JP5323017B2 - 磁気ディスク基板用洗浄剤 - Google Patents

Description

本発明は、磁気ディスク基板用洗浄剤に関する。

従来より磁気ディスク用基板の洗浄技術において、近年の磁気ディスクの高記録密度化に伴い、製造時における基板上に残存する微量のパーティクル（例えば砥粒、研磨剤のくず）や不純物（例えば洗浄剤残さ、大気中からのゴミ）が磁気ディスクの性能や歩留まりに大きく影響するため、それを極力低減することが極めて重要になってきている。特に洗浄の対象となるパーティクルがより微粒子化してきており、従来以上にディスク用基板表面に残存しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため、これらのパーティクルによる汚染を防止する方法として、界面活性剤を用いて、パーティクルの除去性を向上させる方法が提案されている（特許文献１、２）。

近年、磁気ディスク用基板のうちのアルミ基板の製造においては、基板表面に非磁性層であるＮｉ−Ｐメッキを施し、その後アルミナスラリーやコロイダルシリカで研磨して鏡面仕上げする工程、および必要によりにその後にさらにダイヤモンドスラリー等を用いて基板表面をテクスチャリングする工程がある。しかし、その際にこれらの研磨剤や研磨屑が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。
一方、ガラス基板においても、その製造工程に、酸化セリウムやコロイダルシリカで研磨して鏡面仕上げする工程、およびその後に必要によりさらにダイヤモンドスラリー等を用いて基板表面をテクスチャー加工、またはミラーポリッシュ加工する工程を含む。しかし、その工程中に研磨剤や研磨屑が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。

これらの研磨剤や研磨屑に代表されるパーティクルは、アルミ製やガラス製の基板表面に強固に付着しているため、これらを十分に除去するためには、基板表面を僅かにエッチングし、パーティクルを液中に分散させ、さらに液中に分散したパーティクルを基板表面に再付着しないようにする必要がある。
また、これらの研磨スラリーに含まれているクーラント成分は、金属イオンと反応し水に不溶性の物質が生成し、基板表面に付着し残渣として残ってしまい、洗浄工程で十分に除去できない問題がある。

ところで、上記の特許文献１では、洗浄対象となる研磨剤微粒子を凝集させ、粗大化させることで再付着を防止する方法が提案されているが、粗大化した粒子が僅かに基板表面に付着した場合でも深刻な問題を引き起こす恐れがあることや、クーラント成分由来の残渣に対する洗浄については触れられていない。
また、上記特許文献２で提案されている方法は、アニオン性界面活性剤を用いることにより、パーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるものの、基板表面に対するエッチング性がほとんど無いため、パーティクル除去性が不十分であり、洗浄性が不十分であるという問題があった。

特開平１１−４３７９１号公報 特開２００２−２１２５９７号公報

本発明の目的は、クーラント成分由来の残渣に対して優れた洗浄性を有するとともに、基板表面に対して適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、優れたパーティクルの除去性を実現可能にする磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することにある。

本発明者らは上記課題を解決する磁気ディスク基板用洗浄剤を得るべく鋭意検討した結果、洗浄剤中に特定のノニオン界面活性剤と脂肪族アルカノールアミンを含有させることにより、クーラント成分由来の残渣およびパーティクルに対する除去性が著しく向上することを見出し、本発明に到達した。
すなわち本発明は、下記一般式（１）で示され、かつ式中のｍ/(ｎ＋ｍ＋ｋ)が０．２０〜０．５５であるノニオン界面活性剤（Ａ）、脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）およびキレート剤（Ｃ）を必須成分として含有するｐＨが９〜１４であることを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤。
ＨＯ−（ＥＯ）n−（ＰＯ）m−（ＥＯ)ｋ−Ｈ （１）
［式中、ＥＯはオキシエチレン基、ＰＯはオキシプロピレン基を表し、（ＥＯ）n、（ＰＯ）m、（ＥＯ)ｋは、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドがブロック状で付加している。ｎ、ｍ、ｋはそれぞれ２０以上の数を表し、ｎ＋ｍ＋ｋは６０〜２００である。］

本発明の洗浄剤は、磁気ディスクの製造工程において問題となるクーラント成分由来の残渣や微細なパーティクルの洗浄性に優れ、基板にダメージを与えることなく短時間かつ効率的な洗浄ができるという効果を有する。

本発明のノニオン界面活性剤（Ａ）は、下記一般式（１）で示されるトリブロック型の界面活性剤である。

ＨＯ−（ＥＯ）n−（ＰＯ）m−（ＥＯ)ｋ−Ｈ （１）
［式中、ＥＯはオキシエチレン基、ＰＯはオキシプロピレン基を表し、（ＥＯ）n、（ＰＯ）m、（ＥＯ)ｋは、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドがブロック状で付加している。ｎ、ｍ、ｋはそれぞれ２０以上の数を表し、ｎ＋ｍ＋ｋは６０〜２００である。］

磁気ディスク基板の表面のクーラント成分に由来する残渣の洗浄性の観点から、分子全体に占めるオキシプロピレン基の割合であるｍ／（ｍ＋ｎ＋ｋ）の値は通常０．２０〜０．５５であり、好ましくは０．２３〜０．４５である。
０．２０未満では、クーラント成分との親和性が低く、洗浄性が劣るため好ましくない。また、０．５５を超えると、ノニオン界面活性剤が水に分散せずに洗浄残渣として残るため好ましくない。
さらにクーラント成分に由来する残渣の再付着防止の観点から、ｎとｍとｋの合計は通常６０〜２００であり、６３〜１９０が好ましく、６８〜１７５がさらに好ましい。
合計が６０未満では、ノニオン界面活性剤の分子量が小さく、分散させた汚れの再付着が起こるため好ましくない。また、合計が２００を超えると、ノニオン界面活性剤が基板上に残渣として残るため好ましくない。

