JP2012118502A - 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物 - Google Patents

1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP2012118502A
JP2012118502A JP2011187941A JP2011187941A JP2012118502A JP 2012118502 A JP2012118502 A JP 2012118502A JP 2011187941 A JP2011187941 A JP 2011187941A JP 2011187941 A JP2011187941 A JP 2011187941A JP 2012118502 A JP2012118502 A JP 2012118502A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
photoresist
lcd
photoresist stripping
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011187941A
Other languages
English (en)
Inventor
Song-Che Ho
ソン・チェ ホ
Kyo-Chong Moon
キョ・チョン ムン
Il Pe John
イル・ペ ジョン
Sun-Ie Yi
スン・イ ジョン
Hye-Seong Yang
ソン・ヤン ヘ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LTC CO Ltd
Original Assignee
LTC CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LTC CO Ltd filed Critical LTC CO Ltd
Publication of JP2012118502A publication Critical patent/JP2012118502A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

【課題】TFT−LCD用剥離液組成物添加剤であるメルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いて、水の含有量変化時にもCu及びAlの腐食防止及びフォトレジスト剥離能力を一定に維持する水系フォトレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】(a)1級アルカノールアミン1〜20重量%;(b)アルコール10〜60重量%;(c)水0.1〜50重量%;(d)極性有機溶剤5〜50重量%;及び(e)腐食防止剤0.01〜3重量%;を含むLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。
【選択図】図4

