JP2004538503A - スルホキシド−ピロリドン（ピロリジノン）−アルカノールアミン系剥離および洗浄組成物 - Google Patents

Abstract

本発明は、特に、基板からフォトレジストを剥離するための組成物に関するものであって、前記組成物は、約５重量％から約５０重量％のアルキル置換ピロリドン、アルキル置換ピペリドンまたはそれらの混合物と、約０．２％から約２０％の１種類以上のアルカノールアミンと、約５０％から９４％のスルホキシド、スルホキソンまたはそれらの混合物とを含む。有利であることに、銅基板を、７０℃に保った前記組成物中に３０分間浸漬させ、前記組成物に対して毎分約２００回の割合で回転させたとき、前記組成物が銅基板から銅を除去する速度は、毎分約１０オングストローム未満となりうる。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、高分子材料ならびに有機、有機金属および金属酸化物の残留物を基板から除去するための、剥離および洗浄組成物ならびにプロセスに関する。より具体的には、本発明は、集積回路等の製造におけるエッチング工程および類似工程の後に、高分子、たとえばフォトレジスト、ポリイミドなど、およびエッチング残留物を除去するための前記組成物およびプロセスに関する。さらに具体的には、集積回路に使用される金属層、たとえばチタン層や銅の層に対する実質的な攻撃を避けながら、これらの材料を除去するために有効な前記組成物およびプロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
微細回路の製造工程において、切り出した半導体の板の上の複数領域をしかるべくドーピングしその領域を正確に位置決めしたら、典型的には、そのあとにその半導体上の相互に接続された１つ以上のパターンが位置決めされる。基板上にパターンを描画するためのマスキング材料としては、正のドーピングをしたレジストが広く使用されており、続いて行われるエッチングまたは別の描出方法によってパターンが形成される。もしここでエッチングが使用された場合、基板製造の最終段階には、その後の露光されなかったレジスト材料およびエッチング残留物を基板から除去する工程が含まれる。微細回路技術に使用されるウェーハに使用するために充分な完全性(integrity)を有するウェーハを供給するには、残留物およびレジストを可能な限り完全に除去することが不可欠である。
【０００３】
半導体集積回路は非常に微細な構造を有している。普通、微細回路は次のようにして製造される。すなわち、基板上に被覆した絶縁膜または伝導膜（たとえば、酸化物膜、銅膜またはアルミニウム合金膜）の上にフォトレジストを均一に塗布し、フォトレジストを露光し、現像してパターンを形成させ、さらにパターンを形成したフォトレジストをマスクとして使用して、基板をエッチングするか、またはその上に膜を堆積させ、そのあとで不要なフォトレジストを除去する。
【０００４】
また、パターンを基板に描出するには、プラズマエッチング法、反応性イオンエッチング法またはイオンミリング法も使用されている。この種のエッチング工程では、副生する有機金属化合物が基板材料の側面に形成される可能性がある。最近では、フォトレジストの除去に有効な技術として、プラズマ酸化法が開発され、プラズマ・アッシング法とも呼ばれている。しかし、この方法はフォトレジストの除去には有効であるが、エッチング工程で基板の側面に形成される有機金属ポリマーを除去するには有効ではない。
【０００５】
マイクロエレクトロニクス分野における製造補助材や保護材料（ｐａｓｓｉｖａｎｔｓ）および層間絶縁体としてポリイミドの使用が増加の一途をたどっている。製造補助材としてのポリイミドの使用には、フォトレジスト、多層フォトレジストスキームにおける平坦化層として、およびイオン注入マスクとしてポリイミドを使用することが含まれる。これらの使用において、ポリマーは、ウェーハまたは基板上に塗布され、それから適当な方法によって硬化されるか、パターンを形成され、使用後は除去される。多くの既存の剥離剤は、一旦硬化させたポリイミド層を除去するには、効果が十分ではない。このようなポリイミドを除去するには、普通、基板をヒドラジン中で煮沸するか、酸素プラズマに暴露する方法がとられている。
【０００６】
本発明の剥離および洗浄組成物は、基板自体、具体的には金属基板、たとえば、銅、アルミニウム、チタン／タングステン、アルミニウム／シリコン、アルミニウム／シリコン／銅；別の基板、たとえば、酸化シリコン、窒化シリコンおよびガリウム／ヒ化物；およびプラスチック基板、たとえばポリカーボネートを攻撃しないでフォトレジストを除去する。加工分野では、レジスト層、および様々なタイプの金属、たとえばアルミニウム、アルミニウム／シリコン／銅、チタン、窒化チタン、チタン／タングステン、タングステン、酸化シリコン、ポリシリコン結晶などのエッチングによって形成されるすべてのタイプの残留物を除去する洗浄液を望む要求から、さらに効果的な洗浄剤に対する必要性が生じている。
【０００７】
レジスト材料をできる限り完全に除去することに加えて、特に、ウェーハの形成にサブミクロン加工技術が導入されたことに伴って、レジスト除去後に残るエッチング残留物を除去する洗浄技術に対する需要が生まれている。しかし残念ながら、基板を伴う後続の製造操作や加工工程に悪影響や障害をもたらさないで所要の材料を清浄にすることができるという意味で万能な単一洗浄剤は見いだされていない。加工分野では、フォトレジストおよび、その他様々な金属、たとえばアルミニウム、アルミニウム／シリコン／銅、チタン、窒化チタン、チタン／タングステン、タングステン、酸化シリコン、ポリシリコン結晶、低ｋ材料などの残留物を除去する洗浄溶液を望む要求から、さらに効果的な洗浄剤に対する必要性が生じている。
【０００８】
極性溶媒とアミン化合物の組み合わせを含む既知のフォトレジスト用剥離剤組成物として、次に挙げる技術が開示されている：
１．米国特許第４，４０３，０２９号には、フォトレジスト剥離剤として有用な、ジメチルアセトアミドまたはジメチルホルムアミド、およびアルカノールアミンを含むアルカリ／溶媒混合物の開示があるが、必ずしも洗浄剤ではない。
２．米国特許第４，４２８，８７１号、第４，４０１，７４７号および第４，３９５，４７９号には、２−ピロリドン、ジアルキルスルホンおよびアルカノールアミンを含む洗浄剤が開示されている。
３．米国特許第４，７４４，８３４号には、２−ピロリドンおよびテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む洗浄剤が開示されている。しかし、このような剥離組成物は、金属構造に主としてＡｌ−ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕを含む金属単一層を有する単純な微細回路の製造において、接触開口部および金属ラインのエッチングに由来する「側面ポリマー」と、アルミニウム有機金属化合物のみを含む残留物とを除去する洗浄に対して成功していることしか証明されていない。
４．米国特許第４，６１７，２５１号には、（Ａ）選択されたアミン化合物（たとえば２−（２−アミノエトキシ）−エタノール；２−（２−アミノエチルアミノ）−エタノール；またはこれらの混合物）および（Ｂ）選択された極性溶媒（たとえば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、テトラヒドロフルフリルアルコール、イソホロン、ジメチルスルホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルグルタレート、スルホラン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドまたはこれらの混合物）を含むポジティブフォトレジスト用剥離組成物が開示されている。また、この参照文献には、染料または色素、湿潤剤、界面活性剤および消泡剤だけでなく水も、この組成物に添加できることが記載されている。
５．米国特許第４，７７０，７１３号には、（Ａ）選択されたアミド（たとえばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド；Ｎ−メチルアセトアミド；Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド；Ｎ，Ｎ−ジプロピルアセトアミド；Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド；Ｎ，Ｎ−ジエチルブチルアミドまたはＮ−メチル−Ｎ−エチルプロピオンアミド）および（Ｂ）選択されたアミン化合物（たとえばモノエタノールアミン、モノプロパノールアミンまたはメチル−アミノエタノール）を含むポジティブフォトレジスト用剥離組成物が開示されている。また、この明細書には、この剥離剤に任意選択的に水と混合しうる非イオン洗剤（たとえば、アルキレンオキシド縮合物、アミドまたは半極性非イオン性物）を含むことができることが開示されている。
