量％のＮ−メチルピロ
リドン及び１０〜３０重量％のグリコールエーテルを含
む。
に優れるフォトレジスト用のストリッパー組成物を提供
する。 【解決手段】 このストリッパー組成物は、１０〜３０
重量％のアルカノールアミン、１０〜３５重量％のジメ
チルスルホキシド、３０〜５０重量％のＮ−メチルピロ
リドン及び１０〜３０重量％のグリコールエーテルを含
む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト用
のストリッパー組成物に関し、より詳しくは、フォトレ
ジストの溶解性能及びストリップ性能に優れた組成物に
関する。
のストリッパー組成物に関し、より詳しくは、フォトレ
ジストの溶解性能及びストリップ性能に優れた組成物に
関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置回路または半導体集積回路
は極めて微細な構造で形成されており、かかる微細構造
の回路は基板上に形成された酸化膜などの絶縁膜または
アルミニウム合金膜などの導電性金属膜にフォトレジス
トを均一にコーティングまたは塗布し、前記フォトレジ
ストを露光して現像することで、所定の形状のパターン
を形成した後、パターンが形成されたフォトレジストを
マスクとして用いて前記金属膜または絶縁膜をエッチン
グし、微細回路を形成した後、フォトレジストパターン
を除去して製造する。
は極めて微細な構造で形成されており、かかる微細構造
の回路は基板上に形成された酸化膜などの絶縁膜または
アルミニウム合金膜などの導電性金属膜にフォトレジス
トを均一にコーティングまたは塗布し、前記フォトレジ
ストを露光して現像することで、所定の形状のパターン
を形成した後、パターンが形成されたフォトレジストを
マスクとして用いて前記金属膜または絶縁膜をエッチン
グし、微細回路を形成した後、フォトレジストパターン
を除去して製造する。
【０００３】このようなフォトレジストストリッパー組
成物として、米国特許第５，４８０，５８５及び日本国
特開平５−２８１７５３号は、化学式Ｈ3-nＮ（（Ｃ
Ｈ2）mＯＨ）n（ｍは２または３であり、ｎは１、２ま
たは３である）のアルカノールアミン、スルホキシド化
合物及び化学式Ｃ6Ｈ6-n（ＯＨ）n（ｎは１、２または
３である）のヒドロキシル化合物を含むフォトレジスト
用の有機ストリッパーを開示しており、日本国特開平４
−１２４６６８号は有機アミン２０〜９０重量％、リン
酸エステル界面活性剤０．１〜２０重量％、２−ブチン
−１,４ジオール０．１〜２０重量％並びに残部として
グリコールモノアルキルエーテル及び／または非プロト
ン性極性溶媒からなるフォトレジストストリッパー組成
物を開示している。
成物として、米国特許第５，４８０，５８５及び日本国
特開平５−２８１７５３号は、化学式Ｈ3-nＮ（（Ｃ
Ｈ2）mＯＨ）n（ｍは２または３であり、ｎは１、２ま
たは３である）のアルカノールアミン、スルホキシド化
合物及び化学式Ｃ6Ｈ6-n（ＯＨ）n（ｎは１、２または
３である）のヒドロキシル化合物を含むフォトレジスト
用の有機ストリッパーを開示しており、日本国特開平４
−１２４６６８号は有機アミン２０〜９０重量％、リン
酸エステル界面活性剤０．１〜２０重量％、２−ブチン
−１,４ジオール０．１〜２０重量％並びに残部として
グリコールモノアルキルエーテル及び／または非プロト
ン性極性溶媒からなるフォトレジストストリッパー組成
物を開示している。
【０００４】また、日本国特開平８−８７１１８号で
は、Ｎ−アルキルアルカノールアミン５０〜９０重量
％、ジメチルスルホキシドまたはＮ−メチル−２−ピロ
リドン５０〜１０重量％からなる組成物を開示してお
り、このようなＮ−アルキルアルカノールアミンと特定
の有機溶媒とからなる溶剤を剥離剤として用いることに
より、高温のような厳しい剥離条件下においても不溶物
の析出が起こらず、微粒子が基板に残らないと記載して
いる。
は、Ｎ−アルキルアルカノールアミン５０〜９０重量
％、ジメチルスルホキシドまたはＮ−メチル−２−ピロ
リドン５０〜１０重量％からなる組成物を開示してお
り、このようなＮ−アルキルアルカノールアミンと特定
の有機溶媒とからなる溶剤を剥離剤として用いることに
より、高温のような厳しい剥離条件下においても不溶物
の析出が起こらず、微粒子が基板に残らないと記載して
いる。
【０００５】また、日本国特開昭６４−４２６５３号で
は、ジメチルスルホキシド５０重量％以上、特に好まし
くは７０重量％以上を含み、ジエチレングリコールモノ
アルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエ
ーテル、γ−ブチロラクトン及び１、３−ジメチル−２
−イミダゾリジノンより選択された少なくとも一種の溶
剤１〜５０重量％、並びにモノエタノールアミンなどの
含窒素有機ヒドロキシル化合物０．１〜５重量％を含む
フォトレジスト用のストリッパー組成物を開示してい
る。ここで、ジメチルスルホキシドが５０重量％未満で
ある場合には剥離性が著しく弱化し、含窒素有機ヒドロ
キシル化合物の溶剤が５重量％を超過すると、アルミニ
ウムなどの金属層が腐食すると記載されている。
は、ジメチルスルホキシド５０重量％以上、特に好まし
くは７０重量％以上を含み、ジエチレングリコールモノ
アルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエ
ーテル、γ−ブチロラクトン及び１、３−ジメチル−２
−イミダゾリジノンより選択された少なくとも一種の溶
剤１〜５０重量％、並びにモノエタノールアミンなどの
含窒素有機ヒドロキシル化合物０．１〜５重量％を含む
フォトレジスト用のストリッパー組成物を開示してい
る。ここで、ジメチルスルホキシドが５０重量％未満で
ある場合には剥離性が著しく弱化し、含窒素有機ヒドロ
キシル化合物の溶剤が５重量％を超過すると、アルミニ