本発明のトリブロック型のノニオン界面活性剤は、トリブロック型の中央部のポリオキシプロピレンブロックがパーティクルやクーラント由来粒子に吸着するとともに、ポリオキシエチレンブロックが水相と親和性をもつことで立体障害効果による基板への再付着防止効果が優れている。一方、トリブロック型の中央部がポリオキシエチレンブロックで、ポリオキシプロピレンブロックで囲まれているトリブロック型の界面活性剤は水への溶解度が低いため水系での洗浄剤での使用は好ましくない。また、片末端の水酸基がアルキル鎖で封鎖されたトリブロック型の界面活性剤やジブロック型の界面活性剤では、立体障害効果が乏しいため、洗浄効果が乏しく好ましくない。
ランダム型の界面活性剤では、粒子への吸着能が乏しいため、十分な洗浄性が得られず好ましくない。

洗浄剤組成中の（Ａ）の実際の使用時の含有量は、洗浄性の観点から通常０．１重量％〜８．０重量％であり、０．３重量％〜６．０重量％が好ましい。

本発明のもう１つの必須成分は脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）であり、パーティクルの洗浄性の観点から、好ましくは炭素数２〜６の脂肪族アルカノールアミンである。

脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、 ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、モノ−ｎ−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジ−ｎ−プロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリ−ｎ−プロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノールアミン、Ｎ−オレイルジエタノールアミン、Ｎ−ステアリルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジオクチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジデシルモノエタノールアミン、Ｎ−ジオレイルモノエタノールアミン、Ｎ−ジステアリルモノエタノールアミン等が挙げられる。
これらの脂肪族アルカノールアミンは、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。

これらのうち、クーラント成分の洗浄性およびエッチング性の観点から、好ましくはモノエタノールアミン、モノ−ｎ−プロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、およびトリエタノールアミンからなる群より選ばれる１種以上の脂肪族アルカノールアミンである。

洗浄剤組成中の脂肪族アルカノールアミンの実際の使用時の含有量は、洗浄性の観点から通常０．１重量％〜５０重量％であり、１重量％〜３０重量％が好ましい。

また、洗浄性の観点からノニオン界面活性剤（Ａ）と脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を、（Ａ）／（Ｂ）の重量比で通常０．１〜５．０含有し、０．３〜３．０含有することが好ましい。０．１未満では、クーラント成分の洗浄性が乏しいため、好ましくない。一方、５．０を超える場合は、パーティクルの分散性が乏しいため、再付着性が悪化するため好ましくない。

本発明の洗浄剤は、ノニオン界面活性剤（Ａ）と脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分とするが、これらにさらにキレート剤（Ｃ）を含有することで、平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有することで微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮することができる。

本発明に用いられるキレート剤（Ｃ）としては、 以下の（Ｃ１）〜（Ｃ７）が挙げられる。
アミノポリカルボン酸（塩）（Ｃ１）
例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（ＤＨＥＤＤＡ）（塩）、ニトリロ酸酢酸（ＮＴＡ）（塩）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）等

ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ｃ２）
例えば、ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）及びグルコン酸（塩）等
シクロカルボン酸（塩）（Ｃ３）
例えば、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）及びシクロペンタンテトラカルボン酸（塩）等
エーテルカルボン酸（塩）（Ｃ４）
例えば、カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート及び酒石酸ジサクシネート等
その他カルボン酸（塩）（Ｃ５）
例えば、マレイン酸誘導体及びシュウ酸（塩）等

ホスホン酸（塩）（Ｃ６）
例えば、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）等
縮合リン酸（塩）（Ｃ７）
例えば、メタリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）等

キレート剤（Ｃ）が塩を形成する場合、その塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記に例示した酸の１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）塩；２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）塩；３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（以下、ＤＡＢＣＯと略記）等｝塩；アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（以下、ＤＢＮと略記）、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝塩、アルカリ金属（ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等）塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）塩が挙げられる。
また、これらは単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。

これらのうちで、パーティクル除去性の観点から好ましいのは、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｃ６）、（Ｃ７）及びこれらの塩であり、更に好ましいのは（Ｃ１）、（Ｃ６）、（Ｃ７）及びこれらの塩、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（ＤＨＥＤＤＡ）（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）、グルタミン酸（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）（ＨＥＤＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びメタリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）である。

キレート剤（Ｃ）を使用する場合、基板のエッチング性コントロール及び洗浄性能の観点から、（Ｃ）の含有量は、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常３０％以下、好ましくは０．１〜２０％、更に好ましくは０．３〜２０％である。

本洗浄剤は、洗浄剤の効果を損なわない範囲において、更に（Ａ）以外の界面活性剤（Ｄ）、還元剤（Ｅ）及びアルカリ成分（Ｆ）、分散剤（Ｇ）、３価以上の多価アルコール（Ｈ）、水溶性有機溶剤（Ｉ）及びその他の添加剤（Ｊ）からなる群から選ばれる１種以上の成分を含有することができる。

界面活性剤（Ｄ）としては、（Ａ）以外の非イオン性界面活性剤（Ｄ１）、アニオン性界面活性剤（Ｄ２）、カチオン性界面活性剤（Ｄ３）及び両性界面活性剤（Ｄ４）が挙げられる。

本発明の洗浄剤に用いる非イオン性界面活性剤（Ｄ１）としては、アルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤（Ｄ１ａ）及び多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｄ１ｂ）等が挙げられる。

（Ｄ１ａ）としては、高級アルコール（炭素数８〜１８）アルキレン（炭素数２〜４）オキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、フェノール又はアルキ
ル（炭素数１〜１２）フェノールのエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪酸（炭素数８〜１８）エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪族アミン（炭素数６〜２４）のアルキレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、ポリオキシエチレン（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）アルキル（炭素数１〜２０）アリルエーテル、ソルビタンモノラウレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物、ソルビタンモノオレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物等の多価アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルエチレンオキサイド付加物（活性水素１個あたりの付加モル数１〜３０）等が挙げられる。

