TW201516143A - 樹脂遮罩層用洗淨劑組合物及電路基板之製造方法 - Google Patents
樹脂遮罩層用洗淨劑組合物及電路基板之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201516143A TW201516143A TW103131435A TW103131435A TW201516143A TW 201516143 A TW201516143 A TW 201516143A TW 103131435 A TW103131435 A TW 103131435A TW 103131435 A TW103131435 A TW 103131435A TW 201516143 A TW201516143 A TW 201516143A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- mass
- parts
- component
- detergent composition
- less
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 164
- 239000003599 detergent Substances 0.000 title claims abstract description 151
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 119
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 136
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 47
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 28
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 43
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 35
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 34
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 34
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 31
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 16
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 12
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims description 11
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 5
- VZTDIZULWFCMLS-UHFFFAOYSA-N ammonium formate Chemical compound [NH4+].[O-]C=O VZTDIZULWFCMLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 claims description 2
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 claims description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 claims description 2
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 claims description 2
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 claims description 2
- NHJPVZLSLOHJDM-UHFFFAOYSA-N azane;butanedioic acid Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CCC([O-])=O NHJPVZLSLOHJDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims 1
- 239000001166 ammonium sulphate Substances 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 24
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 13
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 4
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 3
- KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M ethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](C)(C)C KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 3
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M triethyl(2-hydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CCO GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XGIKILRODBEJIL-UHFFFAOYSA-N 1-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNC(C)O XGIKILRODBEJIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 2-(butylamino)ethanol Chemical compound CCCCNCCO LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IUXYVKZUDNLISR-UHFFFAOYSA-N 2-(tert-butylamino)ethanol Chemical compound CC(C)(C)NCCO IUXYVKZUDNLISR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(2-methylpropoxy)propane Chemical compound CC(C)COCC(C)C SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N abietic acid Chemical compound C([C@@H]12)CC(C(C)C)=CC1=CC[C@@H]1[C@]2(C)CCC[C@@]1(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical group 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical group 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YOMFVLRTMZWACQ-UHFFFAOYSA-N ethyltrimethylammonium Chemical compound CC[N+](C)(C)C YOMFVLRTMZWACQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTIFFPXSSXFQCJ-UHFFFAOYSA-N tetrahexylazanium Chemical compound CCCCCC[N+](CCCCCC)(CCCCCC)CCCCCC DTIFFPXSSXFQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M tetrapentylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCC[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=C(C)C(C)=CC=C3C2=C1 CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropane Chemical compound CCCOCC NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxybutane Chemical compound CCCCOC CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXQHRUJXQJEGER-UHFFFAOYSA-N 1-methylbenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(C)N=NC2=C1 HXQHRUJXQJEGER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 2-(dibutylamino)ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCCC IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-O 2-methylpropanaminium Chemical compound CC(C)C[NH3+] KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- CUZKCNWZBXLAJX-UHFFFAOYSA-N 2-phenylmethoxyethanol Chemical compound OCCOCC1=CC=CC=C1 CUZKCNWZBXLAJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol, Natural products OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- ZHAUUXHCFQGSRQ-UHFFFAOYSA-M azanium tetrahexylazanium dihydroxide Chemical compound [OH-].[NH4+].C(CCCCC)[N+](CCCCCC)(CCCCCC)CCCCCC.[OH-] ZHAUUXHCFQGSRQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-O butylazanium Chemical compound CCCC[NH3+] HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-O isopropylaminium Chemical compound CC(C)[NH3+] JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-O propan-1-aminium Chemical compound CCC[NH3+] WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011044 succinic acid Nutrition 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- GJSGYPDDPQRWPK-UHFFFAOYSA-N tetrapentylammonium Chemical compound CCCCC[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC GJSGYPDDPQRWPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 description 1