ウムなどの金属層が腐食すると記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のフォ
トレジスト組成物はエッチングされた多数の半導体集積
回路または液晶表示装置回路を剥離液に含浸してフォト
レジストを除去する浸漬（dipping）方式の設備に適合
した組成であって、剥離性能、金属の腐食防止性能及び
人体安全性などの改良を主目的としていたが、最近では
液晶表示装置が大型化し、大量生産が行われることによ
り、ストリッパーの使用量が多い浸漬方式よりも液晶表
示装置回路を一枚ずつ処理する枚葉式設備（single-waf
er treatment method）を用いたフォトレジストの剥離
が一般化しているため、浸漬方式だけではなく、エアナ
イフ工程によってフォトレジストを剥離するのに適合し
たストリッパー組成物の開発が求められている。
トレジスト組成物はエッチングされた多数の半導体集積
回路または液晶表示装置回路を剥離液に含浸してフォト
レジストを除去する浸漬（dipping）方式の設備に適合
した組成であって、剥離性能、金属の腐食防止性能及び
人体安全性などの改良を主目的としていたが、最近では
液晶表示装置が大型化し、大量生産が行われることによ
り、ストリッパーの使用量が多い浸漬方式よりも液晶表
示装置回路を一枚ずつ処理する枚葉式設備（single-waf
er treatment method）を用いたフォトレジストの剥離
が一般化しているため、浸漬方式だけではなく、エアナ
イフ工程によってフォトレジストを剥離するのに適合し
たストリッパー組成物の開発が求められている。
【０００７】また、フォトレジストを除去するためのス
トリッパーは、低温及び高温の条件下でフォトレジスト
の剥離性が優れており、剥離時に不純物の微粒子を基板
に残さず、かつ、アルミニウムなどの金属層を腐食しな
いばかりか、大型の液晶表示装置回路の製造に際して用
いられる多量のストリッパーによる、人体に対する毒性
が少なくなければならない。なお、反復使用に際しても
蒸発によるストリッパーの減少が少なく、成分含量の変
化が一定してストリップ性能が維持されなければならな
い。
トリッパーは、低温及び高温の条件下でフォトレジスト
の剥離性が優れており、剥離時に不純物の微粒子を基板
に残さず、かつ、アルミニウムなどの金属層を腐食しな
いばかりか、大型の液晶表示装置回路の製造に際して用
いられる多量のストリッパーによる、人体に対する毒性
が少なくなければならない。なお、反復使用に際しても
蒸発によるストリッパーの減少が少なく、成分含量の変
化が一定してストリップ性能が維持されなければならな
い。
【０００８】このようなストリッパー組成物は、その成
分化合物及び成分比によってフォトレジストの剥離性、
金属の腐食性、フォトレジスト剥離後の洗浄工程の複雑
さ、環境安全性、作業性、価格などが著しく異なるの
で、多様な工程条件に対して最適の性能を有するフォト
レジスト組成物の開発が続けられている。
分化合物及び成分比によってフォトレジストの剥離性、
金属の腐食性、フォトレジスト剥離後の洗浄工程の複雑
さ、環境安全性、作業性、価格などが著しく異なるの
で、多様な工程条件に対して最適の性能を有するフォト
レジスト組成物の開発が続けられている。
【０００９】本発明の目的は、フォトレジストの溶解性
能及びストリップ性に優れるフォトレジスト用のストリ
ッパー組成物を提供することにある。
能及びストリップ性に優れるフォトレジスト用のストリ
ッパー組成物を提供することにある。
【００１０】また、本発明の他の目的は、反復使用に際
しても蒸発によるストリッパーの減少が少なく、成分含
量の変化が一定してストリップ性能が維持されるフォト
レジスト用のストリッパー組成物を提供することにあ
る。
しても蒸発によるストリッパーの減少が少なく、成分含
量の変化が一定してストリップ性能が維持されるフォト
レジスト用のストリッパー組成物を提供することにあ
る。
【００１１】また、本発明の他の目的は、多様な種類の
ＬＣＤ全膜質に対しても同一の剥離性能を示すことがで
き、繰返してフォトレジストを除去した場合においても
組成物の総量及び各成分の比率が一定に維持されるフォ
トレジスト用のストリッパー組成物を提供することにあ
る。
ＬＣＤ全膜質に対しても同一の剥離性能を示すことがで
き、繰返してフォトレジストを除去した場合においても
組成物の総量及び各成分の比率が一定に維持されるフォ
トレジスト用のストリッパー組成物を提供することにあ
る。
【００１２】さらに、本発明の他の目的は、浸漬方式を
用いる設備だけではなく、エアナイフ工程を用いる枚葉
式設備にも適合したフォトレジスト用のストリッパー組
成物を提供することにある。
用いる設備だけではなく、エアナイフ工程を用いる枚葉
式設備にも適合したフォトレジスト用のストリッパー組
成物を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、１０〜３０重量％のアルカノールアミ
ン、１０〜３５重量％のジメチルスルホキシド、３０〜
５０重量％のＮ−メチルピロリドン及び１０〜３０重量
％のグリコールエーテルを含むフォトレジスト用のスト
リッパー組成物を提供する。
に、本発明は、１０〜３０重量％のアルカノールアミ
ン、１０〜３５重量％のジメチルスルホキシド、３０〜
５０重量％のＮ−メチルピロリドン及び１０〜３０重量
％のグリコールエーテルを含むフォトレジスト用のスト
リッパー組成物を提供する。
【００１４】一般に、フォトレジスト用のストリッパー
組成物は、フォトレジストの溶解性能及びストリップ性
が優れており、反復使用に際しても蒸発によるストリッ
パーの減少が少なく、成分含量の変化が一定してストリ
ップ性能が維持されなければならない。また、大型のＴ
ＦＴＬＣＤ（thin film transistor liquid crystaldis
