JP2001350276A - フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 - Google Patents
フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法Info
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- JP2001350276A JP2001350276A JP2000167081A JP2000167081A JP2001350276A JP 2001350276 A JP2001350276 A JP 2001350276A JP 2000167081 A JP2000167081 A JP 2000167081A JP 2000167081 A JP2000167081 A JP 2000167081A JP 2001350276 A JP2001350276 A JP 2001350276A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌの腐蝕を阻止又は大幅に抑制し、なおか
つ、優れた剥離・除去性を維持する。 【解決手段】 ２５℃の水溶液における酸解離定数（pK
a ）が７．５〜１３、望ましくは８．５〜１１のアルキ
ルアミン又はアルカノールアミンと、極性有機溶剤と、
水と、環を構成する元素が窒素と炭素からなる複素環式
水酸基含有化合物とを主成分としてフォトレジスト剥離
剤組成物を構成する。
つ、優れた剥離・除去性を維持する。 【解決手段】 ２５℃の水溶液における酸解離定数（pK
a ）が７．５〜１３、望ましくは８．５〜１１のアルキ
ルアミン又はアルカノールアミンと、極性有機溶剤と、
水と、環を構成する元素が窒素と炭素からなる複素環式
水酸基含有化合物とを主成分としてフォトレジスト剥離
剤組成物を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォ
トレジスト剥離剤組成物及びその使用方法、詳しくは、
半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形成する
時に不要となったフォトレジストを高性能で除去し、か
つ、配線材料の腐食を発生させないフォトレジスト剥離
剤組成物及びその使用方法に関するものである。
液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォ
トレジスト剥離剤組成物及びその使用方法、詳しくは、
半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形成する
時に不要となったフォトレジストを高性能で除去し、か
つ、配線材料の腐食を発生させないフォトレジスト剥離
剤組成物及びその使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】剥離剤組成物は、半導体集積回路、液晶
パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォトレ
ジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は
付随する電極部の製造は、以下のように行われる。ま
ず、シリコン、ガラス等の基板上にＡｌ等の金属膜をＣ
ＶＤやスパッタ等の方法で積層させる。その上面にフォ
トレジストを膜付けし、それを露光、現像等の処理でパ
ターン形成する。パターン形成されたフォトレジストを
マスクとして金属膜をエッチングする。その後、不要と
なったフォトレジストを剥離剤組成物を用いて剥離・除
去する。その操作を繰り返すことで素子の形成が行われ
る。
パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォトレ
ジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は
付随する電極部の製造は、以下のように行われる。ま
ず、シリコン、ガラス等の基板上にＡｌ等の金属膜をＣ
ＶＤやスパッタ等の方法で積層させる。その上面にフォ
トレジストを膜付けし、それを露光、現像等の処理でパ
ターン形成する。パターン形成されたフォトレジストを
マスクとして金属膜をエッチングする。その後、不要と
なったフォトレジストを剥離剤組成物を用いて剥離・除
去する。その操作を繰り返すことで素子の形成が行われ
る。
【０００３】従来、剥離剤組成物としては、有機アルカ
リ、無機アルカリ、有機酸、無機酸、極性溶剤等の単一
溶剤、これらの混合溶液が用いられている。また、フォ
トレジスト剥離性を向上させるために、アミンと水との
混合液を剥離剤として用いることも良く知られている。
リ、無機アルカリ、有機酸、無機酸、極性溶剤等の単一
溶剤、これらの混合溶液が用いられている。また、フォ
トレジスト剥離性を向上させるために、アミンと水との
混合液を剥離剤として用いることも良く知られている。
【０００４】また、特開平５−２５９０６６号公報に
は、有機アミンと水との混合液に防食剤を添加した剥離
剤が記載されている。具体的には、芳香環式フェノール
化合物および芳香環式カルボン酸化合物よりなる群より
選ばれる少なくとも１種の化合物と有機アミンを含有す
る水溶液からなるフォトレジスト剥離液が記載されてい
る。
は、有機アミンと水との混合液に防食剤を添加した剥離
剤が記載されている。具体的には、芳香環式フェノール
化合物および芳香環式カルボン酸化合物よりなる群より
選ばれる少なくとも１種の化合物と有機アミンを含有す
る水溶液からなるフォトレジスト剥離液が記載されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】例えば、現在、良く知
られているモノエタノールアミン（ＭＥＡ）と溶剤との
混合物からなる非水の剥離剤では、Ａｌを腐蝕しない。
しかしながら、非水の剥離剤は、フォトレジストの剥離
・除去性が水含有の剥離剤より劣り、また熱又は酸等の
薬液での処理、あるいはプラズマ状態に曝されることに
より変質したフォトレジスト膜の剥離・除去性が水含有
の剥離剤より劣る。更に、非水の剥離剤はより高い温度
条件下で使用しなければならない。一方、モノエタノー
ルアミンと水との混合液からなる剥離剤は、Ａｌを腐蝕
しやすいので好ましくない。
られているモノエタノールアミン（ＭＥＡ）と溶剤との
混合物からなる非水の剥離剤では、Ａｌを腐蝕しない。
しかしながら、非水の剥離剤は、フォトレジストの剥離
・除去性が水含有の剥離剤より劣り、また熱又は酸等の
薬液での処理、あるいはプラズマ状態に曝されることに
より変質したフォトレジスト膜の剥離・除去性が水含有
の剥離剤より劣る。更に、非水の剥離剤はより高い温度
条件下で使用しなければならない。一方、モノエタノー
ルアミンと水との混合液からなる剥離剤は、Ａｌを腐蝕
しやすいので好ましくない。
