JPH11125917A - フォトレジスト剥離液 - Google Patents
フォトレジスト剥離液Info
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- JPH11125917A JPH11125917A JP28860797A JP28860797A JPH11125917A JP H11125917 A JPH11125917 A JP H11125917A JP 28860797 A JP28860797 A JP 28860797A JP 28860797 A JP28860797 A JP 28860797A JP H11125917 A JPH11125917 A JP H11125917A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の技術の課題に照らしてより優れたレジ
スト剥離液を提供することにある。特にレジストの除去
性に加え、エッチングポリマーの除去性と基板の腐食防
止性とを両立させ、かつ保存中や使用中に性能変化の少
ない安定な剥離液を提供することにある。 【解決手段】 （ａ）有機アミン、（ｂ）水、（ｃ）特
定のヒドロキシ化合物、及び（ｄ）含水可能な有機溶剤
をを含むことを特徴とするフォトレジスト剥離液。
スト剥離液を提供することにある。特にレジストの除去
性に加え、エッチングポリマーの除去性と基板の腐食防
止性とを両立させ、かつ保存中や使用中に性能変化の少
ない安定な剥離液を提供することにある。 【解決手段】 （ａ）有機アミン、（ｂ）水、（ｃ）特
定のヒドロキシ化合物、及び（ｄ）含水可能な有機溶剤
をを含むことを特徴とするフォトレジスト剥離液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体回路などの
製造において、基板からフォトレジストや基板上に形成
された残渣を除くのに用いる新規なレジスト剥離液に関
するものである。更に詳細には、本発明は、レジスト除
去性やエッチングポリマーの除去性に優れ、更に下地材
質の腐食が少く、保存安定性にも優れたレジスト剥離液
に関する。
製造において、基板からフォトレジストや基板上に形成
された残渣を除くのに用いる新規なレジスト剥離液に関
するものである。更に詳細には、本発明は、レジスト除
去性やエッチングポリマーの除去性に優れ、更に下地材
質の腐食が少く、保存安定性にも優れたレジスト剥離液
に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体マイクロ回路を製造する場合、通常
フォトレジストを用いた加工を行う。即ち、先ず下地と
して絶縁層や配線層の材質となる二酸化シリコンやアル
ミニウム等の層を基板上に形成させ、その上にフォトレ
ジスト層を塗布して露光、現像によりレジストパターン
を形成させ、次いでこれをマスクにして下地のエッチン
グ操作を行って、下地層に所定の回路パターンを転写す
る。この後不要となったフォトレジストパターンは取り
除く必要があるが、これには、フォトレジスト剥離液を
用いて行う方法と、基板表面を酸素含有プラズマに曝し
てレジストを灰化除去する方法とがある。
フォトレジストを用いた加工を行う。即ち、先ず下地と
して絶縁層や配線層の材質となる二酸化シリコンやアル
ミニウム等の層を基板上に形成させ、その上にフォトレ
ジスト層を塗布して露光、現像によりレジストパターン
を形成させ、次いでこれをマスクにして下地のエッチン
グ操作を行って、下地層に所定の回路パターンを転写す
る。この後不要となったフォトレジストパターンは取り
除く必要があるが、これには、フォトレジスト剥離液を
用いて行う方法と、基板表面を酸素含有プラズマに曝し
てレジストを灰化除去する方法とがある。
【０００３】このような目的に用いるレジスト剥離液と
して、多くの組成物が提案されてきた。例えば米国特許
第４，６１７，２５１号に記載されたような極性有機溶
剤とアルカノールアミンの混合物等が、その代表的なも
のである。しかしこのような従来の剥離液では、下地を
ドライエッチングした際にパターン側壁などに生じるエ
ッチングポリマーを完全に取り除くことができないとい
う問題があった。また剥離処理の液温度を高めるなどし
てエッチングポリマーを除く条件を見いだしたとして
も、下地材質の腐食を避けられないという問題があっ
た。更にレジストを除くために灰化処理を行うと、この
エッチングポリマーは金属酸化物等の物質となって基板
上に残り、上記剥離液でますます取り除き難くなること
が分かっている。このようなエッチングポリマーの形成
機構とその除去の必要性については、１９９１年のＳＰ
ＩＥマイクロリソグラフィーシンポジウムでＪｏｈｎ
Ｗ Ｃｏｂｕｍによって「プラズマエッチング及び反応
性エッチング」という標題で発表されている。
して、多くの組成物が提案されてきた。例えば米国特許
第４，６１７，２５１号に記載されたような極性有機溶
剤とアルカノールアミンの混合物等が、その代表的なも
のである。しかしこのような従来の剥離液では、下地を
ドライエッチングした際にパターン側壁などに生じるエ
ッチングポリマーを完全に取り除くことができないとい
う問題があった。また剥離処理の液温度を高めるなどし
てエッチングポリマーを除く条件を見いだしたとして
も、下地材質の腐食を避けられないという問題があっ
た。更にレジストを除くために灰化処理を行うと、この
エッチングポリマーは金属酸化物等の物質となって基板
上に残り、上記剥離液でますます取り除き難くなること
が分かっている。このようなエッチングポリマーの形成
機構とその除去の必要性については、１９９１年のＳＰ
ＩＥマイクロリソグラフィーシンポジウムでＪｏｈｎ
Ｗ Ｃｏｂｕｍによって「プラズマエッチング及び反応
性エッチング」という標題で発表されている。
【０００４】これらの問題を取り除くために、エッチン
グポリマー剥離能力を有するフォトレジスト剥離液組成
物が新たに提案された。特開平５−４５８９４号公報に
は有機極性溶媒とアミンに特定の腐食抑制剤を添加した
組成物が、特開平７−２１９２４１号公報には有機溶剤
と求核性アミンに腐食防止剤として特定の還元性化合物
を添加した組成物が開示されている。また、特開平８−
８７１１８号公報および特開平８−８７１１７号公報に
はＮ−アルキルアルカノールアミンと１、３−ジメチル
−２−イミダゾリジノン等の溶剤と配合剤を配合したレ
ジスト剥離液組成物が開示されている。しかし、これら
の組成物ではエッチングポリマー除去性能と下地基板の