play）の量産ラインに適用される枚葉式設備に適合した
ストリッパーは、化学的に剥離性能、金属腐食の抑制性
能などが基本的に良好であり、エアナイフ工程のうちに
不純物の微粒子が基板上に残る現象を防止しなければな
らない。このような不純物の微粒子の生成を防止するた
めには、ストリッパー組成物は、ＩＴＯ膜（indium tin
oxide）、アルミニウム、クロム、窒化シリコン膜、ア
モルファスシリコン膜などのＬＣＤ全膜質に容易に吸収
され、ＬＣＤ全膜質との表面張力はできるだけ小さくか
つ均一に維持され、粘度及び揮発度は小さくなければな
らない。また、このようなストリッパーはＬＣＤ全膜質
上に滴下されたストリッパーとＬＣＤ全膜質表面との間
の接触角が小さく、前記接触角の時間による変化率も小
さくなければならない。
組成物は、フォトレジストの溶解性能及びストリップ性
が優れており、反復使用に際しても蒸発によるストリッ
パーの減少が少なく、成分含量の変化が一定してストリ
ップ性能が維持されなければならない。また、大型のＴ
ＦＴＬＣＤ（thin film transistor liquid crystaldis
play）の量産ラインに適用される枚葉式設備に適合した
ストリッパーは、化学的に剥離性能、金属腐食の抑制性
能などが基本的に良好であり、エアナイフ工程のうちに
不純物の微粒子が基板上に残る現象を防止しなければな
らない。このような不純物の微粒子の生成を防止するた
めには、ストリッパー組成物は、ＩＴＯ膜（indium tin
oxide）、アルミニウム、クロム、窒化シリコン膜、ア
モルファスシリコン膜などのＬＣＤ全膜質に容易に吸収
され、ＬＣＤ全膜質との表面張力はできるだけ小さくか
つ均一に維持され、粘度及び揮発度は小さくなければな
らない。また、このようなストリッパーはＬＣＤ全膜質
上に滴下されたストリッパーとＬＣＤ全膜質表面との間
の接触角が小さく、前記接触角の時間による変化率も小
さくなければならない。
【００１５】本発明者は、ストリッパー組成物のうち、
極性溶媒の比率を増加させると共に、フォトレジストの
ストリップ性能を向上させるアミン化合物の量を増加さ
せると、フォトレジストの溶解性を向上させ、ストリッ
パーの蒸発を抑制することができるため、反復使用に際
してもストリップ性能が維持できるばかりか、浸漬方式
及び枚葉式処理方式にも適合するという事実を見出して
本発明の完成に至った。
極性溶媒の比率を増加させると共に、フォトレジストの
ストリップ性能を向上させるアミン化合物の量を増加さ
せると、フォトレジストの溶解性を向上させ、ストリッ
パーの蒸発を抑制することができるため、反復使用に際
してもストリップ性能が維持できるばかりか、浸漬方式
及び枚葉式処理方式にも適合するという事実を見出して
本発明の完成に至った。
【００１６】本発明のフォトレジスト用のストリッパー
組成物は、１０〜３０重量％のアルカノールアミン、１
０〜３５重量％のジメチルスルホキシド、３０〜５０重
量％のＮ−メチルピロリドン及び１０〜３０重量％のグ
リコールエーテルを含む。
組成物は、１０〜３０重量％のアルカノールアミン、１
０〜３５重量％のジメチルスルホキシド、３０〜５０重
量％のＮ−メチルピロリドン及び１０〜３０重量％のグ
リコールエーテルを含む。
【００１７】前記アルカノールアミンはフォトレジスト
を剥離する役割を果し、モノイソプロパノールアミン
（ＭＩＰＡ、ＣＨ3ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＮＨ2））または
モノエタノールアミン（ＭＥＡ、ＨＯ（ＣＨ2）2Ｎ
Ｈ2）を用いるのが好ましく、モノエタノールアミンを
用いるのが最も好ましい。前記アルカノールアミンは全
体のストリッパー組成物に対して１０〜３０重量％を用
いるのが好ましく、１５〜２５重量％を用いるのがさら
に好ましい。もし、前記アルカノールアミンの使用量が
１０重量％未満であると、フォトレジストの剥離回数が
増加することによってアルカノールアミンの蒸発損失を
生じ、これにより剥離性能が低下してフォトレジスト微
粒子がＬＣＤ全膜質に残存するようになり、３０重量％
を超過すると、フォトレジストへの吸収性が小さくな
り、接触角が大きくなってエアナイフ特性が低下する。
を剥離する役割を果し、モノイソプロパノールアミン
（ＭＩＰＡ、ＣＨ3ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＮＨ2））または
モノエタノールアミン（ＭＥＡ、ＨＯ（ＣＨ2）2Ｎ
Ｈ2）を用いるのが好ましく、モノエタノールアミンを
用いるのが最も好ましい。前記アルカノールアミンは全
体のストリッパー組成物に対して１０〜３０重量％を用
いるのが好ましく、１５〜２５重量％を用いるのがさら
に好ましい。もし、前記アルカノールアミンの使用量が
１０重量％未満であると、フォトレジストの剥離回数が
増加することによってアルカノールアミンの蒸発損失を
生じ、これにより剥離性能が低下してフォトレジスト微
粒子がＬＣＤ全膜質に残存するようになり、３０重量％
を超過すると、フォトレジストへの吸収性が小さくな
り、接触角が大きくなってエアナイフ特性が低下する。
【００１８】前記ジメチルスルホキシドはフォトレジス
トを溶解する溶剤の役割を果すだけでなく、フォトレジ
スト膜との表面張力を調節する成分であって、全ストリ
ッパー組成物に対して１０〜３５重量％を用いるのが好
ましく、１５〜３０重量％を用いるのがさらに好まし
い。もし、ジメチルスルホキシドの使用量が１０重量％
未満であるとフォトレジストへの吸収性が小さくなり、
接触角が大きくなってエアナイフ特性が低下し、３５重
量％を超過すると、剥離回数が増加することによってス
トリップ性能が低下し、フォトレジストの溶解性能が低
下する。前記ジメチルスルホキシド（ＣＨ3ＳＯＣＨ3）
の代わりにジエチルスルホキシド（Ｃ2Ｈ5ＳＯＣ
2Ｈ5）、ジエチルスルホン（Ｃ2Ｈ5ＳＯ2Ｃ2Ｈ5）また