【０００６】また特開平５−２５９０６６号公報記載の
フォトレジスト用剥離液においては、極性有機溶剤が含
まれていないことによりフォトレジスト除去性能が十分
ではない。また、この公報に記載されている有機アミン
として四級アンモニウム化合物を使用した場合、Ａｌを
腐蝕させてしまう。更にクレゾール、レゾルシノール、
カテコール等の芳香環式化合物はＡｌ防食能が十分でな
く、かつ、それらをフォトレジスト剥離剤組成物の成分
とした場合、変質したフォトレジスト膜の除去性が低下
するという問題がある。
フォトレジスト用剥離液においては、極性有機溶剤が含
まれていないことによりフォトレジスト除去性能が十分
ではない。また、この公報に記載されている有機アミン
として四級アンモニウム化合物を使用した場合、Ａｌを
腐蝕させてしまう。更にクレゾール、レゾルシノール、
カテコール等の芳香環式化合物はＡｌ防食能が十分でな
く、かつ、それらをフォトレジスト剥離剤組成物の成分
とした場合、変質したフォトレジスト膜の除去性が低下
するという問題がある。
【０００７】これらの点に鑑み、本発明者は種々の実験
を重ねた結果、一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと
極性有機溶剤と水との混合液からなる剥離剤に、変質し
たフォトレジスト膜の除去性を低下させず、かつ防食効
果のある化合物を添加することにより、Ａｌの腐蝕を阻
止又は大幅に抑制し、なおかつ、優れた剥離・除去性を
維持できることを見出した。
を重ねた結果、一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと
極性有機溶剤と水との混合液からなる剥離剤に、変質し
たフォトレジスト膜の除去性を低下させず、かつ防食効
果のある化合物を添加することにより、Ａｌの腐蝕を阻
止又は大幅に抑制し、なおかつ、優れた剥離・除去性を
維持できることを見出した。
【０００８】本発明は、上記の知見に基づいてなされた
もので、本発明の目的は、酸解離定数（pKa ）がある範
囲内の一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は一
級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと極性有機
溶剤と水とを主成分とする剥離剤組成物に、Ａｌ防食剤
として、変質したフォトレジスト膜の除去性を低下させ
ない化合物を添加することにより、配線金属であるＡｌ
の腐蝕を阻止又は大幅に抑制し、なおかつ、優れた剥離
・除去性を維持することができるフォトレジスト剥離剤
組成物及びその使用方法を提供することにある。
もので、本発明の目的は、酸解離定数（pKa ）がある範
囲内の一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は一
級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと極性有機
溶剤と水とを主成分とする剥離剤組成物に、Ａｌ防食剤
として、変質したフォトレジスト膜の除去性を低下させ
ない化合物を添加することにより、配線金属であるＡｌ
の腐蝕を阻止又は大幅に抑制し、なおかつ、優れた剥離
・除去性を維持することができるフォトレジスト剥離剤
組成物及びその使用方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、２５℃
の水溶液における酸解離定数（pKa ）が７．５〜１３の
アルキルアミン又はアルカノールアミンと、極性有機溶
剤と、水と、環を構成する元素が窒素と炭素からなる複
素環式水酸基含有化合物とを主成分とするように構成さ
れている。また、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物
は、２５℃の水溶液における酸解離定数（pKa ）が８．
５〜１１のアルキルアミン又はアルカノールアミンと、
極性有機溶剤と、水と、環を構成する元素が窒素と炭素
からなる複素環式水酸基含有化合物とを主成分とするよ
うに構成されている。上記のように、アルキルアミン又
はアルカノールアミンの２５℃の水溶液における酸解離
定数（pKa ）は７．５〜１３、望ましくは８．５〜１１
である。酸解離定数（pKa ）が上記の下限未満の場合
は、フォトレジスト剥離性が悪いという不都合があり、
一方、pKa が上記の上限を超える場合は、Ａｌの腐食を
抑える事が出来ないという不都合がある。なお、酸解離
定数（pKa ）は、各アミンの０．１mol ／L 水溶液のpH
を測定し、pKa ＝２pH−１４−１／２log ０．１から計
算した。
めに、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物は、２５℃
の水溶液における酸解離定数（pKa ）が７．５〜１３の
アルキルアミン又はアルカノールアミンと、極性有機溶
剤と、水と、環を構成する元素が窒素と炭素からなる複
素環式水酸基含有化合物とを主成分とするように構成さ
れている。また、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物
は、２５℃の水溶液における酸解離定数（pKa ）が８．
５〜１１のアルキルアミン又はアルカノールアミンと、
極性有機溶剤と、水と、環を構成する元素が窒素と炭素
からなる複素環式水酸基含有化合物とを主成分とするよ
うに構成されている。上記のように、アルキルアミン又
はアルカノールアミンの２５℃の水溶液における酸解離
定数（pKa ）は７．５〜１３、望ましくは８．５〜１１
である。酸解離定数（pKa ）が上記の下限未満の場合
は、フォトレジスト剥離性が悪いという不都合があり、
一方、pKa が上記の上限を超える場合は、Ａｌの腐食を
抑える事が出来ないという不都合がある。なお、酸解離
定数（pKa ）は、各アミンの０．１mol ／L 水溶液のpH
を測定し、pKa ＝２pH−１４−１／２log ０．１から計
算した。
【００１０】上記のフォトレジスト剥離剤組成物におい
て、複素環式水酸基含有化合物としては、３−ヒドロキ
シピリジン、２，３−ピリジンジオール、２，４−ピリ
ジンジオール、１，２−ジヒドロ−３，６−ピリダジン
ジオン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２，３−ジ
ヒドロキシキノクサリン、２，４−ジヒドロキシピリミ
ジン、２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジン、
４，６−ジヒドロキシ−２−メチルピリミジン及び２，
４，５−トリヒドロキシピリミジンからなる群より選ば
れた１種又は２種以上を用いることができる。
て、複素環式水酸基含有化合物としては、３−ヒドロキ
シピリジン、２，３−ピリジンジオール、２，４−ピリ
ジンジオール、１，２−ジヒドロ−３，６−ピリダジン