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZBUMTPCIKCWFW-UHFFFAOYSA-N triethylcholine Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CCO GZBUMTPCIKCWFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/38—Cationic compounds
- C11D1/645—Mixtures of compounds all of which are cationic
-
- C11D2111/22—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0175—Inorganic, non-metallic layer, e.g. resist or dielectric for printed capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
本發明提供一種樹脂遮罩層(樹脂膜)之殘留降低與焊料腐蝕之抑制得以提高之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物、及使用該組合物之電路基板之製造方法。於一態樣中，用於電路基板之製造之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物於該洗淨劑組合物100質量份中，含有氫氧化四級銨(成分A)0.5質量份以上且3.0質量份以下，含有水溶性胺(成分B)3.0質量份以上且14.0質量份以下，含有酸或其銨鹽(成分C)0.3質量份以上且2.5質量份以下，含有水(成分D)50.0質量份以上且95.0質量份以下。
Description
本發明係關於一種樹脂遮罩層用洗淨劑組合物及電路基板之製造方法。
近年來，關於電子構件向印製電路配線板或陶瓷基板之安裝，高密度化之要求在逐年增加，作為滿足該要求之方式，裸片(bare chip)安裝方式受到了關注。於裸片安裝方式中，存在代替藉由引線接合而實現晶片與基板配線之電連接之先前之face-up安裝，而廣泛採用藉由金屬凸塊而實現之face-down安裝之傾向。根據藉由金屬凸塊進行face-down安裝之即所謂金屬凸塊法，可期待在電子構件間形成低電阻連接。
專利文獻1中，作為光致抗蝕劑之剝離液，揭示有由含有特定之氫氧化四級銨、水溶性胺及羥基胺類之水溶液形成之剝離液。
專利文獻2中，揭示有可同時洗淨含有苄醇、胺化合物與水之焊料助劑及乾膜抗蝕劑之兩用洗淨劑。
專利文獻1：日本專利特開2002-62668號公報
專利文獻2：日本專利特開2007-224165號公報
於金屬凸塊法中，期望為了凸塊形成而使用之乾膜等樹脂遮罩層(樹脂膜)之去除率獲得提高。其原因在於：若於基板表面殘存樹脂遮罩層(樹脂膜)，則難以實施良好之電子構件安裝。
若為了凸塊形成而加熱具有樹脂遮罩層之電路基板，則樹脂遮罩層因熱而發生高分子量化。專利文獻1之光致抗蝕劑(樹脂遮罩層)之洗淨劑存在對於高分子量化後之樹脂遮罩層之洗淨性不充分之情況。又，對於焊料之防腐蝕而言不充分。專利文獻2中，期望焊料助劑及乾膜抗蝕劑之洗淨性進一步提高。
因此，本發明之一方案中，提供一種經加熱處理後之樹脂遮罩層(樹脂膜)之殘留降低及焊料腐蝕之抑制獲得提高之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物。
本發明之一方案中，係關於樹脂遮罩層用洗淨劑組合物，該樹脂遮罩層用洗淨劑組合物於洗淨劑組合物100質量份中，含有下述式(I)所表示之氫氧化四級銨(成分A)0.5質量份以上且3.0質量份以下，含有水溶性胺(成分B)3.0質量份以上且10.0質量份以下，含有酸或其銨鹽(成分C)0.3質量份以上且2.5質量份以下，含有水(成分D)50.0質量份以上且95.0質量份以下。
(式中，R1、R2、R3各自相同或不同，為碳數1~4之烷基，R4為碳數1~4之烷基或碳數1~4之羥基取代烷基)
本發明之另一方案中，係關於包括下述步驟(1)~(5)之電路基板
之製造方法。
步驟(1)：於設置有焊接部之基板表面形成樹脂遮罩層之步驟。
步驟(2)：於上述樹脂遮罩層中以露出上述焊接部之方式形成開口部之步驟。
步驟(3)：於上述開口部填充焊料凸塊形成材料之步驟。
步驟(4)：加熱使上述焊料凸塊形成材料熔融，藉此使焊料凸塊固定於上述焊接部之步驟。
步驟(5)：使用本發明之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物對步驟(4)中獲得之基板加以洗淨之步驟。
根據本發明之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物及電路基板之製造方法，於使用乾膜等樹脂遮罩層(樹脂膜)於電路基板之焊接部(例如電極等)將焊料凸塊固定時，可同時實現焊料凸塊之加熱處理(回焊)後之樹脂遮罩層(樹脂膜)之去除之促進與焊料腐蝕之抑制，並可實現可使焊料連接可靠性提高般之效果。
1‧‧‧基板
2‧‧‧電極
3‧‧‧阻焊膜
4‧‧‧樹脂遮罩層
5‧‧‧焊料凸塊形成材料
6‧‧‧焊料凸塊
7‧‧‧開口部
圖1(a)~(e)係表示本發明之電路基板之製造方法之一個或複數個實施形態之概略步驟說明圖。
圖2係利用FE-SEM對於實施例10及比較例1之洗淨劑組合物中將安裝有焊料之基板於50℃下浸漬20分鐘前後之焊料表面觀察有無腐蝕之照片之一例。
本發明之一方案係基於如下之見解而完成，即，於利用樹脂遮罩法在焊接部形成焊料凸塊後，對經加熱處理之樹脂遮罩層進行剝離時，藉由使用含有氫氧化四級銨(成分A)、水溶性胺(成分B)、酸或其銨鹽(成分C)及水(成分D)之洗淨劑組合物，可有效地去除因加熱變得
難以剝離之樹脂遮罩層，進而可抑制焊料腐蝕，藉此可提高焊料連接可靠性。
即，本發明之一方案係關於一種樹脂遮罩層用洗淨劑組合物(以下亦稱為「本發明之洗淨劑組合物」)，該樹脂遮罩層用洗淨劑組合物於洗淨劑組合物100質量份中，含有下述式(I)所表示之氫氧化四級銨(成分A)0.5質量份以上且3質量份以下，含有水溶性胺(成分B)3質量份以上且10質量份以下，含有酸或其銨鹽(成分C)0.3質量份以上且2.5質量份以下，含有水(成分D)50質量份以上且95質量份以下。
(式中，R1、R2、R3各自相同或不同，為碳數1~4之烷基，R4為碳數1~4之烷基或碳數1~4之羥基取代烷基)
於本發明之洗淨劑組合物中，提高樹脂遮罩層之去除性之作用機制雖然並不清楚，但推測為如下機制。可認為：就氫氧化四級銨(成分A)及水溶性胺(成分B)而言，其利用鹼成分切斷因焊膏、焊劑助劑成分中所含之酸成分或加熱而發生了高分子量化之樹脂遮罩(抗蝕膜)，藉此進行低分子量化。又，可認為水溶性胺(成分B)及水(成分D)浸透於低分子量化後之抗蝕膜中，可溶解去除。又，推斷出雖然作為焊料之主要成分之錫(Sn)溶解於強鹼水溶液，但因酸或其銨鹽(成分C)而抑制了溶解反應。
[成分A]
於一個或複數個實施形態中，作為本發明之洗淨劑組合物之成分A即氫氧化四級銨，可例示出由陽離子與氫氧化物形成之鹽等。
又，於一個或複數個實施形態中，作為陽離子，可列舉：四甲基胺、四乙基銨、四(正或異)丙基銨、四(正或異)丁基銨、四戊基銨、四己基銨、三甲基乙基銨等四烷基銨陽離子(烷基之碳數為1~6)，又，可列舉：三甲基(2-羥基乙基)銨及三乙基(2-羥基乙基)銨等具有羥基烷基之烷基銨陽離子(烷基之碳數為1~6)。其中，就提高樹脂遮罩層去除性及抑制焊料之腐蝕之觀點而言，較佳為四甲基銨。作為氫氧化四級銨，具體而言，可列舉；四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、四戊基氫氧化銨、四己基氫氧化銨銨、三甲基乙基氫氧化銨、三甲基(2-羥基乙基)氫氧化銨、三乙基(2-羥基乙基)氫氧化銨等。其中，就提高樹脂遮罩層去除性及抑制焊料腐蝕之觀點而言，較佳為四甲基氫氧化銨。於一個或複數個實施形態中，本發明之洗淨劑組合物含有一種或複數種成分A。
關於本發明之洗淨劑組合物中之成分A即氫氧化四級銨之含量，於洗淨劑組合物100質量份中，為0.5質量份以上，就提高樹脂遮罩層去除性及抑制焊料腐蝕之觀點而言，較佳為0.7質量份以上。又，就同樣之觀點而言，於洗淨劑組合物100質量份中，作為成分A之氫氧化四級銨之含量為3.0質量份以下，較佳為2.0質量份以下，更佳為1.5質量份以下。
[成分B]
於一個或複數個實施形態中，作為本發明之洗淨劑組合物之成分B即水溶性胺，可列舉：烷基胺、烷醇胺、多胺、環式胺等，就提高樹脂遮罩層去除性及抑制焊料之腐蝕之觀點而言，較佳為烷醇胺。於一個或複數個實施形態中，作為烷醇胺，可例示：單乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-正丁基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N,N-二丁基乙醇胺、N-第三丁基乙醇胺、N-甲基乙醇胺等。其中，就提高樹脂遮罩層去除性及抑制焊料之腐蝕之觀點而言，較佳為單乙醇胺。於一個或複
數個實施形態中，本發明之洗淨劑組合物含有一種或複數種成分B。
於一個或複數個實施形態中，作為成分B之水溶性胺較佳為下述式(II)所表示之胺化合物。
(式中，R5為氫原子、羥基、碳數1~6之烴基、碳數1~6之羥基烷基、或碳數1~6之胺基烷基，R6、R7各自相同或不同，為氫原子、碳數1~6之烴基、碳數1~6之羥基烷基、或碳數1~6之胺基烷基，R5、R6、R7並不同時為氫原子)