はジメチルスルホン（ＤＭＳＯ2、ＣＨ3ＳＯ2ＣＨ3）を
用いることができるが、この場合には経済性が落ちると
いう短所がある。
トを溶解する溶剤の役割を果すだけでなく、フォトレジ
スト膜との表面張力を調節する成分であって、全ストリ
ッパー組成物に対して１０〜３５重量％を用いるのが好
ましく、１５〜３０重量％を用いるのがさらに好まし
い。もし、ジメチルスルホキシドの使用量が１０重量％
未満であるとフォトレジストへの吸収性が小さくなり、
接触角が大きくなってエアナイフ特性が低下し、３５重
量％を超過すると、剥離回数が増加することによってス
トリップ性能が低下し、フォトレジストの溶解性能が低
下する。前記ジメチルスルホキシド（ＣＨ3ＳＯＣＨ3）
の代わりにジエチルスルホキシド（Ｃ2Ｈ5ＳＯＣ
2Ｈ5）、ジエチルスルホン（Ｃ2Ｈ5ＳＯ2Ｃ2Ｈ5）また
はジメチルスルホン（ＤＭＳＯ2、ＣＨ3ＳＯ2ＣＨ3）を
用いることができるが、この場合には経済性が落ちると
いう短所がある。
【００１９】前記Ｎ−メチルピロリドンはフォトレジス
トを溶解する強い溶剤の役割を果す成分であって、全ス
トリッパー組成物に対して３０〜５０重量％を用いるの
が好ましく、３５〜４５重量％を用いるのがさらに好ま
しい。もし、Ｎ−メチルピロリドンの使用量が３０重量
％未満であると、フォトレジストの溶解性が低下し、５
０重量％を超過すると、アルカノールアミンやジメチル
スルホキシドが極めて少なく投入されることになるた
め、好ましくない。前記Ｎ−メチルピロリドンには、極
性分子で、かつフォトレジストの溶解性が強い他の化合
物を用いることもできる。このように強いフォトレジス
トの溶解性を有すると共に極性分子であるＮ−メチルピ
ロリドンを用いることにより、全ストリッパー組成物の
うち、極性溶媒の総含量及びアルカノールアミンの含量
が増加し、剥離回数が増加する場合においても、フォト
レジストの剥離性能の低下を防止することができる。
トを溶解する強い溶剤の役割を果す成分であって、全ス
トリッパー組成物に対して３０〜５０重量％を用いるの
が好ましく、３５〜４５重量％を用いるのがさらに好ま
しい。もし、Ｎ−メチルピロリドンの使用量が３０重量
％未満であると、フォトレジストの溶解性が低下し、５
０重量％を超過すると、アルカノールアミンやジメチル
スルホキシドが極めて少なく投入されることになるた
め、好ましくない。前記Ｎ−メチルピロリドンには、極
性分子で、かつフォトレジストの溶解性が強い他の化合
物を用いることもできる。このように強いフォトレジス
トの溶解性を有すると共に極性分子であるＮ−メチルピ
ロリドンを用いることにより、全ストリッパー組成物の
うち、極性溶媒の総含量及びアルカノールアミンの含量
が増加し、剥離回数が増加する場合においても、フォト
レジストの剥離性能の低下を防止することができる。
【００２０】前記グリコールエーテルは前記ジメチルス
ルホキシド及びＮ−メチルピロリドンと共にフォトレジ
ストを溶解する溶剤の役割を果すだけではなく、フォト
レジスト層との表面張力を調節するためのものであっ
て、アルカノールアミンとジメチルスルホキシドとから
なるストリッパー組成物のエアナイフ特性をさらに向上
させる役割を果す。すなわち、ジメチルスルホキシド自
体はエアナイフ特性が良好であるが、これをモノエタノ
ールアミンなどと混合すると、エアナイフ特性が著しく
低下し、ここに適正量のグリコールエーテルを添加する
とエアナイフ特性及びフォトレジストの剥離性能を共に
向上させることができる。前記グリコールエーテル化合
物としては、カルビトール（Ｃ2Ｈ5O（ＣＨ2ＣＨ2O）2
Ｈ）、メチルジグリコール（ＣＨ3Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2
Ｈ）またはブチルジグリコール（Ｃ 4Ｈ9Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2
Ｏ）2Ｈ）を用いるのが好ましく、ブチルジグリコール
を用いるのが最も好ましい。グリコールエーテルは全体
のストリッパー組成物に対して１０〜３０重量％を用い
るのが好ましく、１５〜２５重量％を用いるのがさらに
好ましい。もし、前記グリコールエーテルの使用量が１
０重量％未満であると、ストリッパー組成物がフォトレ
ジスト層に容易に吸収されず、接触角が大きくなり、３
０重量％を超過すると、フォトレジストの剥離性能が低
下する。
ルホキシド及びＮ−メチルピロリドンと共にフォトレジ
ストを溶解する溶剤の役割を果すだけではなく、フォト
レジスト層との表面張力を調節するためのものであっ
て、アルカノールアミンとジメチルスルホキシドとから
なるストリッパー組成物のエアナイフ特性をさらに向上
させる役割を果す。すなわち、ジメチルスルホキシド自
体はエアナイフ特性が良好であるが、これをモノエタノ
ールアミンなどと混合すると、エアナイフ特性が著しく
低下し、ここに適正量のグリコールエーテルを添加する
とエアナイフ特性及びフォトレジストの剥離性能を共に
向上させることができる。前記グリコールエーテル化合
物としては、カルビトール（Ｃ2Ｈ5O（ＣＨ2ＣＨ2O）2
Ｈ）、メチルジグリコール（ＣＨ3Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2
Ｈ）またはブチルジグリコール（Ｃ 4Ｈ9Ｏ（ＣＨ2ＣＨ2
Ｏ）2Ｈ）を用いるのが好ましく、ブチルジグリコール
を用いるのが最も好ましい。グリコールエーテルは全体
のストリッパー組成物に対して１０〜３０重量％を用い
るのが好ましく、１５〜２５重量％を用いるのがさらに
好ましい。もし、前記グリコールエーテルの使用量が１
０重量％未満であると、ストリッパー組成物がフォトレ
ジスト層に容易に吸収されず、接触角が大きくなり、３
０重量％を超過すると、フォトレジストの剥離性能が低
下する。
【００２１】また、本発明のフォトレジスト用の剥離剤