（Ｄ１ｂ）としては、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル並びにラウリン酸モノエタノールアミド及びラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。

（Ｄ１）の内、洗浄性の観点から、好ましいのは（Ｄ１ａ）であり、更に好ましいのは高級アルコール（炭素数１０〜１６）アルキレン（炭素数２〜３）オキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）付加物、フェノール又はアルキル（炭素数１〜１８）フェノールのエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）付加物及び脂肪族アミン（炭素数９〜１８）のアルキレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）である。

アニオン性界面活性剤（Ｄ２）としては、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ２ａ）、スルホン酸系界面活性剤（Ｄ２ｂ）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｄ２ｃ）、脂肪酸系界面活性剤（Ｄ２ｄ）及びリン酸エステル系界面活性剤（Ｄ２ｅ）等が挙げられる。

高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ２ａ）としては、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基、リン酸エステル（塩）基及びカルボン酸（塩）基か
らなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有し、３００〜８００，０００の重量平均分子量（以下、Ｍwと略記）を有する高分子型アニオン性界面活性剤が挙げられる。
高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、１分子中に少なくとも２個以上の繰り返し単位を有する。

（Ｄ２ａ）の具体例としては、以下の（Ｄ２ａ１）〜（Ｄ２ａ７）が挙げられる。
（Ｄ２ａ１）スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等

（Ｄ２ａ２）硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等並びにこれらの塩等

（Ｄ２ａ３）ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物、ポリエチレンイミンポリメチレンホスホン酸及びポリアリルアミンポリメチレンホスホン酸等並びにこれらの塩等

（Ｄ２ａ４）リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物並びにこれらの塩等

（Ｄ２ａ５）カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等

（Ｄ２ａ）が塩を形成する場合の塩としては、特に限定は無いが、例えば、上記のキレート剤（Ｃ）で例示した塩が挙げられる。
これらの塩の中で、基板への金属汚染防止の観点から、好ましいのは１級アミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩、アミジン塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム塩であり、特に好ましいのは３級アミン塩、アミジン塩及び第４級アンモニウム塩である。

（Ｄ２ａ）のＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常３００〜８００，０００、好ましくは６００〜４００，０００、更に好ましくは１，０００〜８０，０００、特に好ましくは２，０００〜４０，０００である。

アニオン性界面活性剤の内のスルホン酸系界面活性剤（Ｄ２ｂ）としては、炭素数６〜２４のアルコールのスルホコハク酸モノ又はジエステル（塩）、炭素数８〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、炭素数８〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）及び石油スルホネート（塩）等が挙げられる。

硫酸エステル系界面活性剤（Ｄ２ｃ）としては、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのＡＯ１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）及び硫酸化オレフィン（塩）等が挙げられる。

脂肪酸系界面活性剤（Ｄ２ｄ）としては、炭素数８〜１８の脂肪酸（塩）及び炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）等が挙げられる。

リン酸エステル系界面活性剤（Ｄ２ｅ）としては、炭素数８〜２４の高級アルコールの燐酸モノ又はジエステル（塩）及び炭素数８〜２４の高級アルコールのＡＯ付加物の燐酸モノ又はジエステル（塩）等が挙げられる。

（Ｄ２ｂ）、（Ｄ２ｃ）、（Ｄ２ｄ）及び（Ｄ２ｅ）が塩を形成する場合の対イオンとしては、特に限定は無いが、例えば、上記のキレート剤（Ｃ）で例示したカチオンが挙げられる。

アニオン性界面活性剤（Ｄ２）の内好ましいのは、再付着防止性の観点から高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ２ａ）であり、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ２ａ）を使用する場合は、更に必要によりスルホン酸系界面活性剤（Ｄ２ｂ）、硫酸エステル系界面活性剤（Ｄ２ｃ）及び脂肪酸系界面活性剤（Ｄ２ｄ）から選ばれる１種以上を併用してもよい。

カチオン性界面活性剤（Ｄ３）としては、４級アンモニウム塩型の界面活性剤（Ｄ３ａ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（炭素数１〜３０）ジメチルアンモニウム塩、窒素環含有第４級アンモニウム塩、ポリ（付加モル数２〜１５）オキシアルキレン（炭素数２〜４）鎖含有第４級アンモニウム塩及びアルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜１０）ジアルキル（炭素数１〜４）メチルアンモニウム塩｝；アミン系界面活性剤（Ｄ３ｂ）｛例えば、炭素数３〜９０の脂肪族３級アミン、炭素数３〜９０の脂環式（含窒素ヘテロ環を含む）３級アミン及び炭素数３〜９０のヒドロキシアルキル基含有３級アミンの無機酸塩又は有機酸塩｝等が挙げられる。

両性界面活性剤（Ｄ４）としては、ベタイン型両性界面活性剤（Ｄ４ａ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜４）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）ジヒドロキシアルキル（炭素数１〜３０）ベタイン及びスルフォベタイン型｝；アミノ酸型両性界面活性剤（Ｄ４ｂ）｛例えば、アラニン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノプロピオン酸型及びアルキル（炭素数１〜３０）イミノジプロピオン酸型］及びグリシン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノ酢酸型等］｝；アミノスルホン酸塩型両性界面活性剤（Ｄ４ｃ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）タウリン型両性界面活性剤｝等が挙げられる。

界面活性剤（Ｄ）のうち、パーティクルの再付着防止の観点から好ましいのは、非イオン性界面活性剤（Ｄ１）、アニオン性界面活性剤（Ｄ２）及び（Ｄ１）と（Ｄ２）の併用であり、更に好ましいのは（Ｄ２）である。
併用の場合の（Ｄ１）と（Ｄ２）の重量比率｛（Ｄ１）／（Ｄ２）｝は、洗浄性及び起泡性の観点から通常０．５以下、好ましくは０．０１〜０．２、更に好ましくは０．０１〜０．０１である。