Description

本発明は、フォトレジスト剥離液組成物に関し、TFT−LCD全工程に使用可能な統合フォトレジスト剥離剤に関する。
フラットパネルディスプレイ(FPD)の製造工程において、基板上に一定のパターンを形成するためにフォトリソグラフィ(Photo-lithography)工程が広く利用されている。このようなフォトリソグラフィ工程は、大きく露光工程、乾式又は湿式エッチング工程、及びアッシング(ashing)などの一連の工程から構成されており、基板上にフォトレジスト(Photo Resist)を塗布し露光した後、これに対して乾式又は湿式エッチングを行ってパターンを形成する。このとき、金属配線上に残っているフォトレジストは、フォトレジスト剥離剤を用いて除去することになる。
これまで使われてきたLCD工程用フォトレジスト剥離剤の組成は、主に水を含まない有機系で、1,2級アルカノールアミン類、極性溶媒又はグリコール類の混合物が使われてきた。一般に、エッチング工程後に残存しているフォトレジストを上述のフォトレジスト剥離剤を用いて剥離させてから水で洗浄するが、この場合、金属配線が腐食され、フォトレジストの再吸着に因り不純物が生成されるという問題点がある。これは、アルカノールアミン類が水と混ざると水酸化イオンを発生させて、アルミニウムを含む金属の腐食性が相当増加するからである。そのため、金属配線の腐食を防止するための特別な腐食防止剤が必要とされるが、従来の腐食防止剤は、その原価が高くて経済性に劣るといった問題点があった。これにより、特に最近は、LCDのようなフラットパネルディスプレイの製造における工程原価の上昇が不可避であった。
また、TFT LCD Al配線膜の場合、変性フォトレジストを剥離しなければならないが、このとき、弱塩基性アミンは、フォトレジスト除去能力の低下に因りフォトレジストの剥離が完璧ではない場合がある。韓国特許第10−0950779号には、弱塩基性アルカノールアミンが3級アルカノールアミンを含むフォトレジスト剥離剤組成物が開示されているが、同組成物を使用した結果、変性フォトレジストの剥離が完璧ではないという問題点があった。
一方、水により活性化された強塩基性アルカノールアミンを使用する場合、Al及びCu配線膜の損傷が不回避であるため、これを解決するために、既存の有機系LCD用剥離液には腐食防止剤を微量添加する。しかし、水を含むフォトレジスト剥離液を用いてTFT−LCDフォトレジスト剥離工程を進行する場合、使用時間によって水が揮発するため、剥離液内の水の含有量が変化して、腐食防止剤の腐食防止能力及びフォトレジスト剥離能力が急激に変わる。従ってこれまで、有機系剥離液組成において強塩基性アルカノールアミンと腐食防止剤を添加したLCD用剥離液組成物に関しては多くの報告が存在したが、強塩基性アルカノールアミンを用いた水系LCD用剥離液組成物に関しては見つけるのが難しい。
韓国特許第10−0950779号
よって、本発明者らは、メルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いた、比較的安定した腐食防止及びフォトレジスト剥離剤を開発することにより、上記のような問題の解決を図る。
本発明の目的は、TFT−LCD用剥離液組成物添加剤であるメルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いて、水の含有量変化時にもCu及びAlの腐食防止及びフォトレジスト剥離能力を一定に維持する水系フォトレジスト剥離剤を提供することにある。
上記の目的を達成するための一具体例で、(a)1級アルカノールアミン1〜20重量%;(b)アルコール10〜60重量%;(c)水0.1〜50重量%;(d)極性有機溶剤5〜50重量%;及び(e)腐食防止剤0.01〜3重量%;を含むLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。
他の具体例で、上記1級アルカノールアミンは、モノエタノールアミン(Monoethanol amine)、モノイソプロパノールアミン(Monoisopropanol amine)、2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール(2-amino-2-methyl-1-propanol)、2−メチルアミノエタノール(2-Methylaminoethanol)及び3−アミノプロパノールアミン(3-Aminopropanol amine)からなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とするLCD用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。
もう一つの具体例で、上記アルコールは、エチレングリコール(Ethylene Glycol)、1−ヘキサノール(1-Hexanol)、オクタノール(Octanol)、1−ヘプタノール(1-Heptanol)、1−デカノール(1-Decanol)、2−ヘプタノール(2-Heptanol)及びテトラヒドロフルフリルアルコール(Tetrahydrofurfurylalcohol)からなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とするLCD用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。
もう一つの具体例で、上記腐食防止剤は、C5−C10ヘテロ環式化合物であり、環を構成する炭素が、N、O及びSからなる群から選ばれた一つ以上の原子で置換されてなり、該ヘテロ環の炭素原子にメルカプト基が置換されていることを特徴とするLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。
もう一つの具体例で、上記ヘテロ環式化合物は、イミダゾールであることを特徴とするLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。
もう一つの具体例で、上記腐食防止剤は、2−メルカプトベンズイミダゾール(2-Mercaptobenzimidazole)、2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジゾール(2,5-Dimercapto-1,3,4-thiadizole)及び2−メルカプトベンゾチアゾール(2-Mercaptobenzothiazole)からなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とするLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。
もう一つの具体例で、上記極性有機溶剤は、R-O(CH2CH2O)Hの化学式(ここで、上記Rは、線状炭化水素、分岐炭化水素又は環状炭化水素のうちの何れか一つである)を有するグリコールを含有するLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。
もう一つの具体例で、上記極性有機溶剤は、N−メチルピロリドン(N-methylpyrollidone,NMP)、スルホラン(Sulfolane)、ジメチルスルホキシド(Dimethylsulfoxide,DMSO)、ジメチルアセトアミド(Dimethylacetamide,DMAC)及びモノメチルホルムアミド(Monomethylformamide)からなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とするLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。
一具体例で、(a)1級アルカノールアミン1〜20重量%;(b)アルコール10〜60重量%;及び(c)極性有機溶剤5〜70重量%;を含むLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。