ジオン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２，３−ジ
ヒドロキシキノクサリン、２，４−ジヒドロキシピリミ
ジン、２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジン、
４，６−ジヒドロキシ−２−メチルピリミジン及び２，
４，５−トリヒドロキシピリミジンからなる群より選ば
れた１種又は２種以上を用いることができる。
【００１１】また、上記のフォトレジスト剥離剤組成物
において、一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又
は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンの含有
量が１．０〜７０．０重量％、望ましくは３．０〜５
０．０重量％、極性有機溶剤の含有量が１０．０〜８
０．０重量％、望ましくは２５．０〜６４．０重量％、
水の含有量が５．０〜７０．０重量％、望ましくは１
０．０〜５０．０重量％、環を構成する元素が窒素と炭
素からなる複素環式水酸基含有化合物のうち１種又はそ
れらの混合物の含有量が０．０１〜５．０重量％、望ま
しくは０．１〜５．０重量％である。
において、一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又
は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンの含有
量が１．０〜７０．０重量％、望ましくは３．０〜５
０．０重量％、極性有機溶剤の含有量が１０．０〜８
０．０重量％、望ましくは２５．０〜６４．０重量％、
水の含有量が５．０〜７０．０重量％、望ましくは１
０．０〜５０．０重量％、環を構成する元素が窒素と炭
素からなる複素環式水酸基含有化合物のうち１種又はそ
れらの混合物の含有量が０．０１〜５．０重量％、望ま
しくは０．１〜５．０重量％である。
【００１２】一級、二級もしくは三級のアルキルアミン
又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンの含
有量が下限未満の場合は、フォトレジスト又は変質した
フォトレジスト膜の除去性が低下するという不都合があ
り、一方、上限を超える場合は、他の剥離剤成分の含有
量が低下するため、フォトレジスト又は変質したフォト
レジスト膜の除去性が低下するという不都合がある。ま
た、極性有機溶剤の含有量が下限未満の場合は、フォト
レジスト又は変質したフォトレジスト膜の除去性が低下
するという不都合があり、一方、上限を超える場合は、
他の剥離剤成分の含有量が低下するため、フォトレジス
ト又は変質したフォトレジスト膜の除去性が低下すると
いう不都合がある。また、水の含有量が下限未満の場合
は、フォトレジスト又は変質したフォトレジスト膜の除
去性が低下するという不都合があり、一方、上限を超え
る場合は、他の剥離剤成分の含有量が低下するため、フ
ォトレジスト又は変質したフォトレジスト膜の除去性が
低下するという不都合がある。
又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンの含
有量が下限未満の場合は、フォトレジスト又は変質した
フォトレジスト膜の除去性が低下するという不都合があ
り、一方、上限を超える場合は、他の剥離剤成分の含有
量が低下するため、フォトレジスト又は変質したフォト
レジスト膜の除去性が低下するという不都合がある。ま
た、極性有機溶剤の含有量が下限未満の場合は、フォト
レジスト又は変質したフォトレジスト膜の除去性が低下
するという不都合があり、一方、上限を超える場合は、
他の剥離剤成分の含有量が低下するため、フォトレジス
ト又は変質したフォトレジスト膜の除去性が低下すると
いう不都合がある。また、水の含有量が下限未満の場合
は、フォトレジスト又は変質したフォトレジスト膜の除
去性が低下するという不都合があり、一方、上限を超え
る場合は、他の剥離剤成分の含有量が低下するため、フ
ォトレジスト又は変質したフォトレジスト膜の除去性が
低下するという不都合がある。
【００１３】環を構成する元素が窒素と炭素からなる複
素環式水酸基含有化合物のうち１種又はそれらの混合物
の含有量が下限未満の場合は、Ａｌの腐蝕を抑制する効
果、すなわち、Ａｌの防食性が小さく、一方、上限を超
える場合は、フォトレジスト剥離剤組成物に溶解しない
という不都合がある。
素環式水酸基含有化合物のうち１種又はそれらの混合物
の含有量が下限未満の場合は、Ａｌの腐蝕を抑制する効
果、すなわち、Ａｌの防食性が小さく、一方、上限を超
える場合は、フォトレジスト剥離剤組成物に溶解しない
という不都合がある。
【００１４】これらのフォトレジスト剥離剤組成物にお
いて、２５℃の水溶液における酸解離定数（pKa ）が、
７．５〜１３、望ましくは８．５〜１１の一級、二級も
しくは三級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三
級のアルカノールアミンとしては、モノメチルアミン、
モノエチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、２
−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルオキシプ
ロピルアミン、２−エトキシプロピルアミン、ジメチル
アミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチル
アミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプ
ロピルアミン、トリブチルアミン、３−ジエチルアミノ
プロピルアミン、ジ−２−エチルヘキシルアミン、ジブ
チルアミノプロピルアミン、テトラメチルエチレンジア
ミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ｔ−ブチルアミン、
ｓｅｃ−ブチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、
ジメチルアミノプロピルアミン、メチルイミノビスプロ
ピルアミン、３−メトキシプロピルアミン、アリルアミ
ン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、イソプロピル
アミン、ジイソプロピルアミン、イミノプロピルアミ
ン、イミノビスプロピルアミン、モノエタノールアミン
（ＭＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，
Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノー
ルアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン
（ＭＤＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ
−メチルエタノールアミン（ＮＭＥＡ）、３−アミノ−
１−プロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキ
シエチル）シクロヘキシルアミン等を用いることができ
る。
いて、２５℃の水溶液における酸解離定数（pKa ）が、
７．５〜１３、望ましくは８．５〜１１の一級、二級も
しくは三級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三
級のアルカノールアミンとしては、モノメチルアミン、
モノエチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、２
−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルオキシプ
ロピルアミン、２−エトキシプロピルアミン、ジメチル
アミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチル
アミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプ
ロピルアミン、トリブチルアミン、３−ジエチルアミノ
プロピルアミン、ジ−２−エチルヘキシルアミン、ジブ
チルアミノプロピルアミン、テトラメチルエチレンジア
ミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ｔ−ブチルアミン、
ｓｅｃ−ブチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、
ジメチルアミノプロピルアミン、メチルイミノビスプロ
ピルアミン、３−メトキシプロピルアミン、アリルアミ
ン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、イソプロピル
アミン、ジイソプロピルアミン、イミノプロピルアミ
ン、イミノビスプロピルアミン、モノエタノールアミン
（ＭＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，
Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノー
ルアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン
（ＭＤＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ
−メチルエタノールアミン（ＮＭＥＡ）、３−アミノ−
１−プロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキ
シエチル）シクロヘキシルアミン等を用いることができ
る。
【００１５】また、極性有機溶剤としては、メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピ
オネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテ
ート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸イソ
プロピル、ピルビン酸エチル、２−ヘプタノール、３−
メチル−１−ブタノール、２−メチル−１−ブタノー
ル、２−メチル−２−ブタノール、メチルジグライム、
メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロ
ヘキサノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（ＤＥＧ
ＭＥＥ）、ジエチレングリコールモノプロピルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチル
ジグリコール、ＢＤＧ）、ピリジン、ジメチルスルホキ
サイド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、γ−ブチロラクトン、スルホラン、１，２−エタ
ンジオール（ＥＧ）、１，２−プロパンジオール、３−
メチル−１，３−ブタンジオール、２−メチル−１，３
−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４
−ブンタンジオール、グリセリン等を用いることができ
る。
ソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピ
オネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテ
ート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸イソ
プロピル、ピルビン酸エチル、２−ヘプタノール、３−
メチル−１−ブタノール、２−メチル−１−ブタノー
ル、２−メチル−２−ブタノール、メチルジグライム、
メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロ
ヘキサノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（ＤＥＧ
ＭＥＥ）、ジエチレングリコールモノプロピルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチル
ジグリコール、ＢＤＧ）、ピリジン、ジメチルスルホキ
サイド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、γ−ブチロラクトン、スルホラン、１，２−エタ
ンジオール（ＥＧ）、１，２−プロパンジオール、３−
メチル−１，３−ブタンジオール、２−メチル−１，３
−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４
−ブンタンジオール、グリセリン等を用いることができ
る。
【００１６】本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の使
用方法は、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線
を形成する際に不要となったフォトレジストを、上記の
本発明のフォトレジスト剥離組成物を用いて剥離・除去
して配線を形成することを特徴としている。
用方法は、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線
を形成する際に不要となったフォトレジストを、上記の
本発明のフォトレジスト剥離組成物を用いて剥離・除去
して配線を形成することを特徴としている。
【００１７】
【実施例】以下に実施例及び比較例を示し、本発明の特
徴とするところをより一層明確にする。 比較例１〜３１、実施例１〜２９ シリコン窒化膜上にスパッタによりＡｌ／Ｔｉの順で膜