本発明の洗浄剤は、還元剤（Ｅ）を含有することにより、電子材料表面に対するエッチング性をコントロールできるので、還元剤（Ｅ）を含有することが更に好ましい。本発明の洗浄剤は、アルカリ成分（Ｆ）を含有することによりパーティクルに対する洗浄性が更に向上する。

還元剤（Ｅ）としては、有機還元剤（Ｅ１）及び無機還元剤（Ｅ２）が挙げられる。
有機還元剤（Ｅ１）としては、脂肪族有機還元剤（Ｅ１ａ）、芳香族有機還元剤（Ｅ１ｂ）及びその他の有機還元剤（Ｅ１ｃ）が挙げられ、以下のものが例示できる。

脂肪族有機還元剤（Ｅ１ａ）としては、炭素数１〜１２の有機酸類、炭素数１〜１２のアルデヒド類、炭素数６〜９のレダクトン類及び炭素数１〜３０の脂肪族アミン等が挙げられる。
炭素数１〜１２の有機酸類としては、ギ酸、酢酸、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、マレイン酸、２−オキソプロパン酸、マロン酸、没食子酸及びこれらの塩が挙げられる。尚、前記（Ｃ２）及び（Ｃ５）も還元剤としての効果を有する。
炭素数１〜１２のアルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド及びビニルアルデヒド等が挙げられる。
炭素数６〜９のレダクトン類としては、Ｌ−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、Ｌ−アスコルビン酸硫酸エステル、Ｌ−アスコルビン酸リン酸エステル、Ｌ−アスコルビン酸２−グルコシド、Ｌ−アスコルビン酸パルミチン酸エステル、テトライソパルミチン酸Ｌ−アスコルビル、アスコルビン酸イソパルミネート、エリソルビン酸、エリソルビン酸リン酸エステル、エリソルビン酸パルミチン酸エステル、テトライソパルミチン酸エリソビル及びこれらの塩等が挙げられる。

炭素数１〜３０の脂肪族アミンとしては、炭素数１〜６のアルキルアミン、炭素数２〜５のアルキレンジアミン、炭素数４〜１０の環状アミン、炭素数３〜１５のアミジン化合物及び炭素数４〜３０のポリ（ｎ＝２〜５）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜６）アミン等が挙げられる。

炭素数１〜６のアルキルアミンとしては、モノアルキルアミン｛メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン及びヘキシルアミン等｝；炭素数２〜６のジアルキルアミン｛ジメチルアミン、エチルメチルアミン、プロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、プロピルエチルアミン及びジイソプロピルアミン等｝が挙げられる。

炭素数２〜５のアルキレンジアミンとしては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン及びヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。

炭素数４〜１０の環状アミンとしては、ピペリジン、ピペラジン及び１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）等が挙げられる。
炭素数３〜１５のアミジン化合物としては、１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（ＤＢＮ）等が挙げられる。
炭素数４〜３０のポリ（ｎ＝２〜５）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜６）アミンとしては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ヘキサエチレンヘプタミン、イミノビスプロピルアミン、ビス（ヘキサメチレン）トリアミン及びペンタエチレンヘキサミン等が挙げられる。

芳香族有機還元剤（Ｅ１ｂ）としては、炭素数７〜１２の芳香族アルデヒド、炭素数６〜９の芳香族アミン及び炭素数６〜３０のフェノール化合物等が挙げられる。
炭素数７〜１２の芳香族アルデヒドとしては、ベンズアルデヒド及びシンナムアルデヒド等が挙げられる。
炭素数６〜９の芳香族アミンとしては、ｐ−フェニレンジアミン及びｐ−アミノフェノール等が挙げられる。

炭素数６〜３０のフェノール化合物としては、一価フェノール及びポリフェノールが挙げられる。一価フェノールとしては、３−ヒドロキシフラボン及びトコフェロール（α−、β−、γ−、δ−、ε−又はη−トコフェロール等）等が挙げられる。ポリフェノールとしては、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノール、ピロガロール及びフロログルシノール等が挙げられる。

その他の有機還元剤（Ｅ１ｃ）としては、リン系還元剤（例えば、トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィン等）；ボラン系錯体（例えば、ボラン−ｔｅｒｔ−ブチルアミン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン錯体及びボラン−トリメチルアミン錯体等）；チオール系還元剤（例えば、Ｌ−システイン及びアミノエタンチオール等）；ヒドロキシルアミン系還元剤（例えば、ヒドロキシルアミン及びジエチルヒドロキシルアミン等）等が挙げられる。尚、後述する（Ｇ３）及び（Ｇ４）として例示した糖類及び糖アルコールも有機還元剤としての効果を有する。

無機還元剤（Ｅ２）としては、硫黄のオキソ酸類｛例えば、亜硫酸（塩）、二亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、チオ硫酸（塩）、ジチオン酸（塩）、ポリチオン酸（塩）等｝；リンのオキソ酸類｛例えば、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）、次亜リン酸（塩）等｝；その他の無機還元剤（硫酸第１鉄、塩化第２スズ、水酸化シアノホウ素ナトリウム、水酸化ホウ素ナトリウム等）等が挙げられる。
これらの還元剤（Ｅ）を形成する塩としては、上記（Ｄ２）で例示したものと同様のものが使用できる。

これらの還元剤（Ｅ）のうち、洗浄剤のエッチング性コントロール及び洗浄剤中のイオンによる基板の再汚染の観点から、炭素数１〜１２のアルデヒド類、炭素数６〜９のレダクトン類、炭素数１〜３０の脂肪族アミン、チオール系還元剤、硫黄のオキソ酸類及びリ
ンのオキソ酸類が好ましく、更に好ましいのはホルムアルデヒド、Ｌ−アスコルビン酸（塩）、イソアスコルビン酸（塩）、エリソルビン酸（塩）、Ｌ−システイン、アミノエタンチオール、亜硫酸（塩）、二亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、チオ硫酸（塩）、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）及び次亜リン酸（塩）、特に好ましいのはＬ−アスコルビン酸（塩）、Ｌ−システイン、亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）及び次亜リン酸（塩）である。
（Ｅ）が塩を形成する場合の対イオンとしては特に限定無いが、上記の（Ｄ２）で例示したものと同様のものが使用できる。
また（Ｅ）は単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。