他の具体例で、上記1級アルカノールアミンは、2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール(2-amino-2-methyl-1-propanol)であることを特徴とするLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。
もう一つの具体例で、上記アルコールは、エチレングリコール(Ethylene Glycol)、1−ヘキサノール(1-Hexanol)、オクタノール(Octanol)、1−ヘプタノール(1-Heptanol)、1−デカノール(1-Decanol)、2−ヘプタノール(2-Heptanol)及びテトラヒドロフルフリルアルコール(Tetrahydrofurfurylalcohol)からなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とするLCD用フォトレジスト剥離液組成を提供する。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、本発明によるフォトレジスト剥離液の構成要素は、メルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として0.01〜3重量%使用する。腐食防止剤の重量比が低すぎる場合は、金属配線膜に対する腐食防止効果がほとんど現れず、特に、腐食防止剤の含有量が低い場合、水の量が減るほど腐食防止効果の減少が著しい。腐食防止剤の重量比が高すぎる場合は、フォトレジスト剥離能力が弱くなる。本発明による組成物において腐食防止剤を3重量%使用する場合、腐食防止及び剥離能力に異常がないことを確認した。尚、腐食防止剤は高価なため、必要以上の量を投入する必要はない。
また、LCDパターン成分要素であるMo、Al及びCuなどの腐食防止能力を一層向上させるために、その他の腐食防止剤を添加できる。そして、pH11(10%水溶液基準)以上である1,2級アルカノールアミン(例:モノエタノールアミン(Monoethanolamine, MEA)、モノイソプロパノールアミン(Monoisopropanolamine, MIPA)、2−メチルアミノエタノール(2-Methylaminoethanol, 2-MAE)、ジエチルエタノールアミン(Diethylethanolamine、DEEOA)及びMDEA,MDMA,DEEOA混合液)の含有量は、1〜20重量%でありうる。水の含有量は0.1〜50重量%、アルコール(例;エチレングリコール(Ethylene Glycol, EG, 沸点:197.7℃)の含有量は10〜60重量%でありうる。極性有機溶剤としては、N−メチルピロリドン(N-methylpyrollidone, NMP)、ジメチルスルホキシド(Dimethylsulfoxide, DMSO)、ジメチルアセトアミド(Dimethylacetamide, DMAC)及びN−メチルホルムアミド(N-Methylformamide, NMF)等を5〜50重量%単独又は混合使用することができる。
また、剥離後における洗浄力の向上のために、グリコール類は、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(Diethyleneglycolmonoethylether, EDG)、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(Diethyleneglycolmonobutylether、BDG)、トリエチレングリコールエーテル(Triethyleneglycolether, TEG)等を20%〜60%単独又は混合使用することができる。重量比は5〜50重量%が適当で、少なすぎる場合は硬化したフォトレジストを十分に溶解できず、逆に多すぎる場合は価格が高くなるという短所がある。
剥離液に対する、pH11以上で沸点が150℃以上である1級アルカノールアミンの重量比は1〜20重量%が適当で、1重量%未満である場合は、変性フォトレジスト剥離力に問題が生じ、工程進行に伴う損失により剥離力に問題が生じる。20重量%超過の場合は、腐食防止剤が相対的に追加投入されなければならず、金属配線膜が腐食する恐れがあり、製造コストの上昇を招く。水の含有量は0.1〜50重量%、アルコール(沸点:150℃以上、(例;エチレングリコール(Ethylene Glycol, EG, 沸点:197.7℃)、テトラヒドロフルフリルアルコール(Tetrahydrofurfurylalcohol, THFA, 沸点:178℃)など)の含有量は10〜60重量%が適当で、比率が少なすぎる場合、Cu配線膜の腐食防止能力が低下する恐れがある。
また、水の比率が高すぎる場合、Al金属配線が腐食する恐れがあり、フォトレジスト剥離効果が低下する。アルコールを添加しない場合、腐食防止及び剥離能力には影響を与えないが、剥離工程進行時、工程温度(40℃以上)と装備内の排気圧により水が揮発されて剥離液の寿命が短縮される。従って、LCDフォトレジスト剥離工程進行時、剥離液の使用時間に応じて適当量のアルコールを混合して使用すればよい。
本発明によるフォトレジスト剥離液組成物は、水を含む水系である。水を含む水系剥離液は、有機系剥離液に比べてアミンの塩基度が一層活性化される。従って、フラットパネルディスプレイの製造工程において、乾式エッチング、インプラント及びハードベーク工程進行後に残っている変性フォトレジストに対する除去能力が、一般的に使用されている有機系LCD用剥離液に比べて、低い工程温度を適用しても遥かに優れている。低い工程温度の適用は、フラットパネルディスプレイの製造原価節減を可能にする。また、本発明による剥離液組成物は、最適の腐食防止剤を用いていることからアルミニウム配線と銅配線のどちらにも適用可能であり、有機膜及びCOA工程に導入できる。
また、グリコール類を一つ又は二つ以上混合してフォトレジストの剥離を効果的に補助できる。グリコール類は、溶解されたフォトレジストを剥離剤に広く行き渡らせる役割を果たして、迅速な除去に有用である。上述のグリコールの場合、構造がR-O(CH2CH2O)Hであり、ここで‘R'は、線状炭化水素、分岐炭化水素及び環状炭化水素のうちの何れか一つを示す。
更に具体的には、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(Diethyleneglycolmonomethylether, MDG)、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(Diethyleneglycolmonoethylether, EDG)、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(Diethyleneglycolmonobutylether, BDG)及びトリエチレングリコールエーテル(Triethyleneglycolether, TEG)等を使用することができる。
全体組成に対するグリコール類の重量比は10〜70重量%が適当で、上述のR-O(CH2CH2O)Hに該当するもののうち一つ又は二つ以上を混合して使用することができる。
一方、1級の強塩基性アルカノールアミンでも立体障害のある2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール(2-amino-2-methyl-1-propanol, 以下“AMP”という)は、水なしでアルコール類だけ添加した有機系組成において腐食防止剤を使用せずに、変性されたフォトレジストを完全に剥離すると共に、Al及びCu配線の腐食を防止できる。
AMPは、1級アミンであるため、水とは下記反応式(1)によりOHを生成して金属配線膜を腐食させる。水がない場合、アミンと金属との腐食反応は下記反応式(2)の通りである。この時、AMPは、1級アミンではあるが、下記反応式(2)のRグループが非常に大きいことから立体障害が生じて腐食反応を抑制する。一方、AMPは、1級の強塩基性アミンであるため、変性されたフォトレジストの剥離に有利である。
(1)水溶液状態におけるアミンと銅との腐食反応
RNH2 + H2O → RNH3 + + OH-
Cu2+ + 2OH- → Cu(OH)2(s)
Cu(OH)2(s) + 4RNH3 + → [Cu(RNH2)4]