組成物は、ベアガラスまたはＬＣＤ全膜質上のポリマー
を除去するために、１〜１０重量％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドまたは３〜１５重量％のベンゼン
ジオールをさらに含むのが好ましく、またＬＣＤ全膜質
の腐食を防止するために、１〜１５重量％のアルキルス
ルホン酸をさらに含むことができる。
組成物は、ベアガラスまたはＬＣＤ全膜質上のポリマー
を除去するために、１〜１０重量％のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドまたは３〜１５重量％のベンゼン
ジオールをさらに含むのが好ましく、またＬＣＤ全膜質
の腐食を防止するために、１〜１５重量％のアルキルス
ルホン酸をさらに含むことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例及び比較例
について詳細に説明する。しかし、下記実施例は本発明
を例示するものであって、本発明がこれらに限られるわ
けではない。
について詳細に説明する。しかし、下記実施例は本発明
を例示するものであって、本発明がこれらに限られるわ
けではない。
【００２３】（実施例１〜２及び比較例１〜２）有機ア
ミン類の剥離剤と溶剤とからなるそれぞれのストリッパ
ー組成物を、表１に記載した成分比に従って混合してフ
ォトレジスト用のストリッパー組成物を製造した。表１
から、ＭＥＡはフォトレジストを剥離させる有機アミン
類であって、モノエタノールアミンを示し、ＮＭＰ、Ｄ
ＭＳＯ、ＣＡＲＢＩＴＯＬ及びＢＤＧはフォトレジスト
溶剤であって、それぞれＮ−メチルピロリドン、ジメチ
ルスルホキシド、カルビトール及びブチルジグリコール
を示し、ＤＩ．Ｗは脱イオン水を示す。
ミン類の剥離剤と溶剤とからなるそれぞれのストリッパ
ー組成物を、表１に記載した成分比に従って混合してフ
ォトレジスト用のストリッパー組成物を製造した。表１
から、ＭＥＡはフォトレジストを剥離させる有機アミン
類であって、モノエタノールアミンを示し、ＮＭＰ、Ｄ
ＭＳＯ、ＣＡＲＢＩＴＯＬ及びＢＤＧはフォトレジスト
溶剤であって、それぞれＮ−メチルピロリドン、ジメチ
ルスルホキシド、カルビトール及びブチルジグリコール
を示し、ＤＩ．Ｗは脱イオン水を示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】前記実施例１〜２及び比較例１〜２による
フォトレジスト用のストリッパー組成物に対し、フォト
レジストの溶解性能、アルミニウム腐食程度、蒸発量、
フォトレジストのストリップ後の残膜の形成有無及び接
触角を測定した。
フォトレジスト用のストリッパー組成物に対し、フォト
レジストの溶解性能、アルミニウム腐食程度、蒸発量、
フォトレジストのストリップ後の残膜の形成有無及び接
触角を測定した。
【００２６】Ａ）フォトレジストの溶解性能 ３インチのベアウェーハ（bare wafer）に１．３μmの
厚さでフォトレジストを形成した後、ホットプレートで
１７０℃の温度で焼成してウェーハ試料を準備した。前
記ウェーハをストリッパー組成物に浸漬した後、フォト
レジストが溶解される速度を測定し、その結果を表２に
示した。
厚さでフォトレジストを形成した後、ホットプレートで
１７０℃の温度で焼成してウェーハ試料を準備した。前
記ウェーハをストリッパー組成物に浸漬した後、フォト
レジストが溶解される速度を測定し、その結果を表２に
示した。
【００２７】
【表２】
【００２８】前記表２から、実施例１及び２のストリッ
パー組成物は、比較例１のストリッパー組成物よりもフ
ォトレジストの溶解性能が３倍以上優れていることがわ
かる。
パー組成物は、比較例１のストリッパー組成物よりもフ
ォトレジストの溶解性能が３倍以上優れていることがわ
かる。
【００２９】Ｂ）アルミニウム腐食程度の評価 それぞれのストリッパー組成物によるアルミニウムの腐
食性を評価するために、７０℃に維持されていた実施例
１、２及び比較例２のストリッパー組成物に、アルミニ
ウム／クロムゲートパターンが蒸着されたガラスを浸漬
し、時間によるゲートパターンの変化を観察して表３に
示した。
食性を評価するために、７０℃に維持されていた実施例
１、２及び比較例２のストリッパー組成物に、アルミニ
ウム／クロムゲートパターンが蒸着されたガラスを浸漬
し、時間によるゲートパターンの変化を観察して表３に
示した。
【００３０】
【表３】
【００３１】前記表３から、実施例１及び２のストリッ
パー組成物は、比較例２の組成物よりもアルミニウムの
腐食性が少ないことがわかる。
パー組成物は、比較例２の組成物よりもアルミニウムの
腐食性が少ないことがわかる。
【００３２】Ｃ）蒸発量の測定 ストリッパー組成物４０ｍｌをガラスバイアル（glass
vials）に入れ、ガラスバイアルを７０℃のオイルバス
に入れた後、１２時間及び２４時間後に蒸発による重さ
の減少率［最初の重さ−最終の重さ］／最初の重さ×１
００］を計算してストリッパー組成物の蒸発量を観察
し、その結果を表４に示した。
vials）に入れ、ガラスバイアルを７０℃のオイルバス
に入れた後、１２時間及び２４時間後に蒸発による重さ
の減少率［最初の重さ−最終の重さ］／最初の重さ×１
００］を計算してストリッパー組成物の蒸発量を観察
し、その結果を表４に示した。
【００３３】
【表４】
【００３４】前記表４から、比較例２のストリッパー組
成物の蒸発率が実施例１及び２のストリッパー組成物よ
りも大きいので、ストリッパーの損失及び追加供給の問
題を発生させ、有毒溶媒の排気の問題などを引起こすこ
とがわかる。
成物の蒸発率が実施例１及び２のストリッパー組成物よ
りも大きいので、ストリッパーの損失及び追加供給の問
題を発生させ、有毒溶媒の排気の問題などを引起こすこ
とがわかる。
【００３５】Ｄ）フォトレジストストリップ後の残膜の
形成有無 実施例１及び比較例２のストリッパー組成物でフォトレ