還元剤（Ｅ）を含有する場合、還元剤（Ｅ）の含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて通常６０％以下であり、好ましくは１〜５０％、更に好ましくは２〜４０％である。この範囲であると、基板のエッチング性をコントロールする点から好ましい。

脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）以外のアルカリ成分（Ｆ）としては、有機アルカリとしてのアミン（Ｆ１）、第四級アンモニウム塩（Ｆ２）、無機アルカリ（Ｆ３）及びこれらの混合物が挙げられる。

アミン（Ｆ１）としては、炭素数１〜８のアルキル基を有する１〜３級のアルキルアミン［メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン等］；炭素数２〜６のアルキレン基を１個以上有する（ポリ）アルキレンポリアミン［エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン等］；環式アミジン化合物〔１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７、１，６−ジアザビシクロ［４，３，０］ノネン−５等〕およびヒドラジン等が挙げられる。

第四級アンモニウム塩（Ｆ２）の具体例としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド等。

無機アルカリ（Ｆ３）としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等が挙げられる。

（Ｆ）のうち、洗浄性の観点から、第４級アンモニウム塩（Ｆ２）及び無機アルカリ（Ｆ３）が好ましく、更に好ましいのは、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、水酸化カリウム及びこれらの併用である。

アルカリ成分（Ｆ）を含有する場合、洗浄性の観点等から、（Ｆ）の含有量は、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて通常４０％以下、好ましくは２〜３０％、更に好ましくは３〜２５％である。

分散剤（Ｇ）としては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、例えば、多糖類及びその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デンプン等）；ポバール及びリン酸エステル｛フィチン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸、トリ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸等｝等が挙げられる。尚、前記（Ｄ２ａ）も分散剤としての効果を有する。

これら分散剤（Ｇ）を含有する場合、これらの分散剤（Ｇ）の含有量は、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常は１０％以下、好ましくは８％以下、更に好ましくは５％以下である。

３価以上の多価アルコール（Ｈ）としては、以下の（Ｈ１）〜（Ｈ６）等が挙げられる。
脂肪族多価アルコール（Ｈ１）：
グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール等
脂肪族多価アルコールの（Ｈ１）の脱水縮合物（Ｈ２）：
ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン、ペンタグリセリン、等
糖類（Ｈ３）：
単糖類｛ペントース（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース、リブロース等）、ヘキソース（グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース、タガトース等）、ヘプトース（セドヘプツロース等）等｝；二糖類（トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース、ラクトース等）；三糖類（ラフィノース、マルトトリオース等）等
糖アルコール（Ｈ４）：
アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール、ズルシトール等
トリスフェノール（Ｈ５）：
トリスフェノールＰＡ等
これらのアルキレンオキシド（炭素数２〜４）付加物（付加モル数１〜７モル）（Ｈ６）

（Ｈ）の内、基板の腐食を防止する効果の高い点から、（Ｈ１）、（Ｈ２）、（Ｈ３）及び（Ｈ４）が好ましく、更に好ましいのはグリセリン、サッカロース及びソルビトールである。

（Ｈ）を含有する場合、その含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常３０％以下、好ましくは２０％以下、更に好ましくは１０％以下である。

水溶性有機溶剤（Ｉ）としては、２０℃における水に対する溶解度（ｇ／１００ｇＨ2
Ｏ）が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤が挙げられる。
具体的には、下記のような一価アルコール、多価アルコール、アルコール以外の水溶性有機溶媒が挙げられる。

一価アルコールとしては、炭素数１〜１２の脂肪族アルコール；前記アルコールに炭素数２〜４のアルキレンオキサイド（以下、ＡＯと略記）を付加した化合物；およびこれらの混合物が挙げられる。
炭素数１〜４の脂肪族アルコールとしてはメタノール、エタノールおよびイソプロパノールなどが挙げられ、前記アルコールに炭素数２〜４のＡＯを付加した化合物としてはエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどが挙げられる。

多価アルコールとしては、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコールおよびグリセリンなどが挙げられる。

アルコール以外の水溶性有機溶媒としては、例えば窒素原子含有水溶性有機溶媒［Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドンおよびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなど］；ケトン系水溶性有機溶媒［アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンおよびジアセトンアルコールなど］；環状エーテル系水溶性有機溶媒［テトラヒドロフランおよびテトラヒドロピランなど］；ラクトン［β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトンおよびγ−ブチロラクトンなど］；およびスルホキシド系水溶性有機溶媒［ジメチルスルホキシドおよびジエチルスルホキシドなど］；オキサゾリジノン［Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノンおよび３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノンなど］；ニトリル［アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリルおよびアクリロニトリルなど］；カーボネート［エチレンカーボネートおよびプロピオンカーボネートなど］などが挙げられる。
また（Ｉ）は単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

（Ｉ）のうちで、洗浄性及び洗浄剤中の成分が電子材料表面に残留することを防止する観点等から、グリコール及びグリコールエーテルが好ましい。さらに好ましいのは、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテルである。

（Ｉ）を含有する場合、その含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常８０％以下、好ましくは５０％以下、更に好ましくは２０％以下である。

その他の添加剤（Ｊ）としては、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、
防腐剤及びハイドロトロープ剤等が挙げられる。

酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤｛２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノール等｝；アミン系酸化防止剤｛モノオクチルジフェニルアミン、モノノニルジフェニルアミン等のモノアルキルジフェニルアミン；４，４’−ジブチルジフェニルアミン、４，４’−ジペンチルジフェニルアミン等のジアルキルジフェニルアミン；テトラブチルジフェニルアミン、テトラヘキシルジフェニルアミン等のポリアルキルジフェニルアミン；α−ナフチルアミン、フェニル−α−ナフチルアミン等のナフチルアミン等｝；硫黄系化合物｛フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）、ビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィド等｝；リン系酸化防止剤｛ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト、トリフェニルホスファイト等｝；等が挙げられる。
これらは、単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール等の含窒素有機防錆剤；ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物、ドデセニルコハク酸アミド等のアルキル又はアルケニルコハク酸；ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート、ペンタエリスリトールモノオレエート等の多価アルコール部分エステル等を挙げられる。
これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