６．米国特許第４，８２４，７６３号には、（Ａ）トリアミン（たとえば、ジエチレン−トリアミン）および（Ｂ）極性溶媒（たとえば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ブチロラクトン、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、または塩素化炭化水素）を含むポジティブ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ−ｗｏｒｋｉｎｇ）フォトレジスト用剥離組成物が開示されている。
７．米国特許第４，９０４，５７１号には、（Ａ）溶媒（たとえば水、アルコール、エーテル、ケトン、塩素化炭化水素または芳香族炭化水素）；（Ｂ）前記溶媒に溶解したアルカリ化合物（たとえば第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、環式アミン、ポリアミン、第四級アンモニウムアミン、スルホニウムヒドロキシド、アルカリヒドロキシド、アルカリカーボネート、アルカリホスフェートまたはアルカリピロホスフェート）および（Ｃ）前記溶媒に溶解したボロヒドリド化合物（たとえばナトリウムボロヒドリド、リチウムボロヒドリド、ジメチルアミンボロン、トリメチルアミンボロン、ピリダンボロン、ｔｅｒｔ−ブチルアミンボロン、トリエチルアミンボロンまたはモルホリンボラン）を含むプリント回路基板のフォトレジスト用剥離剤組成物が開示されている。
８．米国特許第５，１０２，７７７号には、（Ａ）溶媒（たとえばピロリドン化合物、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、硫黄酸化物化合物、スルホラン化合物またはそれらの混合物）；（Ｂ）アミン（たとえばアルカノールアミン）；および（Ｃ）脂肪酸（たとえばカプリン酸、ラウリン酸、タルミトリック酸、カプリル酸、ミリスチン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸(linoleic acid)、リノール酸(linolic acid)、ブチル酸(buthylic acid)、アビエチン酸、イソオクタン酸、イソヘキサデカン酸、イソステアリン酸、ベヘン酸、ウンデシレン酸、ヒドロキシステアリン酸、キパノドン酸(chipanodonic acid)、アラキドン酸、オレオステアリン酸または２−エチルヘキサデカニル酸(2-ethylhexadecanilic acid)）を含むポジティブフォトレジスト用剥離組成物が開示されている。
９．米国特許第５，２７９，７９１号には、基板からレジストを除去する剥離組成物であって、（Ａ）ヒドロキシルアミン；（Ｂ）少なくとも１つのアルカノールアミン；および任意選択的に（Ｃ）少なくとも１つの極性溶媒を含む剥離組成物が開示されている。
１０．米国特許第５，３０８，７４５号には、（Ａ）剥離溶媒（たとえば２−ピロリジノン、１−メチル−２−ピロリジノン、１−エチル−２−ピロリジノン、１−プロピル−２−ピロリジノン、１−ヒドロキシエチル−２−ピロリジノン、１−ヒドロキシプロピル−２−ピロリジノン、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジアルキルスルホン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド、ポリエチレングリコール、ジメチルアセトアミドまたはジメチルホルムアミド）；（Ｂ）求核性アミン（たとえば１−アミノ−２−プロパノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−アミノエタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールまたは２−（２−アミノエチルアミノ）エチルアミン）；および（Ｃ）窒素を含まない弱酸（たとえば酢酸、フタル酸、２−メルカプト安息香酸、２−メルカプトエタノール、１，３，５−トリヒドロキシベンゼン、ピロガロール、レゾルシノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、炭酸またはフッ化水素酸）を含むアルカリ含有フォトレジスト用剥離組成物が開示されている。
１１．米国特許第５，３３４，３３２号には、ウェーハ上金属表面の汚染を低減するための（Ａ）ヒドロキシルアミン；（Ｂ）少なくとも１つのアルカノールアミン；（Ｃ）水；（Ｄ）任意選択的に少なくとも１つの極性溶媒；および（Ｅ）任意選択的にキレート剤（たとえば、チオフェノール、エチレンジアミン四酢酸または１，２−ジヒドロキシベンゼン）を含むフォトレジストレジスト剥離および洗浄組成物が開示されている。
１２．米国特許第５，３９９，４６４号には、基板からポジティブ有機フォトレジストを除去するための、（Ａ）トリアミン（たとえばジエチレン−トリアミン）；（Ｂ）非極性または極性有機溶媒（たとえばＮ−メチルピロリドン）を含む剥離組成物が開示されている。
１３．米国特許第５，４１７，８０２号には、（Ａ）第一級または第二級アミン；（Ｂ）溶媒（たとえばジメチルスルホキシドまたはジメチルアセチルアミド）；および（Ｃ）有機配位子、たとえばクラウンエーテルまたはシクロデキストリンを含む、フォトレジストの除去又は後金属エッチングクリーンナップに有用な材料が開示されている。
１４．日本国特許出願第６３−２０８０４３号には、（Ａ）１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン；（Ｂ）水溶性有機アミン（たとえばモノエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）−エタノールまたはトリエチレンテトラミン）を含むポジティブフォトレジスト用剥離剤組成物が開示されている。この出願は界面活性剤を剥離剤に加えることができることも開示している。
１５．日本国特許出願第６４−０８１９４９号には、（Ａ）溶媒（たとえばγ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドまたはＮ−メチルピロリドン）；（Ｂ）アミノアルコール（たとえばＮ−ブチルエタノールアミンまたはＮ−エチルジエタノールアミン）；および（Ｃ）水を含むポジティブフォトレジスト用剥離剤組成物が開示されている。
１６．日本国特許出願第４−３５０６６０号には、（Ａ）１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）；（Ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）および（Ｃ）水溶性アミン（たとえばモノエタノールアミンまたは２−（２−アミノ−エトキシ）エタノールを含み、前記水溶性アミンの量が７〜３０重量％であるポジティブフォトレジスト用剥離剤が開示されている。
１７．日本国特許出願第１９９９−１９７５２３号には、５〜１５重量％のアルカノールアミン、３５〜５５％のスルホキシドまたはスルホン化合物および３５〜５５重量％のグリコールエーテルを含む液晶表示装置の製造に使用されるフォトレジスト用剥離剤組成物が開示されている。
１８．日本国特許出願第８０８７１１８号には、５０〜９０重量％のアルカノールアミンおよび５０〜１０％のジメチルスルホキシドまたはＮ−メチル−２−ピロリドンを含む剥離剤組成物が開示されている。
１９．日本国特許出願第０３２２７００９号には、エタノールアミンおよびジメチルスルホキシドを含む剥離剤組成物が開示されている。
２０．日本国特許出願第０７０６９６１９号には、アルカノールアミン、ジメチルスルホキシドおよび水を含む剥離剤組成物が開示されている。
２１．米国特許第５，４８０，５８５号および日本国特許出願第５−１８１７５３には、アルカノールアミン、スルホン化合物またはスルホキシド化合物およびヒドロキシル化合物を含む有機剥離剤が開示されている。
２２．特開平４−１２４６６８号には、２０〜９０重量％の有機アミン、０．１〜２０重量％のリン酸エステル系界面活性剤、０．１〜２０重量％の２−ブチン−１，４−ジオール、及び残り成分としてグリコールモノアルキルエーテルおよび／または非プロトン性極性溶媒を含むフォトレジスト用剥離組成物が開示されている。
２３．特開昭６４−４２６５３号には、５０重量％（より望ましくは７０重量％を超える）を超えるジメチルスルホキシド、１〜５０重量％の溶媒、たとえばジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、γ−ブチロラクトン、又は１，３−ジメチル−２−イミダゾールジノン、および０．１〜５重量％の窒素含有有機ヒドロキシ化合物、たとえばモノエタノールアミンを含むフォトレジスト用剥離組成物が開示されている。この参照文献には、ジメチルスルホキシドの量が５０重量％未満になると剥離力が大幅に低下し、窒素含有有機ヒドロキシ化合物溶媒の量が５重量％を超えると金属（例えばアルミニウム）膜を腐食することが述べられている。
２４．ディーンらが保有する米国特許第５，０９１，１０３号には、（Ａ）Ｎ−アルキル−２−ピロリドン；（Ｂ）１，２−プロパンジオール；および（Ｃ）テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを含むポジティブフォトレジスト用剥離組成物が開示されている。