上述式(II)之R5較佳為氫原子、碳數1~6之烴基、碳數1~6之羥基烷基、或碳數1~6之胺基烷基。
作為上述式(II)所表示之胺化合物之具體例，較佳為在25℃之水溶液中之酸解離常數pKa為9.0以上之胺化合物，可例示：單乙醇胺(pKa=9.55)、N,N-二乙基乙醇胺(pKa=9.87)、N-甲基乙醇胺(pKa=9.95)、乙基胺基乙醇(pKa=9.9)等具有羥基烷基之胺、丙二胺(pKa=10.6)等具有胺基烷基之胺。其中，就提高樹脂遮罩層去除性及抑制焊料之腐蝕之觀點而言，較佳為N-甲基乙醇胺、丙二胺，更佳為N-甲基乙醇胺。
關於本發明之洗淨劑組合物之成分B即水溶性胺之含量，於洗淨劑組合物100質量份中，為3.0質量份以上，就提高樹脂遮罩層去除性及抑制焊料腐蝕之觀點而言，較佳為4.0質量份以上。又，作為成分B之水溶性胺之含量，於洗淨劑組合物100質量份中，為14.0質量份以下，就同樣之觀點而言，較佳為12.0質量份以下，更佳為10.0質量份以下，進而較佳為8.0質量份以下，進而更佳為7.0質量份以下。
[成分C]
作為本發明之洗淨劑組合物中之成分C即酸或其銨鹽，可列舉有機酸及無機酸或其銨鹽，作為有機酸，可列舉：甲酸、乙酸、草酸、琥珀酸及檸檬酸，作為無機酸，可列舉：碳酸、硫酸、硝酸及磷酸。酸之銨鹽可為氨之酸鹽。於一個或複數個實施形態中，本發明之洗淨劑組合物含有一種或複數種成分C。作為成分C，具體而言，較佳為選自由甲酸銨、乙酸銨、草酸銨、琥珀酸銨、檸檬酸銨、碳酸銨、硫酸銨、硝酸銨及磷酸銨所構成之群中之1種以上之化合物。
關於本發明之洗淨劑組合物中之成分C即酸或其銨鹽之含量，於洗淨劑組合物100質量份中，較佳為0.3質量份以上，就抑制焊料之腐蝕之觀點而言，較佳為0.6質量份以上，更佳為0.8質量份以上，進而較佳為0.9質量份以上。又，酸或其銨鹽之含量於洗淨劑組合物100質量份中，為2.5質量份以下，就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，較佳為1.5質量份以下。
[成分D]
作為本發明之洗淨劑組合物中之成分D即水，可列舉：離子交換水、超純水等抑制離子性物質之水。關於洗淨劑組合物中之水之含量，於洗淨劑組合物100質量份中，為50.0質量份以上，就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，較佳為70.0質量份以上、更佳為75.0質量份以上、進而較佳為80.0質量份以上，又，關於洗淨劑組合物中之水之含量，於洗淨劑組合物100質量份中，為95.0質量份以下，就抑制焊料之腐蝕之觀點而言，較佳為93.0質量份以下。
[pH值]
於一個或複數個實施形態中，就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物之pH值較佳為10.0以上，更佳為10.5以上，就抑制焊料腐蝕之觀點而言，較佳為14以下，更佳為13.5以下，進而較佳為13.0以下。pH值例如可以(A)~(C)成分之含量而加以調
整。
[其他成分：有機溶劑]
於一個或複數個實施形態中，就樹脂遮罩之溶解性之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物可含有有機溶劑。於一個或複數個實施形態中，作為有機溶劑，可列舉：二乙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、二甲基亞碸。就提高樹脂遮罩層去除性及抑制焊料之腐蝕之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物中之有機溶劑於洗淨劑組合物100質量份中，較佳為0質量份以上，更佳為0.4質量份以上，進而較佳為0.8質量份以上，就同樣之觀點而言，較佳為35.0質量份以下，更佳為20.0質量份以下，進而較佳為10.0質量份以下。
[其他成分：含氮雜環芳香族化合物]
於一個或複數個實施形態中，就抑制焊料之腐蝕之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物可含有含氮雜環芳香族化合物。於一個或複數個實施形態中，作為含氮雜環芳香族化合物，可列舉：1H-苯并三唑、1-甲基-1H-苯并三唑、1,2,3-三唑。就提高樹脂遮罩層去除性及抑制焊料之腐蝕之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物中之含氮雜環芳香族化合物於洗淨劑組合物100質量份中，較佳為0.01質量份以上，更佳為0.02質量份以上，進而較佳為0.03質量份以上，就同樣之觀點而言，較佳為1質量份以下，更佳為0.8質量份以下，進而較佳為0.5質量份以下。
[洗淨劑組合物之製備方法]
即，於一個或複數個實施形態中，可將本發明之洗淨劑組合物製成於洗淨劑組合物100質量份中調配下述式(I)所表示之氫氧化四級銨(成分A)0.5質量份以上且3質量份以下、水溶性胺(成分B)3質量份以上且10質量份以下、酸或其銨鹽(成分C)0.3質量份以上且2.5質量份以下、水(成分D)50質量份以上且95質量份以下而成之樹脂遮罩層
用洗淨劑組合物。
(式中，R1、R2、R3各自相同或不同，為碳數1~4之烷基，R4為碳數1~4之烷基或碳數1~4之羥基取代烷基)
於未加以限定之一個或複數個實施形態中，本發明之洗淨劑組合物可藉由將上述之成分A~D於上述之含量範圍內調配並進行均勻混合而製備。需說明的是，本發明之洗淨劑組合物可製備成減少了成分D之水之量之濃縮物。就輸送及貯藏之觀點而言，洗淨劑組合物之濃縮物較佳為濃縮至3倍以上，就生產及保存穩定之觀點而言，較佳為濃縮至10倍以下。製成濃縮物之洗淨劑組合物可於使用時稀釋至本發明之範圍內之任意之濃度使用。
[電路基板之製造方法]
於一個或複數個實施形態中，本發明之洗淨劑組合物可用於形成焊料凸塊之電路基板之製造中。即，本發明之一方案係關於包括使用本發明之洗淨劑組合物進行洗淨之步驟之電路基板之製造方法(以下亦稱為「本發明之製造方法」)。
基於圖1，對本發明之製造方法之一個或複數個實施形態進行說明。圖1係表示本發明之製造方法之一個或複數個實施形態之概略步驟說明圖。如圖1(a)所示，於基板1之表面形成阻焊膜3(絕緣層)並被牢固地固定。在自形成於阻焊膜3之開口部7中露出有電極2之基板1之表面，藉由曝光而去除電極2之一部分，利用抗蝕膜形成樹脂遮罩層4。繼而，如圖1(b)所示，於基板1之表面塗佈焊料凸塊形成材料5。
或者，可代替焊料凸塊形成材料，而將焊料球配置於上述開口部7。繼而，進行加熱，如圖1(c)所示，使焊料於上述電極2之表面析出，形成焊料凸塊6。又，如圖1(d)所示，利用本發明之洗淨劑組合物剝離樹脂遮罩層4，從而獲得形成有焊料凸塊6之電路基板1。需說明的是，於一個或複數個實施形態中，視需要，如圖1(e)所示，實施焊料凸塊6之平坦化。
因此，於一個或複數個實施形態中，本發明之製造方法為包括下述步驟(1)~(5)之電路基板之製造方法。
步驟(1)：於設置有焊接部之基板表面形成樹脂遮罩層之步驟。
步驟(2)：於上述樹脂遮罩層中以露出上述焊接部之方式形成開口部之步驟。
步驟(3)：於上述開口部填充焊料凸塊形成材料之步驟。
步驟(4)：加熱使上述焊料凸塊形成材料熔融，藉此使焊料凸塊固定於上述焊接部之步驟。
步驟(5)：使用本發明之洗淨劑組合物對步驟(4)中獲得之基板進行洗淨之步驟。
[步驟(1)]
步驟(1)係於設置有焊接部之基板表面形成樹脂遮罩層之步驟。於一個或複數個實施形態中，對於設置有焊接部之基板而言，可列舉：設置有應形成焊料凸塊之焊接部之電路基板，於一個或複數個實施形態中，上述焊接部為電極部。於一個或複數個實施形態中，如圖1(a)所示，上述基板可列舉：基板1之表面被阻焊膜3所覆蓋，且電極部2露出於表面之形態，且阻焊膜3被牢固地固定於基板1之表面。於未加以限定之一個或複數個實施形態中，作為阻焊膜3，可使用環氧系、丙烯酸系、聚醯亞胺系等之樹脂。又，對於阻焊膜3而言，為了露出電極部2，而可於步驟(2)之前形成開口部，或者亦可與步驟(2)同
時或於其後為了露出電極部2而形成開口部。
於一個或複數個實施形態中，作為形成樹脂遮罩層之樹脂材料，就形成均勻之厚膜之觀點而言，較佳為使用膜狀之感光性樹脂，更佳為抗蝕膜。抗蝕膜可使用通用之物質。
於一個或複數個實施形態中，關於樹脂遮罩層之厚度，就為了利用析出焊料而形成凸塊所需要之焊料析出量之觀點而言，較佳為10μm以上、更佳為30μm以上。又，於一個或複數個實施形態中，關於樹脂遮罩層之厚度，就使樹脂遮罩層固化至底部之觀點而言，較佳為300μm以下、更佳為150μm以下。
[步驟(2)]
步驟(2)係於步驟(1)中形成之樹脂遮罩層中以露出上述焊接部之方式形成開口部之步驟。於一個或複數個實施形態中，開口部之形成可藉由曝光、顯影處理進行。又，於一個或複數個實施形態中，步驟(2)可同時或相繼藉由曝光、顯影處理而形成阻焊膜之開口部。如圖1(a)所示之一個或複數個實施形態般，利用步驟(2)於電路基板1之表面形成阻焊膜3及樹脂遮罩層4，可獲得自形成於該等阻焊膜3及樹脂遮罩層4之開口部7中露出了電極部2之基板。
[步驟(3)]
步驟(3)係於步驟(2)中形成之開口部填充焊料凸塊形成材料之步驟。於一個或複數個實施形態中，焊料凸塊形成材料為焊膏，例如可利用膏劑印刷法填充。又，於一個或複數個實施形態中，焊料凸塊形成材料為焊料球，例如可利用球搭載法進行填充。
於一個或複數個實施形態中，作為焊膏，可列舉：(a)含有錫粉末和鉛、銅、銀等之金屬鹽而成之焊膏、或者(b)含有錫粉末、及選自銀離子及銅離子中之至少一種與選自芳基膦類、烷基膦類及唑類中之至少一種之錯合物而成之焊膏。亦可將上述(a)之金屬鹽與(b)之錯
合物混合使用。需說明的是，所謂錫粉末，除了金屬錫粉末以外，例如亦包含含有銀之錫-銀系之錫合金粉末或含有銅之錫-銅系之錫合金粉末等。作為上述金屬鹽，可列舉：有機羧酸鹽、有機磺酸鹽等。
焊料凸塊形成材料所含有之焊料合金典型的是錫基質之焊料合金，但例如銦系合金等非錫系焊料合金亦可於本發明中使用。雖然亦可使用先前之一般之錫-鉛共晶焊料合金之粒子，但較佳為使用無鉛焊料合金之粒子。作為較佳之無鉛焊料合金，可例示錫-銀系、錫-銅系、錫-銀-銅系等。若列舉代表性之組成例，則如下所示(%為質量%)：
Sn：餘量、Ag：0.3%、Cu：0.5%
Sn：餘量、Ag：3.5%、Cu：0.7%
Sn：餘量、Ag：3.5%
Sn：餘量、Cu：0.7%。
焊膏中，進而可混合焊劑助劑成分及溶劑。作為焊劑助劑成分，通常可使用用於錫-鉛系、錫-銀系、錫-銅系等焊料材料之物質，作為溶劑，只要為可溶解組合物中之其他成分，調節黏度、濃度之物質即可，並無特別限定。如圖1(b)所示之一個或複數個之實施形態般，利用步驟(3)，於電路基板1之表面形成阻焊膜3及樹脂遮罩層4，又，可獲得於電路基板1之表面之電極部2上之開口部填充或配置有焊料形成材料5之電路基板1。
[步驟(4)]
步驟(4)係對步驟(3)中填充之焊料凸塊形成材料加熱，使其熔融，藉此使焊料凸塊固定於上述焊接部之步驟。於一個或複數個實施形態中，加熱溫度為200℃以上，考慮到電路基板之耐熱性，可列舉200℃~260℃。焊料凸塊形成材料之液相線溫度通常為200℃以上，於其他一個或複數個實施形態中，加熱溫度為上述焊料凸塊形成材料