ジストをストリップしてゲートパターンを形成した後、
残膜の形成有無を観察した。図１は、実施例１のストリ
ッパー組成物でフォトレジストをストリップしてゲート
パターンを形成した写真であって、アルミニウム配線上
に残膜が形成されていないことがわかり、図２は、比較
例２のストリッパー組成物でフォトレジストをストリッ
プしてゲートパターンを形成した写真であって、アルミ
ニウム配線上に残膜が形成されていることがわかる。
形成有無 実施例１及び比較例２のストリッパー組成物でフォトレ
ジストをストリップしてゲートパターンを形成した後、
残膜の形成有無を観察した。図１は、実施例１のストリ
ッパー組成物でフォトレジストをストリップしてゲート
パターンを形成した写真であって、アルミニウム配線上
に残膜が形成されていないことがわかり、図２は、比較
例２のストリッパー組成物でフォトレジストをストリッ
プしてゲートパターンを形成した写真であって、アルミ
ニウム配線上に残膜が形成されていることがわかる。
【００３６】Ｅ）接触角の測定 ベアガラスにゲート及びＳ／Ｄ（source／drain）層を
形成し、１３００Åの厚さでフォトレジスト層を形成し
た後、実施例及び比較例のストリッパー組成物５μlを
フォトレジストが蒸着されたガラスに滴下し、１秒の間
隔で３０回の写真をとって幅と高さを測定して接触角を
計算し、その結果を図３及び図４に示した。
形成し、１３００Åの厚さでフォトレジスト層を形成し
た後、実施例及び比較例のストリッパー組成物５μlを
フォトレジストが蒸着されたガラスに滴下し、１秒の間
隔で３０回の写真をとって幅と高さを測定して接触角を
計算し、その結果を図３及び図４に示した。
【００３７】図３は、ゲート層に形成されたフォトレジ
ストに適用されたストリッパー組成物の接触角を示した
グラフであり、図４はＳ／Ｄ層に形成されたフォトレジ
ストに適用されたストリッパー組成物の接触角を示した
グラフであって、図３及び図４からわかるように、実施
例のストリッパー組成物は比較例のストリッパー組成物
よりも接触角が小さいだけではなく、その変化量も著し
く少ないので、枚葉式フォトレジストの剥離固定に有用
である。
ストに適用されたストリッパー組成物の接触角を示した
グラフであり、図４はＳ／Ｄ層に形成されたフォトレジ
ストに適用されたストリッパー組成物の接触角を示した
グラフであって、図３及び図４からわかるように、実施
例のストリッパー組成物は比較例のストリッパー組成物
よりも接触角が小さいだけではなく、その変化量も著し
く少ないので、枚葉式フォトレジストの剥離固定に有用
である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフォトレ
ジスト用のストリッパー組成物は、剥離性能が良好であ
り、金属の腐食を抑制するばかりか、反復使用に際して
も蒸発によるストリッパーの減少が少なく、成分含量の
変化が一定してストリップ性能が維持される。また、多
様な種類の液晶表示装置の全膜質に対しても同一の剥離
性能を示すことができ、浸漬方式を用いる設備だけでは
なく、エアナイフ工程を用いる枚葉式設備にも適合す
る。
ジスト用のストリッパー組成物は、剥離性能が良好であ
り、金属の腐食を抑制するばかりか、反復使用に際して
も蒸発によるストリッパーの減少が少なく、成分含量の
変化が一定してストリップ性能が維持される。また、多
様な種類の液晶表示装置の全膜質に対しても同一の剥離
性能を示すことができ、浸漬方式を用いる設備だけでは
なく、エアナイフ工程を用いる枚葉式設備にも適合す
る。
【図１】本発明の一実施例によるストリッパー組成物で
フォトレジストをストリップしてゲートパターンを形成
した写真。
フォトレジストをストリップしてゲートパターンを形成
した写真。
【図２】従来のストリッパー組成物でフォトレジストを
ストリップしてゲートパターンを形成した写真。
ストリップしてゲートパターンを形成した写真。
【図３】ゲート層に形成されたフォトレジストに適用さ
れた本発明の一実施例及び従来のストリッパー組成物の
接触角の変化を示したグラフである。
れた本発明の一実施例及び従来のストリッパー組成物の
接触角の変化を示したグラフである。
【図４】Ｓ／Ｄ層に形成されたフォトレジストに適用さ
れた本発明の一実施例及び従来のストリッパー組成物の
接触角の変化を示したグラフである。
れた本発明の一実施例及び従来のストリッパー組成物の
接触角の変化を示したグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 碩 榮 大韓民国京畿道龍仁市二東面泉里127 東 亜アパート607号 (72)発明者 催 東 旭 大韓民国京畿道水原市八達区牛満洞 牛満 住公アパート201棟405号 (72)発明者 李 國 ▲緑▼ 大韓民国ソウル特別市陽川区新亭３洞1217 −４
Claims (6)
- 【請求項１】１０〜３０重量％のアルカノールアミン
と、 １０〜３５重量％のジメチルスルホキシドと、 ３０〜５０重量％のＮ−メチルピロリドンと、 １０〜３０重量％のグリコールエーテルと、を含むフォ
トレジスト用のストリッパー組成物。 - 【請求項２】前記アルカノールアミンは、モノイソプロ
パノールアミン及びモノエタノールアミンからなる群よ
り選択される１つ以上の化合物であることを特徴とす
る、請求項１に記載のフォトレジスト用のストリッパー
組成物。 - 【請求項３】前記グリコールエーテルは、カルビトー
ル,メチルジグリコール及びブチルジグリコールからな
る群より選択される１つ以上の化合物である、請求項１
に記載のフォトレジスト用のストリッパー組成物。 - 【請求項４】前記アルカノールアミン１５〜２５重量％
と、 前記ジメチルスルホキシド１５〜３０重量％と、 前記Ｎ−メチルピロリドン３５〜４５重量％と、 前記グリコールエーテル１５〜２５重量％と、を含む請