【０００９】
組成物の構成とそれらの組成比によって、前記剥離組成物のフォトレジストに対する剥離力、金属に対する腐食性、剥離後の洗浄工程の複雑さ、環境に対する安全性、作業性および価格が大きく異なる。フォトレジストと、プラズマエッチングとそれに続く酸素アッシング工程のあとに残るプラズマエッチング残留物とを洗浄するための洗浄剤は、現在数種類が市販されている。たとえば、ＥＫＣ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．から入手が可能なＥＫＣ ２６５は、プラズマエッチング用洗浄液で、水、アルカノールアミン、カテコールおよびヒドロキシルアミンからなる。このような組成物は、米国特許第５，２７９，７７１号に開示されている。
【００１０】
これら市販製品はフォトレジストおよびプラズマエッチング残留物を溶解することができるが、製品中に含まれる水とアルカノールアミンとの組み合わせによって、基板上にパターンとして堆積させた金属層も腐食を受ける可能性がある。これらの製品に腐食防止剤を添加することにより、基板上に堆積させた金属層および酸化物層を攻撃する望ましくない作用を緩和することができる。しかし、腐食防止剤が存在していても、銅、アルミニウムあるいはアルミニウム合金（たとえばＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ）、窒化チタン、チタン−タングステンなどのように、腐食を受けやすい金属層は攻撃を受ける可能性がある。
【００１１】
さらに、アミン／溶媒、ヒドロキシルアミン、フッ化物またはコリンヒドロキシドをベースにした組成物を含む、多くの通常のエッチング後用洗浄組成物は、主要な低ｋ誘電材料、たとえばシルセスキオキサン水素(HSQ)と完全には適合できない。誘電体をこれらの洗浄組成物で処理すると、物理的寸法および／または電気的／物理的／化学的特性が不可逆的かつ過度に変化する可能性がある。この変化は、半導体デバイスにおける工程、歩留りおよび信頼性に問題を引き起こすかもしれない。
【００１２】
さらに、常用されているエッチング後用洗浄組成物は、サブトラクティブ法における高密度プラズマエッチングで形成される金属構造に適合性または洗浄性に問題を有する可能性がある。エッチング後の残留物は洗浄が難しく、金属は腐食を起こしやすい恐れがある。
【００１３】
加えて、常用されている組成物の多くは、極めて毒性の強い物質を含んでおり、ウェーハの洗浄工程、製造／ＱＣ／輸送および廃棄物処理／処分の各段階で、環境／健康／安全上の問題を引き起こす可能性がある。一部の組成物は、原料コストの問題ばかりでなく、製造／ウェーハの洗浄／廃棄処分の各工程に関係する設備の必要性、製造能力、審美性（一部の組成物は強い悪臭を放ったり、悪臭物質を含む）など、さらに別の問題も引き起こす。
【００１４】
プラズマエッチング残留物は、化学組成が、一般に基板上の金属層または酸化物層の化学組成と似ているため、プラズマエッチング残留物を除去する効果と腐食防止のバランスを取ることは難しい。従来技術で洗浄組成物として使用されるアルカノールアミンは、水が存在するとプラズマエッチング残留物と基板金属層の両方を攻撃することがしばしば観察された。水は、たとえば大気や湿った成分などから混入する形で存在することが多く、場合によっては、ある種のフォトレジスト構造から溶解時に放出されることさえありうる。ウェーハ洗浄組成物によって腐食問題が生じることから、製造者によっては、洗浄剤を除去するため、アルコールまたはその他の溶媒、たとえばイソプロピルアルコールを使用している。
【００１５】
さらに、洗浄剤使用後の洗浄に、たとえばイソプロピルアルコール等を使用しなかった場合、腐食はきわめて重大なものになった可能性がある。加えて、腐食防止剤の一部のタイプは、プラズマエッチング残留物の除去やその他の処理速度を低下させることが知られている。水が少量存在していても金属基板を腐食せず、腐食しやすい金属基板、特に銅基板に対して有用な剥離剤の出現が望まれている。
【発明の開示】
【００１６】
本発明は、基板からフォトレジストを剥離するための組成物に関するものであって、組成物は、約５重量％から約５０重量％のアルキル置換ピロリドン、アルキル置換ピペリドンまたはそれらの混合物と、約０．２％から約２０％の１種類以上のアルカノールアミンと、約５０％から約９４％のスルホキシド、スルホキソンまたはそれらの混合物とを含む。銅基板を、７０℃に維持した組成物中に３０分間浸漬させ、組成物に対して毎分２００回転の速度で回転させたとき、この組成物が銅基板から銅を除去する速度は毎分約１０オングストローム未満である。
【００１７】
一つの実施形態において、組成物は、約１５重量％から約３５重量％のアルキル−２−ピロリジノンと、約０．５％から約１０％の１種類以上のアルカノールアミンと、約６０％から約８４％のスルホキシド、スルホキソンまたはそれらの混合物と、約２％以下の水とを含む。
【００１８】
一つの実施形態において、組成物は、約２０重量％から約３０重量％のアルキル−２−ピロリジノンと、約１％から約５％の１種類以上のアルカノールアミンと、約６６％から約７６％のスルホキシド、スルホキソンまたはそれらの混合物とを含む。
【００１９】
この実施形態において、置換ピロリドン、置換ピペリドンまたはそれらの混合物は、本質的に、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリジノンまたはそれらの混合物から成ることができ、アルカノールアミンは、本質的に、モノエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（メチルアミノ）エタノールまたはそれらの混合物から成ることができ、スルホキシド、スルホキソンまたはそれらの混合物は、本質的に、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジプロピルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、メチルエチルスルホキシド、ジフェニルスルホキシド、メチルフェニルスルホキシド、１，１’−ジヒドロキシフェニルスルホキシドまたはそれらの混合物から成ることができる。有利なことに、銅基板を、７０℃に維持した組成物中に３０分間浸漬させ、組成物に対して毎分２００回転の速度で回転させたとき、この組成物が銅基板から銅を除去する速度は毎分約５オングストローム未満である。
【００２０】
一つの実施形態において、置換ピロリドン、置換ピペリドンまたはそれらの混合物は、本質的に、Ｎ−メチル−２−ピロリジノンから成り、アルカノールアミンは、本質的に、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、２−（メチルアミノ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールまたはそれらの混合物から成り、スルホキシド、スルホキソンまたはそれらの混合物は、本質的に、ジメチルスルホキシドから成る。
【００２１】
第一実施形態では、アルカノールアミンはモノエタノールアミンから成り、第二実施形態では、アルカノールアミンはジエタノールアミンから成り、第三実施形態では、アルカノールアミンは２−（メチルアミノ）エタノールから成り、第四実施形態では、アルカノールアミンは２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールから成る。これらの実施形態において、組成物は実質的に水を含まず、その水含量は、たとえば１％未満であるが、好ましい処方においては、１０％の水含量でも満足すべき結果が得られる。
【００２２】
一つの実施形態において、組成物は、約６８％から約７４％のジメチルスルホキシド、メチルスルホキシドまたはそれらの混合物と、約２３％から約２９％の１−メチル−２−ピロリジノンと、約１％から約５％の２−（メチルアミノ）エタノール、ジエチルアミンまたはそれらの混合物とを含む。
【００２３】
前記組成物の水含量は、約１％以下であることが有利である。
【００２４】
一つの実施形態において、組成物は、さらに、界面活性剤、キレート剤または腐食防止剤の少なくとも一つを含み、界面活性剤、キレート剤および腐食防止剤の濃度は合わせて約５重量％未満である。
【００２５】
本発明は、前記組成物を使用する方法にも関し、そして前記方法は、基板表面を、フォトレジストが除去されるに十分な時間と温度で、基板上の硬化フォトレジストと接触させる工程と、前記基板を水、イソプロピルアルコールまたはそれらの混合物で洗浄する工程を含む。この方法は、基板表面が銅または低Ｋ材料を含むとき、特に有用である。
【００２６】
一つの実施形態において、基板からフォトレジストを剥離するための組成物は、約１０重量％から約３０重量％のアルキル置換ピロリドン、アルキル置換ピペリドンまたはそれらの混合物と、約２０％から約５０％の１種類以上のアルカノールアミンと、約２０％から約５５％の置換スルホキシドまたは非置換スルホキシド、置換スルホキソンまたは非置換スルホキソンまたはそれらの混合物とを含む。有利なことに、銅基板を、７０℃に維持した組成物中に３０分間浸漬させ、組成物に対して毎分２００回転の速度で回転させたとき、この組成物が銅基板から銅を除去する速度は、毎分約１０オングストローム未満である。