(2)有機溶液状態におけるアミンと銅との腐食反応
Cu2+ + 4RNH2 → Cu(RNH2)4 2
よって、本発明は、TFT−LCDフォトレジスト剥離工程時、銅及びアルミニウム配線に対し、水が含まれているにもかかわらず腐食防止及び剥離能力に卓越し、工程進行後の変性フォトレジストに対する除去能力にも優れ、既存発明の長所を維持したまま短所は克服したフォトレジスト剥離組成物を提供できる。
本発明によるフォトレジスト剥離剤は、半導体又はフラットパネルディスプレイの製造工程において、工程進行後の変性フォトレジストに対する除去能力に優れ、アルミニウム配線と銅配線のどちらにも適用可能であり、有機膜及びCOA工程に導入でき、沸点が150℃以上のアルコール類及び水と混合して使用すれば、腐食防止能力が向上し使用時間を増大させることができる。
図1は、フォトレジストが除去されていないAl金属膜配線ガラス基板をオーブンにて170℃の温度で10分間熱処理して製作したものを示した顕微鏡代表写真である。 図2は、温度を50℃に維持した剥離液に、熱処理製作(170℃/10分)された基板を30秒間浸漬させ、変性されたフォトレジストの除去程度を評価した結果、フォトレジストが除去されずに基板に残っていることを示した顕微鏡代表写真である(Xに該当する)。 図3は、温度を50℃に維持した剥離液に、熱処理製作(170℃/10分)された基板を30秒間浸漬させ、変性されたフォトレジストの除去程度を評価した結果、フォトレジストの一部が除去されずに基板に残っていることを示した顕微鏡代表写真である(△に該当する)。
図4は、温度を50℃に維持した剥離液に、熱処理製作(170℃/10分)された基板を30秒間浸漬させ、変性されたフォトレジストの除去程度を評価した結果、フォトレジストが完全に除去されたことを示した顕微鏡代表写真である(◎に該当する)。 図5は、フォトレジストが除去されていないCu金属膜配線ガラス基板をSEMで撮影した代表写真である。 図6は、温度を50℃に維持した剥離液に、フォトレジストが除去されていないCuガラス基板を10分間浸漬させ、Cu表面の腐食程度を評価した結果、(◎)に該当することを示したSEM代表写真である。
図7は、温度を50℃に維持した剥離液に、フォトレジストが除去されていないCuガラス基板を10分間浸漬させ、Cu表面の腐食程度を評価した結果、(?)に該当することを示したSEM代表写真である。 図8は、温度を50℃に維持した剥離液に、フォトレジストが除去されていないCuガラス基板を10分間浸漬させ、Cu表面の腐食程度を評価した結果、(△)に該当することを示したSEM代表写真である。 図9は、温度を50℃に維持した剥離液に、フォトレジストが除去されていないCuガラス基板を10分間浸漬させ、Cu表面の腐食程度を評価した結果、(X)に該当することを示したSEM代表写真である。
以下、本発明を下記実施例により詳しく説明する。但し、下記実施例は、本発明を例示するだけであって、本発明の内容を限定するものではない。
実施例1
本発明によるフォトレジスト剥離液組成物の性能を評価するための変性フォトレジスト剥離能力及び腐食防止能力試験は、次のような方法で行なった。剥離液組成物は、腐食防止剤として2−メルカプトベンズイミダゾールを1重量%含有し、アミン、水など残りの具体的な構成成分及びその組成(重量%)は、下記表1の通りである。フォトレジストが除去されていないAl金属膜配線ガラス基板をオーブンにて160℃の温度で10分間熱処理して製作した。上記製造された剥離液組成物を50℃に維持しながら、上記製作された基板を剥離液組成物に30秒間浸漬させ、変性されたフォトレジストの除去程度を評価した。
また、剥離液組成物を50℃に維持しながら、Cu金属膜配線ガラス基板を剥離液組成物に10分間浸漬させ、Cu配線膜の腐食有無を評価した。評価基準は、アセトンに10分間浸漬させたCu金属膜配線ガラス基板を対照群として使用した(表1)。
上記実験の結果値は、次のような記号で表1に示した。
[Al配線の変性フォトレジスト(PR)剥離能力]
◎:変性されたフォトレジストが完全除去された
△:変性されたフォトレジストが痕跡量残っている
X:変性されたフォトレジストが1/3以上残っている
[Cu配線の腐食程度]
◎:対照群基板と腐食程度が同一
○:対照群基板と対比して膜厚は同一であるが表面に微弱の腐食が発生
△:対照群基板と対比して膜厚が減少し表面に腐食が発生
X:Cu配線膜が腐食されて膜厚が1/2以上減少した
MEA :モノエタノールアミン(Monoethanol amine)
MIPA :モノイソプロパノールアミン(Monoisopropanol amine)
DIPA :ジイソプロパノールアミン(Diisopropanol amine)
TIPA :トリイソプロパノールアミン(Triisopropanol amine)
AMP : 2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール(2-amino-2-methyl-1-propanol)
2-MAE:2−(メチルアミノ)エタノール(2-(Methylamino)ethanol)