腐食防止能とが両立しなかったり、組成物の保存安定性
が劣っていたり、エッチングポリマー除去性能に劣るた
め、高温での使用が必要になり、結果的に組成物の揮発
による性能変化を引き起こしたり環境保全上好ましくな
い等の問題があり、いずれも十分なものではなかった。
特開平６−２６６１１９号公報、特開平７−３２５４０
４号公報、特開平９−９６１１号公報および特開平８−
３３４９０５号公報にはヒドロキシルアミン、ヒドロキ
シルアミン化合物を含んだ組成物が開示されている。こ
れらの組成物はエッチングポリマー除去性能に関しては
前記の組成物より若干優れているものの、下地基板を構
成するＴｉを腐食するという問題があり、エッチングポ
リマー除去性能と下地基板の腐食防止能とが両立してい
るとは言い難い。
グポリマー剥離能力を有するフォトレジスト剥離液組成
物が新たに提案された。特開平５−４５８９４号公報に
は有機極性溶媒とアミンに特定の腐食抑制剤を添加した
組成物が、特開平７−２１９２４１号公報には有機溶剤
と求核性アミンに腐食防止剤として特定の還元性化合物
を添加した組成物が開示されている。また、特開平８−
８７１１８号公報および特開平８−８７１１７号公報に
はＮ−アルキルアルカノールアミンと１、３−ジメチル
−２−イミダゾリジノン等の溶剤と配合剤を配合したレ
ジスト剥離液組成物が開示されている。しかし、これら
の組成物ではエッチングポリマー除去性能と下地基板の
腐食防止能とが両立しなかったり、組成物の保存安定性
が劣っていたり、エッチングポリマー除去性能に劣るた
め、高温での使用が必要になり、結果的に組成物の揮発
による性能変化を引き起こしたり環境保全上好ましくな
い等の問題があり、いずれも十分なものではなかった。
特開平６−２６６１１９号公報、特開平７−３２５４０
４号公報、特開平９−９６１１号公報および特開平８−
３３４９０５号公報にはヒドロキシルアミン、ヒドロキ
シルアミン化合物を含んだ組成物が開示されている。こ
れらの組成物はエッチングポリマー除去性能に関しては
前記の組成物より若干優れているものの、下地基板を構
成するＴｉを腐食するという問題があり、エッチングポ
リマー除去性能と下地基板の腐食防止能とが両立してい
るとは言い難い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記の課題に照らしてより優れたレジスト剥離液を
提供することにある。特にレジストの除去性に加え、エ
ッチングポリマーの除去性と基板の腐食防止性とを両立
させ、かつ保存中や使用中に性能変化の少ない安定な剥
離液を提供することにある。
は、上記の課題に照らしてより優れたレジスト剥離液を
提供することにある。特にレジストの除去性に加え、エ
ッチングポリマーの除去性と基板の腐食防止性とを両立
させ、かつ保存中や使用中に性能変化の少ない安定な剥
離液を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記構成に
より達成された。 （１） （ａ）有機アミン、（ｂ）水、（ｃ）下記一般
式Ｉで示されるヒドロキシ化合物、及び（ｄ）含水可能
な有機溶剤をを含むことを特徴とするフォトレジスト剥
離液。
より達成された。 （１） （ａ）有機アミン、（ｂ）水、（ｃ）下記一般
式Ｉで示されるヒドロキシ化合物、及び（ｄ）含水可能
な有機溶剤をを含むことを特徴とするフォトレジスト剥
離液。
【０００７】
【化３】
【０００８】（一般式Ｉ中、Ｒ1 は水酸基と隣接したア
ミノ基、カルボキシル基、アミド基、アシル基を表し、
Ｒ2 は水素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アラルキル基、アルコシキ基、スルホ
ン酸基、アミノ基、カルボキシル基、カルボン酸のアル
キルエステル（炭素数＝１〜３）、スルホン酸のアルキ
ルエステル（炭素数＝１〜３）アシル基、アミド基を表
し、Ｒ2 はさらなる置換基を有することができる。Ｚ
は、置換されていてもよい５員もしくは６員の複素環又
は芳香環を形成するのに必要な残基を表す。）
ミノ基、カルボキシル基、アミド基、アシル基を表し、
Ｒ2 は水素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アラルキル基、アルコシキ基、スルホ
ン酸基、アミノ基、カルボキシル基、カルボン酸のアル
キルエステル（炭素数＝１〜３）、スルホン酸のアルキ
ルエステル（炭素数＝１〜３）アシル基、アミド基を表
し、Ｒ2 はさらなる置換基を有することができる。Ｚ
は、置換されていてもよい５員もしくは６員の複素環又
は芳香環を形成するのに必要な残基を表す。）
【０００９】（２） （ａ）有機アミン１〜４９ｗｔ
％、（ｂ）水１〜４０ｗｔ％、（ｃ）ヒドロキシ化合物
１〜２０ｗｔ％及び（ｄ）含水可能な有機溶剤５１〜８
０ｗｔ％を含むことを特徴とする前記（１）のフォトレ
ジスト剥離液。
％、（ｂ）水１〜４０ｗｔ％、（ｃ）ヒドロキシ化合物
１〜２０ｗｔ％及び（ｄ）含水可能な有機溶剤５１〜８
０ｗｔ％を含むことを特徴とする前記（１）のフォトレ
ジスト剥離液。
【００１０】（３） （ａ）有機アミンが、下記一般式
IIで表されることを特徴とする前記（１）または（２）
のフォトレジスト剥離液。
IIで表されることを特徴とする前記（１）または（２）
のフォトレジスト剥離液。
【００１１】
【化４】
【００１２】（一般式II中、Ｒ3 、Ｒ4 は同一または異
なる置換基で、水素原子、アルキル基（炭素数＝１〜
４）、アルカノール基（炭素数＝２〜６）、アルコキシ
ル基（炭素数＝１〜４）、フェニル基を表し、Ｒ5 は水
酸基、アミノ基、メルカプト基を表し、ｎは２〜６の整
数を表す。）
なる置換基で、水素原子、アルキル基（炭素数＝１〜
４）、アルカノール基（炭素数＝２〜６）、アルコキシ
ル基（炭素数＝１〜４）、フェニル基を表し、Ｒ5 は水
酸基、アミノ基、メルカプト基を表し、ｎは２〜６の整
数を表す。）
【００１３】（４） （ａ）有機アミンが、モノエタノ
ールアミン、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミ
ノ−１−ブタノール、１，２−ジアミノエタン、１，３
−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１−ア
ミノ−２−メルカプトエタン、１−アミノ−３−メルカ
プトプロパン、１−アミノ−４−メルカプトブタン、ジ
エチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラ
エチレンペンタミンから選ばれることを特徴とする前記
（３）のフォトレジスト剥離液。
ールアミン、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミ
ノ−１−ブタノール、１，２−ジアミノエタン、１，３
−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１−ア
ミノ−２−メルカプトエタン、１−アミノ−３−メルカ
プトプロパン、１−アミノ−４−メルカプトブタン、ジ
エチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラ
エチレンペンタミンから選ばれることを特徴とする前記
（３）のフォトレジスト剥離液。
【００１４】（５） （ａ）有機アミンが、２種類以上
の組合せでなることを特徴とする前記（４）のフォトレ
ジスト剥離液。
の組合せでなることを特徴とする前記（４）のフォトレ
ジスト剥離液。
【００１５】（６） （ｃ）ヒドロキシ化合物が、２−
ヒドロキシ−３−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−１−ナ
フトエ酸、及び１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸から選
ばれることを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれか
のフォトレジスト剥離液。
ヒドロキシ−３−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−１−ナ
フトエ酸、及び１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸から選
ばれることを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれか
のフォトレジスト剥離液。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。 〔成分（ｃ）〕一般式ＩのＲ1 において、アミド基とし
ては、アセトアミド基、スルフォンアミド基等が挙げら
れる。アシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プ
ロピオニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。Ｒ2 にお
いて、アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基もしくはｔ−ブチル基のような
炭素数１〜４個のアルキル基が挙げられる。シクロアル
キル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ト
ルイル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ナフ
チル基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジ
ル基、フェネチル基等が挙げられる。アルコキシ基とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げ
られる。アミド基としては、アセトアミド基、スルフォ
ンアミド基等が挙げられる。アシル基としては、ホルミ
ル基、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等が
挙げられる。カルボン酸の炭素数１〜３個のアルキル基
エステルとしては、メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、プロポキシカルボニル基等が挙げられる。
スルホン酸の炭素数１〜３個のアルキル基エステルとし
ては、メトキシスルホニル基、エトキシスルホニル基等
が挙げられる。上記一般式ＩのＺを含む、５員もしくは
６員の複素環又は芳香環としては、ベンゼン環、ピリジ
ン環、ピラゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、
オキサゾール環等が挙げられる。
する。 〔成分（ｃ）〕一般式ＩのＲ1 において、アミド基とし
ては、アセトアミド基、スルフォンアミド基等が挙げら
れる。アシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プ
ロピオニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。Ｒ2 にお
いて、アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基もしくはｔ−ブチル基のような
炭素数１〜４個のアルキル基が挙げられる。シクロアル
キル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
等が挙げられる。アリール基としては、フェニル基、ト
ルイル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ナフ
チル基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジ
ル基、フェネチル基等が挙げられる。アルコキシ基とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げ
られる。アミド基としては、アセトアミド基、スルフォ
ンアミド基等が挙げられる。アシル基としては、ホルミ
ル基、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等が
挙げられる。カルボン酸の炭素数１〜３個のアルキル基
エステルとしては、メトキシカルボニル基、エトキシカ
ルボニル基、プロポキシカルボニル基等が挙げられる。
スルホン酸の炭素数１〜３個のアルキル基エステルとし
ては、メトキシスルホニル基、エトキシスルホニル基等
が挙げられる。上記一般式ＩのＺを含む、５員もしくは
６員の複素環又は芳香環としては、ベンゼン環、ピリジ
ン環、ピラゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、
オキサゾール環等が挙げられる。
【００１７】上記一般式Ｉの置換基において、Ｒ1 とし
てはカルボキシル基が好ましく、水酸基の隣に位置する