【００２７】
一つの実施形態において、組成物は、約１５％から約２５％の置換ピペリドンと、約３０％から約５０％のモノエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（メチルアミノ）エタノールまたはそれらの混合物と、約２５％から約４５％のアルキルスルホキシドとを含む。
【００２８】
一つの好ましい実施形態では、組成物は、約１７％から約２３％の１，３−ジメチル−２−ピペリドン、１，５−ジメチル−２−ピペリドン、またはその混合物と、約４０％から約４５％のモノメチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、またはその混合物と、約３０％から約４０％のジメチルスルホキシド、メチルスルホキシド、またはその混合物とを含む。ここでも、これらの組成物の含水量は約１％未満であることが有利である。さらに、これらの組成物はγ−ブチロラクトン、ジグリコールアミン、プロピレングリコール、モルホリンまたはそれらの混合物の中から少なくとも１つを含む。前記組成物は、さらに、界面活性剤、キレート剤または腐食防止剤の少なくとも一つを含み、界面活性剤、キレート剤および腐食防止剤の濃度は合わせて約５重量％未満である。
【００２９】
さらに、本発明は、前記組成物を使用する方法にも関し、前記方法は、特に、基板表面が銅または低Ｋ材料を含む場合に有用である。
【００３０】
一つの実施形態において、基板からフォトレジストを剥離するための組成物は、約５重量％から約５０重量％のアルキル置換ピロリドン、アルキル置換ピペリドンまたはそれらの混合物と、約０．２％から約６０％の１種類以上のアルカノールアミンと、約２０％から約８０％のアルキルスルホキシド、アルキルスルホンまたはそれらの混合物と、約０．５％未満の水とを含む。この組成物の利点は、銅基板を、７０℃に維持した組成物中に３０分間浸漬させ、組成物に対して毎分２００回転の速度で回転させたとき、この組成物が銅基板から銅を除去する速度が、毎分約１０オングストローム未満である点にある。
【００３１】
一つの実施形態において、組成物は、約１０％から約３５％の１−ヒドロキシエチル−２−ピロリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、１，３−ジメチル−２−ピペリドン、１，５−ジメチル−２−ピペリドンまたはそれらの混合物、約２％から約４５％のモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、２−（メチルアミノ）エタノールまたはそれらの混合物と、約３０％から約７５％のジメチルスルホキシド、メチルスルホキシド、またはその混合物とを含む。
【００３２】
好ましい実施形態において、組成物は、約２０％から約２６％の１−ヒドロキシエチル−２−ピロリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、１，３−ジメチル−２−ピペリドン、１，５−ジメチル−２−ピペリドン、またはその混合物と、約２％から約４５％のモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、２−（メチルアミノ）エタノールまたはその混合物と、約３０％から約７５％のジメチルスルホキシド、メチルスルホキシド、またはその混合物とを含む。いくつかの実施形態においては、基板を、７０℃に維持した組成物に３０分間浸漬させ、組成物に対して毎分２００回転の速度で回転させたとき、この組成物による低ｋ基板ＳＩＯＣおよびＨＳＱの屈折率変化は、どちらも０．０２を超えない。
【００３３】
選択される実施形態において、銅基板を、７０℃に維持した組成物中に３０分間浸漬させ、組成物に対して毎分２００回転の速度で回転させたとき、この組成物が銅基板から銅を除去する速度は、毎分約５オングストローム未満である。これらの組成物は、さらに、界面活性剤、キレート剤または腐食防止剤の少なくとも一つを含むことができ、界面活性剤、キレート剤および腐食防止剤の濃度は合わせて５重量％未満である。
【００３４】
一つの実施形態において、組成物は約５％未満の水を含み、その水含有量では、水を含まないときの組成物のエッチング速度より毎分４オングストローム大きい速度を超えて前記組成物の銅のエッチング速度を増進させない。
【００３５】
本発明は、前記組成物を使用する方法にも関し、そして前記方法は、基板表面を、フォトレジストが除去されるに十分な時間と温度で、基板上の硬化フォトレジストと接触させる工程と、前記基板を水、イソプロピルアルコールまたはそれらの混合物ですすぐ工程を含む。この方法は、基板表面が銅または低Ｋ材料を含むとき、特に有用である。前記時間は約１分から約６０分であり、前記温度は約４５℃から約８０℃である。
【００３６】
発明の詳細な説明
本発明の新規剥離および洗浄組成物は、各成分を単独に使用したとき、あるいはその他の成分と組み合わせて使用したときには実現できない、相乗的に増進した能力を発揮する。
【００３７】
本発明の一つの目的は、硬化レジストおよびその他の残留物を基板から効果的に取り去り、金属イオンの再付着を抑制し、耐腐食性である、レジスト除去組成物を提供することである。
【００３８】
本発明のさらに別の目的は、銅ばかりでなく、伝統的に使用されているその他の金属とも適合し、かつ半導体の製造に使用されている低Ｋ材料と適合する効果的なフォトレジスト剥離用組成物を提供することである。さらに別の目的は、少量の水の混入によって悪影響を受けない、これらの材料を洗浄する組成物および方法を提供することである。
【００３９】
これらの目的および関連する目的は、ここに開示する組成物およびプロセスを使用することによって実現される。本発明は、金属および誘電性化合物の多くの組み合わせに対して有用な非腐食性剥離剤に関する。処方に従う配合物は、アルミニウム、ＴＥＯＳ、隆起したハンダなどに対してだけでなく、銅（ＰＶＤまたは電気メッキ）および低ｋ誘電材料（Ｃｏｒａｌ）に対して、特に有用である。組成物は、銅の腐食を促進しないため、銅基板に対して特に有用である。
【００４０】
微細回路の製造において、ポジティブフォトレジストは、一連のフォトリソグラフィ工程およびプラズマエッチング工程で、レチクルのオリジナルマスクパターンをウェーハ基板上に転写するための中間マスクとして使用される。微細回路製造プロセスの工程の一つは、パターン形成フォトレジスト膜を基板から除去することである。一つの方法は、フォトレジストで被覆された基板とフォトレジスト剥離液を接触させる湿式剥離工程を含む。
【００４１】
集積回路の製造は、ますます複雑になり、シリコンウェーハまたはその他の半導体ウェーハ上に作製される回路要素の寸法がますます小さくなってきたことに合わせて、フォトレジストまたはその他のポリマー材料およびこのような材料から形成される残留物を除去するために使用される技術の改良が絶えず必要とされてきた。フォトレジストまたはその他のポリマー材料、たとえばポリイミドは、基板にパターンを規定する製造工程で、しばしばイオン注入、プラズマエッチング、反応性イオンエッチングまたはイオンミリングが行われる。また、製造工程でのフォトレジストまたはその他のポリマー材料の使用後に、これらの材料を除去するため、しばしば酸素プラズマによる酸化が行われる。このような高エネルギー工程を行うとフォトレジストは硬化し、製造工程で形成される構造の側壁に有機金属およびその他の残留物が形成される。
【００４２】
集積回路の作製には、アルミニウム、アルミニウム／シリコン／銅、チタン、窒化チタン、チタン／タングステン、タングステン、酸化シリコン、ポリシリコン結晶などを含め、様々な金属層およびその他の層が広く使用されている。このような異なる層の使用は、高エネルギー過程で異なる有機金属残留物を生成する。剥離および洗浄組成物は、フォトレジストまたはその他のポリマー材料または残留物を除去するために有効であるばかりでなく、理想的には、集積回路の作製に使用される異なる金属を攻撃すべきではない。フォトレジスト剥離組成物は、一般的に、フォトレジストに対して高い溶解力と剥離力を持つべきであり、多様な基板に対して剥離力を有するべきである。
【００４３】
さらに、組成物は優れた化学的性質、たとえば剥離力が大きい、金属に対して腐食作用を示さない、ヒトに対して比較的安全である、そしてフォトレジスト残留物や不純物が基板上に残るのを阻止するといった特性を備えているべきである。
【００４４】
この剥離組成物に使用される溶媒は、架橋レジスト膜に対して優れた溶解力を有するべきである。溶媒は、基板に強く付着している架橋レジスト膜を効率的に除去するために必要な場合があるかもしれない。同時に、剥離剤は、基板金属の腐食を促進してはならない。剥離剤は、金属、たとえば、銅、アルミニウム、タングステン、チタン、クロムなど、および低Ｋ材料、たとえばＨＳＱ、ＳｉＬＫ（商標）、ＳｉＯＣ、ナノグラス（商標）、ＨＯＳＰ（商標）、Ｃｏｒａｌ（商標）、ＧａＡｓ、ＴＥＯＳなどを含め、ほとんどの金属−誘電体の組み合わせに対して有用である。本発明による剥離剤は、銅はもちろん、アルミニウム、ＴＥＯＳ、隆起したハンダなどに特に有用である。