付けした基板上に１μm の膜厚で膜付けされたフォトレ
ジストを１００℃で２分間ベークし露光した後、２．３
８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド）水溶液で現像した。さらに、１４０℃で２分間
ベークした後、Ｃｌ2 とＢＣｌ3 ガスによりＡｌ／Ｔｉ
膜をドライエッチングした。続いて酸素を用いてフォト
レジスト表面を軽くアッシングしたフォトレジストを剥
離対象物とした。この剥離対象物を表１〜表２に示す組
成を有する剥離剤組成物中に４０℃で２分間浸漬した
後、純水で洗浄し、Ｎ2 ガスを用いたエアーガンで純水
を吹き飛ばし、自然乾燥させた。走査電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）にてフォトレジスト除去程度を観察し、フォトレジ
スト剥離性を比較した。結果を表１、表２に示す。表
１、表２において、◎印は「レジスト残渣無し」、○印
は「ほぼレジスト残渣なし」、×印は「レジスト残渣が
多く観察される」を示している。
徴とするところをより一層明確にする。 比較例１〜３１、実施例１〜２９ シリコン窒化膜上にスパッタによりＡｌ／Ｔｉの順で膜
付けした基板上に１μm の膜厚で膜付けされたフォトレ
ジストを１００℃で２分間ベークし露光した後、２．３
８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド）水溶液で現像した。さらに、１４０℃で２分間
ベークした後、Ｃｌ2 とＢＣｌ3 ガスによりＡｌ／Ｔｉ
膜をドライエッチングした。続いて酸素を用いてフォト
レジスト表面を軽くアッシングしたフォトレジストを剥
離対象物とした。この剥離対象物を表１〜表２に示す組
成を有する剥離剤組成物中に４０℃で２分間浸漬した
後、純水で洗浄し、Ｎ2 ガスを用いたエアーガンで純水
を吹き飛ばし、自然乾燥させた。走査電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）にてフォトレジスト除去程度を観察し、フォトレジ
スト剥離性を比較した。結果を表１、表２に示す。表
１、表２において、◎印は「レジスト残渣無し」、○印
は「ほぼレジスト残渣なし」、×印は「レジスト残渣が
多く観察される」を示している。
【００１８】一方、上記基板を表１、表２に示す組成を
有する剥離剤組成物中に４０℃で１０分間浸漬した後、
純水で洗浄し、Ｎ2 ガスを用いたエアーガンで純水を吹
き飛ばし、自然乾燥させた。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）
にてＡｌ／Ｔｉ配線側面を観察し、Ａｌ防食性を比較し
た。結果を表１、表２に示す。表１、表２において、◎
印は「Ａｌ腐蝕無し」、○印は「僅かにＡｌ腐蝕は観察
されるがＡｌ線幅の減少は無し」、×印は「Ａｌ線幅の
減少が確認される」を示している。なお、表１、表２に
おいて、ＭＤＥＡはＮ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノール
アミンを示し、ＭＥＡはモノエタノールアミンを示し、
ＤＥＡＥはＮ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（ジエチ
ルアミノエタノール）を示し、ＮＭＥＡはＮ−メチルエ
タノールアミンを示し、ＢＤＧはジエチレングリコール
モノブチルエーテル（ブチルジグリコール）を示し、Ｎ
ＭＰはＮ−メチル−２−ピロリドンを示し、ＤＥＧＭＥ
Ｅはジエチレングリコールモノエチルエーテルを示し、
ＥＧは１，２−エタンジオールを示し、ＴＭＡＨはテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを示し、３−
ＡＰｙは３−アミノピリジンを示している。
有する剥離剤組成物中に４０℃で１０分間浸漬した後、
純水で洗浄し、Ｎ2 ガスを用いたエアーガンで純水を吹
き飛ばし、自然乾燥させた。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）
にてＡｌ／Ｔｉ配線側面を観察し、Ａｌ防食性を比較し
た。結果を表１、表２に示す。表１、表２において、◎
印は「Ａｌ腐蝕無し」、○印は「僅かにＡｌ腐蝕は観察
されるがＡｌ線幅の減少は無し」、×印は「Ａｌ線幅の
減少が確認される」を示している。なお、表１、表２に
おいて、ＭＤＥＡはＮ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノール
アミンを示し、ＭＥＡはモノエタノールアミンを示し、
ＤＥＡＥはＮ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（ジエチ
ルアミノエタノール）を示し、ＮＭＥＡはＮ−メチルエ
タノールアミンを示し、ＢＤＧはジエチレングリコール
モノブチルエーテル（ブチルジグリコール）を示し、Ｎ
ＭＰはＮ−メチル−２−ピロリドンを示し、ＤＥＧＭＥ
Ｅはジエチレングリコールモノエチルエーテルを示し、
ＥＧは１，２−エタンジオールを示し、ＴＭＡＨはテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを示し、３−
ＡＰｙは３−アミノピリジンを示している。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【００２１】表１、表２の結果から、一級、二級もしく
は三級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三級の
アルカノールアミンと極性有機溶剤と水とからなる剥離
剤組成物（比較例２〜５、７〜９、１２〜１９）では、
フォトレジスト剥離性は優れているが、Ａｌの腐蝕は抑
制できないことがわかる。また、一級、二級もしくは三
級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三級のアル
カノールアミンを含有せず、極性有機溶剤と水とからな
る剥離剤組成物（比較例１０、１１）では、Ａｌの腐蝕
は認められないが、フォトレジスト剥離性が悪いことが
わかる。また、一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと
極性有機溶剤とからなる剥離剤組成物（比較例６）で
は、Ａｌの腐蝕は認められないが、フォトレジスト剥離
性が悪いことがわかる。また、極性有機溶剤を含有せ
ず、一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は一
級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと水とから
なる剥離剤組成物（比較例１）では、フォトレジスト剥
離性も悪く、Ａｌも腐蝕させることがわかる。また、極
性有機溶剤を含有せず、一級、二級もしくは三級のアル
キルアミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノール
アミンと水とからなる剥離剤組成物に２，３−ピリジン
ジオールを添加した場合は、Ａｌも腐蝕を抑えることは
できるが、フォトレジスト剥離性が悪いことがわかる
（比較例３０）。
は三級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三級の
アルカノールアミンと極性有機溶剤と水とからなる剥離
剤組成物（比較例２〜５、７〜９、１２〜１９）では、
フォトレジスト剥離性は優れているが、Ａｌの腐蝕は抑
制できないことがわかる。また、一級、二級もしくは三
級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三級のアル
カノールアミンを含有せず、極性有機溶剤と水とからな
る剥離剤組成物（比較例１０、１１）では、Ａｌの腐蝕
は認められないが、フォトレジスト剥離性が悪いことが
わかる。また、一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと
極性有機溶剤とからなる剥離剤組成物（比較例６）で
は、Ａｌの腐蝕は認められないが、フォトレジスト剥離
性が悪いことがわかる。また、極性有機溶剤を含有せ
ず、一級、二級もしくは三級のアルキルアミン又は一
級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと水とから
なる剥離剤組成物（比較例１）では、フォトレジスト剥
離性も悪く、Ａｌも腐蝕させることがわかる。また、極
性有機溶剤を含有せず、一級、二級もしくは三級のアル
キルアミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノール
アミンと水とからなる剥離剤組成物に２，３−ピリジン
ジオールを添加した場合は、Ａｌも腐蝕を抑えることは
できるが、フォトレジスト剥離性が悪いことがわかる
（比較例３０）。
【００２２】また、四級アンモニウム化合物であるＴＭ
ＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）
と極性有機溶剤と水とからなる剥離剤組成物に、２，３
−ピリジンジオールを添加しても、Ａｌの腐蝕を抑える
ことができないことがわかる（比較例２６、２７、２
８）。また、極性有機溶剤を含有せず、四級アンモニウ
ム化合物であるＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド）と水とからなる剥離剤組成物に２，
３−ピリジンジオールを添加した場合は、Ａｌの腐蝕を
抑えることができず、かつフォトレジスト剥離性も悪い
ことがわかる（比較例２９）。また、比較例の２０〜２
５に示す様に、一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと
極性有機溶剤と水とからなる剥離剤組成物に芳香環式フ
ェノール化合物を添加した場合は、Ａｌの腐蝕を抑える
ことはできない。更にフォトレジスト剥離性を低下させ
ることがわかる。また、比較例３１に示すようにpKa が
低いアルキルアミン又はアルカノールアミンを剥離剤成
分とした場合は、フォトレジスト剥離性が悪いことがわ
かる。
ＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）
と極性有機溶剤と水とからなる剥離剤組成物に、２，３
−ピリジンジオールを添加しても、Ａｌの腐蝕を抑える
ことができないことがわかる（比較例２６、２７、２
８）。また、極性有機溶剤を含有せず、四級アンモニウ
ム化合物であるＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド）と水とからなる剥離剤組成物に２，
３−ピリジンジオールを添加した場合は、Ａｌの腐蝕を
抑えることができず、かつフォトレジスト剥離性も悪い
ことがわかる（比較例２９）。また、比較例の２０〜２
５に示す様に、一級、二級もしくは三級のアルキルアミ
ン又は一級、二級もしくは三級のアルカノールアミンと
極性有機溶剤と水とからなる剥離剤組成物に芳香環式フ
ェノール化合物を添加した場合は、Ａｌの腐蝕を抑える
ことはできない。更にフォトレジスト剥離性を低下させ
ることがわかる。また、比較例３１に示すようにpKa が
低いアルキルアミン又はアルカノールアミンを剥離剤成
分とした場合は、フォトレジスト剥離性が悪いことがわ
かる。
【００２３】これに対して、一級、二級もしくは三級の
アルキルアミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノ
ールアミンと極性有機溶剤と水とを主成分とする組成に
環を構成する元素が窒素と炭素からなる複素環式水酸基
含有化合物のうち１種、又はそれらの混合物を添加した
剥離剤組成物（実施例１〜２９）では、Ａｌの腐蝕を阻
止でき、しかも、優れたフォトレジスト剥離性を維持で
きることがわかる。
アルキルアミン又は一級、二級もしくは三級のアルカノ
ールアミンと極性有機溶剤と水とを主成分とする組成に
環を構成する元素が窒素と炭素からなる複素環式水酸基
含有化合物のうち１種、又はそれらの混合物を添加した
剥離剤組成物（実施例１〜２９）では、Ａｌの腐蝕を阻
止でき、しかも、優れたフォトレジスト剥離性を維持で
きることがわかる。
【００２４】つぎに、本発明のフォトレジスト剥離剤組
成物の使用方法の一例について説明する。半導体基板上
又は液晶ガラス基板上に金属薄膜をＣＶＤやスパッタ等
により形成させる。その上面にフォトレジストを膜付け
した後、露光、現像等の処理でパターン形成する。パタ
ーン形成されたフォトレジストをマスクとして金属薄膜
をエッチングする。その後、不要となったフォトレジス
トを本発明の剥離剤組成物を用いて剥離・除去して配線
等が形成された半導体素子が製造される。
成物の使用方法の一例について説明する。半導体基板上
又は液晶ガラス基板上に金属薄膜をＣＶＤやスパッタ等
により形成させる。その上面にフォトレジストを膜付け
した後、露光、現像等の処理でパターン形成する。パタ
ーン形成されたフォトレジストをマスクとして金属薄膜
をエッチングする。その後、不要となったフォトレジス
トを本発明の剥離剤組成物を用いて剥離・除去して配線
等が形成された半導体素子が製造される。
【００２５】
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、つぎのような効果を奏する。 （１） ２５℃の水溶液における酸解離定数（pKa ）が
７．５〜１３、望ましくは８．５〜１１の一級、二級も
しくは三級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三
級のアルカノールアミンと極性有機溶剤と水とを主成分
とする剥離剤組成物に、Ａｌ防食剤として適当な化合物