ことが重要である。Ｒ2 としては、水酸基、カルボキシ
ル基が好ましい。Ｚとしては、５員又は６員の芳香環が
好ましく、特にベンゼン環が好ましい。一般式Ｉで示さ
れる化合物の具体例としては、２−ヒドロキシ−３−ナ
フトエ酸、２−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、１−ヒド
ロキシ−２−ナフトエ酸が挙げられる。 この中でも２
−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸が特に好適に用いられ
る。以下に一般式Ｉで示される化合物の上記の具体例を
示す。ただし、これらは本発明の内容を限定するもので
はない。
てはカルボキシル基が好ましく、水酸基の隣に位置する
ことが重要である。Ｒ2 としては、水酸基、カルボキシ
ル基が好ましい。Ｚとしては、５員又は６員の芳香環が
好ましく、特にベンゼン環が好ましい。一般式Ｉで示さ
れる化合物の具体例としては、２−ヒドロキシ−３−ナ
フトエ酸、２−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、１−ヒド
ロキシ−２−ナフトエ酸が挙げられる。 この中でも２
−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸が特に好適に用いられ
る。以下に一般式Ｉで示される化合物の上記の具体例を
示す。ただし、これらは本発明の内容を限定するもので
はない。
【００１８】
【化５】
【００１９】〔成分（ａ）〕有機アミンとしては、従
来、レジスト剥離液に用いられるものであれば、いずれ
のものでも用いることができる。
来、レジスト剥離液に用いられるものであれば、いずれ
のものでも用いることができる。
【００２０】本発明の剥離液に用いる有機アミンとして
は、好ましくは下記一般式IIで示される化合物が挙げら
れる。さらに好ましくは、これらの有機アミンを２種類
以上組み合わせて使用する。
は、好ましくは下記一般式IIで示される化合物が挙げら
れる。さらに好ましくは、これらの有機アミンを２種類
以上組み合わせて使用する。
【００２１】
【化６】
【００２２】一般式II中、Ｒ3 、Ｒ4 は同一または異な
る置換基で、水素原子、アルキル基（炭素数＝１〜
４）、アルカノール基（炭素数＝２〜６）、アルコキシ
ル基（炭素数＝１〜４）、フェニル基を表し、Ｒ5 は水
酸基、アミノ基、メルカプト基を表し、ｎは２〜６の整
数を表す。ここで、炭素数１〜３のアルキル基は前記と
同義である。アルカノールとしては、エタノール基、プ
ロパノール基等が挙げられる。
る置換基で、水素原子、アルキル基（炭素数＝１〜
４）、アルカノール基（炭素数＝２〜６）、アルコキシ
ル基（炭素数＝１〜４）、フェニル基を表し、Ｒ5 は水
酸基、アミノ基、メルカプト基を表し、ｎは２〜６の整
数を表す。ここで、炭素数１〜３のアルキル基は前記と
同義である。アルカノールとしては、エタノール基、プ
ロパノール基等が挙げられる。
【００２３】上記一般式IIで示される化合物の好ましい
具体例としては、モノエタノールアミン、３−アミノ−
１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、１，
２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，
４−ジアミノブタン、１−アミノ−２−メルカプトエタ
ン、１−アミノ−３−メルカプトプロパン、１−アミノ
−４−メルカプトブタン、ジエチレントリアミン、トリ
エチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンが挙げ
られ、これらの化合物から選ばれて使用される。以下に
一般式IIで示される化合物の上記の具体例を示す。
具体例としては、モノエタノールアミン、３−アミノ−
１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、１，
２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，
４−ジアミノブタン、１−アミノ−２−メルカプトエタ
ン、１−アミノ−３−メルカプトプロパン、１−アミノ
−４−メルカプトブタン、ジエチレントリアミン、トリ
エチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンが挙げ
られ、これらの化合物から選ばれて使用される。以下に
一般式IIで示される化合物の上記の具体例を示す。
【００２４】
【化７】
【００２５】
【化８】
【００２６】〔成分（ｄ）〕本発明に用いることができ
る含水可能な有機溶剤としては、通常レジスト剥離液に
用いられるものであればいずれのものでも用いることが
できる。このような有機溶剤の好ましい具体例として
は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、２−ピロリドン、１
−エチル−２−ピロリドン、１−プロピル−２−ピロリ
ドン、１−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン、１−ヒ
ドロキシプロピル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルフォルムアミド、エチレングリコール、
グリセリンが挙げられる。
る含水可能な有機溶剤としては、通常レジスト剥離液に
用いられるものであればいずれのものでも用いることが
できる。このような有機溶剤の好ましい具体例として
は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、２−ピロリドン、１
−エチル−２−ピロリドン、１−プロピル−２−ピロリ
ドン、１−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン、１−ヒ
ドロキシプロピル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルフォルムアミド、エチレングリコール、
グリセリンが挙げられる。
【００２７】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）成分から
なる場合、レジスト剥離液の全重量に対して、（ａ）成
分１〜４９ｗｔ％、好ましくは５〜１５ｗｔ％、（ｂ）
成分１〜４０ｗｔ％、好ましくは１０〜３０ｗｔ％、