MDEOA:メチルジエタノールアミン(Methyldiethanol amine)
DEEOA:ジエチルエタノールアミン(Diethylethanol amine)
AEEOA:アミノエチルエタノールアミン(Aminoethylethanol amine)
3-APN:3−アミノプロパノールアミン(3-Aminopropanol amine)
MDEA :メチルジエタノールアミン(Methyldiethanolamine)
MDMA :メチルジメタノールアミン(Methyldimethanolamine)
EG :エチレングリコール(EthyleneGlycol)
EDG :ジエチレングリコールモノエチルエーテル(Diethyleneglycolmonoethylether)
NMP :N−メチルピロリドン(N-methylpyrrolidone)
THFA :テトラヒドロフルフリルアルコール(Tetrahydrofurfurylalcohol)
MBI :2−メルカプトベンズイミダゾール(2-Mercaptobenzimidazole)
表1のように、腐食防止剤として2−メルカプトベンズイミダゾール(2-Mercaptobenzimidazole)を含んだ本発明の組成物条件において、変性PR剥離能力とCu配線腐食防止能力を共に満たす組成が得られる。
比較例1
腐食防止剤(MBI、2−メルカプトベンズイミダゾール)を含まないという点を除いては、実施例1と同一の方法で実験を行なった。その結果は表2の通りであり、表2に記載された略語は上述した通りである。
表2の通り、水系フォトレジストにおいて1級アルカノールアミン及び水を使用しながらCu腐食防止剤を添加しない条件では、変性フォトレジスト剥離能力が落ちるか、又はCu配線腐食防止能力が顕著に減少した。
実施例2
Cu腐食防止剤の種類又はアルコールの含有量だけを下記表3の通り異にすることを除いては、実施例1と同一の方法で実験を行なった。その結果は、表3の通りである。
BIMD:ベンズイミダゾール(Benzimidazole)
IMD :イミダゾール(Imidazole)
4-MIMD:4−メチルイミダゾール(4-methylimidazole)
BTA :ベンゾトリアゾール(Benzotriazole)
TTA :テトラゾール(Tetrazole)
MBI :2−メルカプトベンズイミダゾール(2-Mercaptobenzimidazole)
2,5-DTA:2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジゾール(2,5-Dimercapto-1,3,4-thiadizole)
MBT:2−メルカプトベンゾチアゾール(2-Mercaptobenzothiazole)
表3の結果から分かるように、メルカプト基が含まれていない化合物を腐食防止剤として使用した場合は、配線が腐食されたり、工程後に腐食防止剤が残留するといった問題点が発生したが、2−メルカプトベンズイミダゾール(2-Mercaptobenzimidazole)、2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジゾール及び2−メルカプトベンゾチアゾール(2-Mercaptobenzothiazole)のようなメルカプト基が含まれているアゾール系化合物を腐食防止剤として使用した場合は、配線の腐食がほぼ完全に防止され、残留する腐食防止剤も全くないことが確認できた。
実施例3
1級アミンとして、立体障害のあるAMP(2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール)を用いて上記実施例1と同様の方法で実験を行なった。その結果は表4の通りである。
表4の結果の通り、AMPは、水及び腐食防止剤を添加した場合だけでなく、水なしでアルコール類だけを添加した有機系組成において金属配線膜腐食剤を使用しない場合も、変性されたフォトレジストを完全に剥離すると共に、Al及びCu配線の腐食を効果的に防止できることが確認された。
以上の実験結果の通り、水系フォトレジスト剥離剤の製造時、強塩基である1級エタノールアミンとメルカプト基とが含まれているアゾール系化合物を腐食防止剤として用いれば、著しく変性されたフォトレジストの完全剥離と銅配線の腐食防止が両方可能である。また、立体障害のある1級アルカノールアミンであるAMPは、水が含まれていない有機系組成で用いられるとき、腐食防止剤なしでも銅配線が腐食されなかった。
以上、例示的な実施様態を参照しながら本発明について記述したが、本発明の属する技術分野の当業者であれば、本発明の範ちゅうを逸脱することなく多様な変化を実施しその要素を等価物で代替することが可能であることを理解できるであろう。
また、本発明の本質的な範ちゅうを逸脱することなく多様な変形を実施して特定の状況及び材料を本発明の教示内容に採用することが可能である。従って、本発明が、本発明の実施にあたって計画された最上の様式として開示された特定の実施様態に極限されるのではなく、本発明の特許請求範囲に属する実施様態全てを含むものと解釈されなければならない。