を添加することにより、Ａｌの腐蝕を阻止又は大幅に抑
制することができ、なおかつ優れた剥離・除去性を維持
することができる。
で、つぎのような効果を奏する。 （１） ２５℃の水溶液における酸解離定数（pKa ）が
７．５〜１３、望ましくは８．５〜１１の一級、二級も
しくは三級のアルキルアミン又は一級、二級もしくは三
級のアルカノールアミンと極性有機溶剤と水とを主成分
とする剥離剤組成物に、Ａｌ防食剤として適当な化合物
を添加することにより、Ａｌの腐蝕を阻止又は大幅に抑
制することができ、なおかつ優れた剥離・除去性を維持
することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宝山 隆博 兵庫県龍野市龍野町中井236 ナガセ化成 工業株式会社播磨工場内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 LA03 5F043 AA37 BB25 CC16 GG10 5F046 MA02 MA13 MA17
Claims (5)
- 【請求項１】 ２５℃の水溶液における酸解離定数（pK
a ）が７．５〜１３のアルキルアミン又はアルカノール
アミンと、極性有機溶剤と、水と、環を構成する元素が
窒素と炭素からなる複素環式水酸基含有化合物とを主成
分とすることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成
物。 - 【請求項２】 ２５℃の水溶液における酸解離定数（pK
a ）が８．５〜１１のアルキルアミン又はアルカノール
アミンと、極性有機溶剤と、水と、環を構成する元素が
窒素と炭素からなる複素環式水酸基含有化合物とを主成
分とすることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成
物。 - 【請求項３】 複素環式水酸基含有化合物が３−ヒドロ
キシピリジン、２，３−ピリジンジオール、２，４−ピ
リジンジオール、１，２−ジヒドロ−３，６−ピリダジ
ンジオン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２，３−
ジヒドロキシキノクサリン、２，４−ジヒドロキシピリ
ミジン、２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジ
ン、４，６−ジヒドロキシ−２−メチルピリミジン及び
２，４，５−トリヒドロキシピリミジンからなる群より
選ばれた１種又は２種以上である請求項１又は２記載の
フォトレジスト剥離剤組成物。 - 【請求項４】 アルキルアミン又はアルカノールアミン
の含有量が１．０〜７０．０重量％、極性有機溶剤の含
有量が１０．０〜８０．０重量％、水の含有量が５．０
〜７０．０重量％、環を構成する元素が窒素と炭素から
なる複素環式水酸基含有化合物の含有量が０．０１〜
５．０重量％である請求項１、２又は３記載のフォトレ
ジスト剥離剤組成物。 - 【請求項５】 半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に
配線を形成する際に不要となったレジストを、請求項１
〜４のいずれかに記載されたフォトレジスト剥離剤組成
物を用いて剥離・除去して配線を形成することを特徴と
するフォトレジスト剥離剤組成物の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167081A JP2001350276A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167081A JP2001350276A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001350276A true JP2001350276A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=18670289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000167081A Pending JP2001350276A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001350276A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002278091A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
| JP2003015323A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離剤組成物 |
| US7384900B2 (en) | 2003-08-27 | 2008-06-10 | Lg Display Co., Ltd. | Composition and method for removing copper-compatible resist |
| WO2008140076A1 (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-20 | Nagase Chemtex Corporation | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| JP2009505132A (ja) * | 2005-08-13 | 2009-02-05 | テクノ セミケム シーオー．， エルティーディー． | 半導体製造用感光性樹脂除去剤組成物 |
| WO2010058778A1 (ja) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | 東亞合成株式会社 | パターニングされた導電性高分子膜を有する基板の製造方法及びパターニングされた導電性高分子膜を有する基板 |
| KR20120000046A (ko) | 2009-04-17 | 2012-01-03 | 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 | 포토레지스트 박리제 조성물 및 포토레지스트 박리 방법 |
| JP2012118502A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Ltc Co Ltd | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
| WO2014208088A1 (ja) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フォトレジスト用剥離液 |