（ｃ）成分１〜２０ｗｔ％、好ましくは１〜１０ｗｔ
％、（ｄ）成分５１〜８０ｗｔ％、好ましくは６０〜７
０ｗｔ％である。
なる場合、レジスト剥離液の全重量に対して、（ａ）成
分１〜４９ｗｔ％、好ましくは５〜１５ｗｔ％、（ｂ）
成分１〜４０ｗｔ％、好ましくは１０〜３０ｗｔ％、
（ｃ）成分１〜２０ｗｔ％、好ましくは１〜１０ｗｔ
％、（ｄ）成分５１〜８０ｗｔ％、好ましくは６０〜７
０ｗｔ％である。
【００２８】本発明において、（ａ）成分が１ｗｔ％未
満ではレジスト及びエッチングポリマー剥離性が劣り、
４９ｗｔ％を超えて多くなると、下地基板の腐食が強く
なり、共に不適である。（ｂ）成分が１ｗｔ％未満では
エッチングポリマー剥離性が劣り、４０ｗｔ％を超えて
多くなると、レジスト剥離性が劣り、加えて下地基板の
腐食が強くなり、共に不適である。（ｃ）成分が１ｗｔ
％未満ではエッチングポリマー剥離性が劣り、２０ｗｔ
％を超えて使用しても添加量に見合うだけの効果が得ら
れず、いずれの場合も適当ではない。（ｄ）成分が５１
ｗｔ％未満ではレジスト剥離性が劣り、８０ｗｔ％を超
えて多くなると、エッチングポリマー剥離性が劣り、共
に不適である。
満ではレジスト及びエッチングポリマー剥離性が劣り、
４９ｗｔ％を超えて多くなると、下地基板の腐食が強く
なり、共に不適である。（ｂ）成分が１ｗｔ％未満では
エッチングポリマー剥離性が劣り、４０ｗｔ％を超えて
多くなると、レジスト剥離性が劣り、加えて下地基板の
腐食が強くなり、共に不適である。（ｃ）成分が１ｗｔ
％未満ではエッチングポリマー剥離性が劣り、２０ｗｔ
％を超えて使用しても添加量に見合うだけの効果が得ら
れず、いずれの場合も適当ではない。（ｄ）成分が５１
ｗｔ％未満ではレジスト剥離性が劣り、８０ｗｔ％を超
えて多くなると、エッチングポリマー剥離性が劣り、共
に不適である。
【００２９】本発明の組成物には、従来技術でエッチン
グポリマーの除去や下地基板の腐食防止に有効とされた
種々の化合物を併用することができる。特に、特願平８
−５３３５６号に記載のヒドロキシ化合物やα−ヒドロ
キシケトン化合物や、特願平８−３２９８７２号に記載
の含窒素化合物との併用が好ましい。その他、特開平６
−２６６１１９号公報に記載されたヒドロキシルアミン
など求核性アミノ化合物や、カテコールなどキレート
剤、特開平５−４５８９４号に記載されたヒドロキシル
キノリンなどの腐食防止剤、更に特開平７−２１９２４
１号に記載されたヒドラジン誘導体やオキシム類、芳香
族ヒドロキシル化合物などの腐食防止剤などは、本発明
の組成物に併用することができる。また本発明の組成物
とこれら化合物の組み合わせを任意に選ぶことで、高価
な原材料の使用量をできるだけ少なく抑えて必要な性能
を発揮させるように設計することもできる。
グポリマーの除去や下地基板の腐食防止に有効とされた
種々の化合物を併用することができる。特に、特願平８
−５３３５６号に記載のヒドロキシ化合物やα−ヒドロ
キシケトン化合物や、特願平８−３２９８７２号に記載
の含窒素化合物との併用が好ましい。その他、特開平６
−２６６１１９号公報に記載されたヒドロキシルアミン
など求核性アミノ化合物や、カテコールなどキレート
剤、特開平５−４５８９４号に記載されたヒドロキシル
キノリンなどの腐食防止剤、更に特開平７−２１９２４
１号に記載されたヒドラジン誘導体やオキシム類、芳香
族ヒドロキシル化合物などの腐食防止剤などは、本発明
の組成物に併用することができる。また本発明の組成物
とこれら化合物の組み合わせを任意に選ぶことで、高価
な原材料の使用量をできるだけ少なく抑えて必要な性能
を発揮させるように設計することもできる。
【００３０】本発明において、本発明の効果に悪影響を
及ぼさない限り、水と混合可能ないかなる非イオン系界
面活性剤をも含有可能であり、一般的にその含有量は全
量に対して０．１〜２重量％の範囲である。
及ぼさない限り、水と混合可能ないかなる非イオン系界
面活性剤をも含有可能であり、一般的にその含有量は全
量に対して０．１〜２重量％の範囲である。
【００３１】本発明の剥離液を用いることによって、基
板上に形成された二酸化シリコンやアルミニウム、チタ
ン、タングステン、銅、あるいはそれらの合金等の下地
をエッチングするのに用いたレジストパターンを容易に
剥離することができる。特に、下地の腐食を起こさず
に、比較的低温でもエッチングポリマーを完全に除去す
ることが可能である。また、保存安定性にも優れたレジ
スト剥離液を得ることができる。
板上に形成された二酸化シリコンやアルミニウム、チタ
ン、タングステン、銅、あるいはそれらの合金等の下地
をエッチングするのに用いたレジストパターンを容易に
剥離することができる。特に、下地の腐食を起こさず
に、比較的低温でもエッチングポリマーを完全に除去す
ることが可能である。また、保存安定性にも優れたレジ
スト剥離液を得ることができる。
【００３２】
【実施例】以下、実施例を用いて、本発明を具体的に説
明するが、本発明の内容がこれらに限定されるものでは
ない。 〔実施例−１〕シリコンウェーハ上にスパッター装置を
用いてＡl −Ｓi −Ｃu 合金の皮膜を形成させた。富士
ハントエレクトロニクステクノロジー社のポジ型フォト
レジスト、ＦＨ−６４００を１μｍの厚みでこの上に塗
布し、常法に従って縮小投影露光装置を使いラインアン
ドスペースパターンのレジスト像を形成させた。次にこ
のレジスト像をマスクに、基板のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ皮膜
を反応性イオンエッチング装置でエッチングした。次い
で不要となったレジスト膜を、酸素プラズマを使ったレ
ジストアッシング装置でその厚みの約８０％が除かれる
まで灰化除去した。次に本発明になる各剥離液（表−１
に記載の試料１〜６）を４０℃〜８０℃に加温し、その
中にこのウェーハを浸漬して残ったレジスト膜を剥離除
去した。更に流下する純水でウェーハを２０分間洗浄し
た。このウェーハ表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レ
ジスト残りの有無（レジスト除去性）、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕパターンの表面の残査の灰化除去程度（残渣除去
性）、除去の可能な下限温度、更にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕパ
ターンが腐食を受けて細った程度（下地の腐食程度）を