ｐＨ調整剤としては、無機酸（塩酸、硫酸、硝酸、スルファミン酸及びリン酸等）、上記例示した無機アルカリ（Ｆ４）等が挙げられ、これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

緩衝剤としては、緩衝作用を有する有機酸又は無機酸及び／又はそれらの塩を用いることができる。
有機酸としては、前記の（Ｅ１ａ）で例示した炭素数１〜１２の有機酸類等を挙げることができ、無機酸としては、例えばリン酸、ホウ酸等を挙げることができる。
また、これらの酸の塩としては、上述のアニオン性界面活性剤（Ｄ２）で例示した塩と同様のものが挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

消泡剤としては、シリコーン消泡剤｛ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン、ポリエーテルシリコーン等を構成成分とする消泡剤等｝等が挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

防腐剤としては、市販の防腐剤を使用でき、トリアジン誘導体｛ヘキサヒドロ−１，３，５−トリス（２−ヒドロキシエチル）−Ｓ−トリアジン等｝；イソチアゾリン誘導体｛１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オン、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン、５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等｝；ピリジン誘導体｛ピリジン２−ピリジンチオール−１−オキサイド（塩）等｝；モルホリン誘導体｛４−（２−ニトロブチル）モルホリン、４，４−（２−エチル−２−ニトロトリメチレン）−ジモルホリン等｝；ベンズイミダゾール誘導体｛２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾール等｝；その他の防腐剤｛ポリ［オキシエチレン（ジメチルイミノ）エチレン（ジメチルイミノ）エチレン］ジクロライド、ｐ−クロロ−ｍ−キシレノール、フェノキシエタノール、フェノキシプロパノール、アセトキシジメチルジオキサン、イソプロピルメチルフェノール、テトラクロロイソフタロニトリル、ビスブロモアセトキシエタン、３−ヨード−２−プロピニルブチルカーバメート、２−ブロモ−２−ニトロプロパン−１，３−ジオール等｝等が挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

ハイドロトロープ剤としては、レゾルシン及びサリチル酸（塩）等が挙げられる。また、これらの酸の塩としては、上述のアニオン性界面活性剤（Ｄ２）で例示した塩と同様のものが挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。尚、スルホン酸系界面活性剤（Ｄ２ｂ１）として例示したトルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）及びクメンスルホン酸（塩）もハイドロトロープ剤としての効果を有する。

その他の添加剤（Ｊ）を含有する場合、それぞれの添加剤の含有量は、酸化防止剤、防錆剤、緩衝剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤が、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて通常１０％以下、好ましくは８％以下、更に好ましくは５％以下である。
また消泡剤の添加量は通常は２％以下、好ましくは１．５％以下、更に好ましくは１％以下である。
また、ｐＨ調整剤は洗浄剤の有効成分の重量に基づいて通常は９０％以下、好ましくは８５％以下、更に好ましくは８０％以下である。
また、その他の添加剤（Ｊ）の合計の含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて通常９０％以下、好ましくは８５％以下、更に好ましくは８０％以下である。

尚、前記（Ｃ）〜（Ｊ）の間で、組成が同一で重複する場合は、それぞれの成分が該当する添加効果を奏する量を他の成分としての効果に関わりなく使用するのではなく、他の成分としての効果も同時に得られることをも考慮し、使用目的に応じて使用量を調整するものとする。

本発明の洗浄剤の有効成分の濃度は、運搬効率の観点からは、通常は０．１〜１００％であり、好ましくは０．２〜９０％、更に好ましくは０．５〜７０％、特に好ましくは１．０〜５０％である。
また、本発明の電子材料用洗浄剤を使用する際には、必要により、希釈水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）で希釈して、有効成分濃度を０．０１〜１５％、特に０．０５〜１０％にすることが、使用時の作業性及びコストの観点から好ましい。

本発明の電子材料用洗浄剤を希釈水で希釈した場合の有効成分濃度０．０１〜１５％における２５℃でのｐＨは、通常は７〜１４であり、好ましくは８〜１３、更に好ましくは９〜１３である。ｐＨがこの範囲にあると、基板の平坦性を損ねることなく、適度なエッチング性を有し、また微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し易くなる。

本発明の洗浄剤を必要により希釈して得られる上記洗浄液は、磁気ディスク用基板の洗浄に好適に使用でき、磁気ディスク用アルミニウム基板及びガラス基板に好適に使用できる。

本発明の磁気ディスク基板の洗浄方法は、上記の洗浄液中で磁気ディスク基板を洗浄する洗浄方法である。
洗浄対象物（汚れ）は、油分（クーラント等）、人体からの汚れ（指紋、皮脂等）、可塑剤（ジオクチルフタレート等）、有機パーティクル等の有機物、無機パーティクル｛研磨剤（例えば、コロイダルシリカ、アルミナ、酸化セリウム、ダイヤモンド等）、研磨屑等｝等の無機物が挙げられる。

本発明の洗浄方法は、クーラント成分由来の残渣やパーティクルの除去性に極めて優れていることから、磁気ディスクの製造工程の内、研磨剤又は研磨屑等のパーティクルが発生する工程や高度な清浄度が要求される工程で行うことが好ましく、研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程、テクスチャリング工程後の洗浄工程及び／又は成膜工程（例えば、下地層、磁性層及び保護層等をスパッタリング装置により成膜する工程）前の洗浄工程での洗浄方法として適用することが好ましい。
前記研磨工程が、研磨剤としてアルミナ及び／又はシリカを用いる研磨工程である場合や前記テクスチャリング工程でダイヤモンドを用いる場合に、本発明の洗浄方法の効果が特に発揮されやすい。