之液相線溫度以上，考慮到電路基板之耐熱性，可列舉上述液相線溫度以上且260℃以下。加熱時間根據焊料凸塊形成材料之組成等而確定，於一個或複數個實施形態中，較佳為30秒~10分鐘左右、更佳為1分鐘~5分鐘左右。就電路基板之生產率之觀點而言，較佳為藉由一次加熱處理使凸塊固定。如圖1(c)所示之一個或複數個之實施形態般，利用步驟(4)於電路基板1之表面形成阻焊膜3及樹脂遮罩層4，又，可獲得於電路基板1之表面之電極部2上形成有焊料凸塊6之基板。
[步驟(5)]
步驟(5)係使用本發明之洗淨劑組合物對步驟(4)中獲得之基板進行洗淨之步驟。於一個或複數個實施形態中，作為用洗淨劑組合物洗淨基板之方法，可列舉：超音波洗淨法、噴霧法、浸漬搖動法、浸漬法、擦拭法各種洗淨方法。適應於電路基板之種類，可將該等方法單獨或適當組合。就抑制對電路基板之影響之觀點及洗淨性之觀點而言，較佳為噴霧法、浸漬搖動法或浸漬法。
就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，步驟(5)中之洗淨時之溫度較佳為25℃以上，更佳為40℃以上。又，就抑制水分之蒸發之觀點而言，較佳為90℃以下，更佳為80℃以下。又，就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，步驟(5)中之洗淨時之pH值較佳為10.0以上，更佳為11.0以上，進而較佳為12.0以上，且較佳為14.0以下，更佳為13.5以下，進而較佳為13.0以下。
就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，步驟(5)中之洗淨時間較佳為1分鐘以上，更佳為3分鐘以上，進而較佳為5分鐘以上，就縮短電路基板之製造時間之觀點而言，較佳為30分鐘以下，更佳為20分鐘以下。
就自電路基板中去除殘存於電路基板上之可溶化於洗淨劑組合
物中之污物及/或洗淨劑組合物之成分之觀點而言，就步驟(5)而言，於洗淨處理結束後，亦較佳為進行漂洗處理(以下亦稱為步驟(5a))。漂洗處理中，較佳為使用水或醇。漂洗處理中之pH值較佳為在中性附近(例如，pH值6.0~8.0或pH值6.5~7.5)進行。進而，於洗淨處理或漂洗處理結束後，為了去除殘存於電路基板表面之水分，較佳為進行乾燥處理(以下亦稱為步驟(5b))。
作為漂洗處理之方法，可列舉：浸漬法、超音波洗淨法、浸漬搖動法、噴霧法各種方法。就漂洗性之觀點而言，較佳為噴霧法及浸漬法，更佳為併用噴霧法及浸漬法。就漂洗性之觀點而言，沖洗處理之溫度較佳為25℃以上、更佳為40℃以上，又，就抑制水分之蒸發之觀點而言，較佳為90℃以下，更佳為80℃以下。就漂洗性之觀點而言，漂洗處理之時間較佳為3分鐘以上，更佳為5分鐘以上，就縮短電路基板之製造時間之觀點而言，較佳為30分鐘以下，更佳為20分鐘以下。
又，作為乾燥處理中之乾燥方法，可列舉：例如利用烘箱或送風乾燥機進行乾燥之方法，就乾燥性之觀點而言，其乾燥溫度較佳為80℃以上，就抑制對電路基板之影響之觀點而言，較佳為加熱至120℃以下、更佳為100℃以下。
[步驟(6)]
於一個或複數個實施形態中，就獲得以較高去除率去除樹脂遮罩層後之形成有焊料凸塊之電路基板之觀點而言，本發明之製造方法較佳為包括下述步驟(6)。
步驟(6)：使用含有二甲基亞碸(DMSO)(成分S)、二醇醚(成分T)、在25℃之水溶液中之酸解離常數pKa為9.0以上之胺及/或氫氧化四級銨(成分U)、及水(成分V)之洗淨劑組合物，對步驟(5)中獲得之基板進行洗淨之步驟。
藉由進行步驟(6)，可獲得以高去除率去除樹脂遮罩層後之形成有焊料凸塊之電路基板。即，如圖1(d)所示之一個或複數個之實施形態般，利用步驟(6)於電路基板1之表面之電極部2上形成焊料凸塊6、且獲得自電路基板1之表面之阻焊膜3上以高去除率去除樹脂遮罩層後之基板。
步驟(6)中，作為利用洗淨劑組合物洗淨步驟(5)中獲得之基板之方法，可列舉：超音波洗淨法、噴霧法、浸漬搖動法、浸漬法、擦拭法各種洗淨方法。適應於電路基板之種類，可將該等方法單獨使用或適當組合使用而對樹脂阻擋層進行洗淨。就抑制對電路基板之影響之觀點、及洗淨性之觀點而言，較佳為噴霧法、浸漬搖動法或浸漬法。
就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，步驟(6)中之洗淨時之溫度較佳為25℃以上，更佳為40℃以上，又，就抑制水分之蒸發之觀點而言，較佳為90℃以下，更佳為80℃以下。又，於一個或複數個實施形態中，就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，步驟(6)中之洗淨時之pH值較佳為11以上，更佳為12以上。
就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，步驟(6)中之洗淨時間較佳為1分鐘以上，更佳為3分鐘以上，進而較佳為5分鐘以上，就縮短電路基板之製造時間之觀點而言，較佳為30分鐘以下，更佳為20分鐘以下。
[步驟(6)之洗淨劑組合物]
步驟(6)中使用之洗淨劑組合物含有二甲基亞碸(DMSO)(成分S)、二醇醚(成分T)、在25℃之水溶液中之酸解離常數pKa為9.0以上之胺及/或氫氧化四級銨(成分U)、及水(成分V)。該洗淨劑組合物可藉由將二甲基亞碸(成分S)、二醇醚(成分T)、上述胺及/或氫氧化四級銨(成分U)、及水(成分V)例如在25℃下混合而製備。又，亦可預先製備含有二甲基亞碸(成分S)、二醇醚(成分T)、及上述胺及/或氫氧化四級銨
(成分U)之濃溶液，再利用水(成分V)稀釋而製成步驟(6)之洗淨劑組合物而加以使用。
[成分S]
成分S係二甲基亞碸(DMSO)。就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，上述洗淨劑組合物中之二甲基亞碸之含量於洗淨劑組合物100質量份中，較佳為10.0質量份以上，更佳為30.0質量份以上，進而較佳為35.0質量份以上，進而更佳為39.0質量份以上。又，就同樣之觀點而言，於洗淨劑組合物100質量份中，較佳為50.0質量份以下，更佳為43.0質量份以下。
[成分T]
成分T係二醇醚。於一個或複數個實施形態中，成分T較佳為下述式(III)所表示之二醇醚。
R8O(AO)nR9 (III)
(式中，R8為碳數1~6之烷基或碳數6~15之芳基，R9為氫原子或碳數1~6之烷基，AO為碳數2或3之伸烷基氧基，n為平均加成莫耳數且為1~4)
又，於一個或複數個實施形態中，成分T係(聚)伸烷基二醇之烷基醚或芳基醚。作為(聚)伸烷基二醇，可列舉：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、丙二醇、二丙二醇、三丙二醇。作為烷基醚，可列舉：單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚、單異丁醚、單己醚、二甲醚、二乙醚、丁基甲醚、乙基丙醚、丁基乙醚、二丙醚、二丁醚。作為芳基醚，可列舉：單苯醚、單苄醚。就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，成分T較佳為乙二醇、二乙二醇、三乙二醇之單甲醚、單乙醚、單丁醚、單異丁醚、單苄醚，具體而言，較佳為二乙二醇單丁醚、三乙二醇單丁醚及乙二醇單苄醚，更佳為二乙二醇單丁醚。成分T可為上述式(III)所表示之單獨之化合物，亦可為由多種化合物構
成。
就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，洗淨劑組合物中之成分T之含量於洗淨劑組合物100質量份中，較佳為30.0質量份以上，更佳為35.0質量份以上。又，就同樣之觀點而言，成分T之含量於洗淨劑組合物100質量份中，較佳為70.0質量份以下，更佳為50.0質量份以下，進而較佳為43.0質量份以下。
就樹脂遮罩層之去除性之觀點而言，成分S與成分T之質量比[(S)/(T)]較佳為0.15以上，更佳為0.30以上，進而較佳為0.50以上，並且較佳為2.00以下，更佳為1.50以下，進而較佳為1.20以下。
[成分U]
成分U係在25℃之水溶液中之酸解離常數pKa為9.0以上之胺及/或氫氧化四級銨。就成分U而言，就焊料腐蝕抑制之觀點而言，較佳為胺，就充分地洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，較佳為氫氧化四級銨。於一個或複數個實施形態中，成分U係下述式(IV)所表示且在25℃之水溶液中之酸解離常數pKa為9.0以上之胺及/或下述式(V)所表示之氫氧化四級銨。pKa記載於例如《化學便覽 基礎篇(化學便覧基礎編)》(日本化學會編 丸善股份有限公司(日本化學會 編 丸善股份有限公司))等。pKa較佳為9.5以上，更佳為9.8以上，並且較佳為12.0以下，更佳為11.5以下，進而較佳為11.0以下。
(R10)3N (IV)
(式中，R10各自相同或不同，為氫原子、碳數1~6之烷基、碳數1~6之羥基烷基、或碳數1~6之胺基烷基，3個R10並不同時為氫原子)
[(R11)3-N-R12]+OH- (V)
(其中，式中，R11表示碳數1~3之烷基，R12表示1~3之烷基、或碳數1~3之羥基烷基)
作為上述式(IV)所表示之在25℃之水溶液中之酸解離常數pKa為9.0以上之胺化合物之具體例，可例示：單乙醇胺(pKa=9.55)、N,N-二乙基乙醇胺(pKa=9.87)、N-甲基乙醇胺(pKa=9.95)、乙基胺基乙醇(pKa=9.9)等具有羥基烷基之胺、丙二胺(pKa=10.6)等具有胺基烷基之胺。其中，就去除樹脂遮罩之觀點而言，較佳為N-甲基乙醇胺、丙二胺，更佳為N-甲基乙醇胺。可認為藉由使用pKa為9.0以上之胺類，從而利用鹼對樹脂遮罩層之低分子量化發揮作用。
作為上述式(V)所表示之氫氧化四級銨，可例示由以下之陽離子與氫氧化物形成之鹽等。又，作為上述陽離子，可列舉：例如四烷基銨陽離子(烷基之碳數為1~6)般之四甲基銨、四乙基銨、四(正或異)丙基銨、四(正或異)丁基銨、四戊基銨、四己基銨、三甲基乙基銨，又，可列舉：具有羥基烷基之烷基銨陽離子(烷基之碳數為1~6)般之三甲基(2-羥基乙基)銨及三乙基(2-羥基乙基)銨等。其中，較佳為四甲基銨。作為氫氧化四級銨，具體而言，可列舉：四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、四戊基氫氧化銨、四己基氫氧化銨銨、三甲基乙基氫氧化銨、三甲基(2-羥基乙基)氫氧化銨、三乙基(2-羥基乙基)氫氧化銨物等。其中，就去除樹脂遮罩之觀點而言，較佳為四甲基氫氧化銨。
就樹脂遮罩層之去除性之觀點而言，洗淨劑組合物中之成分U之含量於洗淨劑組合物100質量份中，較佳為0.5質量份以上，更佳為1.0質量份以上，進而較佳為3.0質量份以上，並且，於洗淨劑組合物100質量份中，較佳為20.0質量份以下，更佳為15.0質量份以下。
[成分V]
成分V為水，較佳為離子交換水、超純水等抑制離子性物質之水。就樹脂遮罩層之去除性之觀點而言，洗淨劑組合物中之成分V之含量於洗淨劑組合物100質量份中，較佳為3.0質量份以上，更佳為8.0
質量份以上，進而較佳為12.0質量份以上，並且於洗淨劑組合物100質量份中，較佳為20.0質量份以下，更佳為18.0質量份以下。
就樹脂遮罩層之去除性之觀點而言，成分U與成分V之質量比[(U)/(V)]較佳為0.1以上，更佳為0.2以上，並且較佳為1.5以下，更佳為0.9以下，進而較佳為0.6以下。