求項１に記載のフォトレジスト用のストリッパー組成
物。 - 【請求項５】前記アルカノールアミンはモノエタノール
アミンであり、 前記グリコールエーテルはブチルジグリコールである、
請求項４に記載のフォトレジスト用のストリッパー組成
物。 - 【請求項６】前記組成物は浸漬方式または枚葉式によっ
てフォトレジストを除去する工程に用いられる、請求項
１に記載のフォトレジスト用のストリッパー組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1998P34456 | 1998-08-25 | ||
| KR1019980034456A KR100268108B1 (ko) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000075506A true JP2000075506A (ja) | 2000-03-14 |
| JP4144959B2 JP4144959B2 (ja) | 2008-09-03 |
Family
ID=19548205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07397199A Expired - Lifetime JP4144959B2 (ja) | 1998-08-25 | 1999-03-18 | フォトレジスト用のストリッパー組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6071868A (ja) |
| JP (1) | JP4144959B2 (ja) |
| KR (1) | KR100268108B1 (ja) |
| TW (1) | TW495648B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100518714B1 (ko) * | 2002-02-19 | 2005-10-05 | 주식회사 덕성 | 레지스트 박리액 조성물 |
| CN100346231C (zh) * | 2003-08-27 | 2007-10-31 | Lg.菲利浦Lcd有限公司 | 用于除去与铜相容的抗蚀剂的组合物和方法 |
| KR20110130563A (ko) * | 2010-05-28 | 2011-12-06 | (주)디엔에프 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 |
| JP2012118502A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Ltc Co Ltd | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3366859B2 (ja) * | 1998-03-05 | 2003-01-14 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性ポリイミド前駆体用現像液及びこれを用いたパターン製造法 |
| JP2004538503A (ja) * | 2001-07-13 | 2004-12-24 | イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド | スルホキシド−ピロリドン（ピロリジノン）−アルカノールアミン系剥離および洗浄組成物 |
| KR20030023204A (ko) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
| WO2003091376A1 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Ekc Technology, Inc. | Oxalic acid as a cleaning product for aluminium, copper and dielectric surfaces |
| KR20040040087A (ko) * | 2002-11-06 | 2004-05-12 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
| KR101136026B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2012-04-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트용 박리제 및 상기 박리제를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
| US20100183853A1 (en) * | 2007-06-12 | 2010-07-22 | Takashi Ihara | Stripping agent for resist film on/above conductive polymer, method for stripping resist film, and substrate having patterned conductive polymer |
| US8444768B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| US8309502B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
| US8614053B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-12-24 | Eastman Chemical Company | Processess and compositions for removing substances from substrates |