記録した。また、液の保存安定性を室温で１ヵ月間密閉
容器中に保存した時のレジスト及びエッチングポリマー
除去性能変化により調査した。さらにＴｉに対する腐食
性を７０℃に加熱した剥離液試料に、第１層にＴｉ層を
有する基板を２０分間浸漬し、処理後の試料中のＴｉ含
量の増加量及び表面の腐食状態の変化を観察することに
より調査した。なお、Ｔｉ含量の測定は原子吸光法、表
面状態の観察はＳＥＭ（走査電顕）により実施した。評
価基準を下記に示す。
明するが、本発明の内容がこれらに限定されるものでは
ない。 〔実施例−１〕シリコンウェーハ上にスパッター装置を
用いてＡl −Ｓi −Ｃu 合金の皮膜を形成させた。富士
ハントエレクトロニクステクノロジー社のポジ型フォト
レジスト、ＦＨ−６４００を１μｍの厚みでこの上に塗
布し、常法に従って縮小投影露光装置を使いラインアン
ドスペースパターンのレジスト像を形成させた。次にこ
のレジスト像をマスクに、基板のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ皮膜
を反応性イオンエッチング装置でエッチングした。次い
で不要となったレジスト膜を、酸素プラズマを使ったレ
ジストアッシング装置でその厚みの約８０％が除かれる
まで灰化除去した。次に本発明になる各剥離液（表−１
に記載の試料１〜６）を４０℃〜８０℃に加温し、その
中にこのウェーハを浸漬して残ったレジスト膜を剥離除
去した。更に流下する純水でウェーハを２０分間洗浄し
た。このウェーハ表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レ
ジスト残りの有無（レジスト除去性）、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕパターンの表面の残査の灰化除去程度（残渣除去
性）、除去の可能な下限温度、更にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕパ
ターンが腐食を受けて細った程度（下地の腐食程度）を
記録した。また、液の保存安定性を室温で１ヵ月間密閉
容器中に保存した時のレジスト及びエッチングポリマー
除去性能変化により調査した。さらにＴｉに対する腐食
性を７０℃に加熱した剥離液試料に、第１層にＴｉ層を
有する基板を２０分間浸漬し、処理後の試料中のＴｉ含
量の増加量及び表面の腐食状態の変化を観察することに
より調査した。なお、Ｔｉ含量の測定は原子吸光法、表
面状態の観察はＳＥＭ（走査電顕）により実施した。評
価基準を下記に示す。
【００３３】レジスト除去性は、レジストが完全に剥離
した場合を◎、わずかにレジスト剥離残りがある場合を
○、剥離残りがあり、実用上問題有る場合を△、レジス
トが全く除去されていない場合を×とした。残渣除去性
は、残渣なしを◎、残渣が僅かに有る場合を○、残渣が
あり、実用上問題有る場合を△、残渣が全く除去されて
いない場合を×とした。下地の腐食程度は、腐食なしを
◎、腐食が僅かに有る場合を○、腐食があり、実用上問
題有る場合を△、ひどい腐食が有る場合を×とした。液
の保存安定性は、性能に全く変化が認められなかった場
合を◎、除去性または腐食が僅かに劣化した場合を○、
同じ条件では使えない程度に劣化した場合を△、いかな
る条件でも使用が不可能なほど劣化した場合を×とし
た。
した場合を◎、わずかにレジスト剥離残りがある場合を
○、剥離残りがあり、実用上問題有る場合を△、レジス
トが全く除去されていない場合を×とした。残渣除去性
は、残渣なしを◎、残渣が僅かに有る場合を○、残渣が
あり、実用上問題有る場合を△、残渣が全く除去されて
いない場合を×とした。下地の腐食程度は、腐食なしを
◎、腐食が僅かに有る場合を○、腐食があり、実用上問
題有る場合を△、ひどい腐食が有る場合を×とした。液
の保存安定性は、性能に全く変化が認められなかった場
合を◎、除去性または腐食が僅かに劣化した場合を○、
同じ条件では使えない程度に劣化した場合を△、いかな
る条件でも使用が不可能なほど劣化した場合を×とし
た。
【００３４】Ｔｉに対する腐食性は浸漬前後で試料中の
Ｔｉ含量に差が無く、Ｔｉ溶出が認められず、基板表面
に腐食が見られない場合を○、試料中のＴｉ含量が増
え、Ｔｉ溶出があり、且つ基板表面に腐食の痕跡が見ら
れる場合を△、試料中のＴｉ含量が大きく増加し、Ｔｉ
溶出が多く、且つ表面に腐食の痕跡が著しい場合を×と
した。結果を表−１に示す。
Ｔｉ含量に差が無く、Ｔｉ溶出が認められず、基板表面
に腐食が見られない場合を○、試料中のＴｉ含量が増
え、Ｔｉ溶出があり、且つ基板表面に腐食の痕跡が見ら
れる場合を△、試料中のＴｉ含量が大きく増加し、Ｔｉ
溶出が多く、且つ表面に腐食の痕跡が著しい場合を×と
した。結果を表−１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】表−１の結果から、本発明のレジスト剥離
液は、残渣除去性が優れ、除去可能温度が低く（７０℃
以下）、基板を殆ど腐食せず、また保存安定性に優れ、
且つレジスト除去性にも優れ、Ｔｉに対する腐食性も無
かった。また、本発明の特定の有機アミンを組み合わせ
て使用した試料１は特に優れた性能を示した。
液は、残渣除去性が優れ、除去可能温度が低く（７０℃
以下）、基板を殆ど腐食せず、また保存安定性に優れ、
且つレジスト除去性にも優れ、Ｔｉに対する腐食性も無
かった。また、本発明の特定の有機アミンを組み合わせ
て使用した試料１は特に優れた性能を示した。
【００３７】〔比較例−１〕比較のために表−２に記載
の各組成のレジスト剥離液の性能を、実施例−１と同様
にして試験、評価した。結果を表−２に示す。
の各組成のレジスト剥離液の性能を、実施例−１と同様
にして試験、評価した。結果を表−２に示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】表−２の結果から、比較用のレジスト剥離
液は、残渣除去性、除去可能温度、基板腐食性及び保存
安定性のいずれかにおいて、不十分なものであった。
液は、残渣除去性、除去可能温度、基板腐食性及び保存
安定性のいずれかにおいて、不十分なものであった。
【００４０】
【発明の効果】本発明のレジスト剥離液により、基板上
に形成された二酸化シリコンやアルミニウム、チタン、
タングステン、銅、あるいはそれらの合金等の下地をエ
ッチングするのに用いたレジストパターンを容易に剥離
することができる。特に、下地の腐食を起こさずに、比