就樹脂遮罩層之去除性之觀點而言，成分S和成分T之總量與成分U和成分V之總量之質量比[[(S)+(T)]/[(U)+(V)]]較佳為1.0以上，更佳為2.0以上，並且較佳為10.0以下，更佳為5.0以下。
[pH值]
於一個或複數個實施形態中，就充分洗淨樹脂遮罩層之觀點而言，洗淨劑組合物之pH值較佳為11以上，更佳為12以上。pH值可利用成分U之胺及/或氫氧化四級銨之含量而加以調整。
就自電路基板上去除殘存於電路基板上之可溶化於洗淨劑組合物中之污物及/或洗淨劑組合物之成分之觀點而言，步驟(6)於洗淨處理結束後，亦較佳為進行漂洗處理[以下亦稱為步驟(6a)]。漂洗處理中，較佳為使用水或醇。漂洗處理中之pH值較佳為在中性附近(例如，pH值6.0~8.0或pH值6.5~7.5)進行。進而，於洗淨處理或漂洗處理結束後，為了去除殘存於電路基板表面之水分，而較佳為進行乾燥處理[以下亦稱為步驟(6b)]。
作為漂洗處理之方法，可列舉：浸漬法、超音波洗淨法、浸漬搖動法、噴霧法各種方法。就漂洗性之觀點而言，較佳為噴霧法及浸漬法，更佳為併用噴霧法及浸漬法。就漂洗性之觀點而言，沖洗處理之溫度較佳為25℃以上，更佳為40℃以上，又，就抑制水分之蒸發之觀點而言，較佳為90℃以下，更佳為80℃以下。就漂洗性之觀點而言，漂洗處理之時間較佳為3分鐘以上，更佳為5分鐘以上，就縮短電路基板之製造時間之觀點而言，較佳為30分鐘以下，更佳為20分鐘以
下。
又，作為乾燥處理中之乾燥方法，可列舉：例如利用烘箱或送風乾燥機進行乾燥之方法，就乾燥性之觀點而言，其乾燥溫度較佳為80℃以上，就抑制對電路基板之影響之觀點而言，較佳為加熱至120℃以下、更佳為100℃以下。
[電子構件之接合]
於一個或複數個實施形態中，本發明之電路基板之製造方法進而包含如下步驟，即，於上述步驟(5)中獲得之基板上載置電子構件，加熱至上述焊料凸塊之液相線溫度260℃以下之溫度，使電子構件之焊接部與基板之焊接部接合，藉此獲得接合有電子構件之基板。根據該實施形態，可製造出接合有電子構件之電路基板。
[樹脂遮罩層之去除方法]
於其他方案中，本發明係自形成有樹脂遮罩層之電路基板上去除該樹脂遮罩層之方法，即，係關於包括利用本發明之洗淨劑組合物洗淨上述基板之步驟之方法。對於剝離劑組合物及洗淨劑組合物之具體構成、及使用該等之洗淨方法而言，可如上所述。
[試劑盒]
本發明之另外之其他方案係本發明之電路基板之製造方法及/或用於本發明之樹脂遮罩層之去除方法中之試劑盒，其中係關於在調配前之狀態下含有本發明之洗淨劑組合物之成分A~D中之至少1種成分之試劑盒。就本發明之洗淨劑組合物之具體構成、及使用該等之洗淨方法而言，可如上所述。
關於上述之實施形態，本發明進一步揭示有以下之一個或複數個實施形態上述組合物、製造方法、或用途。
<1>包括下述步驟(1)~(5)之電路基板之製造方法。
步驟(1)：於設置有焊接部之基板表面形成樹脂遮罩層之步驟。
步驟(2)：於上述樹脂遮罩層中以露出上述焊接部之方式形成開口部之步驟。
步驟(3)：於上述開口部填充焊料凸塊形成材料之步驟。
步驟(4)：加熱使上述焊料凸塊形成材料熔融，藉此將焊料凸塊固定於上述焊接部之步驟。
步驟(5)：使用洗淨劑組合物對步驟(4)中獲得之基板進行洗淨之步驟，其中，上述洗淨劑組合物於洗淨劑組合物100質量份中，含有下述式(I)所表示之氫氧化四級銨(成分A)0.5質量份以上且3.0質量份以下，含有水溶性胺(成分B)3.0質量份以上且14.0質量份以下，含有酸或其銨鹽(成分C)0.3質量份以上且2.5質量份以下，含有水(成分D)50.0質量份以上且95.0質量份以下。
(式中，R1、R2、R3各自相同或不同，為碳數1~4之烷基，R4為碳數1~4之烷基或碳數1~4之羥基取代烷基)
<2>如<1>之電路基板之製造方法，其中作為上述成分A之氫氧化四級銨係選自由四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、四戊基氫氧化銨、四己基氫氧化銨銨、三甲基乙基氫氧化銨、三甲基(2-羥基乙基)氫氧化銨、三乙基(2-羥基乙基)氫氧化銨、及該等之組合所構成之群。
<3>如<1>或<2>之電路基板之製造方法，其中作為上述成分A之氫氧化四級銨之含量於洗淨劑組合物100質量份中，為0.5質量份以上，較佳為0.7質量份以上及/或3.0質量份以下，較佳為2.0質量份以下，更佳為1.5質量份以下。
<4>如<1>至<3>中任一項之電路基板之製造方法，其中作為上述成分B之水溶性胺係選自由烷基胺、烷醇胺、多胺、環式胺、及該等之組合所構成之群，較佳為烷醇胺，上述烷醇胺係選自由單乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-正丁基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N,N-二丁基乙醇胺、N-第三丁基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、及該等之組合所構成之群，較佳為單乙醇胺。
<5>如<1>至<4>中任一項之電路基板之製造方法，其中作為上述成分B之水溶性胺為下述式(II)所表示之胺。
<6>如<1>至<5>中任一項之電路基板之製造方法，其中作為上述成分B之水溶性胺之含量於洗淨劑組合物100質量份中，為3.0質量份以上，較佳為4.0質量份以上及/或14.0質量份以下，較佳為12.0質量份以下，更佳為10.0質量份以下，進而較佳為8.0質量份以下，進而更佳為7.0質量份以下。
<7>如<1>至<6>中任一項之電路基板之製造方法，其中作為上述成分C之酸或其銨鹽之含量於洗淨劑組合物100質量份中，為0.3質量份以上，較佳為0.6質量份以上，更佳為0.8質量份以上，進而較佳為0.9質量份以上，且為2.5質量份以下，較佳為1.5質量份以下。
<8>如<1>至<7>中任一項之電路基板之製造方法，其中作為上述成分D之水之含量於洗淨劑組合物100質量份中，為50.0質量份以上，較佳為70.0質量份以上，更佳為75.0質量份以上，進而較佳為80.0質量份以上及/或95.0質量份以下，較佳為93.0質量份以下。
<9>如<1>至<8>中任一項之電路基板之製造方法，其中上述步驟(4)中之加熱溫度較佳為200℃以上及/或較佳為260℃以
下。
<10>如<1>至<9>中任一項之電路基板之製造方法，其中上述步驟(4)中之加熱溫度較佳為上述焊料凸塊形成材料之液相線溫度以上且260℃以下之溫度。
<11>如<1>至<10>中任一項之電路基板之製造方法，其中上述步驟(5)中之洗淨時之pH值較佳為10.0以上，更佳為11.0以上，進而較佳為12.0以上及/或較佳為14.0以下，更佳為13.5以下，進而較佳為13.0以下。
<12>如<1>至<11>中任一項之電路基板之製造方法，其中上述步驟(5)中之洗淨時之溫度較佳為25℃以上，更佳為40℃以上及/或較佳為90℃以下，更佳為80℃以下。
<13>如<1>至<12>中任一項之電路基板之製造方法，其中步驟(5)進而包括於洗淨處理結束後進行漂洗處理(步驟(5a))及/或乾燥處理(步驟(5b))。
<14>如<1>至<13>中任一項之電路基板之製造方法，其進而包括下述步驟(6)。
步驟(6)：使用含有二甲基亞碸(DMSO)(成分S)、二醇醚(成分T)、在25℃之水溶液中之酸解離常數pKa為9.0以上之胺及/或氫氧化四級銨(成分U)、及水(成分V)之洗淨劑組合物，對步驟(5)中獲得之基板進行洗淨之步驟。
<15>如<14>之電路基板之製造方法，其中步驟(6)之洗淨劑組合物中之二醇醚(成分T)為下述式(III)所表示之二醇醚。
R8O(AO)nR9 (III)
(式中，R8為碳數1~6之烷基或碳數6~15之芳基，R9為氫原子或碳數1~6之烷基，AO為碳數2或3之伸烷基氧基，n係平均加成莫耳數且為1~4)
<16>如<14>或<15>之電路基板之製造方法，其中上述步驟(6)之洗淨劑組合物中之胺及/或氫氧化四級銨(成分U)為下述式(IV)所表示之胺及/或下述式(V)所表示之氫氧化四級銨。
(R10)3N (IV)
(式中，R10各自相同或不同，為氫原子、碳數1~6之烴基、碳數1~6之羥基烷基、或碳數1~6之胺基烷基，3個R10並不同時為氫原子)
[(R11)3-N-R12]+OH- (V)
(式中，R11各自相同或不同，為碳數1~3之烷基、R12為1~3之烷基或碳數1~3之羥基烷基)
<17>如<14>至<16>中任一項之電路基板之製造方法，其中上述步驟(6)之洗淨劑組合物相對於該洗淨劑組合物100質量份，含有二甲基亞碸(成分S)10.0質量份以上，較佳為30.0質量份以上，更佳為35.0質量份以上，進而較佳為39.0質量份以上及/或50.0質量份以下，較佳為43.0質量份以下，含有二醇醚(成分T)30.0質量份以上，較佳為35.0質量份以上及/或70.0質量份以下，較佳為50.0質量份以下，更佳為43.0質量份以下，含有胺及/或氫氧化四級銨(成分U)0.5質量份以上，較佳為1.0質量份以上，更佳為3.0質量份以上及/或20.0質量份以下，較佳為15.0質量份以下，含有水(成分V)3.0質量份以上，較佳為8.0質量份以上，更佳為12.0質量份以上及/或20.0質量份以下，較佳為18.0質量份以下。
<18>如<14>至<17>中任一項之電路基板之製造方法，其中上述步驟(6)之洗淨劑組合物中之二甲基亞碸(成分S)與二醇醚(成分T)之質量比[(S)/(T)]為0.15以上，較佳為0.30以上，更佳為0.50以上及/或2.00以下，較佳為1.50以下，更佳為1.20以下。
<19>如<14>至<18>中任一項之電路基板之製造方法，其
中上述步驟(6)之洗淨劑組合物中之胺及/或氫氧化四級銨(成分U)在25℃之水溶液中之酸解離常數pKa較佳為9.5以上，更佳為9.8以上及/或較佳為12.0以下，更佳為11.5以下，進而較佳為11.0以下。
<20>如<14>至<19>中任一項之電路基板之製造方法，其中上述步驟(6)之洗淨劑組合物中之胺及/或氫氧化四級銨(成分U)之含量，於洗淨劑組合物100質量份中，為0.5質量份以上，較佳為1.0質量份以上，更佳為3.0質量份以上及/或20.0質量份以下，較佳為15.0質量份以下。
<21>如<14>至<20>中任一項之電路基板之製造方法，其中上述步驟(6)之洗淨劑組合物中之水(成分V)之含量，為3.0質量份以上，較佳為8.0質量份以上，更佳為12.0質量份以上及/或20.0質量份以下，較佳為18.0質量份以下。
<22>如<14>至<21>中任一項之電路基板之製造方法，其中成分U與成分V之質量比[(U)/(V)]較佳為0.1以上，更佳為0.2以上及/或較佳為1.5以下，更佳為0.9以下，進而較佳為0.6以下。
<23>如<14>至<22>中任一項之電路基板之製造方法，其中成分S和成分T之總量與成分U和成分V之總量之質量比[[(S)+(T)]/[(U)+(V)]]較佳為1.0以上，更佳為2.0以上及/或較佳為10.0以下，更佳為5.0以下。
<24>如<14>至<23>中任一項之製造方法，其中上述步驟(6)之洗淨劑組合物之pH值較佳為11以上，更佳為12以上。
<25>如<14>至<24>中任一項之電路基板之製造方法，其中於上述步驟(5)與上述步驟(6)之間包括漂洗處理之步驟。