Claims (11)

  1. (a)1級アルカノールアミン1〜20重量%;
    (b)アルコール10〜60重量%;
    (c)水0.1〜50重量%;
    (d)極性有機溶剤5〜50重量%;及び
    (e)腐食防止剤0.01〜3重量%;を含むLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。
  2. 1級アルカノールアミンが、モノエタノールアミン(Monoethanol amine)、モノイソプロパノールアミン(Monoisopropanol amine)、2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール(2-amino-2-methyl-1-propanol)、2−メチルアミノエタノール(2-Methylaminoethanol)及び3−アミノプロパノールアミン(3-Aminopropanol amine)からなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とする、請求項1に記載のLCD用フォトレジスト剥離液組成物。
  3. アルコールが、エチレングリコール(Ethylene Glycol)、1−ヘキサノール(1-Hexanol)、オクタノール(Octanol)、1−ヘプタノール(1-Heptanol)、1−デカノール(1-Decanol)、2−ヘプタノール(2-Heptanol)及びテトラヒドロフルフリルアルコール(Tetrahydrofurfurylalcohol)からなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とする、請求項1に記載のLCD用フォトレジスト剥離液組成物。
  4. 腐食防止剤が、C5−C10ヘテロ環式化合物であり、環を構成する炭素が、N、O及びSからなる群から選ばれた一つ以上の原子で置換されてなり、該ヘテロ環の炭素原子にメルカプト基が置換されていることを特徴とする、請求項1に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。
  5. ヘテロ環式化合物が、イミダゾールであることを特徴とする、請求項4に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。
  6. 腐食防止剤が、2−メルカプトベンズイミダゾール(2-Mercaptobenzimidazole)、2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジゾール(2,5-Dimercapto-1,3,4-thiadizole)及び2−メルカプトベンゾチアゾール(2-Mercaptobenzothiazole)からなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とする、請求項1に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。
  7. 極性有機溶剤が、R−O(CHCHO)Hの化学式(ここで、Rは、線状炭化水素、分岐炭化水素又は環状炭化水素のうちの何れか一つである)を有するグリコールを含有する、請求項1に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。
  8. 極性有機溶剤が、N−メチルピロリドン(N-methylpyrollidone,NMP)、スルホラン(Sulfolane)、ジメチルスルホキシド(Dimethylsulfoxide,DMSO)、ジメチルアセトアミド(Dimethylacetamide,DMAC)及びモノメチルホルムアミド(Monomethylformamide)からなる群から選ばれた1つ以上であることを特徴とする、請求項1に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。
  9. (a)1級アルカノールアミン1〜20重量%;
    (b)アルコール10〜60重量%;及び
    (c)極性有機溶剤5〜70重量%;を含むLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。
  10. 1級アルカノールアミンが、2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール(2-amino-2-methyl-1-propanol)であることを特徴とする、請求項9に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。
  11. アルコールが、エチレングリコール(Ethylene Glycol)、1−ヘキサノール(1-Hexanol)、オクタノール(Octanol)、1−ヘプタノール(1-Heptanol)、1−デカノール(1-Decanol)、2−ヘプタノール(2-Heptanol)及びテトラヒドロフルフリルアルコール(Tetrahydrofurfurylalcohol)からなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とする、請求項9に記載のLCD用フォトレジスト剥離液組成物。
JP2011187941A 2010-12-02 2011-08-30 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物 Pending JP2012118502A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100122001A KR101089211B1 (ko) 2010-12-02 2010-12-02 1차 알칸올 아민을 포함하는 lcd 제조용 포토레지스트 박리액 조성물
KR10-2010-0122001 2010-12-02