較的低温でもエッチングポリマーを完全に除去すること
が可能である。また、保存安定性にも優れたレジスト剥
離液を得ることができる。
に形成された二酸化シリコンやアルミニウム、チタン、
タングステン、銅、あるいはそれらの合金等の下地をエ
ッチングするのに用いたレジストパターンを容易に剥離
することができる。特に、下地の腐食を起こさずに、比
較的低温でもエッチングポリマーを完全に除去すること
が可能である。また、保存安定性にも優れたレジスト剥
離液を得ることができる。
Claims (6)
- 【請求項１】 （ａ）有機アミン、（ｂ）水、（ｃ）下
記一般式Ｉで示されるヒドロキシ化合物、及び（ｄ）含
水可能な有機溶剤をを含むことを特徴とするフォトレジ
スト剥離液。 【化１】 （一般式Ｉ中、Ｒ1 は水酸基と隣接したアミノ基、カル
ボキシル基、アミド基、アシル基を表し、Ｒ2 は水素原
子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール
基、アラルキル基、アルコキシ基、スルホン酸基、アミ
ノ基、カルボキシル基、アミド基、アシル基、カルボン
酸のアルキルエステル（炭素数＝１〜３）、スルホン酸
のアルキルエステル（炭素数＝１〜３）を表し、Ｒ2 は
さらなる置換基を有することができる。Ｚは、置換され
ていてもよい５員もしくは６員の複素環又は芳香環を形
成するのに必要な残基を表す。） - 【請求項２】 （ａ）有機アミン１〜４９ｗｔ％、
（ｂ）水１〜４０ｗｔ％、（ｃ）ヒドロキシ化合物１〜
２０ｗｔ％及び（ｄ）含水可能な有機溶剤５１〜８０ｗ
ｔ％を含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトレ
ジスト剥離液。 - 【請求項３】 （ａ）有機アミンが、下記一般式IIで表
されることを特徴とする請求項１または２に記載のフォ
トレジスト剥離液。 【化２】 （一般式II中、Ｒ3 、Ｒ4 は同一または異なる置換基
で、水素原子、アルキル基（炭素数＝１〜４）、アルカ
ノール基（炭素数＝２〜６）、アルコキシル基（炭素数
＝１〜４）、フェニル基を表し、Ｒ5 は水酸基、アミノ
基、メルカプト基を表し、ｎは２〜６の整数を表す。Ｒ
3 、Ｒ4 はさらなる置換基を有していてもよい。） - 【請求項４】 （ａ）有機アミンが、モノエタノールア
ミン、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１
−ブタノール、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジア
ミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１−アミノ−
２−メルカプトエタン、１−アミノ−３−メルカプトプ
ロパン、１−アミノ−４−メルカプトブタン、ジエチレ
ントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレ
ンペンタミンから選ばれることを特徴とする請求項３に
記載のフォトレジスト剥離液。 - 【請求項５】 （ａ）有機アミンが、２種類以上の組合
せでなることを特徴とする請求項４に記載のフォトレジ
スト剥離液。 - 【請求項６】 （ｃ）ヒドロキシ化合物が、２−ヒドロ
キシ−３−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−１−ナフトエ
酸、及び１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸から選ばれる
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の
フォトレジスト剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28860797A JPH11125917A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | フォトレジスト剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28860797A JPH11125917A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | フォトレジスト剥離液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11125917A true JPH11125917A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17732418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28860797A Withdrawn JPH11125917A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | フォトレジスト剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11125917A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2340256A (en) * | 1998-08-05 | 2000-02-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Resist removal formulation comprising alkoxy N-hydroxy(alkyl or aryl) alkanamide |
| US6274537B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Use of alkoxy N-hydroxyalkyl alkanamide as resist removing agent, composition for removing resist, method for preparing the same and resist removing method using the same |
| JP2001350276A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