【００４５】
一つの実施形態において、剥離剤は、少なくとも３種類の成分、すなわち、（ａ）約５重量部から約５０重量部、好ましくは約１０重量部から約３５重量部、さらに好ましくは約１５重量部から約３０重量部、たとえば約２０部から約２６部の環式アミド、より好ましくは置換ピロリドン（たとえば、１−ヒドロキシエチル−２−ピロリジノンまたはＮ−メチル−２−ピロリジノン（Ｎ−メチル−２−ピロリドン））および／または置換ピペリドン（たとえば、１，３−および／または１，５−ジメチル−２−ピペリドンまたはそれらの混合物）と、（ｂ）約０．２重量部から約６０重量部、好ましくは約１重量部から約５０重量部、さらに好ましくは約２重量部から約４５重量部のアミン、好ましくはアルカノールアミン、さらに好ましくはモノメチルエタノールアミン（２−（メチルアミノ）エタノール）、ジエタノールアミンまたはそれらの混合物と、（ｃ）約２０部から約８０部、より好ましくは約３０部から約７５部のスルホキシド、スルホン、またはその混合物、好ましくはアルキルスルホキシド、アルキルスルホンまたはそれらの混合物、さらに好ましくはジメチルスルホキシド、メチルスルホキシドまたはそれらの混合物とを含む。
【００４６】
他の機能性化学物質、たとえば界面活性剤、キレート剤、腐食防止剤などを添加することができる。これらの機能性化学添加物の濃度は合わせて約１０重量％未満が好ましい。組成物中の水含量は１部未満が好ましい。
【００４７】
一つの実施形態において、剥離剤は少なくとも３種類の成分、すなわち、（ａ）約５重量部から約５０重量部、好ましくは約１５重量部から約３５重量部、さらに好ましくは約２０重量部から約３０重量部、たとえば約２４部から約２６部の、双極子モーメントが３．５より大きな非プロトン極性有機溶媒、好ましくは環式アミド、たとえば置換ピロリドン、置換ピペリドンまたはそれらの混合物、より好ましくは、Ｎ−アルキル−２−ピロリドン、Ｎ−アルキル−ピペリドンまたはそれらの混合物、そして最も好ましくは、Ｎ−アルキル−２−ピロリドン（たとえば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノンまたはＮ−メチル−２−ピロリドン）と、（ｂ）約０．２重量部から約２０重量部、好ましくは約０．５重量部から約１０重量部、さらに好ましくは約１重量部から約５重量部、たとえば約２部から約４部のアミン、好ましくはアルカノールアミン、さらに好ましくはモノメチルエタノールアミン（２−（メチルアミノ）エタノール）、ジエタノールアミンまたはそれらの混合物、さらに好ましくはモノメチルエタノールアミンと、ｃ）約５０重量部から約９４重量部、より好ましくは約６０重量部から約８４重量部、さらに好ましくは約６６重量部から約７６重量部、たとえば約７０部から約７２部のスルホキシド、スルホキソン、またはその混合物、好ましくはアルキルスルホキシド、さらに好ましくはジメチルスルホキシド、メチルスルホキシドまたはそれらの混合物とを含む。
【００４８】
この実施形態において、置換ピロリドンと置換ピペリドンの両方が存在するときは、置換ピロリドンと置換ピペリドンとの重量比は、少なくとも２：１であることが有利である。
【００４９】
この実施形態では、他の機能性化学添加物、たとえば、界面活性剤、キレート剤、腐食防止剤などを添加することができる。これらの機能性化学添加物の濃度は合わせて約１０重量部未満が好ましい。
【００５０】
模範的な組成物は、添加剤を含まない基礎原料(basis)に対して、７１％のジメチルスルホキシド／メチルスルホキシドの混合物、ＣＡＳ＃［６７−６８−５］と、２６％の１−メチル−２−ピロリジノン（１−メチル−２−ピロリドン）、ＣＡＳ＃［８７２−５０−４］と、３％の２−（メチルアミノ）エタノール、ＣＡＳ＃［１０９−８３−１］とを含む。
【００５１】
組成物は好ましくは水を含まないが、多少の水を含んでいてもよく、その量は、好ましくは約４部未満であり、より好ましくは約２部未満であり、さらに好ましくは約０．５部未満である。驚いたことにこの実施形態に記載の組成物は、他の類似組成物と異なり、水含量が約１％未満であれば、エッチング速度は上昇しない。これは大きな技術的進歩である。なぜなら、剥離剤には、大気や洗浄、あるいは不十分な乾燥に由来する微量の水が混入しやすく、従来の剥離剤では、金属層、特に銅の腐食が増すため、使用できなくなる。
【００５２】
別の実施形態においては、本発明は、（ａ）約１０部から約３０部、好ましくは約１５部から約２５部、さらに好ましくは約２０部の、双極子モーメントが３．５より大きな非プロトン極性有機溶媒、好ましくは環式アミド、たとえば置換または非置換ピロリジノン、置換または非置換ピペリドンまたはそれらの混合物、より好ましくは、１，３−および１，５−ジメチル−２−ピペリドン、［１６９０−７６−２］および［８６９１７−５８−０］、（ｂ）約２０部から約５５部、好ましくは約３０部から約５０部、たとえば約４０部から約４５部のアミン、好ましくは１種類以上のアルカノールアミン、さらに好ましくはモノメチルエタノールアミン、ジエタノールアミンまたはそれらの混合物と、（ｃ）約２０重量部から約５５重量部、より好ましくは約２５重量部から約４５重量部、さらに好ましくは、約３０重量部から約４０重量部のスルホキシド、スルホキソン、またはその混合物、好ましくはアルキルスルホキシド、さらに好ましくはジメチルスルホキシド、メチルスルホキシドまたはそれらの混合物とを含む剥離剤組成物に関する。
【００５３】
他の機能性化学添加物、たとえば、界面活性剤、キレート剤、腐食防止剤などを添加することができる。これらの機能性化学添加物の濃度は合わせて約１０重量％未満が好ましい。
【００５４】
前記３つの実施形態のそれぞれにおいて、γ−ブチロラクトン［９６−４８−０］、ジグリコールアミン、プロピレングリコール、モルホリンまたはその混合物を、少量、たとえば、約２０部未満の量、好ましくは１５部未満の量だけ添加することができる。
【００５５】
これらの実施例において、剥離剤は少なくとも３種類の成分を有する。その一つは非プロトン極性有機溶媒である。極性溶媒は、好ましくは、３．５より大きな双極子モーメントを有するべきである。溶媒の沸点は、１３０℃より高いことが好ましい。アミドが好ましく、環式アミドがより好ましい。非プロトン有機溶媒の中で好ましい溶媒群は、Ｎ−アルキルラクタム、たとえば、Ｎ−アルキル−２−ピロリドン、たとえばＮ−メチル−２−ピロリジノン（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドンまたはそれらの混合物である。選択される実施形態では、ピペリドン、特に置換ピペリドンの一部またはすべてをピロリジノンで置き換えることができる。
【００５６】
Ｎ−メチルピロリドンは、フォトレジストを溶解する強力な溶媒である。極性分子であり、高いフォトレジスト溶解力を有するＮ−メチルピロリドンを使用することにより、組成物の剥離力は、剥離工程をくり返してもほとんど低下しない。一つの実施形態において、環式アミンは、約５重量％から約５０重量％、好ましくは約１５重量％から約３５重量％、さらに好ましくは約２０重量％から約３０重量％、そして最も好ましくは約２０％から約２８％の量で存在する。
【００５７】
第二の成分はアミンである。アミンは第一級、第二級または第三級が可能である。好適な塩基性(basic)アミン化合物としては、次に挙げるアミンおよびそれらの混合物が含まれる：ヒドロキシルアミン、ヒドラジン、２−アミノ−２−エトキシエタノール（ＤＧＡ）、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエチルヒドロキシルアミン、コリン、テトラメチルアンモニウムホルメート（ＴＭＡＦ）、モノイソプロパノールアミン（ＭＩＰＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）など。模範的な好ましい化合物はモノエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミンおよびトリエタノールアミンである。アミン、好ましくはアルカノールアミン、より好ましくはモノメチルエタノールアミン（２−（メチルアミノ）エタノールは、一つの実施形態において、約０．２重量％から約２０重量％、好ましくは約０．５重量％から約１０重量％、より好ましくは約２重量％および約５重量％存在する。
【００５８】
好適なスルホキシド溶媒としては、次に挙げるスルホキシドおよびそれらの混合物が含まれる：ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジプロピルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、メチルエチルスルホキシド、ジフェニルスルホキシド、メチルフェニルスルホキシド、１，１’−ジヒドロキシフェニルスルホキシドなど。より一般的には、好適な化合物は、次式で表される有機スルホキシド：
【化１】