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013235744A Division JP6006711B2 (ja) 2010-12-02 2013-11-14 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012118502A true JP2012118502A (ja) 2012-06-21

Family

ID=45505534

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011187941A Pending JP2012118502A (ja) 2010-12-02 2011-08-30 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物
JP2013235744A Active JP6006711B2 (ja) 2010-12-02 2013-11-14 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物
JP2016176121A Pending JP2017040928A (ja) 2010-12-02 2016-09-09 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013235744A Active JP6006711B2 (ja) 2010-12-02 2013-11-14 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物
JP2016176121A Pending JP2017040928A (ja) 2010-12-02 2016-09-09 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物

Country Status (4)

Country Link
JP (3) JP2012118502A (ja)
KR (1) KR101089211B1 (ja)
CN (2) CN105676602A (ja)
TW (1) TWI465564B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014078009A (ja) * 2012-10-08 2014-05-01 Air Products And Chemicals Inc 厚いフィルム・レジストを除去するための剥離及びクリーニング用組成物
JP2016511843A (ja) * 2013-05-07 2016-04-21 エルジー・ケム・リミテッド フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法
JP6213803B1 (ja) * 2016-12-28 2017-10-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 レジスト剥離液
JP2018530774A (ja) * 2015-08-13 2018-10-18 エルティーシー カンパニー リミテッド Lcd製造用フォトレジスト剥離液組成物
WO2024128211A1 (ja) * 2022-12-12 2024-06-20 三菱瓦斯化学株式会社 フォトレジスト除去用組成物およびフォトレジストの除去方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102032321B1 (ko) * 2012-11-13 2019-10-15 동우 화인켐 주식회사 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물
KR102204768B1 (ko) * 2013-08-22 2021-01-18 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 횡전계 구동형 액정 표시 소자용 액정 배향막을 갖는 기판의 제조 방법
KR102009533B1 (ko) 2013-09-06 2019-08-09 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 평판표시장치의 제조방법
KR102012464B1 (ko) 2013-09-06 2019-08-20 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 평판표시장치의 제조방법
TWI518467B (zh) * 2013-11-15 2016-01-21 達興材料股份有限公司 光阻脫除劑和電子元件及其製造方法
CN106547177A (zh) * 2015-09-16 2017-03-29 东友精细化工有限公司 抗蚀剂剥离液组合物、平板显示器基板及其制造方法
CN106919013B (zh) * 2015-12-28 2021-12-07 安集微电子(上海)有限公司 一种低蚀刻的去除光阻残留物的清洗液
CN106019863B (zh) * 2016-07-14 2019-08-09 江阴江化微电子材料股份有限公司 一种高世代平板铜制程光阻剥离液
CN108949383B (zh) * 2017-05-17 2021-05-25 东曹株式会社 清洗剂组合物和使用其的清洗方法
CN107577121A (zh) * 2017-08-29 2018-01-12 昆山艾森半导体材料有限公司 一种光刻胶去胶液
KR102224907B1 (ko) 2018-04-17 2021-03-09 엘티씨 (주) 드라이필름 레지스트 박리액 조성물
KR102324927B1 (ko) * 2019-10-01 2021-11-12 동우 화인켐 주식회사 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물
KR102334425B1 (ko) 2019-11-21 2021-12-01 엘티씨 (주) 디스플레이 제조용 포토레지스트 박리액 조성물

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000075506A (ja) * 1998-08-25 2000-03-14 Samsung Electronics Co Ltd フォトレジスト用のストリッパ―組成物
JP2000241991A (ja) * 1998-12-25 2000-09-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
JP2001209190A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Nagase Denshi Kagaku Kk フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法
JP2001350276A (ja) * 2000-06-05 2001-12-21 Nagase Kasei Kogyo Kk フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法
JP2002072505A (ja) * 2000-08-29 2002-03-12 Nagase Kasei Kogyo Kk フォトレジスト剥離剤組成物およびその使用方法
JP2005043874A (ja) * 2003-06-26 2005-02-17 Dongwoo Fine-Chem Co Ltd フォトレジスト剥離液組成物及びそれを用いたフォトレジストの剥離方法
JP2005055859A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Mallinckrodt Baker Inc マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物
JP2005070795A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Lg Philips Lcd Co Ltd 銅用レジストを除去するための組成物及びこれを用いた除去方法
JP2005331913A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Korea Kumho Petrochem Co Ltd フォトレジスト用ストリッパー組成物及びこれをフォトレジスト剥離に用いる方法。
JP2006074039A (ja) * 2004-08-30 2006-03-16 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ基板の製造方法及びストリッピング組成物
WO2007037628A1 (en) * 2005-09-28 2007-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoresist stripper composition and method for manufacturing a semiconductor device using the same
JP2008191631A (ja) * 2006-08-21 2008-08-21 Tosoh Corp レジスト除去用組成物
JP2008286881A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Nagase Chemtex Corp フォトレジスト剥離剤組成物
WO2009051237A1 (ja) * 2007-10-17 2009-04-23 Henkel Corporation 剥離液組成物、それを用いた樹脂層の剥離方法
JP2009092979A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Tosoh Corp レジスト除去用組成物及びそれを用いたレジスト除去方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IE59971B1 (en) * 1986-11-10 1994-05-04 Baker J T Inc Stripping compositions and their use for stripping resists from substrates
JP3167664B2 (ja) * 1997-10-28 2001-05-21 三洋電機株式会社 ディジタルカメラ
US6440326B1 (en) * 1998-08-13 2002-08-27 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Photoresist removing composition
KR100360985B1 (ko) * 2000-04-26 2002-11-18 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 스트리퍼 조성물
JP4085262B2 (ja) * 2003-01-09 2008-05-14 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤
CN1875326A (zh) * 2003-10-29 2006-12-06 长濑化成株式会社 光致抗蚀剂剥离用组合物及剥离光致抗蚀剂的方法
DK1787168T3 (da) * 2004-07-15 2010-08-09 Mallinckrodt Baker Inc Ikke-vandige mikroelektroniske rengøringssammensætninger indeholdende fruktose
JP5600376B2 (ja) * 2005-01-27 2014-10-01 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド 半導体基材の処理のための組成物
JP2007114519A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液
JP2008133529A (ja) * 2006-08-29 2008-06-12 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 剥離方法
KR20080076016A (ko) * 2007-02-14 2008-08-20 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 박리 방법
JP4692497B2 (ja) * 2007-02-28 2011-06-01 ナガセケムテックス株式会社 フォトレジスト剥離剤組成物
TWI450052B (zh) * 2008-06-24 2014-08-21 Dynaloy Llc 用於後段製程操作有效之剝離溶液
KR20110096126A (ko) * 2008-11-28 2011-08-29 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방식성 포토레지스트 박리제 조성물