<26>一種洗淨劑組合物，其於洗淨劑組合物100質量份中，含有下述式(I)所表示之氫氧化四級銨(成分A)0.5質量份以上且3.0質量份以下，
含有水溶性胺(成分B)3.0質量份以上且14.0質量份以下，含有酸或其銨鹽(成分C)0.3質量份以上且2.5質量份以下，含有水(成分D)50.0質量份以上且95.0質量份以下。
(式中，R1、R2、R3各自相同或不同，為碳數1~4之烷基，R4為碳數1~4之烷基或碳數1~4之羥基取代烷基)
<27>一種如<26>之洗淨劑組合物之應用，其作為如<1>至<25>中任一項之電路基板之製造方法之步驟(5)中之洗淨劑組合物。
<28>一種洗淨劑組合物，其含有二甲基亞碸(DMSO)(成分S)、二醇醚(成分T)、在25℃之水溶液中之酸解離常數pKa為9.0以上之胺及/或氫氧化四級銨(成分U)、及水(成分V)。
<29>一種如<28>之洗淨劑組合物之應用，其作為如<11>至<25>中任一項之電路基板之製造方法之步驟(6)中之洗淨劑組合物。
<30>一種電路基板之洗淨方法，其包括使用如<26>或<28>之洗淨劑組合物對電路基板進行洗淨之步驟。
<31>一種試劑盒，其係用於如<14>至<25>中任一項之製造方法之試劑盒，其包含步驟(5)中使用之如<26>之洗淨劑組合物、及步驟(6)中使用之如<28>之洗淨劑組合物。
<32>一種如<26>之洗淨劑組合物作為電路基板製造中之洗淨劑之應用。
[實施例]
以下之實施例以本發明之例示為目的，其在任何意義上均無對本發明加以限制之意圖。實施例中，%只要無特別規定，則為質量%。
<實施例1~30及比較例1~12>
使用下述樹脂遮罩層用洗淨劑組合物、電路基板，製造形成有焊料凸塊之電路基板。
[樹脂遮罩層用洗淨劑組合物之製備]
使用四甲基氫氧化銨1質量份、單乙醇胺5質量份、甲酸銨1質量份、二乙二醇丁醚12質量份、二甲基亞碸4質量份、水77質量份(合計100質量份)進行調配，將該等均勻混合，藉此製備實施例1之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物。pH值為10.9。需說明的是，pH值係25℃下之研磨液組合物之pH值，可使用pH計進行測定，係將電極浸漬於研磨液組合物中後40分鐘後之數值(下同)。
代替表1及表2所示之實施例1之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物之組成，與實施例1同樣地製備實施例2~30、比較例1~12之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物。
[電路基板]
於焊料凸塊之形成中所使用之電路基板係厚度300μm、尺寸15mm×15mm之玻璃環氧基板。就該基板而言，每1晶片以50μm之間距具有3600個直徑25μm之銅表面之電極。基板表面之電極周圍被高於電極之高度為15μm之阻焊層包圍。
[形成有焊料凸塊之電路基板之製造]
實施例1~30及比較例1~12中，按照下述步驟(1)~步驟(5b)製造形成有焊料凸塊之電路基板。
步驟(1)在形成於電路基板之阻焊層(太陽油墨：AUS410)上貼
附抗蝕膜(杜邦：WB-5030)，形成了樹脂遮罩層。
步驟(2)利用曝光、顯影處理於電路基板之電極上之樹脂遮罩層及阻焊層中形成開口部。
步驟(3)塗佈市售之焊膏(Eco solder M705-GRN360-K2-V(千住金屬工業製作，焊料金屬(Sn-3Ag-0.5Cu)與焊劑助劑(松香酸、添加劑及溶劑之混合物)之混合物、液相線溫度217℃)。
步驟(4)在250℃之熱板上加熱1分鐘，使其回焊，於電路基板之電極上形成焊料凸塊。將該電路基板切斷成1cm見方，製成測試件。
步驟(5)在保持於溫度60℃之放有100g之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物之200ml之燒杯內，將上述1cm見方之測試件浸漬3分鐘，進行洗淨，自燒杯中取出測試件。
步驟(5a)將測試件在保持於溫度60℃之離子交換水中浸漬5分鐘，進行沖洗，取出測試件。
步驟(5b)將測試件利用送風低溫乾燥機在溫度85℃下乾燥15分鐘。
關於實施例1~30及比較例1~12之測試件中之樹脂遮罩層之去除性，以下述條件進行評價。將其結果示於表2。
<樹脂遮罩去除性評價>
利用光學顯微鏡觀察(倍率：900倍)電路基板之製造後之測試件，由1cm見方之測試件中選擇5個視野，以光學顯微鏡之面積測定模式計算殘存於基板上之樹脂遮罩之面積，算出洗淨率。用於去除率之計算方法、測定中之光學顯微鏡如下所示。實施例1~30及比較例1~12以凸塊周邊以外之位置進行評價。需說明的是，凸塊周邊以外之位置難以洗淨，故而為容易顯現差別之位置。
去除率=(5個視野之總面積-洗淨後之基板上之樹脂遮罩殘渣面積)÷5個視野之總面積×100
測定機器：KEYENCE製造之Digital microscope VHX-2000
<錫之溶解性>
於實施例1~30及比較例1~12之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物20g中，將和光純藥工業製造之錫(粒狀)1.8g一面在50℃下攪拌20分鐘一面浸漬，測定於洗淨劑組合物中溶出之錫之濃度。錫之濃度越高，則表示焊料腐蝕性越高。
錫之濃度測定係按以下之方法進行。
對於洗淨劑組合物，用ICP發光分析裝置(PerkinElmer公司製造，Optima 5300)測定錫之發光強度，對Sn蝕刻量進行定量。
如表2所示，若於步驟(5)中使用實施例1~30之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物，則與比較例1~12相比，可良好地洗淨去除樹脂遮罩層，並且可抑制焊料之腐蝕。
<焊料SEM觀察>
於實施例10及比較例1之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物中，將安裝有千住金屬工業製造之焊料(Sn-3Ag-0.5Cu、直徑80μm)之基板在50℃下浸漬20分鐘。利用FE-SEM(日立HighTech製造，S-4000)將洗淨組合物浸漬前後之焊料表面放大至900倍，觀察有無孔腐蝕等腐蝕。觀察照片如圖2所示。於實施例10中浸漬之情形時，未見焊料表面之變化。於比較例1中浸漬之情形時，觀察到焊料表面孔腐蝕。
<實施例31~48及比較例13~26>
[形成有焊料凸塊之電路基板之製造]
使用實施例24之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物(實施例31~39、比較例13~19)、及實施例9之樹脂遮罩層用洗淨劑組合物(實施例40~48、比較例20~26)，按照下述步驟(1)~步驟(6b)製造了形成有焊料凸塊之電路基板。需說明的是，焊料凸塊之形成中使用之電路基板係使用與上述相同之基板。
步驟(1)在形成於電路基板之阻焊層(太陽油墨：AUS410)上貼附抗蝕膜(杜邦：WB-5030)，形成樹脂遮罩層。
步驟(2)利用曝光、顯影處理於電路基板之電極上之樹脂遮罩層及阻焊層中形成開口部。
步驟(3)塗佈市售之焊膏(Eco solder M705-GRN360-K2-V(千住金屬製造，焊料金屬(Sn-3Ag-0.5Cu)與焊劑助劑(松香酸、添加劑及溶劑之混合物)之混合物、液相線溫度217℃)。
步驟(4)在250℃之熱板上加熱1分鐘，使其回焊，於電路基板之電極上形成焊料凸塊。將該電路基板切斷成1cm見方，製成測試件。
步驟(5)在保持於溫度60℃之放有100g樹脂遮罩層用洗淨劑組合物之200ml燒杯內，將上述1cm見方之測試件浸漬1分鐘並進行洗淨，自燒杯中取出測試件。
步驟(5a)將測試件在保持於溫度60℃之離子交換水中浸漬5分鐘，進行沖洗，取出測試件。
步驟(5b)將測試件利用送風低溫乾燥機在溫度85℃下乾燥15分鐘。
步驟(6)在保持於溫度60℃之放有100g洗淨劑組合物之200ml燒杯內，將上述1cm見方之測試件浸漬1分鐘並進行洗淨，自燒杯中取出測試件。
步驟(6a)將測試件在保持於溫度60℃之離子交換水中浸漬5分鐘，進行沖洗，取出測試件。
步驟(6b)將測試件利用送風低溫乾燥機在溫度85℃下乾燥15分鐘。
[步驟(6)之洗淨劑組合物之製備]
使用二甲基亞碸40質量份、二乙二醇單丁醚40質量份、四甲基氫氧化銨5質量份及水15質量份(合計100質量份)進行調配，藉由將該等均勻混合，製備實施例31之步驟(6)之洗淨劑組合物。又，關於實施例32~48及比較例13~26之步驟(6)之洗淨劑組合物，除了按照表3及4所述之組成以規定之質量份調配各成分以外，與實施例31同樣地進行製備。需說明的是，實施例31~39(表3)與實施例40~48(表4)分別係相同組成之步驟(6)之洗淨劑組合物，比較例13~19(表3)與比較例20~26(表4)分別係相同組成之步驟(6)之洗淨劑組合物。將該洗淨劑組合物之pH值示於表3及4。該等表中pH值欄「>14」係指pH值超過14之情況。
關於實施例31~48及比較例13~26之測試件中之樹脂遮罩層之
去除性，以與上述同樣之條件進行了評價。將其結果示於表3及4。
如表3及4所示，若步驟(6)中使用實施例31~48之洗淨劑組合物，則與比較例13~26相比，可良好地洗淨去除樹脂遮罩層。
Claims (16)
- 一種電路基板之製造方法，其包括下述步驟(1)~(5)，步驟(1)：於設置有焊接部之基板表面形成樹脂遮罩層之步驟，步驟(2)：於上述樹脂遮罩層中以露出上述焊接部之方式形成開口部之步驟，步驟(3)：於上述開口部填充焊料凸塊形成材料之步驟，步驟(4)：加熱使上述焊料凸塊形成材料熔融，藉此使焊料凸塊固定於上述焊接部之步驟，步驟(5)：使用洗淨劑組合物對步驟(4)中獲得之基板加以洗淨之步驟，其中，上述洗淨劑組合物於洗淨劑組合物100質量份中，含有下述式(I)所表示之氫氧化四級銨(成分A)0.5質量份以上且3.0質量份以下，含有水溶性胺(成分B)3.0質量份以上且14.0質量份以下，含有酸或其銨鹽(成分C)0.3質量份以上且2.5質量份以下，含有水(成分D)50.0質量份以上且95.0質量份以下，
- 如請求項1之電路基板之製造方法，其中上述酸或其銨鹽(成分C)為選自由甲酸銨、乙酸銨、草酸銨、琥珀酸銨、檸檬酸銨、碳酸銨、硫酸銨、硝酸銨及磷酸銨所構成之群中之1種以上。
- 如請求項1之電路基板之製造方法，其中上述水溶性胺(成分B)為下述式(II)所表示之胺，
- 如請求項1之電路基板之製造方法，其中於pH值10.0以上且14.0以下進行上述步驟(5)之洗淨。
- 如請求項1之電路基板之製造方法，其中上述步驟(4)中之加熱溫度為200℃以上且260℃以下。
- 如請求項1之電路基板之製造方法，其中上述步驟(4)中之加熱溫度為上述焊料凸塊形成材料之液相線溫度以上且260℃以下之溫度。
- 如請求項1至6中任一項之電路基板之製造方法，其進而包括下述步驟(6)，步驟(6)：使用含有下述成分(S)~(V)之洗淨劑組合物對步驟(5)中獲得之基板進行洗淨之步驟，成分S：二甲基亞碸(DMSO)、成分T：二醇醚、成分U：25℃之水溶液中之酸解離常數pKa為9.0以上之胺及/或氫氧化四級銨、及成分V：水。
- 如請求項7之電路基板之製造方法，其中步驟(6)之洗淨劑組合物中之二醇醚(成分T)為下述式(III)所表示之二醇醚，R8O(AO)nR9 (III)式(III)中，R8為碳數1~6之烷基或碳數6~15之芳基，R9為氫 原子或碳數1~6之烷基，AO為碳數2或3之伸烷基氧基，n為平均加成莫耳數且為1~4。