（式中、Ｒ₁およびＲ₂は、Ｈ、ＯＨまたはアルキル基であって、Ｒ₁およびＲ₂の少なくとも一つは、アルキル基である）か、あるいは次式で表されるスルホン溶媒
【化２】

（式中、Ｒ₃〜Ｒ₁₀は、それぞれ独立にＨまたはアルキル基である）
【００５９】
好適なスルホン溶媒としては、次に挙げるスルホン溶媒およびそれらの混合物が含まれる：ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、メチルエチルスルホキソン、ジエチルスルホキシド、メチルエチルスルホキシド、およびジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）。スルホキシドまたはスルホンまたはそれらの混合物は、好ましくは、アルキルスルホキシドを含み、より好ましくはジメチルスルホキシド、メチルスルホキシドまたはそれらの混合物を含む。ジメチルスルホキシドは、フォトレジストを溶解するための溶媒として使用可能であり、フォトレジストの表面と剥離用組成物の間の表面張力を制御することができる。
【００６０】
他の機能性化学添加物、たとえば、界面活性剤、キレート剤、腐食防止剤などを添加することができる。これらの機能性化学添加物の濃度は合わせて約１０重量％未満が好ましく、約５重量％未満であればさらに好ましい。
【００６１】
好適な腐食防止剤としては、無機硝酸塩、たとえば硝酸アンモニウム、カリウム、ナトリウムおよびルビジウム塩、硝酸アルミニウムおよび硝酸亜鉛が含まれる。他の腐食防止剤としては、サリチルアルコール、サリチルアルドキシム、没食子酸、没食子酸エステルおよびピロガロールが含まれる。
【００６２】
好適なキレート剤に関しては、リーが保有する１９９７年９月３０日発行の広く引用されている米国特許第５，６７２，５７７号に記載されており、参照してここに組み込む。好適なキレート剤の一つはＥＤＴＡである。キレート剤を添加すると、エッチング残留物またはフォトレジストの除去剤として使用される配合物の効果をさらに高めることができる。
【００６３】
好適な界面活性剤は非イオン系、カチオン系およびアニオン系界面活性剤の中から選択される。好適な界面活性剤には、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（エチレンイミン）、およびアニオン系、カチオン系、非イオン系、両性およびシリコン系に分類されるあらゆる界面活性剤組成物が含まれる。好ましい界面活性剤は、ポリ（ビニルアルコール）およびポリ（エチレンイミン）である。好ましくは、本発明による洗浄組成物には、界面活性剤が、洗浄組成物の総重量に対して重量で約１ｐｐｍから５００ｐｐｍ含まれる。
【００６４】
成分の組み合わせによっては、ｐＨを許容値に調製するため、酸および／または塩基を添加する必要がある。本発明の使用に適する酸は、有機酸であってもよいし、無機酸であってもよい。そのような酸としては、硝酸、硫酸、リン酸、塩酸（ただし、塩酸は金属を腐食する可能性がある）、および／または有機酸、たとえば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ｎ−酪酸、イソ酪酸、安息香酸、アスコルビン酸、グルコン酸、リンゴ酸、マロン酸、シュウ酸、コハク酸、酒石酸、クエン酸および没食子酸などが可能である。
【００６５】
洗浄剤のｐＨを調整するために使用に適する苛性成分としては、いかなる普通の塩基でも可能であり、たとえばナトリウム、カリウム、マグネシウムの水酸化物などを挙げることができる。これらの塩基の難点は、これらが、移動性イオンを最終配合物に導入する可能性がある。移動性イオンは、今日半導体産業で生産されているコンピューターチップを壊す危険性がある。より動きの少ないイオンを含む他の塩基、たとえば、水酸化アンモニウムまたはその誘導体、たとえばトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）などを使用することができる。
【００６６】
本発明の洗浄組成物を使って基板を洗浄する方法においては、基板上の残留物を除去するに十分な時間及び温度条件で、残留物を有する基板と本発明の洗浄組成物とを接触させることを含む。本発明の組成物は、洗浄浴の形で使用することもできるし、噴霧する形で使用することもできる。これは、噴霧によってフォトレジストを除去しなければならない効果が低い組成物より優れた点である。攪拌、かき混ぜ、循環、超音波照射など、当業者にとって知られた技術を自由選択的に使用することができる。基板は洗浄組成物に浸漬するのが普通である。時間と温度は、基板から除去しようとする具体的な物質に基づいて決定される。一般的には、ほぼ環境温度または室温から約１００℃、好ましくは約５５℃の温度と、典型的には約１分から約６０分、好ましくは約５分から約３０分の接触時間とが選択される。通常、組成物の使用後、基板をすすぐ。すすぎ用溶液としては、イソプロパノールおよびＤＩ水（ＤＩＷ）が好ましい。
【００６７】
一つの実施形態においては、ジメチルスルホキシドと（および自由選択的にメチルスルホキシド）の混合物７１％、１−メチル−２−ピロリジノン２６％、そして２−（メチルアミノ）エタノール３％を含む配合物（以下、配合物Ａと呼ぶ）を使用し、基板を７０℃の温度に３０分間浸漬し、それから脱イオン水で洗浄し、窒素中で乾燥して、ポジティブフォトレジストを剥離した。配合物は、産業で広く使用されている水／シュウ酸／テトラメチルアンモニウムヒドロキシドのすすぎ液とも適合する。加えて、この配合物はＡＳＴＭ Ｄ−３２７８による引火点が約７７℃であって、ほとんどの用途に対して安全範囲に入る。
【００６８】
同様に、ジメチルスルホキシドを３５％、ジエタノールアミンを４５％、そして１，３−および１，５−ジメチル−２−ピペリドンの混合物を２０％含む組成物（以下、配合物Ｂと呼ぶ）については、水の量が約１％未満であれば、銅エッチング速度の上昇はわずかである。
【００６９】
配合物Ａおよび配合物Ｂは、ともに、４℃で０から５日間保存すると、粘度がわずかに上昇しただけで、観察できるような相変化は認められない。
【００７０】
本発明の組成物は、Ｘｅｒｏｇｅｌ（商標）に対して使用することは推奨できない。
【００７１】
しかし銅に対しては、これらの組成物は有用である。銅は、処理中まれにしかエッチングされないが、ほとんどのレジスト用剥離剤によって容易に腐食を受ける。銅の適合性試験では、少数の処理剤でＰＶＤ銅を使用したほかは、ほとんどの配合物に対して電気メッキ銅を使用した。選び出した本発明の好ましい実施形態について、金属および低Ｋ適合性試験を行った。試験金属としては、銅、アルミニウム、タングステン、チタン、クロムなどを使用し、試験低Ｋ材料としては、ＨＳＱ、ＳｉＬＫ（商標）、ＳｉＯＣ、Ｎａｎｏｇｌａｓｓ（商標）、ＨＯＳＰ（商標）、Ｃｏｒａｌ（商標）などを使用した。
【００７２】
記載した組成物は、通常のタイプばかりでなく進歩した低Ｋ誘電材料および金属に対して優れた適合性を示す。すなわち、これらの組成物は、一般に、これらの誘電体あるいは金属に対してほとんど変化を与えない。また、これらの組成物は、誘電体構造体と金属構造体の両方に対して良好な洗浄効果を示す。すなわち、これらの組成物は、多くの従来の組成物が適合性に問題を抱える進歩した低Ｋ誘電体構造体および高密度プラズマエッチング金属構造体の洗浄に対して、特に適している。さらに、これらの組成物は、他の組成物と比べて一般に、環境／健康／安全に対して問題が少なく、コストが低く、審美性に優れている。
【実施例】
【００７３】
実施例で使用される略号は以下の通りである：
ＴＢＰＨ＝テトラブチルホスホニウムヒドロキシド
ＤＣＨ＝ジカルボエトキシヒドラジン
ＴＭＡＦ＝テトラメチルアンモニウムホルメート
ＭＥＡ＝モノエタノールアミン、エタノールアミン、２−アミノエタノール；［１４１−４３−５］
ＮＭＰ＝Ｎ−メチルピロリドン
ＰＧ＝プロピレングリコール
ＰＣ＝プロピレンカーボネート
ＨＤＡ（登録商標）＝ヒドロキシルアミン
ＤＥＨＡ＝ジエチルヒドロキシルアミン
ＭＩＰＡ＝モノイソプロパノールアミン
ＤＭＰＤ＝１，３−および１，５−ジメチル−２−ピペリドン、［１６９０−７６−２］および［８６９１７−５８−０］、混合物
γ−ＢＬＯ＝４−ヒドロキシ酪酸γ−ラクトン、γ−ブチロラクトン、［９６−４８−０］
ＭＭＥＡ＝２−（メチルアミノ）エタノール、モノメチルエタノールアミン、［１０９−８３−１］
ＤＥＡ＝ジエタノールアミン、２，２’−イミノジエタノール［１１１−４２−２］
ＤＧＡ＝ジグリコールアミン、ジエチレングリコールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、［９２９−０６−６］
ＲＴ＝室温、すなわち、おおよそ２０〜２５℃
試験したフォトレジストは以下の通りである：
（１）Ｓｈｉｐｌｅｙ５１０（商標）ポジティブレジスト、厚さ１．５ミクロン、ソフトベークおよびハードベーク
（２）ＣＡＲＬ（商標）二層システム
（３）ＡＺＰ４６２０（商標）ポジティブレジスト、厚さ２５〜２７ミクロン、ソフトベークおよびハードベーク
（４）イオン注入したレジスト
（５）ＯＦＰＲ ８００（商標）レジスト、異なる温度でベーク、ＵＶ露光したものとＵＶ露光しないもの
[実施例１〜４８]
【００７４】
本発明による多数の組成物について銅のエッチング試験を行った。ＣｕＳＭＴＫ（Ｃｕ、ＥＰ／Ｓｅｍａｔｅｃｈ）ウェーハを２００ｒｐｍの速度で回転させながら組成物に７０℃で３０分間浸漬し、それから脱イオン水で３〜５分間洗浄し、窒素中で乾燥した。組成物および試験試料を表１に示す。表２に示す結果は４点検査法によって得られたもので、エッチング速度はオングストローム／分単位で表示し、目視検査結果は１０（エッチングの徴候なし）から０（エッチングがいちじるしくて不可）までの評点で示す。
【表１】

【表２】

【００７５】
銅のエッチングはレジスト洗浄剤にとって望ましくない。優れたエッチング速度は、典型的には、毎分５オングストローム未満である。良好なエッチング速度は、一般に、毎分１０オングストローム未満である。毎分２０オングストロームを超える腐食は不可である。銅基板を使って試験を行った場合、試験した多くの配合物は、可から優の結果を与えた。
【００７６】
選び出した配合物、たとえばＤＭＳＯが４０〜５０％、ＤＭＰＤが１０〜２０％、γ−ＢＬＯが１０％、そして残部がＭＭＥＡである配合物は銅に対する腐食保護性能が十分でない。
[実施例４９]
【００７７】
選び出した低Ｋ基板を、２００ｒｐｍの速度で回転させながら、７０℃で３０分間、ＤＭＳＯを３５％、ＮＭＰを２０％、ＤＥＡを４５％含む組成物（実施例４３の組成物）に浸漬、それから脱イオン水（ＤＩＷ）で３〜５分間すすぎ、窒素中で乾燥により試験を行った。エリプソメーター(ellipsometer)で得られた結果は次の通りであった。
【表３】