本発明の洗浄方法における洗浄方式としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方式が挙げられ、いずれの方式であっても本発明の洗浄方法の効果が発揮されやすい。

本発明の洗浄液を使用する際の洗浄温度（℃）としては、洗浄性の観点から、通常は１０〜８０℃であり、好ましくは１５〜７０、更に好ましくは２０〜６０である。

本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、前記洗浄方法で磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。

以下、実施例及び比較例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。ポリマーのＧＰＣによる分子量の測定条件は前述の方法により測定した。
なお、以下において超純水は比抵抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用した。

［製造例１］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、プロピレングリコールを１６０部、水酸化カリウムを２．２部を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。プロピレンオキサイド（以下、実施例で、ＰＯと略記する。）４８３０部を、反応温度を１０５℃に制御しながら、１０時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。更に、２．６ｋＰａ以下の減圧下に、１５０℃で２時間撹拌して、ポリオキシプロピレングリコール４９９０部を得た。
得られたポリオキシプロピレングリコール１００部を撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。
これにエチレンオキサイド（以下、実施例で、ＥＯと略記する。）１１０部を、反応温度を１０５℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１０５℃で３時間熟成した。更に、２．６ｋＰａ以下の減圧下に、１５０℃で２時間撹拌して、ノニオン界面活性剤（Ａ−１）２１０部を得た。ｍ／ｍ＋ｎ＋ｋが０．３３、ｍ＋ｎ＋ｋが１２０であった。

［製造例２］
製造例１のＥＯの重量部を２３８部に変更する以外は、同様にしてノニオン界面活性剤（Ａ−２）２３５部を得た。ｍ／ｍ＋ｎ＋ｋが０．２４、ｍ＋ｎ＋ｋが１６５であった。

［製造例３］
製造例１のＰＯの重量部を３６６０部に変更し、ＥＯの重量部を１００部に変更する以外は、同様にしてノニオン界面活性剤（Ａ−３）２００部を得た。ｍ／ｍ＋ｎ＋ｋが０．４３、ｍ＋ｎ＋ｋが７０であった。

［製造例４］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアルコールを２００部（１．１モル部）、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（以下、ＴＭＡＨと略記する。）の２５％水溶液を１０部（０．０２７モル）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。
ＥＯ４３０部（９．８モル）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。
さらに、２．６ｋＰａ以下の減圧下に、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアルコールＥＯ９モル付加物（Ｄ１−１）６３０部を得た。

［製造例５］
撹拌装置及び温度制御装置付きのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアミンを１８５部（１．０モル）、２５％ＴＭＡＨ水溶液を３．６部（０．０１モル）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。
ＥＯ２６４部（６．０モル）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成した。
さらに、２．６ｋＰａ以下の減圧下、１５０℃で２時間撹拌して、残存するＴＭＡＨを分解して除去し、非イオン性界面活性剤であるラウリルアミンＥＯ６モル付加物（Ｄ１−２）４４５部を得た。

［製造例６］
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部、超純水を１０部仕込み、撹拌下、系内の温度を８０℃に保ちながら、３７％ホルムアルデヒド８部を３時間かけて滴下した。
滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調整した。
超純水を加えて固形分を４０％にして、アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のＤＢＵ塩（Ｄ２−１）の４０％水溶液を得た。
なお、（Ｄ２−１）のＭｗは５，０００であった。

［製造例７］
温度調節及び攪拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００部、超純水１００部を仕込み、窒素置換後、７５℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸の７５％水溶液４０７部及びジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を３．５時間かけて同時に滴下した。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。
得られたポリアクリル酸水溶液をＤＢＵ（約４５０部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリアクリル酸ＤＢＵ塩（Ｄ２−２）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｄ２−２）のＭｗは１０，０００であった。

［製造例８］
温度調節及び還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と、予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて反応容器内に滴下し、滴下終了後更に１時間重合を行った。
重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後更に３時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水３４５部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。
得られたポリスチレンスルホン酸水溶液を２５％ＴＭＡＨ水溶液（約４００部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリスチレンスルホン酸トリメチルアンモニウム塩（Ｄ２−３）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｄ２−３）のＭｗは、４０，０００、スルホン化率は９７％であった。

［比較製造例１］
ＥＯの重量部を４２部に変更する以外は、同様にしてノニオン界面活性剤（Ａ’−１）１４０部を得た。ｍ／ｍ＋ｎ＋ｋが０．６４、ｍ＋ｎ＋ｋが６５であった。

［比較製造例２］
製造例１のＰＯの重量部を３６６０部に変更し、ＥＯの重量部を４００部に変更する以外は、同様にしてノニオン界面活性剤（Ａ’−２）５００部を得た。ｍ／ｍ＋ｎ＋ｋが０．１６、ｍ＋ｎ＋ｋが１９０であった。

［比較製造例３］
製造例１のＥＯの重量部を４００部に変更する以外は、同様にしてノニオン界面活性剤（Ａ’−３）５００部を得た。ｍ／ｍ＋ｎ＋ｋが０．２４、ｍ＋ｎ＋ｋが２６０であった。

実施例１〜１４７および比較例１〜７
表１に記載の配合部数の各配合成分を、均一撹拌・混合して実施例１〜１４７および比較例１〜７の洗浄剤を作製した。

なお、表１中のキレート剤（Ｃ）、アルカリ成分（Ｅ）、親水性溶剤（Ｆ）の略号は下記の通りである。
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＴＥＡ：トリエタノールアミン
ＭＩＰＡ：モノイソプロパノールアミン
ＢＥＡ：Ｎ・ベンジルエタノールアミン
ＤＴＰＡ：ジエチレントリアミンペンタ酢酸
ＨＥＤＰ：１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸
ＥＤＴＡ：エチレンジアミンテトラ酢酸