| US6508887B1 (en) * | 1999-11-26 | 2003-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resist removing composition and resist removing method using the same |
| US6837943B2 (en) * | 2002-12-17 | 2005-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
| KR100733197B1 (ko) * | 2001-12-18 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
| KR100745892B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2007-08-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
| KR100745891B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2007-08-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
| US8231733B2 (en) | 2002-01-09 | 2012-07-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous stripping and cleaning composition |
| CN113534625A (zh) * | 2021-07-17 | 2021-10-22 | 西陇科学股份有限公司 | 一种pcb用正胶剥离液 |
-
1997
- 1997-10-21 JP JP28860797A patent/JPH11125917A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2340256A (en) * | 1998-08-05 | 2000-02-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Resist removal formulation comprising alkoxy N-hydroxy(alkyl or aryl) alkanamide |
| US6274537B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Use of alkoxy N-hydroxyalkyl alkanamide as resist removing agent, composition for removing resist, method for preparing the same and resist removing method using the same |
| US6398874B2 (en) * | 1998-08-05 | 2002-06-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Use of alkoxy N-hydroxyalkyl alkanamide as resist removing agent, composition for removing resist, method for preparing the same and resist removing method using the same |
| GB2340256B (en) * | 1998-08-05 | 2002-06-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Use of alkoxy N-Hydroxyalkyl alkanamide as resist removing agent composition for removing resist method for preparing the same and resist removing method. |
| US6508887B1 (en) * | 1999-11-26 | 2003-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resist removing composition and resist removing method using the same |
| JP2001350276A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
| KR100745891B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2007-08-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
| KR100745892B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2007-08-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
| KR100733197B1 (ko) * | 2001-12-18 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
| US8231733B2 (en) | 2002-01-09 | 2012-07-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous stripping and cleaning composition |
| US6837943B2 (en) * | 2002-12-17 | 2005-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
| CN113534625A (zh) * | 2021-07-17 | 2021-10-22 | 西陇科学股份有限公司 | 一种pcb用正胶剥离液 |
| CN113534625B (zh) * | 2021-07-17 | 2024-05-28 | 西陇科学股份有限公司 | 一种pcb用正胶剥离液 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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