【００７８】
このデータから、この組成物は、これらの低Ｋ材料の顕著なエッチング、すなわち、毎分約１０オングストロームを超えるエッチングを伴わず、これらの材料からフォトレジストを除去するのに有用であることがわかる。
[実施例５０〜５４および比較例１〜４]
酸化物／ＦＯｘ／Ａｌビア（ｖｉａ）構造のエッチング後の洗浄
【００７９】
これらの実施例と比較例のビアを意図的に、かつ著しく過度にエッチングして、ビアの洗浄が困難な状況を模擬的に作り出した。過度のエッチングは、アルミニウムの基板内に向かって約１８０ｎｍに達する。その結果、ビアの側壁と底部にかけて残留物が多量に残っているのがわかる。このパターンウェーハとＦＯｘのブランケットウェーハの両方で試験した。ブランケット試料は、エリプソメトリーとＦＴＩＲ法によって調べた。他方、パターン試料は、日立Ｓ４５００ ＦＥ ＳＥＭで検査した。後で示すように、数種類の処理剤が、サイズの大きなビアと小さいビアの両方に対して、効果的な清浄作用を示すことがわかった。
【００８０】
パターンウェーハとＦＯｘのブランケットウェーハを切って約１インチ角の試料を作成し、表４に示す時間および温度に従って処理剤に浸漬した。浸漬処理が終了したら、ＤＩＷまたはＩＰＡ／ＤＩＷで洗浄し、それから窒素ガスを吹き付けて乾燥した。次に、ブランケット試料は、Ｇａｅｒｔｎｅｒ社製Ｌ２Ｗ１６Ｄ．８３０可変角度／二波長エリプソメーターおよびＢｉｏＲａｄ社製ＦＴ１７ＳＣ ＦＴＩＲ装置で検査した。厚さおよび屈折率（たとえば６３３ｎｍの波長における）は、４５゜偏光−４５゜入射角で５点ウェーハスキャンマップで測定した。ＦＴＩＲスペクトルは、透過モードで、４０００ｃｍ^-1から５００ｃｍ^-1まで測定した。さらに、パターン試料は、断面を切断して、日立Ｓ４５００ ＦＥ ＳＥＭで検査した。
【表４】

【００８１】
洗浄結果を下記表５にまとめて示す。ＥＫＣ２６５は、ＦＯｘとの適合性が良くないことが知られているが、ここではベンチマークとして使用した。予想通り、ＥＫＣ２６５はビアを効果的に洗浄した。ＳＡＣ処理剤は、市販品（ＥＫＣ社から入手できるＥＫＣ６３０／６４０）および実験品（ＡＲＸ６０Ｍ／１２５Ｍ）とも、完全には洗浄しなかった。これらの処理剤は、ＦＯｘ材料を急速にエッチングするおそれがあるため、これらの処理剤は、すべて室温で５分間の使用にとどめ、材料に対する影響を最小限にくい止めた。５ＬＸ２６３Ｂ、２６８Ｂおよび２６８Ｅを含め、数種類の実験水性処理剤は、処理後の厚さ／ＲＩおよびＦＴＩＲの変化が小さかったことから、これらの処理剤は洗浄効果に優れ、かつ良好な適合性を有することがわかった（表６を参照）。ビアを意図的に過度にエッチングして作り出される多量の残留物は、各薬剤に特異的であるように思われる。
【００８２】
ＳＥＭ写真によると、いくつかのアルミニウムでエッチングが見られたが（ＳＥＭ写真は挙げていない）、エッチングの異方性が非常に大きく、横（ｌａｔｅｒａｌ）方向のエッチングがほとんど観察されないことから、洗浄剤が原因とは考えられない。アルミニウムの著しい湿式エッチングは、一般に等方的に起こるばかりでなく、典型的には垂直方向と同程度の大きさで横方向にもかなりのエッチング（アンダーカット）が起こる可能性がある。したがって、上記の著しいアルミニウムのエッチングは、残留物を除去するときのプラズマによる過度のエッチングによる結果であると考えられる。
【表５】

【表６】

【００８３】
数種類の処理剤が大小を問わずビアの洗浄に効果的であることがわかった。そのような処理剤には、ＥＫＣ２６５と若干の実験水性処理剤が含まれる。これらの供試処理剤は、厚さ、屈折率およびＦＴＩＲの変化がほとんどないことから、ＦＯｘブランケット膜との適合性が良好であることは明らかである。それに対してＳＡＣ処理剤は、市販品（ＥＫＣ６３０／６４０）および供試処理剤（ＡＲＸ６０Ｍ／１２５Ｍ）とも、ある程度残留物を除去するが、満足できるものではない。これらＳＡＣ処理剤は、ＦＯｘ材料の過度のエッチングを避けるため、すべて室温で短時間の使用にとどめた。アルミニウムのエッチングは、加工前でも目で見て分かるほど顕著である。このエッチングは、処理剤で残留物を除去したあとに現れる。
[実施例５５]
【００８４】
配合物ＡとＥＫＣ４２０（商標）との適合性
（Ａ）４２０（商標）と同体積の配合物ＡまたはＤＺＸ０２１Ｆとの混合
攪拌しながら４２０（商標）を配合物ＡまたはＤＺＸ０２１Ｆ中にゆっくり添加したとき、添加中に沈殿は観察されなかった。最終混合物は、無色透明で、目で見える粒子も認められなかった。
ｐＨ（ＥＫＣ４２０（商標）＋配合物Ａ；１：１体積）：１２（ｐＨ試験紙）
ｐＨ（ＥＫＣ４２０（商標）＋ＤＺＸ０１２Ｆ；１：１体積）：５（ｐＨ試験紙）
参照ｐＨ（ＥＫＣ４２０（商標））：１（ｐＨ試験紙）
【００８５】
（Ｂ）洗浄配合物Ａ−ＥＫＣ４２０（商標）で処理した基板のすすぎ
露出したメッキ銅基板（Ｓｅｍａｔｅｃｈ）およびシリコン基板をＤＺＸ０１３Ｆ（配合物Ａ）またはＤＺＸ０２１Ｆに７０℃で数分間浸漬した。基板を溶液から引き出したのち、そのまま、ビーカー中に入れた室温のＥＫＣ４２０（商標）に漬ける。目視検査で基板上に粒子の点在は見られなかった。検査のあとＤＩＷで数分間すすいだ。
[実施例５６]
【００８６】
配合物ＡとＧａＡｓとの適合性
ＧａＡｓの厚いブランク基板を使用した。適合性の判定は目視検査によって行った。
試験条件：７５℃／５時間／２００ｒｐｍ→ＤＩ水で洗浄→Ｎ₂で乾燥
ＤＺＸ０１３Ｆ（配合物Ａ）：表面の平坦性が失われた（ＧａＡｓ表面に「しみ」）。
ＤＺＸ０２１Ｆ：表面に何ら変化を認めることはできなかった。
[実施例５７]
【００８７】
Ｃｕの腐食における配合物Ａに含まれる水分の影響
ＤＺＸ０１３Ｆ（配合物Ａ）中の水分によってＣｕのエッチングが増進する徴候は見られなかった。また、ＥＫＣ４２０（商標）は、ＤＺＸＯ１３Ｆ（配合物Ａ）およびＤＺＸＯ２１Ｆの両方と適合するように見える。表７を参照。
【表７】

【００８８】
次に挙げる表８は、Ｃｕ／ＰＶＤ基板およびメッキ銅基板上のエッチング速度を比較したものである。
【表８】

[実施例５８]
【００８９】
異なるエッチング剤と各種基板との適合性
低Ｋ材料として、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）タイプのＣｏｒａｌ（Ｎｏｖｅｌｌｕｓ）およびＨＯＳＰ（Ａｌｌｉｅｄ Ｓｉｇｎａｌ）、ならびに多孔質タイプのＬＫＤ（ＪＳＲ）およびＸＬＫ（Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ）を試験対象とした。銅に対する洗浄効率の評価には、酸化物デュアルダマシンウェーハを使用した。低Ｋ材料との適合性試験として、ブランケット膜とトレンチパターンウェーハ膜の両方に同じ処理を行った。
【００９０】
ブランケット膜を湿式各種処理液に曝露して、ＦＴＩＲ透過率と目視による色の変化とを検査した。得られたデータを処理しなかった比較対照用ウェーハと比較した。また、ＯＳＧトレンチウェーハを処理し、各種処理に対する電気的試験データを得た。
【００９１】
ＯＳＧ膜に対しては、最も優れた銅洗浄効率と最も優れた膜適合性を示した処理剤はＣであった。多孔質の膜に対しては、処理剤Ｋのみが完全な適合性を示したが、ビア連鎖歩留りは低かった。処理剤Ｃは、処理剤Ｇとしてラウンド＃２で再使用した。
【００９２】
ＬＫＤウェーハに対するエッチング処理剤の適合性は、大きいものから順番に並べるとほぼ次のようになる：Ｋ＞Ｊ，Ｅ＞Ａ，Ｉ，Ｆ，Ｕ，Ｃ，Ｌ＞Ｈ，Ｂ。ＸＬＫウェーハに対する適合性は、大きいものから順番に並べると次のようである：Ｋ＞Ｅ＞Ｆ，Ｉ，Ｂ，Ａ，Ｊ，Ｈ＞Ｄ，Ｇ，Ｌ。
【００９３】
ラウンド＃１のＳＥＭ写真（図１）は、処理剤ＡはＸＬＫ構造に多少の空洞と濃密化をもたらすことを示している。同様の結果はＣ，Ｄ，Ｆでも観察されることがある。処理剤Ｂは溝の底部でＳｉＮ−攻撃を引き起こす。処理剤Ｅは、比較対照処理剤に最もよく似ている。
【００９４】
ラウンド＃２のＳＥＭ写真（図１）は、残留レジストの「耳」が、キャッピング層の上になお存在していることを示している。このことは、前のアッシング工程が十分でなかったことを意味する。エッチングまたはアッシングチェンバーの条件、あるいは場合によってはフォトレジストマスクのエージング効果がその原因かもしれない。
【００９５】
ＸＬＫのＳＥＭ写真（図２）とＬＫＤのＳＥＭ写真（図３）を比べると、ＸＬＫの方がＬＫＤより目視で見た損傷は少ないように見える。
【００９６】
表９の欄３と欄４には、ビアの洗浄効率と関連するケルビン接触抵抗（ケルビン）および３６０ｋビア連鎖歩留りを示してある。そのあとにつづく欄は、大ざっぱに低ｋ材料と特定処理剤による処理との適合性の判定結果を示す。効率的なビアの洗浄とＨＯＳＰに対する湿式処理薬の適合性に関する限り、処理薬Ｃが最も良い結果を示しているように思われる。
【表９】