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000075506A (ja) * 1998-08-25 2000-03-14 Samsung Electronics Co Ltd フォトレジスト用のストリッパ―組成物
JP2000241991A (ja) * 1998-12-25 2000-09-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
JP2001209190A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Nagase Denshi Kagaku Kk フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法
JP2001350276A (ja) * 2000-06-05 2001-12-21 Nagase Kasei Kogyo Kk フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法
JP2002072505A (ja) * 2000-08-29 2002-03-12 Nagase Kasei Kogyo Kk フォトレジスト剥離剤組成物およびその使用方法
JP2005043874A (ja) * 2003-06-26 2005-02-17 Dongwoo Fine-Chem Co Ltd フォトレジスト剥離液組成物及びそれを用いたフォトレジストの剥離方法
JP2005055859A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Mallinckrodt Baker Inc マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物
JP2005070795A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Lg Philips Lcd Co Ltd 銅用レジストを除去するための組成物及びこれを用いた除去方法
JP2005331913A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Korea Kumho Petrochem Co Ltd フォトレジスト用ストリッパー組成物及びこれをフォトレジスト剥離に用いる方法。
JP2006074039A (ja) * 2004-08-30 2006-03-16 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ基板の製造方法及びストリッピング組成物
WO2007037628A1 (en) * 2005-09-28 2007-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoresist stripper composition and method for manufacturing a semiconductor device using the same
JP2008191631A (ja) * 2006-08-21 2008-08-21 Tosoh Corp レジスト除去用組成物
JP2008286881A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Nagase Chemtex Corp フォトレジスト剥離剤組成物
JP2009092979A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Tosoh Corp レジスト除去用組成物及びそれを用いたレジスト除去方法
WO2009051237A1 (ja) * 2007-10-17 2009-04-23 Henkel Corporation 剥離液組成物、それを用いた樹脂層の剥離方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014078009A (ja) * 2012-10-08 2014-05-01 Air Products And Chemicals Inc 厚いフィルム・レジストを除去するための剥離及びクリーニング用組成物
JP2016511843A (ja) * 2013-05-07 2016-04-21 エルジー・ケム・リミテッド フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法
JP2018530774A (ja) * 2015-08-13 2018-10-18 エルティーシー カンパニー リミテッド Lcd製造用フォトレジスト剥離液組成物
JP6213803B1 (ja) * 2016-12-28 2017-10-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 レジスト剥離液
WO2018122992A1 (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 レジスト剥離液
WO2024128211A1 (ja) * 2022-12-12 2024-06-20 三菱瓦斯化学株式会社 フォトレジスト除去用組成物およびフォトレジストの除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102486620B (zh) 2016-06-01
JP6006711B2 (ja) 2016-10-12
TWI465564B (zh) 2014-12-21
KR101089211B1 (ko) 2011-12-02
TW201224140A (en) 2012-06-16
JP2017040928A (ja) 2017-02-23
CN102486620A (zh) 2012-06-06
CN105676602A (zh) 2016-06-15
JP2014063186A (ja) 2014-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6006711B2 (ja) 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物
KR100950779B1 (ko) Tft―lcd 통합공정용 포토레지스트 박리제 조성물
JP6582122B2 (ja) Lcd製造用フォトレジスト剥離液組成物
JP5288144B2 (ja) フォトレジスト剥離剤組成物、積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法及び製造方法
TWI494712B (zh) Photoresist stripping solution
JP4725905B2 (ja) フォトレジスト剥離剤組成物及びフォトレジスト剥離方法
KR20070114037A (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
TWI406112B (zh) 光阻清除組成物及清除光阻之方法
KR101051438B1 (ko) 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 박리방법
KR100544889B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
JP5279921B2 (ja) フォトレジストストリッパー組成物及びこれを利用したフォトレジストの剥離方法
CN102103334B (zh) 抗蚀剂剥离剂组合物
CN103513523A (zh) 光刻胶清洗剂
KR20170002933A (ko) 스트리퍼 조성액
TWI431112B (zh) Hydroxylamine - containing cleaning solution and its application
KR100928996B1 (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
KR20170002932A (ko) 스트리퍼 조성액
KR20070023916A (ko) 투명 전도막 및 레지스트 제거용 박리액 조성물
KR20170002931A (ko) 스트리퍼 조성액
KR20040098750A (ko) 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물
KR20040088989A (ko) 포토레지스트 박리액용 부식방지제 및 이를 이용한포토레지스트 박리액 조성물
JP2015068845A (ja) レジスト剥離剤及びそれを用いたレジスト剥離方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130425

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130514

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130814

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130819

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130917

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130920

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20131015

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20131018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140218

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140519

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140522

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140618

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141021

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150121

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150218

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150324

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150724

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20150909

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20151016