| JP2015011356A (ja) * | 2014-07-18 | 2015-01-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フォトレジスト用剥離液 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259066A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Texas Instr Japan Ltd | ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 |
| JPH11125917A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-05-11 | Fuji Film Olin Kk | フォトレジスト剥離液 |
| JP2001183850A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | 剥離剤組成物 |
| JP2001188363A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
-
2000
- 2000-06-05 JP JP2000167081A patent/JP2001350276A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259066A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Texas Instr Japan Ltd | ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 |
| JPH11125917A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-05-11 | Fuji Film Olin Kk | フォトレジスト剥離液 |
| JP2001183850A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Sumitomo Chem Co Ltd | 剥離剤組成物 |
| JP2001188363A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002278091A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
| JP4608664B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2011-01-12 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いたフォトレジストの剥離方法 |
| JP2003015323A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離剤組成物 |
| US7384900B2 (en) | 2003-08-27 | 2008-06-10 | Lg Display Co., Ltd. | Composition and method for removing copper-compatible resist |
| JP2009505132A (ja) * | 2005-08-13 | 2009-02-05 | テクノ セミケム シーオー．， エルティーディー． | 半導体製造用感光性樹脂除去剤組成物 |
| JP4716225B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2011-07-06 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| JP2008286881A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Nagase Chemtex Corp | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| WO2008140076A1 (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-20 | Nagase Chemtex Corporation | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| KR101420471B1 (ko) | 2007-05-15 | 2014-07-16 | 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 | 포토레지스트 박리제조성물 |
| WO2010058778A1 (ja) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | 東亞合成株式会社 | パターニングされた導電性高分子膜を有する基板の製造方法及びパターニングされた導電性高分子膜を有する基板 |
| KR20120000046A (ko) | 2009-04-17 | 2012-01-03 | 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 | 포토레지스트 박리제 조성물 및 포토레지스트 박리 방법 |
| JP2012118502A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Ltc Co Ltd | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
| JP2014063186A (ja) * | 2010-12-02 | 2014-04-10 | Ltc Co Ltd | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
| JP2017040928A (ja) * | 2010-12-02 | 2017-02-23 | エルティーシー カンパニー リミテッド | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
| WO2014208088A1 (ja) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フォトレジスト用剥離液 |
| JP2015011096A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フォトレジスト用剥離液 |
| JP2015011356A (ja) * | 2014-07-18 | 2015-01-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フォトレジスト用剥離液 |
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