- 如請求項7之電路基板之製造方法，其中步驟(6)之洗淨劑組合物中之胺及/或氫氧化四級銨(成分U)為下述式(IV)所表示之胺、及/或下述式(V)所表示之氫氧化四級銨，(R10)3N (IV)(式(IV)中，R10各自相同或不同，為氫原子、碳數1~6之烴基、碳數1~6之羥基烷基、或碳數1~6之胺基烷基，3個R10並不同時為氫原子)，[(R11)3-N-R12]+OH- (V)(式(V)中，R11各自相同或不同，為碳數1~3之烷基，R12為碳數1~3之烷基或碳數1~3之羥基烷基)。
- 如請求項7之電路基板之製造方法，其中步驟(6)之洗淨劑組合物中，相對於該洗淨劑組合物100質量份，含有二甲基亞碸(成分S)10.0質量份以上且50.0質量份以下、二醇醚(成分T)30.0質量份以上且70.0質量份以下、胺及/或氫氧化四級銨(成分U)0.5質量份以上且20.0質量份以下、以及水(成分V)3.0質量份以上且20.0質量份以下。
- 如請求項7之電路基板之製造方法，其中步驟(6)之洗淨劑組合物中之二甲基亞碸(成分S)與二醇醚(成分T)之質量比以(S)/(T)表示為0.15以上且2.00以下。
- 如請求項7之電路基板之製造方法，其中於上述步驟(5)與上述步驟(6)之間包括漂洗處理之步驟。
- 一種洗淨劑組合物，其於洗淨劑組合物100質量份中，含有下述式(I)所表示之氫氧化四級銨(成分A)0.5質量份以上 且3.0質量份以下，含有水溶性胺(成分B)3.0質量份以上且14.0質量份以下，含有酸或其銨鹽(成分C)0.3質量份以上且2.5質量份以下，含有水(成分D)50.0質量份以上且95.0質量份以下，
- 一種洗淨劑組合物，其含有成分S：二甲基亞碸(DMSO)、成分T：二醇醚、成分U：25℃之水溶液中之酸解離常數pKa為9.0以上之胺及/或氫氧化四級銨、及成分V：水。
- 一種試劑盒，其係用於如請求項7至12中任一項之製造方法中之試劑盒，其包含步驟(5)中使用之如請求項13之洗淨劑組合物、及步驟(6)中使用之如請求項14之洗淨劑組合物。
- 一種如請求項13之洗淨劑組合物作為電路基板製造中之洗淨劑之用途。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013-188618 | 2013-09-11 | ||
| JP2013188618 | 2013-09-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201516143A true TW201516143A (zh) | 2015-05-01 |
| TWI647303B TWI647303B (zh) | 2019-01-11 |
Family
ID=52975386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103131435A TWI647303B (zh) | 2013-09-11 | 2014-09-11 | 樹脂遮罩層用洗淨劑組合物及電路基板之製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6412377B2 (zh) |
| KR (1) | KR102257405B1 (zh) |
| CN (2) | CN104427781B (zh) |
| TW (1) | TWI647303B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109939977A (zh) * | 2017-12-21 | 2019-06-28 | 花王株式会社 | 树脂掩模剥离清洗方法 |
| TWI685718B (zh) * | 2016-06-20 | 2020-02-21 | 日商三菱製紙股份有限公司 | 阻焊劑圖型之形成方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6808714B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2021-01-06 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド | 洗浄組成物 |
| JP6670100B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2020-03-18 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
| JP6824719B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2021-02-03 | 花王株式会社 | ネガ型樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
| JP2017119782A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 花王株式会社 | 水溶性フラックス用洗浄剤組成物 |
| JP6860276B2 (ja) | 2016-09-09 | 2021-04-14 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
| US10948826B2 (en) * | 2018-03-07 | 2021-03-16 | Versum Materials Us, Llc | Photoresist stripper |
| WO2019207701A1 (en) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | Kurita Water Industries Ltd. | Stabilization of compositions comprising quaternary trialkylalkanolamine hydroxide |
| KR102029127B1 (ko) * | 2019-02-08 | 2019-10-07 | 영창케미칼 주식회사 | 반도체 제조 공정에 있어서 실리콘 또는 실리콘 화합물 패턴을 형성하기 위한 신규 방법 |
| CN114008539A (zh) * | 2019-06-27 | 2022-02-01 | 花王株式会社 | 清洗方法 |
| CN112764330B (zh) * | 2021-01-08 | 2022-08-02 | 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 | Pfa光刻胶再生剥离液及其制备方法与应用 |
| CN113437204A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-09-24 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | 一种灯板制备方法 |
| CN115475797B (zh) * | 2022-09-30 | 2024-04-05 | 肇庆绿宝石电子科技股份有限公司 | 一种叠层电容器及其制造方法、载条清洗液及制备方法 |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3705896A1 (de) * | 1986-02-24 | 1987-08-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines fotoresistmusters auf einer substratflaeche und ein dafuer geeignetes schaumentfernungsmittel |
| JP3424687B2 (ja) * | 1993-05-21 | 2003-07-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 水酸化第四級アンモニウム水溶液の製造方法 |
| JP4283952B2 (ja) * | 1999-10-12 | 2009-06-24 | 多摩化学工業株式会社 | 非鉄金属洗浄用洗浄液組成物 |
| JP3371098B2 (ja) * | 1999-11-04 | 2003-01-27 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| JP2001343759A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nichigo Morton Co Ltd | 光重合性組成物の硬化膜用剥離液 |
| JP2002062668A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジストの剥離方法 |
| JP3738996B2 (ja) * | 2002-10-10 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | ホトリソグラフィー用洗浄液および基板の処理方法 |
| US20030138737A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-24 | Kazumasa Wakiya | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same |
| JP3516446B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2004-04-05 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト剥離方法 |
| TW545099B (en) * | 2002-06-17 | 2003-08-01 | Via Tech Inc | Bump forming technology with high resolution |
| CN100529014C (zh) * | 2002-10-22 | 2009-08-19 | Ekc技术公司 | 清洗半导体装置的磷酸组合物水溶液 |
| JP4270544B2 (ja) * | 2003-03-06 | 2009-06-03 | 花王株式会社 | 剥離剤組成物 |
| EP1715510B2 (en) * | 2004-02-09 | 2016-02-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | Substrate cleaning liquid for semiconductor device and cleaning method |
| JP4855667B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2012-01-18 | ハリマ化成株式会社 | 樹脂マスク層の除去方法およびはんだバンプ付き基板の製造方法 |