Ｙ：適合
Ｎ（ブランケット）：色が明らかに異なる場合、あるいは関連するＦＴＩＲ（ＳｉＣ−Ｈ，Ｓｉ−Ｈ，Ｓｉ−Ｏ）と比較対照ウェーハのピーク面積の食い違いが１０％を超える場合
Ｙ／Ｎ：ＹとＮの境界
？：データが少なくて判定できない
[実施例５８]
【００９７】
【表１０】

[実施例５９]
【００９８】
【表１１】

[実施例６０]
【００９９】
【表１２】

【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１Ａ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｂ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｃ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｄ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｅ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｆ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｇ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｈ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｉ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｊ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｋ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｌ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｍ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図１Ｎ】ラウンド＃１又はラウンド＃２のＳＥＭ写真である。
【図２】ＸＬＫのＳＥＭ写真である。
【図３】ＬＫＤのＳＥＭ写真である。

Claims (21)

1. 基板からフォトレジストを剥離するための組成物であって、約５重量％から約５０重量％のアルキル置換ピロリドン、アルキル置換ピペリドンまたはそれらの混合物と、約０．２％から約２０％の１種類以上のアルカノールアミンと、約５０％から約９４％のスルホキシド、スルホキソンまたはそれらの混合物とを含み、かつ銅基板を、７０℃に保った前記組成物中に３０分間浸漬させ、前記組成物に対して毎分約２００回の割合で回転させたとき、前記銅基板から銅を除去する速度が、毎分約１０オングストローム未満である前記組成物。
2. 前記組成物が、約１５％から約３５％のアルキル−２−ピロリジノンと、約０．５％から約１０％の１種類以上のアルカノールアミンと、約６０％から約８４％のスルホキシド、スルホキソンまたはそれらの混合物と、約２％以下の水とを含む請求項１に記載の組成物。
3. 前記組成物が、約２０％から約３０％のアルキル−２−ピロリジノンと、約１％から約５％の１種類以上のアルカノールアミンと、約６６％から約７６％のスルホキシド、スルホキソンまたはそれらの混合物とを含む請求項１に記載の組成物。
4. 約６８％から約７４％のジメチルスルホキシド、メチルスルホキシドまたはそれらの混合物と、約２３％から約２９％の１−メチル−２−ピロリジノンと、約１％から約５％の２−（メチルアミノ）エタノール、ジエチルアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールまたはそれらの混合物とを含む請求項１に記載の組成物。
5. 基板からフォトレジストを剥離するための組成物であって、約１０重量％から約３０重量％のアルキル置換ピロリドン、アルキル置換ピペリドンまたはそれらの混合物と、約２０％から約５０％の１種類以上のアルカノールアミンと、約２０％から約５５％の置換または非置換スルホキシド、置換または非置換スルホキソンまたはそれらの混合物とを含み、かつ銅基板を、７０℃に保った前記組成物中に３０分間浸漬させ、前記組成物に対して毎分約２００回の割合で回転させたとき、前記銅基板から銅を除去する速度が、毎分約１０オングストローム未満である前記組成物。
6. 約１５％から約２５％の置換ピペリドンと、約３０％から約５０％のモノエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（メチルアミノ）エタノールまたはそれらの混合物と、約２５％から約４５％のアルキルスルホキシドとを含む請求項５に記載の組成物。
7. 約１７％から約２３％の１，３−ジメチル−２−ピペリドン、１，５−ジメチル−２−ピペリドンまたはそれらの混合物と、約４０％から約４５％のモノメチルエタノールアミン、ジエタノールアミンまたはそれらの混合物と、約３０％から約４０％のジメチルスルホキシド、メチルスルホキシドまたはそれらの混合物とを含む請求項５に記載の組成物。
8. 基板からフォトレジストを剥離するための組成物であって、約５重量％から約５０重量％のアルキル置換ピロリドン、アルキル置換ピペリドンまたはそれらの混合物と、約０．２％から約６０％の１種類以上のアルカノールアミンと、約２０％から約８０％のアルキルスルホキシド、アルキルスルホンまたはそれらの混合物と、約０．５％未満の水とを含み、かつ銅基板を、７０℃に保った前記組成物中に３０分間浸漬させ、前記組成物に対して毎分約２００回の割合で回転させたとき、前記銅基板から銅を除去する速度が、毎分約１０オングストローム未満である前記組成物。
9. 約１０％から約３５％の１−ヒドロキシエチル−２−ピロリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、１，３−ジメチル−２−ピペリドン、１，５−ジメチル−２−ピペリドンまたはそれらの混合物と、約２％から約４５％のモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、２−（メチルアミノ）エタノールまたはそれらの混合物と、約３０％から約７５％のジメチルスルホキシド、メチルスルホキシドまたはそれらの混合物とを含む請求項８に記載の組成物。
10. 約２０％から約２６％の１−ヒドロキシエチル−２−ピロリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、１，３−ジメチル−２−ピペリドン、１，５−ジメチル−２−ピペリドンまたはそれらの混合物と、約２％から約４５％のモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、２−（メチルアミノ）エタノールまたはそれらの混合物と、約３０％から約７５％のジメチルスルホキシド、メチルスルホキシドまたはそれらの混合物とを含み、かつ銅基板を、７０℃に保った前記組成物中に３０分間浸漬させ、前記組成物に対して毎分約２００回の割合で回転させたとき、前記組成物が、低ｋ基板ＳＩＯＣおよびＨＳＱの両方の屈折率を０．０２を超えて変化させない請求項８に記載の組成物。
11. 前記置換ピロリドン、置換ピペリドンまたはそれらの混合物が、本質的にＮ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリジノンまたはそれらの混合物からなり、前記アルカノールアミンが、本質的にモノエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（メチルアミノ）エタノールまたはそれらの混合物からなり、前記スルホキシド、スルホキソンまたはそれらの混合物が、本質的にジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジプロピルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、メチルエチルスルホキシド、ジフェニルスルホキシド、メチルフェニルスルホキシド、１，１’−ジヒドロキシフェニルスルホキシドまたはそれらの混合物からなり、かつ銅基板を、７０℃に保った前記組成物中に３０分間浸漬させ、前記組成物に対して毎分約２００回の割合で回転させたとき、前記銅基板から銅を除去する速度が、毎分約５オングストローム未満である前記請求項のいずれか一つに記載の組成物。
12. 前記置換ピロリドン、置換ピペリドンまたはそれらの混合物が、本質的にＮ−メチル−２−ピロリジノンからなり、前記アルカノールアミンが、本質的にモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、２−（メチルアミノ）エタノールまたはそれらの混合物からなり、前記スルホキシド、スルホキソンまたはそれらの混合物が、本質的にジメチルスルホキシドからなる前記請求項のいずれか一つに記載の組成物。
13. 約１％を超えない水を含む前記請求項のいずれか一つに記載の組成物。
14. さらに、界面活性剤、キレート剤および腐食防止剤の少なくとも一つを含み、界面活性剤、キレート剤および腐食防止剤の濃度が合わせて約５重量％未満である前記請求項のいずれか一つに記載の組成物。
15. 前記請求項のいずれか一つに記載の組成物であって、銅基板を、７０℃に保った前記組成物中に３０分間浸漬させ、前記組成物に対して毎分約２００回の割合で回転させたとき、前記銅基板から銅を除去する速度が、毎分約５オングストローム未満である組成物。
16. さらに、γ−ブチロラクトン、ジグリコールアミン、プロピレングリコール、モルホリンおよびそれらの混合物の少なくとも一つを含む前記請求項のいずれか一つに記載の組成物。
17. 約１％未満の水のほかに、さらに、γ−ブチロラクトン、ジグリコールアミン、プロピレングリコール、モルホリンおよびそれらの混合物の少なくとも一つを含む前記請求項のいずれか一つに記載の組成物。
18. ５％未満の量の水を含み、その水含量量では、水を含まないときの組成物のエッチング速度より毎分４オングストローム大きい速度を超えて組成物の銅エッチング速度を増進させない、前記請求項のいずれか一つに記載の組成物。
19. 基板表面を、フォトレジストを除去するに十分な時間および温度で基板上の硬化フォトレジストと接触させることと、前記基板を水、イソプロピルアルコールまたはそれらの混合物ですすぐこととを含む前記請求項のいずれか一つに記載の組成物の使用方法。
20. 前記基板の表面が銅または低Ｋ材料を含む請求項１９に記載の方法。
21. 前記時間が約１分から約６０分であり、前記温度が約４５℃から約８０℃である請求項１９または２０のいずれかに記載の方法。

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