| FR2976290B1 (fr) | 2011-06-09 | 2014-08-15 | Jerome Daviot | Composition de solutions et conditions d'utilisation permettant le retrait et la dissolution complete de resines photo-lithographiques |
| CN104169801B (zh) | 2012-03-16 | 2019-12-17 | 巴斯夫欧洲公司 | 光致抗蚀剂剥离和清洁组合物、其制备方法及其用途 |
| US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
| CN103995441B (zh) * | 2014-06-11 | 2019-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光阻剥离方法及光阻剥离装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0490726B1 (fr) * | 1990-12-07 | 1995-04-19 | Elf Atochem S.A. | Utilisation d'une composition pour le dépage de peintures |
| US5988186A (en) * | 1991-01-25 | 1999-11-23 | Ashland, Inc. | Aqueous stripping and cleaning compositions |
| US5480585A (en) * | 1992-04-02 | 1996-01-02 | Nagase Electronic Chemicals, Ltd. | Stripping liquid compositions |
| FR2691713B1 (fr) * | 1992-06-02 | 1997-12-26 | Atochem Elf Sa | Composition pour decaper les peintures. |
| US6001192A (en) * | 1992-06-02 | 1999-12-14 | Elf Atochem S.A. | Paint stripping composition |
| US5597678A (en) * | 1994-04-18 | 1997-01-28 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Non-corrosive photoresist stripper composition |
| JP3449651B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2003-09-22 | 東京応化工業株式会社 | レジスト剥離液組成物 |
| JP2911792B2 (ja) * | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
-
1998
- 1998-08-25 KR KR1019980034456A patent/KR100268108B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-10-22 TW TW087117636A patent/TW495648B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-01-08 US US09/227,257 patent/US6071868A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-18 JP JP07397199A patent/JP4144959B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100518714B1 (ko) * | 2002-02-19 | 2005-10-05 | 주식회사 덕성 | 레지스트 박리액 조성물 |
| CN100346231C (zh) * | 2003-08-27 | 2007-10-31 | Lg.菲利浦Lcd有限公司 | 用于除去与铜相容的抗蚀剂的组合物和方法 |
| KR20110130563A (ko) * | 2010-05-28 | 2011-12-06 | (주)디엔에프 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 |
| KR101691850B1 (ko) | 2010-05-28 | 2017-01-03 | (주)디엔에프 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 |
| JP2012118502A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Ltc Co Ltd | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100268108B1 (ko) | 2000-12-01 |
| TW495648B (en) | 2002-07-21 |
| KR20000014840A (ko) | 2000-03-15 |
| US6071868A (en) | 2000-06-06 |
| JP4144959B2 (ja) | 2008-09-03 |
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| KR20110026977A (ko) | 구리계 배선의 형성을 위한 레지스트 제거용 조성물 |
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