| WO2006127885A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use |
| JP4633619B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-02-16 | 花王株式会社 | 液体洗浄剤組成物 |
| JP5152816B2 (ja) | 2006-02-24 | 2013-02-27 | 化研テック株式会社 | 被洗浄物の洗浄方法 |
| CN101071778A (zh) * | 2006-05-08 | 2007-11-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 焊料凸点制作方法 |
| CN100561697C (zh) * | 2006-12-22 | 2009-11-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种焊料凸点的制作方法 |
| JP5062562B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2012-10-31 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 薬液及びそれを用いた基板処理方法 |
| JP2009075285A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法 |
| KR101488265B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2015-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박리 조성물 및 박리 방법 |
| KR20100076999A (ko) * | 2007-10-31 | 2010-07-06 | 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 | 포토레지스트 박리를 위한 화합물 |
| US20090120457A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Surface Chemistry Discoveries, Inc. | Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices |
| JP5466836B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2014-04-09 | 花王株式会社 | フラックス用洗浄剤組成物 |
| CN102138202B (zh) * | 2008-08-05 | 2015-11-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 残渣剥离液组合物及使用其的半导体元件的洗涤方法 |
| JP5548390B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-07-16 | 花王株式会社 | 液体洗浄剤組成物 |
| US8765653B2 (en) * | 2009-07-07 | 2014-07-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations and method for post-CMP cleaning |
| US8110535B2 (en) * | 2009-08-05 | 2012-02-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same |
| JP5646882B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-12-24 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP5404459B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2014-01-29 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法 |
| JP5513196B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物及び半導体装置の製造方法 |
| CN102141743A (zh) * | 2010-08-25 | 2011-08-03 | 上海飞凯光电材料股份有限公司 | 具有金属保护的光刻胶剥离液组合物 |
| IN2014CN00877A (zh) * | 2011-08-09 | 2015-04-03 | Basf Se | |
| CN102981379A (zh) * | 2012-12-19 | 2013-03-20 | 青岛华电高压电气有限公司 | 一种光刻胶清洗剂组合物 |
| KR101420571B1 (ko) * | 2013-07-05 | 2014-07-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법 |
-
2014
- 2014-09-10 JP JP2014184510A patent/JP6412377B2/ja active Active
- 2014-09-10 CN CN201410458834.7A patent/CN104427781B/zh active Active
- 2014-09-10 CN CN201910364110.9A patent/CN110225667B/zh active Active
- 2014-09-11 TW TW103131435A patent/TWI647303B/zh active
- 2014-09-11 KR KR1020140119918A patent/KR102257405B1/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI685718B (zh) * | 2016-06-20 | 2020-02-21 | 日商三菱製紙股份有限公司 | 阻焊劑圖型之形成方法 |
| CN109939977A (zh) * | 2017-12-21 | 2019-06-28 | 花王株式会社 | 树脂掩模剥离清洗方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150030175A (ko) | 2015-03-19 |
| CN104427781B (zh) | 2019-05-17 |
| TWI647303B (zh) | 2019-01-11 |
| CN110225667A (zh) | 2019-09-10 |
| CN104427781A (zh) | 2015-03-18 |
| JP2015079244A (ja) | 2015-04-23 |
| KR102257405B1 (ko) | 2021-05-27 |
| CN110225667B (zh) | 2023-01-10 |
| JP6412377B2 (ja) | 2018-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI647303B (zh) | 樹脂遮罩層用洗淨劑組合物及電路基板之製造方法 | |
| JP5428859B2 (ja) | 鉛フリーハンダフラックス除去用洗浄剤組成物、および鉛フリーハンダフラックスの除去方法 | |
| TWI476279B (zh) | Lead-free solder water-soluble flux removal detergent, removal method and cleaning method | |
| JP5435186B1 (ja) | フラックス組成物、液状フラックス、やに入りはんだ及びソルダペースト | |
| TWI647304B (zh) | 固化焊劑之電路基板之製造方法、搭載電子零件之電路基板之製造方法、及助焊劑用洗淨劑組合物 | |
| CN107850859A (zh) | 用于去除半导体基板上光阻剂的剥离组合物 | |
| TWI391793B (zh) | 光阻顯影液、及使用該顯影液之基板的製造方法 | |
| JP7385597B2 (ja) | フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 | |
| JP2017119782A (ja) | 水溶性フラックス用洗浄剤組成物 | |
| CN109313399A (zh) | 用于从基板去除物质的水溶液和方法 | |
| JP6316713B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| WO2007025675A1 (en) | Aqueous solution and method for removing ionic contaminants from the surface of a workpiece | |
| KR100770217B1 (ko) | 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 범프 전극의형성 방법 | |
| JP7370339B2 (ja) | フラックス残渣の洗浄 | |
| JP5296115B2 (ja) | 無電解金属メッキの前処理剤およびこれを用いた回路基板の製造方法 | |
| JP6670100B2 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
| JP2017120400A (ja) | ネガ型樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
| JP7132214B2 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
| KR20230109148A (ko) | 수지 마스크 박리용 세정제 조성물 | |
| JP2021042327A (ja) | フラックス残渣除去用洗浄剤組成物 | |
| JP2023172703A (ja) | 洗浄方法 | |
| KR20130071985A (ko) | 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 | |
| KR20170056139A (ko) | 무연땜납 플럭스 세정제 조성물 | |
| KR20110124980A (ko) | 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 | |
| KR20110124982A (ko) | 땜납 플럭스 제거용 세정제 조성물 |