得られた洗浄剤を超純水で１０倍希釈して洗浄液として、以下の方法で、ｐＨ、脂肪酸の洗浄性（洗浄性−１）、脂肪酸由来の金属塩の洗浄性（洗浄性−２）、シリカの洗浄性（洗浄性−３）、酸化セリウムの洗浄性（洗浄性−４）、ダイヤモンドの洗浄性（洗浄性−５）を評価した結果を表２に示す。

＜ｐＨの測定方法＞
洗浄液のｐＨを２５℃でｐＨメーターで測定した。

＜脂肪酸の洗浄性（洗浄性−１）の評価方法＞
３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板をアセトンに１０分間浸漬して脱脂した。
オレイン酸１．０％、ｎ−ブチルカルビトールＥＯ付加物１．０％、水９８．０％を混合した液にこの基板を２時間浸漬し、引き上げて５分間乾燥し汚染サンプルを作製した。

実施例と比較例の洗浄液１，０００部をガラス製ビーカーにとり、作製した汚染サンプルを浸漬し超音波照射（２００ｋＨｚ）し、３０秒ごとに取り出して超純水でリンスし、窒素ブローして乾燥後、超純水の基板に対する接触角を確認した。
洗浄性は、超純水の基板に対する接触角が１０度以下になるまでの浸漬時間で評価した。

洗浄性は以下の基準で判定した。
◎：３０秒未満
○：３０秒〜１分
△：１分〜３分
×：３分以上

＜脂肪酸由来の金属塩の洗浄性（洗浄性−２）の評価方法＞
オレイン酸１．０％、ｎ−ブチルカルビトールＥＯ付加物１．０％、水９８．０％を混合し、得られた液１００部と、１％水酸化ニッケル水溶液１００部を混合した。
この溶液に洗浄性−１と同様に脱脂した３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板を１０分浸漬し、引き上げて汚染基板とした。洗浄液１，０００部が入ったガラス製ビーカーに、前記基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間の洗浄を行った。
洗浄後、基板を取り出し、超純水で十分にリンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、下記の評価の判断基準に従い、基板表面の洗浄性を超微細欠陥・可視化マクロ検査装置（ビジョンサイテック社製・MicroMax VMX-4100 Napier）で観察し、１０枚同じ実験をおこなった際の平均異物数を数えた。
なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＨＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。

１枚あたりの平均異物数により以下の基準で洗浄性を判定した。
◎：５個未満
○：５〜１０個
△：１０〜１００個
×：１００個以上

＜シリカの洗浄性（洗浄性−３）の評価方法＞
市販のコロイダルシリカスラリー（日産化学製、スノーテックス２０Ｌ）を超純水で２０倍希釈したものに、洗浄性−１と同様に脱脂した３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板を１０分浸漬して引き上げて汚染基板とした以外は、洗浄性−２と同様にして評価した。
判断基準は洗浄性−２と同様である。

＜酸化セリウムの洗浄性（洗浄性−４）の評価方法＞
洗浄性−３の評価方法において、コロイダルシリカスラリーを市販の酸化セリウムスラリー（フジミインコーポレーティド社製、ＣＥＰＯＬ−１２０）に変更した以外は洗浄性−３と同様にして評価した。
判断基準は洗浄性−２と同様である。

＜ダイヤモンドの洗浄性（洗浄性−５）の評価方法＞
洗浄性−３の評価方法においてコロイダルシリカスラリーを市販のダイヤモンドスラリー（日本ミクロコーティング社製）に変更した以外は洗浄性−３２と同様にして評価した。
判断基準は洗浄性−２と同様である。

表１で明らかなように、本発明のノニオン界面活性剤（Ａ）および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を用いた実施例１〜１４はいずれも、脂肪酸、脂肪酸由来の金属塩ならびにパーティクル（シリカ、酸化セリウム、ダイヤモンド）の洗浄性が優れていることがわかる。
一方、ノニオン界面活性剤のオキシプロピレンブロックの分子量が大きい比較例１やノニオン界面活性剤（Ａ）を使用しない比較例４は、脂肪酸由来残渣の洗浄性が十分でない。また、オキシプロピレンブロックの分子量が小さい比較例２やノニオン界面活性剤の分子量が大きい比較例３は、基板上状にノニオン界面活性剤自体が残渣として残るため、洗浄性が不十分である。
脂肪族アルカノールアミンを使用しない比較例５や長鎖アルキルアルカノールアミンを使用した比較例６は脂肪酸由来の金属塩の洗浄性が不十分である。アルカリ成分を含まない比較例７はパーティクルの洗浄性が劣るとともに脂肪酸由来残渣の洗浄性が不十分である。

本発明の洗浄剤は、磁気ディスク基板上のパーティクルの洗浄性に優れているため、磁気ディスク基板（アルミ基板及びガラス基板等）を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。

Claims (4)

1. 下記一般式（１）で示され、かつ式中のｍ/(ｎ＋ｍ＋ｋ)が０．２０〜０．５５であるノニオン界面活性剤（Ａ）、脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）およびキレート剤（Ｃ）を必須成分として含有するｐＨが９〜１４であることを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤。
   ＨＯ−（ＥＯ）n−（ＰＯ）m−（ＥＯ)ｋ−Ｈ （１）
   ［式中、ＥＯはオキシエチレン基、ＰＯはオキシプロピレン基を表し、（ＥＯ）n、（ＰＯ）m、（ＥＯ)ｋは、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドがブロック状で付加している。ｎ、ｍ、ｋはそれぞれ２０以上の数を表し、ｎ＋ｍ＋ｋは６０〜２００である。］
2. 脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）が、炭素数２〜６の脂肪族アルカノールアミンである請求項１記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
3. ノニオン界面活性剤（Ａ）と脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）の重量比（Ａ）／（Ｂ）が０．１〜５．０である請求項１または２に記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
4. 請求項１〜３いずれか１項に記載の磁気ディスク基板用洗浄剤を用いる磁気ディスク基板の洗浄方法。